TW201521185A - 用於製造顯示面板的方法 - Google Patents

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Hong-Ro Lee
Beung-Hwa Jeong
Sung-Hoon Hong
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一種用於製造顯示面板的方法，包含通過在脫附區形成離型層或凹部之一而定義支撐基板的脫附區、清理支撐基板的表面、在支撐基板上設置薄膜基板、在脫附區外部的吸附區直接接合薄膜基板至支撐基板、在薄膜基板上形成像素及密封構件、在對應至脫附區的位置切割密封構件及薄膜基板以及從薄膜基板分離支撐基板。

Description

用於製造顯示面板的方法
所述技術一般關於一種用於製造顯示面板的方法。
近來，因為平板顯示器可輕易地實現為大、薄以及輕巧，故顯示裝置市場已經快速改變成平板顯示器(FPD)市場。在各種類型的平板顯示器中，有機發光二極體(OLED)顯示器為無須另外的發光源的自發光類型，且因此在薄型化及輕量化(weight reduction)更有利。
因為一般平板顯示器使用玻璃基板，平板顯示器具有減少的可撓性(flexibility)、厚的厚度以及沉重的重量，且因此在應用上受限制。近來，為減少顯示裝置的厚度，在超薄玻璃基板上形成顯示單元。
超薄玻璃基板具有薄厚度以及大面積，且因此不容易處理。因此，支撐基板(support substrate)貼附在超薄玻璃基板下以在超薄玻璃基板上形成像素。
然而，在完成像素形成製程後，超薄玻璃基板必須與支撐基板分離。為此目的，超薄玻璃基板係暴露於高溫製程等，且因此可能無法輕易地與支撐基板分離且可能部分地損壞。
因此，本發明致力於提供一種用於製造能輕易從支撐基板分離超薄玻璃基板的顯示面板的方法。
根據本發明的一態樣，提供一種製造顯示面板的方法，包含藉由在支撐基板的脫附區(desorbing area)形成離型層及凹部之一而在支撐基板定義脫附區、清理支撐基板的表面、在支撐基板上設置薄膜基板、接合薄膜基板至支撐基板、在薄膜基板上形成像素及密封構件、在對應至脫附區的位置切割密封構件及薄膜基板且從薄膜基板分離支撐基板。清理(cleaning)可通過紫外線清理、超音波清理、噴水清理、氫水清理、及臭氧(O3 )清理之一達成。像素可包含有機發光元件。
脫附區可通過凹部定義，凹部通過電漿蝕刻或噴砂蝕刻產生。凹部的深度可為2奈米至200微米(mm)。脫附區可通過離型層定義，離型層的形成可包含在支撐基板上形成氧化銦錫(ITO)層及氧化銦鋅(IZO)層之一、藉由圖案化氧化銦錫層及氧化銦鋅層之一形成保留的離型層且結晶化保留的離型層。離型層可形成以具有100埃(Å)至1000埃的厚度。
薄膜基板可包含具有0.01毫米(mm)至0.1毫米的厚度的超薄玻璃。在對應至脫附區外部的吸附區之位置的支撐基板之表面粗糙度可等於或少於0.2奈米。在接合期間，薄膜基板在吸附區無須中間黏著層(intervening adhesive layer)而可直接且共價地鍵結至支撐基板。
根據本發明的另一態樣，提供製造顯示面板的另一方法，包含清理支撐基板的表面、藉由在支撐基板的脫附區形成離型層及凹部之一而定義支撐基板的脫附區、在支撐基板上設置薄膜基板、鍵結薄膜基板至支撐基板、在薄膜基板上形成像素及密封構件、在對應至脫附區的位置切割密封構件及薄膜基板以及從薄膜基板分離支撐基板。清理可包含選自紫外線清理、超音波清理、噴水清理、氫水清理、及臭氧(O3 )清理的製程，且薄膜基板在脫附區外部的吸附區中可直接且共價地鍵結至支撐基板，且無須中間黏著層。支撐基板也可包含包圍脫附區的吸附區。
脫附區可由凹部定義，凹部可藉由經由選自由電漿蝕刻及噴砂蝕刻所組成的群組的製程來蝕刻支撐基板而產生。凹部的深度可為2奈米至200微米。
脫附區可由離型層定義，離型層的形成可包含在支撐基板上形成氧化銦錫(ITO)層及氧化銦鋅(IZO)層之一、藉由圖案化氧化銦錫層及氧化銦鋅層之一形成保留的離型層並結晶化保留的離型層。離型層可形成以具有100埃(Å)至1000埃的厚度。
薄膜基板可為具有0.01毫米至0.1毫米的厚度的超薄玻璃。在對應至脫附區外部的吸附區之位置的支撐基板之表面粗糙度可等於或少於0.2奈米。像素可包含有機發光元件。
在下文中，例示性實施例將參照其中顯示例示性實施例的附圖更充分地描述。所屬技術領域中具有通常知識者將理解的是，所述的實施例在全不脫離本發明的精神或範疇下可以各種不同方式修改。
在圖式中，層、膜、面板、區域等的厚度為了清楚而誇大。將理解的是當元件如層、膜、區域或基板被稱為在另一元件「上(on)」時，其可直接在其他元件上或也可存在中間元件。相反地，當元件被稱為相對於另一元件「直接在其上(directly on)」時，則不存在中間元件。
現在轉到第1圖，第1圖係為繪示根據例示性實施例用於製造顯示面板的方法的流程圖。如在第1圖所繪示的，根據例示性實施例用於製造顯示面板的方法包含在支撐基板上形成脫附區及吸附區(步驟S100)、清理支撐基板(步驟S102)、接合(bonding)薄膜基板至支撐基板上(步驟S104)、在薄膜基板上形成像素(步驟S106)、切割薄膜基板成個別的顯示面板(步驟S108)以及從支撐基板分離顯示面板(步驟S110)。
在下文中，根據第1圖的流程圖用於製造顯示面板的方法將參照第2圖至第5圖詳細描述。
第2圖至第5圖係為根據第一例示性實施例示意地描述用於製造顯示面板的方法的剖視圖，且第6圖係為根據第一例示性實施例在母基板中的顯示面板的示意佈局圖。
如在第1圖及第2圖所繪示的，製備支撐基板500且在支撐基板500上形成離型層10(步驟S100)，以從吸附區SB區分出脫附區SA。
因為通常由玻璃基板製成之薄膜基板100非常薄，支撐基板500支撐薄膜基板100且防止薄膜基板100翹曲(warping)。支撐基板500可具有0.3毫米(mm)至1毫米的厚度，且較佳可具有0.5毫米的厚度。
脫附區SA為其中形成離型層10的區域，且吸附區SB為其中不形成離型層10的區域。如在第6圖所繪示的，離型層10可以複數個形成且以矩陣形式設置。
對於離型層10，首先在200°C或更低的溫度下形成100Å至1000Å的厚度的氧化銦錫(ITO)膜或氧化銦鋅(IZO)膜。其次，藉由使用微影製程(photolithography process)圖案化氧化銦錫膜或氧化銦鋅膜而形成保留的離型層10。
在這種情況下，氧化銦錫膜為非晶態(amorphous)的薄膜，且因為氧化銦錫膜可能在經歷連串熱處理時與薄膜基板100反應而耦接到薄膜基板100，非晶態的氧化銦錫膜藉由在400°C的溫度熱處理30分鐘而多晶化。當非晶態的氧化銦錫膜結晶化時，氧化銦錫膜的表面粗糙度係增加以減少與薄膜基板100的接觸面積，且因此即使氧化銦錫膜經歷連串的熱處理，氧化銦錫膜仍不會耦接到薄膜基板100。
相較於氧化銦錫膜，氧化銦鋅膜具有與薄膜基板100相對較少的反應且不須經歷結晶製程，但為結晶化的且因此可能更容易分離(detached)。
其次，清理支撐基板500(步驟S102)。清理步驟移除了在支撐基板500表面上的有機材料，且對應至吸附區SB的支撐基板500的露出部係藉由附接OH 基在其表面上而變成親水性(hydrophilic)。
對於清理製程，可實行紫外線(UV)清理、超音波清理(ultrasonic wave cleaning)、噴水清理(waterjet cleaning)、氫水清理(hydrogen water cleaning)、臭氧(O3 )清理等。紫外線清理可在172奈米(nm)的波長實行65秒，超音波清理可在600瓦(W)的功率下實行，噴水清理可在90巴(bar)的氣壓下且在0.8百萬歐姆(MW)的比電阻值(specific resistance value)下實行，且臭氧清理可在臭氧濃度為25 ppm時實行55秒。
其次，如在第1圖及第3圖所繪示的，薄膜基板100設置在支撐基板500上以接觸支撐基板500，且然後接合至支撐基板500(步驟S104)。薄膜基板100比支撐基板500更薄，且可為具有0.01毫米(mm)至0.1毫米的厚度的超薄玻璃基板。接合在10E-1托(torr)或更少的真空狀態中實行，或可在250°C或更高的溫度下實行10分鐘。另外，壓縮力(compressive force)也可施加在薄膜基板100及支撐基板500之間以形成接合。
在直接接合時位在吸附區SB之支撐基板500及部分薄膜基板100係相互接觸且因此化學性地相互耦接。位在脫附區SA的部分薄膜基板100藉由接觸離型層10而物理性地耦接至離型層10。
也就是說，氧(O)接合至支撐基板500及薄膜基板100作為清理的結果，然後基板的矽(Si)通過氧(O)共價地鍵結，使得支撐基板500及薄膜基板100強力地相互耦接。
然而，在脫附區SA中，離型層10不包含矽(Si)，且因此不會發生共價鍵結。在脫附區SA中，離型層10及薄膜基板100為物理性地相互耦接，使得薄膜基板100及支撐基板500相較在吸附區SB為較弱地耦合。
同時，薄膜基板100可為在其上形成包含用於有機發光顯示面板或液晶顯示面板的複數個像素的複數個顯示面板300的母基板，且各顯示面板300位在對應的脫附區SA的邊界線內。在這種情況下，如在第6圖所繪示的，支撐基板500可提供對應至複數個離型層10的複數個脫附區SA，且可以矩陣形式設置。因此，吸附區SB位在相鄰的脫附區SA之間，使得脫附區SA由吸附區SB包圍。
當脫附區SA形成以偏向(biased)至支撐基板500的一側且因此吸附區SB無法包圍脫附區SA時，或僅脫附區SA形成在整個支撐基板500上時，因為離型層10存在於薄膜基板100及支撐基板500之間，可能在兩個基板之間發生剝離現象(peeling phenomenon)。因此，吸附區SB形成以包圍脫附區SA，以防止薄膜基板100與支撐基板500彼此分離。
同時，支撐基板500的吸附區SB的表面粗糙度可為0.2奈米(nm)或更少。當吸附區SB的表面粗糙度超過0.2奈米時，即使吸附區SB藉由清理變成親水性的，由於氣泡(air bubbles)仍可能發生剝離現象。
其次，如在第1圖及第4圖所繪示的，有機發光顯示面板的複數個像素120係形成在薄膜基板100上。像素結構現將參照第7圖至第9圖詳細描述。
第7圖係為根據例示性實施例的有機發光顯示面板的示意佈局圖。參照第7圖，有機發光顯示面板的像素120形成在薄膜基板100上且可以矩陣形式設置。
有機發光顯示面板形成在薄膜基板100上，且包含含有複數個像素120的顯示單元PA、以及包含與像素120連接之驅動電路400的驅動器PB。
顯示單元PA形成在一方向上且包含傳送掃描訊號的第一訊號線、與第一訊號線相交且傳送數據訊號的第二訊號線，且以矩陣形式設置的像素120係連接至第一訊號線及第二訊號線以顯示圖像。除了第一訊號線及第二訊號線以外，像素120可連接至其中可施加其他訊號之各種附加訊號線。
像素120包含接收來自第一訊號線及第二訊號線的訊號以顯示圖像的薄膜電晶體及有機發光元件。有機發光元件通過驅動器PB控制且根據驅動訊號發光以顯示圖像。
驅動器PB包含各連接至第一訊號線或第二訊號線的驅動電路400以傳送外部訊號。驅動電路400以積體電路晶片(IC chip)的形式安裝在薄膜基板上，或可連同顯示單元PA的薄膜電晶體集成(integrate)在薄膜基板100上。
有機發光顯示面板的一像素將參照第8圖更詳細地描述。
第8圖係為繪示根據例示性實施例的有機發光顯示面板的一像素的等效電路圖。如在第8圖所繪示的，根據例示性實施例的有機發光顯示面板包含複數個訊號線以及與其連接的像素120。
訊號線包含傳送掃描訊號的閘極線121、傳送數據訊號的數據線171以及傳送驅動電壓ELVdd的驅動電壓線172等。閘極線121可為第7圖的第一訊號線且數據線171可為第7圖的第二訊號線。
閘極線121大略在列方向延伸且大略相互平行，而數據線171大略在行方向延伸且大略相互平行。驅動電壓線172大略在行方向延伸，但可在列方向或行方向延伸或也可以網狀形狀(net shape)形成。
一像素120包含開關電晶體Qs、驅動電晶體Qd、電容器Cst以及有機發光元件70。開關電晶體Qs包含控制端子、輸入端子以及輸出端子，其中控制端子連接至閘極線121，輸入端子連接至數據線171且輸出端子連接至驅動電晶體Qd。開關電晶體Qs傳送接收自數據線171的數據訊號至驅動電晶體Qd以回應接收自閘極線121的掃描訊號。
驅動電晶體Qd也具有控制端子、輸入端子以及輸出端子，其中控制端子連接至開關電晶體Qs，輸入端子連接至驅動電壓線172且輸出端子連接至有機發光元件70。驅動電晶體Qd傳送其中量值(magnitude)根據施加在控制端子及輸出端子之間的電壓而變化的輸出電流Id。
電容器Cst連接於驅動電晶體Qd的控制端子及輸入端子之間。電容器Cst充入(charges)施加至驅動電晶體Qd的控制端子的數據訊號且甚至在關掉開關電晶體Qs後保持充入的數據訊號。
有機發光元件70為，例如，有機發光二極體(OLED)，且包含連接至驅動電晶體Qd的輸出端子的陽極以及連接至共用電壓ELVss的陰極。有機發光元件70通過發射其中強度根據驅動電晶體Qd的輸出電流Id而變化的光來顯示圖像。有機發光元件70可包含單獨發射任何一個原色如紅色、綠色及藍色的三原色的光，或至少一種光的有機材料，且有機發光二極體顯示器通過這些顏色的空間總和來顯示期望的圖像。
第9圖係為第8圖的有機發光二極體(OLED)顯示器的一像素的剖視圖。
驅動電晶體Qd及開關電晶體Qs的堆疊順序為相同的，且因此，在第9圖，第8圖的驅動電晶體Qd及有機發光元件70將主要根據堆疊順序詳細描述。在下文中，驅動薄膜電晶體Qd被稱為薄膜電晶體。
如在第9圖所繪示的，有機發光顯示面板包含薄膜基板100以及形成在薄膜基板100上的緩衝層110。薄膜基板100為第3圖的薄膜基板且可為超薄玻璃基板。緩衝層110可形成以具有單層的矽氮化物(SiNx )或其中堆疊矽氮化物(SiNx )層及矽氧化物(SiOx )層的雙層結構。緩衝層110作用於平坦化表面同時防止雜質如水氣或氧氣滲入。
由多晶矽製成的半導體135形成在緩衝層110上。半導體135分割成通道區1355以及形成在通道區1355各別側的源極區1356及汲極區1357。半導體135的通道區1355為不摻雜雜質的多晶矽，如本質半導體(intrinsic semiconductor)。源極區1356及汲極區1357為摻雜導電性雜質的多晶矽且為異質半導體(extrinsic semiconductor)。摻雜在源極區1356及汲極區1357的雜質可為p型雜質及n型雜質的任何之一。
閘極絕緣層140形成在半導體135上。閘極絕緣層140可為含有四乙基正矽酸鹽(tetraethyl orthosilicate，TEOS)、矽氮化物及矽氧化物的至少一個的單層或多層。
閘極電極155形成在閘極絕緣層140上且重疊通道區1355。閘極電極155可形成為包含低電阻材料或耐腐蝕的材料，如鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、銅(Cu)、鎳(Ni)或其合金的單層或多層。
第一層間絕緣層160形成在閘極電極155上。第一層間絕緣層160可形成如含有四乙基正矽酸鹽(TEOS)、矽氮化物及矽氧化物或類似物的單層或多層，類似閘極絕緣層140。第一層間絕緣層160及閘極絕緣層140藉由透過分別暴露源極區1356及汲極區1357的源極接觸孔166及汲極接觸孔167而穿孔(perforated)。
源極電極176及汲極電極177形成在第一層間絕緣層160上。源極電極176通過源極接觸孔166連接至源極區1356且汲極電極177通過汲極接觸孔167連接至汲極區1357。源極電極176及汲極電極177可形成為包含低電阻材料或耐腐蝕的材料，如鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、銅(Cu)、鎳(Ni)或其合金的單層或多層。例如，源極電極176及汲極電極177可為三層結構如鈦/銅/鈦(Ti/Cu/Ti)、鈦/銀/鈦(Ti/Ag/Ti)或鉬/鋁/鉬(Mo/Al/Mo)。
閘極電極155、源極電極176及汲極電極177連同半導體135形成薄膜電晶體。薄膜電晶體的通道係形成在源極電極176及汲極電極177之間的半導體135的通道區1355。
第二層間絕緣層180形成在源極電極176及汲極電極177上。第二層間絕緣層180藉由透過暴露汲極電極177的接觸孔85而穿孔。第二層間絕緣層180可形成為包含四乙基正矽酸鹽(TEOS)、矽氮化物及矽氧化物或類似物的單層或多層，像第一層間絕緣層160，且可由具有低介電常數的有機材料製成。
第一電極710形成在第二層間絕緣層180上。第一電極710透過接觸孔85電性連接至汲極電極177，且第一電極710可為第8圖的有機發光元件70的陽極。
根據例示性實施例，第二層間絕緣層180形成在第一電極710及汲極電極177之間，但第一電極710可替代地與汲極電極177形成在同一層上且可與汲極電極177集成。
像素定義層190形成在第一電極710上。像素定義層190具有其中暴露第一電極710的開口195。像素定義層190可由樹脂(resin)如聚丙烯酸酯(polyacrylates)或聚亞醯胺(polyimides)、二氧化矽基的無機材料及類似物製成。
有機發光層720形成在像素定義層190的開口195內。有機發光層720以包含發光層、以及電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL)的至少一個的複數層形成。當有機發光層720包含所有上述組件時，電洞注入層(HIL)係設置在像素電極(或陽極電極)上，且電洞傳輸層(HTL)、發光層、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL)可依序堆疊在其上。
第二電極730形成在像素定義層190及有機發光層720上。第二電極730為有機發光元件70的陰極。因此，第一電極710、有機發光層720及第二電極730形成有機發光元件70。
有機發光二極體顯示器可根據有機發光元件70發光的方向而具有頂面發光顯示器、底面發光顯示器及雙面發光顯示器的任一結構。在正面發光顯示器的情況下，第一電極710由反射層形成且第二電極730由半透射層或透射層形成。另一方面，在底面發光顯示器的情況下，第一電極710由半透射層形成且第二電極730由反射層形成。進一步，在雙面發光顯示器的情況下，第一電極710及第二電極730由半透射層或透射層形成。
反射層及透射層係由鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)及鋁(Al)或其合金的至少一個製成。電極基於包含鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)及/或鋁(Al)層的厚度為反射層或半透射層。具體地，如果包含鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)及/或鋁(Al)層為少於200奈米厚時，電極為半透射的。當包含鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)及/或鋁(Al)層的厚度減少至200奈米厚以下時，光的透射率(transmittance)增加，但當厚度太薄時，電阻會變得過大。
透明層由材料如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2 O3 )製成。
密封構件260形成在第二電極730上。密封構件260可包含可交替堆疊的至少一有機層及一無機層。有機層可具有比無機層更狹窄的區域，使得無機層可形成以完全覆蓋有機層。
有機層由聚合物製成，且可為由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚亞醯胺(polyimides)、聚碳酸酯(polycarbonate)、環氧基(epoxy)、聚乙烯(polyethylene)及聚丙烯酸酯(polyacrylate)的任何之一製成的單層或堆疊層。較佳地，有機層可由聚丙烯酸酯製成，且詳細地，包含其中含有二丙烯酸酯基(diacrylate-based)單體及三丙烯酸酯基(triacrylate-based)單體聚合的單體組成的材料。單體組成可進一步包含單丙烯酸酯基(monoacrylate-based)單體。進一步，單體組成可包含眾所皆知的光起始劑(photoinitiator)，如三甲基苯甲醯基-二苯基-膦氧化物 (Trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphineoxide，TPO)，但不限於此。
無機層可為包含金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。詳細地，無機層可包含矽氮化物(SiNx )、三氧化二鋁(Al2 O3 )、二氧化矽(SiO2 )及二氧化鈦(TiO2 )的任何一個。
在密封構件260中暴露至外面的最上層可由無機層形成以防止水氣滲入有機發光元件70。含有氟化鋰(LiF)的鹵化(halogenated)金屬層可附加地包含在第二電極730及密封構件260之間。當第一無機層通過濺鍍法或電漿沉積法形成時，鹵化金屬層可防止下部層損壞。
如在第1圖及第5圖所繪示的，各顯示面板300藉由使用雷射或刀輪劃線製程(wheel scribing process)來切割密封構件260及薄膜基板100而完成，且從薄膜基板100分離支撐基板500。在這種情況下，因為薄膜基板100及支撐基板500於吸附區SB強力相互耦接，顯示面板300係藉由在對應至脫附區SA的位置切割薄膜基板100而分離。
根據例示性實施例，當形成離型層10且接著吸附區SB的表面由於清理而變成親水性時，薄膜基板100及支撐基板500可藉由強力共價鍵結相互耦接，使得在薄膜基板100切割成各顯示面板300後，支撐基板500可輕易地從切割的顯示面板300移除。
同時，根據先前技術，形成顯示面板300且接著將支撐基板500藉由雷射剝蝕(laser ablation)技術來分離，使得可能減少薄膜基板100的透明度(transparency)。然而，根據例示性實施例，不需要雷射剝蝕來從顯示面板300分離支撐基板500，使得可不減少顯示面板300的薄膜基板100的透明度。
在下文中，將描述根據第二例示性實施例用於製造有機發光顯示面板的方法。在下文中，將詳細描述僅不同於第1圖的第一例示性實施例的特徵部分，且非描述部分與第1圖的第一例示性實施例相同或類似。
第10圖係為繪示根據本發明的第二例示性實施例製造顯示面板的順序的流程圖，且第11圖係為根據第10圖的順序在中間步驟的支撐基板的剖視圖。
如在第10圖所繪示的，根據第二例示性實施例用於製造顯示面板的方法包含清理支撐基板(步驟S200)、形成離型層(步驟S202)、在支撐基板上接合薄膜基板(步驟S204)、在薄膜基板上形成像素(步驟S206)、切割薄膜基板成個別的顯示面板(步驟S208)，且從支撐基板分離顯示面板(步驟S210)。
如在第11圖所繪示的，先清理支撐基板500，且然後如在第2圖所繪示的，形成離型層10，使得脫附區SA與吸附區SB彼此區分出。
如在第11圖所繪示的，當清理支撐基板500時，整個支撐基板500具有親水性。因此，當離型層10形成在清理後的支撐基板500上，親水性表面位在離型層10之下，且薄膜基板100接觸離型層10的上表面而不會在對應至離型層10的位置接合於支撐基板500。
因此，在吸附區SB中薄膜基板100強力耦接至支撐基板500，但在脫附區SA中則相對較弱地耦接至離型層10，使得在薄膜基板100切割成顯示面板300後，顯示面板300可輕易地與支撐基板500分離。
第12圖係為繪示根據本發明的第三例示性實施例製造顯示面板的順序的流程圖，且第13圖係為根據第12圖的順序在中間步驟中的顯示面板的剖視圖。在下文中，將詳細描述僅不同於第1圖的第一例示性實施例的特徵部分，且非描述部分係與第1圖的第一例示性實施例相同或類似。
如第12圖所繪示的，根據第三例示性實施例用於製造顯示面板的方法包含在支撐基板形成凹部(步驟S300)、清理支撐基板(步驟S302)、接合薄膜基板至支撐基板(步驟S304)、在薄膜基板上形成包含薄膜電晶體的像素(步驟S306)、切割薄膜基板成個別的顯示面板(步驟S308)以及從支撐基板分離顯示面板(步驟S310)。
也就是說，根據第12圖的第三例示性實施例，如在第13圖所示，凹部20形成在支撐基板500。當凹部20形成時，對應至凹部的區域變成脫附區SA，且其他區域變成吸附區SB。
凹部20可藉由使用四氟化碳(CF4 )氣體或四氟化碳及氬(Ar)的混合氣體來電漿蝕刻300秒而形成，或可通過使用具有1微米(mm)或更小尺寸的顆粒的噴砂蝕刻而形成。
在這種情況下，凹部20的深度可形成於2奈米(nm)至200微米(mm)的範圍。當凹部20的深度為200微米或更多時，薄膜基板100由於此步驟可能會破裂(crack)，且當凹部20的深度為2奈米或更少時，則可能不便於分離。
如同上述，當凹部20形成且然後設置薄膜基板100時，薄膜基板100僅在凹部外部的吸附區SB強力耦接於支撐基板500，而由於凹部20致使在脫附區SA的薄膜基板100及支撐基板500之間存有空隙(empty space)或間隙(gap)，使得脫附區SA中薄膜基板100不會強力耦接至支撐基板500。因此，在顯示面板300形成後，支撐基板500可輕易地與顯示面板300分離。
第三例示性實施例由示例的方式描述形成凹部20且然後清理基板。然而，本發明決不限於此，且如同第10圖的第二實施例，可創建第四實施例，其中可先清理支撐基板500且然後可接著形成凹部20，使得僅有吸附區SB可具有親水性。
雖然本揭露已搭配目前被認為可實行的例示性實施例作描述，要了解的是本發明不限於所揭露的實施例，而是，相反地，旨在涵蓋包含於所附的申請專利範圍的精神及範疇內的各種修改及等效配置。
10‧‧‧離型層
20‧‧‧凹部
70‧‧‧有機發光元件
85、166、167‧‧‧接觸孔
100‧‧‧薄膜基板
110‧‧‧緩衝層
120‧‧‧像素
121‧‧‧閘極線
135‧‧‧半導體
140‧‧‧閘極絕緣層
155‧‧‧閘極電極
160、180‧‧‧層間絕緣層
171‧‧‧數據線
172‧‧‧驅動電壓線
176‧‧‧源極電極
177‧‧‧汲極電極
190‧‧‧像素定義層
195‧‧‧開口
260‧‧‧密封構件
300‧‧‧顯示面板
400‧‧‧驅動電路
500‧‧‧支撐基板
710、730‧‧‧電極
720‧‧‧有機發光層
1355‧‧‧通道區
1356‧‧‧源極區
1357‧‧‧汲極區
Cst‧‧‧電容器
ELVdd、ELVss‧‧‧電壓
Id‧‧‧輸出電流
PA‧‧‧顯示單元
PB‧‧‧驅動器
Qd、Qs‧‧‧電晶體
SA‧‧‧脫附區
SB‧‧‧吸附區
S100、S102、S104、S106、S108、S110、S200、S202、S204、S206、S208、S210、S300、S302、S304、S306、S308、S310‧‧‧步驟
在考量搭配附圖下，藉由參照下列詳細描述，本發明更完整的鑑賞及其許多隨之而來的優點將顯而易見且同時變得更好理解，附圖中相同參考符號代表相同或相似組件，其中：
第1圖係為繪示根據本發明的第一例示性實施例用於製造顯示面板的方法的流程圖；
第2圖繪示根據第一例示性實施例的方法添加離型層至支撐基板的脫附區SA的製程步驟之示意圖；
第3圖繪示根據第一例示性實施例的方法接合薄膜基板至支撐基板/離型層的組合的製程之示意圖；
第4圖繪示根據第一例示性實施例的方法在接合於支撐基板上的薄膜基板上形成像素的製程步驟之示意圖；
第5圖繪示根據第一例示性實施例的方法將包含像素的顯示面板與部分薄膜基板從支撐基板分離的製程步驟之示意圖；
第6圖係為根據本發明的例示性實施例在母基板的顯示面板的示意佈局圖；
第7圖係為根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示面板的示意佈局圖；
第8圖係為繪示根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示面板的一像素的等效電路圖；
第9圖係為第8圖的有機發光二極體(OLED)顯示器的一像素的剖視圖；
第10圖係為繪示根據本發明的第二例示性實施例製造顯示面板的順序的流程圖；
第11圖係為基於根據第二例示性實施例的方法的第10圖的順序在中間步驟中的支撐基板的剖視圖；
第12圖係為繪示根據本發明的第三例示性實施例製造顯示面板的順序的流程圖；以及
第13圖係為根據第三例示性實施例的方法在中間步驟中的顯示面板的剖視圖。
S100、S102、S104、S106、S108、S110‧‧‧步驟

Claims (10)

  1. 一種製造顯示面板的方法，包含： 藉由在一支撐基板的一脫附區形成一離型層及一凹部之一而在該支撐基板定義該脫附區； 清理該支撐基板的表面； 在該支撐基板上設置一薄膜基板； 接合該薄膜基板至該支撐基板； 在該薄膜基板上形成一像素及一密封構件； 在對應至該脫附區的位置切割該密封構件及該薄膜基板；以及 從該薄膜基板分離該支撐基板。
  2. 一種製造顯示面板的方法，包含： 清理一支撐基板的表面； 藉由在一支撐基板的一脫附區形成一離型層及一凹部之一來定義該支撐基板的該脫附區； 在該支撐基板上設置一薄膜基板； 接合該薄膜基板至該支撐基板； 在該薄膜基板上形成一像素及一密封構件； 在對應至該脫附區的位置切割該密封構件及該薄膜基板；以及 從該薄膜基板分離該支撐基板。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中清理步驟包含選自由紫外線清理、超音波清理、噴水清理、氫水清理及臭氧(O3 )清理組成的群組的製程。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中該脫附區藉由該凹部定義，該凹部藉由通過選自由一電漿蝕刻及一噴砂蝕刻組成的群組之製程來蝕刻該支撐基板而產生。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該凹部的深度為2奈米至200微米。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中該脫附區由該離型層定義，該離型層的形成包含： 在該支撐基板上形成一氧化銦錫(ITO)層及一氧化銦鋅(IZO)層之一； 藉由圖案化該氧化銦錫層及該氧化銦鋅層之一來形成一保留離型層；以及 結晶化該保留離型層。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該離型層係形成以具有100埃至1000埃的厚度。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中該薄膜基板係為具有0.01毫米至0.1毫米的厚度的一超薄玻璃。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中位在對應於該脫附區之外部的一吸附區的位置的該支撐基板的一表面粗糙度係等於或少於0.2奈米。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該支撐基板包含包圍該脫附區的該吸附區，其中在接合期間，該薄膜基板在該吸附區直接且共價地鍵結至該支撐基板而無須一中間黏著層。
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