TW201521873A - 微流道檢測系統 - Google Patents

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Abstract

一種用於環境或生醫檢測之微流道檢測系統，包含：一晶片，具有一感測區位於的一第一表面，一基板，具有一凹槽用於容納該晶片，其中該晶片的該第一表面露出，一第一惰性層，填塞於該基板之該凹槽中該晶片與該基板之間的間隙，以與該晶片之該第一表面構成一平面，一電性連接件，與該晶片電性連接，一具有微流道之上蓋，置於該平面上。藉由該第一惰性層與該第一表面構成一平面，使微流道內流路平順以提升量測的精確度。

Description

微流道檢測系統
本發明係關於一種微流道檢測系統，尤指一種用於環境或生醫檢測的微流道檢測系統，利用以第一惰性層與晶片的第一表面形成一的平面，使微流道內流路平順以提升量測的精確度。
如第1圖所示，其顯示一習知的微流道檢測系統1之構造。在此習知微流道檢測系統中，一用於感測之晶片2設置於一基板3上，經由導線4連接晶片2與基板3上的元件。由於該晶片2上的感測區將略高於電路板，因此整個具有微流道6之上蓋5被設置於晶片2的表面。由於整體具有微流道6的上蓋5的大小為500μm~1mm之間，要將其設置於晶片2上，需要採用相當大面積的晶片2，而失去晶片2微小化的優勢。因此發展出另一種微流道檢測系統10，如下所述。
如第2圖所示，其顯示另一種習知微流道檢測系統10。此習知微流道檢測系統10具有一惰性層60包覆於晶片20及導線40，並開有通孔使晶片的感測區域暴露。而一具有微流道52的上蓋50設置於該惰性層60上。由於該具有微流道52的上蓋60不設置於該晶片20上，不會占用晶片20的面積，因此該晶片20仍然可以保持微小化的優勢。然而此系統中的微流道52中待檢測流體流過晶片及相鄰的區域的流路卻不平順。如第2圖所示，圖中箭頭顯示檢體流動 方向，在檢測過程中當待測檢流體流過晶片的感測區域時，會使檢體流動不完全沿著相同方向進行，而有流場擾動的現象產生，致使不穩定的量測結果。
本發明之目的，在於提供一微流道檢測系統，該微流道檢測系統利用晶片感測區所在的一第一表面及一第一惰性層形成一的平面，以解決習知微流道檢測系統之微流道中晶片及其相鄰區域不平整的問題。
為達上述目的並解決習知技術之缺點，本發明提供一種微流道檢測系統，包含：一晶片，具有一感測區位於的一第一表面以及與該第一表面相對的一第二表面，一基板，具有一凹槽用於容納該晶片，使該晶片的該第二表面面向該凹槽而該第一表面露出，一第一惰性層，填塞於該基板之該凹槽中該晶片與該基板之間的間隙以及該基板上圍繞於該晶片的周圍，以與該晶片之該第一表面構成一平面，一電性連接件，與該晶片電性連接，一具有一微流道之上蓋，置於該晶片與該第一惰性層構成之該平面上。
在本發明之一實施例中，所述電性連接件為導線，設置於該晶片與該惰性層構成之該平面上而與該晶片電性連接。
在本發明之一實施例中，進一步包含一第二惰性層，該第二惰性層係包覆該導線。
在本發明之一實施例中，該第二惰性層之材料與該第一惰性層相同。
在本發明之一實施例中，所述晶片係選自於由矽(Si)、鍺(Ge)、碳化矽(SiC)、砷化鋁(AlAs)、磷化鋁(AlP)、銻化鋁(AlSb)、氮化硼(BN)、磷化硼(BP)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)、銻化銦(InSb)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、氧化鋅(ZnO)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、硒化碲(ZnTe)、硫化汞(HgS)、硒化汞(HgSe)、碲化汞(HgTe)、硫化鉛(PbS)、碲化鉛(PbTe)、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質
在本發明之一實施例中，該第一惰性層還置於該晶片之該第二表面與該基板的該凹槽之間。
在本發明之一實施例中，所述晶片係互補式金屬氧化物半導體積體電路晶片(CMOS IC Chip)。
在本發明之一實施例中，所述基板係選自於由矽、半纖維、全纖維、玻璃纖維、玻璃纖維棉、氮化鋁、陶瓷鋁、陶瓷、雪弗龍、可撓材料、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質。
在本發明之一實施例中，所述具有一微流道的上蓋係選自於由光阻、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質。
在本發明之一實施例中，所述高分子材料係聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)。
在本發明之一實施例中，所述第一惰性層的材料係選自於由高分子、有機材質及無機材料所組成之群組之一。
在本發明之一實施例中，所述高分子材料係聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)。
在本發明之一實施例中，進一步包含一閥門、一幫浦或一混合器設置於該基板上而與該微流道連接。
在本發明之一實施例中，所述電性連接件為球狀導電矩陣， 設置於該晶片之該第二表面與該基板之該凹槽之間，且該基板中埋設有導線用以連接該球狀導電矩陣。
為達上述目的，本發明提供一種微流道檢測系統之製造方法，其組裝步驟保含：提供一平板，一晶片附著於其一表面，並且該晶片具有一感測區位於的一第一表面以及與該第一表面相對的一第二表面，該第一表面與所述平板接觸，提供一基板，具有一凹槽於其一側，以一第一惰性層覆蓋該晶片或該凹槽，藉由以該晶片所在的該平板之該表面面對該凹槽所在該基板之一側，將該平板放置於該基板上，使該晶片置入該凹槽內，固化該第一惰性層，移除該平板，使得該晶片留於該凹槽內，該晶片的該第二表面面向該凹槽而該第一表面露出，並且該晶片感測區所在的該第一表面與該第一惰性層構成一平面，以及設置一具有一微流道的上蓋於該晶片與該惰性層構成之所述平面上，使該微流道對齊該晶片的該感測區。
在本發明之一實施例中，所述平板的表面上塗覆有一隔離層，使該晶片附著於該隔離層上。
在本發明之一實施例中，所述隔離層係一矽膠層。
在本發明之一實施例中，在設置該上蓋於所述平面上之前，進一步包含設置一導線於所述平面及該基板表面之上，再使用一第二惰性層覆蓋該導線。
在本發明之一實施例中，所述上蓋的微流道是藉由光阻形成具有該微流道圖案的母模，再壓印該母模於該上蓋的材質上而形成。
在本發明之一實施例中，在設置該上蓋於所述平面上之前，進一步包含以氧電漿對該上蓋與所述平面之接合處進行表面改質
在本發明之一實施例中，所述晶片係選自於由矽(Si)、鍺(Ge)、碳化矽(SiC)、砷化鋁(AlAs)、磷化鋁(AlP)、銻化鋁(AlSb)、氮化硼(BN)、磷化硼(BP)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、銻化鎵(GaSb)、砷化 銦(InAs)、磷化銦(InP)、銻化銦(InSb)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、氧化鋅(ZnO)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、硒化碲(ZnTe)、硫化汞(HgS)、硒化汞(HgSe)、碲化汞(HgTe)、硫化鉛(PbS)、碲化鉛(PbTe)、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質。
在本發明之一實施例中，所述晶片係互補式金屬氧化物半導體積體電路晶片(CMOS IC Chip)。
在本發明之一實施例中，所述基板係選自於由矽、半纖維、全纖維、玻璃纖維、玻璃纖維棉、氮化鋁、陶瓷鋁、陶瓷、雪弗龍、可撓材料、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質。
在本發明之一實施例中，所述上蓋係選自於由光阻、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質。
在本發明之一實施例中，所述高分子材料係聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)。
在本發明之一實施例中，所述第一惰性層的材料係選自於由高分子、有機材質及無機材料所組成之群組之一。
在本發明之一實施例中，所述高分子材料係聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)。
依在本發明之一實施例中，進一步包含設置一閥門、一幫浦或一混合器與該微流道連接。
在本發明之一實施例中，該晶片具有一球狀導電矩陣於其第二表面，且該基板中埋設有導線用以連接該球狀導電矩陣。
在本發明之一實施例中，在設置該晶片置入該凹槽之前，其中所述第一惰性層覆蓋所述晶片，但露出該球狀導電矩陣所在之第二表面。
1‧‧‧微流道檢測系統
2‧‧‧晶片
3‧‧‧基板
4‧‧‧電性連接件
5‧‧‧上蓋
6‧‧‧微流道
10‧‧‧微流道檢測系統
20‧‧‧晶片
21‧‧‧感測區
30‧‧‧基板
40‧‧‧電性連接件
50‧‧‧上蓋
52‧‧‧微流道
60‧‧‧第二惰性層
101‧‧‧微流道檢測系統
110‧‧‧晶片
111‧‧‧感測區
112‧‧‧平板
113‧‧‧隔離層
120‧‧‧基板
121‧‧‧凹槽
130‧‧‧第一惰性層
140‧‧‧電性連接件(第一導線)
150‧‧‧上蓋
151‧‧‧光阻
152‧‧‧微流道
153‧‧‧母模底板
160‧‧‧第二惰性層
201‧‧‧微流道檢測系統
210‧‧‧晶片
211‧‧‧感測區
212‧‧‧平板
213‧‧‧隔離層
220‧‧‧基板
221‧‧‧凹槽
230‧‧‧第一惰性層
240‧‧‧電性連接件(球狀導電矩陣)
242‧‧‧第二導線
250‧‧‧上蓋
252‧‧‧微流道
第1圖係顯示一習知的微流道檢測系統之結構。
第2圖係顯示另一種習知微流道檢測系統，並顯示流體在其微流道內流動之情形。
第3A圖係根據本發明之第一實施例的微流道檢測系統之上視示意圖；第3B圖係第3A圖所示的微流道檢測系統沿AA’線所取之側視剖面圖；第3C圖係第3A圖所示的微流道檢測系統沿BB’線所取之側視剖面圖。
第4A圖係根據本發明第二實施例的微流道檢測系統之上視示意圖；第4B圖係第4A圖所示的微流道檢測系統沿AA’線索取之側視剖面圖。
第5A圖至第5I圖係根據本發明第一實施例的微流道檢測系統之組裝步驟的側視示意圖。
第6A圖至第6C圖係根據本發明微流道檢測系統之上蓋的製造步驟的側視示意圖。
第7A圖至第7F圖係根據本發明第二實施例的微流道檢測系統之組裝步驟的側視示意圖。
現配合圖式詳述說明本發明之技術內容與實施例如下。
參閱第3A圖至第3C圖，其分別為根據本發明之第一實施例的微流道檢測系統101之上視示意圖以及不同方向的側視剖面圖。本發明微 流道檢測系統101包含一用於感測的晶片110、一基板120、一第一惰性層130、一電性連接件140及一具有微流道152之上蓋150。該晶片110具有一第一表面以及與該第一表面相對的一第二表面，一感測區111位於晶片110的第一表面用以感測待測檢體中的被分析物(analyte)。該感測區111為該晶片110與待測檢體及其中被分析物接觸的一區域。該基板120承載整個微流道檢測系統101，其具有一凹槽121，大小至少可容納該晶片110。實作上，該凹槽121之寬度通常比該晶片110寬，深度比晶片110厚度深，以便容納該晶片110。該晶片110置入於該凹槽121，第一表面及感測區111從凹槽121開口露出，而其第二表面面向該凹槽121的底部。該第一惰性層130填塞於該基板120之該凹槽121中晶片110與該基板120之間的間隙、該晶片110之第二表面與該凹槽120底部之間、以及該基板120上圍繞於該晶片110的周圍，以致該第一惰性層130與該晶片110之第一表面構成一平面，而感測區111位於該平面中並暴露出來。該上蓋150具有一微流道152且設置於該晶片110第一表面與該第一惰性層130構成之該平面上，以使待測檢體經由該微流道152流過與感測區接觸，而該晶片110感測待測檢體中的被分析物而產生訊號。該電性連接件140與該晶片110連接，以傳送晶片110所檢測到的訊號於外界。由於該第一惰性層130與晶片110的第一表面構成的平面相當平整，以致待測檢體可平順地流經該感測區111，不會因為晶片及相鄰的區域的不平整產生流場擾動而干擾檢測結果，使得檢測結果更為精確。
所述的第一惰性層130為任意一種具有可塑性、熱固性或熱塑性之材質，例如高分子材料、有機材料、無機材料。上述的可塑性是指固體在外力的作用下發生形變並保持形變的性質，上述的熱固性係指一具 有可塑性的物質通過加熱或適當的輻射的固化作用，使其不可逆地轉變為缺乏可塑性的固態，上述的熱固性係指一缺乏可塑性的物質在受熱軟化成為具有可塑性的狀態，或是具有可塑性的物質在冷卻固化成為缺乏可塑性的狀態。在高分子材料中，聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)具有良好的可塑性、熱固性、透光性、生物相容性及相對低成本，並且在兩PDMS材質之間的接合技術已經相當成熟，因此本實施例中較佳地使PDMS做為所述的第一惰性層130的材質，但此為一實施範例，不應以此限制專利請求範圍。
所述的電性連接件以一至多條第一導線140來實施，並設置於該晶片110的第一表面與該第一惰性層130構成之該平面上，使印刷電路板上的電路與該晶片110電性連接。由於若該第一導線140直接暴露在外界的環境中，將可能受到干擾、損壞甚至在溶液中水解。為了解決此問題，本發明之微流道檢測系統1還可進一步包含一第二惰性層160包覆所述第一導線140並保護之。該第二惰性層160的材質為任意一種具有可塑性、熱固性或熱塑性之材質，例如高分子材料、有機材料、無機材料，其可以係與該第一惰性層130為相同材質也可係不同材質。基於之前所述的相同原因，在本實施例中較佳地使用聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)作為該第二惰性層160的材質，與第一惰性層130為相同材質。
在本實施例中，所述的基板120為一印刷電路板(printed circuit board,PCB)，係選自於由矽、半纖維、全纖維、玻璃纖維、玻璃纖維棉、氮化鋁、陶瓷鋁、陶瓷、雪弗龍、可撓材料、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質。所述具有一微流道152之上蓋150係選自於由光阻、 玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質製成。在本實施例中較佳地使用聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)作為該具有微流道152之上蓋150的材質。所述晶片110的材質係選自於由矽(Si)、鍺(Ge)、碳化矽(SiC)、砷化鋁(AlAs)、磷化鋁(AlP)、銻化鋁(AlSb)、氮化硼(BN)、磷化硼(BP)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)、銻化銦(InSb)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、氧化鋅(ZnO)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、硒化碲(ZnTe)、硫化汞(HgS)、硒化汞(HgSe)、碲化汞(HgTe)、硫化鉛(PbS)、碲化鉛(PbTe)、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組。在本實施例當中，所述晶片110所使用的材質為矽且較佳地使用互補式金屬氧化物半導體積體電路晶片(CMOS IC Chip)，因為其具有低耗電且發熱少的特性。以上所述的各組件材質及晶片所用的類型僅為本發明的一種實施例，不應以此限制專利請求範圍。
此外，在本發明微流道檢測系統101的此實施例中，還進一步包含一閥門(valve)、一幫浦(pump)或一混合器(mixer)設置於該基板120上與該微流道152連接，以增加此系統的方便性及功能性(圖未顯示)。
參閱第4A圖及第4B圖，其係根據本發明第二實施例的微流道檢測系統201之上視示意圖及側視剖面圖。該實施例之組成構件與第一實施例類似，包含一晶片210、一基板220、一第一惰性層230、一電性連接件240及一具有微流道252之上蓋250。本實施例的微流道檢測系統201與前一實施例的差異在於所述電性連接件240為球狀導電矩陣240，設置於該晶片210之該第二表面與該基板220之該凹槽221底部之間，且該基板220中埋設有第二導線242用以電性連接該球狀導電矩陣240。該球狀導電矩陣240較佳 地使用錫為其材質，而該基板220較佳地以矽作為其材質，但此僅為一實施範例，不應以此限制專利請求範圍。至於其他構件包含晶片210、基板220、第一惰性層230、及一具有微流道252之上蓋250則與第一實施例相同。
參閱第5A圖至第5I圖，其係根據本發明第一實施例的微流道檢測系統101之製造流程的側視示意圖。微流道檢測系統101之製造流程主要包含下列步驟：如第5A圖所示，準備一平板112，此實施利中其材質為壓克力(聚甲基丙烯酸甲酯，PMMA)，但不以此為限。如第5B圖所示，塗覆一隔層離113於該平板112的一表面上，使該晶片110附著於該隔離層113上，該隔離層113為一矽膠層，但其僅為實施範例，不應以此限制專利請求範圍。如第5C圖所示，將一用於感測的晶片110附著於該平版112之隔離層113上，並且該晶片110具有一第一表面以及與該第一表面相對的一第二表面，一感測區111位於該第一表面，該第一表面與所述平板112之隔離層113接觸，並以一軟固態(soft solid)或黏稠態(vicious state)的第一惰性層130包覆該晶片110除第一表面外的其餘五個表面。如第5D圖及第5E圖所示，準備一基板120，以計算機數字控制雕刻機(Computer Numerical Control Carving Machine,CNC Carving Machine)雕刻出比該晶片寬且深的一凹槽121於其一側。如第5F圖所示，以相同軟固態(soft solid)或黏稠態(vicious state)的第一惰性層附蓋該凹槽121。如第5F圖及第5G圖所示，藉由以該晶片110所在的該平板112之該表面面對該凹槽121所在該基板120之一側，而該晶片110對準該凹槽121，將該平板112放置於該基板120上，使該晶片110置入該凹槽121內，且在放置該晶片110於該凹槽121的過程中，避免該晶片110碰撞到凹槽121壁而產生偏移。此時該軟固態的第一惰性層130存在於該凹槽122壁 與該晶片110之間的間隙及該平板112及該基板120之間。如第5G圖所示，放置該基板120及該平板112之結合體於加熱板上加熱至70℃30分鐘，以固化該第一惰性層130。如第5H圖所示，固化完成後移除該平板112，該隔離層113使得該晶片110容易從該平板112脫離，而該晶片110留於該凹槽121內，該晶片110的該第二表面面向該凹槽121而該第一表面露出從該凹槽121缺口露出來，並且該晶片110之感測區111所在的該第一表面與該第一惰性層130構成一平面，並且該平面貼近於該凹槽121所在的基板120表面，兩者之間的距離通常會小於0.5mm，已減少流場擾動。在此實施例中，還設置一至多條第一導線140於所述平面及該基板20表面之上作為電性連接件140以連接該晶片110，而傳送晶片110所檢測到的訊號於外界，再使用一第二惰性層160覆蓋該並保護該第一導線140受到外界環境的破壞及減少干擾(圖未顯示)。如第5I圖所示，準備一具有一微流道152的上蓋150，在顯微鏡下使該微流道152對齊該晶片110的該感測區111，固定該具有微流道152之上蓋150於該晶片110第一表面與該惰性層130構成之所述平面上。在固定該具有微流道152之上蓋150於所述平面上之前，進一步包含以氧電漿對該具有微流道152之上蓋150與所述平面之接合處進行表面改質，以增強該具有微流道152之上蓋150與所述平面之接合強度(圖未顯示)。在整個微流道檢測系統完成後，可進一步設置一閥門(valve)、一幫浦(pump)或一混合器(mixer)與該微流道連接，以增加此系統的方便性及功能性(圖未顯示)。
請參照第6A圖-第6C圖，該圖係根據本發明微流道檢測系統101之具有微流道152之上蓋150的製造步驟的側視示意圖，在此第一實施例中，所述上蓋150的微流道152是藉由光阻151形成具有該微流道圖案的母 模，再壓印該母模於該具有微流道152之上蓋150的材質上而形成。該具有微流道152之上蓋150的具體製造步驟如下：如第6A圖所示，塗覆一層負性光阻151於母模底板153上，此實施利中該負性光阻151為SU-8光阻，母模底板153材質為玻璃，此為實施範例，不應以此限制專利請求範圍。如第6B圖所示，遮蔽該負性光阻151，只露出欲形成微流道圖案的區域，再進行曝光，被遮蔽而未曝光部分溶於顯影液，露出的區域因為曝光而交聯固化不溶於顯影液。因此母模底板153及曝光後的光阻151形成一具有該微流道圖案的母模。如第6C圖所示，將此母模壓印於該軟固態(soft solid)或黏稠態(vicious state)的具有微流道152之上蓋150的材質，進行固化作用，再移除該母模以形成該具有微流道152之上蓋150。
參閱第7A圖至第7F圖，其係根據本發明第二實施例的微流道檢測系統201之組裝步驟的側視示意圖。本發明第二實施例之微流道檢測系統201，其組裝步驟與第一實施例相似，差別在於該電性連接件是以一球狀導電矩陣240來實施，並且設置於該晶片210之第二表面。在第7A圖、第7B圖中，準備一平板212並塗覆一隔離層213與第一實施例相同。如第7C圖所示，以一軟固態(soft solid)或黏稠態(vicious state)的第一惰性層230覆蓋該晶片210時，但只覆蓋除第一表面及第二表面以外的其餘四個表面，不覆蓋該球狀導電矩陣240第二表面。如第7D圖所示，準備一基板，該基板220中埋設有第二導線242，該第二導線242連接端從凹槽221底部露出，因此不以軟固態(soft solid)或黏稠態(vicious state)的第一惰性層230覆蓋該凹槽221，以避免該第一惰性層230阻斷球狀導電矩陣240及埋設於基板的第二導線242連接端的電性連接。如第7E圖所示，當該晶片210置入該凹槽221時， 晶片210上的球狀導電矩陣與240該埋設於基板中的第二導線242連接端電性連接，傳遞晶片210感測到的訊號，以取代第一實施例中，設置一第一導線140於所述的平面及該基板120表面之上。而其餘步驟，皆與第一實施例相同。
綜上所述，本發明之技術特徵在於利用一惰性層及晶片之一表面所構成的平面，使得微流道內的檢體平順地流動，以改善習知的微流道檢測係統因為微流道內晶片及相鄰的區域不平整而產生擾動，進而提升本發明之微流道檢測系統的精準性。
所屬領域之技術人員當可了解，在不違背本發明精神下，依據本發明實施態樣所能進行的各種變化。因此，顯見所列之實施態樣並非用以限制本發明，而是企圖在所附申請專利範圍的定義下，涵蓋於本發明的精神與範疇中所做的修改。
101‧‧‧微流道檢測系統
110‧‧‧晶片
120‧‧‧基板
121‧‧‧凹槽
130‧‧‧第一惰性層
140‧‧‧電性連接件
150‧‧‧上蓋
152‧‧‧微流道
160‧‧‧第二惰性層

Claims (30)

  1. 一種微流道檢測系統，包含：一晶片，具有一感測區位於的一第一表面以及與該第一表面相對的一第二表面；一基板，具有一凹槽用於容納該晶片，使該晶片的該第二表面面向該凹槽而該第一表面露出；一第一惰性層，填塞於該基板之該凹槽中該晶片與該基板之間的間隙以及該基板上圍繞於該晶片的周圍，以與該晶片之該第一表面構成一平面；一電性連接件，與該晶片電性連接；一具有一微流道之上蓋，置於該晶片與該第一惰性層構成之該平面上。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述之微流道檢測系統，其中所述電性連接件為導線，設置於該晶片與該惰性層構成之該平面上而與該晶片電性連接。
  3. 依據申請專利範圍第2項所述之微流道檢測系統，進一步包含一第二惰性層，該第二惰性層係包覆該導線。
  4. 依據申請專利範圍第3項所述之微流道檢測系統，其中該第二惰性層之材料與該第一惰性層相同。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述之所述整合微流道及晶片於電路板的系統，其中所述晶片係選自於由矽(Si)、鍺(Ge)、碳化矽(SiC)、砷化鋁(AlAs)、磷化鋁(AlP)、銻化鋁(AlSb)、氮化硼(BN)、磷化硼(BP)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)、銻化銦(InSb)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、氧化鋅(ZnO)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、硒化碲(ZnTe)、硫化汞 (HgS)、硒化汞(HgSe)、碲化汞(HgTe)、硫化鉛(PbS)、碲化鉛(PbTe)、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質
  6. 依據申請專利範圍第1項所述之微流道檢測系統，其中該第一惰性層還置於該晶片之該第二表面與該基板的該凹槽之間。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述之微流道檢測系統，其中所述晶片係互補式金屬氧化物半導體積體電路晶片(CMOS IC Chip)。
  8. 依據申請專利範圍第1項所述之微流道檢測系統，其中所述基板係選自於由矽、半纖維、全纖維、玻璃纖維、玻璃纖維棉、氮化鋁、陶瓷鋁、陶瓷、雪弗龍、可撓材料、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質。
  9. 依據申請專利範圍第1項所述之微流道檢測系統，其中所述具有一微流道的上蓋係選自於由光阻、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質。
  10. 依據申請專利範圍第9項所述之微流道檢測系統，其中所述高分子材料係聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)。
  11. 依據申請專利範圍第1項所述之微流道檢測系統，其中所述第一惰性層的材料係選自於由高分子、有機材質及無機材料所組成之群組之一。
  12. 依據申請專利範圍第11項所述之微流道檢測系統，其中所述高分子材料係聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)。
  13. 依據申請專利範圍第1項所述之微流道檢測系統，進一步包含一閥門(valve)、一幫浦(pump)或一混合器(mixer)設置於該基板上而與該微流道連接。
  14. 依據申請專利範圍第1項所述之微流道檢測系統，其中所述電性連接件為球狀導電矩陣，設置於該晶片之該第二表面與該基板之該凹槽之 間，且該基板中埋設有導線用以連接該球狀導電矩陣。
  15. 一種微流道檢測系統之製造方法，其組裝步驟保含：提供一平板，一晶片附著於其一表面，並且該晶片具有一感測區位於的一第一表面以及與該第一表面相對的一第二表面，該第一表面與所述平板接觸；提供一基板，具有一凹槽於其一側；以一第一惰性層覆蓋該晶片或該凹槽；藉由以該晶片所在的該平板之該表面面對該凹槽所在該基板之一側，將該平板放置於該基板上，使該晶片置入該凹槽內；固化該第一惰性層，移除該平板，使得該晶片留於該凹槽內，該晶片的該第二表面面向該凹槽而該第一表面露出，並且該晶片感測區所在的該第一表面與該第一惰性層構成一平面；以及設置一具有一微流道的上蓋於該晶片與該惰性層構成之所述平面上，使該微流道對齊該晶片的該感測區。
  16. 依據申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中所述平板的表面上塗覆有一隔離層，使該晶片附著於該隔離層上。
  17. 依據申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中所述隔離層係一矽膠層。
  18. 依據申請專利範圍第15項所述之製造方法，在設置該上蓋於所述平面上之前，進一步包含設置一導線於所述平面及該基板表面之上，再使用一第二惰性層覆蓋該導線。
  19. 依據申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中所述上蓋的微流道是藉由光阻形成具有該微流道圖案的母模，再壓印該母模於該上蓋的材質上而形成。
  20. 依據申請專利範圍第15項所述之製造方法，在設置該上蓋於所述平面上之前，進一步包含以氧電漿對該上蓋與所述平面之接合處進行表面改質
  21. 依據申請專利範圍第15項所述之所述整合微流道及晶片於電路板的系統，其中所述晶片係選自於由矽(Si)、鍺(Ge)、碳化矽(SiC)、砷化鋁(AlAs)、磷化鋁(AlP)、銻化鋁(AlSb)、氮化硼(BN)、磷化硼(BP)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)、銻化銦(InSb)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、氧化鋅(ZnO)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、硒化碲(ZnTe)、硫化汞(HgS)、硒化汞(HgSe)、碲化汞(HgTe)、硫化鉛(PbS)、碲化鉛(PbTe)、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質。
  22. 依據申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中所述晶片係互補式金屬氧化物半導體積體電路晶片(CMOS IC Chip)。
  23. 依據申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中所述基板係選自於由矽、半纖維、全纖維、玻璃纖維、玻璃纖維棉、氮化鋁、陶瓷鋁、陶瓷、雪弗龍、可撓材料、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質。
  24. 依據申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中所述上蓋係選自於由光阻、玻璃、高分子及塑膠所組成之群組之一材質。
  25. 依據申請專利範圍第24項所述之製造方法，其中所述高分子材料係聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)。
  26. 依據申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中所述第一惰性層的材料係選自於由高分子、有機材質及無機材料所組成之群組之一。
  27. 依據申請專利範圍第26項所述之製造方法，其中所述高分子材料係聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)。
  28. 依據申請專利範圍第15項所述之製造方法，進一步包含設置一閥門(valve)、一幫浦(pump)或一混合器(mixer)與該微流道連接。
  29. 依據申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中該晶片具有一球狀導電矩陣於其第二表面，且該基板中埋設有導線用以連接該球狀導電矩陣。
  30. 依據申請專利範圍第29項所述之製造方法，在設置該晶片置入該凹槽之前，其中所述第一惰性層覆蓋所述晶片，但露出該球狀導電矩陣所在之第二表面。
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