TW201526027A - 導電性組成物及其製造方法、太陽電池 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題在於提供一種於形成太陽電池的電極時可實現良好的電接合的導電性組成物的製造方法。本發明是用以形成太陽電池的電極的導電性組成物的製造方法，其包括：準備銀粉末、含碲組成物、及碲價數調整材料；以將該導電性組成物塗佈於太陽電池的基板並進行了煅燒時的該基板與導電性組成物的界面所含的碲(Te)的平均價數成為4.3以上且5.1以下的方式，調整銀粉末、含碲組成物及碲價數調整材料的配方而製備導電性組成物。

Description

導電性組成物的製造方法
本發明是關於一種用以形成太陽電池的電極的導電性組成物的製造方法、藉由該製造方法所獲得的導電性組成物及太陽電池。
本申請案主張基於2013年11月20日提出申請的日本專利申請案2013-240014號的優先權，該申請案的全部內容作為參照而併入本說明書中。
作為將太陽的光能轉換為電力的太陽電池的典型例，已知有將結晶性矽(單晶或多晶)作為半導體基板而利用的太陽電池、所謂結晶矽系太陽電池。作為該結晶矽系太陽電池，已知有例如圖2所示的單面受光型太陽電池(單體電池(single cell))110。
該太陽電池110於p型矽基板(Si晶圓：含有p型結晶矽的p-Si層)111的受光面(圖2中為上表面)側具備藉由pn接合形成所形成的n-Si層116，於n-Si層116上具備含有氧化鈦、或二氧化矽、氮化矽的抗反射膜114，及含有銀(Ag)的表面電極(受 光面電極)112。另一方面，於p型矽基板(p-Si層)111的背面(圖2中為下表面)側具備與受光面電極112同樣含有銀(Ag)的背面側外部連接用電極122、發揮所謂的背面電場(BSF，Back Surface Field)效應的鋁電極120、及藉由鋁擴散至p-Si層111所形成的p+層(BSF層)124。此處，作為與用以形成受光面電極112的導電性組成物相關的現有技術，例如可列舉專利文獻1~專利文獻7等。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利申請案公開2001-303400號公報
[專利文獻2]日本專利申請案公開2006-302890號公報
[專利文獻3]日本專利申請案公開2011-96747號公報
[專利文獻4]日本專利第4754655號
[專利文獻5]國際公開第2012/020694號
[專利文獻6]國際公開第2012/141187號
[專利文獻7]國際公開第2012/144335號
此外，典型而言，所述的矽系太陽電池的受光面電極包含線狀的匯流條電極(連接用電極)、及與該匯流條連接的多根細線狀的柵格電極(集電用電極)。由於該些受光面電極形成於太陽電池的受光面，故而會產生遮光損失(shadow loss)。因此，為了 擴大電池單元(cell)每單位面積的受光面積，提高電池單元每單位面積的輸出效率、即光電轉換效率，要求實現受光面電極、尤其是根數多的柵格電極的細線化(fine-line)。例如，要求使現有的太陽電池中為130μm程度的柵格電極的寬度成為110μm以下。然而，例如若使柵格電極的寬度變細，則由於受光面電極與n層的歐姆接觸惡化，接觸電阻變高，導致電流密度降低，因此存在無法單純地提高轉換效率的問題。
本發明是以如上所述的情況為背景而完成者，其目的在 於提供一種於形成太陽電池的電極時可實現良好的電接合的導電性組成物的製造方法。又，本發明的另一目的在於提供一種使用該導電性組成物所形成的導電性組成物、及具備藉由該導電性組成物所形成的電極的具有優異的電特性(例如，開路電壓、填充因子或能量轉換效率)的太陽電池。
關於用以形成太陽電池的電極的導電性組成物，例如如所述專利文獻3~專利文獻7所揭示般，已知藉由將碲以氧化物等化合物的形態、或作為玻璃構成成分而含有於導電性組成物中，可改善歐姆接觸等。然而，由於太陽電池根據其商品形態，例如基板本身的構成會不同，或所要求的特性等會有些許不同，因此，實際情況是缺乏用以決定所述導電性組成物中各構成材料的詳細配方的指導。
在此種情況下，本發明者反覆銳意研究，結果發現，關於含 有碲的導電性組成物，於即便使用同一形態的碲源(例如，含碲玻璃組成物、氧化碲等)製作導電性組成物的情形時，亦可改變形成後的電極中碲的價數(即Te原子的電子狀態)。並且瞭解到，不論碲源的形態如何，該碲的價數均會影響到太陽電池特性、尤其是基板與電極的歐姆接觸，從而完成本申請案發明。
即，藉由本發明，提供一種用以形成太陽電池的電極的導電性組成物的製造方法。該製造方法的特徵在於包含以下的步驟(1)、步驟(2)。
(1)準備銀粉末、含碲組成物、及碲價數調整材料。
(2)以將該導電性組成物塗佈於所述太陽電池的基板並進行了煅燒時的該基板與所述導電性組成物的界面所含的碲(Te)的平均價數成為4.3以上且5.1以下的方式，調整所述銀粉末、所述含碲組成物及所述碲價數調整材料的配方而製備導電性組成物。
根據本發明的製造方法，可以使導電性組成物所含的碲在形成後的電極中以最佳的電子狀態(電子配置)存在的方式調整構成導電性組成物的各構成材料的配方。例如，於在通常的煅燒條件將導電性組成物煅燒所獲得的電極中，碲被氧化成接近6價的狀態(典型而言，5.2~5.5的範圍)。然而，於本發明中，藉由調整各構成材料的配方，而以將於所使用的基板等上煅燒後的電極中碲的價數維持為如上所述般被進一步還原的狀態的方式進行控制。具體而言，主要對導電性組成物中的含碲組成物與碲價數調整材料的配方進行製備，而滿足作為導電性組成物整體的電 荷中性條件，並且實現碲(Te)的平均價數成為所述範圍的配方。 雖然詳細機制尚不明確，但藉由該電子狀態的碲存在於基板與電極的界面附近，可較佳地改善電極與基板的電接合狀態。藉此，不論導電性組成物中的碲的形態及調配量如何，該些碲原子於電極中均可以可有效地有助於實現低電阻的歐姆接觸的電子狀態而存在。
再者，於本說明書中，碲的價數的測定方法並無特別限 制。例如，作為碲的價數的較佳的測定手法，可列舉藉由X射線吸收精細結構(X-ray absorption fine structure，XAFS)解析法或X射線光電子分光分析法(X-ray Photoelectron Spectroscopy，XPS)而實施。
關於XAFS，更具體而言，藉由X射線吸收近限結構(X-ray Absorption Near Edge Structure，XANES)解析法，可根據基於碲原子的內殼電子向非佔有能階及準連續能階激發時的能量的X射線吸收光譜，掌握碲原子的化學狀態(電子狀態)。於本說明書中，碲的價數如後文所述，採用平均價數，該平均價數是根據使用SPring-8的射束線(beam line)BL14B2中的XAFS分析裝置並藉由透過法所測定的、XANES光譜在4350eV附近的峰值位移量而計算出。再者，用於計算平均價數的吸收能並不限定於4350eV附近者，例如亦可利用Te-K端、L端等吸收能。
又，關於XPS，藉由觀測對超高真空下的試樣表面照射X射線所釋放的光電子的動能，可獲得與該表面的元素組成或化 學狀態相關的資訊。具體而言，藉由對光電子的能譜進行解析，於對存在於物質表面的碲原子進行鑑定的同時，可根據基於細部掃描(narrow scan)分析的碲峰值的化學位移獲得與價數或結合狀態相關的資訊。碲的價數可使用如下結果，該結果是使用XPS分析裝置(愛發科(ULVAC-PHI)股份有限公司製造，PHI5000)，於使用例如Al-Kα射線(hv=1486.6eV激發)作為射線源所獲得的XPS光譜中，例如以結合能為576eV附近的Te-3d5/2的峰值作為指標，根據碲的價數與結合能位移量的關係，計算出碲的平均價數而獲得。再者，用於計算平均價數的峰值並不限定於Te-3d5/2，例如，亦可設為Te-3d3/2(586eV)等其他峰值。
於此處所揭示的導電性組成物的製造方法的較佳一實施方式中，所述含碲組成物的特徵在於：其是含有碲(Te)作為構成元素的碲化合物粉末。
藉由該構成，碲的調配方法、或調配比例的調整變得容易，因此較佳。
於此處所揭示的導電性組成物的製造方法的較佳一實施方式中，所述含碲組成物的特徵在於：其是含有碲(Te)作為構成元素的玻璃組成物。
藉由該構成，於燒穿(fire through)時碲與玻璃成分一併良好地到達基板，可有效地有助於實現低電阻的歐姆接觸。又，藉由使用包含含有碲的玻璃組成物的導電性組成物，亦可形成接著強度高的電極。
於此處所揭示的導電性組成物的製造方法的較佳一實施方式中，所述玻璃組成物的特徵在於：其是不含碲的基本玻璃成分、與含有碲的含碲玻璃成分的混合物。
藉由該構成，可更容易地控制煅燒後的碲的價數，可更簡便地製造歐姆接觸的改善效果高的導電性組成物。
於此處所揭示的導電性組成物的製造方法的較佳一實施方式中，所述碲價數調整材料的特徵在於：其是包含選自由Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu及Zn所組成的群組中的至少一種金屬元素的金屬或金屬化合物。
於煅燒後的電極中，所述金屬元素具有電子狀態容易根據環境而發生變動的特性。藉由該構成，可更佳地控制含碲組成物中所含的碲的價數。又，藉由含有該些金屬或金屬化合物，亦可謀求所形成的電極的接著強度的提高、及接觸電阻的降低。
於另一方面，本發明提供藉由所述的任一種製造方法所製造的導電性組成物。藉此，所調配的碲成分在煅燒後的電極中可以可充分有助於形成良好的(低電阻的)歐姆接觸的狀態而存在，再者，本發明亦提供可形成接著性優異的電極的導電性組成物。由於該導電性組成物是以碲能夠對應所使用的基板而以最佳的電子狀態(電子配置)存在的方式調整配方，因此於用以形成太陽電池的電極的情形時，可實現開路電壓、填充因子及能量轉換效率等電特性優異的太陽電池。根據該方面，本發明亦藉由具備使用該導電性組成物所形成的電極而提供電特性及可靠性優異 的太陽電池。
10‧‧‧太陽電池
11‧‧‧基板
12‧‧‧受光面電極(Ag電極)
14‧‧‧抗反射膜
16‧‧‧n-Si層(n+層)
20‧‧‧背面電極(鋁電極)
22‧‧‧背面側外部連接用電極
24‧‧‧p+層(BSF層)
110‧‧‧太陽電池
111‧‧‧p型矽基板(p-Si層)
112‧‧‧表面電極(受光面電極)
114‧‧‧抗反射膜
116‧‧‧n-Si層
120‧‧‧鋁電極
122‧‧‧背面側外部連接用電極
124‧‧‧p+層(BSF層)
圖1是示意性表示使用本發明的導電性組成物所構成的太陽電池的結構的一例的截面圖。
圖2是示意性表示使用現有的導電性組成物所構成的太陽電池的結構的一例的截面圖。
以下對本發明的較佳的實施形態進行說明。再者，於本說明書中，除了特別提及的事項以外的事項且為本發明的實施所必需的事項(例如導電性組成物於基板上的賦予方法或煅燒方法、太陽電池的構成等)可作為本領域技術人員基於該領域現有技術的設計事項而掌握。本發明可基於本說明書所揭示的內容及該領域的技術常識而實施。
此處所揭示的導電性組成物的製造方法以用於形成太陽電池中的銀(Ag)電極的用途的Ag電極形成用導電性組成物的製造為對象。該製造方法如上所述，包含如下步驟：(1)準備作為導電性組成物的構成材料的銀粉末、含碲組成物、及碲價數調整材料；(2)以將該導電性組成物塗佈於所述太陽電池的基板並進行了煅燒時的該基板與所述導電性組成物的界面所含的碲(Te)的平均價數成為4.3以上且5.1以下的方式，調整所述銀粉末、所述含碲組成物及所述碲價數調整材料的配方而製備導電性 組成物。
[銀粉末]
此處所揭示的導電性組成物中作為主要的固體成分而含有的銀粉末是以銀(Ag)為主體的粒子的集合體，典型而言，是包含Ag單質的粒子的集合體。然而，若整體而言為Ag主體的粒子的集合體，則該銀粉末為微量含有Ag以外的雜質或Ag主體的合金者亦可包含於此處所謂的「銀粉末」中。再者，該銀粉末可為藉由現有公知的製造方法所製造者，並不要求特別的製造方法。
構成該銀粉末的粒子的形狀並無特別限定。典型而言為球狀，但並不限於所謂的正球形狀者。除球狀以外，例如可列舉鱗片(flake)形狀或不規則形狀者。該銀粉末亦可包含此種各種形狀的粒子。於該銀粉末包含平均粒徑小的(典型而言數μm尺寸)粒子的情形時，較佳為該粒子(一次粒子)的70質量%以上具有球狀或與其類似的形狀。例如，較佳為構成該銀粉末的粒子的70質量%以上為如縱橫比(即，粒子的長徑相對於短徑的比)為1~1.5的銀粉末。
再者，於在構成太陽電池的基板(例如Si基板)的一面(典型而言為受光面，但亦可為背面)形成Ag電極的情形時，可以可實現所需尺寸(線寬、膜厚等)及形狀的方式考慮導電性組成物的塗佈量及塗佈形態等。此處，作為對形成該太陽電池的受光面電極而言較佳的銀粉末，並無特別限制，較合適為構成該粉末的粒子的平均粒徑為20μm以下者，較佳為0.01μm以上且 10μm以下，更佳為0.3μm以上且5μm以下，例如為2μm±1μm。再者，此處所謂的平均粒徑是指藉由雷射繞射/散射法所測量的粒度分佈中的累積體積50%時的粒徑、即D50(中徑)。
例如，亦可使用將平均粒徑的差互不相同的多種銀粉末(典型而言為兩種)彼此混合，混合粉末的平均粒徑處於所述範圍內的銀(混合)粉末。藉由使用如上所述的平均粒徑的銀粉末，可形成作為受光面電極較佳的緻密的Ag電極。
作為此處所揭示的導電性組成物中的所述銀粉末的含量，並無特別限制，於將該導電性組成物(固體成分)整體設為100質量%時，較佳為以其50質量%以上且99質量%以下、更佳為65質量%以上且98質量%以下、例如75質量%以上且95質量%以下為銀粉末的方式調整含有率。於所製造的導電性組成物中的銀粉末含有率處於所述範圍內的情形時，可形成導電性高、緻密性進一步提高的Ag電極(膜)。
[含碲組成物]
作為含碲組成物，只要為含有碲(Te)作為構成元素的粉末狀材料，則可無特別限制地使用。例如，具體而言，可為碲(Te)的單質或含有碲作為構成元素的有機化合物、無機化合物等化合物粉末、粉末狀的玻璃組成物等。該些亦可為以下所例示的任意兩種以上的混合物或複合化合物。
[含碲有機物或含碲無機物]
作為有機化合物，可例示各種碲醇、碲化物、碲氧化物、碲 酮(tellurone)及其衍生物等。作為含碲無機化合物，可例示碲與其他金屬的化合物、氧化物、含氧酸、氫氧化物、鹵化物、硫酸鹽、磷酸鹽、硝酸鹽、碳酸鹽、乙酸鹽、金屬錯合物(配位化合物)等。作為該些無機或有機的含碲組成物，代表性而言，可例示：四碲富瓦烯(Tetratellurafulvalene，TTeF)；TeO2、Te2O3、Te2O5、TeO3等碲氧化物；以Te(OH)6表示的碲酸；甲基碲酸(meta-telluronic acid)鉀、甲基碲酸鈉等碲酸鹽；碲化鋅、碲化鋁、碲化鈷、碲化錫、碲化鎢、碲化鈦、碲化銅、碲化鉛、碲化鉍、碲化錳、碲化鉬等碲化金屬化合物。於該些含碲組成物中，碲可取例如0價、3價、4價、5價及6價等值。作為此處所使用的含碲組成物，較佳為碲以5價或6價存在的化合物，例如可例示Te2O5、TeO3、Te(OH)6等。
[含碲玻璃成分]
又，作為含碲玻璃成分，可考慮含有碲作為玻璃構成成分的各種玻璃組成物、或於實質上不含碲的玻璃組成物的表面擔載碲化合物的形態的碲化合物擔載玻璃組成物等。即，於含碲玻璃成分中，碲成分並非自玻璃組成物背離而存在的成分，而是構成玻璃組成物本身的成分，或並不自玻璃組成物中游離，而是一體存在。該含碲玻璃成分可成為有效地作用於藉由燒穿法自抗反射膜上方形成作為太陽電池的受光面電極的Ag電極的成分。又，亦可為提高對所形成的電極的基板的接著強度的無機添加材料。
藉由使用含有碲作為玻璃構成成分的玻璃組成物，可降 低玻璃組成物的軟化溫度，而可實現密接性更高的導電性組成物。作為含有碲作為玻璃構成成分的玻璃組成物，組成並無特別限定，例如，可較佳地使用如下所示的組成(氧化物換算組成；將玻璃介質(glass frit)整體設為100mol%)的玻璃組成物。
以下對該含碲玻璃組成物的構成(氧化物換算組成)進行詳細說明。
TeO2可與其他元素一併成為構成玻璃骨架的成分(玻璃網狀形成劑(network former))，具有降低玻璃的軟化點的功能。又，藉由含有於太陽電池的電極形成用導電性組成物中，可發揮抑制燒穿時的基板的過度侵蝕的效果。例如，該TeO2可以70mol%以下程度的比例含有於玻璃組成物中(再者，於後述的不含碲的玻璃組成物中，可為0mol%)。由於TeO2相對而言較為昂貴，因此於調配量過多的情形時成本變高，故而欠佳。較佳為TeO2為5mol%~65mol%程度的比例，更佳為10mol%~50mol%較為理想。
SiO2是構成玻璃骨架的成分(玻璃網狀形成劑(network former))，例如，可以0mol%~70mol%程度的比例含有於玻璃組成物中。隨著SiO2的調配量增大，玻璃的溶解性降低，同時軟化點上升。若SiO2超過例如70mol%，則燒穿特性降低，故而欠佳。於在玻璃組成物中含有代替SiO2的玻璃網狀形成劑的情形時，SiO2的含量亦可為0mol%(即，實質上不含SiO2)。於含有SiO2的情形時，就玻璃結構的化學穩定性、耐久性或操作性等觀點而言，較佳為SiO2為5mol%~65mol%程度的比例，更佳為10mol% ~50mol%較為理想。
B2O3顯示抑制玻璃組成物的熱膨脹且降低黏度及熔融 溫度的功能，可以0mol%~40mol%程度的比例含有於玻璃組成物中。若B2O3過多，則於調整玻璃組成物時的溶解及冷卻中容易引起結晶析出，故而欠佳。由於B2O3可成為引起長期耐久性(尤其是長期高溫耐久性)降低的因素，因此B2O3的含量亦可為0mol%(即，實質上不含B2O3)。較佳為B2O3為1mol%~30mol%程度的比例，更佳為5mol%~25mol%程度。
Bi2O3是任意的添加成分，且為調整熱膨脹係數的成 分。又，藉由玻璃接合材料包含多成分系統，亦可提高物理穩定性。玻璃組成物中的Bi2O3的比例例如較佳為1mol%~30mol%程度的比例，更佳為5mol%~25mol%程度。
PbO是任意的添加成分，以降低玻璃的軟化點為目的， 例如可以0mol%~65mol%程度的比例而含有。考慮到人體健康及對環境的影響，PbO的含量可為0mol%(即，實質上不含B2O3)。 於含有PbO的配方中，PbO的比例例如較佳為10mol%~50mol%程度的比例，更佳為30mol%~40mol%程度。
關於鹼土金屬成分(MO：具體而言，MgO、CaO、ZnO、 SrO及BaO中的至少一種)，雖然未必是必需成分，但是作為網狀修飾氧化物(網狀修飾劑(network modifier))而為有助於控制玻璃組成物的熱穩定性的成分。於含有該些的情形時，例如可以合計為1mol%~25mol%程度的比例含有任一種以上，更佳為合計 為1mol%~10mol%程度的比例。
關於鹼金屬成分(RO：具體而言，Li2O、Na2O及K2O 中的至少一種)，雖然亦未必是必需成分，但作為增大玻璃組成物的熔融性的成分，可含有任一種以上。該些成分例如可以合計為1mol%~15mol%程度的比例而含有，更佳為例如1mol%~7mol%程度。
作為此處所揭示的導電性組成物中所含的玻璃組成 物，可僅由如上所述典型的玻璃構成成分所構成，或者只要並不明顯地損及本發明的效果，亦可為含有所述以外的任意成分者。 作為此種添加成分，於氧化物的形態下，例如可列舉Al2O3、TiO2、ZrO2、WO3、V2O5、Nb2O5、FeO、CuO、SnO2、P2O5、La2O3、CeO2等。又，亦可視需要而含有現有的通常用於此種玻璃接合材料的添加劑(公知的澄清劑、著色劑等)。該些附加性構成成分或各種添加劑的比例較佳為低於玻璃組成物整體的大致5mol%(典型而言為低於4mol%，例如低於1mol%)。除此以外，當然容許混入所述組成所示以外的成分，且為來自原料或製造步驟的不可避免的雜質。
另一方面，並非必須限定於此，於較佳的一實施方式中，可設為除所述鉛(Pb)成分以外，實質上亦不含砷(As)成分的配方。由於砷成分或鉛成分會對人體或環境造成不良影響，因此就環境性或作業性、安全性的觀點而言欠佳。
作為如以上所述的含碲玻璃組成物，更具體而言，例如 可例示下述的玻璃L、玻璃M及玻璃N作為較佳的例。
[玻璃L]
SiO2：9mol%以上且53mol%以下
B2O3：1mol%以上且7mol%以下
PbO：10mol%以上且57mol%以下
TeO2：10mol%以上且70mol%以下
[玻璃M]
SiO2：9mol%以上且65mol%以下
B2O3：1mol%以上且18mol%以下
PbO：9mol%以上且65mol%以下
Li2O：0.6mol%以上且18mol%以下
TeO2：10mol%以上且70mol%以下
[玻璃N]
Bi2O3：10mol%以上且29mol%以下
B2O3：10mol%以上且33mol%以下
SiO2：0mol%以上且20mol%以下
ZnO：10mol%以上且30mol%以下
TeO2：10mol%以上且60mol%以下
Li2O、Na2O及K2O的合計：8mol%以上且21mol%以下
於本發明的導電性組成物使用所述的玻璃L、玻璃M及玻璃N中任一者時，可尤佳地提高太陽電池的電特性。即，作為表現燒穿效果的玻璃組成物，例如使用作為含鉛玻璃的玻璃L及玻璃 M、或作為無鉛玻璃的玻璃N中任一者均可較佳地進行太陽電池的受光面電極的形成。
另一方面，於碲化合物擔載玻璃組成物中，碲化合物是 與作為載體的玻璃組成物不可分地一體結合的狀態，且是主要作為結晶相而非作為構成玻璃的成分而含有。例如，具體而言，相對於一個鱗片狀或粉末狀的玻璃介質，可為一個或多個碲化合物粒子結合而擔載於玻璃介質上的狀態。擔載碲化合物粒子的玻璃介質亦可進一步結合多個等。此處，關於玻璃介質與碲化合物粒子的相對大小，並無特別限制，任一者均可為大，又，亦可為相同程度的大小。只要保持兩者的相對位置關係即可。
若著眼於該碲化合物擔載玻璃組成物的結構，則碲化合 物擔載玻璃組成物具有將玻璃組成物(玻璃相)、與晶質碲化合物相(結晶相)介隔界面而一體化而成的結構。此處，玻璃相以實質上不含碲(Te)的玻璃作為主成分。即，玻璃相可含有Te，但並非作為主要的形成玻璃骨架的成分，而是可作為次要成分而含有。又，碲化合物相是以碲化合物作為主成分(例如，意欲使碲化合物佔50質量%以上)的晶質，具有結晶結構，於此方面可明顯區別於玻璃相。玻璃相可包含一種玻璃相，亦可存在多種玻璃相。又，碲化合物相可包含一種碲化合物相，亦可存在多種碲化合物相。例如，於一個玻璃相中，可將組成不同的多種碲化合物相一體化，亦可將組成不同的多種玻璃相與組成不同的多種碲化合物相一體化。
由於該些玻璃相與碲化合物相亦存在接合界面互相的成分會擴散的情況，因此，例如於界面附近亦可含有互相的成分。即，可為於界面附近互相的成分不均的形態。典型而言，例如，玻璃相可在與碲化合物相的界面附近含有Te。但可為於玻璃相的中心附近不含Te的形態。再者，根據玻璃相的大小，亦可考慮中心附近含有Te的形態，但於該情形時，亦可理解為Te並非作為主要的玻璃網狀形成劑(即玻璃骨架)而存在。又，碲化合物相可在與玻璃相的界面附近含有玻璃相的構成成分。於該情形時，是將玻璃相的構成成分作為碲化合物的一構成成分而局部含有。
即，於碲擔載玻璃介質中，玻璃相與碲化合物相介隔界面而接合，雖然於界面附近互相的成分可擴散，但不存在一相被完全併入另一相中的情況，本質上是作為獨立的不同的相而存在。
於該碲擔載玻璃組成物中，擔載碲化合物的玻璃組成物(可為玻璃相。以下相同)的形狀並無特別限制，典型而言，可為將玻璃粉碎等所獲得的鱗片狀或粉末狀的玻璃。又，組成亦無特別限制，可設為與自先前起用於此種導電性組成物的玻璃介質等相同者。
作為此種玻璃介質，例如，可例示：鉛系玻璃、鋅系玻璃、硼矽酸系玻璃、鹼系玻璃；及含有氧化鋇或氧化鉍等的玻璃；或包含該些兩種以上的組合等的玻璃。該玻璃介質的組成可按照所述的含碲玻璃組成物的構成(TeO2以外)進行考慮。更具體而言，例如，可列舉具有如以下所示的代表組成(氧化物換算組成；將 玻璃介質整體設為100mol%)的玻璃組成物作為較佳的例。
[玻璃L']
SiO2：9mol%以上且53mol%以下
B2O3：1mol%以上且7mol%以下
PbO：46mol%以上且57mol%以下
[玻璃M']
SiO2：20mol%以上且65mol%以下
B2O3：1mol%以上且18mol%以下
PbO：20mol%以上且65mol%以下
Li2O：0.6mol%以上且18mol%以下
[玻璃N']
Bi2O3：10mol%以上且29mol%以下
B2O3：20mol%以上且33mol%以下
SiO2：0mol%以上且20mol%以下
ZnO：15mol%以上且30mol%以下
Li2O、Na2O及K2O的合計：8mol%以上且21mol%以下
再者，所述的組成為代表性者，就獲得與基板的良好的附著性、或電極膜的形成性、對抗反應反射膜的侵蝕性、良好的歐姆接觸的目的等而言，當然可對各種成分進行調整，或者亦可進一步添加玻璃修飾成分(鹼金屬元素、鹼土金屬元素或其他各種玻璃形成成分)。
又，擔載於所述玻璃組成物的碲化合物亦無特別限制， 例如可考慮所述例示的各種碲化合物。擔載於玻璃介質的碲化合物的比例亦無特別限制，例如，作為大致基準，所述碲化合物相對於玻璃介質100質量份，較佳為以換算為氧化碲(TeO2)時的質量計以20質量份~60質量份的比例擔載，更佳為30質量份~50質量份程度。
藉由以上構成的碲擔載玻璃組成物，認為於導電性組成 物中，碲化合物與玻璃組成物以較佳的狀態存在，不存在過度均勻或過度不均的情況，亦不存在過度靠近或過度遠離的情況。自製備導電性組成物時起，該導電性組成物的塗佈、乾燥期間自不必說，直至玻璃成分因煅燒而熔融為止，該較佳的位置關係得以持續維持。藉由含有此種碲擔載玻璃組成物的導電性組成物，與含有碲化合物作為單一的膏構成成分的銀膏相比，可形成低電阻且可實現高能量轉換效率的電極。又，藉由含有該碲擔載玻璃組成物的導電性組成物，與含有將碲作為網狀形成劑而含有的玻璃介質的導電性組成物相比，可形成接著強度高的電極。即，可形成具有高接著強度(例如，焊接強度)、且接觸電阻低的電極。
[基本玻璃成分]
再者，此處所揭示的含碲玻璃未必需要全部為如上所述的含有碲作為玻璃構成成分的各種玻璃組成物及/或碲擔載玻璃組成物。例如，亦可將含有碲作為玻璃構成成分的各種玻璃組成物及/或碲擔載玻璃組成物與自先前起用於此種導電性組成物的不含碲成分的基本玻璃成分(非含碲玻璃)混合使用。該基本玻璃成分 的組成並無特別限制，例如，可按照所述的含碲玻璃組成物的構成(TeO2以外)進行考慮。更具體而言，可列舉具有所述玻璃L'、玻璃M'及玻璃N'中任一組成的玻璃作為較佳的例。該情形時的含碲玻璃與基本玻璃成分的比例可參考佔導電性組成物的玻璃成分的總量、及含碲玻璃所含的碲量而適當決定。
玻璃成分整體佔該導電性組成物(固體成分)的較佳的比例並不限定於此，但大致為0.5質量%以上且5質量%以下，較佳為0.5質量%以上且3質量%以下，更佳為1質量%以上且3質量%以下較為合適。
又，由於含碲組成物的含量亦取決於所使用的含碲組成 物的形態，因此無法一概而論，但可以將導電性組成物塗佈於太陽電池的基板並進行了煅燒時的基板與導電性組成物的界面所含的碲(Te)的平均價數成為4.3以上且5.1以下的方式，且以與銀粉末及碲價數調整材料的調配比例而決定。例如，於使用後述的實施例中記載的含碲玻璃作為含碲組成物的情形時，作為大致基準，於將導電性組成物(固體成分)整體設為100質量%時，含碲組成物所佔的比例較佳為於0.5質量%以上且50質量%以下、更佳為1質量%以上且35質量%以下、例如5質量%以上且25質量%以下的範圍進行適當調整。
[碲價數調整材料]
作為碲價數調整材料，可較佳地使用包含含有氧化數相對而言較易變化的元素的化合物的粉末。例如，可考慮可成為+3價以 上的離子的過渡金屬、典型金屬及含有稀土元素的金屬或其化合物。更佳為可為屬於自週期表的第3A族至第3B族的元素的金屬或其化合物，典型而言可考慮屬於自週期表的第3A族至第2B族的過渡金屬元素，尤佳為可考慮包含作為第一過渡元素(3d過渡元素)的鈧(Sc)、鈦(Ti)、釩(V)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)及鋅(Zn)的金屬或其化合物的粉末。更佳為包含Fe、Co、Ni、Ti的金屬或其氧化物的粉末，進而可限定為Ni或NiO。該些粉末可單獨含有任一種，亦可含有兩種以上。
作為構成該些粉末的粒子的平均粒徑，適宜為1nm以上且200nm以下，較佳為5nm以上且200nm以下，更佳為15nm以上且200nm以下。
碲價數調整材料的含量可以將導電性組成物塗佈於太 陽電池的基板並進行了煅燒時的基板與導電性組成物的界面所含的碲(Te)的平均價數成為4.3以上且5.1以下的方式，且以與銀粉末及含碲組成物的調配比例而決定。藉由調整碲價數調整材料的含量，可有效地控制碲的平均化數。碲價數調整材料的含量並無嚴格限制，作為大致基準，於將導電性組成物(固體成分)整體設為100質量%時，可以碲價數調整材料所佔的比例大致為0.5質量%以下程度為基準。較佳為0.001質量%以上且0.3質量%以下，更佳為0.001質量%以上且0.2質量%以下。
[有機介質]
按以上方式調配的導電性組成物可以包含銀粉末、含碲組成物及碲價數調整材料的固體粉末狀(典型而言為混合物的狀態)而提供，但例如亦可以分散於有機介質中的狀態而提供。即，導電性組成物可含有有機介質作為所述固體成分以外的成分。作為該有機介質，只要為可使所述固體成分、尤其是銀粉末良好地分散者即可，可無特別限制地使用現有的用於此種膏的有機介質。典型而言，可考慮使有機黏合劑分散於溶劑中而成的有機媒液(vehicle)。例如，作為構成有機介質的溶劑，可使用一種或組合使用多種乙二醇及二乙二醇衍生物(二醇醚系溶劑)、甲苯、二甲苯、丁基卡必醇(Butyl carbitol，BC)、萜品醇等高沸點有機溶劑。又，作為有機黏合劑，可含有各種樹脂成分。該樹脂成分只要為可對導電性組成物賦予良好的黏性及塗膜形成能力(對基板的附著性)者即可，可無特別限制地使用現有的用於此種膏的樹脂成分。例如，可列舉以丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、醇酸樹脂、纖維素系高分子、聚乙烯醇、松香樹脂等為主體者。其中，尤佳為乙基纖維素等纖維素系高分子。
該有機介質佔導電性組成物整體(固體成分+有機介質)的比例適宜為5質量%以上且60質量%以下，較佳為7質量%以上且50質量%以下，更佳為10質量%以上且40質量%以下。又，媒液中所含的有機黏合劑可以導電性組成物整體的1質量%以上且10質量%以下程度、更佳為1質量%以上且7質量%以下程度的比例而含有。藉由設為該構成，易於在基板上作為電極(膜) 而形成(塗佈)均勻厚度的塗膜，操作容易，且煅燒電極膜前的乾燥無需長時間而可較佳地乾燥，故而較佳。
再者，將固體成分分散於有機介質中的形態(可為所謂 的膏、油墨等狀態)的導電性組成物例如可藉由以下手法而較佳地調整。
即，將所述所準備的銀粉末、含碲組成物、及碲價數調整材料分散於有機介質中。典型而言，該固體成分於有機介質中的分散例如可使用三輥磨機或其他混煉機等，將特定調配比的銀粉末、含碲組成物及碲價數調整材料與媒液一併混合、攪拌。再者，於混合以上材料時，可將全部材料同時混合，亦可分2次以上投入。例如，亦可預先將銀粉末及含碲組成物(碲擔載玻璃除外)混合，其後添加碲擔載玻璃或碲價數調整材料。進而，亦可以預先將一部分材料分散於例如水系溶劑或醇類等介質中而成的分散液的形態進行混合等。藉此，可較佳地製備將固體成分分散於有機介質中的形態的導電性組成物。
[碲擔載玻璃的準備]
再者，含碲組成物中，碲擔載玻璃可藉由例如將特定的玻璃粉末與碲化合物混合並對該混合物進行煅燒而準備。煅燒較佳為於將玻璃粉末的熔點設為Tm℃時，典型而言於在氧化氣體環境(例如，大氣環境)中成為(Tm-35)℃~(Tm+20)℃的溫度範圍下實施。若煅燒溫度超過(Tm+20)℃，則進行玻璃粉末的熔融，碲化合物被併入(溶解)於玻璃相中，故而欠佳。煅燒溫度 更佳為(Tm+15)℃以下，進而較佳為Tm℃以下(即，玻璃粉末的熔點以下)。又，若煅燒溫度低於(Tm-35)℃，則無法確實地擔載碲化合物的可能性增大，故而欠佳。煅燒溫度較佳為(Tm-30)℃以上，更佳為(Tm-20)℃以上。藉此，可準備此處所揭示的碲擔載玻璃。
再者，作為煅燒後所獲得的煅燒物的碲擔載玻璃亦可存 在整體燒結而形成大的凝聚體的情形。於此種情形時，亦可藉由將該凝聚體粉碎，並視需要而篩選，使用適於導電性組成物的製備的粒度(例如，0.01μm~10μm程度)者。藉由燒結，玻璃粉末與碲化合物形成頸口(neck)而結合。雖然該結合比藉由吸附等形成的附著牢固，但並未將玻璃粉末與碲化合物壓緊，而是直接以混合狀態燒結，因此該凝聚體可不使用球磨機或粉碎機等特別裝置，而是藉由程度輕的粉碎(例如，利用手工作業的壓碎、或使用研缽及研缽棒等的輕型混合)而容易地細粒化為所需粒度。
[電極的製作]
按以上方式所獲得的導電性組成物例如可與自先前起一直用於在基板上形成作為受光面電極即Ag電極的銀膏等同樣地進行操作。即，此處所揭示的利用導電性組成物進行的電極的形成可無特別限制地採用現有公知的方法。
作為形成該受光面電極12的手法，例如可利用所謂的燒穿法，即於矽基板11的表面的大致整個面上形成抗反射膜14，於該抗反射膜14上方的受光面電極12的形成部分直接塗佈銀膏 並進行了煅燒，藉此使銀膏下方的抗反射膜14熔融而形成銀膏與矽基板11的電接觸。
例如，於藉由燒穿法形成如圖1所示的太陽電池10中的銀電極(受光面電極12)的情形時，以與現有同樣的方式於基板的受光面形成n+層16或抗反射膜14後，以成為所需膜厚(例如20μm程度)或所需塗膜圖案的方式將本發明的導電性組成物供給(塗佈)於抗反射膜14上。典型而言，導電性組成物的供給可藉由網版印刷法、分配器塗佈法、浸漬塗佈法等進行。再者，作為基板，較佳為矽(Si)製基板11，典型而言為Si晶圓。該基板11的厚度可考慮所需的太陽電池的尺寸、或於該基板11上形成的Ag電極12，背面電極20，抗反射膜14等的膜厚、該基板11的強度(例如破壞強度)等而進行設定。基板11的厚度例如通常設為100μm以上且300μm以下，較佳為150μm以上且250μm以下，例如可為160μm以上且200μm。又，本導電性組成物亦可用於具有n+層16薄且摻雜劑濃度低的淺結發射極(shallow emitter)結構的基板11。
此處所揭示的導電性組成物例如可為主要將銀粉末、與 作為含碲組成物的玻璃成分分散於有機介質中所構成者。此種導電性組成物藉由組成物中的玻璃成分在煅燒過程中破壞抗反射膜14，而實現組成物中的銀成分與n-Si層16的歐姆接觸。藉由該手法，與伴隨抗反射膜14的部分去除的電極形成手法相比，可減少步驟數，且不必擔心抗反射膜14的去除部分與受光面電極12的 形成位置產生偏離。因此，受光面電極12的形成可較佳地採用該燒穿法。
再者，於不採用燒穿法的情形時，例如可採用以下手法。即，首先，在矽基板11表面的大致整個面，藉由化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)等於受光面形成n+層16或抗反射膜14。其後，使用氫氟酸(氟化氫(hydrogen fluorite，HF))等按所需的電極圖案將該抗反射膜14中的受光面電極12的形成部分剝離(去除)。然後，可列舉以所需的膜厚對該剝離部分供給導電性組成物。
繼而，於適當的溫度(例如為室溫以上，典型而言為100℃程度)下將供給至基板11的導電性組成物的塗佈物(塗膜)乾燥。乾燥後，藉由在適當的煅燒爐(例如高速煅燒爐)中，於合適的加熱條件(例如600℃以上且900℃以下，較佳為700℃以上且800℃以下)下加熱特定時間而進行乾燥塗膜的煅燒。藉此，將所述塗佈物燒接於基板11上，形成如圖2所示的銀電極12。
[太陽電池的製作]
再者，除了使用藉由本發明的製造方法所製造的導電性組成物形成電極(典型而言，受光面電極)以外的用於太陽電池製造的材料或製程可與現有相同。此外，可無需特別處理等而製造具備藉由該導電性組成物所形成的電極的太陽電池(典型而言為結晶矽系太陽電池)。作為該結晶矽系太陽電池的構成的一典型例，可列舉如上述的圖1所示的構成。
作為受光面電極形成以外的製程，可列舉作為背面電極20的鋁電極20的形成。該鋁電極20的形成順序如以下所述。例如，首先，如所述般於受光面印刷用以形成受光面電極12的導電性組成物，於背面亦在所需區域印刷背面側外部連接用電極22形成用導電性組成物(可為藉由此處所揭示的製造方法所調整的導電性組成物)並將其乾燥。其後，以重疊於背面側外部連接用電極用導電性組成物的印刷區域的一部分的方式印刷鋁電極膏材料並將其乾燥，進行全部塗膜的煅燒。通常於煅燒鋁電極20的同時亦形成P+層(BSF層)24。即，於藉由煅燒在p型矽基板11上形成成為背面電極20的鋁電極20的同時，藉由鋁原子擴散於該基板11中而形成含有鋁作為雜質的p+層24。由此可製作太陽電池(電池單元)10。
此處所揭示的導電性組成物是如上所述般以煅燒後的基板與電極的界面所含的碲的平均價數成為4.3以上且5.1以下的方式而進行控制。藉由該電子狀態的碲存在於基板與電極的界面，基板與電極之間的接觸變得良好，而可將太陽電池10的基板11內產生的電力經由電極以低損失的狀態擷取至外部。藉此，可製作能量轉換效率高的太陽電池。又，由於該導電性組成物本質上含有碲成分，故而接著強度高，可製作耐久性及可靠性高的太陽電池。因此，藉由該導電性組成物，可提供具有優異的太陽電池特性(例如，FF為0.78以上，發電效率為16.5%以上)的太陽電池。
再者，藉由燒穿法所形成的太陽電池10的能量轉換效 率等性能較大程度上取決於以所述方式所形成的歐姆接觸的品質。即，藉由降低所形成的受光面電極12與矽基板11的接觸電阻，可達成高能量轉換效率。此處所揭示的導電性組成物如上所述，可改善歐姆接觸，進而可較佳地有助於實現填充因子(FF)或能量轉換效率得以提高的太陽電池10。
又，於現有的太陽電池的通常的構成中，由於波長短的 光透過性低，因此不存在達到pn接合並有助於發電的情況，而是被n-Si層吸收而變為熱(熱損失)。於此處所揭示的太陽電池10的較佳一實施方式中，就儘量將波長更短的光以高強度送達pn接合部分而提高光電轉換效率的目的而言，亦可減小n-Si層16的厚度(深度)而減少熱損失。n-Si層16的厚度例如亦可與現有同樣地設為300nm~500nm程度。然而，例如亦可設為300nm以下、更佳為250nm以下程度而進行薄層化。
通常，若n-Si層的厚度變得如此薄，則由於n-Si層本 身高電阻化而片電阻增大，且為了抑制表面再結合而需降低摻雜劑濃度等，因此有產生受光面電極與n-Si層之間難以獲得良好的歐姆接觸、接觸電阻增大的問題之虞。又，若受光面電極的形成應用所述的燒穿法，則產生電極膏不僅到達n-Si層、而且亦超過n-Si層而侵蝕至pn接合界面附近的可能性，要求煅燒條件的嚴格化，又，有反之對太陽電池的填充因子(FF)或能量轉換效率造成不良影響之虞。然而，藉由使用此處所揭示的導電性組成物形成受 光面電極，可如所述般確實地改善歐姆接觸。因此，即便於例如使n-Si層16的厚度薄至250nm以下，或以不侵蝕pn接合的方式調整煅燒條件的情形時，亦可抑制接觸電阻的增大而實現良好的接合。
以下對與本發明相關的實施例進行說明，但並無意將本發明限定於如以下實施例所示者。
製備包含銀粉末(平均粒徑1.6μm)、Ni粉末(平均粒徑0.15μm)及如下述所示的玻璃組成物的導電性組成物1~導電性組成物10。將該些導電性組成物分散於包含黏合劑(乙基纖維素)與有機溶劑(萜品醇)的有機媒液中並加入有機溶劑，藉此調整為黏度為160Pa．s~180Pa．s(20rpm，25℃)的膏狀。膏的製備使用三輥磨機。由此獲得的膏狀導電性組成物的配方如下：銀粉末：77質量%~88質量%；Ni粉末：0.01質量%~0.2質量%；玻璃組成物：1質量%~10質量%；有機媒液(organic vehicle)：4質量%~14質量%；有機溶劑：2質量%~8質量%。
再者，作為所述玻璃組成物，以佔導電性組成物的碲量成為如下述表1的「Te添加量」所示的值的方式，將不含碲的基本玻璃介質與含有碲的含碲玻璃介質混合而使用。作為基本玻璃介質，使用平均粒徑為1.1μm，且具有下述組成A或組成B的玻璃。又，作為含碲玻璃介質，使用具有下述組成的玻璃。
<基本玻璃介質：組成A>
Bi2O3：20mol%，B2O3：29mol%，SiO2：4mol%，ZnO：30 mol%，Li2O：17mol%
<基本玻璃介質：組成B>
PbO：29mol%，B2O3：12mol%，SiO2：47mol%，Li2O：12mol%
<含碲玻璃介質>
Te2O：30mol%，PbO：29mol%，B2O3：5mol%，SiO2：36mol%
[評價用太陽電池單元的製作]
將所述所獲得的膏狀導電性組成物1~導電性組成物10用作受光面電極形成用膏，按以下的順序製作評價用太陽電池單元。
即，首先，準備市售的156mm見方大小的太陽電池用p型單晶矽基板(板厚180μm)，使用將氫氟酸與硝酸混合而成的混酸對其表面進行酸蝕刻處理。繼而，於藉由所述蝕刻處理而形成有微細的凹凸結構的矽基板的受光面塗佈含磷溶液，並進行熱處理，藉此於該矽基板的受光面形成厚度約為0.5μm的n-Si層(n+層)(參照圖1)。藉由電漿CVD(電漿輔助化學氣相沈積(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD))法於該n-Si層上形成厚度為80nm程度的抗反射膜(氮化矽膜)。
其後，使用所準備的導電性組成物，藉由網版印刷法於抗反射膜上形成成為受光面電極(Ag電極)的塗膜(厚度為10μm以上且30μm以下)。又，以同樣的方式，以圖案狀形成成為背面電極(Ag電極)的塗膜。於85℃下將該些塗膜乾燥而供於下一步驟。
繼而，藉由網版印刷(SUS製網眼，#325，線徑23μm， 乳劑厚20μm，以下相同)，以重疊於矽基板的背面側的Ag電極圖案的一部分的方式印刷(塗佈)特定的背面電極用鋁膏。印刷條件是以柵線的煅燒寬度成為100μm的方式進行設定。繼而，使用近紅外線高速煅燒爐，在大氣環境中，於大致700℃以上且800℃以下的溫度下對該矽基板進行煅燒。藉此，獲得具備Ag電極(受光面電極)的評價用太陽電池單元。以下將使用導電性組成物1~導電性組成物10所製作的太陽電池分別對應稱為樣品1~樣品10。
[填充因子(FF)及能量轉換效率(Eff)]
使用太陽模擬器(伯格(Beger)公司製造，PSS10)，對樣品1~樣品10的太陽電池的I-V特性進行測定，根據所獲得的I-V曲線，求出開路電壓(Voc)、填充因子(fill factor，FF)及發電效率(η)。Voc、FF及發電效率是基於JIS C-8913所規定的「結晶系太陽電池單元輸出功率測定方法」而算出，將其結果示於表1。再者，該算出值是藉由太陽模擬器所獲得的100個資料的平均值。
[碲的價數的評價]
對於測定I-V特性後的樣品1~樣品10的太陽電池，將矽基板的表面的電極剝離，對露出的電極與基板的界面(基板表面)進行XAFS分析，研究該界面中的碲的價數。分析條件如以下所述。
分析裝置：SPring-8的產業利用II，BL14B2
單色器：SPring-8標準二結晶分光器
分光晶體：Si(111)
測定能量區域：4320eV~4400eV
測定法：透過法
於XANES光譜中，碲的原子價數越大，吸收端越向高能量側移位。於碲的價數的解析中，分別以TeO2及TeO3作為4價及6價的碲的標準試樣，根據該標準試樣的XANES光譜中4350eV附近的吸收能的位移量計算出測定樣品所含的碲的平均價數。將碲的平均價數的測定結果示於表1。
[評價]
將樣品1~樣品10的導電性組成物煅燒所獲得的電極-基板界面中的碲的價數大部分與根據經驗所預想的值大致一致。如表1所示，導電性組成物所含的碲的比例與煅燒後的電極-基板界面中 的碲的價數之間大致可觀察到若Te添加量增加則碲的價數降低的傾向。然而，根據樣品1、樣品2及樣品5等可知，此種關係未必一定成立，根據玻璃組成物的配方、或碲價數調整材料的配方等，碲的價數會有所變化。
此外，於碲的價數為4.3以上且5.1以下的情形時，顯示Voc、FF及發電效率均取得良好平衡且顯示良好的值。填充因子(FF)基本上是成為太陽電池品質的基準的指標，代表性的FF值處於0.7以上且0.8以下的範圍。於該FF值高於0.7的後半區域，藉由FF值即便增大0.01%，亦可大幅提高作為太陽電池的性能。根據表1的結果可確認，根據導電性組成物中的碲的價數，所獲得的FF值具有較大差別。即，於碲的價數為4.3以上且5.1以下的情形時，FF值均高於0.78，可獲得與其他情形相比極高的值。
又，Voc及發電效率亦可見同樣的傾向，於碲的價數為4.3以上且5.1以下的情形時，可認為特性均取得良好平衡，並且顯著提高。
以上已對本發明的具體例進行詳細說明，但該些僅為例示，並不對申請專利範圍進行限定。申請專利範圍所記載的技術中包括將以上所例示的具體例進行各種變形、變更而成者。
10‧‧‧太陽電池
11‧‧‧基板
12‧‧‧受光面電極(Ag電極)
14‧‧‧抗反射膜
16‧‧‧n-Si層(n+層)
20‧‧‧背面電極(鋁電極)
22‧‧‧背面側外部連接用電極
24‧‧‧p+層(BSF層)

Claims (7)

  1. 一種導電性組成物的製造方法，所述導電性組成物是用以形成太陽電池的電極，所述導電性組成物的製造方法包括：準備銀粉末、含碲組成物、及碲價數調整材料；以將所述導電性組成物塗佈於所述太陽電池的基板並進行了煅燒時的所述基板與所述導電性組成物的界面所含的碲(Te)的平均價數成為4.3以上且5.1以下的方式，調整所述銀粉末、所述含碲組成物及所述碲價數調整材料的配方而製備導電性組成物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的導電性組成物的製造方法，其中所述含碲組成物為含有碲(Te)作為構成元素的碲化合物粉末。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的導電性組成物的製造方法，其中所述含碲組成物為含有碲(Te)作為構成元素的玻璃組成物。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的導電性組成物的製造方法，其中所述玻璃組成物為不含碲的基本玻璃成分、與含有碲的含碲玻璃成分的混合物。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的導電性組成物的製造方法，其中所述碲價數調整材料為包含選自由鈦(Ti)、釩(V)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)及鋅(Zn)所組成的群組中的至少一種金屬元素的金屬或金屬化合物。
  6. 一種導電性組成物，其是藉由如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的導電性組成物的製造方法所製造。
  7. 一種太陽電池，其具備使用如申請專利範圍第6項所述的導電性組成物所形成的電極。
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