JP2015076608A - マイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法 - Google Patents

マイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015076608A
JP2015076608A JP2014173397A JP2014173397A JP2015076608A JP 2015076608 A JP2015076608 A JP 2015076608A JP 2014173397 A JP2014173397 A JP 2014173397A JP 2014173397 A JP2014173397 A JP 2014173397A JP 2015076608 A JP2015076608 A JP 2015076608A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface plasmon
forming
metal nanoparticles
substrate
micro structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014173397A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6305873B2 (ja
Inventor
成聖 宗
Cheng-Sheng Tsung
成聖 宗
師豪 莊
Shih-Hao Chuang
師豪 莊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of JP2015076608A publication Critical patent/JP2015076608A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6305873B2 publication Critical patent/JP6305873B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00031Regular or irregular arrays of nanoscale structures, e.g. etch mask layer
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/01Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/008Surface plasmon devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0147Film patterning
    • B81C2201/0149Forming nanoscale microstructures using auto-arranging or self-assembling material
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/02Mechanical
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、化学蒸着を利用して連続的に金属構成に蒸着しなければ、表面プラズモンが発生しないため、高コスト且つ時間がかかるという問題を解決することにある。
【解決手段】本発明に係るマイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法は、基体を取得した後、担体によって複数の金属ナノ粒子を載置し、前記基体上において、自己集合するように非連続面及び一部連続面から選出するこれ等金属ナノ粒子より構成するマイクロ構成を形成している。そのため、自己集合するように非連続面及び一部連続面から選出するこれ等金属ナノ粒子より構成するマイクロ構成を表面プラズモンとすることで、化学蒸着等の高コストな方法の使用を避け、作成コストの削減及び作成時間の短縮という目的を達している。従来の表面プラズモン波の構成にある制限を破り、表面プラズモン波の発生効果をさらに向上している。
【選択図】図1

Description

本発明は、表面プラズモンの生成方法であって、特にマイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法に関するものである。
現在、金属の「表面プラズモン効果」は広範囲に応用されており、これは研究者が、特別な方法で設けたナノ金属構成が誘電体間の界面において、電磁波及びナノ金属構成の相互作用を発生させることができるということを発見し、且つ多くの特有なナノ光学的特性を発見して、これ等光学的特性は自身の、構成と、大きさと、相対的位置と、周期的配列方式と、マイクロ構成周辺にある誘電体の種類との変化を利用して制御することができる。もし、これ等のマイクロ構成パラメータが制御できれば、表面プラズモン共鳴を発生しることで、特殊なマイクロ構成システムを設けることができ、これによって発生した表面プラズモンの効果は、様々な光電製品、及び学術的研究や光電的特性の測定等に応用することができる。また、その特性により、表面プラズモンは、現段階において、ラマン分光測定、膜厚及び光学定数測定、太陽電池システム、光学センサ構成及びバイオセンサ等幅広い方面で徐々に応用が始まっている。
また、表面プラズモンは、発光ダイオードの発光効率を向上させるために用いることもできる。ナノ金属と誘電体との接合部分にある表面プラズモン効果は電磁界の作用を増強して、いわゆる近接場効果を発生することができ、近隣の量子ドット或いは量子井戸の発光効率(SP−QW)を高めることで、固体発光ダイオードの光学効率と輝度とを向上している。
さらに、量子井戸にある電子正孔対が再結合する際に光エネルギーが無方向性に放出するため、これを引導する機構がない状態において、利用可能な光は、基板を後にする上方向の光だけになってしまう。もしこの面から発光する場合、異質層を透過して大気中に放射する必要があり、そのうち、発生した光学的作用によって発光した一部の光が異質層に制限され、その他のエネルギー形式に転化してさらに削減され、発光量が層を重ねる毎に低下してしまう。もし、異質層と外界とが接触する表面に表面プラズモン構成を設けることで、光学的作用によって損失した光エネルギーを円滑に吸収して結合を形成し、さらに設けた表面プラズモン構成によって、運動量の損失を光子放射に転化して放出するようになり、このことを局在表面プラズモン共鳴(Localized Surface Plasmon Resonance、LSPR)と称している。
そのうち、特許文献1において、光放射効率の高い表面プラズモン(Surface Plasmon)を利用する発光ダイオード素子であって、そのうち、金属層表面に形成する特定形状の複数のスルーホールを利用して、これ等スルーホールを特定の位置に基づいて配列を行い、金属表面格子を形成した後、表面プラズモンを励起することで好ましい光放射効率を得ていることが掲示されている。
また、特許文献2において、表面プラズモン結合ユニットを有する発光ダイオード素子構成であって、表面プラズモン結合ユニットの設置を利用して表面プラズモンを発生することにより、発光ダイオードの発光効率を向上することが掲示されている。
しかしながら、上述する表面プラズモンを形成する方法の多くは、真空蒸着或いはスパッタリングにフォトマスク・現像・エッチングを用いた方法を利用してナノ金属構成ブロックを形成するか、或いは焼なまし方法をさらに利用して、これ等ナノ金属構成ブロックを表面張力の影響によって球状のような構成に形成するかといった製造工程上、複雑且つ高コストなものが殆どである。
また、表面プラズモンは構成によって、表面プラズモンポラリトン(Surface Plasmon Polariton、SPP)と、局在表面プラズモン(Localized Surface Plasmons、LSP)とに分けることができる。そのうち、SPPは金属と誘電体との表面に存在し、LSPは共鳴におけるナノ金属構成の間に介在している。現在の周知技術では、同一のシステム構成において、SPP及びLSPに近似する表面プラズモン共鳴を同時に提供する技術はない。また、現在、SPP及びLSPの表面プラズモンを同時に形成するような好ましく且つ低コストな製造工程を提供する方法もない。
さらにまた、表面プラズモンは、一般的に金属と誘電体との間のエリアにしか介在することができず、その構造の設計は多大な制限を受けており、改良の余地がある。
台湾特許公告第I395348号 台湾特許公告第I363440号
本発明の主要な目的は、化学蒸着を利用して連続的に金属構成に蒸着しなければ、表面プラズモンが発生しないため、高コスト且つ時間がかかるという問題を解決することにある。
本発明のもう一つの目的は、表面プラズモン共鳴エリアの構成の制限を解決するため、立体的な表面プラズモン構成を形成し、表面プラズモン波の作用を向上して多重的効果を発生することにある。
上述した目的を達成するため、本発明は、基体を取得する工程と、担体によって複数の金属ナノ粒子を載置して前記基体上において自己集合するように非連続面及び一部連続面から選出するこれ等金属ナノ粒子より構成するマイクロ構成を形成する工程と、を包括するマイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法を提供している。
上述した説明から分かるとおり、本発明の特徴は、担体によって自己集合することで、非連続面及び一部連続面のマイクロ構成を形成することにあり、さらに表面プラズモンを形成する構成としては、化学蒸着等の高コストな製造工程を必要とせず、低コスト且つ製造工程が短いという利点を有している。
本発明に係る工程を示すフローチャートである。 本発明に係る構成製造工程を示す模式図である。 本発明に係る構成製造工程を示す模式図である。 本発明に係る構成製造工程を示す模式図である。 本発明に係る構成製造工程を示す模式図である。 本発明に係る第一実施例を示す断面図である。 本発明に係る第二実施例を示す断面図である。 本発明に係る第三実施例を示す断面図である。 本発明を走査型電子顕微鏡で観察した図である。 本発明に係る第四実施例を示す断面図である。 本発明に係る発光ダイオードの製造工程を示す模式図である。 本発明に係る発光ダイオードの製造工程を示す模式図である。 本発明に係る発光ダイオードの製造工程を示す模式図である。 本発明に係る発光ダイオードの製造工程を示す模式図である。 本発明に係る発光ダイオードの製造工程を示す模式図である。 本発明に係る発光ダイオードの電流及び電圧を示す曲線図である。 本発明に係る発光効率が20mAの際の転換を示す模式図である。 本発明に係る発光効率が350mAの際の転換を示す模式図である。 本発明の光透過を示す曲線図である。
本発明に係る詳細な説明及び技術内容について、図面を参照しつつ以下において説明する。
図1乃至図5を参照すると、本発明は多重立体的表面プラズモンを形成する方法であって、以下の工程を含む。
基体10を取得する工程S1は、図2のように、前記基体10は、異なるニーズに基づき、太陽電池、光学センサ、発光ダイオード等の光学電子素子、或いは単一又は多重膜層とすることができる。
マイクロ構成を形成する工程S2は、図3のように、担体22によって複数の金属ナノ粒子21を載置して前記基体10上において自己集合するようにマイクロ構成を形成しており、そのうち、非連続面及び一部連続面から選出するこれ等金属ナノ粒子21より構成している。また、前記担体22は、固体、液体或いは気体とすることができ、これ等金属ナノ粒子21は、金、銀又はアルミニウム等の金属材質、或いは前記金属材質に係る化合物、合金又は混合物等とすることができ、これら金属ナノ粒子21は、前記担体22に均一に分散し、前記担体22における濃度は5000ppmであって、且つ金属の粒径は1nmから100nmの間にあり、さらに物質に酸化及び混合を行うと、その粒径はおそらく100nm以上となる。なお、本発明において称する「一部連続面」及び「非連続面」とは、これ等金属ナノ粒子21間の接続関係が部分的に接続するもの或いは相互間で接続していないものを指しており、化学蒸着を利用して金属を分子状態において「完全な連続面」となる接続関係ではない。「一部連続面」及び「非連続面」は特性上において、「完全な連続面」とは全く異なり、そのため、本発明は、「一部連続面」及び「非連続面」のナノクラスの金属構成により形成する粒子状物体によって構成するマイクロ構成であるからこそ、本発明に係る表面プラズモンの形成方法としていることを強調している。
本発明の第一実施例において、前記担体22は例えば、アセトン(ACE)或いはイソプロピルアルコール(IPA)等の揮発性の液体であって、前記工程S2において、以下のような工程をさらに有している。
形成工程S21は、図3のように、回転塗布、吹付け、点塗布及び浸し塗りから構成する群のいずれかの方法を選出することによってこれ等担体22及びこれ等金属ナノ粒子21を前記基体10上に形成している。
成形工程S22は、これ等金属ナノ粒子21が前記担体22の中で互いに移動することで、自己集合するように複数の二次元六方最密構造を形成、即ち、一部連続面の構成である。
熱乾燥工程S23は、図4のように、前記担体22を徐々に揮発させ、これ等二次元六方最密構造を幾層に堆積して一部連続面で構成するマイクロ構成とする金属粒子堆積膜層20を形成し、そのうち、熱乾燥温度は500℃以下であって、95℃から170℃の間が好ましく、熱乾燥時間は1時間以内であって、30秒から5分間の間が好ましい。
上述の説明は、回転塗布を実施例としており、回転塗布の目的は、ウエハ表面溶液中の余分な未配列の前記金属ナノ粒子21を取除き且つ薄膜を均一にし、適切な回転速度及び塗布時間の下、薄膜の厚さがより精密になることにある。これ等金属ナノ粒子21を前記金属粒子堆積膜層20に形成するため、本実施例において、回転塗布の速度を8000rpm以下に制御している。実際、回転速度は薄膜の厚さと、均一性とに関わり、濃度の制御は電気的特性と、光学的特性と、電場及び磁場効果と、厚さ等に関わり、それぞれ異なってくる。
前記金属粒子堆積膜層20が完成した後、表面プラズモンの発生構成とすることができるが、表面プラズモンで発生する制限をさらに解除するため、以下のような工程をさらに有することができる。
第一誘電体層30を構成する工程S3は、図5のように、前記基体10から離れた前記金属粒子堆積膜層20の側面に前記第一誘電体層30を形成し、前記第一誘電体層30の材質は、インジウム−スズ酸化物(ITO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、酸化亜鉛(ZnO)等であって、前記金属粒子堆積膜層20にあるこれ等金属ナノ粒子21は、吸着或いは拡散することによって前記第一誘電体層30に入り込み、第一粒子懸濁層40を形成しており、前記第一誘電体層30を形成する方法は、電子ビーム蒸着、イオンビーム蒸着、レーザ蒸着、エピタキシャル蒸着或いはプラズマ増強化学蒸着を利用しており、このことから、特定の帯域に回折、屈折、全反射等の光学的現象を発生させることで、減衰全反射(Attenuated Total Reflection、ATR)を形成して表面プラズモンの結合機構を増強している。
前記金属粒子堆積膜層20及び前記第一粒子懸濁層40を介して、表面プラズモンポラリトン(SPP)と、局在表面プラズモン(LSP)とをそれぞれ形成し、近接場効果が共鳴現象を発生することにより、LSP−SPPを略称してSP−SPとし、このことから、表面プラズモンの効果を増強し、多重立体的表面プラズモン構成とすることができる。
なお、前記基体10から離れた一方に粒子懸濁層を形成する以外に、前記基体10を活性する方法を介し、前記金属粒子堆積膜層20から前記基体10の方向に向かって粒子懸濁構成を形成することもでき、そのうち、図6のように、工程S1において、前記基体10の表面或いは本体に第二誘電体層15を有し、その後前記金属粒子堆積膜層20の製造工程を行うと、これ等金属ナノ粒子21は吸着或いは拡散することによって前記第二誘電体層15に入り込み、第二粒子懸濁層31を形成することができる。また、図7を参照すると、500℃から600℃において加熱するか、或いは280℃且つ500Kg/cmにおいて圧締するかにより前記基体10を活性し、同じようにこれ等金属ナノ粒子21は前記基体10に入り込み、第三粒子懸濁層32を形成することもでき、前記第二粒子懸濁層31及び前記第三粒子懸濁層32はいずれも前記基体10上に形成し、近似した効果を有している。
また、その他に、これ等金属ナノ粒子21の含量を調整することにより、前記金属粒子堆積膜層20を形成しない状況において、前記基体10或いは前記誘電体層30の方向に向かって吸着或いは拡散等の自己集合を行うことで前記第三粒子懸濁層32或いは前記第一粒子懸濁層40を形成することもできる。
また、本発明は、金属球状構成を構成する第三実施例も開示しており、図8を参照すると、前記工程S1において、前記基体10は複数の凹溝(図示されていない)を有し、前記工程S2が完成すると、そのまま誘電体物質を前記金属粒子堆積膜層20上に堆積する工程S4を行い、これ等金属ナノ粒子21は自己集合するように前記誘電体物質を被包して複数の球状構成を形成している。このことから、同じように表面プラズモンの効果を達成することができる。このことについては、走査型電子顕微鏡で観察した図9を参照してほしい。
巨視的にいうと、前記金属粒子堆積膜層20は、いわゆる表面プラズモンポラリトン(SPP)を形成することができる。また、同じく巨視的な角度で見ると、前記第一粒子懸濁層40は、金属ナノ粒子21の成分と誘電体の成分とを包括し、且つ前記第一粒子懸濁層40における金属ナノ粒子21は、化学吸着或いは物理的拡散等の要素によって前記金属粒子堆積膜層20にあるこれ等金属ナノ粒子21から構成し、即ち、いわゆる自己集合を行っている。そのため、前記第一粒子懸濁層40上に形成する表面プラズモンを局在表面プラズモン(LSP)とすることができる。また、前記金属粒子堆積膜層20は、前記第一粒子懸濁層40とともに多重表面プラズモン波を発生することができる。従って、本構成は、SPPとLSPとが結合された共振モードにおいて表面プラズモン波を生成することができ、表面プラズモンの原理において、TE偏光(Transverse Electric Polarized Light)は表面プラズモンを形成することはなく、その電場垂直入射面と、TM(Transverse Magnetic)偏光の平行入射面とによって、連続波を形成して表面プラズモンを発生している。本発明をさらに詳しくいうと、吸収帯域外の光エネルギーは円滑に透過し、吸収帯域内において、吸収されていない光エネルギー(TE偏光、及び吸収して飽和になった後の余分なTM偏光)も透過することができ、吸収された光エネルギーは、前記金属粒子堆積膜層20及び前記第一粒子懸濁層40により表面プラズモン結合共振態様が発生し、TE偏光に転化して射出される。
これ等以外に、本発明は、異なる製造工程の条件によって、直接、粒子懸濁構成を形成することもでき、それが本発明の第四実施例であって、図10を参照すると、前記工程S2において、前記担体22aは非揮発性の液体であるため、揮発或いは蒸発するということはなく、これ等金属ナノ粒子21は前記担体22aに均一に分散し、回転塗布、吹付け、点塗布及び浸し塗りから構成する群のいずれかの方法を選出することによって前記基体10上に形成し、且つ自然乾燥或いは熱乾燥を介して前記担体22aを硬化し、非連続面で構成するマイクロ構成とするナノ粒子懸濁膜23を形成しているため、同じように表面プラズモンの発生構成とすることができる。なお、本実施例におけるこれ等金属ナノ粒子21の間において、分散作用を利用して離間し合い、接続せず、非連続面のマイクロ構成を形成している。
そのため、上述の製造方法によって得た多重立体的表面プラズモンは、例えば、発光ダイオードの発光効率の向上や太陽電池の光変換効率等、様々な産業に応用することができる。
発光ダイオードの発光を例として挙げると、光路は順次に、基体10、金属粒子堆積膜層20、第一粒子懸濁層40、第一誘電体層30であって、この光路介して導引する発光は連続的に純化し、そのうちのTE偏光の比例及び光抽出効率を向上し、光学的現象によって全体の構成にもたらす光エネルギーの浪費程度を低減することもでき、光路の順序を反対にしても同じ効果に達することができる。図11乃至図15を参照すると、本発明を水平式表面プラズモン発光ダイオード素子を例として説明している。
LED構成である基体10aを取得する工程P1は、まず、図11のように、前記基体10a表面を洗浄し、そのうちの前記基体10aは、基板11と、N型半導体層12と、多重量子井戸(Multiple Quantum wall, MQW)層13とP型半導体層14とを包括している。
フォトリソグラフィを利用してフォトレジスト50と合わせ、前記P型半導体層14上にパターンを作成してエッチングを行う工程P2は、図12のように、本実施例において、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング(Inductively Coupled Plasma−Reactive Ion Etching、ICP−RIE)を用いてエッチングを行い、フォトレジスト50を除去した後ウエハを洗浄している。
図13のように、金属ナノ粒子21の塗布層を形成する工程P3は、単一種或いは多重混合種を包括する複数の金属ナノ粒子21及び担体22を、回転塗布、吹付け、点塗布及び浸し塗りから構成する群のいずれかの方法を利用して前記基体10の表面に塗布している。前記担体22は、アセトン(ACE)或いはイソプロピルアルコール(IPA)等の揮発し易い又は沸点が低い溶剤とすることができ、これ等金属ナノ粒子21は、金、銀又はアルミニウム等の金属材質であって、単一或いは混合してこれ等金属ナノ粒子21とすることができ、又は酸化物材質を塗布した後熱乾燥を利用して前記担体22を除去することで、前記金属粒子堆積膜層20を形成している。
透明導電層60を前記金属粒子堆積膜層20上に形成する工程P4は、電子ビーム蒸着、イオンビーム蒸着、レーザ蒸着、エピタキシャル蒸着或いはプラズマ増強化学蒸着等を利用して、前記金属粒子堆積膜層20が前記基体10から離れる表面に前記透明導電層60を形成し、前記透明導電層60の設置によって、特定の帯域に回折、屈折、全反射等の光学的現象を発生させることで、減衰全反射(Attenuated Total Reflection、ATR)を形成して表面プラズモンの結合機構を増強している。そのうち、図14を参照すると、これ等金属ナノ粒子21は、吸着、拡散するように前記透明導電層60に自己配列し、前記透明導電層60に近接する前記金属粒子堆積膜層20の側面に前記粒子懸濁層40aを形成しており、前記透明導電層60を形成する際、これ等金属ナノ粒子21は前記透明導電層60の形成に伴い、吸着、拡散する等の要素により連続的に懸濁するため、これ等金属ナノ粒子21は前記透明導電層60において拡散することから、前記透明導電層60に自己配列して前記第一粒子懸濁層40aを形成している。このことにより、前記金属粒子堆積膜層20は、前記第一粒子懸濁層40aとともに多重表面プラズモンを発生することができる。
電極70を作成する工程P5は、図15のように、前記透明導電層60及び前記N型半導体層12にそれぞれ個別の前記電極70を形成することで、発光ダイオード構成を形成している。
さらに図16を参照すると、本発明で制作した多重立体的表面プラズモン構成を有する表面プラズモン発光ダイオード81及び一般の発光ダイオード82の電流電圧を示す曲線図であって、前記表面プラズモン発光ダイオード81と前記一般の発光ダイオード82との電圧電流の転換を示す曲線において、殆ど差異はないことが見受けられる。しかし、図17のような20mAの電流及び図18のような350mAの電流を出力した発光効率を示す図において、本発明の前記表面プラズモン発光ダイオード81の発光効率が前記一般の発光ダイオード82の発光効率よりはるかに上回っていることが顕著に見受けられることから、本発明の多重立体的表面プラズモンの技術を利用して発光ダイオードの発光効率を向上することは明白である。
図19を参照すると、本発明で制作した構成が異なる波長に対する透過率、即ち光吸収率を示す図であって、対称曲線91と、低速回転曲線92と、高速回転曲線93とをそれぞれ包括しており、前記対称曲線91は、表面プラズモンを有さない一般的な構成を表し、前記低速回転曲線92は、低速回転の回転塗布を利用して形成する前記金属粒子堆積膜層20の光透過曲線を表し、前記高速回転曲線93は、高速回転の回転塗布を利用して形成する前記金属粒子堆積膜層20の光透過曲線を表し、このことから、前記低速回転曲線92が形成する前記金属粒子堆積膜層20は厚く、これに対して、前記高速回転曲線93が形成する前記金属粒子堆積膜層20は薄いことが分かるが、前記低速回転曲線92或いは前記高速回転曲線93のどちらであっても、二つの光吸収エリアL1、L2があることを顕著に見受けられ、それぞれ本発明で述べているSPP及びLSPの光吸収現象である。従って、本発明の構成は、確実にSPP及びLSPを同時に包括していることを表し、多重立体的表面プラズモンの利点を有しており、また、より好ましい利用効率を有している。なお、本実施例において、低速回転曲線92の回転速度は2000rpmであって、高速回転曲線93の回転速度は4000rpmである。
以上のことから、本発明は以下のような利点を有している。
第一に、高コストの蒸着製造工程を使用せず、自己集合を利用してマイクロ構成を形成して、表面プラズモンの形成効果を達している。
第二に、前記金属粒子堆積膜層上にある金属ナノ粒子を利用して前記第一粒子懸濁層を形成し、さらに前記金属粒子堆積膜層及び前記第一粒子懸濁層のいずれにおいて表面プラズモン波を形成し、従来の表面プラズモン波の形成構成にある制限を破り、多重立体的表面プラズモン波を形成し、表面プラズモン波の発生効果をさらに向上している。
第三に、回転塗布、吹付け、浸し塗り或いは点塗布を利用して前記金属粒子堆積膜層及び金属ナノ粒子の堆積表面を形成することで、その後の前記第一粒子懸濁層を円滑に成形し、且つ作成コストを有効的に低減している。
第四に、製造工程条件の設定に基づき、金属粒子堆積膜層、第一粒子懸濁層、第二粒子懸濁層、第三粒子懸濁層、球状構成或いはナノ粒子懸濁膜の形成を選択することができるため、使用のニーズに符合することができる。
第五に、表面プラズモン結合作用を利用してそのTE偏光の比例を高めることができるため、表面プラズモン式の光フィルタとすることができる。
第六に、エッチング製造工程において、回転塗布、吹付け、浸し塗りなどの方法を利用することは、作成コスト及び作成過程の複雑性を大幅に低減できるため、使用のニーズに符合することができる。
第七に、もともと制限されていた光エネルギーを、本構成によって射出光に転換し且つ方向性を有することで、光学的現象によって全体の構成に引き起こる光エネルギーの浪費程度を低減している。
第八に、前記第一粒子懸濁層にある粒子をLSPとすることで、堆積薄膜のSPPとSP−SP構成を形成するため、表面プラズモン効果を増強している。
第九に、吸収された入射光源によって発生する表面プラズモンは、反対から結合機構を形成すると、表面プラズモンから光子に転換して再び放射し、吸収されなかった入射光源と混合して射出光源を発生している。
第十に、この製造工程を利用して、溶液中に使用する溶剤の種類、或いは溶質粒子の大きさ又は濃度などのパラメータを変化し、環境要素に適合させると、表面プラズモンのフォトニック結晶を作成し且つその形状を定義するか、或いは固体量子プロセッサ、固体メモリ技術等の磁性材料に応用することができる。
第十一に、溶液における金属ナノ粒子の濃度を高めると、適切な温度下において、当該構成を利用して剥離工程を行うことができる。
第十二に、溶液を配置する際、異なる表面プラズモンによって吸収される帯域は異なるため、これに対応するスペクトル波長も異なり、そのため、互いに入射光源で発生する射出光とすることができ、且つ複数の前記金属ナノ粒子は、単一種或いは多種混合であってもよく、これによりスペクトル波長のニーズに応じた混合射出光に調整することができる。
第十三に、異なるタイプの基体の上に実施する場合、金属粒子堆積膜層及び第一誘電体層を直接剥がして、もう一つの空白の基体に被覆しても、同じように表面プラズモンの効果を発生している。
10 基体
10a 基体
11 基板
12 N型半導体層
13 多重量子井戸層
14 P型半導体層
15 第二誘電体層
20 金属粒子堆積膜層
21 金属ナノ粒子
22 担体
22a 担体
23 ナノ粒子懸濁膜
30 第一誘電体層
31 第二粒子懸濁層
40 第一粒子懸濁層
40a 第一粒子懸濁層
50 フォトレジスト
60 透明導電層
70 電極
81 表面プラズモン発光ダイオード
82 一般の発光ダイオード
91 対称曲線
92 低速回転曲線
93 高速回転曲線
L1 光吸収エリア
L2 光吸収エリア
S1 工程
S2 工程
S3 工程
S4 工程
S21 工程
S22 工程
S23 工程

Claims (9)

  1. 基体を取得する工程S1と、
    担体によって複数の金属ナノ粒子を載置し、前記基体上において、自己集合するように非連続面及び一部連続面から選出するこれ等金属ナノ粒子より構成する、マイクロ構成を形成する工程S2と、を包括することを特徴とするマイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法。
  2. 前記工程S2において、前記担体は揮発性の液体であって、これら金属ナノ粒子は前記担体に均一に分散し、且つ、
    回転塗布、吹付け、点塗布及び浸し塗りから構成する群のいずれかの方法を選出することによって、これ等担体及びこれ等金属ナノ粒子を前記基体上に形成する形成工程S21と、
    これ等金属ナノ粒子が前記担体の中で互いに移動することで、自己集合するように複数の二次元六方最密構造を形成する成形工程S22と、
    前記担体を徐々に揮発させ、これ等二次元六方最密構造を幾層に堆積して一部連続面で構成するマイクロ構成とする金属粒子堆積膜層を形成する熱乾燥工程S23と、をさらに包括することを特徴とする請求項1に記載のマイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法。
  3. 前記担体は、アセトン或いはイソプロピルアルコールであることを特徴とする請求項2に記載のマイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法。
  4. 前記工程S2の後、前記基体から離れた前記金属粒子堆積膜層の側面に前記第一誘電体層を形成し、前記金属粒子堆積膜層にあるこれ等金属ナノ粒子は吸着或いは拡散することによって前記第一誘電体層に入り込み、第一粒子懸濁層を形成する工程S3をさらに包括することを特徴とする請求項2に記載のマイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法。
  5. 前記第一誘電体層の材質は、インジウム−スズ酸化物、アルミニウムドープ酸化亜鉛、酸化亜鉛のいずれか一つであることを特徴とする請求項4に記載のマイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法。
  6. 前記工程S1において、前記基体は複数の凹溝を有し、前記工程S2の後、誘電体物質を前記金属粒子堆積膜層上に堆積し、これ等金属ナノ粒子は自己集合するように前記誘電体物質を被包して複数の球状構成を形成する工程S4をことを特徴とする請求項2に記載のマイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法。
  7. 前記工程S2において、これ等金属ナノ粒子は、吸着或いは拡散することによって前記基体に入り込み、第三粒子懸濁層を形成することを特徴とする請求項1に記載のマイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法。
  8. 前記工程S1において、前記基体の表面に第二誘電体層を有し、前記工程S2において、これ等金属ナノ粒子は吸着或いは拡散することによって前記第二誘電体層に入り込み、第二粒子懸濁層を形成することを特徴とする請求項1に記載のマイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法。
  9. 前記工程S2において、前記担体は、非揮発性の液体であって、これ等金属ナノ粒子は、前記担体に均一に分散し、前記基体上に非連続面で構成するマイクロ構成とするナノ粒子懸濁膜を形成することを特徴とする請求項1に記載のマイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法。
JP2014173397A 2013-10-09 2014-08-28 マイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法 Active JP6305873B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102136489A TWI472059B (zh) 2013-10-09 2013-10-09 A method of forming a surface plasma using a microstructure
TW102136489 2013-10-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015076608A true JP2015076608A (ja) 2015-04-20
JP6305873B2 JP6305873B2 (ja) 2018-04-04

Family

ID=51492816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014173397A Active JP6305873B2 (ja) 2013-10-09 2014-08-28 マイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9450154B2 (ja)
EP (1) EP2860152B1 (ja)
JP (1) JP6305873B2 (ja)
CN (1) CN104576873B (ja)
ES (1) ES2631178T3 (ja)
PL (1) PL2860152T3 (ja)
TW (1) TWI472059B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI581452B (zh) * 2014-10-24 2017-05-01 Nat Chunghsing Univ High light extraction rate of light-emitting diodes, conductive films, and conductive films The production method
CN108507678A (zh) * 2018-03-01 2018-09-07 东南大学 一种等离激元多谐振机制增强的可调超光谱探测芯片
CN113694241A (zh) * 2020-05-20 2021-11-26 宗成圣 一种除霾抑菌膜

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006343650A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Fuji Xerox Co Ltd 調光組成物、光学素子、及びその調光方法。
JP2007169347A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Shiga Pref Gov 無機酸化物構造体及びその製造方法
JP2009539629A (ja) * 2006-06-07 2009-11-19 インダストリー−ユニヴァーシティー コーポレーション ファウンデーション ハンヤン ユニヴァーシティー 化学的硬化によるナノ粒子の製造方法
WO2011115292A1 (ja) * 2010-03-19 2011-09-22 国立大学法人東京工業大学 細孔の中に金属ナノ粒子が担持されている多孔質構造を有する太陽電池
JP2012132804A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Kyoto Univ 光増強素子
JP2012244022A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Jx Nippon Oil & Energy Corp 光電変換素子
JP2013179016A (ja) * 2011-03-31 2013-09-09 Sumitomo Chemical Co Ltd 金属系粒子集合体

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8178165B2 (en) * 2005-01-21 2012-05-15 The Regents Of The University Of California Method for fabricating a long-range ordered periodic array of nano-features, and articles comprising same
EP2050792B1 (en) * 2006-08-09 2013-11-20 DIC Corporation Metal nanoparticle dispersion and production process of the same
TWI363440B (en) 2007-11-01 2012-05-01 Univ Nat Taiwan Light-emitting device, light-emitting diode and method for forming a light-emitting device
GB2455991B (en) * 2007-12-28 2010-12-01 Hauzer Techno Coating Bv A method of giving an article a coloured appearance and an article having a coloured appearance
TWI395348B (zh) 2008-06-05 2013-05-01 Alps Electric Co Ltd Semiconductor light emitting element
JP5560281B2 (ja) * 2008-11-17 2014-07-23 アイメック 有機デバイスの電気コンタクトを形成するための溶液処理方法
JP5312146B2 (ja) * 2009-03-30 2013-10-09 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 発光素子
US8223425B2 (en) * 2009-11-06 2012-07-17 Sharp Laboratories Of America, Inc. Plasmonic device tuned using physical modulation
US8895844B2 (en) * 2009-10-23 2014-11-25 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Solar cell comprising a plasmonic back reflector and method therefor
US9372283B2 (en) * 2009-11-13 2016-06-21 Babak NIKOOBAKHT Nanoengineered devices based on electro-optical modulation of the electrical and optical properties of plasmonic nanoparticles
WO2011065358A1 (ja) * 2009-11-27 2011-06-03 国立大学法人大阪大学 有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法
WO2011135922A1 (ja) * 2010-04-27 2011-11-03 独立行政法人物質・材料研究機構 近接場光源2次元アレイとその製造方法、2次元アレイ型表面プラズモン共振器、太陽電池、光センサー及びバイオセンサー
WO2012077756A1 (ja) * 2010-12-08 2012-06-14 公立大学法人大阪府立大学 金属ナノ粒子集積構造体を利用した被検出物質の検出装置および方法
CN102154010B (zh) * 2011-01-29 2014-08-06 陈哲艮 光增强光致发光材料及其制备方法和应用
KR20140043323A (ko) * 2011-02-09 2014-04-09 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 금속 미립자 분산 복합체 및 그 제조 방법, 그리고 국재형 표면 플라즈몬 공명 발생 기판
DE102011079063A1 (de) * 2011-07-13 2013-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements
US9490148B2 (en) * 2012-09-27 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Adhesion promoter apparatus and method
KR20150018246A (ko) * 2013-08-09 2015-02-23 한국전자통신연구원 유기발광 다이오드 및 이의 제조 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006343650A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Fuji Xerox Co Ltd 調光組成物、光学素子、及びその調光方法。
JP2007169347A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Shiga Pref Gov 無機酸化物構造体及びその製造方法
JP2009539629A (ja) * 2006-06-07 2009-11-19 インダストリー−ユニヴァーシティー コーポレーション ファウンデーション ハンヤン ユニヴァーシティー 化学的硬化によるナノ粒子の製造方法
WO2011115292A1 (ja) * 2010-03-19 2011-09-22 国立大学法人東京工業大学 細孔の中に金属ナノ粒子が担持されている多孔質構造を有する太陽電池
JP2012132804A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Kyoto Univ 光増強素子
JP2013179016A (ja) * 2011-03-31 2013-09-09 Sumitomo Chemical Co Ltd 金属系粒子集合体
JP2012244022A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Jx Nippon Oil & Energy Corp 光電変換素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP6305873B2 (ja) 2018-04-04
US20150228863A1 (en) 2015-08-13
US9450154B2 (en) 2016-09-20
US9293659B2 (en) 2016-03-22
TWI472059B (zh) 2015-02-01
EP2860152B1 (en) 2017-03-22
TW201515258A (zh) 2015-04-16
EP2860152A1 (en) 2015-04-15
CN104576873A (zh) 2015-04-29
PL2860152T3 (pl) 2017-09-29
CN104576873B (zh) 2017-07-14
ES2631178T3 (es) 2017-08-29
US20150099321A1 (en) 2015-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wang et al. Light management with patterned micro‐and nanostructure arrays for photocatalysis, photovoltaics, and optoelectronic and optical devices
Wang et al. Photon management in nanostructured solar cells
Jiang et al. Efficient colorful perovskite solar cells using a top polymer electrode simultaneously as spectrally selective antireflection coating
Zhu et al. Nanostructured photon management for high performance solar cells
Leung et al. Light management with nanostructures for optoelectronic devices
US9139917B2 (en) Transparent conductive porous nanocomposites and methods of fabrication thereof
Narasimhan et al. Nanostructures for photon management in solar cells
US20180122962A1 (en) Diffuse omni-directional back reflectors and methods of manufacturing the same
Kim et al. Boosting light harvesting in perovskite solar cells by biomimetic inverted hemispherical architectured polymer layer with high haze factor as an antireflective layer
Zhang et al. Coloring solar cells with simultaneously high efficiency by low-index dielectric nanoparticles
Lin et al. A broadband and omnidirectional light-harvesting scheme employing nanospheres on Si solar cells
Zhan et al. Micro‐Nano Structure Functionalized Perovskite Optoelectronics: From Structure Functionalities to Device Applications
TW200919743A (en) Dye-sensitized solar cell
JP6305873B2 (ja) マイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法
KR101449658B1 (ko) 금속 나노입자-산화 그래핀 복합체를 이용한 발광 파장 조절 재료 및 에너지 하비스팅 기술
Banerjee et al. Nanomirror-embedded back reflector layer (BRL) for advanced light management in thin silicon solar cells
Hekmat et al. Near field and far field plasmonic enhancements with bilayers of different dimensions AgNPs@ DLC for improved current density in silicon solar
CN101911319B (zh) 辐射发射体及制造辐射发射体的方法
Wang et al. Flexible semiconductor Technologies with Nanoholes-Provided high Areal Coverages and their application in Plasmonic-enhanced thin film Photovoltaics
KR20140036089A (ko) 전도성 산화물 나노입자를 이용한 표면 플라즈몬 공명 광학 소재, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광학 소자
KR101714904B1 (ko) 실리카 나노입자-그래핀 양자점 하이브리드 구조를 이용한 광전자 소자 및 그 제조방법
Chaoudhary et al. Broadband self-powered photodetection with p-NiO/n-Si heterojunctions enhanced with plasmonic Ag nanoparticles deposited with pulsed laser ablation
KR20220139721A (ko) 플라즈모닉 하이브리드 나노입자, 이산화티타늄 및 그래핀 양자점을 포함하는 uv 광검출기용 기판 및 이를 이용하는 uv 광검출기
Shih et al. Fundamental Properties of Localized Surface Plasmons of Organic Electro-Optical Devices Doped with Metallic Nano-Particles: A Review
O’Brien Selectively Transparent and Conducting Photonic Crystals and their Potential to Enhance the Performance of Thin-Film Silicon-Based Photovoltaics and Other Optoelectronic Devices

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150901

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151125

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160426

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20160819

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171225

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180307

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6305873

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250