TW201515258A - 利用微結構形成表面電漿的方法 - Google Patents
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Abstract
一種利用微結構形成表面電漿的方法，係於取得一基材體後，以一攜帶物質攜帶複數奈米金屬結構粒子於該基材體上以自組裝方式形成一微結構，其中，該微結構係由該些奈米金屬結構粒子以選自於由非連續面以及部分連續面的方式所構成。因此，藉由自組裝方式形成非連續面及部分連續面的微結構，而可作為表面電漿，以避免使用化學氣相沉積等高成本製程方式，達到大量降低製作成本以及製作時間的目的。除此之外，本發明亦打破表面電漿波的結構設計限制，進一步提升表面電漿波的產生效果。
Description
本發明係有關一種表面電漿的製作方法，尤指一種利用微結構形成表面電漿的方法。
金屬的「表面電漿作用」在現今的社會中應用的相當廣泛，研究人員發現以特別的方式設計奈米金屬結構於介電質間的介面，可以產生電磁波與奈米金屬結構的交互作用，並發現許多奇特的奈米光學性質，此類的光電特性都可利用改變本身的結構、尺寸、相對位置、週期性排列方式與奈米結構周圍介電質種類加以控制。若能夠掌控這些奈米結構參數，產生表面電漿共振效應，即可設計特殊的奈米結構系統，其所產生之表面電漿效應可應用於許多光電產品，以及學術方面研究與光電特性量測應用之上。由於其特性，表面電漿效應現階段已開始初步應用於如：拉曼光譜量測、薄膜厚度與光學常數量測、太陽能電池系統、光學感測器結構、生物感測器等眾多方面。
更特別的，表面電漿亦可用於提高發光二極體的發光效率。研究人員發現，在奈米金屬與介電質交界處的表面電漿效應可放大電磁場作用，產生所謂近場效應，而提高附近量子點或量子井的發光效率（SP-QW），進而提升固態發光二極體的出光效率與亮度。
甚至，由於量子井中的電子、電洞對復合時，其釋放光能並無方向性，在無其它引導機制下，造成可用光僅剩背對基板向上光。若此面出光需穿透異質層輻射至大氣中，其中產生之光學作用導致部分出光被侷限於異質層，轉換為其它能量形式而再次削減，形成出光量層層降低。若在異質層與外界接觸表面，設計一表面電漿結構，即可將因光學作用而損失之光能順利吸收形成耦合，再透過表面電漿結構中之設計，造成動量的損耗轉化為光子輻射而出，此即所謂的局部表面電漿共振效應（Localized Surface Plasmon Resonance, LSPR）。
其中如中華民國專利公告第I395348號之「半導體發光元件」所揭露之一種利用光放射效率高之表面電漿子（Surface Plasmon）的發光二極體元件，其中揭露了利用在金屬層表面形成特定形狀的複數透孔，將該些透孔依特定的位置進行排列形成金屬表面光柵後，可激發表面電漿子以獲得較佳的光放射效率。
另外，如中華民國專利公告第I363440號之「發光元件、發光二極體及發光元件之製造方法」，其揭露一種具有表面電漿耦合單元的發光二極體元件結構，利用表面電漿耦合單元之設置，產生表面電漿，進而提升發光二極體的發光效率。
然而，上述形成表面電漿的方法，大多是利用蒸鍍或濺鍍配合黃光光罩、顯影蝕刻的方式，形成複數個奈米金屬結構區塊，或再利用退火的方式使該些奈米金屬區塊因表面張力的影響而形成如球狀的結構，在製程上較為複雜而耗費成本。
表面電漿依照結構類型可分為有限厚度金屬薄膜表面電漿波（Surface Plasmon Polaritions, SPP）及侷域性表面電漿波（Localized Surface Plasmons, LSP)。其中，SPP可存在於金屬與介電質的表面，而LSP可以共振模式存在於奈米金屬結構間。就目前的技術而言，尚無技術可同時提供類SPP及LSP的表面電漿共振技術於同一系統性結構中。並且，目前也無法提供一較佳且低成本的製程方法以同時形成SPP及LSP的表面電漿。
再者，表面電漿一般來說僅能存在於金屬與介電質之間的區域，其結構設計受到極大的限制，仍有改進的空間。
本發明之主要目的，在於解決必須利用化學氣相沉積進行連續性的金屬結構沉積以產生表面電漿，而有高成本及耗時的問題。
本發明之另一目的，在於解決表面電漿共振區域的結構限制，形成立體表面電漿結構，提升表面電漿波的作用產生複合式效果。
為達上述目的，本發明提供一種利用微結構形成表面電漿的方法，包含有以下步驟：
S1：取得一基材體；以及
S2：以一攜帶物質攜帶複數奈米金屬結構粒子於該基材體上以自組裝方式形成一微結構，其中，該微結構係由該些奈米金屬結構粒子以選自於由非連續面以及部分連續面的方式所構成。
由上述說明可知，本發明之特點在於利用攜帶物質配合自組裝的方式，形成非連續面或部分連續面的微結構，進而作為表面電漿形成的結構，不需使用化學氣相沉積等高成本製程，而具有低成本、低製程時間的優勢。
10、10a‧‧‧基材體
11‧‧‧基板
12‧‧‧N型半導體層
13‧‧‧複合量子井層
14‧‧‧P型半導體層
15‧‧‧第二介電質層
20‧‧‧金屬粒子堆疊膜層
21‧‧‧奈米金屬結構粒子
22、22a‧‧‧攜帶物質
23‧‧‧奈米粒子懸浮膜
30‧‧‧第一介電質層
31‧‧‧第二粒子懸浮層
40、40a‧‧‧第一粒子懸浮層
50‧‧‧光阻
60‧‧‧透明導電層
70‧‧‧電極
81‧‧‧表面電漿發光二極體
82‧‧‧一般發光二極體
91‧‧‧對照曲線
92‧‧‧低轉速曲線
93‧‧‧高轉速曲線
L1、L2‧‧‧光吸收區
S1～S4、S21、S22、S23‧‧‧步驟
圖1，為本發明之步驟流程示意圖。
圖2A～2D，為本發明之結構製程示意圖。
圖3，為本發明第一實施例之微觀剖面示意圖。
圖4，為本發明第二實施例之步驟流程示意圖。
圖5，為本發明之掃描電子顯微鏡示意圖。
圖6，為本發明第三實施例之微觀剖面示意圖。
圖7A～7E，為本發明之發光二極體製程結構示意圖。
圖8，為本發明之發光二極體電流電壓曲線示意圖。
圖9A，為本發明之發光效率於20mA的轉換示意圖。
圖9B，為本發明之發光效率於350mA的轉換示意圖。
圖10，為本發明之光穿透曲線示意圖。
有關本發明之詳細說明及技術內容，現就配合圖示說明如下：
請參閱「圖1」及「圖2A」至「圖2D」所示，本發明係為一種利用微結構形成表面電漿的方法，包含有步驟：
S1：取得一基材體10，如「圖2A」所示，該基材體10可依據需求的不同而可為太陽能電池、光學感測器、發光二極體等光電元件或單一、複合膜層以作為基底。
S2：形成微結構，配合參閱「圖2B」所示，以一攜帶物質22攜帶複數奈米金屬結構粒子21於該基材體10上以自組裝方式形成一微結構，其中，該微結構係由該些奈米金屬結構粒子21以選自於由非連續面以及部分連續面的方式所構成。該攜帶物質22可為固體、液體或氣體，該些奈米金屬結構粒子21可為金、銀或鋁等金屬材質，或為上述金屬材質的化合物、合金或混和物等，該些奈米金屬結構粒子21均勻分散於該攜帶物質22中，該些奈米金屬結構粒子21於該攜帶物質22中的濃度於本實施例中係小於5000ppm，且金屬的粒徑介於1nm至100nm之間，加上氧化及混和物質後，其粒徑可能會大於100nm。其中，需特別說明的是，本發明所稱之「部分連續面」及「非連續面」係指該些奈米金屬結構粒子21之間的連接關係是部分連接的，或者是相互之間不連接的狀況，而非如利用化學氣相沉積，使得金屬係以分子狀態而為「完全連續面」的連接。而「部分連續面」與「非連續面」在特性上與「完全連續面」會有相當的不同，本發明因此特別強調必須為奈米級的金屬結構所形成的粒子狀物體，並以「部分連續面」或「非連續面」而形成的微結構，才得以作為本發明之表面電漿的形成方法。
於本發明之第一實施例中，該攜帶物質22為揮發性的液體，如為丙酮(ACE)或異丙醇 (IPA)，該步驟S2中更具有以下步驟：
S21：形成，以選自於由旋轉塗佈、噴塗、點滴塗佈及浸泡所組成之群組的方式將該些攜帶物質22及該些奈米金屬結構粒子21形成於該基材體10上，如「圖2B」所示；
S22：成型，該些奈米金屬結構粒子21相互之間藉由於該攜帶物質22中移動，而以自組裝方式形成複數個二維六角最密結構，此即為部分連續面的結構；及
S23：進行烘乾，如「圖2C」所示，使該攜帶物質22逐漸揮發，而該些二維六角最密結構層層堆疊形成一作為部分連續面構成微結構的金屬粒子堆疊膜層20，其中烘乾的溫度介於500℃以下，較佳的，烘乾的溫度可介於95℃～170℃之間，烘乾時間可於1hr之內，較佳的，烘乾時間可於30秒至5分鐘之間。
於上述說明中，係以旋轉塗佈作為實施例，旋轉塗佈之目的在於去除晶圓表面溶液中多餘未排列的奈米金屬結構粒子21並使薄膜均勻，於適當轉速與旋塗時間下，成膜厚度越均勻密緻。為了使該些奈米金屬結構粒子21形成該金屬粒子堆疊膜層20，於本實施例中，係控制旋轉塗佈的速度在8000rpm以下。而實際上，轉速係有關於成膜的厚度、均勻性，而濃度的控制牽涉到電特性、光特性、電場與磁場效應以及厚度等皆會有所不同。
完成上述之金屬粒子堆疊膜層20後，即可作為表面電漿之產生結構，但為了更進一步的解除表面電漿的產生限制，更可具有下列步驟：
S3：形成一第一介電質層30，如「圖2D」所示，於該金屬粒子堆疊膜層20遠離該基材體10的一側形成該第一介電質層30，該第一介電質層30之材質為氧化銦錫（ITO）、氧化鋁鋅（AZO）或氧化鋅（ZnO）等，該金屬粒子堆疊膜層20中的該些奈米金屬結構粒子21藉由吸附或擴散方式進入該第一介電質層30中，而形成一第一粒子懸浮層40，形成該第一介電質層30之方式係利用電子束蒸鍍、離子束蒸鍍、雷射式鍍膜、磊晶式鍍膜或電漿輔助化學氣相沉積等，藉此使特定波段產生繞射、折射、全反射等光學現象，以形成全反射消散場（Attenuated Total Reflection, ATR）強化表面電漿耦合機制。
透過該金屬粒子堆疊膜層20以及該第一粒子懸浮層40而分別形成有限厚度金屬薄膜表面電漿波（SPP）以及侷域性表面電漿波（LSP)，而可因近場效應發生共振之現象，即LSP-SPP減縮寫為SP-SP，藉此強化表面電漿作用，而可作為複合式的立體表面電漿結構。
需特別說明的是，除了往遠離該基材體10之一方形成粒子懸浮結構之外，亦可藉由活化該基材體10的方式，由該金屬粒子堆疊膜層20往該基材體10方向形成粒子懸浮結構，其中，如「圖3」所示，係可於步驟S1中，使該基材體10的表面或本身具有一第二介電質層15，而於後續進行該金屬粒子堆疊膜層20的製程時，使該些奈米屬結構粒子21藉由吸附或擴散方式進入該第二介電質層15中，形成一第二粒子懸浮層31。另外，亦可透過於500～600℃下進行加熱或於280℃、500Kg/cm2
進行壓合而活化該基材體10，同樣使該些奈米金屬結構粒子21進入該基材體10而形成該第二粒子懸浮層31。
除此之外，亦可藉由調整該些奈米金屬粒子21含量，在不形成該金屬粒子堆疊膜層20的狀況下，往該基材體10或該介電質層30方向以吸附或擴散等自組裝方式形成該第二粒子懸浮層31或該第一粒子懸浮層40。
再者，本發明亦揭露了一種形成金屬結構球的第二實施例，請配合參閱「圖4」所示，於步驟S1中，該基材體10具有複數凹槽（未圖示），而於完成上述步驟S2之後，直接進行步驟S4：沉積一介電物質於該金屬粒子堆疊膜層20上，該些奈米金屬結構粒子21會以自組裝方式包覆該介電物質，而形成複數結構球。藉由此結構，同樣也可達到產生表面電漿之效果，其掃描電子顯微鏡圖可參閱如「圖5」所示。
以巨觀來說，該金屬粒子堆疊膜層20係可形成所謂的有限厚度金屬薄膜表面電漿波（SPP）。此外，同樣以巨觀的角度來看，該第一粒子懸浮層40中含有奈米金屬結構粒子21成分以及介電質成分，且該第一粒子懸浮層40中的奈米金屬結構粒子21係由該金屬粒子堆疊膜層20表面的該些奈米金屬結構粒子21，透過化學吸附或物理擴散等因素而構成，亦即所謂的自組裝排列方式。因此，可將於該第一粒子懸浮層40上所形成的表面電漿波視為一侷域性表面電漿波（LSP)。因此，該金屬粒子堆疊膜層20與該第一粒子懸浮層40係可共同產生一複合式表面電漿波。由此，本結構為表面電漿有限厚度薄膜耦合共振膜態，並由表面電漿原理中，TE偏振光無法形成表面電漿，因其電場垂直入射面；而TM偏振電場平行入射面，而可形成連續波產生表面電漿。以本發明更進一步的舉例來說，吸收波段外光能可順利穿透，而吸收波段中，未獲吸收之光能（TE偏振光、吸收達飽和後多餘之TM偏振光）亦可穿透；而獲得吸收之光能，因金屬粒子堆疊膜層20以及第一粒子懸浮層40產生表面電漿耦合共振模態，轉化為TE偏振光出射。
除此之外，本發明亦可藉由製程條件的不同，而直接形成粒子懸浮結構，其係為本發明之第三實施例，請配合參閱「圖6」所示，於步驟S2中，該攜帶物質22a為非揮發性的液體，因此不會因為揮發或蒸發而消失，該些奈米金屬結構粒子21均勻分散於該攜帶物質22a中，接著以選自於由旋轉塗佈、噴塗、點滴塗佈及浸泡所組成之群組的方式形成於該基材體10上，並且透過自然乾燥或烘乾的方式，使該攜帶物質22a固化，而作為非連續面構成微結構的一奈米粒子懸浮膜23，因而同樣可作為表面電漿的產生結構。需特別說明，由於本實施例中的該些奈米金屬結構粒子21相互之間利用分散運動相互分隔，而相互之間不連接，形成非連續面的微結構。
因此，由上述的製作方法製得的複合式立體表面電漿波可應用於多種產業上，如發光二極體的發光效率提升、太陽能電池的光電轉換效率等。
以發光二極體的出光舉例來說，光路徑依序為：基材體10、金屬粒子堆疊膜層20、第一粒子懸浮層40、第一介電質層30，透過此光路徑而導引之出光，可不斷純化，提升其中TE偏振光比例與取光效率，也可降低因光學現象於整體結構所造成之光能耗損程度，而若將光路徑反過來亦可達到相同的作用。請配合參閱「圖7A」～「圖7E」，本發明係以水平式表面電漿發光二極體元件作為舉例說明：
P1：取得一基材體10a，該基材體10a為LED結構，首先，於基材體10a的表面進行清潔，如「圖7A」所示，其中該基材體10a包含有一基板11、一N型半導體層12、一複合量子井（Multiple Quantum wall, MQW）層13以及一P型半導體層14。
P2：利用微影配合一光阻50於該P型半導體層14上製作平台圖案並進行蝕刻，如「圖7B」所示，於本實施例中，是使用感應式耦合電漿蝕刻（Inductively Coupled Plasma-Reactive Ion Etching，ICP-RIE）進行蝕刻，去除光阻50後清潔晶圓。
P3：如「圖7C」所示，形成一奈米金屬結構粒子的塗層，係將一含有單一種類或多種混和之複數奈米金屬結構粒子21以及一攜帶物質22，利用選自於由旋轉塗佈、噴塗、點滴塗佈及浸泡等方式所組成之群組的方法，塗佈於該基材體10的表面。該攜帶物質22可為丙酮 (ACE)或異丙醇 (IPA) 或其他易揮發或沸點低之溶劑，該些奈米金屬結構粒子21可為金、銀或鋁等金屬材質，並可單獨作為該些奈米金屬結構粒子21，或以混和方式作為該些奈米金屬結構粒子21，或可為氧化物材質而塗佈後利用烘乾去除該攜帶物質22，以形成該金屬粒子堆疊膜層20。
P4：形成一透明導電層60於該金屬粒子堆疊膜層20上，利用電子束蒸鍍、離子束蒸鍍、雷射式鍍膜、磊晶式鍍膜或電漿輔助化學氣相沉積等方式，於該金屬粒子堆疊膜層20遠離該基材體10之表面形成該透明導電層60，而透過該透明導電層60之設置，可使特定波段產生繞射、折射、全反射等光學現象，因此，可形成全反射消散場（Attenuated Total Reflection, ATR）強化表面電漿耦合機制。其中，請配合參閱「圖7D」所示，該些奈米金屬結構粒子21以吸附擴散方式自行排列於該第一透明導電層60中，而於該第一透明導電層60相鄰該金屬粒子堆疊膜層20之一側形成該第一粒子懸浮層40a，由於形成該第一透明導電層60時，該些奈米金屬結構粒子21隨著該第一透明導電層60逐漸形成，而不斷因進行吸附、擴散等因素而懸浮於其中，使該些奈米金屬結構粒子21於第一透明導電層60中擴散，藉此自行排列形成該第一粒子懸浮層40a於第一透明導電層60中。藉此，該金屬粒子堆疊膜層20及該第一粒子懸浮層40a用以共同產生一複合式表面電漿波。
P5：製作電極70，如「圖7E」所示，分別於該透明導電層60及該N型半導體層12上形成個別的電極70，以形成發光二極體結構。
請再配合參閱「圖8」所示，其係為本發明所製作的具有複合式立體表面電漿結構的表面電漿發光二極體81以及一般發光二極體82的電流電壓曲線圖，可看出該表面電漿發光二極體81與一般發光二極體82的電壓電流轉換曲線並無太大差異。但在如「圖9A」輸入20mA電流及「圖9B」輸入350mA電流的發光效率表現圖中，可明顯的看出本發明之表面電漿發光二極體81的發光效率遠較一般發光二極體82的效率好上許多，由此可證明，本案確實利用複合式的立體表面電漿技術，提升發光二極體的發光效率。
請配合參閱「圖10」所示，其係為利用本發明所製作的結構對於不同波長的穿透率，也代表光的吸收率，其中，分別包含有一對照曲線91、一低轉速曲線92以及一高轉速曲線93，該對照曲線91為一般未有表面電漿的結構，該低轉速曲線92則代表利用低轉速之旋轉塗佈而形成該金屬粒子堆疊膜層20的光穿透曲線，該高轉速曲線93則代表利用高轉速之旋轉塗佈而形成該金屬粒子堆疊膜層20的光穿透曲線，因此，該低轉速曲線92所形成之金屬粒子堆疊膜層20較厚，相對的，該高轉速曲線93所形成之金屬粒子堆疊膜層20較薄。但不論是該低轉速曲線92或該高轉速曲線93，都可以明顯的看出有兩個光吸收區L1、L2，其係分別為本發明所稱之SPP及LSP的光吸收現象，進而代表本案之結構確實同時包含有SPP及LSP，而具有複合立體表面電漿的特點，具有更佳的利用效率。其中，於本實施例中，低轉速曲線92係代表轉速為2000rpm，高轉速曲線93代表轉速為4000rpm。
綜上所述，本發明具有下列特點：
一、不需使用高成本的沉積製程，而利用自組裝方式形成微結構，而達到表面電漿的形成效果。
二、利用該金屬粒子堆疊膜層上的奈米金屬結構粒子，形成該第一粒子懸浮層，進而使該金屬粒子堆疊膜層以及該第一粒子懸浮層皆可形成表面電漿波，打破傳統表面電漿的形成結構設計限制，而形成複合式立體表面電漿波，進一步提升表面電漿波的產生效果。
三、利用旋轉塗佈或噴塗、浸泡、點滴塗佈的方式，便可形成該金屬粒子堆疊膜層以及奈米金屬結構粒子的堆疊表面，讓後續的第一粒子懸浮層可順利成型，並有效降低製作成本。
四、可依據製程條件的設定，選擇進行金屬粒子堆疊膜層、第一粒子懸浮層、第二粒子懸浮層、結構球或者奈米粒子懸浮膜的形成，而可符合使用的需求。
五、藉由表面電漿耦合作用可提高其TE偏振性出光比例，可作為表面電漿式濾光膜。
六、利用旋轉塗佈、噴塗或浸泡等方式可一併搭配蝕刻製程進行中，而大幅降低製作成本以及製作程序的複雜度，符合使用需求。
七、使原本侷限之光能，因本結構使其轉換為出射光並具方向性，降低因光學現象於整體結構所造成之光能耗損程度。
八、該第一粒子懸浮層中粒子可視為LSP，與堆疊薄膜SPP可形成SP-SP的結構，而強化表面電漿作用。
九、由獲得吸收之入射光源產生之表面電漿，若逆推其形成耦合機制，可由表面電漿轉換為光子再次輻射而出，與其未獲得吸收之入射光源混合，造成混光效應產生出射光源。
十、可利用此製程設計，改變使用溶液中溶劑種類或溶質顆粒大小、濃度等參數，設計適當環境因素後，製作表面電漿光子晶體並定義其形狀，或製作固態量子處理器、固態儲存技術等磁性材料應用。
十一、若提高奈米金屬結構粒子於溶液中之濃度，可於適當溫度下，利用此結構進行剝離製程。
十二、於配置溶液時，因不同金屬表面電漿吸收波段不同，其所對應釋放頻譜波長亦不相同，因此可互為入射光源產生出射光，且該複數奈米金屬結構粒子可為單一種類或多種混合，藉以調配所需頻譜波長之混色出射光。
十三、若施作於不同類型基材體之上時，可將金屬粒子堆疊膜層以及第一介電質層直接撕起，覆蓋於另外一個空白基材體上，同樣也可產生表面電漿的相同效果。
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S1~S3、S21、S22、S23‧‧‧步驟
Claims (9)
- 一種利用微結構形成表面電漿的方法，包含有以下步驟：
S1：取得一基材體；以及
S2：以一攜帶物質攜帶複數奈米金屬結構粒子於該基材體上以自組裝方式形成一微結構，其中，該微結構係由該些奈米金屬結構粒子以選自於由非連續面以及部分連續面的方式所構成。 - 如申請專利範圍第1項所述之利用微結構形成表面電漿的方法，其中於步驟S2中，該攜帶物質為揮發性的液體，該些奈米金屬結構粒子於該攜帶物質中均勻分散，且該步驟S2中更具有以下步驟：
S21：以選自於由旋轉塗佈、噴塗、點滴塗佈及浸泡所組成之群組的方式將該攜帶物質及該些奈米金屬結構粒子形成於該基材體上；
S22：該些奈米金屬結構粒子相互之間於該攜帶物質中移動，而以自組裝方式形成複數個二維六角最密結構；及
S23：進行烘乾，使該攜帶物質逐漸揮發，而該些二維六角最密結構層層堆疊形成一作為部分連續面構成微結構的金屬粒子堆疊膜層。 - 如申請專利範圍第2項所述之利用微結構形成表面電漿的方法，其中該攜帶物質為丙酮或異丙醇。
- 如申請專利範圍第2項所述之利用微結構形成表面電漿的方法，其中於步驟S2之後，更具有步驟S3：形成一第一介電質層於該金屬粒子堆疊膜層遠離該基材體的一側，該金屬粒子堆疊膜層中的該些奈米金屬結構粒子藉由吸附或擴散方式進入該第一介電質層中，而形成一第一粒子懸浮層。
- 如申請專利範圍第4項所述之利用微結構形成表面電漿的方法，其中該第一介電質層之材質為選自於由氧化銦錫、氧化鋁鋅及氧化鋅所組成之群組。
- 如申請專利範圍第2項所述之利用微結構形成表面電漿的方法，其中於步驟S1中，該基材體具有複數凹槽，於步驟S2之後，更具有一步驟S4：沉積一介電物質於該金屬粒子堆疊膜層上，該些奈米金屬結構粒子會以自組裝方式包覆該介電物質，而形成複數結構球。
- 如申請專利範圍第1項所述之利用微結構形成表面電漿的方法，其中於步驟S2中，該些奈米金屬結構粒子藉由吸附或擴散方式進入該基材體中，形成一第二粒子懸浮層。
- 如申請專利範圍第1項所述之利用微結構形成表面電漿的方法，其中於步驟S1中，該基材體之表面具有一第二介電質層，於步驟S2中，該些奈米金屬結構粒子藉由吸附或擴散方式進入該第二介電質層中，形成一第二粒子懸浮層。
- 如申請專利範圍第1項所述之利用微結構形成表面電漿的方法，其中於步驟S2中，該攜帶物質為非揮發性的液體，該些奈米金屬結構粒子於該攜帶物質中均勻分散，並於該基材體上形成一作為非連續面構成微結構的奈米粒子懸浮膜。
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