TW201533893A - 塗層式鑽石磨削複製母模及其相關方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種塗層式鑽石磨削複製母模，其用以製造晶圓級透鏡陣列，該複製母模包括：可磨削之低硬度鑽石薄片；一模面，形成於該可磨削之低硬度鑽石薄片中；以及一抗氧化性塗層，塗佈於該模面上，用以保護該模面。該模面包括複數個光學體，其中所有該複數個光學體係由一單一鑽石切割工具切割。一種用以形成塗層式鑽石磨削複製母模之方法，係包括：使用一單一鑽石切割工具，於可磨削之低硬度鑽石薄片中形成一模面，該模面包括複數個光學體，所有該光學體係由該單一鑽石切割工具形成。該方法亦包括在形成複數個光學體之步驟後，於該模面上塗佈一抗氧化性塗層。

Description

塗層式鑽石磨削複製母模及其相關方法
一種複製母模及其相關方法，特別係關於塗層式鑽石磨削複製母模及其相關方法。
矽晶圓可加工為複數個光學感測器，於晶圓切割成個別感測器之前，可將一或多個含有複數個光學組件(例如透鏡)之額外層與矽晶圓組合(堆疊)，以形成複數個組合式感測器/光學組件。使用金屬複製母模來製造各層上之複數個光學組件，其對應於矽晶圓上之光學感測器。一般而言，藉由微研磨鑽石磨削對鎳-磷(nickel-phosphorous；NiP)基板進行光學體(optical form)機械加工，以形成金屬母模。由於NiP具耐用、穩定且具抗化學性之特性，故其適合用於塑膠母模製程之後續清洗。
然而，於金屬母模製程中，NiP之高硬度會對工具造成顯著地磨損，因而於透鏡機械加工時，易造成光學變形。在單一金屬母模中，存在數千個透鏡形成體(lens forms)，須避免光學體變形。有時，鑽石工具磨損至使用一個新工具(或許多工具)來機械加工金屬母模內所有光學體。然而，使用多個工具製備單一金屬母模，會產生透鏡形成體位置(對齊)及透鏡形成體深度(對應於最大透鏡厚度)之誤差，降低使用該金屬母模製造產品的產率。
光學體經機械加工以成為複製母模，其光學體之形狀係由部分之光學組件所決定，其光學組件係可複製的。本發明係藉由一金屬母模之製程方法，以製造複數個透鏡，該金屬母模包含複數個各自相對應之透鏡體。
本發明之一觀點，提供一種塗層式鑽石磨削複製母模之方法。該方法包括使用單一鑽石切割工具，於可磨削之低硬度鑽石薄片中形成一模面，該模面包括複數個光學體，所有該等光學體係由該單一鑽石切割工具形成。該方法亦包括在形成複數個光學體之步驟後，於該模面上塗佈一抗氧化性塗層。
本發明之另一觀點，提供一種低硬度之塗層式鑽石磨削複製母模，其用以製造晶圓級透鏡陣列。該複製母模包括：可磨削之低硬度鑽石薄片；一模面，形成於可磨削之低硬度鑽石薄片中；以及一抗氧化性塗層，塗佈於該模面上，用以保護該模面。該模面包括複數個光學體，其中所有該複數個光學體係由一單一鑽石切割工具切割。
100‧‧‧複製母模
102‧‧‧基板
104‧‧‧可磨削之低硬度鑽石薄片
106‧‧‧光學形成體
106(1)‧‧‧首次切割光學體
106(N)‧‧‧最後切割光學體
107‧‧‧未切割之表面區域
108‧‧‧模面
109‧‧‧抗氧化性塗層
114‧‧‧厚度
116‧‧‧深度
119(1)‧‧‧厚度
119(2)‧‧‧厚度
120‧‧‧鑽石磨削機
122‧‧‧鑽石切割工具
200‧‧‧製程
202‧‧‧步驟
204‧‧‧步驟
206‧‧‧步驟
208‧‧‧步驟
300‧‧‧影像
302‧‧‧環形
400‧‧‧影像
502‧‧‧影像
602‧‧‧影像
700‧‧‧曲線圖
800‧‧‧曲線圖
900‧‧‧柱狀圖
1000‧‧‧柱狀圖
1100‧‧‧曲線圖
1102(1)‧‧‧殘餘數據組
1102(2)‧‧‧殘餘數據組
1102(3)‧‧‧殘餘數據組
1102(4)‧‧‧殘餘數據組
1200‧‧‧曲線圖
1220‧‧‧半徑範圍
第1圖係根據本發明之一實施例顯示可磨削之低硬度鑽石層的金屬母模，其用以製造晶圓級透鏡陣列。
第2圖係根據本發明之一實施例顯示金屬母模之製程，其金屬母模用以製備晶圓級透鏡陣列。
第3圖為一影像，其顯示以鑽石切割工具製造習知NiP金屬母模內之光學體，該鑽石切割工具先前已產生大致七百個類似光學體。
第4圖為一影像，其顯示鑽石切割工具先於第1圖之可磨削之低硬度鑽石層內切割大致四千六百個類似光學體後，接續，內切可磨削之低硬度鑽石薄片。
第5圖係顯示第一透鏡之量測值，第一透鏡係根據第1圖之金屬母模於首次切割光學體所製成。
第6圖係顯示第二透鏡之量測值，第二透鏡係根據第1圖之金屬母模於最後切割光學體所製成。
第7圖為一曲線圖，係根據本發明之一實施例顯示透鏡對齊之最佳情形，該透鏡係由習知NiP金屬母模製備而成。
第8圖為一曲線圖，係根據本發明之一實施例顯示透鏡對齊 的最佳情形，該透鏡係由第1圖之金屬母模製備而成。
第9圖為一柱狀圖，係顯示在習知NiP金屬母模切割複數個光學體中，光學體深度變化。
第10圖為一柱狀圖，係顯示在複數個第1圖金屬母模切割複數個光學體中，光學體之深度變化。
第11圖係顯示習知NiP母模沿著光學體之徑向方向時，光學體之殘餘誤差之曲線圖。
第12圖係為顯示本發明金屬母模沿著光學體之徑向方向時，光學體之殘餘誤差之曲線圖。
第1圖係根據本發明之一實施例顯示塗層式鑽石磨削複製母模100，其用以製造晶圓級透鏡陣列。塗層式鑽石磨削複製母模100包括一可磨削之低硬度鑽石薄片(low-hardness daimond-turnable)，該薄片具有至少一表面，其由可磨削之低硬度鑽石材料所形成。於一實施例中，於一基板102上塗佈一層可磨削之低硬度鑽石材料，以形成可磨削之低硬度鑽石薄片104。於不同實施例中，塗層式鑽石複製母模100可不包含基板102，以使得可磨削之低硬度鑽石薄片材料可完全地形成獨立薄片和平板，以成為可磨削之低硬度鑽石薄片104。
將複數個光學體106(optical form)(及其他特徵)研磨至可磨削之低硬度鑽石薄片104內，以產生模面(mold surface)108，隨後，該模面塗佈一抗氧化性塗層109。
模面108包括至少光學體106之表面，模面108亦可包括一未切割表面區域107，其位於相鄰光學體106之間。於塗層式鑽石磨削複製母模100之實施例中，抗氧化性塗層109覆蓋光學體106以及一或多個未切割之表面區域107上。於塗層式鑽石磨削複製母模100另一實施例中，抗氧化性塗層109覆蓋光學體106，但不覆蓋部分未切割之表面區域107。又於塗層式鑽石磨削複製母模100之另一實施例中，抗氧化性塗層109覆蓋光學體106，以及鄰接光學體106邊緣之一或多個未切割表面區域107 之部分。
於塗層式鑽石磨削複製母模100之典型實施例中，可磨削之低硬度鑽石薄片104係由高純度銅形成，且抗氧化性塗層109係由非晶型NiP形成。可藉由鑽石磨削機120及鑽石切割工具122來進行研磨。圖式放大僅用以清楚描繪元件特徵，塗層式鑽石磨削複製母模之特徵並非按比例繪製。於一實施例中，於研磨前，可磨削之低硬度鑽石薄片104的厚度114大致為一毫米。
可磨削之低硬度鑽石薄片104中可形成數百或數千個光學體106。於一實施例中，光學體106以一或多個等間隔二維柵極(亦稱為「磚式結構」)排列於薄片104上，以使晶片數量(亦即薄片104上光學體106之數目)最大化。舉例而言，光學體106得以正方形、三角形或六邊形柵極形式配置。於一實施例中，該等間隔二維柵極與CMOS影像感測器晶圓上影像感測器晶片之對應二維柵極相匹配，當柵極進行對準時，各影像感測器晶片對準於光學體。
於一實施例中，每一複數個光學體106皆為相同。本文中所述之兩個光學體106之各別形狀差異小於相關製造容差，則將其視為相同的光學體。於一實施例中，可磨削之低硬度鑽石薄片104中的光學體106，其每一深度隨該光學體內之位置而有所變化。舉例而言，第1圖中之各光學體106為徑向對稱的凹洞，且其最大深度在該光學體中心處。於不同實例中，各光學體106具有徑向對稱之鷗翼(gull-wing)形狀表面，該光學體之最大深處在中心處之非零徑向距離處。
抗氧化性塗層109之厚度119介於0.5μm與3.0μm之間。若塗層109係由鎳或具類似吸收材料所形成，則塗層109對可見光及近紅外光不具穿透性：在可見光及近紅外自由空間波長(0.4μm<λ0<2μm)下，鎳之折射率(k)之虛部超過k=3，表皮深度δ=λ0/(2πk)小於100nm。於一實施例中，垂直於模面108所量測之厚度119均為一致性。舉例而言，厚度119(2)等於厚度119(1)。
模面108用以產生光學元件陣列，該光學元件陣列可與矽晶圓上之複數個影像感測器相組合，一經組合，矽晶圓及其上之光學陣列經單一化後，形成具有光學器件之個別感測器。
與習知NiP金屬母模相比，使用可磨削之低硬度鑽石薄片104，可減少鑽石切割工具122之磨損，藉此(a)允許單一切割工具來形成塗層式鑽石磨削複製母模100，及(b)提高感測器及光學元件的組合產率。塗層式鑽石磨削複製母模100的某些實施例包括薄片104，其由可磨削之低硬度鑽石材料(諸如銅)所形成，其導熱性比NiP高。該實施例中，可藉由促進冷卻母模表面上之塑膠，以提供相對於習知技術NiP母模之額外優點。
第2圖係根據本發明顯示製程200，其用以形成塗層式鑽石磨削複製母模，以製造複製母模100。步驟202可視情況選用，於一實施例中，製程200得不包括步驟202，薄片104為由可磨削之低硬度鑽石材料所形成的獨立薄片。
在視情況選用之步驟202中，製程200用一層可磨削之低硬度鑽石材料塗佈於基板上，以形成可磨削之低硬度鑽石薄片。在步驟202之另一實例中，得藉由電鍍，於基板102之全表面上，塗佈厚度114約為一毫米之可磨削之低硬度鑽石材料，以形成可磨削之低硬度鑽石薄片104。基板102可由諸如鋼、鋁、恆範鋼(Invar)36或其他適合之材料所組成。
可磨削之低硬度鑽石薄片104可由可磨削之低硬度鑽石材料所形成。於一實施例中，可磨削之低硬度鑽石薄片104係由高純度銅形成，諸如Sequoia Brass & Copper(Hayward,CA,USA)之Alloy 101 OFE Copper。
本文中，「可磨削之鑽石」材料是指使用鑽石磨削製程以製造光學元件或模具的材料。可磨削之鑽石材料包括但不限於揭露於Handbook of Optics，第II卷(McGraw-Hill,1995)第41章之表2中，以及1996年於Precision Engineering，第18卷，第4-19頁「Chemical Aspects of Tool Wear in Single Point Diamond Turning」中所列之材料。本文中，「低硬度」材料是指硬度小於 鎳之材料，其中硬度藉由壓痕硬度量測法以得知，諸如莫氏硬度計(Mohs scale)、布氏硬度計(Brinell Scale)或維氏硬度測試(Vickers hardness test)。Paul,Evans等人之表1列舉可磨削鑽石元素之布氏微硬度值小於鎳，包括以下九種：銦、錫、鉛、鋅、鎂、鋁、銀、金及銅。可磨削之低硬度鑽石薄片104可由上述九種元素中之任一元素，以單獨或組合方式以形成均勻合金，且具有均勻空間之低硬度。
在步驟204中，製程200使用單一鑽石切割工具，於可磨削之低硬度鑽石薄片中形成模面。該模面包含複數個光學體，所有該光學體係由單一鑽石切割工具形成。在步驟204之一實施例中，鑽石磨削機120及鑽石切割工具122用以在可磨削之低硬度鑽石薄片104內形成複數個光學體106，據此產生模面108，模面108包括光學體106。在步驟204之一實施例中，該模面之形成包括產生以等間隔二維柵極形式配置的複數個光學體，以將晶片數量最大化。說明書所述之「單一鑽石切割工具」表示至少鑽石切割工具122在步驟204期間，未經研磨、未經磨光、亦未經更換。
光學體106各自具有深度116。可磨削之低硬度鑽石薄片104的厚度114超過深度116。舉例而言，厚度114比深度116大100微米。
步驟206，製程200清洗模面。於步驟206之一實例中，於超音波清洗槽中，移除模面108因步驟204所產生之碎片及冷卻劑/潤滑劑之殘餘物。
步驟208，製程200塗佈抗氧化性材料於模面上。於步驟208之一實例中，抗氧化性塗層109塗佈於模面108上，抗氧化性塗層109具有厚度119，且由鎳、NiP、鎳-硼(nickel-boron；NiB)或銅-鎳合金形成，但並不以此為限。
於製程200之一實施例中，步驟208包括習知無電鍍模面。於製程200之另一實施例中，步驟208包括習知電鍍模面。又於製程200之另一實施例中，步驟208包括經由真空沈積方法 塗佈模面。
抗氧化性塗層109得保護模面108之光學完整性，以及在形成光學元件陣列之塑膠母模製程期間，抗氧化性塗層109能避免模面108因清洗而產生氧化及/或損壞。於一實施例中，抗氧化性塗層109於整個塑膠母模製程中仍保持完整。舉例而言，由鎳或NiP形成之抗氧化性塗層109，可在透鏡製程期間，承受表面脫模劑(surface release agent)之施加。透鏡製程已揭露於Dowski等人之美國專利第8,599,301號中。在此上下文中，表面脫模劑(surface release agent)亦稱為脫模劑(mold release agent)、脫模層及抗黏附塗佈劑。
若厚度119太厚，則抗氧化性塗層109之表面粗糙度會降低透鏡之光學品質。若厚度119太薄，則會造成覆蓋不均，且可能產生模面108之暴露區域。
相較於習知NiP層而言，可磨削之低硬度鑽石薄片104對鑽石切割工具122磨損較少，因而減少塗層式鑽石磨削複製母模100上光學體106間的變化，藉此提高產品之品質及產率。由於新切割工具之成本相當重要，因而減少鑽石切割工具122之磨損，可降低製造成本。
第3圖係為一影像300，其顯示以鑽石切割工具製造習知NiP金屬母模內之光學體，該鑽石切割工具先前已產生大致七百個類似光學體。特定言之，影像300顯示複數個環形302，其表示為鑽石切割工具中之磨損。
第4圖係為一影像400，其顯示鑽石切割工具122先於薄片104切割4600個類似光學體後，接續，內切可磨削之低硬度鑽石薄片104(銅製)內之光學體106。將影像400與影像300相比可知，鑽石切割工具122於影像400中之磨損顯著少於影像300中之磨損，亦即，切割工具用以切割NiP層光學體所產生之磨損大於切割薄片104光學體，甚至切割大量光學體106後亦如此。
第5圖係根據第1圖的塗層式鑽石磨削複製母模100 的首次切割光學體106(1)之量測值。第6圖係根據塗層式鑽石磨削複製母模100的最後切割光學體106(N)之量測值，其中N 6,000。第5圖及第6圖係採用Zygo® NewViewTM 600光學計量測器以進行量測。所量測之「rms」及「Ra」值分別是指光學體106之透鏡模具設計概況的均方根偏差及算術平均偏差。在N次切割之後，均方根偏差保持小於10nm，其表示鑽石切割工具122之偏差程度少於習知NiP母模上之切割。影像502及602分別為對準於光學體106(1)及106(N)之40μm×40μm區域影像。
第7圖為一曲線圖700，係根據本發明之一實施例顯示透鏡對齊(registration of lenses)之最佳情形，該透鏡係利用習知NiP金屬母模製備而成。對齊散度(registration spread)係以兩個標準差值2σNi=0.89μm所呈現：95%透鏡的透鏡對齊誤差小於或等於2σNi。對齊散度亦可由三個標準差值3σNi=1.1μm所呈現：99.6%透鏡的透鏡對齊誤差小於或等於3σNi。
第8圖為一曲線圖800，係根據第1圖之塗層式鑽石磨削複製母模100顯示透鏡對齊(registration of lenses)之最佳情形。對齊散度係以兩個標準差值2σCu=0.66μm所呈現：95%透鏡的透鏡對齊誤差小於或等於2σCu。對齊散度亦可由三個標準差值3σCu=0.85μm所呈現：99.6%透鏡的透鏡對齊誤差小於或等於3σCu。
將曲線圖800與曲線圖700相比可知，塗層式鑽石磨削複製母模100的透鏡對齊優於習知NiP金屬母模的透鏡對齊。本發明可僅由一個鑽石切割工具122進行切割全部光學體106，故能改良塗層式鑽石磨削複製母模之對齊，藉此有助於減少鑽石切割工具122之磨損，以及第2圖步驟204中，光學體切割製程期間，可不更換鑽石切割工具。
第9圖係顯示在習知NiP金屬母模切割複數個光學體中，光學體深度變化的柱狀圖900。第10圖係顯示在第1圖金屬母模切割複數個光學體中，光學體深度變化的柱狀圖1000。比較柱狀圖1000與柱狀圖900可知，切割塗層式鑽石磨削複製母模 100的光學體深度變化，顯著地小於切割習知NiP金屬母模之光學體深度變化。柱狀圖900及1000中，分佈的標準差量化分別為σ9=1.22μm及σ10=0.287μm。於NiP母模切割製程中，因使用不同的鑽石切割工具，其系統差異可由柱狀圖900之分佈特徵峰所表現出來。相比而言，柱狀圖1000之分佈係由單峰組成。
塗層式鑽石磨削複製母模100內，光學體的一致性深度特徵在於：依照相同的設計，由塗層式鑽石磨削複製母模100所形成的透鏡之深度變化小於由習知NiP金屬母模所形成之透鏡。
第11圖係根據習知NiP母模沿著光學體之徑向方向時，顯示光學體之殘餘數據組(residual data sets)1102之曲線圖1100。各殘餘數據組1102(1-4)係表示光學體之殘餘誤差，其光學體係位於母模不同列之中心行。為簡化說明，並非所有殘餘數據組1102皆出現於曲線1100中，以及曲線1100所顯示的殘餘數據組並未全部標記元件符號。各殘餘數據組1102具有峰谷殘餘值(peak-to-valley residual)，其為最大與最小殘餘值之差值，該峰谷殘餘值之標準差為σpv11=0.057μm。
於既定徑向位置，殘餘數據組1102一些為正值，另一些為負值。舉例而言，於徑向位置r=-0.5mm處，殘餘數據組1102(1)及1102(2)為正值，而殘餘資料集1102(3)及1102(4)為負值。在r=-0.5mm處，殘餘散度(residual spread，殘餘最大值與殘餘最小值之差值)大致為△11=0.25微米。倘若選定的半徑量值大於0.5mm處時，殘餘散度△11之最大值會超過0.30微米。因為殘餘數據組1102於既定徑向位置之正負號差異，俾使由具有殘餘數據組1102之習知母模製備而成的透鏡，具有非一致性焦距誤差：與制定焦距相比較，一些透鏡之焦距太長，而其他透鏡之焦距太短，使得對該殘餘值之校正相較於對具相同正負號(例如在徑向位置處皆為正或為負)殘餘值之校正較為困難。
第12圖係顯示塗層式鑽石磨削複製母模100沿著光學體之徑向方向時，光學體之殘餘數據組1202之曲線圖1200。 每一殘餘數據組集1202係表示光學體之殘餘誤差，其光學體係位於母模不同列之中心行。為簡化說明，並非全部殘餘數據組1202皆出現於曲線1200中，以及曲線1200所顯示的殘餘數據組並未全部標記元件符號。各殘餘數據組1202具有峰谷殘餘值，其為在其最大與最小殘餘值之差值，該峰谷殘餘值之標準差為σpv12=0.025μm，其小於習知技術值σpv11之一半。
本發明除了具有比習知NiP母模小的σpv外，塗層式鑽石磨削複製母模100的光學體106所含的殘餘數據組1202，其彼此間類似程度優於習知技術殘餘數據組1102(圖11)彼此間類似程度。儘管曲線圖1100(習知NiP母模)中殘餘散度△11大於0.30μm，但曲線圖1200中，於半徑範圍1220之殘餘散度△12至多約為0.12μm。此外，殘餘數據組1202各自具有相似的凹形(concave shape)，其俾使塗層式鑽石磨削複製母模100製造的透鏡，均具有一致性的焦距誤差：全部透鏡之焦距將均太長或均太短。對全部透鏡而言，該一致性焦距誤差均可藉由相同厚度之間隔件(spacer)來校正，該解決方案不適用於由殘餘值(類似於曲線1100中所示之彼等值)之習知母模製備而成的透鏡。
本發明並未侷限於上述所描述之特定細節特徵，此領域之技藝者，在不脫離本專利精神或範圍內，所作之更動或潤飾，均屬於本發明所揭示精神下所完成之等效改變或設計，且應包含在下述之申請專利範圍內。上述敘述係為本發明之較佳實施例，此等領域之技藝者應得以領會其係用以說明本發明，而非用以限定本發明所主張之專利權利範圍，其專利保護當視後附之申請專利範圍及其等同領域而定。
100‧‧‧塗層式鑽石磨削複製母模
102‧‧‧基板
104‧‧‧可磨削之低硬度鑽石薄片
106‧‧‧光學體
106(1)‧‧‧首次切割光學體
106(N)‧‧‧最後切割光學體
107‧‧‧未切割之表面區域
108‧‧‧模面
109‧‧‧抗氧化性塗層
114‧‧‧厚度
116‧‧‧深度
119(1)‧‧‧厚度
119(2)‧‧‧厚度
120‧‧‧鑽石車削機
122‧‧‧鑽石切割工具

Claims (21)

  1. 一種用以形成塗層式鑽石磨削複製母模之方法，係包含下列步驟：使用一單一鑽石切割工具，於一可磨削之低硬度鑽石薄片中形成一模面，該模面包含複數個光學體，所有該複數個光學體係由該單個一鑽石切割工具形成；以及於該模面上塗佈一抗氧化性塗層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含，在形成該模面之步驟前，形成該可磨削之低硬度鑽石薄片，其厚度介於0.5mm與2mm之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，於該模面上塗佈該抗氧化性塗層之步驟，該抗氧化性塗層之厚度介於0.5μm與3μm之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，形成該模面之步驟包含產生複數個相同光學體。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，形成該模面之步驟包含產生複數個光學體，其排列成等間隔之二維柵極形式。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，該等間隔之二維柵極與一CMOS影像感測器晶圓上影像感測器晶片之對應二維柵極相匹配。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，該模面之塗佈步驟包含電鍍該模面以及無電電鍍該模面中之一或上述兩者。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，該模面之塗佈步驟包含利用真空沈積以塗佈該抗氧化性塗層。
  9. 一種藉由塗層式鑽石磨削複製母模，以製造晶圓級透鏡陣列，該複製母模包含：一可磨削之低硬度鑽石薄片；一模面，其形成於該可磨削之低硬度鑽石薄片中，該模面包含複數個光學體，其中所有該複數個光學體係由單一鑽石切割工具進行切割；以及一抗氧化性塗層，其塗佈於該模面上，用以保護該模面。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之金屬母模，該可磨削之低硬度鑽石薄片包括一基板，其塗佈一可磨削之低硬度鑽石材料。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之金屬母模，該基板係由鋼、鋁或鐵鎳合金(Invar)中之一者所組成。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之金屬母模，該可磨削之低硬度鑽石薄片係選自於銦、錫、鉛、鋅、鎂、鋁、銀、金及銅所組成之物質群中之一物質。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之金屬母模，該複數個光學體具有一光學體深度，且該可磨削之低硬度鑽石薄片的厚度比該光學體深度至少超過100μm。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之金屬母模，該抗氧化性塗層之厚度介於0.5μm與3μm之間。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之金屬母模，該抗氧化性塗層係包含以下一或多種材料所形成：鎳、鎳磷、鎳硼或銅-鎳合金。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之金屬母模，該抗氧化性塗層係由非晶型材料所組成。
  17. 如申請專利範圍第9項所述之金屬母模，該模面包含以等間隔 之二維柵極形式排列的該複數個光學體。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之金屬母板，該等間隔之二維柵極與CMOS影像感測器晶圓上影像感測器晶片之對應二維柵極相匹配。
  19. 如申請專利範圍第9項所述之金屬母模，該複數個光學體均相同。
  20. 如申請專利範圍第9項所述之金屬母模，該複數個光學體中之每一深度，隨在該光學體內之位置而變化。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之金屬母模，該複數個光學體中之每一最大深度，係位於該光學體中心之非零徑向距離處。
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