TW201517172A - 氣體供給頭、氣體供給機構及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種可對應於被處理基板之大型化而改善氣體供給至處理室的均勻性，又，可精度良好且輕易製造而維修性亦良好的氣體供給頭、氣體供給機構及基板處理裝置。 具備有基板處理裝置(1)(具有載置基板(G)的平台(4))之氣體供給機構，係具有氣體供給頭(6)、第1平台內氣體供給孔(8a)及第1氣體供給管線(9a)。第1氣體供給管線(9a)，係從第1氣體供給源朝向下游側等長分歧成2n(n；自然數)根，且末端之2n根分歧管的氣體吐出口係以等間隔排列於一直線上的狀態，與第1平台內氣體供給孔(8a)連通，氣體供給頭(6)，係通過長溝狀的第1氣體擴散室(42a)，將通過第1氣體供給管線(9a)及第1平台內氣體供給孔(8a)所供給的氣體從複數個第1氣體吐出孔(45a)均勻地吐出。

Description

氣體供給頭、氣體供給機構及基板處理裝置
該發明，係關於用以對被處理基板供給氣體而進行成膜處理等的氣體供給頭、氣體供給機構及基板處理裝置。
在作為液晶顯示器(Liquid Crystal Display；LCD)或有機EL顯示器(Organic Electro-Luminescence Display)等之FPD(Flat Panel Display)之製造程序中之一的成膜程序，使用可以原子層級中的高精度進行成膜控制的ALD(Atomic Layer Deposition)法。在ALD法中，係例如將前驅體氣體(源氣體)與氧化劑氣體分別且交互地導入至處理空間，且在作為被處理基板的玻璃基板上使其產生反應而進行成膜。在FPD領域中由ALD法進行成膜時，係大多使用被處理基板之1邊的長度超過1m的矩形玻璃基板，而作為向被處理基板供給氣體的方法，係採用對被處理基板沿水平方向導入氣體，且形成平行於基板面之氣流的側流方式。在側流方式中，為了形成均勻厚度的膜，而必需在被處理基板上形成平行於基板面的層流， 在無法保持層流的情況下，係有產生膜質或膜厚不均勻、成為微粒要因之不需要的生成物沈積等之問題的情形。
為了在被處理基板上形成平行於基板面之氣體的層流，而必需對被處理基板將氣體沿水平方向更均勻地導入至處理空間，作為其方法，例如提出下述方法，其包括：從以重複氣體供給管之二叉分枝的方式所形成之複數個氣體吐出口，將氣體供給到處理空間的方法、或是在長條狀的氣體供給頭，以隔著形成於長邊方向之儲氣器而相對向的方式，在長邊側的側壁設置複數個氣體供給口與氣體吐出口，且使氣體吐出口之個數多於氣體供給口之個數的方法(參閱專利文獻1、2)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2004-10990號公報
[專利文獻2]日本特開昭62-074078號公報
然而，伴隨著近年來FPD之大型化亦即被處理基板之大型化，在上述習知技術中，難以確保氣體均勻地導入到處理空間時的精度，且難以對被處理基板全體均勻地進行成膜。
例如，在記載於專利文獻1之技術中，係以 使氣體供給管分歧成複數個且保持層流的狀態，將氣體供給到基板面，但，由於對基板面以垂直方向供給氣體，因此，無法形成平行於基板面的層流。
又，如記載於專利文獻2之技術，雖眾所皆知使用儲氣器(緩衝室)來實現吐出均勻之氣體到處理空間的技術，但，為了在長邊方向超過1m的氣體供給頭中，於其長邊方向全體，以極高精度來均勻地將氣體導入到處理空間，而必需使緩衝室之容積足夠大，且伴隨於此，必需使原料氣體之導入量多於所需以上，相當浪費。又，由於緩衝室通常是與處理空間連通，因此，緩衝室之容積增加是表示與處理空間增加的意思相同，藉此，則必需拉長沖洗原料氣體或反應氣體的時間，故導致生產率下降。
且，如ALD法，在個別將產生有化學反應之複數種氣體導入至處理空間時，有在氣體吐出口附近生成氣體之反應物而沈積的情形。由於像這樣的反應物會附著於被處理基板而導致FPD的品質下降，因此，必需抑制反應物之生成、沈積。然而，關於一邊抑制像這樣的反應物生成、沈積，一邊提高氣體供給量之均勻性而言，在上述習知技術中未進行任何考慮。
且，尋求一種可輕易製造長邊方向超過1m之氣體供給頭的技術。例如，記載於上述專利文獻2之緩衝室，係針對成為氣體供給頭之本體的長條狀構件，必需在其長邊方向以深孔鑽等執行深孔加工。但是，由於能夠以 深孔鑽精度良好地進行加工之深度充其量為1m，因此，為了處理1邊之長度超過1m的被處理基板，而必需串聯排列配置2個以上的氣體供給頭。又，針對處理空間排列配置複數個氣體供給頭時，有在其連接面產生微小的空隙且在其空隙沈積不需要的生成物之虞。
又，深孔鑽之加工精度，相較於端銑刀等並不佳，且加工成本亦高。因此，在由深孔鑽所加工之各氣體供給頭之緩衝室的容積或形狀中會發生不均勻，故，在排列配置複數個氣體供給頭時，將導致在氣體供給量產生個體差異，且難以均勻地將氣體導入到處理空間。又，由於以由深孔鑽所致之深孔加工而形成的緩衝室在製造後，長邊方向端係藉由熔接等而密閉，因此，洗淨處理等之維修性並不佳，於是，亦有使用壽命短的問題。
本發明之目的，係提供一種能夠改善對應於被處理基板之大型化而氣體供給到處理室的均勻性，又，可精度良好且輕易製造而維修性亦良好的氣體供給頭、氣體供給機構及基板處理裝置。
為了解決上述課題，記載於申請專利範圍第1項之氣體供給機構，係被安裝於基板處理裝置，其特徵係，具備：氣體供給管，從1個氣體供給源朝向下游側等長分歧成2n(n；自然數)根，且末端之2n根分歧管的氣體吐出口係以等間隔排列於一直線上；及1個長條狀的氣 體供給頭，具有：長溝狀之氣體擴散室，與前述2n根分歧管的氣體吐出口連通；及複數個氣體吐出孔，以等間隔形成於長邊方向，且吐出被導入至前述氣體擴散室的氣體。
申請專利範圍第2項記載之氣體供給機構，係如申請專利範圍第1項之氣體供給機構，其中，前述氣體供給頭，係在與前述氣體供給頭之長邊方向直交的方向，具有分別與前述2n根分歧管連通且連通於前述氣體擴散室的2n個頭內氣體供給孔，前述氣體吐出孔，係以隔著前述氣體擴散室且與前述2n個頭內氣體供給孔對向並以等間隔排列於一直線上的方式，相對於前述2n根分歧管之各根設置有複數個。
申請專利範圍第3項記載之氣體供給機構，係如申請專利範圍第2項之氣體供給機構，其中，前述氣體吐出孔與前述氣體吐出孔，係從與前述氣體供給頭之長邊方向直交的方向觀察時，被設置於不重複的位置。
申請專利範圍第4項記載之氣體供給機構，係如申請專利範圍第2或3項之氣體供給機構，其中，具備有獨立供給不同之2種類氣體之2系統的前述氣體供給管，前述氣體供給頭係具有2個前述氣體擴散室，該2個前述氣體擴散室係獨立且分別與前述2系統氣體供給管連通。
申請專利範圍第5項記載之氣體供給機構，係如申請專利範圍第4項之氣體供給機構，其中，前述氣 體供給頭，係具有：頭本體，與前述長邊方向直交之剖面的形狀係大致為H形狀；及蓋體，分別被安裝於前述頭本體之2處的凹部，前述2個氣體擴散室，係以由前述蓋體來密封長溝狀空間的方式予以形成，該長溝狀空間係被形成於前述2處之凹部的各個底面。
申請專利範圍第6項記載之氣體供給機構，係如申請專利範圍第5項之氣體供給機構，其中，前述氣體擴散室，係以對前述頭本體之前述凹部的底面施予端銑刀之加工的方式予以形成。
申請專利範圍第7項記載之氣體供給機構，係如申請專利範圍第4~6項任一項之氣體供給機構，其中，前述氣體吐出孔，係以分別連通於前述2個氣體擴散室的方式，在前述氣體供給頭的長邊方向以2列交錯配置。
申請專利範圍第8項記載之氣體供給機構，係如申請專利範圍第1~7項任一項之氣體供給機構，其中，前述氣體供給管之前述2n根的分歧管，係從水平方向被連接至前述氣體擴散室，而被導入至前述氣體擴散室的氣體，係從前述氣體吐出孔沿水平方向被吐出。
為了解決上述課題，申請專利範圍第9項記載之基板處理裝置，係具備有如上述申請專利範圍第1~8項中任一項記載之氣體供給機構。
申請專利範圍第10項記載之基板處理裝置，係如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，具備有 處理容器，該處理容器係具有平台(具有載置基板的載置面)與覆蓋前述平台的上蓋，且以將前述上蓋被覆於前述平台的方式，形成用以收容載置於前述載置面之基板的處理空間，前述氣體供給頭，係以使與其長邊方向平行之1側面與前述平台之1邊之側壁密接的方式，配置於前述處理空間，在前述處理容器之前述1邊的側壁，係與前述載置面平行地設有2n個平台內氣體供給孔，該2n個平台內氣體供給孔係與前述氣體供給管之下游側之前述2n根之分歧管的氣體吐出口連通，且與前述氣體供給頭之前述氣體擴散室連通。
為了解決上述課題，申請專利範圍第11項記載之氣體供給頭，係為了藉由至少2種類的氣體對載置於大致水平之基板施予預定處理，而對前述基板沿水平方向吐出前述2種類的氣體，該氣體供給頭，其特徵，係具備有：頭本體，具有長條狀之形狀，且與長邊方向直交之剖面的形狀係大略為H形狀；及蓋體，分別被安裝於前述頭本體之2處的凹部，前述頭本體，係具有：2個氣體擴散室，為長溝狀且獨立，以分別使前述2處之凹部之底壁面呈開口的方式，形成為與長邊方向平行，且被前述蓋體堵塞；2n個(n；自然數)頭內氣體供給孔，以分別與前述2個氣體擴散室連通的方式，在長邊方向以等間隔設置於一直線上；及氣體吐出孔，以隔著前述氣體擴散室並與前述2n個頭內氣體供給孔對向且以等間隔排列於一直線上的方式，相對於前述2n根分歧管之各根設置有複數個， 且吐出被導入至前述氣體擴散室的氣體。
申請專利範圍第12項記載之氣體供給頭，係如申請專利範圍第11項之氣體供給頭，其中，氣體吐出孔與前述氣體吐出孔，係從與前述氣體供給頭之長邊方向直交的方向觀察時，被設於不重複的位置。
根據本發明，從1個氣體供給源朝向下游側，將氣體從等長分歧成2n(n；自然數)根之末端的2n根分歧管供給至形成於氣體供給頭之長溝狀的氣體擴散室，且被供給至氣體擴散室的氣體係通過以等間隔所設置的複數個氣體吐出孔予以吐出。如此一來，通過等長配管將氣體均勻地供給至氣體擴散室之後，可藉由從複數個氣體吐出孔吐出氣體的構成，從複數個氣體吐出孔均勻地吐出氣體並形成層流，進而可對基板進行均勻的處理。
又，氣體供給頭，係由與長邊方向直交之剖面的形狀為大致H形狀的頭本體與安裝於頭本體的蓋體所構成，且可藉由端銑刀等對頭本體簡單而高精度地形成氣體擴散室。因此，由於氣體擴散室之長邊方向中的形狀精度高，故，在長邊方向中氣體吐出難以發生不均勻，且可輕易製造長條狀之氣體供給頭，亦可輕易由分解來進行維修。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理空間
3‧‧‧處理容器
4‧‧‧平台
5‧‧‧上蓋
6‧‧‧氣體供給頭
40‧‧‧頭本體
42a、42b‧‧‧第1氣體擴散室、第2氣體擴散室
44a、44b‧‧‧第1頭內氣體供給孔、第2頭內氣體供給孔
45a、45b‧‧‧第1氣體吐出孔、第2氣體吐出孔
[圖1]表示本發明之實施形態之基板處理裝置之概略構造的平面圖及剖面圖。
[圖2]表示圖1之基板處理裝置所具備之氣體供給系統之構成的平面圖。
[圖3]表示設置於圖1之基板處理裝置所具備之平台之側壁之平台內氣體供給孔附近之構造的剖面圖。
[圖4]圖1之基板處理裝置所具備之氣體供給頭的立體剖面圖及分解立體圖。
[圖5]圖4之氣體供給頭之一部分的平面圖、一部分的正視圖、平面圖中之箭號B-B剖面圖及箭號C-C剖面圖。
以下，參照附加圖面來詳細說明本發明之實施形態。圖1(a)，係表示本發明之實施形態之基板處理裝置1之概略構造的平面圖。圖1(b)，係圖1(a)中之沿箭號A-A剖面圖。
在此，基板處理裝置1，係設成為對使用於製造有機EL面板等之FPD的玻璃基板(以下，記述為「基板G」)，施予ALD法所致之成膜處理的成膜裝置。在下述的說明中，基板G係設成為短邊×長邊的長度約1500mm×約1850mm。又，針對基板處理裝置1，取與基板G之短邊平行為x軸，取與長邊平行為y軸，取基板G 之厚度方向為z軸，且適當地在下述之說明中，使用該些座標軸。另外，x軸及y軸係位於水平面內，z軸係位於垂直面內。
基板處理裝置1，係具備有處理容器3，該處理容器3係形成對基板G進行處理的處理空間2。處理容器3，係由平台4與上蓋5所構成，該平台4係載置基板G，該上蓋5係覆蓋載置於平台4的基板G。另外，在圖1(a)，表示上蓋5被拆卸下的狀態。
平台4，係具有剖面大致為凹形狀，其係具有：載置面4a，載置基板G；及側壁4b，豎立於比載置面4a更上方(z方向)。平台4與上蓋5，係構成為可在高度方向(z方向)相對移動。例如，使上蓋5上升而使上蓋5從平台4遠離時，載置面4a便會露出於外部。藉此，藉由基板搬送裝置(未圖示)，可將基板G搬入/搬出至載置面4a。另一方面，於基板G被載置於載置面4a上的狀態下，使上蓋5下降，並使上蓋5密接於側壁4b時，形成與外部隔離的處理空間2。此時，藉由設置於側壁4b上的密封環(O形環)，使上蓋5與側壁4b之抵接面密封。如此一來，可對處理空間2中之基板G進行成膜處理。另外，亦可設成為使平台4對已固定的上蓋5升降之構成，亦可設成為使平台4及上蓋5兩者升降的構成。
在處理空間2中，係沿著平台4之長邊側之一方的側壁4b1，配置有構成供給處理氣體之氣體供給機 構一部分的直線狀的氣體供給頭6，該處理氣體係被使用於對基板G進行成膜處理。又，沿著平台4之長邊側之另一方的側壁4b2，在平台4設有直線狀的排氣溝7。排氣溝7係被連接於排氣裝置7a，排氣裝置7a係藉由對處理空間2之內部進行排氣的方式，進行處理空間2內之壓力的調節或環境的置換(沖洗)。
關於氣體供給頭6之構造的詳細說明如後述，氣體供給頭6，係沿著長邊方向，使處理氣體從以預定間隔形成為二列之複數個第1氣體吐出孔45a及第2氣體吐出孔45b(參閱圖4及圖5)吐出至處理空間2。藉此，在載置於載置面4a上之基板G的被處理面上方，能夠形成從氣體供給頭6朝向排氣溝7而往一方向成為層流的氣流F，且可在基板G之表面進行均勻的成膜處理。
氣體供給頭6，係經由形成於平台4之側壁4b1的平台內氣體供給孔8，被連接於作為氣體供給管的氣體供給系統9。另外，平台內氣體供給孔8，係總稱後述之第1平台內氣體供給孔8a與第2平台內氣體供給孔8b。氣體供給頭6、平台內氣體供給孔8及氣體供給系統9，係構成氣體供給機構。
氣體供給系統9之詳細說明如後述，概要，氣體供給系統9，係以2系統之氣體配管所構成，該2系統係用於經由平台內氣體供給孔8，獨立將成膜處理所需之2種類的氣體(第1氣體=源氣體、第2氣體=氧化氣體)供給至氣體供給頭6。氣體供給頭6，係獨立將所供 給之2種類的氣體吐出至處理空間2。
例如，在進行氧化鋁(Al2O3)成膜時，可使用三甲基鋁((CH3)3Al：TMA)氣體作為第1氣體，可使用水蒸氣(H2O)氣體作為第2氣體。但是，第1氣體及第2氣體並不限定於該些，可因應構成膜的材料進行變更。
基板處理裝置1之動作控制，係藉由控制部12來進行。控制部12，係例如具有由微處理器(電腦)所構成的程序控制器12a。在程序控制器12a，連接有操作者為了管理成基板處理裝置1而進行指令的輸入操作等之鍵盤，或由可視化地顯示基板處理裝置1的運轉狀況之顯示器等所構成的使用者介面12b。
在程序控制器12a，連接有記憶部12c。記憶部12c，係亦可為硬碟或半導體記憶體，亦可為CD-ROM、DVD、快閃記憶體等可攜式者。記憶部12c，係儲存有用於因應用於在程序控制器12a的控制下實現在基板處理裝置1所執行之各種處理的控制程式、或處理條件，而使處理被執行於基板處理裝置1之各部的處理程式。處理程式，係亦可經由專用線路，從其他裝置適當進行傳送。處理程式，係因應所需，從記憶部12c讀出來自使用者介面12b的指示等，且使程序控制器12a執行根據所讀出之處理程式的處理，藉此，基板處理裝置1將進行預定動作，進而處理基板G。
圖2，係表示氣體供給系統9之構成的平面 圖。氣體供給系統9，係包含有：第1氣體供給管線9a，用於將第1氣體供給至處理空間2；及第2氣體供給管線9b，用於將第2氣體供給至處理空間2。
第1氣體供給管線9a，係形成為所謂的多支點型等長配管構造。亦即，上游側之原配管31a係在下游側之第1分歧部32a分歧成長度相等的2根第1分歧管31b，第1分歧管31b係在其下游側之第2分歧部32b分歧成長度相等的2根第3分歧管31c，第3分歧管31c係在其下游側之第3分歧部32c分歧成長度相等的2根第4分歧管31d。合計8根第4分歧管31d，係分別以使氣體吐出口(末端)以等間隔排列於與y方向平行之一直線上的方式，藉由凸緣36而氣密地連接於形成在平台4之側壁4b1之8處的第1平台內氣體供給孔8a。
第2氣體供給管線9b，亦具有與第1氣體供給管線9a相同之多支點型的等長配管構造。亦即，上游側之原配管33a係在下游側之第1分歧部34a分歧成長度相等的2根第1分歧管33b，第1分歧管33b係在其下游側之第2分歧部34b分歧成長度相等的2根第3分歧管33c，第3分歧管33c係在其下游側之第3分歧部34c分歧成長度相等的2根第4分歧管33d。合計8根第4分歧管33d，係分別以使氣體吐出口(末端)以等間隔排列於與y方向平行之一直線上的方式，藉由凸緣36而氣密地連接於形成在平台4之側壁4b1的第2平台內氣體供給孔8b。
在第1氣體供給管線9a之原配管31a的上游側，連接有供給第1氣體的第1氣體供給源(未圖示)及載送氣體供給源(未圖示)，在第2氣體供給管線9b之原配管33a的上游側，連接有供給第2氣體的第2氣體供給源(未圖示)及載送氣體供給源(未圖示)。作為載送氣體，雖係例如使用氮氣(N2)等之惰性氣體，但，並不限定於此，亦可使用氬氣(Ar)等之稀有氣體。
對基板G進行成膜處理期間，控制來自載送氣體供給源之載送氣體之供給/停止的閥V3、V4，係經常被維持為開啟的狀態。另一方面，為使第1氣體與第2氣體不會同時供給至處理空間2，而控制閥V1、V2之開啟/關閉的時序。首先，將閥V1開啟固定時間(例如0.2秒)，並將第1氣體導入至處理空間2，使第1氣體的分子附著於基板G上。當關閉閥V1時，由於閥V3、V4為開啟的狀態，因此，藉由載送氣體使處理空間2內之不需要的第1氣體從處理空間2排出，而處理空間2內係以載送氣體予以沖洗。保持該狀態固定時間(例如5秒)，且排出處理空間2內之不需要的第1氣體後，將閥V2開啟固定時間(例如0.2秒)，並將第2氣體導入至處理空間2，使附著於基板G上之第1氣體的分子與第2氣體的分子產生反應。將閥V2關閉且保持該狀態固定時間(例如5秒)時，由於閥V3、V4為開啟的狀態，因此，藉由載送氣體使處理空間2內之第2氣體及由第1氣體與第2氣體的反應所生成的氣體從處理空間2排出。藉由重複供給 /排出像這樣的第1氣體與第2氣體至處理空間2之方式，以原子層級使第1氣體與第2氣體在基板G的表面產生反應，進而進行成膜。
另外，閥V1、V2之開啟/關閉的時序，係以達成作為目的之成膜的方式，適時予以調整。
從控制第1氣體之供給/停止的閥V1起至第1平台內氣體供給孔8a之8系統的配管長度及配管徑，全都相等。又，從控制第2氣體之供給/停止的閥V2起至第2平台內氣體供給孔8b之8系統的配管長度及配管徑，全都相等。藉由像這樣的等長配管構造，可分別對具有氣體供給頭6之後述的第1氣體擴散室42a及第2氣體擴散室42b(參閱圖3~圖5)，均勻地供給第1氣體及第2氣體，進而，可將第1氣體及第2氣體從氣體供給頭6均勻地吐出至處理空間2。又，在氣體供給系統9中，由於可抑制使具備的閥個數減少，因此，可抑制裝置成本下降。
另外，可構成為將閥V3、V4置換成1個閥，係可從圖1及圖2清楚了解。
圖3，係表示平台內氣體供給孔8附近之構造的剖面圖。第1平台內氣體供給孔8a及第2平台內氣體供給孔8b，係分別以對應於被設置在氣體供給頭6之第1頭內氣體供給孔44a及第2頭內氣體供給孔44b之位置的方式，藉由鑽頭等的機械加工被形成於平台4的側壁4b1。在平台內氣體供給孔8a、8b的壁面，係因應所需，施予電場研磨等的鏡面加工或耐酸鋁或者氟樹脂塗覆等的 表面處理。
為了對應於被設置在氣體供給頭6之第1頭內氣體供給孔44a與第2頭內氣體供給孔44b之間隔狹窄的情形(詳細係參閱圖4及圖5進行後述)，而使第4分歧管31d、33d之末端形成每1根為一對，且集中於被安裝在平台4之側壁4b1的1個凸緣36。藉由將凸緣36安裝於側壁4b1，使第4分歧管31d、33d分別與平台內氣體供給孔8a、8b連通，且形成有第1氣體與第2氣體的氣體流路。
另外，在凸緣36與側壁4b1之連結面，為了隔離第1氣體與第2氣體的氣體流路而配置有未圖示的密封環，藉此，可在凸緣36與側壁4b1的連結面防止第1氣體與第2氣體產生反應。
在本實施形態中，如圖3所示，將第4分歧管31d、33d集中於凸緣36時，由於第4分歧管31d、33d接近而無法水平地配置雙方，因此，以凸緣36為基準，將供給位於下側之第1氣體的第4分歧管31d僅彎曲至下方。當然，在可水平配置第4分歧管31d、33d時，如圖3所示，則不需要彎曲配管。
氣體供給頭6，係在平台4，被配置成嵌合於設置在載置面4a與側壁4b1之間的溝，且第1平台內氣體供給孔8a及第2平台內氣體供給孔8b，係分別與被設置於氣體供給頭6的第1頭內氣體供給孔44a及第2頭內氣體供給孔44b連通。在氣體供給頭6與側壁4b1之連結 面，配置有用於隔離第1氣體與第2氣體的氣體流路之未圖示的密封環，藉此，可在氣體供給頭6與側壁4b1的連結面防止第1氣體與第2氣體產生反應。
圖4(a)，係氣體供給頭6之立體剖面圖。圖4(b)，係氣體供給頭6之分解立體圖。氣體供給頭6，係由相互平行之第1垂直壁40a及第2垂直壁40b與水平壁40c所構成，且具有頭本體40，該水平壁40c係以與第1垂直壁40a及第2垂直壁40b直交的方式，連結第1垂直壁40a及第2垂直壁40b，該頭本體40係與長邊方向直交之剖面的形狀大致為H形狀。氣體供給頭6如圖1~圖3所示予以配置時，第1垂直壁40a係與平台4之側壁4b1抵接，第2垂直壁40b係與載置於平台4之載置面4a的基板G相對面，第1垂直壁40a、第2垂直壁40b及水平壁40c係具有一體形成的構造。在水平壁40c之兩表面(頭本體40之2處之凹部的底面)，以隔著隔板40c1而對向的方式，形成延伸於長邊方向之長溝狀的第1氣體擴散室42a及第2氣體擴散室42b。
氣體供給頭6，係具有：蓋體41a、41b，藉由固定螺絲等分別被安裝於頭本體40之2處的凹部；及密封環43a、43b，被配置於頭本體40與蓋體41a、41b之間。藉由將蓋體41a安裝於頭本體40的方式，使第1氣體擴散室42a的開口面堵塞，且藉由將蓋體41b安裝於頭本體40的方式，使第2氣體擴散室42b的開口面堵塞。
為了說明氣體供給頭6之第1氣體及第2氣 體的流動，而進一步參閱圖5。圖5(a)，係氣體供給頭6之一部分的平面圖。圖5(b)，係氣體供給頭6之一部分的正視圖。圖5(c)，係圖5(a)中之沿箭號B-B剖面圖。圖5(d)，係圖5(a)中之沿箭號C-C剖面圖。
在頭本體40，形成有第1頭內氣體供給孔44a，該第1頭內氣體供給孔44a，係在x方向貫通第1垂直壁40a與水平壁40c並連通於第1氣體擴散室42a，且於氣體供給頭6被裝設於平台4的狀態下，與第1平台內氣體供給孔8a連通。又，在頭本體40，形成有第2頭內氣體供給孔44b，該第2頭內氣體供給孔44b，係在x方向貫通第1垂直壁40a與水平壁40c並連通於第2氣體擴散室42b，且於氣體供給頭6被裝設於平台4的狀態下，與第2平台內氣體供給孔8b連通。
且，在頭本體40，形成有第1氣體吐出孔45a，該第1氣體吐出孔45a，係在x方向貫通第2垂直壁40a與水平壁40c並連通於第1氣體擴散室42a，且於氣體供給頭6被裝設於平台4的狀態下，與處理空間2連通。又，形成有第2氣體吐出孔45b，該第2氣體吐出孔45b，係在x方向貫通第2垂直壁40a與水平壁40c並連通於第2氣體擴散室42b，且於氣體供給頭6被裝設於平台4的狀態下，與處理空間2連通。
從第1氣體供給管線9a供給的第1氣體，係通過第1平台內氣體供給孔8a、第1頭內氣體供給孔44a被導入到第1氣體擴散室42a，而在第1氣體擴散室42a 擴散之後，從第1氣體吐出孔45a吐出至處理空間2。相同地，從第2氣體供給管線9a供給的第2氣體，係通過第2平台內氣體供給孔8b、第2頭內氣體供給孔44b被導入到第2氣體擴散室42b，而在第2氣體擴散室42b擴散之後，通過第2氣體吐出孔45b被吐出至處理空間2。
如此一來，可藉由構成為使從平台內氣體供給孔8起至氣體供給頭6的氣體流路僅沿著水平方向(x方向)，提高處理空間2之載送氣體所致的沖洗性，且因沖洗時間縮短而實現生產率提高。
頭本體40，係可藉由對由鋁等所構成之長條狀的角柱材進行切削/研磨加工，來輕易地加工成剖面大致為H形狀。又，第1氣體擴散室42a及第2氣體擴散室42b，係可藉由端銑刀等所致之機械加工，輕易而尺寸精度良好地予以形成，且第1頭內氣體供給孔44a、第2頭內氣體供給孔44b、第1氣體吐出孔45a及第2氣體吐出孔45b亦孔長度短，因此，可藉由端銑刀加工等來尺寸精度良好地予以形成。因此，即使氣體供給頭6為必需超過1m的長度時，亦可因應基板G的形狀，以高尺寸精度進行製造，因此，可從第1氣體吐出孔45a及第2氣體吐出孔45b均勻地吐出第1氣體及第2氣體。
如此一來，氣體供給頭6，係能夠藉由對可輕易製造之頭本體40組裝密封環43a、43b及蓋體41a、41b來輕易地進行製造，因此，亦可輕易分解，亦可輕易進行洗淨處理等之維修。又，氣體供給頭6，係亦可輕易改變 因應基板G之形狀所致之氣體供給頭6全體的大小或改變各部分的形狀，且亦可輕易進行因應處理空間2之高度的薄型化。
另外，頭本體40，係在由鋁等之可鑄造的材料所構成時，例如，在藉由鑄模成形來大致形成外形之後，亦可藉由以切削/研磨加工而提高各部分之形狀精度的方式加以製造。雖在第1頭內氣體供給孔44a、第2頭內氣體供給孔44b、第1氣體吐出孔45a、第2氣體吐出孔45b、第1氣體擴散室42a及第2氣體擴散室42b之內面，因應所需，施予電場研磨等之鏡面加工處理或耐酸鋁或者氟樹脂塗覆處理等的表面處理，但亦可輕易進行像這樣的加工。
如圖5(a)所示，在氣體供給頭6中y方向鄰接之第1頭內氣體供給孔44a彼此的間隔L1，係例如基板G之y方向長度為1850mm時，處理空間2之y方向長度約為2100mm時，根據圖1，則形成為約300mm。y方向鄰接之第2頭內氣體供給孔44b彼此的間隔，亦為L1。如圖5(b)所示，y方向中之第1氣體吐出孔45a間的間隔L2，係例如可設成為約15mm。y方向中之第2氣體吐出孔45b間的間隔亦為L2，第1氣體吐出孔45a與第2氣體吐出孔45b，皆係在y方向上偏離1/2間距而設置。z方向中之氣體吐出孔45a與氣體吐出孔45b的間隔L3，係例如可設成為約6mm。
另外，當增加了處理空間2的高度(z方向長 度)時，將會增加昂貴之第1氣體的消耗量，而導致對基板G之成膜成本上升。因此，處理空間2的高度儘可能低為較佳，故，因應所設定之處理空間2的高度來規定頭本體40的高度。藉此，規定設置第1氣體擴散室42a及第2氣體擴散室42b之位置，而對第1氣體吐出孔45a及第2氣體吐出孔45b之z方向中的間隔L3加以限制。又，在處理空間2中，為了使第1氣體與第2氣體成為層流且流動，而在離平台4之載置面4a儘可能不高的位置設置第1氣體吐出孔45a及第2氣體吐出孔45b為較佳。另一方面，當離第1氣體吐出孔45a與第2氣體吐出孔45b太近時，由於在第1氣體吐出後可能殘留於第1氣體擴散室42a的微量第1氣體與在第2氣體吐出後可能殘留於第2氣體擴散室42b的微量第2氣體會洩漏到處理空間2，從而產生有導致在第1氣體吐出孔45a與第2氣體吐出孔45b的附近生成第1氣體與第2氣體之反應物，且該反應物附著於頭本體40或形成為微粒附著於基板G的問題。因此，必需防止像這樣的反應物生成。
考慮該些問題，在本實施形態中，係藉由所謂的、以將第1氣體吐出孔45a與第2氣體吐出孔45b之z方向中的間隔L3設定為較短，並同時交錯配置第1氣體吐出孔45a及第2氣體吐出孔45b的方式，延長鄰接之第1氣體吐出孔45a與第2氣體吐出孔45b的距離，進而抑制第1氣體與第2氣體的反應所造成之不需要的反應物生成。另外，儘可能在處理空間2中形成層流且狹窄地形 成第1氣體擴散室42a及第2氣體擴散室42b，藉此，可抑制第1氣體與第2氣體滯留在第1氣體擴散室42a及第2氣體擴散室42b，並可抑制不需要之反應物的生成。
如圖5(b)所示，從x方向來看，第1頭內氣體供給孔44a，係以不與第1氣體吐出孔45a重複的方式予以形成，且第2頭內氣體供給孔44b，係以不與第2氣體吐出孔45b重複的方式予以形成。例如，從x方向來看，當在與1個頭內氣體供給孔重複的位置設置氣體吐出孔時，來自其氣體吐出孔的氣體吐出將處於優勢，而導致來自其他氣體吐出孔的氣體吐出量下降，且難以在處理空間2形成層流。於是，在本實施形態中，從x方向來看，設成為使頭內氣體供給孔與氣體吐出孔不重複的構成，進而使從頭內氣體供給孔導入至氣體擴散室的氣體衝擊氣體擴散室的壁面並擴散，從而實現來自氣體吐出孔之氣體吐出的均勻化。
以上，根據本發明之實施形態，通過具有等長配管構造之第1氣體供給管線9a及第2氣體供給管線9b，使第1氣體及第2氣體獨立被供給至形成於氣體供給頭6的第1氣體擴散室42a及第2氣體擴散室42b。藉此，可通過等長配管，分別將第1氣體及第2氣體均均地供給至第1氣體擴散室42a及第2氣體擴散室42b。
且，在第1氣體擴散室42a及第2氣體擴散室42b中，進一步被供給的第1氣體及第2氣體會被均勻化。此時，由於第1氣體擴散室42a及第2氣體擴散室 42b，係對於與長邊方向(y方向)直交之剖面的形狀大致為H形狀的頭本體40，藉由端銑刀等而以高形狀精度予以形成，因此，在長邊方向中從第1氣體吐出孔45a及第2氣體吐出孔45b吐出第1氣體及第2氣體難以發生不均勻，且能夠將第1氣體及第2氣體均勻地吐出至基板G上並在基板G上形成層流，藉此，可對基板G進行均勻的處理。
又，關於氣體供給頭6之製造，能夠簡單且高精度地在頭本體40形成長溝狀之第1氣體擴散室42a及第2氣體擴散室42b，又，由於第1頭內氣體供給孔44a、第2頭內氣體供給孔44b、第1氣體吐出孔45a及第2氣體吐出孔45b亦孔長度短，因此，可藉由端銑刀加工進行簡單且高精度的形成。且，由於能夠僅對頭本體40安裝蓋體41a、41b，使氣體供給頭6完成，因此，亦可輕易分解。因此，可對氣體供給頭6、基板G進行更均勻的處理。且，氣體供給頭6，係具有可輕易且高精度地製造因應於基板G之尺寸的長度者，且亦可輕易由分解進行維修的優點。
以上，雖說明了本發明的實施形態，但本發明並不限定於上述實施形態者。例如，在上述說明中，基板G雖係設成為有機EL顯示器用之玻璃基板，但並不限定於此，基板G係亦可為LCD製造用之玻璃基板或太陽能電池製造用之玻璃基板等。
又，在上述說明中，基板G之短邊×長邊的長 度係設成為約1500mm×約1850mm，且為了配合該基板尺寸而規定氣體供給系統9之氣體供給管的分歧數。對此，近年來，基板尺寸係朝向約2200mm×約2500mm的尺寸，並更朝向約2800mm×約3100mm的尺寸其大型化顯著。對於像這樣的基板尺寸之大型化，本發明可輕易進行對應。亦即，對於基板尺寸之變更，可藉由調整氣體供給系統中之氣體供給管的分歧數或平台內氣體供給孔8的個數，輕易進行對應。又，所需之氣體供給量，係可藉由氣體供給系統之配管徑或氣體供給頭中之氣體擴散室的容積、氣體吐出孔之孔徑等的形狀調整，輕易進行對應。
但是，為了使氣體供給系統9成為等長配管構造，而氣體供給系統9中之第1氣體供給管線9a及第2氣體供給管線9b之末端(最下游)的配管數(亦即，第1平台內氣體供給孔8a的個數及第2平台內氣體供給孔8b的個數)，係被限制為2n(n；自然數)。上述實施形態，係相當於n=3的情形。
被導入到處理空間2的氣體並不限定於上述實施形態中所提出的2種類，因應成膜之膜的種類可變更為3種類以上。在該情況下，例如可藉由疊層氣體供給頭6的方式進行對應。
在上述實施形態中，雖係設成為以在平台4之側壁4b1形成平台內氣體供給孔8的方式，對氣體供給頭6沿水平方向供給第1氣體及第2氣體之構成，但，並不限定於此，亦可設成為在垂直方向(z方向)貫通平台 4之後，配置朝水平方向彎曲的氣體導入管，且使該氣體導入管連接於氣體供給頭6之第1頭內氣體供給孔44a及第2頭內氣體供給孔44b的構成。
(a)
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理空間
4‧‧‧平台
4a‧‧‧載置面
4b‧‧‧側壁
4b1‧‧‧一方的側壁
4b2‧‧‧另一方的側壁
6‧‧‧氣體供給頭
7‧‧‧排氣溝
8‧‧‧平台內氣體供給孔
9‧‧‧氣體供給系統
12‧‧‧控制部
12a‧‧‧程序控制器
12b‧‧‧使用者介面
12c‧‧‧記憶部
V1‧‧‧閥
V2‧‧‧閥
V3‧‧‧閥
V4‧‧‧閥
F‧‧‧氣流
(b)
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理空間
3‧‧‧處理容器
4‧‧‧平台
5‧‧‧上蓋
6‧‧‧氣體供給頭
7‧‧‧排氣溝
7a‧‧‧排氣裝置
8‧‧‧平台內氣體供給孔
9‧‧‧氣體供給系統
G‧‧‧基板

Claims (12)

  1. 一種氣體供給機構，係被安裝於基板處理裝置，其特徵係，具備：氣體供給管，從1個氣體供給源朝向下游側等長分歧成2n(n；自然數)根，且末端之2n根分歧管的氣體吐出口係以等間隔排列於一直線上；及1個長條狀的氣體供給頭，具有長溝狀之氣體擴散室及複數個氣體吐出孔，該長溝狀之氣體擴散室係與前述2n根分歧管之氣體吐出口連通，複數個氣體吐出孔係以等間隔形成於長邊方向，且吐出被導入至前述氣體擴散室的氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項之氣體供給機構，其中，前述氣體供給頭，係在與前述氣體供給頭之長邊方向直交的方向，具有分別與前述2n根分歧管連通且連通於前述氣體擴散室的2n個頭內氣體供給孔，前述氣體吐出孔，係以隔著前述氣體擴散室且與前述2n個頭內氣體供給孔對向並以等間隔排列於一直線上的方式，相對於前述2n根分歧管之各根設置有複數個。
  3. 如申請專利範圍第2項之氣體供給機構，其中，前述氣體吐出孔與前述氣體吐出孔，係從與前述氣體供給頭之長邊方向直交的方向觀察時，被設於不重複的位置。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之氣體供給機構，其 中，具備有獨立供給不同之2種類氣體之2系統的前述氣體供給管，前述氣體供給頭，係具有2個前述氣體擴散室，該2個前述氣體擴散室係獨立且分別與前述2系統之氣體供給管連通。
  5. 如申請專利範圍第4項之氣體供給機構，其中，前述氣體供給頭，係具有：頭本體，與前述長邊方向直交之剖面的形狀係大致為H形狀；及蓋體，分別被安裝於前述頭本體之2處的凹部，前述2個氣體擴散室，係以由前述蓋體來密封長溝狀空間的方式予以形成，該長溝狀空間係被形成於前述2處之凹部的各個底面。
  6. 如申請專利範圍第5項之氣體供給機構，其中，前述氣體擴散室，係以對前述頭本體之前述凹部的底面施予端銑刀之加工的方式予以形成。
  7. 如申請專利範圍第4~6項任一項之氣體供給機構，其中，前述氣體吐出孔，係以分別連通於前述2個氣體擴散室的方式，在前述氣體供給頭的長邊方向以2列交錯配置。
  8. 如申請專利範圍第1~7項任一項之氣體供給機構，其中， 前述氣體供給管之前述2n根的分歧管，係從水平方向被連接至前述氣體擴散室，而被導入至前述氣體擴散室的氣體，係從前述氣體吐出孔沿水平方向被吐出。
  9. 一種基板處理裝置，係具備有如上述申請專利範圍第1~8項中任一項之氣體供給機構。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，具備有處理容器，該處理容器係具有平台(具有載置基板的載置面)與覆蓋前述平台的上蓋，且以將前述上蓋被覆於前述平台的方式，形成用以收容載置於前述載置面之基板的處理空間，前述氣體供給頭，係以使與其長邊方向平行之1側面與前述平台之1邊之側壁密接的方式，配置於前述處理空間，在前述處理容器之前述1邊的側壁，係與前述載置面平行地設有2n個平台內氣體供給孔，該2n個平台內氣體供給孔係與前述氣體供給管之下游側之前述2n根之分歧管的氣體吐出口連通，且與前述氣體供給頭之前述氣體擴散室連通。
  11. 一種氣體供給頭，係為了藉由至少2種類的氣體對載置於大致水平之基板施予預定處理，而對前述基板沿水平方向吐出前述2種類的氣體，該氣體供給頭，其特徵係，具備有：頭本體，具有長條狀形狀，且與長邊方向直交之剖面的形狀係大略為H形狀；及蓋體，分別被安裝於前述頭本 體之2處的凹部，前述頭本體，係具有：2個氣體擴散室，為長溝狀且獨立，以分別使前述2處之凹部之底壁面呈開口的方式，形成為與長邊方向平行，且被前述蓋體堵塞；2n個(n；自然數)頭內氣體供給孔，以分別與前述2個氣體擴散室連通的方式，在長邊方向以等間隔設置於一直線上；及氣體吐出孔，以隔著前述氣體擴散室並與前述2n個頭內氣體供給孔對向且以等間隔排列於一直線上的方式，相對於前述2n根分歧管之各根設置有複數個，且吐出被導入至前述氣體擴散室的氣體。
  12. 如申請專利範圍第11項之氣體供給頭，其中，前述氣體吐出孔與前述氣體吐出孔，係從與前述氣體供給頭之長邊方向直交的方向觀察時，被設於不重複的位置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6458547B2 (ja) * 2015-02-24 2019-01-30 株式会社デンソー シャワーヘッド、シャワーヘッドシステム、及び成膜装置
CN105551630A (zh) * 2016-02-03 2016-05-04 安徽瑞昊缆业有限公司 一种自加热警示电缆
JP2019027623A (ja) * 2017-07-26 2019-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 加熱装置および加熱方法
JP2019029102A (ja) * 2017-07-26 2019-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 加熱装置
CN111058014A (zh) * 2020-01-22 2020-04-24 通威太阳能(眉山)有限公司 镀膜装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6274078A (ja) * 1985-09-27 1987-04-04 Applied Materials Japan Kk 気相成長装置
JPH01152277A (ja) * 1987-12-09 1989-06-14 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JP3498255B2 (ja) * 1996-06-17 2004-02-16 東芝機械株式会社 枚葉式減圧ｃｖｄ装置
JP2000269147A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Shin Etsu Handotai Co Ltd 気相成長装置、気相成長方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ
KR20010062209A (ko) * 1999-12-10 2001-07-07 히가시 데쓰로 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치
US6502530B1 (en) * 2000-04-26 2003-01-07 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Design of gas injection for the electrode in a capacitively coupled RF plasma reactor
JP4663110B2 (ja) * 2000-12-27 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4606642B2 (ja) * 2001-05-17 2011-01-05 住友化学株式会社 半導体製造装置及び化合物半導体の製造方法
SG125069A1 (en) * 2001-05-17 2006-09-29 Sumitomo Chemical Co Method and system for manufacturing III-V group compound semiconductor and III-V group compound semiconductor
JP2004010990A (ja) * 2002-06-10 2004-01-15 Sony Corp 薄膜形成装置
KR101070353B1 (ko) * 2003-06-25 2011-10-05 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 제조장치의 가스 인젝터
WO2006040275A1 (en) * 2004-10-11 2006-04-20 Bekaert Advanced Coatings An elongated gas ditribution system
JP4978554B2 (ja) * 2008-05-12 2012-07-18 信越半導体株式会社 薄膜の気相成長方法および気相成長装置
JP5413305B2 (ja) * 2010-05-25 2014-02-12 信越半導体株式会社 エピタキシャル成長装置
JP2012082445A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置、蒸着装置、プラズマｃｖｄ装置及び有機蒸着方法
JP2012182349A (ja) * 2011-03-02 2012-09-20 Japan Steel Works Ltd:The プラズマ処理装置及び被処理体のプラズマ処理方法

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