KR20120023863A - 기판처리장치 - Google Patents
기판처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120023863A KR20120023863A KR1020100085781A KR20100085781A KR20120023863A KR 20120023863 A KR20120023863 A KR 20120023863A KR 1020100085781 A KR1020100085781 A KR 1020100085781A KR 20100085781 A KR20100085781 A KR 20100085781A KR 20120023863 A KR20120023863 A KR 20120023863A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- shower head
- space
- diffusion
- injection
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 116
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 92
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 88
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 88
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- -1 graphite and quartz Chemical class 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 태양전지용 기판과 같은 기판의 표면을 증착하거나 식각하는 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 상측에 개구부가 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체의 개구부를 복개하여 상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하는 상부리드와; 상기 상부리드의 하측에 설치되어 상기 처리공간에 가스를 분사하는 샤워헤드부와; 기판을 직접 또는 기판이 안착된 트레이를 지지하도록 상기 챔버본체에 설치되는 기판지지부를 포함하며, 상기 샤워헤드부는 제1확산공간을 형성하고 저면에 다수개의 분사돌기들이 형성되며, 상기 제1확산공간으로부터 처리공간으로 가스를 분사하도록 제1분사공이 각 분사돌기를 관통하여 형성된 확산플레이트와; 제2확산공간을 형성하고 제2확산공간으로부터 처리공간으로 가스를 분사하도록 다수개의 제2분사공들이 형성되며 상기 확산플레이트에 형성된 각 분사돌기들이 관통하여 삽입되도록 각 분사돌기들에 대응되는 다수개의 끼움공들이 형성된 분사플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
본 발명은 상측에 개구부가 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체의 개구부를 복개하여 상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하는 상부리드와; 상기 상부리드의 하측에 설치되어 상기 처리공간에 가스를 분사하는 샤워헤드부와; 기판을 직접 또는 기판이 안착된 트레이를 지지하도록 상기 챔버본체에 설치되는 기판지지부를 포함하며, 상기 샤워헤드부는 제1확산공간을 형성하고 저면에 다수개의 분사돌기들이 형성되며, 상기 제1확산공간으로부터 처리공간으로 가스를 분사하도록 제1분사공이 각 분사돌기를 관통하여 형성된 확산플레이트와; 제2확산공간을 형성하고 제2확산공간으로부터 처리공간으로 가스를 분사하도록 다수개의 제2분사공들이 형성되며 상기 확산플레이트에 형성된 각 분사돌기들이 관통하여 삽입되도록 각 분사돌기들에 대응되는 다수개의 끼움공들이 형성된 분사플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
Description
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 태양전지용 기판과 같은 기판의 표면을 증착하거나 식각하는 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
기판처리장치는 기판처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로서, 밀폐된 처리공간에 기판처리를 수행하기 위한 하나 이상의 가스를 처리공간으로 분사하여 기판지지부 위에 안착된 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 처리공정을 수행하는 장치가 있다.
이때 상기 기판처리장치는 서로 탈착가능하게 결합되어 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 상부리드와, 처리공간의 상측에 설치되어 기판처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 샤워헤드부와, 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지부를 포함하여 구성된다.
그런데 기판처리의 공정에 따라 2 종류 이상의 가스들이 처리공간으로 분사될 수 있으며, 분사되는 2 종류 이상의 가스들 중 일부는 처리공간에 분사되기 전에 서로 혼합되어 반응될 수 있어 처리공간으로 분사 전까지는 서로 분리된 상태로 공급된다.
한편 2 종류 이상의 가스들을 처리공간으로 분사하기 위한 샤워헤드부는 상하로 위치된 제1확산공간 및 제2확산공간으로부터 분리되어 각 가스들이 분사되는데, 제1확산공간 및 제2확산공간을 형성하는 확산플레이트 및 분사플레이트의 조립상태에 따라서 누설이 발생하여 제1확산공간 또는 제2확산공간에서 반응이 이루어져 원활한 기판처리를 수행하지 못하는 문제점이 있다.
또한 태양전지용 유리기판과 같이 직사각형의 기판을 처리하는 경우 원형의 반도체 웨이퍼와는 달리 중앙부분에서는 가스분사가 원활한 반면 중앙부분을 둘러싸는 주변부분에서의 가스밀도의 편차로 인하여 기판 표면에의 균일한 기판처리가 이루어지지 않는 문제점이 있다.
보다 구체적으로 설명하면, 외부에 설치된 가스공급장치와 연결되는 연결관의 설치위치를 중심으로 가스가 확산되어 처리공간으로 분사되는데 연결관으로부터 상대적으로 거리가 먼 주변부분에서는 가스분사량이 상대적으로 작아 기판 표면에의 균일한 기판처리가 이루어지지 않는 문제점이 있다.
또한 기판을 기준으로 주변부분에서는 기판지지부 및 챔버 내벽 간의 거리 형성으로 중앙부분에 비하여 상대적으로 큰 공간이 형성되므로 같은 양의 가스가 분사되더라도 중앙부분에 비하여 주변부분에서의 가스밀도가 작아 기판의 균일한 기판처리가 이루어지지 못하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 처리공간에 도달하기 전에 가스들이 혼합되어 반응하는 것을 방지할 수 있는 샤워헤드부를 가지는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 기판을 기준으로 중앙부분 및 가장자리부분에서의 기판처리의 균일도를 확보할 수 있는 샤워헤드부를 가지는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 상측에 개구부가 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체의 개구부를 복개하여 상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하는 상부리드와; 상기 상부리드의 하측에 설치되어 상기 처리공간에 가스를 분사하는 샤워헤드부와; 기판을 직접 또는 기판이 안착된 트레이를 지지하도록 상기 챔버본체에 설치되는 기판지지부를 포함하며, 상기 샤워헤드부는 제1확산공간을 형성하고 저면에 다수개의 분사돌기들이 형성되며, 상기 제1확산공간으로부터 처리공간으로 가스를 분사하도록 제1분사공이 각 분사돌기를 관통하여 형성된 확산플레이트와; 제2확산공간을 형성하고 제2확산공간으로부터 처리공간으로 가스를 분사하도록 다수개의 제2분사공들이 형성되며 상기 확산플레이트에 형성된 각 분사돌기들이 관통하여 삽입되도록 각 분사돌기들에 대응되는 다수개의 끼움공들이 형성된 분사플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
상기 제1확산공간은 상기 상부리드의 저면과 상기 확산플레이트에 의하여 형성되며, 상기 제2확산공간은 상기 확산플레이트의 저면과 상기 분사플레이트에 의하여 형성될 수 있다.
상기 기판지지부 및 상기 샤워헤드부는 그 평면이 실질적으로 직사각형인 것이 바람직하다.
상기 기판은 트레이에 의하여 이송되고, 상기 기판지지부에는 히터가 설치되며, 상기 트레이는 상기 기판지지부와 면접촉을 이루도록 안착됨이 바람직하다.
상기 샤워헤드부는 중앙부분과 상기 중앙부분을 둘러싸는 주변부분으로 구획되며, 상기 주변부분에서의 가스분사량이 상기 중앙부분에서의 가스분사량보다 크도록 구성될 수 있다.
상기 샤워헤드부의 제1분사공 및 제2분사공들은 상기 중앙부분보다 상기 주변부분에서 그 수가 더 많게 구성될 수 있다.
상기 샤워헤드부의 제1분사공 및 제2분사공들은 상기 중앙부분보다 상기 주변부분에서 그 단면적이 더 크게 구성될 수 있다.
상기 샤워헤드부는 상기 중앙부분을 형성하는 제1샤워헤드블록과, 상기 제1샤워헤드블록과 조립되어 상기 주변부분을 형성하는 하나 이상의 제2샤워헤드블록을 포함할 수 있다.
상기 제1샤워헤드블록은 원형 또는 다각형을 이루는 것이 바람직하며, 상기 기판은 태양전지용 유리기판인 것이 바람직하다.
상기 제1확산공간 및 상기 제2확산공간은 기판위치에 따라서 서로 격리된 복수개의 서브공간들로 분할될 수 있다.
상기 제1확산공간 및 상기 제2확산공간의 서브공간들은 각각 개별적인 연결관으로 연결되며, 상기 서브공간들로 주입되는 가스주입량은 서로 독립적으로 제어될 수 있다.
상기 제1확산공간 및 상기 제2확산공간의 서브공간들은 제1확산공간 및 상기 제2확산공간을 구획하는 격벽에 의하여 형성되거나, 서로 분리된 복수개의 샤워헤드블록들로 형성될 수 있다.
상기 기판처리장치는 LPCVD를 수행할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 제1확산공간 및 제2확산공간을 형성하는 확산플레이트 및 분사플레이트에서 제1확산공간이 처리공간과 연통하도록 제1분사공이 형성된 분사돌기를 확산플레이트에 돌출형성하고 각 분사돌기가 삽입되는 끼움공을 분사플레이트에 형성함으로써 제1확산공간에서의 제1가스와 제2확산공간에서의 제2가스가 혼합될 우려 없이 처리공간으로의 분사를 가능케 함으로써 보다 원활한 기판처리를 가능하게 하는 이점이 있다.
더 나아가 본 발명에 따른 기판처리장치는 샤워헤드부를 중앙부분과 중앙부분을 둘러싸는 주변부분로 구획하고 주변부분에서의 가스분사량이 중앙부분에서의 가스분사량보다 크게 함으로써 기판처리의 균일도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대한 확대단면도이다.
도 3은 도 1의 기판처리장치의 샤워헤드부의 일예를 보여주는 저면도이다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대한 확대단면도이다.
도 3은 도 1의 기판처리장치의 샤워헤드부의 일예를 보여주는 저면도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1의 A부분을 확대한 확대단면도이다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 증착공정, 식각공정 등 기판처리를 수행하는 장치로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 상측에 개구부가 형성된 챔버본체와(110); 챔버본체(110)의 개구부를 복개하여 챔버본체(110)와 함께 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)와; 상부리드(120)의 하측에 설치되어 처리공간(S)에 가스를 분사하는 샤워헤드부(200)와; 기판(10)을 직접 또는 기판(10)이 안착된 트레이(20)를 지지하도록 챔버본체(110)에 설치되는 기판지지부(130)를 포함하여 구성된다.
특히 본 발명에 따른 기판처리장치는 저압 화학기상증착(LPCVD)인 기판처리를 수행하는 것이 바람직하다.
여기서 기판처리장치의 기판처리대상인 기판(10)은 LCD패널용 기판, 반도체기판, 태양전지용 실리콘기판, 태양전지용 유리기판 등 기판처리대상이면 어떠한 기판도 가능하다. 특히 본 발명에 따른 기판처리장치의 처리대상인 기판(10)은 그 평면이 실질적으로 직사각형의 형상을 가지는 것이 바람직하나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고 상기 트레이(20)는 하나 이상의 기판(10)을 적재하여 이송하기 위한 구성으로 설계 및 디자인에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판처리에 영향을 주지 않는 재질이면 어떠한 재질 및 구조도 가능하다.
예를 들면 상기 트레이(20)는 그레파이트(graphite), 석영 등의 비금속, 알루미늄, 알루미늄 합금 등의 금속 중 적어도 어느 하나로 제조될 수 있으며 그 형상은 직사각형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
상기 챔버본체(110)는 상측이 개방된 그릇 형태를 가지며, 기판(10)이 입출될 수 있는 게이트(101, 102)가 하나 이상 형성된다. 본 실시예에서는 실질적으로 직사각형 형상을 가지는 챔버본체(110)에서 한 쌍의 게이트(101, 102)들이 서로 대향되도록 형성된다.
상기 상부리드(120)는 챔버본체(110)의 상측에 실링부재(미도시)가 개재되어 탈착가능하게 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 플레이트 또는 하측이 개방된 그릇 형태를 가질 수 있다.
상기 기판지지부(130)는 기판처리가 원활하게 수행될 수 있도록 기판(10) 또는 트레이(20)를 지지하기 위한 구성으로서, 설계조건 및 공정조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
상기 기판지지부(130)는 기판처리가 원활하게 수행될 수 있도록 소정온도를 유지하기 위한 히터(미도시)가 설치될 수 있으며, 더 나아가 기판지지부(130)는 히터로만 구성될 수 있다.
이때 상기 기판지지부(130)를 구성하는 히터는 일체로 구성되거나, 트레이(20)를 지지하는 지지면을 기준으로 복수개로 히터들로 분할되어 설치될 수 있다.
여기서 상기 기판(10)이 트레이(20)에 의하여 지지되는 경우 기판(10)으로의 원활한 열전달을 위하여 트레이(20)는 기판지지부(130)의 상면과 면접촉을 이루도록 안착되는 것이 바람직하다.
한편 기판처리를 수행하기 위해서는 기판처리장치에 전원이 인가되도록 구성될 수 있는데 이 경우 그 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로서, 샤워헤드부(200)에 하나 이상의 RF전원, 하나 이상의 LF전원 등을 인가하여 상부전원을 구성하고, 기판지지부(130)를 접지시킴으로써 하부전원을 구성할 수 있다.
한편 상기 기판처리장치는 기판(10)이 트레이(20)에 의하여 이송되는 경우 트레이(20)를 이송하기 위한 트레이이송장치가 추가로 설치될 수 있으며, 트레이이송장치는 트레이(20)의 이송방식에 따라서 반송로봇 등으로 구성되거나, 벨트방식, 롤러방식 등 다양하게 구성될 수 있다.
한편 상기 기판지지부(130)는 기판(10) 또는 트레이(20)의 이송을 위한 다른 구성으로서, 반송로봇(미도시)에 의하여 이송시 기판(10) 또는 트레이(20)를 상하로 이동시키기 위한 리프트핀들이 설치될 수도 있다.
도면에서 설명하지 않은 도면부호 180은 처리공간(S)의 압력유지 및 배기하기 위한 배기관을 가리킨다.
상기 샤워헤드부(200)는 기판처리를 수행할 수 있도록 처리공간(S)의 상측에 설치되어 가스공급장치(미도시)로부터 가스를 공급받아 처리공간(S)으로 공급하기 위한 구성으로서, 공정 및 가스공급방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
한편 상기 샤워헤드부(200)는 처리공간(S)에서 혼합되어 반응함으로써 기판(10)에 대한 기판처리를 수행할 수 있도록 처리공간(S)으로 2종류 이상의 가스들을 분사하기 위한 구성으로서, 2종류 이상의 가스들이 혼합되지 않고 처리공간(S)으로 원활하게 분사되도록 구성될 필요가 있다.
따라서 상기 샤워헤드부(200)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1확산공간(DS1)을 형성하고 저면에 다수개의 분사돌기(211)들이 형성되며, 제1확산공간(DS1)으로부터 처리공간(S)으로 제1가스를 분사하도록 제1분사공(212)이 각 분사돌기(211)를 관통하여 형성된 확산플레이트(210)와; 제2확산공간(DS2)을 형성하고 제2확산공간(DS2)으로부터 처리공간(S)으로 제2가스를 분사하도록 다수개의 제2분사공(222)들이 형성되며 확산플레이트(210)에 형성된 각 분사돌기(211)들이 관통하여 삽입되도록 각 분사돌기(211)들에 대응되는 다수개의 끼움공(221)들이 형성된 분사플레이트(220)를 포함하여 구성된다.
여기서 상기 상부리드(120)는 제1확산공간(DS1) 및 제2확산공간(DS2)으로 가스를 공급할 수 있도록 외부에 설치된 가스공급장치와 연결되며 제1확산공간(DS1) 및 제2확산공간(DS2)과 각각 연통되는 하나 이상의 연결관(미도시)들이 설치된다.
상기 확산플레이트(210)는 상부리드(120) 또는 챔버본체(110)에 설치되어 제1확산공간(DS1)을 형성하기 위한 구성으로서 판상의 부재로 형성될 수 있으며 가장자리는 별도의 프레임(미도시) 또는 일체화된 프레임에 의하여 상부리드(120) 또는 챔버본체(110)에 설치될 수 있다.
여기서 상기 제1확산공간(DS1)은 확산플레이트(210)를 상부리드(120)의 저면과 간격을 두고 설치함으로써 상부리드(120)의 저면 및 확산플레이트(210)에 의하여 형성되며, 제2확산공간(DS2)은 확산플레이트(210)의 저면과 분사플레이트(220)에 의하여 형성될 수 있다.
상기 분사돌기(211)는 제1확산공간(DS1)과 처리공간(S)을 연통시켜 제2확산공간(DS2)의 제2가스와 혼합되지 않고 제1확산공간(DS1)으로부터 처리공간(S)으로 제1가스를 분사하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
상기 분사돌기(211)는 확산플레이트(210)와 일체로 형성되거나 별도의 부재로 형성된 후 확산플레이트(210)와 일체로 결합되거나 조립될 수 있다.
그리고 상기 분사돌기(211)는 분사플레이트(220)에 형성된 끼움공(221)에의 삽입이 원활하도록 원통형으로 형성됨이 바람직하며, 확산플레이트(210)와 분사플레이트(220)의 상면과의 간격을 유지할 수 있도록 그 외주면에 분사플레이트(220)의 상면에 걸림되는 걸림턱(213)이 형성될 수 있다.
상기 제1분사공(212)은 밀링 등의 기계가공 등 다양한 방법에 의하여 제1확산공간(DS1)과 처리공간(S)이 연통되도록 분사돌기(211)에 형성된다.
상기 분사플레이트(220)는 확산플레이트(220)의 저면과 간격을 두고 설치되어 제2확산공간(DS2)을 형성하기 위한 구성으로서 판상의 부재로 형성될 수 있으며 가장자리는 별도의 프레임(미도시) 또는 일체화된 프레임에 의하여 상부리드(120) 또는 챔버본체(110)에 설치될 수 있다. 여기서 상기 분사플레이트(220)는 다른 구성과 결합되지 않고 확산플레이트(210)에 결합될 수 있음은 물론이다.
상기 분사플레이트(220)는 앞서 설명한 바와 같이, 제2확산공간(DS2)으로부터 처리공간(S)으로 가스를 분사하도록 다수개의 제2분사공(222)들이 형성되며 확산플레이트(210)에 형성된 각 분사돌기(211)들이 관통하여 삽입되도록 각 분사돌기(211)들에 대응되는 다수개의 끼움공(221)들이 형성된다.
상기 제2분사공(222) 및 끼움공(221)은 밀링 등과 같이 기계가공 등 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있다.
상기 확산플레이트(210) 및 분사플레이트(220)의 재질은 기판처리에 영향을 주지 않은 재질이면 어떠한 재질도 가능하며, 전원인가가 가능하도록 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등 금속재질이 사용될 수 있다.
상기 샤워헤드부(200)가 분사하는 제1가스 및 제2가스는 단일 가스로 구성되거나 서로 반응하지 않거나 반응하여도 무방한 복수의 혼합가스들로 구성될 수 있다.
한편 상기 기판지지부(130) 및 샤워헤드부(200)는 그 평면이 실질적으로 직사각형으로 형성되는바, 기판처리장치는 중앙부분(C)과 중앙부분(C)을 둘러싸는 주변부분(R)에서의 가스분사량의 차이(또는 기판의 표면을 기준으로 기판의 위치에 따른 가스밀도의 차이)에 따른 기판처리의 불균일이 보완될 필요가 있다.
따라서 상기 샤워헤드부(200)는 중앙부분(C)과 중앙부분(C)을 둘러싸는 주변부분(R)으로 구획되며, 주변부분(R)에서의 가스분사량이 중앙부분(C)에서의 가스분사량보다 크게 구성됨이 바람직하다.
상기 주변부분(R)에서의 가스분사량이 중앙부분(C)에서의 가스분사량보다 크게 하는 구성의 일예로서, 샤워헤드부(200)의 제1분사공(212) 및 제2분사공(222)들은 중앙부분(C)보다 주변부분(R)에서 그 수가 더 많게 형성될 수 있다.
또한 상기 주변부분(R)에서의 가스분사량이 중앙부분(C)에서의 가스분사량보다 크게 하는 구성의 다른 예로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 샤워헤드부(200)의 제1분사공(212) 및 제2분사공(222)들은 중앙부분(C)보다 주변부분(R)에서 그 단면적이 더 크게 형성될 수 있다.
한편 상기 샤워헤드부(200)는 제1분사공(212) 및 제2분사공(222)들은 중앙부분(C)보다 주변부분(R)에서 그 수가 더 많게 형성되거나, 제1분사공(212) 및 제2분사공(222)들은 중앙부분(C)보다 주변부분(R)에서 그 단면적이 더 크게 형성되는 경우 가공이 어려운 문제점이 있다.
따라서 샤워헤드부(200)는 중앙부분(C)을 형성하는 제1샤워헤드블록(201)과, 제1샤워헤드블록(201)과 조립되어 주변부분(R)을 형성하는 하나 이상의 제2샤워헤드블록(202)을 포함하여 구성될 수 있다.
상기와 같이 샤워헤드부(200)를 복수개의 블록들로 구성하면 주변부분(R)에서의 가스분사량이 중앙부분(C)에서의 가스분사량보다 크게 하는 것이 훨씬 용이하다.
한편 상기 제1샤워헤드블록(201)은 원형 또는 다각형을 이룰 수 있으며, 상기 제2샤워헤드블록(202)은 제1샤워헤드블록(201)과 함께 전체적으로 평면이 직사각형을 형성할 수 있다.
또한 상기 제1샤워헤드블록(201) 및 제2샤워헤드블록(202)은 앞서 설명한 바와 같이 확산플레이트 및 분사플레이트로 구성되며, 각각 분기된 연결관들로 연결될 수 있음은 물론이다.
한편 상기 제1확산공간(DS1) 및 제2확산공간(DS2)은 각각 하나의 공간으로 형성될 수 있으나 상기한 바와 같이, 기판위치에 따른 가스분사량을 효과적으로 제어할 수 있도록 기판위치에 따라서 서로 격리된 복수개의 서브공간들로 분할되어 구성될 수 있다.
그리고 상기 제1확산공간(DS1) 및 제2확산공간(DS2)의 서브공간들은 각각 개별적인 연결관으로 연결되며, 서브공간들로 주입되는 가스주입량은 서로 독립적으로 제어될 수 있다.
상기 제1확산공간(DS1) 및 제2확산공간(DS2)의 서브공간들은 제1확산공간(DS1) 및 제2확산공간(DS2)을 구획하는 격벽에 의하여 형성되거나, 서로 분리된 복수개의 샤워헤드블록들로 형성될 수 있다.
한편 앞서 설명한 바와 같이 상기 샤워헤드부(200)가 제1샤워헤드블록(201) 및 제2샤워헤드블록(202)로 구성되는 경우 제1확산공간(DS1) 및 상기 제2확산공간(DS2)의 서브공간들은 제1샤워헤드블록(201) 및 제2샤워헤드블록(202)에 의하여 형성될 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
10 : 기판 20 : 트레이
110 : 챔버본체 120 : 상부리드
130 : 기판지지부
200 : 샤워헤드부
210 : 확산플레이트 220 : 분사플레이트
110 : 챔버본체 120 : 상부리드
130 : 기판지지부
200 : 샤워헤드부
210 : 확산플레이트 220 : 분사플레이트
Claims (13)
- 상측에 개구부가 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체의 개구부를 복개하여 상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하는 상부리드와; 상기 상부리드의 하측에 설치되어 상기 처리공간에 가스를 분사하는 샤워헤드부와; 기판을 직접 또는 기판이 안착된 트레이를 지지하도록 상기 챔버본체에 설치되는 기판지지부를 포함하며,
상기 샤워헤드부는
제1확산공간을 형성하고 저면에 다수개의 분사돌기들이 형성되며, 상기 제1확산공간으로부터 처리공간으로 가스를 분사하도록 제1분사공이 각 분사돌기를 관통하여 형성된 확산플레이트와;
제2확산공간을 형성하고 상기 제2확산공간으로부터 처리공간으로 가스를 분사하도록 다수개의 제2분사공들이 형성되며 상기 확산플레이트에 형성된 각 분사돌기들이 관통하여 삽입되도록 각 분사돌기들에 대응되는 다수개의 끼움공들이 형성된 분사플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1확산공간은 상기 상부리드의 저면과 상기 확산플레이트에 의하여 형성되며, 상기 제2확산공간은 상기 확산플레이트의 저면과 상기 분사플레이트에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 기판지지부 및 상기 샤워헤드부는 그 평면이 실질적으로 직사각형인 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 샤워헤드부는 중앙부분과 상기 중앙부분을 둘러싸는 주변부분으로 구획되며, 상기 주변부분에서의 가스분사량이 상기 중앙부분에서의 가스분사량보다 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 4에 있어서,
상기 샤워헤드부의 제1분사공 및 제2분사공들은 상기 중앙부분보다 상기 주변부분에서 그 수가 더 많은 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 4에 있어서,
상기 샤워헤드부의 제1분사공 및 제2분사공들은 상기 중앙부분보다 상기 주변부분에서 그 단면적이 더 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 4에 있어서,
상기 샤워헤드부는 상기 중앙부분을 형성하는 제1샤워헤드블록과, 상기 제1샤워헤드블록과 조립되어 상기 주변부분을 형성하는 하나 이상의 제2샤워헤드블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 7에 있어서,
상기 제1샤워헤드블록은 원형 또는 다각형을 이루는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제1확산공간 및 상기 제2확산공간은 기판위치에 따라서 서로 격리된 복수개의 서브공간들로 분할된 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 9에 있어서,
상기 제1확산공간 및 상기 제2확산공간의 서브공간들은 각각 개별적인 연결관으로 연결되며, 상기 서브공간들로 주입되는 가스주입량은 서로 독립적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 9에 있어서,
상기 제1확산공간 및 상기 제2확산공간의 서브공간들은 제1확산공간 및 상기 제2확산공간을 구획하는 격벽에 의하여 형성되거나, 서로 분리된 복수개의 샤워헤드블록들로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판은 태양전지용 유리기판인 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판처리장치는 LPCVD를 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100085781A KR20120023863A (ko) | 2010-09-02 | 2010-09-02 | 기판처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100085781A KR20120023863A (ko) | 2010-09-02 | 2010-09-02 | 기판처리장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120023863A true KR20120023863A (ko) | 2012-03-14 |
Family
ID=46131017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100085781A KR20120023863A (ko) | 2010-09-02 | 2010-09-02 | 기판처리장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20120023863A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190117230A (ko) * | 2018-04-06 | 2019-10-16 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치 |
-
2010
- 2010-09-02 KR KR1020100085781A patent/KR20120023863A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190117230A (ko) * | 2018-04-06 | 2019-10-16 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106337169B (zh) | 薄膜沉积装置 | |
| US10190214B2 (en) | Deposition apparatus and deposition system having the same | |
| KR20150101785A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR20100006115A (ko) | 가스분배판 및 이를 포함하는 기판처리장치 | |
| KR101525210B1 (ko) | 기판 처리장치 | |
| KR101568735B1 (ko) | 엘시디용 서셉터 및 섀도우프레임 기능을 구비한 히터 | |
| TWI621178B (zh) | Gas supply head, gas supply mechanism, and substrate processing apparatus | |
| KR101478151B1 (ko) | 대면적 원자층 증착 장치 | |
| KR20120082369A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101059064B1 (ko) | 대면적 가스분사장치 | |
| KR20100040037A (ko) | 기판이송용 트레이 및 이를 구비한 진공처리장치 | |
| KR101292817B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
| KR20120023863A (ko) | 기판처리장치 | |
| KR101828988B1 (ko) | 로드락 챔버 | |
| KR101152598B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| KR20120040802A (ko) | 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 박막 증착 장치 | |
| KR101131547B1 (ko) | 보트 및 그 보트를 포함하는 반도체 증착 장치 및 방법 | |
| KR101662364B1 (ko) | 가스 공급 헤드 및 기판 처리 장치 | |
| KR101513504B1 (ko) | 기판 처리장치 | |
| KR20130048304A (ko) | 기판처리장치 | |
| KR101994767B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리장치의 트레이 | |
| KR20110013631A (ko) | 대면적 챔버의 가스분사장치 | |
| KR20150088211A (ko) | 엘시디용 서셉터 및 섀도우프레임 기능을 구비한 히터 | |
| KR102328916B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR20190012032A (ko) | 기판 처리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |