CN113097246A - 显示设备 - Google Patents

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金敏佑
宋大镐
杨秉春
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Abstract

显示设备包括发射光的至少一个发射区域和与至少一个发射区域邻近并且透射外部光的透射区域。显示设备包括基板和电路元件，电路元件包括设置在基板上的至少一个晶体管和存储电容器。绝缘层设置在电路元件上并且包括接触孔。第一透明电极设置在绝缘层上并且通过接触孔电连接到电路元件。至少一个发光二极管设置在第一透明电极上并且限定至少一个发射区域。至少一个发光二极管包括PN二极管，PN二极管包括基于无机半导体的材料。第一透明电极的一部分位于透射区域中。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年12月23日提交至韩国知识产权局的第10-2019-0173463号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用整体合并于此。
技术领域
本发明构思的一个或多个示例性实施例涉及一种显示设备，并且更具体地，涉及一种包括外部光可以穿过的区的发光显示设备以及制造该发光显示设备的方法。
背景技术
在显示图像的显示设备当中，与液晶显示设备相比，发光二极管显示设备具有自发光特性。因此，发光二极管显示设备不需要单独的光源，这导致显示设备的厚度和重量的减小。另外，发光二极管显示设备可以具有诸如低功耗、高亮度和快响应速度的高质量特性。
基于显示设备的各种目的以及包括显示设备的电子装置的各种形状，发光二极管显示设备可以具有不同的形状。
发明内容
在本发明构思的示例性实施例中，显示设备可以包括透明显示设备，该透明显示设备可以通过在显示区域中使用发光二极管显示图像和/或显示穿过显示区域的外部图像(例如，外部物体的图像)。然而，应提供足够的透射区域以通过使用透明显示设备显示外部图像。
本发明构思的一个或多个示例性实施例包括可以确保足够的透射区域的发光显示设备。然而，应理解，本文中描述的本发明构思的示例性实施例应仅在描述意义上被考虑，并且不用于本公开的限制。
附加方面将部分地在下面的描述中被阐述，并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开的所呈现的实施例的实践而习得。
根据本发明构思的示例性实施例，显示设备包括发射光的至少一个发射区域和与至少一个发射区域邻近并且透射外部光的透射区域。显示设备包括基板和电路元件，该电路元件包括设置在基板上的至少一个晶体管和存储电容器。绝缘层设置在电路元件上并且包括接触孔。第一透明电极设置在绝缘层上，并且通过接触孔电连接到电路元件。至少一个发光二极管设置在第一透明电极上，并且限定至少一个发射区域。至少一个发光二极管包括PN二极管，PN二极管包括基于无机半导体的材料。第一透明电极的一部分位于透射区域中。
显示设备可以进一步包括布置在至少一个发光二极管上并且面对第一透明电极的第二透明电极，其中在透射区域中，第一透明电极在基板的厚度的方向上与第二透明电极重叠。
显示设备可以进一步包括在第一透明电极与第二透明电极之间的透明绝缘层，其中在透射区域中，透明绝缘层可以直接接触第一透明电极和第二透明电极。
绝缘层可以包括开口，该开口与接触孔间隔开并且从绝缘层的顶表面延伸到底表面，其中开口的至少一部分可以位于透射区域中。
显示设备可以进一步包括在基板与绝缘层之间的无机绝缘层，其中第一透明电极可以直接接触开口中的无机绝缘层。
至少一个发光二极管可以限定至少一个发射区域，并且当在与基板的主表面垂直的方向上观察时，至少一个发射区域可以被透射区域围绕。
至少一个发光二极管可以包括垂直型发光二极管。
至少一个发光二极管可以包括电连接到第一透明电极的第一电极焊盘和面对与第一电极焊盘相反的方向并且在基板的厚度的方向上与第一电极焊盘间隔开的第二电极焊盘，其中显示设备可以进一步包括包含金属并且在基板的厚度的方向上位于第一透明电极与第一电极焊盘之间的粘合层。
粘合层可以在基板的厚度的方向上仅与至少一个发光二极管重叠。
第一透明电极可以包括多晶透明导电氧化物。
从下面的示例性实施例的描述、附图和权利要求中，这些和/或其它方面将变得显而易见并且更易于理解。
附图说明
本公开的某些实施例的以上和其它方面、特征和优点将从下面结合附图进行的描述更显而易见，在附图中：
图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的平面图；
图2是根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的显示区域的截面图；
图3是根据本发明构思的示例性实施例的连接至显示设备的发光二极管的电路的图；
图4是根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的包括发射区域和透射区域的单元的平面图；
图5A是根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的包括发光二极管和电极的单元的平面图；
图5B是根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的包括发光二极管和电极的单元的平面图；
图6是根据本发明构思的示例性实施例的沿图5A或图5B的线VI-VI'截取的显示设备的截面图；
图7A是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造显示设备的工艺的截面图；
图7B是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造显示设备的工艺的平面图；
图8A和图8B是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造显示设备的工艺的截面图；
图8C是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造显示设备的工艺的平面图；
图9A是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造显示设备的工艺的截面图；
图9B是示出根据实施例的制造显示设备的工艺的平面图；
图10是根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的包括发射区域和透射区域的单元的平面图；
图11是根据本发明构思的示例性实施例的连接至显示设备的发光二极管的电路的图；
图12是根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的包括发射区域和透射区域的单元的平面图；
图13是根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的包括发光二极管和电极的单元的平面图；并且
图14是根据本发明构思的示例性实施例的沿图13的线XIV-XIV'截取的显示设备的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考被图示在附图中的本发明构思的示例性实施例，在附图中相同的附图标记始终指相同的元件。就此而言，示例性实施例可以具有不同的形式并且本发明构思不应被理解为限于本文中阐述的示例性实施例的描述。因此，以下通过参考附图描述的示例性实施例仅用以解释本发明构思的方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括所关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。在整个公开中，表达“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或它们的变体。
将理解，虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但是这些部件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。
如本文中使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
将进一步理解，在本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或部件的存在或附加。
将理解，当层、区或部件被称为“形成在”或“设置在”另一层、区或部件“上”时，该层、区或部件可以直接或间接形成或设置在另一层、区或部件上。例如，可以存在中间层、区或部件。然而，当层、区或部件被称为“直接形成在”或“直接设置在”另一层、区或部件上时，可以不存在中间层、区或部件。
为便于说明，可以夸大或缩小附图中元件的尺寸。因此，由于附图中的元件的尺寸和厚度为了便于说明而被任意地示出，因此本发明构思的示例性实施例不限于此。
当示例性实施例可以被不同地实现时，特定工艺可以与所描述的顺序不同的顺序被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时被执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
将理解，当层、区或部件被称为“连接”到另一层、区或部件时，该层、区或部件可以“直接连接”到另一层、区或部件，或者可以“间接连接”到另一层、区或部件，而其他层、区或部件置于该层、区或部件与另一层、区或部件之间。例如，将理解，当层、区或部件被称为“电连接”到另一层、区或部件时，该层、区或部件可以“直接电连接”到另一层、区或部件，或者可以“间接电连接”到另一层、区或部件，而其他层、区或部件置于该层、区或部件与另一层、区或部件之间。
在本说明书中，术语“透明”或“透射率”可意味着可见光带中的成分的透射率为大约50％或更高。例如，可见光带中的透射率可以为大约60％或更高。
图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示设备1的平面图。图2是根据本发明构思的示例性实施例的显示设备1的显示区域的截面图。
如图1的示例性实施例中所示的，显示设备1可以包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。显示区域DA是在其中显示图像的区，并且可以被非显示区域NDA围绕。例如，在图1中所示的示例性实施例中，显示区域DA为基本正方形形状，并且非显示区域NDA围绕显示区域DA的所有四侧。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此，并且在其他示例性实施例中，显示区域DA可以具有各种不同的形状和/或非显示区域NDA可以不围绕显示区域DA的至少一侧。非显示区域NDA是在其中不显示图像的区。在示例性实施例中，至少一个驱动器和至少一个焊盘可以被布置在非显示区域NDA中。驱动器将电信号或电力提供到布置在显示区域DA中的电路元件和/或发光元件。焊盘可以电连接到电子元件、印刷电路板等。
参考图2的示例性实施例，显示区域DA可以包括发光区域EMA(下文中，“发射区域”)和透射区域TA。发射区域EMA发射具有预定颜色的光。透射区域TA透射外部光。例如，透射区域TA是具有透光属性的区，并且透射区域TA在可见光带中的透射率可以为大约50％或更高，诸如大约60％或更高，如上所述。发射区域EMA可以与透射区域TA邻近(例如，在与发射区域EMA和透射区域TA形成在其上的基板100的上表面平行的方向上邻近)。在示例性实施例中，显示区域DA可以包括多个单元U。多个单元U中的每个单元U包括发射区域EMA和透射区域TA。单元U可以包括至少一个发射区域EMA和至少一个透射区域TA。
外部光是从显示设备1的外部入射到显示设备1的光。外部光可以穿过显示设备1的透射区域TA。例如，布置在基板100的后表面100r上的物体的图像可以通过透射区域TA被位于封装构件300的前表面300f之上的用户2观察到。外部光可以从基板100的后表面100r朝向封装构件300行进，并且可以通过显示设备1被位于封装构件300的前表面300f之上的用户2识别。
至少一个发光元件(例如，发光二极管)可以被布置在发射区域EMA中。至少一个发光元件发射具有预定颜色的光，以显示图像。从发射区域EMA发射的光不同于通过透射区域TA透射的外部光。从发射区域EMA发射的光是从提供在显示层200中的显示元件(例如，发光二极管)发射的光。例如，在示例性实施例中，显示区域DA可以通过使用从发光二极管发射的红光、绿光和/或蓝光来显示图像。
用户2可以位于封装构件300的前表面300f之上。用户2可以观察由显示设备1本身提供的图像(例如，由布置在发射区域EMA中的发光二极管产生的图像)和由通过透射区域TA透射的外部光产生的图像。在示例性实施例中，用户2可以识别由通过透射区域TA透射的外部光产生的、布置在与显示设备1的后表面(例如，基板100的后表面100r)相对应的位置上的物体的图像和由发射区域EMA中的发光二极管产生的图像两者。在示例性实施例中，在显示设备1被关闭的实例中，用户2可以识别由通过透射区域TA透射的光产生的、与显示设备1的后表面(例如，基板100的后表面100r)邻近的物体的图像。在示例性实施例中，在显示设备1被打开的实例中，用户2可以识别与显示设备1的后表面(例如，基板100的后表面100r)邻近的物体的图像和从发光二极管发射的图像两者。
如图2的示例性实施例中所示的，显示设备1可以包括基板100、显示层200和覆盖显示层200的封装构件300。基板100和封装构件300两者可以具有透光特性。例如，在示例性实施例中，基板100可以包括选自透明玻璃材料和透明聚合物材料中的至少一种材料。在示例性实施例中，封装构件300可以包括具有选自透明玻璃材料和透明聚合物材料中的至少一种材料的基板，或者具有至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的堆叠结构。例如，封装构件300可以包括布置在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层。有机封装层可以包括有机绝缘材料。第一无机封装层和第二无机封装层可以各自包括无机绝缘材料。
图3是根据本发明构思的示例性实施例的连接至提供到显示设备1的发光二极管中的一个发光二极管的电路的图。
参考图3的示例性实施例，发光二极管LED可以电连接到包括至少两个晶体管和至少一个存储电容器的电路元件PC。例如，如图3的示例性实施例中所示的，电路元件PC可以包括七个晶体管和一个存储电容器。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
第一晶体管T1包括栅电极、第一电极和第二电极。第一晶体管T1的栅电极连接到存储电容器Cst的第一电极。第一晶体管T1的第一电极连接到第一节点N1。第一晶体管T1的第二电极连接到第三节点N3。第一晶体管T1用作驱动晶体管。第一晶体管T1根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA，并且将电流供给到发光二极管LED。
第二晶体管T2包括栅电极、第一电极和第二电极。第二晶体管T2的栅电极连接到扫描线SWL，扫描线SWL连接到电路元件PC。第二晶体管T2的第一电极连接到数据线DL。第二晶体管T2的第二电极在第一节点N1处连接到第一晶体管T1的第一电极。第二晶体管T2响应于通过扫描线SWL传送的扫描信号S[n]而被导通。第二晶体管T2执行将通过数据线DL传送的数据信号DATA传送到第一晶体管T1的第一电极的开关操作。
第三晶体管T3包括栅电极、第一电极和第二电极。第三晶体管T3的栅电极连接到扫描线SWL。第三晶体管T3的第一电极在第三节点N3处连接到第一晶体管T1的第二电极。第三晶体管T3的第二电极在第二节点N2处连接到存储电容器Cst的第一电极、第四晶体管T4的第二电极和第一晶体管T1的栅电极。第三晶体管T3响应于通过扫描线SWL传送的扫描信号S[n]而被导通，以使第一晶体管T1二极管连接。
第四晶体管T4包括栅电极、第一电极和第二电极。第四晶体管T4的栅电极连接到先前扫描线SIL。第四晶体管T4的第一电极连接到初始化电压线VL。第四晶体管T4的第二电极在第二节点N2处连接到存储电容器Cst的第一电极、第三晶体管T3的第二电极和第一晶体管T1的栅电极。取决于电流的方向，第四晶体管T4的第一电极和第二电极可以分别是源电极和漏电极。第四晶体管T4响应于通过先前扫描线SIL传送的先前扫描信号S[n-1]而被导通，并且通过将初始化电压Vinit传送到第一晶体管T1的栅电极来执行初始化第一晶体管T1的栅电极的电压的初始化操作。
第五晶体管T5包括栅电极、第一电极和第二电极。第五晶体管T5的栅电极连接到发射控制线EL。第五晶体管T5的第一电极连接到第一电力电压线VDDL。第五晶体管T5的第二电极在第一节点N1处连接到第一晶体管T1的第一电极和第二晶体管T2的第二电极。
第六晶体管T6包括栅电极、第一电极和第二电极。第六晶体管T6的栅电极连接到发射控制线EL。第六晶体管T6的第一电极在第三节点N3处连接到第一晶体管T1的第二电极和第三晶体管T3的第一电极。第六晶体管T6的第二电极连接到发光二极管LED的第一电极焊盘。
第五晶体管T5和第六晶体管T6响应于通过发射控制线EL传送的发射控制信号E[n]而同时被导通，第一电力电压ELVDD被传送到发光二极管LED，并且电流流过发光二极管LED。
第七晶体管T7包括栅电极、第一电极和第二电极。第七晶体管T7的栅电极连接到先前扫描线SIL。第七晶体管T7的第一电极连接到第六晶体管T6的第二电极和发光二极管LED的第一电极焊盘。第七晶体管T7的第二电极连接到初始化电压线VL。取决于电流的方向，第七晶体管T7的第一电极和第二电极可以分别是源电极和漏电极。第七晶体管T7响应于通过先前扫描线SIL传送的先前扫描信号S[n-1]而被导通，并且通过将初始化电压Vinit传送到发光二极管LED的第一电极焊盘来执行初始化发光二极管LED的初始化操作。
存储电容器Cst包括第一电极和第二电极。存储电容器Cst的第一电极连接到第一晶体管T1的栅电极、第三晶体管T3的第二电极和第四晶体管T4的第二电极。存储电容器Cst的第二电极连接到第一电力电压线VDDL。
发光二极管LED的第二电极焊盘连接到供给第二电力电压ELVSS的第二电源。
尽管在图3的示例性实施例中先前扫描线SIL连接到第七晶体管T7的栅电极，但是在其他示例性实施例中第七晶体管T7的栅电极可以连接到扫描线SWL或下一扫描线。尽管在图3的示例性实施例中第一晶体管T1至第七晶体管T7的栅电极是单栅电极，但是在其他示例性实施例中，至少一个栅电极可以是双栅电极等。
图4是根据本发明构思的示例性实施例的作为显示设备1的一部分的、包括发射区域EA-R、EA-G和EA-B和透射区域TA的一个单元U的平面图。
参考图4的示例性实施例，多条线可以在y方向和x方向上延伸。x方向和y方向可以与基板100的上表面平行，并且x方向和y方向可以彼此交叉。例如，如图4的示例性实施例中所示的，x方向可以与y方向垂直。如图4的示例性实施例中所示的，第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3、第一电力电压线VDDL和第二电力电压线VSSL可以在y方向上延伸。扫描线SWL、先前扫描线SIL、发射控制线EL和初始化电压线VL可以在与y方向相交的x方向上延伸。
透射区域TA可以被限定于在x方向上延伸的线当中的邻近的线与在y方向上延伸的线当中的邻近的线之间。例如，如图4的示例性实施例中所示的，透射区域TA被设置于在y方向上延伸的第三数据线DL3与第一电力电压线VDDL之间，以及在x方向上延伸的先前扫描线SIL与初始化电压线VL之间。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，在y方向上延伸的线当中的第一至第三数据线DL1、DL2和DL3可以放置在透射区域TA的一侧(例如，在x方向上的左侧)上，并且在y方向上延伸的线当中的第一电力电压线VDDL和第二电力电压线VSSL可以放置在透射区域TA的另一侧(例如，在x方向上的右侧)上。线的这种布置可以提供透射区域TA的相对大的面积。
透射区域TA是外部光可以穿过的区。透射区域TA可以与以下描述的线、连接到线的电路元件、第一透明电极和薄膜晶体管的连接区以及以下描述的发射区域不重叠。发射区域EMA(参见图2)可以与透射区域TA邻近。例如，红色发射区域EA-R、绿色发射区域EA-G和蓝色发射区域EA-B可以各自与透射区域TA邻近。
在示例性实施例中，每个单元U可以包括多个红色发射区域EA-R、多个绿色发射区域EA-G和多个蓝色发射区域EA-B。如图4的示例性实施例中所示的，多个红色发射区域EA-R中的至少一个可以(例如，在由x方向和y方向限定的平面的平面图中)被透射区域TA围绕。类似地，多个绿色发射区域EA-G中的至少一个可以被透射区域TA围绕。多个蓝色发射区域EA-B中的至少一个可以被透射区域TA围绕。例如，如图4的示例性实施例中所示的，上面和中央(例如，在y方向上的上面和中央)的红色发射区域EA-R、绿色发射区域EA-G和蓝色发射区域EA-B可以被透射区域TA完全围绕。
多个红色发射区域EA-R、多个绿色发射区域EA-G和多个蓝色发射区域EA-B可以被布置于在y方向上延伸的线当中的邻近的线之间或在x方向上延伸的线当中的邻近的线之间。例如，如图4的示例性实施例中所示的，多个红色发射区域EA-R、多个绿色发射区域EA-G和多个蓝色发射区域EA-B中的每个被布置于在y方向上延伸的第三数据线DL3与第一电力电压线VDDL之间。
多个红色发射区域EA-R、多个绿色发射区域EA-G和多个蓝色发射区域EA-B中的每种发射区域中的至少一个发射区域可以被透射区域TA部分地围绕，并且可以与在x方向或y方向上延伸的线重叠。例如，如图4的示例性实施例中所示的，下面(例如，在y方向上的下面)的红色发射区域EA-R、绿色发射区域EA-G和蓝色发射区域EA-B可以各自与在x方向上延伸的先前扫描线SIL重叠，并且与先前扫描线SIL重叠的发射区域可以不被透射区域TA完全围绕。例如，如图4的示例性实施例中所示的，下面的红色发射区域EA-R、下面的绿色发射区域EA-G和下面的蓝色发射区域EA-B可以仅在其上侧与透射区域TA邻近。
图5A是根据本发明构思的示例性实施例的布置在作为显示设备1的一部分的一个单元U中的发光二极管LED和电极210和230的位置的平面图。
参考图5A的示例性实施例，至少一个第一透明电极210可以被布置于在y方向上延伸的线之间。例如，第一透明电极210可以被设置于在y方向上延伸的第三数据线DL3与第一电力电压线VDDL之间。如图5A的示例性实施例中所示的，三个第一透明电极210可以在沿y方向延伸的线之间彼此邻近。第一透明电极210中的中央的一个(例如，在x方向上的中央的一个)被设置在第三数据线DL3与第一电力电压线VDDL之间，并且与第三数据线DL3和第一电力电压线VDDL中的任一个不重叠。第一透明电极210中的左边的一个(例如，在x方向上的左边的一个)与第三数据线DL3重叠。第一透明电极210中的右边的一个(例如，在x方向上的右边的一个)与第一电力电压线VDDL重叠。
第一透明电极210中的每个可以具有在y方向上的长度和在x方向上的宽度。在示例性实施例中，每个第一透明电极210在y方向上的长度可以大于在x方向上的宽度。
至少一个发光二极管可以被布置在每个第一透明电极210上。例如，如图5A的示例性实施例中所示的，红色发光二极管LED(R)被布置在第一透明电极210中的左边的一个上，绿色发光二极管LED(G)被布置在第一透明电极210中的中央的一个上，并且蓝色发光二极管LED(B)被布置在第一透明电极210中的右边的一个上。可以发射具有相同颜色的光的两个或更多个发光二极管LED可以被布置在每个第一透明电极210上，以防止发光二极管LED中的一个损坏、劣化或缺陷。例如，如图5A的示例性实施例中所示的，针对每个第一透明电极210布置三个发光二极管LED。
每个第一透明电极210可以发射红光、绿光或蓝光。如图5A中所示的，在相同颜色的三个发光二极管LED被布置在每个第一透明电极210上的示例性实施例中，三个红色发射区域EA-R(参见图4)、三个绿色发射区域EA-B(参见图4)和三个蓝色发射区域EA-B(参见图4)可以被提供到每个单元U。图5A的每个发光二极管LED的位置可以与图4的发射区域(例如，红色发射区域EA-R、绿色发射区域EA-G或蓝色发射区域EA-B)对应。
发光二极管LED包括包含基于无机半导体的材料的PN结二极管(“PN二极管”)。当在正方向上向PN结二极管施加电压时，空穴和电子从PN结二极管被注入，从空穴和电子的复合产生的能量被转换为光能，并且具有预定颜色的光可以被发射。在示例性实施例中，发光二极管LED可以具有几微米到几百微米的宽度。例如，发光二极管LED在一个方向上的宽度(例如，发光二极管LED的最大宽度)可以对应于大约1μm至大约100μm。在示例性实施例中，发光二极管LED可以是微发光二极管。
在示例性实施例中，多个红色、绿色和蓝色发光二极管LED可以被面对第一透明电极210的第二透明电极230覆盖。第二透明电极230可以通过接触孔CNT电连接到第二电力电压线VSSL。接触孔CNT可以形成于布置在第二电力电压线VSSL与第二透明电极230之间的至少一个绝缘层中。下面参考图6的示例性实施例描述第二透明电极230的特定结构。
在如图5A中所示的其中在y方向上延伸的邻近的线当中的第一至第三数据线DL1、DL2和DL3被放置在透射区域TA的一侧(例如，在x方向上的左侧)上的示例性实施例中，数据信号可以通过数据连接线DL-C被提供到与第一透明电极210的一部分邻近的电路元件当中的晶体管中的一个。例如，图3中描述的电路元件PC可以与每个第一透明电极210的一部分重叠，并且作为每个电路元件PC的开关晶体管的第二晶体管T2(参见图3)可以通过数据连接线DL-C接收数据信号。
在图5A中所示的示例性实施例中，第一数据线DL1和第二数据线DL2连接到数据连接线DL-C。每个数据连接线DL-C可以与第一数据线DL1和第二数据线DL2当中的相关数据线形成为一体。然而，在可替代的实施例中，每条数据连接线DL-C可以与第一数据线DL1和第二数据线DL2当中的相关数据线形成在不同的层上，并且通过接触孔连接到相关数据线。
图5B是根据本发明构思的示例性实施例的布置在作为显示设备1的一部分的一个单元U中的发光二极管LED和电极210和230的位置的平面图。在图5B的示例性实施例中，由于除了在y方向上延伸的数据线的布置之外，其他结构与图5A的其他结构相同，因此图5B的其他结构的描述被省略。参考图5B的示例性实施例，第一至第三数据线DL1、DL2和DL3可以在x方向上彼此间隔开，并且可以不彼此邻近地布置在透射区域TA的一侧。第一透明电极210中的左边的一个(例如，在x方向上的左边的一个)被设置在第三数据线DL3与第二数据线DL2之间。第一透明电极210中的中央的一个(例如，在x方向上的中央的一个)被设置在第二数据线DL2与第一数据线DL1之间。第一透明电极210中的右边的一个(例如，在x方向上的右边的一个)被设置在第一数据线DL1与第一电力电压线VDDL之间。
图6是根据本发明构思的示例性实施例的沿图5A或图5B的线VI-VI'截取的显示设备1的截面图。
参考图6的示例性实施例，显示层200被设置在基板100上。显示层200包括第一透明电极210和第二透明电极230。每个发光二极管LED电连接到包括晶体管的电路元件PC，并且显示层200包括电路元件PC。如参考图2的示例性实施例所描述的，显示层200可以被封装构件300覆盖。然而，为了便于描述，在图6的示例性实施例中省略了封装构件。
基板100可以包括各种材料。例如，在示例性实施例中，基板100可以包括包含氧化硅(SiO2)作为主要成分的透明玻璃材料，或者可以包括透明塑料材料。基板100可以包括具有柔性的透明塑料材料。在示例性实施例中，塑料材料可以包括诸如选自聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺，聚碳酸酯，三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种化合物的绝缘有机材料。
电路元件PC可以形成在基板100之上。如图6的示例性实施例中所示的，电路元件PC可以被布置在基板100的透射区域TA的外部。例如，电路元件PC可以被布置在透射区域TA的一侧。电路元件PC可以包括第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和存储电容器Cst。在电路元件PC具有以上参考图3的示例性实施例描述的电路结构的实施例中，图6的第一薄膜晶体管TFT1可以与图3的第一晶体管T1相对应，并且第二薄膜晶体管TFT2可以与图3的第六晶体管T6相对应。
缓冲层201可以被设置在基板100与电路元件PC之间。例如，如图6的示例性实施例中所示的，缓冲层201的下表面可以直接接触基板100的上表面。在示例性实施例中，缓冲层201可以包括诸如选自氮化硅、氧化硅和氧氮化硅中的至少一种化合物的无机绝缘材料。缓冲层201可以具有包括以上材料的单层或多层结构。
第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以分别包括第一半导体层ACT1和第二半导体层ACT2。在示例性实施例中，第一半导体层ACT1和第二半导体层ACT2可以包括非晶硅或多晶硅。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在另一示例性实施例中，第一半导体层ACT1和第二半导体层ACT2可以包括有机半导体材料或氧化物半导体材料。
第一栅电极GE1可以与第一半导体层ACT1的沟道区重叠，并且第二栅电极GE2可以与第二半导体层ACT2的沟道区重叠。在示例性实施例中，第一栅电极GE1和第二栅电极GE2可以各自包括选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种化合物，并且可以包括包含以上材料的单层或多层。
栅绝缘层203可以被布置在第一栅电极GE1和第二栅电极GE2与第一半导体层ACT1和第二半导体层ACT2之间。在示例性实施例中，栅绝缘层203可以包括诸如氮化硅、氧化硅和/或氧氮化硅的无机绝缘材料。栅绝缘层203可以包括包含以上材料的单层或多层结构。
第一层间绝缘层205可以形成在第一栅电极GE1和第二栅电极GE2上。例如，如图6的示例性实施例中所示的，第一层间绝缘层205的下表面可以直接接触第一栅电极GE1和第二栅电极GE2的上表面。在示例性实施例中，第一层间绝缘层205可以包括诸如选自氮化硅、氧化硅和氧氮化硅中的至少一种化合物的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205可以包括包含以上材料的单层或多层结构。
存储电容器Cst可以包括彼此重叠(例如，在基板100的厚度方向上彼此重叠)的第一电极CE1和第二电极CE2。在示例性实施例中，第一薄膜晶体管TFT1的第一栅电极GE1可以是存储电容器Cst的第一电极CE1。第一层间绝缘层205可以被布置在第一电极CE1与第二电极CE2之间。第二层间绝缘层207可以被设置在第二电极CE2上。例如，如图6的示例性实施例中所示的，第二层间绝缘层207的下表面可以直接接触第二电极CE2和第一层间绝缘层205的上表面。在示例性实施例中，第二层间绝缘层207可以包括诸如选自氮化硅、氧化硅和氧氮化硅中的至少一种化合物的无机绝缘材料。第二层间绝缘层207可以包括包含以上材料的单层或多层结构。
第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以被设置在第二层间绝缘层207上以与第一半导体层ACT1重叠。类似地，第二源电极或第二漏电极DE2可以被设置在第二层间绝缘层207上以与第二半导体层ACT2重叠。例如，如图6的示例性实施例中所示的，第二漏电极DE2与第二半导体层ACT2重叠。
第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第一电力电压线VDDL可以与参考图5A的示例性实施例描述的第一至第三数据线DL1、DL2和DL3和/或第二电力电压线VSSL(参见图5A和图5B)位于同一层上，并且可以包括与第一至第三数据线DL1、DL2和DL3和/或第二电力电压线VSSL的材料相同的材料。
在示例性实施例中，第一源电极SE1、第一漏电极DE1和第二漏电极DE2可以包括选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种化合物，并且可以包括包含以上材料的单层或多层结构。
如图6的示例性实施例中所示的，电路元件PC可以被有机绝缘层209覆盖。在示例性实施例中，有机绝缘层209可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的共混物。
有机绝缘层209可以包括接触孔209CH以及与接触孔209CH间隔开的开口209OP。在示例性实施例中，有机绝缘层209的开口209OP可以从有机绝缘层209的上表面(例如，顶表面)延伸到下表面(例如，底表面)。电路元件PC通过接触孔209CH电连接到第一透明电极210。
第一透明电极210可以覆盖开口209OP和接触孔209CH。第一透明电极210的一部分(例如，大部分)可以位于有机绝缘层209的开口209OP中。如图6的示例性实施例中所示的，第一透明电极210的下表面可以直接接触开口209OP中的第二层间绝缘层207的上表面。第一透明电极210的另一部分可以位于有机绝缘层209的顶表面上，并且第一透明电极210可以通过接触孔209CH电连接到电路元件PC。第一透明电极210的大部分可以位于有机绝缘层209的开口209OP中。例如，在示例性实施例中，占据第一透明电极210的大约50％或更多的区域的部分(诸如占据第一透明电极210的大约70％或更多的区域的部分)可以位于有机绝缘层209的开口209OP中。第一透明电极210的第一边缘可以位于有机绝缘层209的与限定开口209OP的有机绝缘层209的横向侧壁间隔开的顶表面上。
第一透明电极210可以包括透明导电氧化物。在示例性实施例中，第一透明电极210可以包括多晶透明导电氧化物。例如，第一透明电极210可以包括多晶氧化铟锡(ITO)。可替代地，第一透明电极210可以包括选自多晶氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In203)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种化合物。
发光二极管LED被设置在第一透明电极210上。在示例性实施例中，至少一个发光二极管LED可以被设置在与有机绝缘层209的开口209OP重叠的第一透明电极210上。如图6的示例性实施例中所示的，两个发光二极管LED可以被设置在第一透明电极210上，并且与有机绝缘层209的开口209OP重叠。
发光二极管LED可以包括第一半导体层242、第二半导体层244和有源层243。有源层243被设置在第一半导体层242与第二半导体层244之间(例如，在基板100的厚度方向上)。
在示例性实施例中，第一半导体层242可以包括例如p型半导体层。在示例性实施例中，第一半导体层242可以包括具有InxAlyGa1-xyN(0≤x≤1、0≤y≤1并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。第一半导体层242可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN中的至少一种化合物，并且可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr和Br的p型掺杂剂。
第二半导体层244可以包括例如n型半导体层。在示例性实施例中，第二半导体层244可以包括具有InxAlyGa1-xyN(0≤x≤1、0≤y≤1并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。第二半导体层244可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN中的至少一种化合物，并且可以掺杂有诸如Si、Ge和Sn的n型掺杂剂。
第一半导体层242和第二半导体层244的掺杂类型作为示例被提供，并且本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在另一示例性实施例中，第一半导体层242可以包括n型半导体层，并且第二半导体层244可以包括p型半导体层。
有源层243是电子和空穴在其中复合的区。当电子和空穴复合时，它们跃迁到较低的能级，并且具有对应波长的光可以被产生。有源层243可以包括具有InxAlyGa1-xyN(0≤x≤1、0≤y≤1和0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料，并且具有单量子阱结构或多量子阱(MQW)结构。另外，有源层243可以具有量子线结构或量子点结构。
发光二极管LED可以包括垂直型发光二极管，并且第一电极焊盘241可以在第一半导体层242、有源层243和第二半导体层244被堆叠的方向上(例如，在基板100的厚度方向上)与第二电极焊盘245间隔开。第一电极焊盘241和第二电极焊盘245可以分别被暴露于相反的方向。在其中发光二极管LED是翻转型发光二极管的实施例中，例如，在第一电极焊盘和第二电极焊盘被暴露于同一表面的情况下，由于第一电极焊盘和第二电极焊盘应连接到用于将预定电压施加到第一电极焊盘和第二电极焊盘的电极，因此对准过程困难并且翻转型发光二极管的宽度大于垂直型发光二极管的宽度。因此，透射区域TA可以被减小。相反，由于垂直型发光二极管的对准过程简单并且第一透明电极210上的垂直型发光二极管的面积相对小，因此透射区域TA的面积可以被增大。因此，将发光二极管LED形成为垂直型发光二极管可以提供透射区域TA的增大的面积。
发光二极管LED的第一电极焊盘241和第二电极焊盘245可以包括金属。在示例性实施例中，第一电极焊盘241和第二电极焊盘245可以包括选自锡(Sn)、银(Ag)、铜(Cu)及其合金中的至少一种化合物。第一电极焊盘241和第二电极焊盘245可以包括相同的材料或不同的材料。在示例性实施例中，第一电极焊盘241和第二电极焊盘245可以包括具有锡(Sn)的最高含量以及以银(Ag)和铜(Cu)的顺序降低的含量的合金。
第一电极焊盘241可以电连接到第一透明电极210，并且第二电极焊盘245可以电连接到第二透明电极230。粘合层215可以被布置在第一电极焊盘241与第一透明电极210之间。例如，如图6的示例性实施例中所示的，粘合层215的下表面可以直接接触第一透明电极210的上表面，并且粘合层215的上表面可以直接接触第一电极焊盘241的下表面。粘合层215可以仅与发光二极管LED重叠。例如，粘合层215的侧边缘可以在与基板100的上表面平行的方向上与第一半导体层242、有源层243、第二半导体层244和第二电极焊盘245的侧边缘共面，并且可以不延伸超过第一半导体层242、有源层243、第二半导体层244和第二电极焊盘245的侧边缘。粘合层215可以具有与发光二极管LED相对应的面积(例如，在由x方向和y方向限定的平面中的面积)。例如，当发光二极管LED在与基板100的顶表面垂直的方向上被投影时，发光二极管LED的面积可以与粘合层215的面积基本相同。这里，当A的面积被称为与B的面积基本相同时，A的面积与B的面积之间的差可以小于A或B的面积的大约10％。更优选地，A的面积与B的面积的差可以小于A或B的面积的大约8％或大约5％。
粘合层215可以包括金属。在示例性实施例中，粘合层215可以包括选自铜(Cu)、银(Ag)和金(Au)中的至少一种金属元素。在示例性实施例中，粘合层215可以包括包含以上材料的单层或多层结构。
在示例性实施例中，第二透明电极230可以包括包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)的导电氧化物中的至少一种。第二透明电极230可以电连接到以上参考图5A和图5B的示例性实施例描述的第二电力电压线VSSL。第二电力电压线VSSL(参见图5A或图5B)可以与第一源电极SE1或第一漏电极DE1布置在同一层上，或者与第一透明电极210布置在同一层上。为了第二透明电极230与第二电力电压线VSSL之间的电连接，它们之间的绝缘层(例如，有机绝缘层209和/或透明绝缘层220)可以分别包括接触孔。
如以上参考图5A的示例性实施例所描述的，不同于与邻近的第一透明电极210间隔开的第一透明电极210，第二透明电极230可以被形成为一体以完全覆盖基板100。例如，第二透明电极230可以被形成为一体以覆盖显示区域DA。
透明绝缘层220可以被布置在第一透明电极210与第二透明电极230之间(例如，在基板100的厚度方向上)。透明绝缘层220可以围绕发光二极管LED的横向侧表面并且可以直接接触发光二极管LED的横向侧表面。
透明绝缘层220可以包括透明有机材料。在示例性实施例中，透明绝缘层220可以包括选自聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、丙烯酸酯、环氧树脂和聚酯中的至少一种化合物。
如图6的示例性实施例中所示的，透射区域TA与发射区域EA邻近。然而，与发射区域EA相反，透射区域TA不包括发光二极管LED。
至少一个透射区域TA和至少一个发射区域EA可以与有机绝缘层209的开口209OP重叠。例如，如图6的示例性实施例中所示的，三个透射区域TA和两个发射区域EA与开口209OP重叠。透射区域TA可以与第一透明电极210和第二透明电极230重叠(例如，在基板100的厚度方向上重叠)，并且与第一透明电极210和第二透明电极230之间的透明绝缘层220重叠。例如，透射区域TA可以与在其中第一透明电极210、透明绝缘层220和第二透明电极230顺序地堆叠(例如，在基板100的厚度方向上顺序地堆叠)的堆叠结构重叠。透明绝缘层220可以直接接触透射区域TA中的第一透明电极210的上表面和第二透明电极230的下表面。
当在与基板100的前表面(或主表面100f)垂直的方向上观察时，透射区域TA可以完全围绕发射区域EA，如以上参考图4所描述的。在具有参考图5A或图5B以及图6的示例性实施例描述的结构的显示设备1中，显示区域可以包括在其中图4的单元U被重复地布置的二维布置结构。在具有以上描述的结构的本发明构思的示例性实施例中，在每个单元U中由透射区域TA占据的面积可以是每个单元U的总面积(例如，在由x方向和y方向限定的平面中的总面积)的大约50％或更多。
图7A是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造显示设备1的工艺的截面图。图7B是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造显示设备1的工艺的平面图。
参考图7A和图7B的示例性实施例，电路元件PC可以形成在基板100上，并且电路元件PC可以包括如以上描述的第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和存储电容器Cst。缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以在形成电路元件PC之前和在电路元件PC的形成期间形成。缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以由以上描述的材料组成。在示例性实施例中，接触孔209CH和开口209OP可以通过在电路元件PC上形成有机绝缘层209并且移除有机绝缘层209的一部分而形成。开口209OP可以从有机绝缘层209的顶表面延伸到底表面。
在形成电路元件PC的工艺期间，可以形成信号线和电力线。例如，可以形成图7B的示例性实施例中所示的扫描线SWL、先前扫描线SIL、发射控制线EL、初始化电压线VL、第一至第三数据线DL1、DL2和DL3、第一电力电压线VDDL和/或第二电力电压线VSSL。在示例性实施例中，扫描线SWL、先前扫描线SIL和发射控制线EL可以与第一薄膜晶体管TFT1的第一栅电极GE1位于同一层上，并且可以包括与第一薄膜晶体管TFT1的第一栅电极GE1的材料相同的材料。初始化电压线VL可以与存储电容器Cst的第二电极CE2位于同一层上，并且可以包括与第二电极CE2的材料相同的材料。第一至第三数据线DL1、DL2和DL3、第一电力电压线VDDL和/或第二电力电压线VSSL可以与第一薄膜晶体管TFT1的第一源电极SE1或第一漏电极DE1位于同一层上，并且可以包括与第一源电极SE1或第一漏电极DE1的材料相同的材料。在示例性实施例中，第二电力电压线VSSL可以与以下描述的第一透明电极210位于同一层上，并且可以包括与第一透明电极210的材料相同的材料。
然后可以形成第一透明电极210。金属层215P形成在第一透明电极210上。第一透明电极210可以通过形成透明导电氧化物层并且然后聚合透明导电氧化物层而形成。例如，在高温被施加到透明导电氧化物层的实例中，包括多晶透明导电氧化物层(诸如多晶ITO)的第一透明电极210可以被形成。
然后可以形成金属层215P。在示例性实施例中，金属层215P可以包括选自铜(Cu)、银(Ag)和金(Au)中的至少一种金属。例如，金属层215P可以包括铜层。
图8A和图8B是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造显示设备1的工艺的截面图。图8C是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造显示设备1的工艺的平面图。
参考图8A的示例性实施例，发光二极管LED可以被布置在金属层215P上。例如，发光二极管LED可以是共晶结合(eutectic-bonded)的。由于金属层215P与第一透明电极210重叠(例如，在基板100的厚度方向上重叠)，并且具有与第一透明电极210的面积基本相同的面积，因此安装发光二极管LED的工艺(例如，对准发光二极管LED的工艺)可以相对简单且容易地被执行。
如图8B的示例性实施例中所示的，然后通过使用发光二极管LED作为掩模移除金属层215P，并且粘合层215可以形成在发光二极管LED与第一透明电极210之间(例如，在基板100的厚度方向上)。在示例性实施例中，可以通过湿法刻蚀或干法刻蚀移除金属层215P。粘合层215可以通过刻蚀工艺仅被布置在第一透明电极210与发光二极管LED之间。例如，粘合层215的侧边缘可以在与基板100的上表面平行的方向上与发光二极管LED的其他层的侧边缘共面，并且可以不延伸超过发光二极管LED的其他层的侧边缘。由于第一透明电极210包括多晶透明导电材料，因此可以最小化或防止在刻蚀工艺期间对第一透明电极210的损坏。
如图8C的示例性实施例中所示的，多个发光二极管LED可以通过以上工艺被布置在每个第一透明电极210之上。如图8C的示例性实施例中所示的，发光二极管LED可以在每个第一透明电极210之上以相同的间隔被布置。
图9A是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造显示设备1的工艺的截面图。图9B是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造显示设备1的工艺的平面图。
参考图9A的示例性实施例，在发光二极管LED被设置在粘合层215上之后，透明绝缘层220和第二透明电极230被依次形成(例如，在基板100的厚度方向上被依次形成)。在示例性实施例中，透明绝缘层220和第二透明电极230可以被形成为一体以完全覆盖基板100。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在另一示例性实施例中，透明绝缘层220可以具有可以与图9B的示例性实施例中所示的三个第一透明电极210重叠的区域，并且针对每个单元U被布置成岛型。在该实施例中，一个单元U的透明绝缘层220可以与邻近单元U的透明绝缘层220间隔开(例如，在x方向上间隔开)。
图10是根据本发明构思的示例性实施例的显示设备1的一部分的平面图。
参考图10的示例性实施例，如以上参考图4所描述的，单元U可以包括在y方向上延伸并且在x方向上布置的多条垂直线以及在x方向上延伸并且在y方向上布置的多条水平线。如图10的示例性实施例中所示的，多条垂直线可以包括例如第一至第三数据线DL1、DL2和DL3、第一电力电压线VDDL和第二电力电压线VSSL。多条水平线可以包括例如扫描线SWL、先前扫描线SIL、发射控制线EL和初始化电压线VL。第一至第三数据线DL1、DL2和DL3可以彼此邻近，并且可以与第一电力电压线VDDL和第二电力电压线VSSL间隔开，而透射区域TA被设置在它们之间。扫描线SWL、先前扫描线SIL和发射控制线EL可以彼此邻近，并且可以与初始化电压线VL间隔开，而透射区域TA被设置在它们之间。
如以上在图5A的示例性实施例中所示的，在单元U中，发光二极管LED在第一透明电极210上在y方向上彼此间隔开预定间隔。因此，如图4的示例性实施例中所示的，多个红色发射区域EA-R被布置成在y方向上具有预定间隔，并且多个绿色发射区域EA-G和蓝色发射区域EA-B被布置成在y方向上具有预定间隔。然而，在另一示例性实施例中，如图10中所示的，可以在第一透明电极210的一部分上偏置(偏移)地布置发射区域。
如图10的示例性实施例中所示的，红色发射区域EA-R可以位于第一透明电极210上，并且被布置在第一透明电极210的下部分上(例如，在y方向上的下部分上)。类似地，绿色发射区域EA-G和蓝色发射区域EA-B可以分别位于相关的第一透明电极210上，并且被布置在第一透明电极210的下部分上(例如，在y方向上的下部分上)。例如，如图10的示例性实施例中所示的，多个红色发射区域EA-R、绿色发射区域EA-G和蓝色发射区域EA-B可以各自包括三个发射区域。多个红色发射区域EA-R、绿色发射区域EA-G和蓝色发射区域EA-B中的每个包括与先前扫描线SIL重叠并且不被透射区域TA完全围绕的下发射区域(例如，在y方向上的下发射区域)。多个红色发射区域EA-R、绿色发射区域EA-G和蓝色发射区域EA-B中的每个还包括两个中心发射区域，该两个中心发射区域在第一透明电极210的下部分上相对于下发射区域向上(例如，在y方向上向上)布置并且在x方向上与下发射区域间隔开。中心发射区域被透射区域TA完全围绕。
在图10的示例性实施例中，发射区域EA-R、EA-G和EA-B的位置可以与发光二极管的位置相对应。在图10的示例性实施例中，红色发射区域EA-R中的每个可以与发射红光的发光二极管的位置相对应，绿色发射区域EA-G中的每个可以与发射绿光的发光二极管的位置相对应，并且蓝色发射区域EA-B中的每个可以与发射蓝光的发光二极管的位置相对应。
尽管图10的示例性实施例具有与第一透明电极210的下部分(例如，在y方向上的下部分)偏置的发射区域的位置，但是本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在其他示例性实施例中，发射区域和/或发光二极管可以位于第一透明电极210的上部分或中间部分上，并且多个发射区域的布置可以改变。
图11是根据本发明构思的示例性实施例的连接至提供到显示设备1的发光二极管中的一个发光二极管的电路的图。
参考图11的示例性实施例，连接到发光二极管LED的电路元件PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。
第二晶体管T2连接到扫描线SWL和数据线DL。作为开关晶体管的第二晶体管T2响应于通过扫描线SWL传送的扫描信号S[n]而被导通，并且执行将通过数据线DL传送的数据信号DATA传送到第一晶体管T1的第一电极的开关操作。
存储电容器Cst连接到第二晶体管T2和第一电力电压线VDDL，并且存储与从第二晶体管T2传送的电压和供给到第一电力电压线VDDL的第一电力电压ELVDD之间的差相对应的电压。
第一晶体管T1连接到第一电力电压线VDDL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压而控制从第一电力电压线VDDL通过发光二极管LED流到第二电力电压ELVSS的线的驱动电流。发光二极管LED可以通过使用驱动电流而发射具有预定亮度的光。
尽管在图11的示例性实施例中的电路元件PC包括两个晶体管和一个存储电容器，但是在其他示例性实施例中，晶体管的数量和存储电容器的数量可以被各种改变。
图12是根据本发明构思的示例性实施例的作为显示设备1的一部分的、包括发射区域EA-R、EA-G和EA-B和透射区域TA的一个单元U的平面图。
参考图12的示例性实施例，多条线可以在y方向上延伸并且在x方向上布置，并且多条线可以在x方向上延伸并且在y方向上布置。如图12的示例性实施例中所示的，第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3、第一电力电压线VDDL和第二电力电压线VSSL可以在y方向上延伸并且可以在x方向上布置。扫描线SWL可以在x方向上延伸并且在y方向上布置。在图12的示例性实施例中，与第n-1像素列相对应的扫描线SWL(n-1)和与第n像素列相对应的扫描线SWL(n)彼此邻近并且在y方向上彼此间隔开。
透射区域TA可以被限定于在y方向上延伸的线当中的邻近的线之间以及在x方向上延伸的线当中的邻近的线之间。例如，如图12的示例性实施例中所示的，透射区域TA可以被设置在第三数据线DL3与第一电力电压线VDDL之间以及在两条扫描线SWL(n-1)和SWL(n)之间。
透射区域TA是与以下描述的线、连接到线的电路元件以及发射区域不重叠的区。透射区域TA是外部光可以穿过的区。发射区域可以与透射区域TA邻近。例如，红色发射区域EA-R、绿色发射区域EA-G和蓝色发射区域EA-B可以与透射区域TA邻近。如图12的示例性实施例中所示的，多个红色发射区域EA-R、绿色发射区域EA-G和蓝色发射区域EA-B中的每个可以包括在y方向上以规则间隔彼此间隔开的三个发射区域。多个红色发射区域EA-R、绿色发射区域EA-G和蓝色发射区域EA-B中的每个可以在平面图中(例如，在由x方向和y方向限定的平面中)被透射区域TA完全围绕。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
图13是根据本发明构思的示例性实施例的布置在作为显示设备1的一部分的一个单元U中的发光二极管LED和电极210和230的位置的平面图。
参考图13的示例性实施例，至少一个第一透明电极210可以被布置于在y方向上延伸的线之间。例如，如图13的示例性实施例中所示的，三个第一透明电极210被设置在第三数据线DL3与第一电力电压线VDDL之间。三个第一透明电极210彼此邻近，并且包括第一透明电极210中的设置在第三数据线DL3与第一电力电压线VDDL之间且与在y方向上延伸的任何线都不重叠的中心的一个、第一透明电极210中的与第三数据线DL3重叠的左边的一个以及第一透明电极210中的与第一电力电压线VDDL重叠的右边的一个。
至少一个发光二极管LED可以被布置在第一透明电极210上方。例如，如图13的示例性实施例中所示的，可以针对每个第一透明电极210布置三个发光二极管LED。设置在每个第一透明电极210上的三个发光二极管LED可以在y方向上以规则间隔间隔开。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
每个发光二极管LED可以发射红光、绿光或蓝光。可以针对每个第一透明电极210布置红色发光二极管LED(R)、绿色发光二极管LED(G)或蓝色发光二极管LED(B)。发光二极管LED可以包括包含基于无机材料半导体的材料的PN二极管。发光二极管LED的特定材料和尺寸与以上描述的那些相同。
图13的示例性实施例中所示的第一至第三数据线DL1、DL2和DL3中的一些可以通过数据连接线DL-C电连接到第一透明电极210，如以上参考图5A的示例性实施例描述的，并且数据连接线DL-C可以将数据信号传送到电连接到相关数据线的晶体管。
参考图12和图13的示例性实施例，尽管第一至第三数据线DL1、DL2和DL3被布置在透射区域TA或多个第一透明电极210的一侧(例如，被布置于在x方向上的左侧上)，但是本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在另一示例性实施例中，第一至第三数据线DL1、DL2、DL3可以彼此间隔开(例如，在x方向上彼此间隔开)，而第一透明电极210在第一至第三数据线DL1、DL2、DL3之间，如以上参考图5B的示例性实施例所描述的。
图14是根据本发明构思的示例性实施例的沿图13的线XIV-XIV'截取的显示设备1的截面图。
参考图14，显示层200被布置在基板100上，并且显示层200的特定结构与以上参考图6的示例性实施例描述的结构基本相同。
显示层200可以包括设置在第一透明电极210与第二透明电极230之间(例如，在基板100的厚度方向上)的发光二极管LED。发光二极管LED可以具有堆叠结构，在该堆叠结构中第一半导体层242、有源层243和第二半导体层244被布置在第一电极焊盘241与第二电极焊盘245之间(例如，在基板100的厚度方向上)。
每个发光二极管LED电连接到包括晶体管的电路元件PC。显示层200可以包括电路元件PC，电路元件PC包括第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2以及存储电容器Cst。在示例性实施例中，图14的示例性实施例的第一薄膜晶体管TFT1可以与参考图11描述的第一晶体管T1相对应，并且图14的示例性实施例的第二薄膜晶体管TFT2可以与参考图11描述的第二晶体管T2相对应。在包括在电路元件PC中的薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量相对小的实施例中，可以相对并且有利地增大透射区域TA的面积。
第一透明电极210被布置在有机绝缘层209上，并且第一透明电极210的一部分(例如，大部分)可以位于有机绝缘层209的开口209OP中。第一透明电极210可以通过形成在有机绝缘层209中的接触孔209CH连接到电路元件PC(例如，第一薄膜晶体管TFT1)。例如，如图14的示例性实施例中所示的，第一透明电极210可以直接接触第一薄膜晶体管TFT1的第一漏电极DE1。
在示例性实施例中，透明绝缘层220可以包括透明有机材料。透明绝缘层220可以围绕第一透明电极210上的每个发光二极管LED。如图14的示例性实施例中所示的，在截面图中，透明绝缘层220的一部分被设置在发光二极管LED之间。
由于第一透明电极210、透明绝缘层220和第二透明电极230的特定结构和材料与以上描述的那些相同，因此为了便于说明，省略了其描述。
根据本发明构思的示例性实施例，显示设备可以包括用于透射区域TA的相对大的区域，并且可以提供显示设备的制造方法。作为示例提供了这些优点，并且本发明构思的示例性实施例的范围不限于此。
应理解，本文中描述的本发明构思的示例性实施例应在描述意义上被考虑，并且不用于限制目的。每个示例性实施例内的特征或方面的描述应典型地被认为是可用于其它示例性实施例中其它相似特征或方面。尽管已参考附图描述了一个或多个示例性实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在一个或多个示例性实施例中进行形式上和细节上的各种修改，而不背离如由所附权利要求限定的精神和范围。

Claims (10)

1.一种显示设备，包括发射光的至少一个发射区域和与所述至少一个发射区域邻近并且透射外部光的透射区域，所述显示设备包括：
基板；
电路元件，包括设置在所述基板上的至少一个晶体管和存储电容器；
绝缘层，设置在所述电路元件上并且包括接触孔；
第一透明电极，设置在所述绝缘层上，并且通过所述接触孔电连接到所述电路元件；以及
至少一个发光二极管，设置在所述第一透明电极上，并且限定所述至少一个发射区域，所述至少一个发光二极管包括PN二极管，所述PN二极管包括基于无机半导体的材料，
其中所述第一透明电极的一部分位于所述透射区域中。
2.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
第二透明电极，设置在所述至少一个发光二极管上，并且面对所述第一透明电极，
其中在所述透射区域中，所述第一透明电极在所述基板的厚度的方向上与所述第二透明电极重叠。
3.根据权利要求2所述的显示设备，进一步包括：
透明绝缘层，设置在所述第一透明电极与所述第二透明电极之间，
其中在所述透射区域中，所述透明绝缘层直接接触所述第一透明电极和所述第二透明电极。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述绝缘层包括开口，所述开口与所述接触孔间隔开并且从所述绝缘层的顶表面延伸到底表面；并且
所述开口的至少一部分位于所述透射区域中。
5.根据权利要求4所述的显示设备，进一步包括：
无机绝缘层，设置在所述基板与所述绝缘层之间，
其中所述第一透明电极直接接触所述开口中的所述无机绝缘层。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
在由与所述基板的上表面平行的第一方向和第二方向限定的平面的平面图中观察时，所述透射区域围绕所述至少一个发射区域，所述第一方向与所述第二方向交叉。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个发光二极管包括垂直型发光二极管。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中：
所述至少一个发光二极管包括电连接到所述第一透明电极的第一电极焊盘和面对与所述第一电极焊盘相反的方向并且在所述基板的厚度的方向上与所述第一电极焊盘间隔开的第二电极焊盘，
其中所述显示设备进一步包括粘合层，所述粘合层包括金属并且在所述基板的所述厚度的所述方向上设置在所述第一透明电极与所述第一电极焊盘之间。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述粘合层在所述基板的所述厚度的所述方向上仅与所述至少一个发光二极管重叠。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一透明电极包括多晶透明导电氧化物。
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