CN115633514A - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示装置，该显示基板包括：衬底；发光元件，设置在所述衬底上；所述发光元件包括沿着远离所述衬底方向依次层叠设置的第一电极、发光功能层以及第二电极；辅助电极层，所述辅助电极层设置在所述第二电极远离所述衬底一侧，并与所述第二电极电连接；介质层，设置在所述辅助电极层与所述第二电极之间；所述介质层包括至少一个介质图案，所述介质图案与所述发光功能层在所述衬底的正投影存在交叠，所述介质图案的竖截面呈上小下大的形状。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes，简称QLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED或QLED为发光元件、由薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。

无论OLED显示技术，还是QLED显示技术，应用在大中尺寸产品中，由于顶发射发光器件对于第二电极透过率要求较高，第二电极厚度需要小于20nm。而太薄的金属第二电极会存在较高的电阻，从而导致显示产品不同位置的亮度出现显著差异，影响显示产品的视觉体验。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：

衬底；

发光元件，设置在所述衬底上；所述发光元件包括沿着远离所述衬底方向依次层叠设置的第一电极、发光功能层以及第二电极；

辅助电极层，所述辅助电极层设置在所述第二电极远离所述衬底一侧，并与所述第二电极电连接；

介质层，设置在所述辅助电极层与所述第二电极之间；所述介质层包括至少一个介质图案，所述介质图案与所述发光功能层在所述衬底的正投影存在交叠，所述介质图案的竖截面呈上小下大的形状。

在示例性实施方式中，所述介质图案的竖截面呈正梯形。

在示例性实施方式中，所述介质图案的折射率大于所述第二电极的折射率。

在示例性实施方式中，所述介质层还包括位于所述介质图案外侧的开口图案，所述开口图案环绕所述介质图案的四周，所述辅助电极层通过所述开口图案与所述第二电极连接。

在示例性实施方式中，所述开口图案与所述发光功能层在所述衬底的正投影不交叠。

在示例性实施方式中，所述介质图案采用蒸镀材料。

在示例性实施方式中，所述介质图案为有机材料或无机材料。

在示例性实施方式中，所述介质图案包括靠近所述衬底一侧的第一表面和远离所述衬底一侧的第二表面，所述第一表面与所述第二电极接触，所述第二表面与所述辅助电极层接触。

在示例性实施方式中，所述辅助电极层与所述发光功能层在所述衬底的正投影存在交叠。

在示例性实施方式中，所述辅助电极层为单膜层结构，所述辅助电极层采用透明导电材料。

在示例性实施方式中，所述辅助电极层包括多个层叠设置且互相串联的透明导电层。

在示例性实施方式中，所述辅助电极层包括第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一透明导电层位于所述第二透明导电层靠近所述衬底一侧，且所述第一透明导电层与所述第二透明导电层电连接，所述第一透明导电层为氧化物半导体材料，所述第二透明导电层为金属材料。

在示例性实施方式中，所述辅助电极层包括第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层，所述第一透明导电层、所述第二透明导电层和所述第三透明导电层沿着远离所述衬底方向依次层叠设置，且依次串联，所述第一透明导电层和所述第三透明导电层均为氧化物半导体材料。

在示例性实施方式中，所述第二透明导电层为金属材料。

在示例性实施方式中，所述第二透明导电层包括至少一个第一图案、至少一个第二图案以及将相邻的第一图案和第二图案连接的过渡图案，至少部分所述第一图案与所述发光功能层在所述衬底的正投影存在交叠，所述第二图案和所述过渡图案均与所述发光功能层在所述衬底的正投影不交叠，所述第一图案的透光率均大于所述第二图案和所述过渡图案的透光率。

在示例性实施方式中，所述第一图案为金属互斥材料，所述第二图案为金属材料，所述过渡图案包括所述第一图案的材料和所述第二图案的材料。

在示例性实施方式中，所述第二电极的厚度大于1纳米小于6纳米。

第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述的显示基板。

第三方面，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：

在衬底上依次形成第一电极、发光功能层以及第二电极；

通过蒸镀工艺，在所述第二电极上形成介质层，所述介质层包括多个间隔设置的介质图案，所述介质图案与所述发光功能层在所述衬底的正投影存在交叠，所述介质图案的竖截面呈上小下大的形状；

在所述介质层上溅射形成辅助电极层，所述辅助电极层与所述第二电极电连接。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。

图1为本申请实施例显示基板的结构示意图；

图2为本申请实施例显示基板的剖示图一；

图3为本申请实施例显示基板的剖示图二；

图4为本申请实施例显示基板的剖示图三；

图5为本申请实施例显示基板的剖示图四。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

相关显示基板为了减小阴极的电阻，一般采用如下技术方案：1)选择电导率更高的金属作为阴极，但由于阴极金属的选择还需要考虑阴极相邻电子传输层的能级匹配，实际可以优化的空间较小。2)通过在非显示区增加金属走线(辅助阴极)，降低阴极电阻。3)在阴极上制备透明辅助电极，与阴极形成并联电阻，从而降低阴极电阻。

经本发明人研究发现，采用溅射工艺在第二电极上形成透明辅助电极时，溅射工艺的原理是使用高能量离子束轰击靶材，将离子动能传递给靶材原子，从靶材表面飞溅出来，沉积到基底表面。由于溅射能量很高，会损坏阴极和发光层，导致发光元件漏电流很高，高的漏电流会导致发光元件亮度衰减加快，影响发光元件的使用寿命。

本申请实施例提供了一种显示基板，包括：

衬底；

发光元件，设置在所述衬底上；所述发光元件包括沿着远离所述衬底方向依次层叠设置的第一电极、发光功能层以及第二电极；

辅助电极层，所述辅助电极层设置在所述第二电极远离所述衬底一侧，并与所述第二电极电连接；

介质层，设置在所述辅助电极层与所述第二电极之间；所述介质层包括至少一个介质图案，所述介质图案与所述发光功能层在所述衬底的正投影存在交叠，所述介质图案的竖截面呈上小下大的形状。

本申请实施例显示基板通过介质图案保护发光元件中的第二电极和发光层，介质图案将辅助电极层与第二电极隔开，避免在溅射形成辅助电极层过程中，损伤第二电极和发光层。本申请实施例显示基板能够在降低压降的同时，不会导致发光元件亮度衰减过快，延长发光元件的使用寿命。

图1为本申请实施例显示基板的结构示意图。在示例性实施方式中，如图1所示，在平行于显示基板的方向上，显示基板可以包括显示区域100、位于显示区域100一侧的绑定区域200以及位于显示区域100其它侧的边框区域300。在一些示例中，显示区域100可以是平坦的区域，包括组成像素阵列的多个子像素Pxij，多个子像素Pxij可以被配置为显示动态图片或静止图像，显示区域100可以称为有效区域(AA)。在一些示例中，显示基板可以采用柔性基板，因而显示基板可以是可变形的，例如卷曲、弯曲、折叠或卷起。

在示例性实施方式中，显示基板包括具有矩形形状的显示区域100。在一些实施例中，显示区域100也可以具有圆形形状、椭圆形形状或诸如三角形、五边形等的多边形形状。

在示例性实施方式中，子像素Pxij可以包括像素电路和发光元件，像素电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光控制线电连接，像素电路可以被配置为在扫描信号线和发光控制线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向发光元件输出相应的电流。每个子像素中的发光元件分别与所在子像素的像素电路连接，发光元件被配置为响应所在子像素的像素电路输出的电流发出相应亮度的光。

在示例性实施方式中，发光元件可以包括有机发光二极管(OLED)、微发光二极管(LED)、量子点发光二极管(QLED)中的一种。子像素可以通过发光元件发射光线，例如，红光、绿光、蓝光或白光。

在一些示例性实施例中，绑定区域200可以包括沿着远离显示区域100的方向依次设置的扇出区、弯折区、驱动芯片区和绑定引脚区。扇出区连接到显示区域100，至少包括数据扇出线，多条数据扇出线被配置为以扇出走线方式连接显示区域100的数据信号线。弯折区连接到扇出区，可以包括设置有凹槽的复合绝缘层，被配置为使驱动芯片区和绑定引脚区弯折到显示区域100的背面。驱动芯片区可以设置集成电路(IC，Integrated Circuit)，集成电路可以被配置为与多条数据扇出线连接。绑定引脚区可以包括绑定焊盘(BondingPad)，绑定焊盘可以被配置为与外部的柔性线路板(FPC，Flexible Printed Circuit)绑定连接。

在下文中，以本实施例显示基板中的发光元件为机发光二极管(OLED)作为示例，但是本实施例显示基板不限于此。在另一实施例中，显示基板中的发光元件可以为微发光二极管(LED)或量子点发光二极管(QLED)等。例如，显示基板中的发光元件的发光层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料与量子点、无机材料与量子点或者有机材料、无机材料与量子点。

图2为本申请实施例显示基板的剖示图一。图2示意了图1中显示区域100的二个发光元件的结构。在示例性实施方式中，如图2所示，在显示基板的厚度方向上(方向Z)，显示基板可以包括衬底1、像素界定层5、发光元件、辅助电极层4以及介质层3。

如图2所示，衬底1包括发光区域101和非发光区域102。

如图2所示，像素界定层5设置在非发光区域102上，像素界定层5中设置有像素开口，像素开口位于发光区域101。

如图2所示，发光元件设置在衬底1上；发光元件包括沿着远离衬底1方向依次层叠设置的第一电极203、发光功能层202和第二电极201。至少部分第一电极203位于衬底1的发光区域101上，像素界定层5的像素开口将第一电极暴露；发光功能层202位于衬底1的发光区域101上，且位于像素开口中，发光功能层202与第一电极203连接。第二电极201位于衬底1的发光区域101和非发光区域102上，且第二电极201位于像素界定层5和发光功能层202远离衬底1一侧，第二电极201将像素界定层5和发光功能层202覆盖，第二电极201与发光功能层202电连接。发光功能层202至少包括发光层，发光层在第一电极和第二电极201的驱动下发射显示光线。

如图2所示，辅助电极层4设置在第二电极201远离衬底1一侧，辅助电极层4位于衬底1的发光区域101和非发光区域102，辅助电极层4与第二电极201电连接，用于降低第二电极201的电阻，辅助电极层4与第二电极201在衬底1的正投影存在交叠。

如图2所示，介质层3设置在第二电极201与辅助电极层4之间。介质层3包括至少一个介质图案301，至少部分介质图案301位于衬底1的发光区域101，与发光功能层202在衬底的正投影存在交叠。示例的，介质图案301在衬底1的正投影覆盖对应的发光功能层202在衬底1的正投影，从而使介质图案301能够保护发光区域101上的第二电极201以及发光功能层202。介质图案301的竖截面呈上小下大的形状。其中，上小下大的形状是指介质图案301远离衬底1一侧的表面在衬底1的正投影位于介质图案301靠近衬底1一侧的表面在衬底1的正投影中，且介质图案301远离衬底1一侧的表面在衬底1的正投影的面积小于介质图案301靠近衬底1一侧的表面在衬底1的正投影的面积。示例的，介质图案301的竖截面呈正梯形。

在示例性实施方式中，介质图案301可以采用蒸镀材料。本申请实施例显示基板可以采用蒸镀工艺形成介质图案301。本申请实施例显示基板形成介质图案的过程中，通过蒸镀工艺在第二电极上形成介质材料薄膜，介质材料薄膜会由介质材料薄膜的中心区域向周边区域扩散，使形成的介质图案的中心区域的厚度大于介质图案的周边区域的厚度，使介质图案的竖截面呈上小下大的形状。

在示例性实施方式中，介质图案301可以为有机材料。其中，有机材料可以包括N,N′-二(1-萘基)-N、N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、三苯基二胺衍生物、N,N'-二苯基-N,N'-二(4'-(N,N-二(1-萘基)-胺基)-4-联苯基)-联苯胺、1,3,5-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯以及酞菁铜中的至少一种。

在示例性实施方式中，介质图案301可以为无机材料。无机材料可以包括三氧化钨、三氧化钨钼、硫化锌、氟化锂以及碳酸铯中的至少一种。

在示例性实施方式中，介质图案301采用有机材料，介质图案301的中心区域的厚度为30nm～100nm，对于发光元件发出的波长为530nm的光线，介质图案301的折射率n大于等于1.8；或者，对于发光元件发出的波长为450nm～780nm的光线，介质图案301的折射率n小于等于0.01，从而提高发光元件的光取出效率。

在示例性实施方式中，介质图案301采用无机材料，介质图案301的中心区域的厚度为30nm～100nm，对于发光元件发出的波长为530nm的光线，介质图案301的折射率n大于等于2.1；或者，对于发光元件发出的波长为450nm～780nm的光线，介质图案301的折射率n小于等于0.1，从而提高发光元件的光取出效率。

在示例性实施方式中，如图2所示，介质图案301的折射率大于第二电极201的折射率，从而提高发光元件的光取出效率。

在示例性实施方式中，如图2所示，介质图案301包括靠近衬底1一侧的第一表面和远离衬底1一侧的第二表面，介质图案301的第一表面至少与位于发光区域101上的第二电极201接触，介质图案301的第二表面至少与位于发光区域101上的辅助电极层4接触，使辅助电极层4在介质层3的第二表面上制作形成，避免辅助电极层4在发光区域101上的第二电极201上制作形成，解决在形成辅助电极层4的过程中对发光区域101上的第二电极201和发光功能层202造成损伤的问题。

在示例性实施方式中，如图2所示，在平行于显示基板的平面上，介质层3包括多个间隔设置的介质图案301以及位于介质图案301外侧的开口图案302，开口图案302将相邻的介质图案301隔开。开口图案302呈环状，环绕介质图案301的四周。开口图案302位于衬底1的非发光区域102上，与发光功能层202在衬底1的正投影不交叠。

在示例性实施方式中，如图2所示，开口图案302在介质层3的厚度方向将介质层3贯穿，开口图案302的底面为第二电极201远离衬底1一侧的表面，开口图案302的顶面为辅助电极层4靠近衬底1一侧的表面。辅助电极层4通过开口图案302与第二电极201连接。

本申请实施例显示基板通过在第二电极上增加辅助电极层，可以增加局部第二电极的厚度，有效降低第二电极电阻，提高显示产品的视觉体验，尤其应用在大中尺寸电致发光显示产品中优化效果更为明显。

在示例性实施方式中，本申请实施例显示基板中多个发光元件可以共用一个第二电极201，即一个第二电极201可以覆盖多个发光区域101上的发光功能层202，与多个发光功能层202电连接。

在示例性实施方式中，显示基板还可以包括其它膜层，如触控结构层等，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，衬底101可以是柔性基底，例如聚酰亚胺；或者可以是刚性基底，例如玻璃。

在示例性实施方式中，发光功能层202可以包括发光层(EML)以及如下任意一层或多层：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。

在示例性实施方式中，本发明实施例显示基板中第二电极201的厚度大于1纳米小于6纳米，本发明实施例显示基板通过减小第二电极201的厚度，以提高第二电极201的透光率。

本申请实施例显示基板通过介质层保护发光元件中的第二电极和发光功能层，介质层将辅助电极层与第二电极隔开，避免在溅射形成辅助电极层过程中，损伤第二电极和发光功能层。本申请实施例显示基板能够在降低压降的同时，不会导致发光元件亮度衰减过快，延长发光元件的使用寿命。

在示例性实施方式中，本申请实施例显示基板还包括封装层，封装层设置在辅助电极层4远离衬底1一侧，用于对发光元件进行封装，阻隔水氧对发光元件的腐蚀和破坏。

在示例性实施方式中，如图2所示，辅助电极层4可以为单膜层结构，辅助电极层4设置在介质层3上，辅助电极层4与发光功能层在衬底1的正投影存在交叠，且辅助电极层4与第二电极201电连接。

在示例性实施方式中，辅助电极层4可以采用透明导电材料，使辅助电极层4既具有导电性，又具有透光性，进而使辅助电极层4能够降低第二电极201电阻的同时，不会影响发光元件的透光。

在示例性实施方式中，辅助电极层4可以采用氧化物半导体材料。示例的，辅助电极层4可以包括铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)、铟镓锌氧化物(IGZO)或铝掺杂的氧化锌(AZO)等。辅助电极层4的厚度为50nm～500nm，对于发光元件发出的波长为532nm的光线，辅助电极层4的透光率大于90％。

在示例性实施方式中，辅助电极层可以为多膜层结构，辅助电极层可以包括多个层叠设置且互相串联的透明导电层，多个互相串联的透明导电层沿着远离衬底的方向依次设置。多个透明导电层组成的辅助电极层能够大幅度降低第二电极的电阻。

图3为本申请实施例显示基板的剖示图二。在示例性实施方式中，如图3所示，辅助电极层4为多膜层结构，辅助电极层4设置在介质层3上。辅助电极层4包括第一透明导电层401和第二透明导电层402，第一透明导电层401位于第二透明导电层402靠近衬底1一侧，且第一透明导电层401分别与第二透明导电层402和第二电极201电连接。

在示例性实施方式中，如图3所示，第一透明导电层401为氧化物半导体材料。示例的，氧化物半导体材料可以包括铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)、铟镓锌氧化物(IGZO)或铝掺杂的氧化锌(AZO)等。第一透明导电层401的厚度为50nm～500nm，对于发光元件发出的波长为532nm的光线，第一透明导电层401的透光率大于90％。

在示例性实施方式中，如图3所示，第二透明导电层402为金属材料。示例的，金属材料可以包括银(Ag)、金(Au)、钯(Pd)或铜(Cu)等。第二透明导电层402的厚度可以为1nm～10nm。

本申请实施例显示基板通过第一透明导电层401和第二透明导电层402形成的辅助电极层4，可以更大程度降低第二电极201电阻。

图4为本申请实施例显示基板的剖示图三。在示例性实施方式中，如图4所示，辅助电极层4为多膜层结构，辅助电极层4设置在介质层3上。辅助电极层4包括第一透明导电层401、第二透明导电层402和第三透明导电层403，第一透明导电层401、第二透明导电层402和第三透明导电层403沿着远离衬底1方向依次层叠设置，且依次串联。第一透明导电层401分别与第二透明导电层402和第二电极201电连接。

在示例性实施方式中，如图4所示，第一透明导电层401和第三透明导电层403均为氧化物半导体材料。示例的，第一透明导电层401和第三透明导电层403均可以包括铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)、铟镓锌氧化物(IGZO)或铝掺杂的氧化锌(AZO)等。第一透明导电层401和第三透明导电层403的厚度均可以为50nm～500nm，对于发光元件发出的波长为532nm的光线，第一透明导电层401和第三透明导电层40的透光率均大于90％。其中，第一透明导电层401和第三透明导电层403的材料可以相同或不同。

在示例性实施方式中，如图4所示，第二透明导电层402设置在第一透明导电层401和第三透明导电层403之间，第二透明导电层402为金属材料。示例的，金属材料可以包括银(Ag)、金(Au)、钯(Pd)或铜(Cu)等。第二透明导电层402的厚度可以为1nm～10nm。

本申请实施例显示基板通过第一透明导电层401、第二透明导电层402和第三透明导电层403形成的辅助电极层4，可以更大程度降低第二电极201电阻。

图5为本申请实施例显示基板的剖示图四。在示例性实施方式中，如图5所示，辅助电极层4为多膜层结构，辅助电极层4设置在介质层3上。辅助电极层4包括第一透明导电层401、第二透明导电层402和第三透明导电层403，第一透明导电层401、第二透明导电层402和第三透明导电层403沿着远离衬底1方向依次层叠设置，且依次串联。第一透明导电层401分别与第二透明导电层402和第二电极201电连接。

在示例性实施方式中，如图5所示，第一透明导电层401和第三透明导电层403均为氧化物半导体材料。示例的，第一透明导电层401和第三透明导电层403均可以包括铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)、铟镓锌氧化物(IGZO)或铝掺杂的氧化锌(AZO)等。第一透明导电层401和第三透明导电层403的厚度均可以为50nm～500nm，对于发光元件发出的波长为532nm的光线，第一透明导电层401和第三透明导电层40的透光率均大于90％。其中，第一透明导电层401和第三透明导电层403的材料可以相同或不同。

在示例性实施方式中，如图5所示，第二透明导电层402包括至少一个第一图案4021、至少一个第二图案4022以及将相邻的第一图案4021和第二图案4022连接的过渡图案4023，至少部分第一图案4021与发光功能层202在衬底的正投影存在交叠，第二图案4022和过渡图案4023均与发光功能层202在衬底的正投影不交叠，第一图案4021的透光率均大于第二图案4022和过渡图案4023的透光率。

在示例性实施方式中，如图5所示，第一图案4021为金属互斥材料。其中，金属互斥材料是指在真空蒸镀工艺过程中，与金属材料互相排斥，不互相粘接在一起的材料。金属互斥材料可以为有机小分子化合物或无机化合物。有机小分子化合物可以包括胺类化合物、双胺类化合物和三胺类化合物中的至少一种。例如，金属互斥材料包括N,N‘-二苯基-N,N’-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4‘-二胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺或4,4'-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯、N4,N4‘-二苯基-N4,N4’-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4‘-二胺以及N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺等。无机化合物可以为氟化锂。

在示例性实施方式中，如图5所示，第二图案4022位于非发光区域102，第二图案4022与发光区域101上的第二电极201和发光功能层202在衬底1的正投影不交叠。第二图案4022为金属材料。示例的，金属材料可以包括银(Ag)、金(Au)、钯(Pd)或铜(Cu)等。第二透明导电层402的厚度可以为1nm～10nm。

在示例性实施方式中，如图5所示，过渡图案4023包括第一图案4021的材料和第二图案4022的材料。在分别蒸镀形成第一图案4021和第二图案4022过程中，第一图案4021周边区域的材料会与相邻的第二图案4022周边区域的材料互相掺杂，形成过渡图案4023。

本申请实施例显示基板中第一图案4021的透光率高，通过第一图案4021能够降低辅助电极层4对发光元件发出光线的阻挡，提高发光元件发出光线的光取出效率。

本申请实施例显示基板通过第一透明导电层401、第二透明导电层402和第三透明导电层403形成的辅助电极层4，可以更大程度降低第二电极201电阻。

本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法，该显示基板可以为如上任一所述的显示基板，显示基板的制备方法包括：

在衬底上依次形成第一电极、发光功能层以及第二电极；

通过蒸镀工艺，在所述第二电极上形成介质层，所述介质层包括多个间隔设置的介质图案，所述介质图案与所述发光功能层在所述衬底的正投影存在交叠，所述介质图案的竖截面呈上小下大的形状；

在所述介质层上溅射形成辅助电极层，所述辅助电极层与所述第二电极电连接。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前面任一所述的显示基板。该显示装置包括手机、平板电脑、智能穿戴产品(例如智能手表、手环等)、个人数字助理(personaldigital assistant，PDA)、车载电脑等。本申请实施例对上述显示装置的具体形式不做特殊限制。

本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。

Claims (19)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底；

发光元件，设置在所述衬底上；所述发光元件包括沿着远离所述衬底方向依次层叠设置的第一电极、发光功能层以及第二电极；

辅助电极层，所述辅助电极层设置在所述第二电极远离所述衬底一侧，并与所述第二电极电连接；

介质层，设置在所述辅助电极层与所述第二电极之间；所述介质层包括至少一个介质图案，所述介质图案与所述发光功能层在所述衬底的正投影存在交叠，所述介质图案的竖截面呈上小下大的形状。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述介质图案的竖截面呈正梯形。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述介质图案的折射率大于所述第二电极的折射率。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述介质层还包括位于所述介质图案外侧的开口图案，所述开口图案环绕所述介质图案的四周，所述辅助电极层通过所述开口图案与所述第二电极连接。

5.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述开口图案与所述发光功能层在所述衬底的正投影不交叠。

6.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述介质图案采用蒸镀材料。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述介质图案为有机材料或无机材料。

8.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述介质图案包括靠近所述衬底一侧的第一表面和远离所述衬底一侧的第二表面，所述第一表面与所述第二电极接触，所述第二表面与所述辅助电极层接触。

9.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述辅助电极层与所述发光功能层在所述衬底的正投影存在交叠。

10.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述辅助电极层为单膜层结构，所述辅助电极层采用透明导电材料。

11.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述辅助电极层包括多个层叠设置且互相串联的透明导电层。

12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述辅助电极层包括第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一透明导电层位于所述第二透明导电层靠近所述衬底一侧，且所述第一透明导电层与所述第二透明导电层电连接，所述第一透明导电层为氧化物半导体材料，所述第二透明导电层为金属材料。

13.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述辅助电极层包括第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层，所述第一透明导电层、所述第二透明导电层和所述第三透明导电层沿着远离所述衬底方向依次层叠设置，且依次串联，所述第一透明导电层和所述第三透明导电层均为氧化物半导体材料。

14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述第二透明导电层为金属材料。

15.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述第二透明导电层包括至少一个第一图案、至少一个第二图案以及将相邻的第一图案和第二图案连接的过渡图案，至少部分所述第一图案与所述发光功能层在所述衬底的正投影存在交叠，所述第二图案和所述过渡图案均与所述发光功能层在所述衬底的正投影不交叠，所述第一图案的透光率均大于所述第二图案和所述过渡图案的透光率。

16.根据权利要求15所述的显示基板，其特征在于，所述第一图案为金属互斥材料，所述第二图案为金属材料，所述过渡图案包括所述第一图案的材料和所述第二图案的材料。

17.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极的厚度大于1纳米小于6纳米。

18.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至17任一所述的显示基板。

19.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次形成第一电极、发光功能层以及第二电极；

通过蒸镀工艺，在所述第二电极上形成介质层，所述介质层包括多个间隔设置的介质图案，所述介质图案与所述发光功能层在所述衬底的正投影存在交叠，所述介质图案的竖截面呈上小下大的形状；

在所述介质层上溅射形成辅助电极层，所述辅助电极层与所述第二电极电连接。

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