TW201519196A - 像素結構及其驅動方法 - Google Patents

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Abstract

本揭示文件揭露一種像素結構及其驅動方法，驅動方法包含下列步驟，在第一顯示圖框時間中將驅動發光二極體之電晶體的臨界電壓儲存於第一電容，並將第一資料電壓儲存於第二電容。在第一顯示圖框時間透過第一電容儲存的臨界電壓進行補償。在第二顯示圖框時間中將第二資料電壓儲存於第二電容，並且仍利用第一顯示圖框時間時儲存在第一電容的臨界電壓進行補償。

Description

像素結構及其驅動方法
本揭示文件係關於像素結構，尤指一種發光二極體顯示面板中的像素結構及其驅動方法。
【先前技術】近年來由於顯示技術的發展，平面顯示器已廣泛地被使用在日常生活當中。其中，主動式有機發光二極體顯示器(Active Matrix OLED，AMOLED)更是因為其高畫質、高對比且高反應速度的特性而大受歡迎。
習知的AMOLED面板的每一個像素單元包括兩個電晶體(如寫入電晶體與驅動電晶體)、像素電容以及有機發光二極體。當像素結構中的寫入電晶體被掃描訊號導通時，資料訊號被讀入並暫存於像素電容中，此時驅動電晶體所產生供發光二極體發光的驅動電流可由下列公式得出： 上式中，I代表驅動電流，β為常數，Vgs為驅動電晶體的閘/源極電位差，Vth為驅動電晶體的臨界電壓。
由於在不同像素單元中的驅動電晶體會因為製造過程的變異，可能具有不同的臨界電壓，使得不同像素單元的驅動電流會因此產生差異，導致有機發光二極體發光亮度不一致。
其次，當有機發光二極體經過一段時間操作之後，其電性特性容易發生改變。隨著面板上各個像素單元的點亮狀況不同(如高亮度、低亮度、長時間點亮或間歇點亮等)，各自的有機發光二極體的特性衰變程度不一致，亦可能造成發光亮度不一致。
再者，隨著面板尺寸放大，提供給像素單元的電力訊號(如系統電壓OVDD)需經過較長距離的訊號線。隨著訊號線拉長，線路內阻逐漸提高，導致提供至像素單元的電流值逐漸下降，亦可能造成發光亮度不一致。
依據本揭示文件之一實施態樣，其揭示一種像素結構包含第一電容、第二電容、第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體以及發光二極體。第二電容的第一端電耦接第一電容的第二端。第一電晶體的第一端用以接收第一參考電壓、第一電晶體的閘極端用以接收一第一控制訊號、以及第一電晶體的第二端電耦接該第一電容的第一端。第二電晶體的第一端用以接收一第二參考電壓、第二電晶體的閘極端用以接收一第二控制訊號、以及第二電晶體的第二端電耦接於第 一電容的第二端與第二電容的第一端之間。第三電晶體的第一端用以接收第一電壓源、以及第三電晶體的閘極端用以接收一發光訊號。第四電晶體的第一端電耦接第三電晶體之第二端、第四電晶體的閘極端電耦接該第一電容的第一端、以及第四電晶體的第二端電耦接第二電容的第二端。第五電晶體的第一端電耦接於第一電容的第二端與第二電容的第一端之間、第五電晶體的閘極端用以接收第一控制訊號、第五電晶體的第二端電耦接第二電容的第二端。第六電晶體的第一端電耦接第二電容的第二端、第六電晶體的閘極端用以接收掃描訊號、以及第六電晶體的第二端用以接收資料訊號。發光二極體的第一端電耦接第四電晶體的第二端、以及發光二極體的第二端用以接收第二電壓源。
依據本揭示文件之另一實施態樣，其揭示一種像素結構包含發光二極體、第四電晶體、第一電容、第二電容、第二電晶體、第六電晶體以及第三電晶體。發光二極體的第二端用以接收第二電壓源。第四電晶體的第二端電性耦接發光二極體的第一端，用以根據第四電晶體的閘極端與第二端的電位差控制流過發光二極體的電流。第一電容的第一端電耦接至第四電晶體的閘極端，第一電容用以儲存第四電晶體的臨界電壓。第二電容的第一端電耦接第一電容的第二端。第二電晶體的第一端用以接收第二參考電壓、第二電晶體的閘極端用以接收一第二控制訊號、以及第二電晶體的第二端電耦接於該第一電容的第二端，第二 電晶體用以根據第二控制訊號在第一電容的第一端浮接時，控制第一電容的第二端的電壓使其由第一電位改變為第二電位，並且根據第二電位與第一電位的差值調整第一電容的第一端的電壓。第六電晶體的第一端其電耦接第二電容的第二端、第六電晶體的閘極端用以接收掃描訊號、以及第六電晶體的第二端用以接收資料訊號，第六電晶體用以在第一電容的第一端浮接時，根據資料訊號控制第二電容的第二端的電壓。第三電晶體的第一端用以接收第一電壓源，第三電晶體用以在第一電容的第一端浮接時，導通第一電壓源與第四電晶體之間的電流傳遞路徑。
依據本揭示文件之另一實施態樣，其揭示一種像素結構之驅動方法，用以驅動上述像素結構，驅動方法包含：於第一顯示圖框時間的第二時段內，將第四電晶體的臨界電壓儲存於第一電容；於第二時段後之第一顯示圖框時間的第三時段內，關閉該第一電晶體，由第二控制訊號以及掃描訊號導通第二電晶體以及第六電晶體，且經由第六電晶體提供資料訊號於第一顯示圖框時間之第一資料電壓，將第二參考電壓與第一資料電壓之差值儲存於第二電容；以及，於第三時段後之第一顯示圖框時間的第四時段內，關閉第二電晶體以及第六電晶體，以第一電容與第二電容串連所儲存的加總電壓差驅動第四電晶體，使第四電晶體產生第一驅動電流至發光二極體。
為讓本揭示內容能更明顯易懂，所附符號之說明如下：
100‧‧‧像素結構
121‧‧‧第一電晶體
122‧‧‧第二電晶體
123‧‧‧第三電晶體
124‧‧‧第四電晶體
125‧‧‧第五電晶體
126‧‧‧第六電晶體
141‧‧‧第一電容
142‧‧‧第二電容
160‧‧‧發光二極體
200‧‧‧驅動方法
S201~S206‧‧‧步驟
為讓本案能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示根據本揭示文件中一種像素結構的示意圖；第2圖繪示根據本揭示文件之一實施例中一種驅動方法的方法流程圖；第3圖繪示像素結構及其驅動方法在多個顯示圖框時間中的時序示意圖；第4A圖繪示像素結構及其驅動方法在第一顯示圖框時間中相關訊號的波形示意圖；第4B圖繪示像素結構及其驅動方法在第二顯示圖框時間中相關訊號的波形示意圖；第5圖繪示在第一顯示圖框時間的重置階段中像素結構的電路操作示意圖；第6圖繪示在第一顯示圖框時間的補償階段中像素結構的電路操作示意圖；第7圖繪示在第一顯示圖框時間的資料寫入階段中像素結構的電路操作示意圖；以及第8圖繪示在第一顯示圖框時間的發光階段中像素結構的電路操作示意圖。
以下將以圖式及詳細敘述清楚說明本揭示內容之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本揭示內容之較佳實施例後，當可由本揭示內容所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本揭示內容之精神與範圍。
請參閱第1圖，其繪示根據本揭示文件中一種像素結構100的示意圖。實際應用中，主動式有機發光二極體顯示器(Active Matrix OLED，AMOLED)顯示面板包含複數個第1圖之實施例所示的像素結構100，每一個像素結構100用以顯示整個畫面中的一個像素單元(pixel)。
如第1圖所示，像素結構100包含第一電晶體121、第二電晶體122、第三電晶體123、第四電晶體124、第五電晶體125、第六電晶體126、第一電容141、第二電容142以及發光二極體160。於第1圖所示之實施例中，像素結構100為包含六個電晶體及兩個電容(6T2C)的像素架構，但本揭示文件並不以此為限。
如第1圖所示，第一電容141的第一端電耦接至第四電晶體124的閘極端，第一電容141的第二端透過第五電晶體125電耦接至第四電晶體124的第二端。第二電容142的第一端電耦接第一電容141的第二端。
第一電晶體121的第一端(其中一個源/汲極端)用以接收第一參考電壓Vref。第一電晶體121的閘極端用以接收第一控制訊號COM。第一電晶體121的第一端(另一源/汲極端)電耦接第一電容141的第一端以及第四電晶體124的閘極端。
第二電晶體122的第一端(其中一個源/汲極端)用以接收第二參考電壓Vho。第二電晶體122的閘極端用以接收第二控制訊號ISO。第二電晶體122的第二端(另一個源/汲極端)其電耦接於第一電容141的第二端與第二電容142 的第一端之間。
第三電晶體123的第一端(其中一個源/汲極端)用以接收第一電壓源OVDD，第三電晶體123的閘極端用以接收發光訊號EM，第三電晶體123的第二端(另一個源/汲極端)用以電耦接至第四電晶體124的第一端。
第四電晶體124的第一端(於實施例中為汲極端)電耦接第三電晶體123之第二端，第四電晶體124的閘極端電耦接第一電容141的第一端，第四電晶體124的第二端(於實施例中為源極端)電耦接第二電容142的第二端、第五電晶體125以及發光二極體160。
第五電晶體125的第一端(其中一個源/汲極端)電耦接於第一電容141的第二端與第二電容142的第一端之間，第五電晶體125的閘極端用以接收第一控制訊號COM，第五電晶體125的第二端(另一個源/汲極端)電耦接第二電容142的第二端。
第六電晶體126的第一端(其中一個源/汲極端)電耦接第二電容142的第二端，第六電晶體126的閘極端用以接收掃描訊號SCAN，第六電晶體126的第二端(另一個源/汲極端)用以接收資料訊號DATA。
發光二極體160的第一端電耦接第四電晶體124的源極端。發光二極體160的第二端用以接收第二電壓源OVSS。
於第1圖之實施例中，第四電晶體124用以根據第四電晶體124的閘極端與第二端(源極端)的電位差Vgs控 制流過發光二極體160的電流ID。第一電容用以儲存第四電晶體124其閘極端與第二端(源極端)之間的臨界電壓(threshold voltage,Vth)。
當第一電容141的第一端浮接時，第二電晶體122用以根據第二控制訊號ISO(於此實施例中，第二控制訊號ISO作為隔離控制訊號)控制第一電容141的第二端的電壓使其由電位改變，並且根據電位改變的差值調整第一電容141的第一端的電壓。當第一電容141的第一端浮接時，第六電晶體126用以根據資料訊號DATA控制第二電容142的第二端的電壓。第三電晶體根據發光訊號EM用以導通第一電壓源OVDD與第四電晶體124之間的電流傳遞路徑。
於上述實施例中，第一電壓源OVDD例如為系統高電壓源(例如為5伏特)；第二電壓源OVSS例如為系統低電壓源(例如為0伏特)；第一參考電壓Vref與第二參考電壓Vho為固定電壓準位之參考電壓訊號，其中，第一參考電壓Vref與第二參考電壓Vho的固定電壓準位介於第一電壓源OVDD與第二電壓源OVSS之間。
並且，於上述實施例中，第二控制訊號ISO(第二電晶體122之閘極端所接收之隔離控制訊號)、掃描訊號SCAN、資料訊號DATA與發光訊號EM為用以控制像素結構100操作模式的驅動訊號，各自具備有特定的驅動波形。
請一併參閱第2圖、第3圖、第4A圖、第4B圖、第5圖至第8圖。第2圖繪示根據本揭示文件之一實施例中一種驅動方法200的方法流程圖，驅動方法200用以驅動如 第1圖實施例中所示之像素結構100。第3圖繪示像素結構100及其驅動方法200在多個顯示圖框時間中的時序示意圖。第4A圖繪示像素結構100及其驅動方法200在第一顯示圖框時間Frame1中相關訊號的波形示意圖，包含第二控制訊號ISO、掃描訊號SCAN、資料訊號DATA與發光訊號EM等訊號的波形。第4B圖繪示像素結構100及其驅動方法200在第二顯示圖框時間Frame2中相關訊號的波形示意圖。第5圖至第8圖分別繪示在第一顯示圖框時間Frame1的重置階段Prst1、補償階段Pcomp1、資料寫入階段Pdata1以及發光階段Pem1中像素結構100的電路操作示意圖。
驅動方法200在不同顯示圖框時間時提供不同的資料訊號DATA給像素結構100，以顯示不同的畫面。第3圖示意性繪示第一顯示圖框時間Frame1、第二顯示圖框時間Frame2、第三顯示圖框時間Frame3…至第K顯示圖框時間FrameK。
如第3圖及第4圖所示，第一顯示圖框時間Frame1中驅動方法200分四個時段驅動如第1圖實施例中所示之像素結構100。第一顯示圖框時間Frame1包含的四個時段依序分別為重置階段Prst1、補償階段Pcomp1、資料寫入階段Pdata1以及發光階段Pem1。
如第2圖所示，驅動方法200在第一顯示圖框時間Frame1的重置階段Prst1時執行步驟S201，透過第一參考電壓Vref與第二參考電壓Vho重置第一電容141之第一端與第二端的電壓。
進一步說明步驟S201，如第4A圖及第5圖所示，在第一顯示圖框時間Frame1的重置階段Prst1時，第一控制訊號COM以及第二控制訊號ISO為高準位(H)，透過第一控制訊號COM以及第二控制訊號ISO導通電晶體121、電晶體125以及電晶體122，如此一來，第一參考電壓Vref通過電晶體121重置第一電容141之第一端的電壓。第二參考電壓Vho通過電晶體122重置第一電容141之第二端的電壓。同時，電晶體126因低準位的掃描訊號SCAN而關斷(在第5圖至第8圖中以虛線表示電晶體關斷)。電晶體126與電晶體125用以重重置第二電容142的第二端。
在重置階段Prst1時，電晶體124的閘極電位Vg等於第一參考電壓Vref，電晶體124的源極電位Vs等於第二參考電壓Vho，第一電容141與第二電容142之間端點電位Va等於第二參考電壓Vho。
如第2圖所示，驅動方法200在第一顯示圖框時間Frame1的補償階段Pcomp1時執行步驟S202，將電晶體124其閘極端與第二端(源極端)之間的臨界電壓(threshold voltage,Vth)儲存於第一電容141。
進一步說明步驟S202，如第4A圖及第6圖所示，在第一顯示圖框時間Frame1的補償階段Pcomp1時，第一控制訊號COM維持高準位，第二控制訊號ISO切換為低準位將電晶體122關斷，使源極電位Vs與端點電位Va浮接，閘極電位Vg固定為第一參考電壓Vref。透過電晶體124的放電，使得源極電位Vs逐漸趨近於(Vref-Vth)，其中Vth為 電晶體124的臨界電壓，圖中未示。由於第一電容141第一端電壓固定為Vref，第一電容141第二端電壓為(Vref-Vth)，使得電晶體124其閘極端與源極端之間的臨界電壓儲存於第一電容141的兩端。此時，電晶體122與電晶體126為關斷(在第6圖中以虛線表示)。
在補償階段Pcomp1時，電晶體124的閘極電位Vg等於第一參考電壓Vref，電晶體124的源極電位Vs等於(Vref-Vth)，第一電容141與第二電容142之間端點電位Va等於參考電壓(Vref-Vth)，其中Vth為電晶體124的臨界電壓。
如第2圖所示，驅動方法200在第一顯示圖框時間Frame1的資料寫入階段Pdata1時執行步驟S203，將第二參考電壓Vho與第一資料電壓VD1之差值儲存於第二電容142。
進一步說明步驟S203，如第4A圖及第7圖所示，在第一顯示圖框時間Frame1的資料寫入階段Pdata1時，第一控制訊號COM切換為低準位將電晶體121與電晶體125關斷，使閘極電位Vg浮接。第二控制訊號ISO切換為高準位導通電晶體122，使得端點電位Va的電壓使其由原本的第一電位(即Vref-Vth)改變為第二電位(即第二參考電壓Vho)，並且根據第二電位與第一電位差值透過第一電容141的耦合效果，改變第一電容141第一端的電壓。此時，第一電容141第一端的電壓(即閘極電位Vg)等於(Vho+Vth)。掃描訊號SCAN切換為高準位將資料訊號DATA送至源極電位 Vs。如第4A圖所示，此時接收之資料訊號DATA為第一顯示圖框時間Frame1之第一資料電壓VD1。發光訊號EM切換為低準位關斷電晶體123。此時，電晶體121、電晶體123與電晶體125為關斷(在第7圖中以虛線表示)。
在資料寫入階段Pdata1時，電晶體124的閘極電位Vg等於(Vho+Vth)，其中Vth為電晶體124的臨界電壓，電晶體124的源極電位Vs等於第一資料電壓VD1，第一電容141與第二電容142之間端點電位Va等於第二參考電壓Vho。藉此，將第二參考電壓Vho與第一資料電壓VD1之差值儲存於第二電容142的兩端。
如第2圖所示，驅動方法200在第一顯示圖框時間Frame1的發光階段Pem1時執行步驟S204，以第一電容141與第二電容142串連所儲存的加總電壓差驅動電晶體124，使電晶體124產生第一驅動電流(如第1圖中所示之驅動電流ID)至發光二極體160，此時的第一驅動電流的大小大致上由第一資料電壓VD1決定。
進一步說明步驟S204，如第4A圖及第8圖所示，在第一顯示圖框時間Frame1的發光階段Pem1時，掃描訊號SCAN切換為低準位關斷電晶體126。第二控制訊號ISO切換為低準位關斷電晶體122。第一控制訊號COM維持為低準位將電晶體121與電晶體125關斷。此時，以第一電容141與第二電容142串連所儲存的加總電壓差，驅動電晶體124的閘極端，使電晶體124產生第一驅動電流(如第1圖及第8圖中所示之驅動電流ID)至發光二極體160。此時，電 晶體121、電晶體122、電晶體125與電晶體126為關斷(在第8圖中以虛線表示)。
在發光階段Pem1時，電晶體124的源極電位Vs等於(OVSS+Voled)，其中Voled為發光二極體160操作時兩端的跨壓。端點電位Va等於(OVSS+Voled+Vho-VD1)，其中第二參考電壓Vho與第一資料電壓VD1之差值(Vho-VD1)係儲存於第二電容142的兩端。電晶體124的閘極電位Vg為(OVSS+Voled+Vho-VD1+Vth)，其中Vth係儲存於第一電容141的兩端。
如此一來，電晶體124的閘極端與源極端的電位差Vgs等於(Vho-VD1+Vth)。因此，電晶體124所產生供發光二極體160發光的驅動電流ID可由下列公式得出： β為常數，Vgs為電晶體124的閘/源極電位差，Vth為電晶體124的臨界電壓。
也就是說，發光階段Pem1時驅動電流ID僅與固定大小的第二參考電壓Vho以及第一資料電壓VD1有關，與電晶體124的臨界電壓Vth無關，藉此達到補償製程所造成臨界電壓Vth差異的效果。
如第2圖所示，驅動方法200在第二顯示圖框時間Frame2中包含資料寫入階段Pdata2與發光階段Pem2，或者說第二顯示圖框時間Frame2可以由資料寫入階段Pdata2與發光階段Pem2所組成。驅動方法200在第二顯示圖框時間Frame2的第二資料寫入階段Pdata2執行步驟S205，將第 二參考電壓Vho與第二資料電壓VD2之差值儲存於第二電容142。
進一步說明步驟S205，如第4B圖所示(可一併參見第7圖)，在第二顯示圖框時間Frame2的資料寫入階段Pdata2時，第一控制訊號COM切換為低準位將電晶體121與電晶體125關斷，使閘極電位Vg浮接。第二控制訊號ISO切換為高準位導通電晶體122，使得端點電位Va的電壓使其由原本的第一電位(即Vref-Vth)改變為第二電位(即第二參考電壓Vho)，並且根據第二電位與第一電位差值透過第一電容141的耦合效果，改變第一電容141第一端的電壓。此時，第一電容141第一端的電壓(即閘極電位Vg)等於(Vho+Vth)。掃描訊號SCAN切換為高準位將資料訊號DATA送至源極電位Vs。如第4B圖所示，此時接收之資料訊號DATA為第二顯示圖框時間Frame2之第二資料電壓VD2。發光訊號EM切換為低準位關斷電晶體123。此時，電晶體121、電晶體123與電晶體125為關斷(在第7圖中以虛線表示)。
在資料寫入階段Pdata2時，電晶體124的閘極電位Vg等於(Vho+Vth)，其中Vth為電晶體124的臨界電壓，電晶體124的源極電位Vs等於第二資料電壓VD2，第一電容141與第二電容142之間端點電位Va等於第二參考電壓Vho。藉此，將第二參考電壓Vho與第二資料電壓VD2之差值儲存於第二電容142的兩端。
如第2圖所示，驅動方法200在第二顯示圖框時 間Frame2的發光階段Pem2時執行步驟S206，以第一電容141與第二電容142串連所儲存的加總電壓差驅動電晶體124，使電晶體124產生第二驅動電流(如第1圖及第8圖中所示之驅動電流ID)至發光二極體160，除此之外，第二顯示圖框時間Frame2的發光階段Pem2中第二驅動電流的大小大致上由第二資料電壓VD2決定。也就是說，第二驅動電流可不同於第一驅動電流，藉此在不同顯示圖框時間下產生使發光二極體160產生不同的亮度。
進一步說明步驟S206，如第4B圖(可一併參見第8圖)，在第二顯示圖框時間Frame2的發光階段Pem2時，掃描訊號SCAN切換為低準位關斷電晶體126。第二控制訊號ISO切換為低準位關斷電晶體122。第一控制訊號COM維持為低準位將電晶體121與電晶體125關斷。此時，以第一電容141與第二電容142串連所儲存的加總電壓差，驅動電晶體124的閘極端，使電晶體124產生第二驅動電流(如第1圖及第8圖中所示之驅動電流ID)至發光二極體160。
在發光階段Pem2時，電晶體124的源極電位Vs等於(OVSS+Voled)，其中Voled為發光二極體160操作時兩端的跨壓。端點電位Va等於(OVSS+Voled+Vho-VD2)，其中第二參考電壓Vho與第二資料電壓VD2之差值(Vho-VD2)係儲存於第二電容142的兩端。電晶體124的閘極電位Vg為(OVSS+Voled+Vho-VD2+Vth)，其中Vth係儲存於第一電容141的兩端。
如此一來，電晶體124的閘極端與源極端的電位差 Vgs等於(Vho-VD2+Vth)。因此，電晶體124所產生供發光二極體160發光的第二驅動電流可由下列公式得出： β為常數，Vgs為電晶體124的閘/源極電位差，Vth為電晶體124的臨界電壓。也就是說，發光階段Pem2時第二驅動電流僅與固定大小的第二參考電壓Vho以及第二資料電壓VD2有關。
除此之外，如上述實施例所述，第一顯示圖框時間Frame1包含重置階段Prst1、補償階段Pcomp1、資料寫入階段Pdata1以及發光階段Pem1等四個階段，第一電容141用以於第一顯示圖框時間Frame1的補償階段Pcomp1儲存電晶體124的臨界電壓Vth，第二電容142用以於資料寫入階段Pdata1儲存第二參考電壓Vho與第一資料電壓VD1之差值。
於第二顯示圖框時間Frame2則不再重覆進行重置階段與補償階段，第二顯示圖框時間Frame2僅包含資料寫入階段Pdata2以及發光階段Pem2等兩個階段。第二電容142用以於資料寫入階段Pdata2儲存第二參考電壓Vho與第二資料電壓VD2之差值。第二顯示圖框時間Frame2與第一顯示圖框時間Frame1共用於補償階段Pcomp1時儲存於第一電容141之臨界電壓Vth。如此一來，於第二顯示圖框時間Frame2便不需要進行重置階段與補償階段。因此，在每個顯示圖框時間相同的情形下，第二顯示圖框時間Frame2中的發光階段Pem2的時間可以長於具有重置階段Prst1補 償階段Pcomp1的第一顯示圖框時間Frame1的發光階段Pem1。
於第二顯示圖框時間Frame2後的多個後續顯示圖框時間(如第2圖所示之第三顯示圖框Frame3，依此類推)中，將每一後續顯示圖框時間的資料訊號的資料電壓依序寫入第二電容142，並驅動第四電晶體124，使第四電晶體124產生每一後續顯示圖框時間的各自驅動電流至發光二極體160。
如第2圖所示之一實施例中，第三顯示圖框Frame3僅包含資料寫入階段Pdata3以及發光階段Pem3等兩個階段。在資料寫入階段Pdata3寫入不同的資料電壓，便可完成發光顯示的效果，類似於依不同的資料電壓重覆步驟S205與S206。第三顯示圖框Frame3亦與第一顯示圖框Frame1共用於補償階段Pcomp1時儲存於第一電容141之臨界電壓Vth。
依此類推，依不同的資料電壓持續重覆步驟S205與S206，直到儲存於第一電容141之臨界電壓Vth逐漸衰減，使補償電晶體124之效果下降時，則再採用分為四個階段的顯示圖框，類似再次執行步驟S201至步驟S204以再次設定儲存於第一電容141之臨界電壓Vth。例如，第K顯示圖框FrameK恢複包含重置階段PrstK、補償階段PcompK、資料寫入階段PdataK以及發光階段PemK等四個階段。K為三以上的任意正整數。K的選擇視第一電容141儲存之臨界電壓Vth的衰減速率而定，於一實施例中，K可選擇為9， 也就是說，每八個連續的顯示圖框僅須補償一次，在八個連續的顯示圖框中皆共用同一次補償儲存的臨界電壓Vth。
因為第二顯示圖框Frame2、第三顯示圖框Frame3…等顯示圖框中不需要耗費時間進行重置與補償，因此可具備較長的發光時間，如此一來，像素結構100及其驅動方法200可帶來較佳的顯示亮度。並且，不頻繁進行重置與補償，使控制訊號及開關的切換較少，也可節省整體功耗。
綜上所述，本揭示文件提出的像素結構及其驅動方法利用不同的電容分別儲存驅動電晶體的臨界電壓以及資料電壓，在不同的顯示圖框中僅需更新其中一個電容儲存的資料電壓，而多個顯示圖框可共用同一次儲存的臨界電壓進行補償。
雖然本案已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本案，任何熟習此技藝者，在不脫離本案之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
200‧‧‧驅動方法
S201~S206‧‧‧步驟

Claims (11)

  1. 一種像素結構，包含：一第一電容，具有一第一端與一第二端；一第二電容，具有一第一端與一第二端，該第一端電耦接該第一電容的第二端；一第一電晶體，具有一第一端用以接收一第一參考電壓、一閘極端用以接收一第一控制訊號、以及一第二端其電耦接該第一電容的第一端；一第二電晶體，具有一第一端用以接收一第二參考電壓、一閘極端用以接收一第二控制訊號、以及一第二端其電耦接於該第一電容的第二端與該第二電容的第一端之間；一第三電晶體，具有一第一端用以接收一第一電壓源、一閘極端用以接收一發光訊號、以及一第二端；一第四電晶體，具有一第一端其電耦接該第三電晶體之第二端、一閘極端其電耦接該第一電容的第一端、以及一第二端其電耦接該第二電容的第二端；一第五電晶體，具有一第一端其電耦接於該第一電容的第二端與該第二電容的第一端之間、一閘極端用以接收該第一控制訊號、以及一第二端其電耦接該第二電容的第二端；一第六電晶體，具有一第一端其電耦接該第二電容的第二端、一閘極端用以接收一掃描訊號、以及一第二端用以接收一資料訊號；以及一發光二極體，具有一第一端其電耦接該第四電晶體的第二端、以及一第二端用以接收一第二電壓源。
  2. 如請求項1所述之像素結構，其中該第一電容用以 於一第一顯示圖框時間內的一補償階段儲存該第四電晶體的一臨界電壓，該第二電容用以於該第一顯示圖框時間內在該補償階段之後的一第一資料寫入階段儲存該第二參考電壓與該資料訊號的一第一資料電壓之差值；以及該第二電容用以於一第二顯示圖框時間內的一第二資料寫入階段儲存該第二參考電壓與該資料訊號的一第二資料電壓之差值，該第一電容還用以於該第二資料寫入階段保持該補償階段時儲存於該第一電容之該臨界電壓。
  3. 一種像素結構，包含：一發光二極體，具有一第一端及一第二端，其第二端用以接收一第二電壓源；一第四電晶體，具有一第一端、一閘極端及一第二端，該第四電晶體的第二端電性耦接該發光二極體的第一端，用以根據該第四電晶體的閘極端與第二端的電位差控制流過該發光二極體的電流；一第一電容，具有一第一端與一第二端，該第一電容的第一端電耦接至該第四電晶體的閘極端，該第一電容用以儲存該第四電晶體的臨界電壓；一第二電容，具有一第一端與一第二端，該第二電容的第一端電耦接該第一電容的第二端，該第二電容的第二端電耦接該發光二極體的第一端；一第二電晶體，具有一第一端用以接收一第二參考電壓、一閘極端用以接收一第二控制訊號、以及一第二端其電耦接於該第一電容的第二端，該第二電晶體用以根據該第二控制訊號在該第一電容的第一端浮接時，控制該第一電容的 第二端的電壓使其由一第一電位改變為一第二電位，並且根據該第二電位與該第一電位的差值調整該第一電容的第一端的電壓；一第六電晶體，具有一第一端其電耦接該第二電容的第二端、一閘極端用以接收一掃描訊號、以及一第二端用以接收一資料訊號，該第六電晶體用以在該第一電容的第一端浮接時，根據該資料訊號控制該第二電容的第二端的電壓；以及一第三電晶體，具有一第一端用以接收一第一電壓源，該第三電晶體用以在該第一電容的第一端浮接時，導通該第一電壓源與該第四電晶體之間的電流傳遞路徑。
  4. 如請求項3所述之像素結構，還包含：一第一電晶體，具有一第一端用以接收一第一參考電壓、一閘極端用以接收一第一控制訊號、以及一第二端其電耦接該第一電容的第一端；以及一第五電晶體，該第五電晶體的一第一端及一第二端分別電耦接於該第一電容的第二端與該第四電晶體的第二端，該第五電晶體用以使該第一電容的兩端的電壓差為該第四電晶體的臨界電壓；其中該發光二極體為一有機發光二極體。
  5. 一種像素結構之驅動方法，用以驅動如請求項1所述之像素結構，該驅動方法包含：於一第一顯示圖框時間的一第二時段內，將該第四電晶體的一臨界電壓儲存於該第一電容； 於該第二時段後之該第一顯示圖框時間的一第三時段內，關閉該第一電晶體，由該第二控制訊號以及該掃描訊號導通該第二電晶體以及該第六電晶體，且經由該第六電晶體提供該資料訊號於該第一顯示圖框時間之一第一資料電壓，將該第二參考電壓與該第一資料電壓之差值儲存於該第二電容；以及於該第三時段後之該第一顯示圖框時間的一第四時段內，關閉該第二電晶體以及該第六電晶體，以該第一電容與該第二電容串連所儲存的加總電壓差驅動該第四電晶體，使該第四電晶體產生一第一驅動電流至該發光二極體。
  6. 如請求項5所述之驅動方法，該驅動方法更包含：於該第二時段之前之該第一顯示圖框時間的一第一時段內，透過該第一控制訊號以及該第二控制訊號導通該第一電晶體、該第五電晶體以及該第二電晶體，進而透過該第一參考電壓與該第二參考電壓重置該第一電容之第一端與第二端的電壓。
  7. 如請求項5所述之驅動方法，其中於該第二時段內，該驅動方法關閉該第二電晶體，由該第一控制訊號以及該發光訊號繼續導通該第一電晶體以及該第五電晶體，藉此將該臨界電壓儲存於該第一電容。
  8. 如請求項5所述之驅動方法，其中該驅動方法更包含：於該第四時段後之一第二顯示圖框時間的一第五時段 內，關閉該第一電晶體，由該第二控制訊號以及該掃描訊號導通該第二電晶體以及該第六電晶體，且經由該第六電晶體提供該資料訊號於該第二顯示圖框時間之一第二資料電壓，將該第二參考電壓與該第二資料電壓之差值儲存於該第二電容；以及於該第五時段後之該第二顯示圖框時間的一第六時段內，關閉該第二電晶體以及該第六電晶體，以該第一電容與該第二電容串連所儲存的加總電壓差驅動該第四電晶體，使該第四電晶體產生一第二驅動電流至該發光二極體；其中該發光二極體在該第二顯示圖框時間中的發光時間長於該發光二極體在該第一顯示圖框時間中的發光時間。
  9. 如請求項8所述之驅動方法，其中該驅動方法於該第二顯示圖框時間中進行該第五時段與該第六時段之步驟中，當該第二顯示圖框時間驅動該第三電晶體時，共用該第一顯示圖框時間中該第二時段內儲存於該第一電容之該臨界電壓。
  10. 如請求項8或9所述之驅動方法，該驅動方法更包含：於該第二顯示圖框時間後的多個後續顯示圖框時間中，將每一後續顯示圖框時間的該資料訊號的資料電壓依序寫入該第二電容，並驅動該第四電晶體，使該第四電晶體產生每一後續顯示圖框時間的驅動電流至該發光二極體。
  11. 如請求項8或9所述之驅動方法，該驅動方法更包 含：於該第二顯示圖框時間之後的一第K顯示圖框時間中，當該第一電容之電壓差已衰減至偏離該第四電晶體的該臨界電壓，將該第四電晶體的該臨界電壓再次儲存於該第一電容，其中K為三以上的正整數。
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