TW201513317A - 無機發光二極體之畫素結構 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種無機發光二極體之畫素結構。第一電源線係設置於兩相鄰之第一子畫素與第二子畫素之間，且第一子畫素與第二子畫素與同一條第一電源線電性連接。此外，第一參考電位線係設置於第一子畫素相對於第二子畫素之另一側，且第二參考電位線係設置於第二子畫素相對於第一子畫素的另一側。第一子畫素與第二子畫素會具有實質上相同的長度。
Description
本發明係關於一種無機發光二極體之畫素結構，尤指一種具有子畫素等間距設計之無機發光二極體之畫素結構。
近年來，隨著科技的進步與半導體產業的日益發達，電子產品例如個人數位助理(personal digital assistant,PDA)、行動電話(mobile phone)、智慧型手機(smart phone)與筆記型電腦(notebook,NB)等產品的使用越來越普遍，並朝著便利、多功能且美觀的設計方向進行發展，以提供使用者更多的選擇。當使用者對電子產品的需求日漸提升，在電子產品中扮演重要角色的顯示螢幕/面板(display screen/panel)亦成為設計者關注的焦點。然而，除了讓顯示面板具有高亮度與低耗電等優點之外，更可解決顯示面板具有出光的均勻性、良率與可靠度等方面的表現不夠理想的缺點是現今顯示面板設計需要解決的方向。
本發明之目的之一在於提供一種無機發光二極體之畫素結構，以提升出光的均勻性。
本發明之一實施例提供一種無機發光二極體之畫素結構，包括複數個子畫素、一第一電晶體組、一第二電晶體組、至少一第一參考電位線、
至少一第二參考電位線、至少一資料線、至少一掃描線、一第一畫素電極、一第二畫素電極、至少兩個第一無機發光二極體、至少兩個第二無機發光二極體、至少一第一電源線以及至少一第二電源線。子畫素定義於一絕緣基板上並排列於同一列或同一行上，且子畫素至少包含一第一子畫素以及一與第一子畫素相鄰接的第二子畫素。第一子畫素至少具有一第一邊界、一第二邊界、一與第一邊界以及第二邊界連接之第三邊界，第二子畫素至少具有一第四邊界、一第五邊界、一與第四邊界以及第五邊界連接之第六邊界，且第一子畫素與第二子畫素相接之處具有一共用邊界，連接第一邊界、第二邊界、第四邊界與第五邊界。第一電晶體組設置於第一子畫素中，且第一電晶體組至少包含一第一切換元件、一第二切換元件與一第一驅動元件。第二電晶體組設置於第二子畫素中，且第二電晶體組至少包含一第三切換元件、一第四切換元件與一第二驅動元件。第一參考電位線設置於絕緣基板上，並位於第一子畫素之第三邊界處，其中，第一參考電位線電性連接於第二切換元件之一第一端。第二參考電位線設置於絕緣基板上，並位於第二子畫素之第六邊界處，其中，第二參考電位線電性連接於第四切換元件之一第一端。資料線設置於絕緣基板上，且電性連接第一切換元件之一第一端與第三切換元件之一第一端。掃描線設置於絕緣基板上，且電性連接第一切換元件之一控制端與第三切換元件之一控制端。第一畫素電極設置於第一子畫素中，且電性連接於第一驅動元件之一第一端。第二畫素電極設置於第二子畫素中，且電性連接於第二驅動元件之一第一端。第一無機發光二極體設置於第一子畫素之第一畫素電極上，各第一無機發光二極體至少包含一第一電極、一第二電極、一夾設於第一電極與第二電極間之一第一P-N二極體層。第二無機發光二極體設置於第二子畫素之第二畫素電極上，各第二無機發光二極體至少包含一第三電極、一第四電極、一夾設於第三電極與第四電極間之一第二P-N二極體層。第一電源線設置於絕緣基板上，並位於共用邊界處，其中，第一電源線電性連接各第一無機發光二極體之第二電極與各第二無機發光二極體之第
四電極。第二電源線設置於絕緣基板上，且電性連接該第一驅動元件之一第二端與第二驅動元件之一第二端。
在本發明之無機發光二極體之畫素結構中，第一電源線係設置於兩相鄰之第一子畫素與第二子畫素之間，且第一子畫素與第二子畫素共用同一條第一電源線所提供之OVSS訊號。此外，第一參考電位線係設置於第一子畫素之第三邊界，並提供第一參考電位訊號給第一子畫素，且第二參考電位線係設置於第二子畫素之第六邊界，並提供第二參考電位訊號給第二子畫素。藉由上述配置，第一電源線與第一參考電位線之間的第一間距可以實質上等於第一電源線與第二參考電位線之間第二間距，因此第一子畫素與第二子畫素會具有相等的長度，故可以有效提升出光均勻性。
10‧‧‧無機發光二極體之畫素結構
12‧‧‧子畫素
T1‧‧‧第一電晶體組
T2‧‧‧第二電晶體組
RL1‧‧‧第一參考電位線
RL2‧‧‧第二參考電位線
DL‧‧‧資料線
SL‧‧‧掃描線
PE1‧‧‧第一畫素電極
PE2‧‧‧第二畫素電極
LED1‧‧‧第一無機發光二極體
LED2‧‧‧第二無機發光二極體
PL1‧‧‧第一電源線
PL2‧‧‧第二電源線
14‧‧‧絕緣基板
121‧‧‧第一子畫素
122‧‧‧第二子畫素
B1‧‧‧第一邊界
B2‧‧‧第二邊界
B3‧‧‧第三邊界
B4‧‧‧第四邊界
B5‧‧‧第五邊界
B6‧‧‧第六邊界
CB‧‧‧共用邊界
SW1‧‧‧第一切換元件
SW2‧‧‧第二切換元件
D1‧‧‧第一驅動元件
Cst1‧‧‧第一儲存電容
SW3‧‧‧第三切換元件
SW4‧‧‧第四切換元件
D2‧‧‧第二驅動元件
Cst2‧‧‧第二儲存電容
t1‧‧‧控制端
t2‧‧‧第一端
t3‧‧‧第二端
SLA‧‧‧掃描線
SLB‧‧‧掃描線
SLC‧‧‧掃描線
SLD‧‧‧掃描線
161‧‧‧第一電極
162‧‧‧第二電極
163‧‧‧第一P-N二極體層
181‧‧‧第三電極
182‧‧‧第四電極
183‧‧‧第二P-N二極體層
15‧‧‧導電黏著層
13‧‧‧介電層
20‧‧‧圖案化堤壩
22‧‧‧保護層
24‧‧‧填充層
26‧‧‧透明電極
201‧‧‧第一開口
202‧‧‧第二開口
G1‧‧‧第一間距
G2‧‧‧第二間距
10’‧‧‧無機發光二極體之畫素結構
50‧‧‧無機發光二極體之畫素結構
SW5‧‧‧第五切換元件
SW6‧‧‧第六切換元件
60‧‧‧無機發光二極體之畫素結構
SW7‧‧‧第七切換元件
SW8‧‧‧第八切換元件
EML‧‧‧致能訊號線
70‧‧‧無機發光二極體之畫素結構
SW9‧‧‧第九切換元件
SW10‧‧‧第十切換元件
第1圖繪示了本發明之第一實施例之無機發光二極體之畫素結構的等效電路圖。
第2圖繪示了本發明之第一實施例之無機發光二極體之畫素結構的上視圖。
第3圖繪示了本發明之第一實施例之無機發光二極體之畫素結構的剖視圖。
第4圖繪示了本發明之第一實施例之變化實施例之無機發光二極體之畫素結構的等效電路圖。
第5圖繪示了本發明之第二實施例之無機發光二極體之畫素結構的等效電路圖。
第6圖繪示了本發明之第三實施例之無機發光二極體之畫素結構的等效電路圖。
第7圖繪示了本發明之第四實施例之無機發光二極體之畫素結構的等效電路圖。
請參考第1圖至第3圖。第1圖繪示了本發明之第一實施例之無機發光二極體之畫素結構的等效電路圖，第2圖繪示了本發明之第一實施例之無機發光二極體之畫素結構的上視圖，第3圖繪示了本發明之第一實施例之無機發光二極體之畫素結構的剖視圖。如第1圖至第3圖所示，本實施例之無機發光二極體之畫素結構10包括複數個子畫素12、一第一電晶體組T1、一第二電晶體組T2、至少一第一參考電位線RL1、至少一第二參考電位線RL2、至少一資料線DL、至少一掃描線SL、一第一畫素電極PE1、一第二畫素電極PE2、至少兩個第一無機發光二極體LED1、至少兩個第二無機發光二極體LED2、至少一第一電源線PL1以及至少一第二電源線PL2。子畫素12形成且定義於一絕緣基板14上，且子畫素12排列於同一列/行上，亦即子畫素12呈陣列排列。子畫素12至少包含一第一子畫素121以及一與第一子畫素121相鄰接的第二子畫素122。在本實施例中，第一子畫素121與第二子畫素122為位於同一行(第2圖之垂直方向)上之兩相鄰的子畫素12，但不以此為限。在一變化實施例中，第一子畫素121與第二子畫素122也可為位於同一列(第2圖之水平方向)上之兩相鄰的子畫素12。第一子畫素121至少具有一第一邊界B1、一第二邊界B2、一與第一邊界B1以及第二邊界B2連接之第三邊界B3，第二子畫素122至少具有一第四邊界B4、一第五邊界B5、一與第四邊界B4以及第五邊界B5連接之第六邊界B6，且第一子畫素121與第二子畫素122相接之處具有一共用邊界CB，連接第一邊界B1、第二邊界B2、第四邊界B4與第五邊界B5。精確地說，第一子畫素121的共用邊界CB可視為連接第一邊界B1與第二邊界B2，第二子畫素122的共用邊界CB可視為連接第四邊界B4與第五邊界B5，且第一子畫素121的共用邊界CB與第二子畫素122的共用邊界CB相接觸或重疊。其中，第三邊界B3與共用邊界CB相對應，且第六邊界B6與共用邊界CB相對應為一實施例，但不限於此。
第一電晶體組T1設置於第一子畫素121中，且第一電晶體組T1至少包含一第一切換元件SW1、一第二切換元件SW2、一第一驅動元件D1以及一第一儲存電容Cst1。第二電晶體組T2設置於第二子畫素122中，且第二電晶體組T2至少包含一第三切換元件SW3、一第四切換元件SW4、一第二驅動元件D2以及一第二儲存電容Cst2。在本發明之說明中使用的”切換元件”與”驅動元件”均可選用三端點元件，其具有一控制端t1、一第一端t2以及一第二端t3。舉例來說，切換元件與驅動元件可選用薄膜電晶體元件，其閘極為控制端t1，而其源極與汲極為第一端t2與第二端t3。
第一參考電位線RL1設置於絕緣基板14上，並位於第一子畫素121之第三邊界B3處，用以傳送一第一參考電位訊號至第一電晶體組T1；第二參考電位線RL2設置於絕緣基板14上，並位於第二子畫素122之第六邊界B6處，用以傳輸一第二參考電位訊號至第二電晶體組T2，其中第一參考電位訊號與第二參考電位訊號可為實質上相同或不同的訊號。本實施例，以第一參考電位線RL1訊號與第二參考電位線RL2訊號可為實質上相同為最佳範例，但不限於此。第一畫素電極PE1設置於第一子畫素121中，且第二畫素電極PE2設置於第二子畫素122中。第一電源線PL1設置於絕緣基板14上，並位於共用邊界CB處(亦即位於第一子畫素121與第二子畫素122之間)。在本實施例中，第一電源線PL1之電位不同於第二電源線PL2之電位。舉例而言，第一電源線PL1用以傳輸一OVSS訊號，而第二電源線PL2用以傳輸一OVDD訊號。所以，於驅動各子畫素121中所對應的無機發光二極體發光時，第二電源線PL2的訊號或電位，最佳地，實質上大於第一電源線PL1的訊號或電位，才能夠有足夠的訊號或電位來致能各子畫素122中所對應的無機發光二極體。再者，於驅動各子畫素12中所對應的無機發光二極體發光時，第二電源線PL2的訊號或電位，最佳地，也實質上大於第一參考電位線
RL1與第二參考電位線RL2的訊號或電位，才能夠驅動各子畫素12中所對應的無機發光二極體。其中，第一電源線PL1的訊號可選擇性地與第一參考電位線RL1及/或第二參考電位線RL2的訊號實質上相同或不同。另外，在本實施例中，投影於絕緣基板14上之第一電源線PL1與第一參考電位線RL1之間具有一第一間距G1，投影於絕緣基板14上之第一電源線PL1與第二參考電位線RL2之間具有一第二間距G2，且第一間距G1實質上等於第二間距G2。因此，第一子畫素121與第二子畫素122實質上會具有相等的長度。在本實施例中，第一畫素電極PE1、第二畫素電極PE2、第一參考電位線RL1、第二參考電位線RL2以及第一電源線PL1彼此電性絕緣。較佳地，第一畫素電極PE1、第二畫素電極PE2、第一參考電位線RL1、第二參考電位線RL2以及第一電源線PL1可由同一層圖案化導電層所形成，但不限於此。
第一切換元件SW1之控制端t1係與一掃描線SLA電性連接，第一端t2係與資料線DL電性連接，且第二端t3係與第二電源線PL2以及第一驅動元件D1之第二端t3電性連接。第二切換元件SW2之控制端t1係與另一掃描線SLB電性連接，第一端t2係與第一參考電位線RL1電性連接，且第二端t3係與第一驅動元件D1之控制端t1以及第二電源線PL2電性連接。第一驅動元件D1之控制端t1係與第二切換元件SW2之第二端t3電性連接，第一端t2係與第一畫素電極PE1電性連接，且第二端t3係與第一切換元件SW1之第二端t3以及第二電源線PL2電性連接。第一儲存電容Cst1係電性連接於第二電源線PL2與第二切換元件SW2之第二端t3之間，也就是說，第二電源線PL2可透過第一儲存電容Cst1與第二切換元件SW2之第二端t3電性連接。第三切換元件SW3之控制端t1係與一掃描線SLC電性連接，第一端t2係與資料線DL電性連接，且第二端t3係與第二電源線PL2以及第二驅動元件D2之第二端t3電性連接。第四切換元件SW4之控制端t1係與另一掃描線SLD電性連接，第一端t2係與第二參考電位線RL2電性連接，且
第二端t3係與第二驅動元件D2之控制端t1以及第二電源線PL2電性連接。第二驅動元件D2之控制端t1係與第四切換元件SW4之第二端t3電性連接，第一端t2係與第二畫素電極PE2電性連接，且第二端t3係與第三切換元件SW3之第二端t3以及第二電源線PL2電性連接。第二儲存電容Cst2係電性連接於第二電源線PL2與第四切換元件SW4之第二端t3之間，也就是說，第二電源線PL2可透過第二儲存電容Cst2與第四切換元件SW4之第二端t3。
第一畫素電極PE1係電性連接於第一驅動元件D1之第一端t2，且第二畫素電極PE2係電性連接於第二驅動元件D2之第一端t2。第一電源線PL1電性連接各第一無機發光二極體LED1之第二電極162與各第二無機發光二極體LED2之第四電極182。第二電源線PL2，設置於絕緣基板14上，且電性連接第一驅動元件D1之第二端t3與第二驅動元件D2之第二端t3。在本實施例中，掃描線SLA與掃描線SLB可為不同的掃描線，分別用以傳遞一掃描訊號，且掃描線SLA的掃描訊號的時序係落後於掃描線SLB的掃描訊號，例如掃描線SLA可為前一行之子畫素12的掃描線SL，而掃描線SLB可為下一行之子畫素12的掃描線SL；掃描線SLC與掃描線SLD可為不同的掃描線，分別用以傳遞一掃描訊號，且掃描線SLC的掃描訊號的時序係落後於掃描線SLD的掃描訊號，例如掃描線SLC可為前一行之子畫素12的掃描線SL，而掃描線SLD可為前一行之子畫素12的掃描線SL。此外，掃描線SLD的掃描訊號的時序可與掃描線SLA的掃描訊號的時序相同，但不以此為限。於它實施例中，掃描線SLA的掃描訊號可實質上相同於掃描線SLC的掃描訊號或者是掃描線SLB的掃描訊號可實質上相同於掃描線SLD的掃描訊號。
第一無機發光二極體LED1設置於第一子畫素121之第一畫素電極PE1上，且各第一無機發光二極體LED1至少包含一第一電極161、一第
二電極162、一夾設於第一電極161與第二電極162間之一第一P-N二極體層163。第二無機發光二極體LED2設置於第二子畫素122之第二畫素電極PE2上，各第二無機發光二極體LED2至少包含一第三電極181、一第四電極182、一夾設於第三電極181與第四電極182間之一第二P-N二極體層183。在本實施例中，第一無機發光二極體LED1與第二無機發光二極體LED2係選用上發光型發光二極體，因此第一電極161與第三電極181可為單層或多層結構，且其材料包含透明材料例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅、含有奈米金屬或合金顆粒的導電材料、奈米碳管、厚度約小於10奈米之金屬或合金、或其它合適的材料或反射材料例如金屬、合金、或其它合適的材料，而第二電極162與第四電極182為單層或多層結構，且其材料包含透明材料例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、含有奈米金屬或合金顆粒的導電材料、奈米碳管、厚度約小於10奈米之金屬或合金、或其它合適的材料。第一P-N(positive-negative)二極體層163與第二P-N二極體層183之材料可分別包括單層或多層的半導體材料層，其中各半導體材料層可為II-VI族材料例如硒化鋅(ZnS)、III-V族材料例如氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦(InN)或上述材料之合金。本實施例除了以第一P-N二極體層163與第二P-N二極體層183為範例之外，亦可使用P-I-N(positive-intrinsic-negative)二極體層、P-I(positive-intrinsic)二極體層、N-I(negative-intrinsic)二極體層、或其它合適的二極體層、或上述至少二種二極體層的串接/並接。另外，第一無機發光二極體LED1與第二無機發光二極體LED2的數目並不限定為兩顆，而可視亮度需求或其它考量而增加，例如三顆、四顆或更多。
在本實施例中，第一無機發光二極體LED1與第二無機發光二極體LED2係於製作完成後，再分別固定並電性連接於第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2上，而並非直接利用薄膜製程形成於第一畫素電極PE1與第
二畫素電極PE2上。舉例而言，可利用微機械裝置夾取或吸取第一無機發光二極體LED1與第二無機發光二極體LED2並利用導電黏著層15將第一無機發光二極體LED1與第二無機發光二極體LED2分別固定並電性連接於第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2上。也就是說，導電黏著層15係夾設於第一畫素電極PE1與各第一無機發光二極體LED1之第一電極161之間以及夾設於第二畫素電極PE2與各第二無機發光二極體LED2之第三電極181之間。導電黏著層15具備導電特性，並具有可熔化(meltable)特性，藉此可利用熱製程將導電黏著層15熔化。固定第一無機發光二極體LED1與第二無機發光二極體LED2可利用下列方法。先於第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2上分別形成對應的導電黏著層15，並將導電黏著層15熔化，再將第一無機發光二極體LED1與第二無機發光二極體LED2分別放置於所對應的導電黏著層15上且與導電黏著層15接觸，而待導電黏著層15固化後即可使第一無機發光二極體LED1與第二無機發光二極體LED2分別黏固並電性連接於第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2上；或者，將導電黏著層15先形成於第一無機發光二極體LED1與第二無機發光二極體LED2上，並將導電黏著層15熔化，接著再將第一無機發光二極體LED1與第二無機發光二極體LED2上的導電黏著層15分別放置於所對應的第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2上且與第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2接觸，而待導電黏著層15固化後即可使第一無機發光二極體LED1與第二無機發光二極體LED2分別黏固並電性連接於第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2上。另外，導電黏著層15的熔點可約低於350℃，例如約低於200℃，但高於約50℃，藉此在熱製程中不會造成第一無機發光二極體LED1、第二無機發光二極體LED2以及其它元件之受損。導電黏著層15可為導電膠或其它合適的導電材料，其導電材料可為例如銦(In)、鉍(Bi)、錫(Sn)、銀(Ag)、金、銅、鎵(Ga)與銻(Sb)之其中至少一者，但不以此為限。另外，第一電極161與第一P-N二極體層163之間以及第三電極181與第二P-N二極體層183可選擇性地具有承載基
板(圖未示)。承載基板可包括例如矽基板、碳化矽(SiC)基板、砷化鎵(GaAs)基板、氮化鎵(GaN)基板或藍寶石(sapphire)基板，但不以此為限。第一P-N二極體層163與第二P-N二極體層183係直接成長於承載基板的表面。另外，本實施例之第一無機發光二極體LED1與第二無機發光二極體LED2係選用微型無機發光二極體(或稱為微米等級等級的LED，μ-LED)，其尺寸(長度與寬度)實質上小於5微米，即無機發光二極體之尺寸是小於微米等級，但不以此為限。
此外，本發明之較佳實施例之無機發光二極體之畫素結構10更可包括一介電層13、一圖案化堤壩20、一保護層22、一填充層24以及一透明電極26。於其它實施例中，可選擇性的不包含圖案化堤壩20，而其它膜層，例如：介電層13、一保護層22、一填充層24以及一透明電極26，仍可存在於本發明之實施例中。介電層13設置於第一電晶體組T1與第二電晶體組T2上，並至少部分暴露出第一電晶體組T1之第一驅動元件D1與第二切換元件SW2以及第二電晶體組T2之第二驅動元件D2與第四切換元件SW4，藉此設置於介電層13上的第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2可分別與第一驅動元件D1之第一端t2以及第二驅動元件D2之第一端t2電性連接，且設置於介電層13上的第一參考電位線RL1與第二參考電位線RL2可分別與第二切換元件SW2之第一端t2以及第四切換元件SW4之第一端t2電性連接。介電層13可為單層或多層結構，且其材料較佳為無機材料例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁，但不以此為限。介電層13的材料亦可為其它適合的無機材料、有機材料(例如：光阻、聚苯並環丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚乙烯苯酚(poly(4-vinylphenol)，PVP)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene，PTFE)、聚亞醯胺、聚酯、或其它合適的材料)或有機/無機混成材料。圖案化堤壩20設置於絕緣基板
14上例如設置於介電層13上，其中圖案化堤壩20具有至少兩個第一開口201及至少兩個第二開口202，各第一開口201暴露出各第一無機發光二極體LED1，以及各第二開口202暴露出各第二無機發光二極體LED2。圖案化堤壩20的材料較佳為有機材料例如光阻、苯環丁烯(BCB)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚甲醛(POM)、聚對苯二甲酸二丁酯(PBT)、聚己內酯(PCL)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚酯(polyester)、聚乙烯(PE)、聚苯醚謎酮(PEEK)、聚乳酸(PLA)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)或聚偏二氯乙烯(PVDC)，但不以此為限。圖案化堤壩20可為單層或多層結構，且其材料亦可為其它適合的無機材料(例如可選自上述的無機材料)、有機材料(例如可選自上述的有機材料)或有機/無機混成材料。保護層22設置且覆蓋於絕緣基板14上例如覆蓋於圖案化堤壩20上，其中保護層22暴露出第一畫素電極PE1之一部份、第二畫素電極PE2之一部份、各第一無機發光二極體LED1、各第二無機發光二極體LED2、第一參考電位線RL1之一部份與第二參考電位線RL2之一部份。填充層24填充於第一畫素電極PE1被暴露出的部份與第二畫素電極PE2被暴露出的部份，更甚者，可填充於第一無機發光二極體LED1與保護層22之間所形成的空間以及第二無機發光二極體LED2與保護層22之間所形成的空間。保護層22可為單層或多層結構，且其材料較佳為無機材料例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁，但不以此為限。保護層22的材料亦可為其它適合的無機材料、有機材料(例如可選自上述有機的材料)或有機/無機混成材料。於其它實施例中，亦可選擇性地不設置保護層22，則填充層24就填充於第一畫素電極PE1被暴露出的部份與第二畫素電極PE2被暴露出的部份。另外，透明電極26係設置於保護層22上，以電性連接各第一無機發光二極體LED1之第二電極162與第一電源線PL1，以及電性連接各第二無機發光二極體LED2之第四電極182以及第一電源線PL1。在本實施例中，第一無機發光二極體LED1之第一電極161例如為陽極且第二電極162例如為陰極，第二無機發光二極體LED2之第三電極181例如為陽極
且第四電極182例如為陰極，但不以此為限。此外，用來電性連接第二電極162與第一電源線PL1的透明電極26以及用來電性連接第四電極182以及第一電源線PL1的透明電極26可以彼此電性連接或者電性隔離。
在本實施例中，第一電源線PL1係設置於兩相鄰之第一子畫素121與第二子畫素122之間，且第一子畫素121與第二子畫素122共用同一條第一電源線PL1所提供之OVSS訊號，此外，第一參考電位線RL1係設置於第一子畫素121之第三邊界B3，並提供第一參考電位訊號給第一子畫素121，且第二參考電位線RL2係設置於第二子畫素122之第六邊界B6，並提供第二參考電位訊號給第二子畫素122。也就是說，第一電源線PL1與第一參考電位線RL1之間不存在第二參考電位線RL2及/或第一電源線PL1與第二參考電位線RL2之間不存在第一參考電位線RL1。藉此，依照第一子畫素121與第二子畫素122排列於同一列時，在同一列方向上，上述導線會以第一參考電位線RL1、第一電源線PL1、第二參考電位線RL2以及第一電源線PL1的順序重覆排列。藉由上述配置，第一電源線PL1與第一參考電位線RL1之間的第一間距G1可以實質上等於第一電源線PL1與第二參考電位線RL2之間第二間距G2。同理，依照第一子畫素121與第二子畫素122排列於同一行時，在同一行方向上，上述導線會以第一參考電位線RL1、第一電源線PL1、第二參考電位線RL2以及第一電源線PL1的順序重覆排列，則第一子畫素121與第二子畫素122會具有實質上相同的長度，因此可以有效提升出光均勻性。
本發明之第一實施例之無機發光二極體之畫素結構的驅動單元(第一電晶體組或第二電晶體組)係選用3T1C架構，亦即各驅動單元包括三顆薄膜電晶體(兩顆切換元件與一顆驅動元件)以及一顆儲存電容，但不以此為限。本發明之無機發光二極體之畫素結構的驅動單元亦可選用其它適用之3T1C架構、3T2C架構、4T1C架構、4T2C架構、5T1C架構、5T2C架構、
6T1C架構、6T2C架構或其它適合的架構。下文將依序介紹本發明之其它實施例之無機發光二極體之畫素結構，且為了便於比較各實施例之相異處並簡化說明，在下文之各實施例中使用相同的符號標注相同的元件，且主要針對各實施例之相異處進行說明，而不再對重覆部分進行贅述。
請參考第4圖，並一併參考第2圖與第3圖。第4圖繪示了本發明之第一實施例之變化實施例之無機發光二極體之畫素結構的等效電路圖。如第4圖所示，本變化實施例之無機發光二極體之畫素結構10’是選用另一種適用的3T1C架構，其不同於第一實施例之處在於：第二電源線PL2僅與第一驅動元件D1的第二端t3電性連接，而未與第一切換元件SW1的第二端t3以及第二切換元件SW2的第二端t3電性連接；第二電源線PL2僅與第二驅動元件D2的第二端t3電性連接，而未與第三切換元件SW3的第二端t3以及第四切換元件SW4的第二端t3電性連接。另外，第一儲存電容Cst1係連接於第一驅動元件D1之控制端t1與第一端t2之間，且第二儲存電容Cst2係連接於第二驅動元件D2之控制端t1與第一端t2之間。在一變化實施例中，第一儲存電容Cst1可連接於第一驅動元件D1之控制端t1與第二端t3之間，且第二儲存電容Cst2可連接於第二驅動元件D2之控制端t1與第二端t3之間。
請參考第5圖，並一併參考第2圖與第3圖。第5圖繪示了本發明之第二實施例之無機發光二極體之畫素結構的等效電路圖。如第5圖所示，第二實施例之無機發光二極體之畫素結構50是一種4T1C架構，其中，第一電晶體組T1至少包含一第一切換元件SW1、一第二切換元件SW2、一第五切換元件SW5、一第一驅動元件D1以及一第一儲存電容Cst1，其中第五切換元件SW5電性連接第一無機發光二極體LED1與第二切換元件SW2；第二電晶體組T2至少包含一第三切換元件SW3、一第四切換元件SW4、一第六切換元件SW6、一第二驅動元件D2以及一第二儲存電容Cst2，其中第
六切換元件SW6電性連接第二無機發光二極體LED2與第四切換元件SW4。精確地說，第一切換元件SW1之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與資料線DL電性連接，且第二端t3係與第一驅動元件D1之控制端t1、第二切換元件SW2之第二端t3以及第五切換元件SW5之第一端t2電性連接。第二切換元件SW2之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與第一參考電位線RL1電性連接，且第二端t3係與第一切換元件SW1之第二端t3、第一驅動元件D1之控制端t1以及第五切換元件SW5之第一端t2電性連接。第一驅動元件D1之控制端t1係與第一切換元件SW1之第二端t3、第二切換元件SW2之第二端t3以及第五切換元件SW5之第一端t2電性連接，第一端t2係與第一畫素電極PE1電性連接，且第二端t3係與第二電源線PL2電性連接。第五切換元件SW5之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與第一切換元件SW1之第二端t3、第二切換元件SW2之第二端t3以及第一驅動元件D1之控制端t1電性連接，且第二端t3係與第一驅動元件D1之第一端t2以及第一畫素電極PE1電性連接。第一儲存電容Cst1係電性連接於第一切換元件SW1之第二端t3、第二切換元件SW2之第二端t3、第五切換元件SW5之第一端t2以及第一驅動元件D1之控制端t1之間。在本實施例中，第一切換元件SW1之控制端t1、第二切換元件SW2之控制端t1以及第五切換元件SW5之控制端t1可與相同的掃描線SL電性連接，但不以此為限。也就是說，第一切換元件SW1之控制端t1、第二切換元件SW2之控制端t1以及第五切換元件SW5之控制端t1之其中至少一者可與另一具有不同時序的掃描線SL電性連接。第三切換元件SW3之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與資料線DL電性連接，且第二端t3係與第二驅動元件D2之控制端t1、第四切換元件SW4之第二端t3以及第六切換元件SW6之第一端t2電性連接。第四切換元件SW4之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與第二參考電位線RL2電性連接，且第二端t3係與第三切換元件SW3之第二端t3、第二驅動元件D2之控制端t1以及第六切換
元件SW6之第一端t2電性連接。第二驅動元件D2之控制端t1係與第二切換元件SW2之第二端t3、第四切換元件SW4之第二端t3以及第六切換元件SW6之第一端t2電性連接，第一端t2係與第二素電極PE2電性連接，且第二端t3係與第二電源線PL2電性連接。第六切換元件SW6之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與第三切換元件SW3之第二端t3、第四切換元件SW4之第二端t3以及第二驅動元件D2之控制端t1電性連接，且第二端t3係與第二驅動元件D2之第一端t2以及第二素電極PE2電性連接。第二儲存電容Cst2係電性連接於第三切換元件SW3之第二端t3、第四切換元件SW4之第二端t3、第六切換元件SW6之第一端t2以及第二驅動元件D2之控制端t1之間。在本實施例中，第三切換元件SW3之控制端t1、第四切換元件SW4之控制端t1以及第六切換元件SW6之控制端t1可與相同的掃描線SL電性連接，但不以此為限。也就是說，第三切換元件SW3之控制端t1、第四切換元件SW4之控制端t1以及第六切換元件SW5之控制端t1之其中至少一者可與另一具有不同時序的掃描線SL電性連接。
請參考第6圖，並一併參考第2圖與第3圖。第6圖繪示了本發明之第三實施例之無機發光二極體之畫素結構的等效電路圖。如第6圖所示，第三實施例之無機發光二極體之畫素結構60是一種5T1C架構，其中，第一電晶體組T1至少包含一第一切換元件SW1、一第二切換元件SW2、一第五切換元件SW5、一第六切換元件SW6、一第一驅動元件D1以及一第一儲存電容Cst1，其中第五切換元件SW5電性連接於第二切換元件SW2與第六切換元件SW6，且第六切換元件SW6電性連接於第一無機發光二極體LED1；第二電晶體組T2至少包含一第三切換元件SW3、一第四切換元件SW4、一第七切換元件SW7、一第八切換元件SW8、一第二驅動元件D2以及一第二儲存電容Cst2，其中第七切換元件SW7電性連接於第四切換元件SW4與第八切換元件SW8，且第八切換元件SW8電性連接於第二無機發光
二極體LED2。精確地說，第一切換元件SW1之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與資料線DL電性連接，且第二端t3係與第五切換元件SW5之第一端t2以及第一儲存電容Cst1電性連接。第二切換元件SW2之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與第一參考電位線RL1電性連接，且第二端t3係與第五切換元件SW5之第二端t3以及第一驅動元件D1之控制端t1電性連接。第五切換元件SW5之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與第一切換元件SW1之第二端t3以及第一儲存電容Cst1電性連接，且第二端t3係與第二切換元件SW2之第二端t3以及第一驅動元件D1之控制端t1電性連接。第一驅動元件D1之控制端t1係與第二切換元件SW2之第二端t3以及第五切換元件SW5之第二端t3電性連接，第一端t2係與第六切換元件SW6之第一端t2以及第一儲存電容Cst1電性連接，且第二端t3係與第二電源線PL2電性連接。第六切換元件SW6之控制端t1係與一致能訊號線EML電性連接，第一端t2係與第一驅動元件D1之第一端t2以及第一儲存電容Cst1電性連接，且第二端t3係與第一畫素電極PE1電性連接。第三切換元件SW3之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與資料線DL電性連接，且第二端t3係與第七切換元件SW5之第一端t2以及第二儲存電容Cst2電性連接。第四切換元件SW4之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與第二參考電位線RL2電性連接，且第二端t3係與第七切換元件SW7之第二端t3以及第二驅動元件D2之控制端t1電性連接。第七切換元件SW7之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與第三切換元件SW3之第二端t3以及第二儲存電容Cst2電性連接，且第二端t3係與第四切換元件SW4之第二端t3以及第二驅動元件D2之控制端t1電性連接。第二驅動元件D2之控制端t1係與第四切換元件SW4之第二端t3以及第七切換元件SW7之第二端t3電性連接，第一端t2係與第八驅動元件SW8之第一端t2以及第二儲存電容Cst2電性連接，且第二端t3係與第二電源線PL2電性連接。第八驅動元件SW8之控制端t1係與一致能訊號線EML
電性連接，第一端t2係與第二驅動元件D2之第一端t2以及第二儲存電容Cst2電性連接，且第二端t3係與第二畫素電極PE2電性連接。
在本實施例中，第一切換元件SW1之控制端t1、第二切換元件SW2之控制端t1以及第五切換元件SW5之控制端t1可與相同的掃描線SL電性連接，但不以此為限。也就是說，第一切換元件SW1之控制端t1、第二切換元件SW2之控制端t1以及第五切換元件SW5之控制端t1之其中至少一者可與另一具有不同時序的掃描線SL電性連接。另外，與第六驅動元件SW6之控制端t1連接的致能訊號線EML可提供一致能訊號，且致能訊號線EML可電性連接或不連接於第一切換元件SW1之控制端t1、第二切換元件SW2之控制端t1或第五切換元件SW5之控制端t1所連接的掃描線SL。在本實施例中，第三切換元件SW3之控制端t1、第四切換元件SW4之控制端t1以及第七切換元件SW7之控制端t1可與相同的掃描線SL電性連接，但不以此為限。也就是說，第三切換元件SW3之控制端t1、第四切換元件SW4之控制端t1以及第七切換元件SW7之控制端t1之其中至少一者可與另一具有不同時序的掃描線SL電性連接。另外，與第八驅動元件SW8之控制端t1連接的致能訊號線EML可提供一致能訊號，且致能訊號線EML可電性連接或不連接於第三切換元件SW3之控制端t1、第四切換元件SW4之控制端t1以及第七切換元件SW7之控制端t1所連接的掃描線SL。
請參考第7圖，並一併參考第2圖與第3圖。第7圖繪示了本發明之第四實施例之無機發光二極體之畫素結構的等效電路圖。如第7圖所示，第三實施例之無機發光二極體之畫素結構70是一種6T1C架構，其中，第一電晶體組T1至少包含一第一切換元件SW1、一第二切換元件SW2、一第五切換元件SW5、一第六切換元件SW6、一第七切換元件SW7、一第一驅動元件D1以及一第一儲存電容Cst1，其中第五切換元件SW5電性連接於
第二電源線PL2與第六切換元件SW6，第六切換元件SW6電性連接於第一切換元件SW1與第一驅動元件D1，且第七切換元件SW7電性連接於第一驅動元件D1與第二切換元件SW2；第二電晶體組T2至少包含一第三切換元件SW3、一第四切換元件SW4、一第八切換元件SW8、一第九切換元件SW9、一第十切換元件SW10、一第二驅動元件D2以及一第二儲存電容Cst2，其中第八切換元件SW8電性連接於第二電源線PL2與第九切換元件SW9，第九切換元件SW9電性連接於第三切換元件SW3與第二驅動元件D2，且第十切換元件SW10電性連接於第二驅動元件D2與第四切換元件SW4。精確地說，第一切換元件SW1之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與資料線DL電性連接，且第二端t3係與第五切換元件SW5之第二端t3以及第一驅動元件D1之第二端t3電性連接。第二切換元件SW2之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與第一參考電位線RL1電性連接，且第二端t3係與第一驅動元件D1之控制端t1、第七切換元件SW7之第一端t2以及第一儲存電容Cst1電性連接。第五切換元件SW5之控制端t1係與第六切換元件SW6之控制端t1以及一致能訊號線EML電性連接，第一端t2係與第二電源線PL2以及第一儲存電容Cst1電性連接，且第二端t3係與第一切換元件SW1之第二端t3以及第一驅動元件D1之第二端t3電性連接。第一驅動元件D1之控制端t1係與第二切換元件SW2之第二端t3、第一儲存電容Cst1以及第七切換元件SW7之控制端t1與第一端t2電性連接，第一端t2係與第六切換元件SW6之第一端t2以及第七切換元件SW7之第二端t3電性連接，且第二端t3係與第一切換元件SW1之第二端t3以及第五切換元件SW5之第二端t3電性連接。第七切換元件SW7之控制端t1係與掃描線SL、第二切換元件SW2之第二端t3、第一儲存電容Cst1以及第一驅動元件D1之控制端t1電性連接，第一端t2係與第一驅動元件D1之控制端t1、第二切換元件SW2之第二端t3以及第一儲存電容Cst1電性連接，且第二端t3係與第一驅動元件D1之第一端t2以及第六切換元件SW6之第一端t2電性連接。第六
切換元件SW6之控制端t1係與第五切換元件SW5之控制端t1以及致能訊號線EML電性連接，第一端t2係與第一驅動元件D1之第一端t2以及第七切換元件SW7之第二端t3電性連接，且第二端t3係與第一畫素電極PE1電性連接。第三切換元件SW3之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與資料線DL電性連接，且第二端t3係與第八切換元件SW8之第二端t3以及第二驅動元件D2之第二端t3電性連接。第四切換元件SW4之控制端t1係與掃描線SL電性連接，第一端t2係與第二參考電位線RL2電性連接，且第二端t3係與第二驅動元件D2之控制端t1、第十切換元件SW10之第一端t2以及第二儲存電容Cst2電性連接。第八切換元件SW8之控制端t1係與第九切換元件SW9以及一致能訊號線EML之控制端t1電性連接，第一端t2係與第二電源線PL2以及第二儲存電容Cst2電性連接，且第二端t3係與第三切換元件SW3之第二端t3以及第二驅動元件D2之第二端t3電性連接。第二驅動元件D2之控制端t1係與第四切換元件SW4之第二端t3、第二儲存電容Cst2以及第十切換元件SW10之控制端t1以及第一端t2電性連接，第一端t2係與第九切換元件SW9之第一端t2以及第十切換元件SW10之第二端t3電性連接，且第二端t3係與第三切換元件SW3之第二端t3以及第八切換元件SW8之第二端t3電性連接。第十切換元件SW10之控制端t1係與掃描線SL、第四切換元件SW4之第二端t3、第二儲存電容Cst2以及第二驅動元件D2之控制端t1電性連接，第一端t2係與第二驅動元件D2之控制端t1電性連接，且第二端t3係與第二驅動元件D2之第一端t2以及第九切換元件SW9之第一端t2電性連接。第九切換元件SW9之控制端t1係與第八切換元件SW8之控制端t1以及致能訊號線EML電性連接，第一端t2係與第二驅動元件D2之第一端t2以及第十切換元件SW10之第二端t3電性連接，且第二端t3係與第二畫素電極PE2電性連接。
在本實施例中，第一切換元件SW1之控制端t1以及第二切換元
件SW2之控制端t1可與相同的掃描線SL電性連接，但不以此為限。也就是說，第一切換元件SW1之控制端t1以及第二切換元件SW2之控制端t1可與不同的掃描線SL電性連接。另外，與第五驅動元件SW5之控制端t1以及第六驅動元件SW6之控制端t1連接的致能訊號線EML可提供一致能訊號，且致能訊號線EML可電性連接或不連接於第一切換元件SW1之控制端t1或第二切換元件SW2之控制端t1所連接的掃描線SL。第三切換元件SW3之控制端t1以及第四切換元件SW4之控制端t1可與相同的掃描線SL電性連接，但不以此為限。也就是說，第三切換元件SW3之控制端t1以及第四切換元件SW4之控制端t1可與不同的掃描線SL電性連接。另外，與第八驅動元件SW8之控制端t1以及第九驅動元件SW9之控制端t1連接的致能訊號線EML可提供一致能訊號，且致能訊號線EML可電性連接或不連接於第三切換元件SW3之控制端t1或第四切換元件SW4之控制端t1所連接的掃描線SL。
值得說明的是，在本發明中，第一參考電位線RL1、第一電源線PL1以及第二參考電位線RL2的實體配置係如本發明之圖示所繪示的方式排列，而第二電源線PL2、掃描線SL、資料線DL以及其它元件的位置則不以圖示所繪示的排列方式為限。第4圖至第7圖所述之第一參考電位線RL1、第一電源線PL1以及第二參考電位線RL2的訊號或電位關係，可參閱第1圖中所述。
再者，本發明之實施例所述的驅動元件的極性型態，係與切換元件的極性型態相同，例如：N型薄膜電晶體為範例，但不限於此。於其它實施例中，驅動元件與切換元件的極性型態係為P型薄膜電晶體；或者是驅動元件的極性型態與前述切換元件至少一個的極性型態不同，例如：驅動元件為N型薄膜電晶體，而前述切換元件至少一個為P型薄膜電晶體、驅動元件為P型薄膜電晶體，而前述切換元件至少一個為N型薄膜電晶體、驅動元件
為N型薄膜電晶體，而前述所有的切換元件為P型薄膜電晶體、或者是驅動元件為P型薄膜電晶體，而前述所有的切換元件為N型薄膜電晶體。其中，上述多個薄膜電晶體結構至少一個可為底閘型、頂閘型或其它合適的薄膜電晶體結構，且上述多個薄膜電晶體結構中的半導體層可為單層或多層，且其材料可為非晶矽、多晶矽、多晶矽、微晶矽、奈米晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料、或其它合適的材料。
綜上所述，根據本發明之無機發光二極體之畫素結構的實體配置，第一電源線係設置於兩相鄰之第一子畫素與第二子畫素之間，且第一子畫素與第二子畫素係與同一條第一電源線電性連接。此外，第一參考電位線係設置於第一子畫素之第三邊界，並提供第一參考電位訊號給第一子畫素，且第二參考電位線係設置於第二子畫素之第六邊界，並提供第二參考電位訊號給第二子畫素。也就是說，第一電源線與第一參考電位線之間不存在第二參考電位線及/或第一電源線與第二參考電位線之間不存在第一參考電位線。藉由上述配置，第一電源線與第一參考電位線之間的第一間距可以實質上等於第一電源線與第二參考電位線之間第二間距。換言之，在行方向上第一子畫素與第二子畫素會具有相同的長度，因此可以有效提升出光均勻性。
10‧‧‧無機發光二極體之畫素結構
12‧‧‧子畫素
RL1‧‧‧第一參考電位線
RL2‧‧‧第二參考電位線
LED1‧‧‧第一無機發光二極體
LED2‧‧‧第二無機發光二極體
PL1‧‧‧第一電源線
14‧‧‧絕緣基板
121‧‧‧第一子畫素
122‧‧‧第二子畫素
B1‧‧‧第一邊界
B2‧‧‧第二邊界
B3‧‧‧第三邊界
B4‧‧‧第四邊界
B5‧‧‧第五邊界
B6‧‧‧第六邊界
CB‧‧‧共用邊界
Claims (12)
- 一種無機發光二極體之畫素結構，包括：複數個子畫素定義於一絕緣基板上，該等子畫素排列於同一列或同一行上，且該等子畫素至少包含一第一子畫素以及一與該第一子畫素相鄰接的第二子畫素，其中，該第一子畫素至少具有一第一邊界、一第二邊界、一與該第一邊界以及該第二邊界連接之第三邊界，該第二子畫素至少具有一第四邊界、一第五邊界、一與該第四邊界以及該第五邊界連接之第六邊界，且該第一子畫素與該第二子畫素相接之處具有一共用邊界，連接該第一邊界、該第二邊界、該第四邊界與該第五邊界；一第一電晶體組，設置於該第一子畫素中，且該第一電晶體組至少包含一第一切換元件、一第二切換元件與一第一驅動元件；一第二電晶體組，設置於該第二子畫素中，且該第二電晶體組至少包含一第三切換元件、一第四切換元件與一第二驅動元件；至少一第一參考電位線，設置於該絕緣基板上，並位於該第一子畫素之該第三邊界處，其中，該第一參考電位線電性連接於該第二切換元件之一第一端；至少一第二參考電位線，設置於該絕緣基板上，並位於該第二子畫素之該第六邊界處，其中，該第二參考電位線電性連接於該第四切換元件之一第一端；至少一資料線，設置於該絕緣基板上，且電性連接該第一切換元件之一第一端與該第三切換元件之一第一端；至少一掃描線，設置於該絕緣基板上，且電性連接該第一切換元件之一控制端與該第三切換元件之一控制端；一第一畫素電極，設置於該第一子畫素中，且電性連接於該第一驅動元件之一第一端； 一第二畫素電極，設置於該第二子畫素中，且電性連接於該第二驅動元件之一第一端；至少兩個第一無機發光二極體，設置於該第一子畫素之該第一畫素電極上，各該第一無機發光二極體至少包含一第一電極、一第二電極、一夾設於該第一電極與該第二電極間之一第一P-N二極體層；至少兩個第二無機發光二極體，設置於該第二子畫素之該第二畫素電極上，各該第二無機發光二極體至少包含一第三電極、一第四電極、一夾設於該第三電極與該第四電極間之一第二P-N二極體層；至少一第一電源線，設置於該絕緣基板上，並位於該共用邊界處，其中，該第一電源線電性連接各該第一無機發光二極體之該第二電極與各該第二無機發光二極體之該第四電極；以及至少一第二電源線，設置於該絕緣基板上，且電性連接該第一驅動元件之一第二端與該第二驅動元件之一第二端。
- 如請求項1所述之無機發光二極體之畫素結構，其中，投影於該絕緣基板上之該第一電源線與該第一參考電位線之間具有一第一間距，投影於該絕緣基板上之該第一電源線與該第二參考電位線之間具有一第二間距，且該第一間距實質上等於該第二間距。
- 如請求項1所述之無機發光二極體之畫素結構，更包含一導電黏著層，夾設於該第一畫素電極與各該第一無機發光二極體之該第一電極之間以及夾設於該第二畫素電極與各該第二無機發光二極體之該第三電極之間。
- 如請求項1所述之無機發光二極體之畫素結構，更包含一圖案化堤壩，設置於該絕緣基板上，其中該圖案化堤壩具有至少兩個第一開口及至少兩個第二開口，各該第一開口暴露出各該第一無機發光二極體，以及各該第二 開口暴露出各該第二無機發光二極體。
- 如請求項1所述之無機發光二極體之畫素結構，更包含一保護層，設置且覆蓋於該絕緣基板上，其中該保護層暴露出該第一畫素電極之一部份、該第二畫素電極之一部份、各該第一無機發光二極體、各該第二無機發光二極體、該第一參考電位線之一部份與該第二參考電位線之一部份。
- 如請求項5所述之無機發光二極體之畫素結構，更包含一填充層，填充於該第一畫素電極被暴露出的該部份與該第二畫素電極被暴露出的該部份。
- 如請求項5所述之無機發光二極體之畫素結構，更包含一透明電極，設置於該保護層上，以分別電性連接各該第一無機發光二極體之該第二電極、各該第二無機發光二極體之該第四電極以及該至少一第一電源線。
- 如請求項1所述之無機發光二極體之畫素結構，其中，該第一電源線之電位不同於該第二電源線之電位。
- 如請求項1所述之無機發光二極體之畫素結構，其中，該第一電源線與該第一參考電位線之間不存在該第二參考電位線及/或該第一電源線與該第二參考電位線之間不存在該第一參考電位線。
- 如請求項1所述之無機發光二極體之畫素結構，其中，該第一電晶體組另包含一第五切換元件，電性連接該等第一無機發光二極體與該第二切換元件；以及該第二電晶體組另包含一第六切換元件，電性連接該等第二無機發光二極體與該第四切換元件。
- 如請求項1所述之無機發光二極體之畫素結構，其中，該第一電晶體組 另包含一第五切換元件與一第六切換元件，該第五切換元件電性連接於該第二切換元件與該第六切換元件，且該第六切換元件電性連接於該等第一無機發光二極體；以及該第二電晶體組另包含一第七切換元件與一第八切換元件，該第七切換元件電性連接於該第四切換元件與該第八切換元件，且該第八切換元件電性連接於該等第二無機發光二極體。
- 如請求項1所述之無機發光二極體之畫素結構，其中該第一電晶體組另包含一第五切換元件、一第六切換元件與一第七切換元件，該第五切換元件電性連接於該第二電源線與該第六切換元件，該第六切換元件電性連接於該第一切換元件與該第一驅動元件，且該第七切換元件電性連接於該第一驅動元件與該第二切換元件；以及該第二電晶體組另包含一第八切換元件、一第九切換元件與一第十切換元件，該第八切換元件電性連接於該第二電源線與該第九切換元件，該第九切換元件電性連接於該第三切換元件與該第二驅動元件，且該第十切換元件電性連接於該第二驅動元件與該第四切換元件。
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