TWI702584B - 顯示裝置及陣列基板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可提高ESD耐受性之顯示裝置及陣列基板。 本發明之顯示裝置具備：基板；複數個像素，其等排列於基板；無機發光元件，其設置於複數個像素之各者；透光性之電極，其設置於基板之其中一面側，且連接於無機發光元件；透光性之第1導電層，其設置於基板之其中一面側，且覆蓋電極；及透光性之覆蓋構件，其設置於基板之其中一面側，且覆蓋第1導電層；且第1導電層之薄片電阻值較電極之薄片電阻值高。

Description

顯示裝置及陣列基板
本發明係關於一種顯示裝置及陣列基板。
近年來，使用無機發光二極體(微型LED(micro LED))作為顯示元件之無機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器受到關注(例如參照專利文獻1)。無機EL顯示器係將出射不同顏色之光之複數個發光元件排列於陣列基板上。無機EL顯示器由於使用自發光元件，故而不需要光源，又，由於不經由彩色濾光片而出射光，故而光之利用效率較高。又，無機EL顯示器與使用有機發光二極體(OLED：Organic Light Emitting Diode)作為顯示元件之有機EL顯示器相比耐環境性優異。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2017-529557號公報
[發明所欲解決之問題]
於無機EL顯示器中，存在因靜電等電磁雜訊導致無機發光二極體被破壞而不點亮之可能性。
本發明係鑒於此種情況而完成者，其目的在於提供一種可提高對靜電等電磁雜訊之耐受性(以下稱為ESD(Electro-Static Discharge，靜電放電)耐受性)之顯示裝置及陣列基板。 [解決問題之技術手段]
一態樣之顯示裝置具備：基板；複數個像素，其等排列於上述基板；無機發光元件，其設置於上述複數個像素之各者；透光性之電極，其設置於上述基板之其中一面側，且連接於上述無機發光元件；透光性之第1導電層，其設置於上述基板之其中一面側，且覆蓋上述電極；及透光性之覆蓋構件，其設置於上述基板之其中一面側，且覆蓋上述第1導電層；且上述第1導電層之薄片電阻值較上述電極之薄片電阻值高。
一態樣之陣列基板係安裝複數個無機發光元件者，且具備：基板；電晶體，其設置於上述基板之其中一面側，且連接於上述無機發光元件；及電源供給用配線，其設置於上述基板之其中一面側；於上述電晶體與上述無機發光元件之間形成第1電容，且於上述配線與上述無機發光元件之間形成第2電容。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之各實施形態進行說明。再者，揭示終究僅為一例，關於業者對於保持發明之主旨之適當變更可容易地想到者，當然包含於本發明之範圍內。又，圖式為了使說明更明確，有時與實際之態樣相比，對各部分之寬度、厚度、形狀等模式性地進行表示，但終究為一例，並非限定本發明之解釋。又，於本說明書及各圖中，有時對與上文關於已出現之圖所敍述之要素相同之要素附註相同之符號並適當省略詳細之說明。
(實施形態1) 圖1係表示實施形態1之顯示裝置之構成例之俯視圖。如圖1所示，顯示裝置1包含基板10、像素Pix、驅動電路12、驅動IC(Integrated Circuit，積體電路)210、及陰極配線60。
如圖1所示，顯示裝置1具有顯示區域AA、及周邊區域GA。顯示區域AA係配置複數個像素Pix之區域，且係顯示圖像之區域。周邊區域GA係不與複數個像素Pix重疊之區域，且位於顯示區域AA之外側。
複數個像素Pix於顯示區域AA排列於第1方向Dx及第2方向Dy。再者，第1方向Dx及第2方向Dy係相對於基板10之其中一面10a(參照圖4)平行之方向。第1方向Dx與第2方向Dy正交。但是，第1方向Dx亦可不與第2方向Dy正交而交叉。第3方向Dz係與第1方向Dx及第2方向Dy正交之方向。例如，與基板10之法線方向對應。再者，以下，所謂俯視係表示自第3方向Dz觀察之情形之位置關係。
驅動電路12係基於來自驅動IC210之各種控制信號而驅動複數條閘極線(第1閘極線GCL1及第2閘極線GCL2(參照圖3))之電路。驅動電路12依序或同時選擇複數條閘極線，並對所選擇之閘極線供給閘極驅動信號。藉此，驅動電路12選擇連接於閘極線之複數個像素Pix。
驅動IC210係控制顯示裝置1之顯示之電路。驅動IC210亦可作為COG(Chip On Glass，覆晶玻璃)安裝於基板10之周邊區域GA。並不限定於此，驅動IC210亦可作為COF(Chip On Film，覆晶薄膜)安裝於連接於基板10之周邊區域GA之軟性印刷基板或硬質基板上。
陰極配線60設置於基板10之周邊區域GA。陰極配線60包圍顯示區域AA之複數個像素Pix及周邊區域GA之驅動電路12而設置。複數個無機發光元件100(參照圖4)之陰極連接於共通之陰極配線60，例如被供給接地電位。更具體而言，無機發光元件100之陰極端子55p(第2端子)經由TFT基板側之陰極電極55e(第2電極)而連接於陰極配線60。
圖2係表示實施形態1之像素之構成例之俯視圖。如圖2所示，1個像素Pix包含複數個像素49。例如，像素Pix具有第1像素49R、第2像素49G、及第3像素49B。第1像素49R顯示作為第1色之原色之紅色。第2像素49G顯示作為第2色之原色之綠色。第3像素49B顯示作為第3色之原色之藍色。如圖2所示，於1個像素Pix中，第1像素49R及第3像素49B於第1方向Dx上排列。又，第2像素49G及第3像素49B於第2方向Dy上排列。再者，第1色、第2色、第3色分別不限於紅色、綠色、藍色，可選擇補色等任意之顏色。以下，於無須分別區別第1像素49R、第2像素49G、及第3像素49B之情形時，稱為像素49。
像素49分別具有無機發光元件100。顯示裝置1於第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B中，針對每個無機發光元件100出射不同之光，藉此顯示圖像。無機發光元件100係於俯視下具有3 μm以上300 μm以下左右之大小之無機發光二極體(LED：Light Emitting Diode)晶片，被稱為微型LED(micro LED)。於各像素具備微型LED之顯示裝置亦被稱為微型LED顯示裝置。再者，微型LED之微型並不限定無機發光元件100之大小。
圖3係表示實施形態1之像素電路之構成例之電路圖。如圖3所示，像素49具有用以驅動像素49之像素電路PIC。像素電路PIC例如具有開關用之電晶體Tr1、電流切換用之電晶體Tr2、Tr4、驅動用之電晶體Tr3、及無機發光元件100。電晶體Tr1至Tr4、及下述電晶體Tr5(參照圖4)分別係薄膜電晶體(Thin Film Transistor：以下稱為TFT)。
電晶體Tr1之閘極連接於第1閘極線GCL1，源極連接於信號線SGL，汲極連接於電晶體Tr3之閘極。電晶體Tr2之閘極連接於第1閘極線GCL1，源極連接於信號線SGL，汲極連接於電晶體Tr3之源極及電晶體Tr4之汲極。電晶體Tr3之閘極連接於電晶體Tr1之汲極，源極連接於電晶體Tr2、Tr4之各汲極，汲極連接於無機發光元件100之陽極。電晶體Tr4之閘極連接於第2閘極線GCL2，源極連接於電源線LVDD，汲極連接於電晶體Tr2之汲極及電晶體Tr3之源極。
第1電容CS1之一端連接於電晶體Tr1之汲極及電晶體Tr3之閘極，另一端連接於電晶體Tr3之汲極及無機發光元件100之陽極。第2電容CS2之一端連接於電源線LVDD，另一端連接於無機發光元件100之陽極。第1電容CS1及第2電容CS2附加於像素49，以抑制因電晶體Tr1之寄生電容及漏電流導致之閘極電壓之變動。無機發光元件100之陰極電極55經由陰極配線60而連接於固定電位。作為固定電位例示接地電位。
電源線LVDD連接於定電壓源。電源線LVDD對電晶體Tr4之源極、及第2電容CS2之一端供給直流之定電壓Vdd。信號線SGL連接於定電流源。信號線SGL對電晶體Tr1、Tr2之各源極供給直流之定電流Idata。第1閘極線GCL1及第2閘極線GCL2連接於驅動電路12(參照圖1)。
若顯示裝置1將第1閘極線GCL1之電位設為高(High)，將第2閘極線GCL2之電位設為低(Low)，則電晶體Tr1、Tr2變為接通(ON)，電晶體Tr4變為斷開(Off)。藉此，自信號線SGL對無機發光元件100供給定電流Idata。若顯示裝置1將第1閘極線GCL1之電位設為低，將第2閘極線GCL2之電位設為高，則電晶體Tr1、Tr2變為斷開(Off)，電晶體Tr4變為接通(ON)。藉此，自電源線LVDD對無機發光元件100供給定電壓Vdd。
圖4係表示實施形態1之顯示裝置之構成例之剖視圖。圖4表示以IV-IV’線將圖1所示之俯視圖切斷所得之剖面。圖5係於實施形態1之顯示裝置中將無機發光元件、及連接於無機發光元件之電晶體放大表示之剖視圖。如圖4及圖5所示，顯示裝置1具備基板10、設置於基板10之其中一面10a上之底塗層20、及設置於底塗層20上之複數個電晶體。例如，於基板10之顯示區域AA，作為複數個電晶體，分別設置有包含於像素49之電晶體Tr1、Tr2、Tr3、及Tr4。於基板10之周邊區域GA，作為複數個電晶體，設置有包含於驅動電路12之電晶體Tr5。
基板10例如係玻璃基板、石英基板、或丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(PET樹脂)、聚萘二甲酸乙二酯樹脂(PEN樹脂)、環烯烴聚合物樹脂(COP樹脂)或環氧樹脂製之可撓性基板。又，電晶體Tr1至Tr5例如係雙面閘極構造之TFT。電晶體Tr1至Tr5分別具有設置於底塗層20上之第1閘極電極21、設置於底塗層20上並覆蓋第1閘極電極21之絕緣膜24、設置於絕緣膜24上之半導體層25、設置於半導體層25上之絕緣膜29、及設置於絕緣膜29上之第2閘極電極31。絕緣膜24、29係無機絕緣膜。於第3方向Dz上，第1閘極電極21與第2閘極電極31介隔絕緣膜24、半導體層25及絕緣膜29而對向。於絕緣膜24、29中，夾於第1閘極電極21與第2閘極電極31之間之部分作為閘極絕緣膜發揮功能。又，於半導體層25中，夾於第1閘極電極21與第2閘極電極31之間之部分成為TFT之通道27。於半導體層25中，與下述源極電極41s連接之部分係TFT之源極，與下述汲極電極41d連接之部分係TFT之汲極。
再者，於實施形態1中，電晶體Tr1至Tr5並不限定於雙面閘極構造。電晶體Tr1至Tr5亦可為閘極電極僅由第1閘極電極21構成之底閘極型。又，電晶體Tr1至Tr5亦可為閘極電極僅由第2閘極電極31構成之頂閘極型。又，亦可無底塗層20。
又，顯示裝置1具備：絕緣膜35，其設置於基板10之其中一面上，且覆蓋複數個電晶體Tr1至Tr5；源極電極41s，其貫通絕緣膜35而連接於複數個電晶體Tr1至Tr5之各源極；汲極電極41d，其貫通絕緣膜35而連接於複數個電晶體Tr1至Tr5之各汲極；陰極配線60，其設置於絕緣膜35上；及絕緣膜42，其覆蓋源極電極41s、汲極電極41d及陰極配線60。絕緣膜35為無機絕緣膜，絕緣膜42為有機絕緣膜。
又，顯示裝置1具備：源極連接配線43s，其貫通絕緣膜42而連接於源極電極41s；汲極連接配線43d，其貫通絕緣膜42而連接於汲極電極41d；及絕緣膜45，其設置於絕緣膜42上，且覆蓋源極連接配線43s及汲極連接配線43d。又，顯示裝置1具備設置於絕緣膜45上之陽極電極50e(第1電極)。陽極電極50e貫通絕緣膜45而連接於電晶體Tr3之汲極連接配線43d。
又，顯示裝置1具備：絕緣膜70，其設置於絕緣膜45上，且覆蓋陽極電極50e之側面；絕緣性之平坦化層80，其設置於絕緣膜70上且覆蓋無機發光元件100之側面；及陰極電極55e(第2電極)，其設置於平坦化層80上。絕緣膜70係無機絕緣膜。平坦化層80係透光性之有機絕緣膜或無機有機混合絕緣膜(於Si-O主鏈鍵結有例如有機基(甲基或苯基)之材料)。
無機發光元件100之上表面自平坦化層80露出。陰極電極55e於無機發光元件100中連接於自平坦化層80露出之上表面(陰極端子55p)。又，於周邊區域GA，於平坦化層80及絕緣膜70、45、42設置有將陰極配線60設為底面之接觸孔H11。陰極電極55自平坦化層80之上表面通過接觸孔H11之內側面而連接於陰極配線60。
又，顯示裝置1具備設置於平坦化層80上且覆蓋陰極電極55e之透光性之接著層150、及設置於接著層150上之覆蓋構件160。接著層150配置於包含接觸孔H11內之基板10之其中一面10a側，使基板10之其中一面10a側平坦化。接著層150係導電性之樹脂，例如，係OCR(Optical Clear Resin，光學透明樹脂)或OCA(Optical Clear Adhesive，光學透明膠)。接著層150之薄片電阻值較陰極電極55e之薄片電阻值高。例如，接著層150之薄片電阻值較陰極電極55e之薄片電阻值高2位數以上。接著層150之薄片電阻值大於10 kΩ/□，為1012 Ω/□以下。接著層150於接觸孔H11之底部經由陰極電極55e而連接於陰極配線60。陰極配線60連接於接地電位。
覆蓋構件160係玻璃基板或樹脂基板等具有透光性之基板。於覆蓋構件160係玻璃基板之情形時，覆蓋構件160亦稱為覆蓋玻璃。
於顯示裝置1中，陣列基板2包含基板10至陽極電極50e之各層。於陣列基板2中，不包含絕緣膜70、平坦化層80、陰極電極90e、無機發光元件100、接著層150及覆蓋構件160。陣列基板2係用以驅動各像素Pix之驅動電路基板，亦稱為底板或主動矩陣基板。
對形成於基板10之其中一面10a側之各層之材料進行說明。第1閘極電極21、第2閘極電極31、源極電極41s、汲極電極41d、源極連接配線43s、汲極連接配線43d、陽極電極50e、陰極電極55e及陰極配線60例如包含鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)、鈮、銦錫氧化物(ITO)、鋁(Al)、Al合金、銀(Ag)、Ag合金、銅(Cu)、Cu合金、碳奈米管、石墨、石墨烯或碳奈米芽。第1閘極電極21、第2閘極電極31、源極電極41s、汲極電極41d、源極連接配線43s、汲極連接配線43d、陽極電極50、陰極電極55及陰極配線60可為單層膜，亦可為積層膜。
半導體層25例如包含非晶矽、微晶氧化物半導體、非晶氧化物半導體、多晶矽、低溫多晶矽(以下表示為LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicon))或氮化鎵(GaN)。作為氧化物半導體，例示IGZO、氧化鋅(ZnO)、ITZO。IGZO係銦鎵鋅氧化物。ITZO係銦錫鋅氧化物。
絕緣膜24、29、35、45、70例如包含氧化矽膜(SiO2 )、氮化矽膜(SiN)、氮氧化矽膜(SiON)等無機絕緣材料。絕緣膜24、29、45、70並不限定於單層膜，亦可為積層膜。尤其是，絕緣膜70亦可為氧化鋁(Al2 O3 )。絕緣膜42例如包含丙烯酸樹脂或環氧樹脂等有機絕緣材料。絕緣膜42亦並不限定於單層，亦可為積層膜。平坦化層80包含環氧樹脂、矽酮樹脂等有機絕緣材料、或無機有機混合絕緣膜(於Si-O主鏈鍵結有例如有機基(甲基或苯基)之材料)。
圖6係表示實施形態1之無機發光元件之構成例之剖視圖。如圖6所示，無機發光元件100具有複數個局部發光元件100s、覆蓋複數個局部發光元件100s之保護層108、p型電極104(包含陽極端子50p)、及n型電極105(包含陰極端子55p)。複數個局部發光元件100s分別呈柱狀形成於p型電極104與n型電極105之間。複數個局部發光元件100s具有n型包覆層103、活性層102、及p型包覆層101。n型電極105電性連接於n型包覆層103。p型電極104電性連接於p型包覆層101。於p型電極104上，依序積層p型包覆層101、活性層102、n型包覆層103、及n型電極105。
n型包覆層103、活性層102及p型包覆層101係發光層，例如，使用氮化鎵(GaN)、磷化鋁銦(AlInP)等化合物半導體。
n型電極105係ITO等透光性之導電性材料。n型電極105係無機發光元件100之陰極端子55p(第2端子)，連接於陰極電極55。又，p型電極104係無機發光元件100之陽極端子50p(第1端子)，具有Pt層104a、及藉由鍍覆而形成之厚膜Au層104b。厚膜Au層104b與陽極電極50之載置面50a連接。保護層108例如係SOG(Spin on Glass，旋塗式玻璃)。保護層108之側面成為無機發光元件100之側面100b。
如以上所說明般，實施形態1之顯示裝置1具備：基板10；複數個像素49，其等排列於基板10，且顯示不同之顏色；無機發光元件100，其設置於複數個像素49之各者；透光性之陰極電極55e(電極)，其設置於基板10之其中一面10a側，且連接於無機發光元件100；透光性之接著層150(第1導電層)，其設置於基板10之其中一面10a側，且覆蓋陰極電極55e；及透光性之覆蓋構件160，其設置於基板10之其中一面10a側，且覆蓋接著層150。接著層150之薄片電阻值較陰極電極55e之薄片電阻值高。
據此，自覆蓋構件160側施加於顯示裝置1之靜電流經接著層150。接著層150之薄片電阻值較陰極電極55e高。因此，靜電於流經接著層150之過程中電壓衰減。藉此，顯示裝置1可於短時間內將靜電去除，從而可減少施加於無機發光元件100之靜電。顯示裝置1可提高ESD耐受性。
又，接著層150於接觸孔H11之底部經由陰極電極55e而連接於陰極配線60。陰極配線60連接於接地電位。據此，流經接著層150之靜電流至接地電位側，因此，可防止因靜電等電磁雜訊導致無機發光元件100被破壞。藉此，顯示裝置1可進一步提高ESD耐受性。
又，接著層150將覆蓋構件160接著於基板10之其中一面10a側。據此，不需要用以接著覆蓋構件160之專用之接著層，因此，能夠實現顯示裝置1之薄型化。
又，如圖5所示，顯示裝置1進而具備：電晶體Tr3，其設置於基板10之其中一面10a側，且連接於無機發光元件100；及電源線LVDD(配線)，其設置於基板10之其中一面10a側。於電晶體Tr3與無機發光元件100之間形成第1電容CS1。於電源線LVDD與無機發光元件100之間形成第2電容CS2。據此，第1電容CS1及第2電容CS2藉由進行充電或放電而吸收施加於無機發光元件100之電壓之變化。藉此，第1電容CS1及第2電容CS2可保護無機發光元件100不受靜電電壓變化影響。
於上述實施形態1中，說明了接著層150為導電性。然而，於實施形態1中，接著層150亦可為絕緣性。於此情形時，亦可於接著層150與覆蓋構件160之間設置高電阻導電膜。
圖7係表示實施形態1之變化例之顯示裝置之剖視圖。圖8係表示實施形態1之變化例之顯示裝置之俯視圖。以VII-VII’線將圖8切斷所得之剖面與圖7對應。
如圖7所示，顯示裝置1A具備遮光性之導電層260、及高電阻導電膜265。於顯示裝置1A中，接著層150設置於顯示區域AA之陰極電極55e上，未設置於周邊區域GA之陰極電極55e上。
導電層260設置於周邊區域GA之陰極電極55e上。導電層260具有接觸孔H11，且使基板10之其中一面10a側平坦化。於顯示區域AA與周邊區域GA之邊界附近，接著層150之側面與導電層260之側面相接。
如圖8所示，導電層260覆蓋周邊區域GA。例如，導電層260覆蓋設置於周邊區域GA之驅動電路12。導電層260係導電性黑矩陣。
高電阻導電膜265自顯示區域AA之接著層150上至周邊區域GA之導電層260上連續地設置。又，於高電阻導電膜265上設置有覆蓋構件160。高電阻導電膜265分別與接著層150、導電層260、及覆蓋構件160相接。高電阻導電膜265之薄片電阻值較陰極電極55e之薄片電阻值高。高電阻導電膜265之薄片電阻值為1012 Ω/□以下。高電阻導電膜265係使用ITO、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)、TNO(Niobium Titanium Oxide，氧化鈦鈮)、有機膜等導電膜。
例如，高電阻導電膜265包含ITO、IZO、SnO2 、有機導電膜等。或者，高電阻導電膜265亦可除了包含ITO、IZO、SnO2 之各材料之1種以上以外，還包含絕緣性氧化物。或者，高電阻導電膜265亦可為以氧化錫(SnO2 )及二氧化矽(SiO2 )為主成分之氧化物層、以氧化鎵(Ga2 O3 )、氧化銦(In2 O3 )及氧化錫(SnO2 )為主成分之氧化物層、或以ITO為主材料且含有矽(Si)之透光性之導電層等。
具體而言，作為構成高電阻導電膜265之透光性之導電層之材料(以下，透光性之導電材料)，可列舉以氧化銦(In2 O3 )為母材且添加有錫(Sn)、鍺(Ge)、鉬(Mo)、氟(F)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鎢(W)、碲(Te)中之1種以上作為摻雜劑之材料。
或者，作為構成高電阻導電膜265之透光性之導電材料，可列舉以氧化鋅(ZnO)為母材且添加有鋁(Al)、鎵(Ga)、硼(B)、銦(In)、釔(Y)、鈧(Sc)、氟(F)、釩(V)、矽(Si)、鍺(Ge)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)中之1種以上之材料。
或者，作為構成高電阻導電膜265之透光性之導電材料，可列舉以氧化錫(SnO2 )為母材且添加有銻(Sb)、氟(F)、砷(As)、鈮(Nb)、鉭(Ta)中之1種以上之材料。
於該等透光性之導電材料中添加二氧化矽(SiO2 )作為高電阻成分。以成為特定之薄片電阻之方式，規定氧化銦(In2 O3 )、氧化鋅(ZnO)及氧化錫(SnO2 )中之1種以上之母材、上述摻雜劑、及作為高電阻成分之二氧化矽(SiO2 )之調配比率。
具體而言，構成高電阻導電膜265之有機導電膜係包含PEDOT(Poly-3,4-ethylenedioxythiophene，聚-3,4-伸乙二氧基噻吩)-PSS(Polystyrene Sulfonate，聚苯乙烯磺酸酯)等之導電性高分子材料。作為導電材料，使用於PEDOT-PSS中添加鹼金屬及高電阻成分所得者。鹼金屬例如係鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)。高電阻成分例如係TEOS(Tetraethyl Orthosilicate，正矽酸乙酯)。
如此，實施形態1之變化例之顯示裝置1A具備：透光性之高電阻導電膜265(第1導電層)，其設置於基板10之其中一面10a側，且覆蓋陰極電極55；及遮光性之導電層260(第2導電層)，其設置於基板10之其中一面10a側，且連接於高電阻導電膜265。導電層260配置於周邊區域GA。據此，導電層260可使靜電自顯示區域AA流至周邊區域GA。又，導電層260係遮光性。導電層260遮擋外界光向周邊區域GA之入射。藉此，於周邊區域GA，可防止配線之表面之光之反射。
(實施形態2) 實施形態之顯示裝置亦可具備抑制外界光之反射之圓偏光板。圖9係表示實施形態2之顯示裝置1B之構成例之剖視圖。如圖9所示，實施形態2之顯示裝置1B具備透光性之平坦化層170、透光性之接著層180、及圓偏光板190。平坦化層170係絕緣性之樹脂。平坦化層170設置於陰極電極55e上。平坦化層170具有接觸孔H11，且使基板10之其中一面10a側平坦化。
接著層180係用以將圓偏光板190安裝於基板10之其中一面10a側之偏光板糊劑。接著層180係導電性之樹脂，例如，係含有導電物質之丙烯酸系聚合物。接著層180之薄片電阻值較陰極電極55e之薄片電阻值高。接著層180之薄片電阻值為1012 Ω/□以下。接著層180設置於平坦化層170上。
圓偏光板190例如具備直線偏光板、及設置於直線偏光板之其中一面側之1/4相位差板(亦稱為1/4波長板)。較之直線偏光板而1/4相位差板位於更靠近基板10之側。例如，外界光(入射光)藉由通過直線偏光板而變更為直線偏光。直線偏光藉由通過1/4相位差板而變更為圓偏光。圓偏光於配線進行反射，變為與入射光逆轉之圓偏光(反射光)。反射光藉由再次通過1/4相位差板而成為與入射時正交之直線偏光，並被直線偏光板吸收。藉此，於顯示裝置1中，可抑制外界光之反射。
於圓偏光板190上設置有接著層150。接著層150可為導電性，亦可為絕緣性。
自覆蓋構件160側施加於顯示裝置1B之靜電流經導電性之接著層180。接著層180之薄片電阻值較陰極電極55e高。因此，靜電於流經接著層180之過程中電壓衰減。藉此，顯示裝置1B可於短時間內將靜電去除，從而可減少施加於無機發光元件100之靜電。藉此，顯示裝置1B可提高ESD耐受性。
如此，實施形態2之顯示裝置1B具備設置於基板10與覆蓋構件160之間之圓偏光板190。接著層180(第1導電層)設置於基板10與圓偏光板190之間，將圓偏光板190接著於基板10之其中一面10a側。據此，圓偏光板190吸收通過圓偏光板190並於配線之表面反射之反射光。藉此，例如，即便於屋外外界光(例如較強之可見光)入射至顯示裝置1B之畫面，顯示裝置1B亦可抑制外界光之反射而抑制亮度之降低。藉此，顯示裝置1B可提高圖像之對比度，從而可抑制畫質之降低。又，由於不需要用以接著圓偏光板190之專用之接著層，故而能夠實現顯示裝置1B之薄型化。
圖10係表示實施形態2之變化例之顯示裝置之剖視圖。如圖10所示，實施形態2之變化例之顯示裝置1C具備遮光性之導電層220。導電層220設置於周邊區域GA之陰極電極55e上。導電層220具有接觸孔H11，使基板10之其中一面10a側平坦化。又，導電層220覆蓋陰極配線60之上方。導電層220例如係導電性黑矩陣。於周邊區域GA，導電層220之側面與平坦化層170之側面相接。
導電層220於接觸孔H11之底部經由陰極電極55e而連接於陰極配線60。陰極配線60連接於固定電位(例如接地電位)。據此，顯示裝置1C可將流經接著層150之靜電釋放至接地電位，從而可進一步減少施加於無機發光元件100之靜電。顯示裝置1C可進一步提高ESD耐受性。
又，導電層220配置於周邊區域GA。據此，導電層220可使靜電自顯示區域AA流至周邊區域GA。又，導電層220係遮光性。導電層220遮擋外界光向周邊區域GA之入射。藉此，於周邊區域GA，可防止配線之表面之光之反射。
再者，亦可於圓偏光板190之表面設置有薄片電阻值較陰極電極55e高之導電層(例如接著層150)。該導電層之薄片電阻值為1012 Ω/□以下。據此，即便於接著層180為絕緣性之情形時，靜電亦於流經設置於圓偏光板190之表面之導電層之過程中電壓衰減。
(實施形態3) 圖11係表示實施形態3之顯示裝置之構成例之剖視圖。如圖11所示，實施形態3之顯示裝置1D具有導電層230(第3導電層)。導電層230設置於基板10之位於其中一面10a之相反側之另一面10b側。導電層230之電阻值為0.1 Ω以上1000 Ω以下。導電層230例如包含Ti或Al等。
據此，施加於基板10之另一面10b側之靜電於流經導電層230之過程中電壓衰減。藉此，顯示裝置1D可於短時間內將靜電去除，從而可減少施加於無機發光元件100之靜電。
再者，於圖11中，表示於基板10之另一面10b之整體設置有導電層230之態樣，但其終究為一例。導電層230例如亦可設置於與顯示區域AA對向之區域等一部分而非基板10之另一面10b之整體。
圖12係表示實施形態3之變化例之顯示裝置之剖視圖。圖13係表示實施形態3之變化例之顯示裝置之俯視圖。以XII-XII’線將圖13切斷所得之剖面與圖12對應。如圖12所示，實施形態3之變化例之顯示裝置1E具備將導電層230與陰極配線60連接之遮光性之導電層240。導電層240於顯示裝置1E之側面覆蓋導電層230至接著層150之範圍。如圖13所示，導電層240覆蓋顯示裝置1E之周圍。例如，於顯示裝置1E之俯視之形狀為矩形之情形時，導電層240連續覆蓋矩形之3邊。再者，導電層230只要與陰極配線60或陰極電極55e連接即可，亦可不覆蓋接著層150或平坦化層80之側面。又，亦可局部地覆蓋顯示裝置1E之周圍之一部分。
如此，實施形態3之變化例之顯示裝置1E具備配置於基板10之側面且連接於導電層230之遮光性之導電層240(第4導電層)。據此，導電層230經由導電層240而連接於陰極配線60。陰極配線60連接於接地電位(固定電位)。藉此，顯示裝置1E可將流經導電層230之靜電釋放至接地電位，從而可防止因靜電等電磁雜訊導致無機發光元件100被破壞。顯示裝置1E可進一步提高ESD耐受性。
又，由於導電層240係遮光性，故而可防止無機發光元件100發出之光自基板10之周圍向外側漏出。
(實施形態4) 圖14係表示實施形態4之顯示裝置之構成例之剖視圖。圖15係表示實施形態4之像素之構成例之俯視圖。如圖14所示，實施形態4之顯示裝置1F具備配置於陰極電極55e上之遮光性之導電層250(第1導電層)。導電層250之薄片電阻值較陰極電極55e之薄片電阻值高。導電層250之薄片電阻值為1012 Ω/□以下。導電層250例如係導電性黑矩陣。又，導電層250具有於無機發光元件100之上方開口之開口部H250。接著層150經由開口部H250而與陰極電極55e相接。
如圖15所示，遮光性之導電層250覆蓋像素Pix。開口部H250以於俯視下分別包圍無機發光元件100R、100G、100B之方式配置。藉此，無機發光元件100R、100G、100B發出之光可通過開口部H250而向覆蓋構件160側出射。
又，構成像素Pix之像素電路之配線由遮光性之導電層250覆蓋。所謂構成像素電路之配線，例如係第1閘極線GCL1、第2閘極線GCL2、信號線SGL及電源線LVDD(配線)等。藉此，因配線導致之外界光之反射減少，因此，圖像之對比度提昇，顯示裝置1F之畫質提昇。
(實施形態5) 實施形態之無機發光元件並不限定於圖6所示之態樣。無機發光元件之構成亦可為如圖16所示之態樣。圖16係表示實施形態5之無機發光元件之構成例之剖視圖。如圖16所示，實施形態5之無機發光元件100A具有基板111、緩衝層112、n型包覆層113、活性層114、p型包覆層115、p型電極層116(陽極端子50p)、及n型電極層117(陰極端子55p)。自基板111之其中一面側依序積層有緩衝層112、n型包覆層113、活性層114、p型包覆層115、及p型電極層116。又，於n型包覆層113設置有自活性層114露出之區域。於該區域設置有n型電極層117。
例如，基板111包含藍寶石。n型包覆層113包含n型之GaN。活性層114包含InGaN。p型包覆層115包含p型之GaN。p型電極層116包含鈀(Pd)及金(Au)，且具有於Pd上積層有Au之積層構造。n型電極層117包含銦(In)。
於無機發光元件100A中，p型包覆層115與n型包覆層113未直接接合，而於中間導入有其他層(活性層114)。藉此，可使電子或電洞等載子集中於活性層114中，從而可高效率地使之再結合(發光)。為了高效率化，亦可採用使包含若干原子層之井層及障壁層週期性地積層而成之多重量子井構造(MQW構造)作為活性層114。
(變化例) 本實施形態之像素電路之構成並不限定於圖3。圖17係表示實施形態之變化例之像素電路之電路圖。如圖17所示，實施形態之變化例之像素電路PICA具有驅動電晶體Tr6、點亮開關Tr7、寫入開關Tr8、發光控制開關Tr9、初始化開關Tr10、及重設開關Tr11。
無機發光元件100之陰極(陰極端子90p)連接於電源線274。又，無機發光元件100之陽極(陽極端子50p)經由驅動電晶體Tr6及點亮開關Tr7而連接於電源線276。
電源線276自驅動電源被施加特定之高電位作為驅動電位VDD ，電源線274自電源電路被施加特定之低電位作為基準電位VSS 。
無機發光元件100藉由該等驅動電位VDD 與基準電位VSS 之電位差(VDD －VSS )被供給順向電流(驅動電流)而發光。亦即，驅動電位VDD 相對於基準電位VSS 具有使無機發光元件100發光之電位差。無機發光元件100係於陽極端子50p-陰極端子90p間並聯連接電容291作為等效電路而構成。又，於無機發光元件100之陽極端子50p與供給驅動電位VDD 之電源線276之間設置有附加電容299。再者，電容291亦可連接於陽極端子50p及陰極端子90p以外之基準電位。
於本實施形態中，驅動電晶體Tr6、點亮開關Tr7、及發光控制開關Tr9分別包含n型TFT。驅動電晶體Tr6之源極電極連接於無機發光元件100之陽極端子50p，汲極電極連接於發光控制開關Tr9之源極電極。發光控制開關Tr9之閘極電極連接於發光控制線279。發光控制開關Tr9之汲極電極連接於點亮開關Tr7之源極電極。點亮開關Tr7之閘極電極連接於點亮控制線266。點亮開關Tr7之汲極電極連接於電源線276。重設開關Tr11之閘極電極連接於重設控制線270。寫入開關Tr8之閘極電極連接於寫入控制線268。初始化開關Tr10之閘極電極連接於初始化控制線314。
又，驅動電晶體Tr6之汲極電極經由重設開關Tr11亦連接於重設電源。於本變化例中，針對每個像素列設置重設線278及重設開關Tr11。各重設線278沿著像素列延伸，且經由該像素列之發光控制開關Tr9而共通連接於該像素列之驅動電晶體Tr6之汲極電極。即，構成像素列之複數個像素49共有重設線278及重設開關Tr11。重設開關Tr11例如配置於像素列之端部，切換重設線278與重設電源之間之接斷、亦即將其等之間連接或遮斷。於本變化例中，重設開關Tr11與驅動電晶體Tr6、點亮開關Tr7、及發光控制開關Tr9同樣地包含n型TFT。
作為驅動電晶體Tr6之控制端子之閘極電極經由寫入開關Tr8而連接於影像信號線272，且經由初始化開關Tr10而連接於初始化信號線310。於驅動電晶體Tr6之閘極電極與源極電極之間連接保持電容298。於本實施形態中，寫入開關Tr8及初始化開關Tr10與驅動電晶體Tr6、點亮開關Tr7、及重設開關Tr11同樣地包含n型TFT。
再者，於本實施形態中，示出了驅動電晶體Tr6、點亮開關Tr7、重設開關Tr11、寫入開關Tr8、發光控制開關Tr9、及初始化開關Tr10包含n型TFT之電路例，但並不限於此。例如，驅動電晶體Tr6、點亮開關Tr7、重設開關Tr11、寫入開關Tr8、發光控制開關Tr9、及初始化開關Tr10亦可為包含p型TFT之電路。又，亦可設為將p型TFT及n型TFT組合而成之電路構成。
於圖17中，作為各種信號，示出有相對於寫入開關Tr8之寫入控制信號SG、相對於點亮開關Tr7之點亮控制信號BG、相對於重設開關Tr11之重設控制信號RG、相對於發光控制開關Tr9之發光控制信號CG、及相對於初始化開關Tr10之初始化控制信號IG。
於本變化例中，針對每1幀圖像重複如下動作，即，自開頭列(例如，於圖1中之顯示區域AA，位於最上部之像素列)依序選擇複數個像素列，於所選擇之像素列之像素49寫入影像電壓信號VSIG之電位Vsig(影像寫入電位)，使無機發光元件100發光。驅動電路於每一水平掃描期間，對影像信號線272施加影像電壓信號VSIG之電位Vsig(影像寫入電位)，對初始化信號線310施加初始化電壓信號VINI之電位Vini(初始化電位)。
本變化例中之寫入動作詳細而言分為重設動作、偏移消除動作、及影像信號設置動作。重設動作係對保持於電容291、保持電容298、及附加電容299之電壓進行重設之動作。偏移消除動作係對驅動電晶體Tr6之閾值電壓Vth之偏差進行補償之動作。影像信號設置動作係將影像電壓信號VSIG之電位Vsig(影像寫入電位)寫入至像素49之動作。
上述寫入動作(重設動作、偏移消除動作、影像信號設置動作)、及發光動作係針對每個像素列依序進行。像素列例如以影像信號之1水平掃描期間為週期依序選擇，每個像素列之寫入動作及發光動作以1幀週期重複。
各像素列之可發光期間設定於自上述影像信號設置動作結束至下一幀圖像之該像素列之寫入動作開始之期間內。顯示裝置1於可發光期間，設定有使無機發光元件100以與寫入至各像素49之影像電壓信號VSIG之電位Vsig(影像寫入電位)對應之強度發光之發光期間、及使供給至無機發光元件100之驅動電流強制停止之非發光期間。具體而言，於發光期間，將發光控制信號CG設為H位準，並接通發光控制開關Tr9，藉此，自驅動電源對無機發光元件100供給順向電流(驅動電流)，於非發光期間，將發光控制信號CG設為L位準，將發光控制開關Tr9斷開，藉此，將驅動電源與保持為導通狀態之驅動電晶體Tr6之間遮斷，使供給至無機發光元件100之順向電流(驅動電流)強制地停止。
以上，對本發明之較佳之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於此種實施形態。實施形態中揭示之內容終究僅為一例，可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行各種變更。可將實施形態與變化例組合，亦可將變化例彼此組合。對於在不脫離本發明之主旨之範圍內進行之適當之變更，當然亦屬於本發明之技術範圍。可於不脫離上述實施形態及各變化例之主旨之範圍內進行構成要素之各種省略、置換及變更中之至少1種。
1‧‧‧顯示裝置 1A‧‧‧顯示裝置 1B‧‧‧顯示裝置 1C‧‧‧顯示裝置 1D‧‧‧顯示裝置 1E‧‧‧顯示裝置 1F‧‧‧顯示裝置 2‧‧‧陣列基板 10‧‧‧基板 10a‧‧‧基板之其中一面 10b‧‧‧基板之另一面 12‧‧‧緩衝層 20‧‧‧底塗層 21‧‧‧第1閘極電極 24‧‧‧絕緣膜 25‧‧‧半導體層 27‧‧‧通道 29‧‧‧絕緣膜 31‧‧‧第2閘極電極 35‧‧‧絕緣膜 41d‧‧‧汲極電極 41s‧‧‧源極電極 42‧‧‧絕緣膜 43d‧‧‧汲極連接配線 43s‧‧‧源極連接配線 45‧‧‧絕緣膜 49‧‧‧像素 49R‧‧‧第1像素 49G‧‧‧第2像素 49B‧‧‧第3像素 50‧‧‧陽極電極 50a‧‧‧載置面 50e‧‧‧陽極電極 50p‧‧‧陽極端子 55‧‧‧陰極電極 55e‧‧‧陰極電極 55p‧‧‧陰極端子 60‧‧‧陰極配線 70‧‧‧絕緣膜 80‧‧‧平坦化層 100‧‧‧無機發光元件 100A‧‧‧無機發光元件 100B‧‧‧無機發光元件 100G‧‧‧無機發光元件 100R‧‧‧無機發光元件 100b‧‧‧側面 100s‧‧‧局部發光元件 101‧‧‧p型包覆層 102‧‧‧活性層 103‧‧‧n型包覆層 104‧‧‧p型電極 104a‧‧‧Pt層 104b‧‧‧厚膜Au層 105‧‧‧n型電極 108‧‧‧保護層 111‧‧‧基板 112‧‧‧緩衝層 113‧‧‧n型包覆層 114‧‧‧活性層 115‧‧‧p型包覆層 116‧‧‧p型電極層 117‧‧‧n型電極層 150‧‧‧接著層 160‧‧‧覆蓋構件 170‧‧‧平坦化層 180‧‧‧接著層 190‧‧‧圓偏光板 210‧‧‧驅動IC 220‧‧‧導電層 230‧‧‧導電層 240‧‧‧導電層 250‧‧‧導電層 260‧‧‧導電層 265‧‧‧高電阻導電膜 266‧‧‧點亮控制線 268‧‧‧寫入控制線 270‧‧‧重設控制線 272‧‧‧影像信號線 274‧‧‧電源線 276‧‧‧電源線 278‧‧‧重設線 279‧‧‧發光控制線 291‧‧‧電容 298‧‧‧保持電容 299‧‧‧附加電容 310‧‧‧初始化信號線 314‧‧‧初始化控制線 AA‧‧‧顯示區域 BG‧‧‧點亮控制信號 CG‧‧‧發光控制信號 CS1‧‧‧第1電容 CS2‧‧‧第2電容 Dx‧‧‧第1方向 Dy‧‧‧第2方向 Dz‧‧‧第3方向 GA‧‧‧周邊區域 GCL1‧‧‧第1閘極線 GCL2‧‧‧第2閘極線 H11‧‧‧接觸孔 H250‧‧‧開口部 Idata‧‧‧定電流 IG‧‧‧初始化控制信號 LVDD‧‧‧電源線 PIC‧‧‧像素電路 PICA‧‧‧像素電路 Pix‧‧‧像素 RG‧‧‧重設控制信號 SG‧‧‧寫入控制信號 SGL‧‧‧信號線 Tr1‧‧‧開關用之電晶體 Tr2‧‧‧電流切換用之電晶體 Tr3‧‧‧驅動用之電晶體 Tr4‧‧‧電流切換用之電晶體 Tr5‧‧‧電晶體 Tr6‧‧‧驅動電晶體 Tr7‧‧‧點亮開關 Tr8‧‧‧寫入開關 Tr9‧‧‧發光控制開關 Tr10‧‧‧初始化開關 Tr11‧‧‧重設開關 VDD‧‧‧驅動電位 VINI‧‧‧初始化電壓信號 VSIG‧‧‧影像電壓信號 VSS‧‧‧基準電位
圖1係表示實施形態1之顯示裝置之構成例之俯視圖。 圖2係表示實施形態1之像素之構成例之俯視圖。 圖3係表示實施形態1之像素電路之構成例之電路圖。 圖4係表示實施形態1之顯示裝置之構成例之剖視圖。 圖5係於實施形態1之顯示裝置中將無機發光元件、及連接於無機發光元件之電晶體放大表示之剖視圖。 圖6係表示實施形態1之無機發光元件之構成例之剖視圖。 圖7係表示實施形態1之變化例之顯示裝置之剖視圖。 圖8係表示實施形態1之變化例之顯示裝置之俯視圖。 圖9係表示實施形態2之顯示裝置之構成例之剖視圖。 圖10係表示實施形態2之變化例之顯示裝置之剖視圖。 圖11係表示實施形態3之顯示裝置之構成例之剖視圖。 圖12係表示實施形態3之變化例之顯示裝置之剖視圖。 圖13係表示實施形態3之變化例之顯示裝置之俯視圖。 圖14係表示實施形態4之顯示裝置之構成例之剖視圖。 圖15係表示實施形態4之像素之構成例之俯視圖。 圖16係表示實施形態5之無機發光元件之構成例之剖視圖。 圖17係表示實施形態之變化例之像素電路之電路圖。
1‧‧‧顯示裝置
2‧‧‧陣列基板
10‧‧‧基板
10a‧‧‧基板之其中一面
20‧‧‧底塗層
21‧‧‧第1閘極電極
24‧‧‧絕緣膜
25‧‧‧半導體層
27‧‧‧通道
29‧‧‧絕緣膜
31‧‧‧第2閘極電極
35‧‧‧絕緣膜
41d‧‧‧汲極電極
41s‧‧‧源極電極
42‧‧‧絕緣膜
45‧‧‧絕緣膜
50e‧‧‧陽極電極
50p‧‧‧陽極端子
55e‧‧‧陰極電極
55p‧‧‧陰極端子
60‧‧‧陰極配線
70‧‧‧絕緣膜
80‧‧‧平坦化層
100‧‧‧無機發光元件
150‧‧‧接著層
160‧‧‧覆蓋構件
AA‧‧‧顯示區域
Dx‧‧‧第1方向
Dz‧‧‧第3方向
GA‧‧‧周邊區域
H11‧‧‧接觸孔
Tr1‧‧‧開關用之電晶體
Tr3‧‧‧驅動用之電晶體
Tr5‧‧‧電晶體

Claims (9)

  1. 一種顯示裝置，其具備：基板；複數個像素，其等排列於上述基板；無機發光元件，其設置於上述複數個像素之各者；透光性之電極，其設置於上述基板之其中一面側，且連接於上述無機發光元件；透光性之第1導電層，其設置於上述基板之其中一面側，且覆蓋上述電極；及透光性之覆蓋構件，其設置於上述基板之其中一面側，且覆蓋上述第1導電層；且上述第1導電層之薄片電阻值較上述電極之薄片電阻值高。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1導電層將上述覆蓋構件接著於上述基板之其中一面側。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其進而具備設置於上述基板之其中一面側且連接於上述第1導電層之遮光性之第2導電層，且上述基板具有：顯示區域，其配置上述複數個像素；及周邊區域，其位於上述顯示區域之外側；且上述第2導電層配置於上述周邊區域。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其進而具備設置於上述基板與上述覆蓋構件之間之圓偏光板。
  5. 如請求項1之顯示裝置，其進而具備設置於上述基板與上述覆蓋構件之間之圓偏光板，且上述第1導電層係設置於上述基板與上述圓偏光板之間，且將上述圓偏光板接著於上述基板之其中一面側。
  6. 如請求項1之顯示裝置，其進而具備設置於上述基板之位於其中一面之相反側之另一面側之第3導電層。
  7. 如請求項6之顯示裝置，其進而具備配置於上述基板之側面且連接於上述第3導電層之遮光性之第4導電層。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1導電層係設置於上述電極與上述覆蓋構件之間之遮光性之導電層，且於上述第1導電層設置位於在俯視下與上述無機發光元件重疊之區域之開口部。
  9. 如請求項1至8中任一項之顯示裝置，其進而具備： 電晶體，其設置於上述基板之其中一面側，且連接於上述無機發光元件；及配線，其設置於上述基板之其中一面側；於上述電晶體與上述無機發光元件之間形成第1電容，且於上述配線與上述無機發光元件之間形成第2電容。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112397559B (zh) * 2020-11-09 2024-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可拉伸显示模组及其制备方法
DE112021001032T5 (de) * 2021-03-19 2022-12-01 Beijing Boe Technology Developement Co., Ltd. Lichtemittierendes substrat und anzeigevorrichtung
CN113764490B (zh) * 2021-09-06 2023-05-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI285060B (en) * 2004-07-27 2007-08-01 Seiko Epson Corp Light-emitting device, image forming apparatus
US20170301724A1 (en) * 2016-04-14 2017-10-19 Innolux Corporation Display apparatus
CN108022550A (zh) * 2016-11-01 2018-05-11 群创光电股份有限公司 显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0825305B2 (ja) * 1989-04-17 1996-03-13 株式会社テック 端面発光型ｅｌ素子アレイの製作方法
JP2005050697A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7985609B2 (en) * 2006-11-17 2011-07-26 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus and production method thereof
CN102736333B (zh) * 2012-06-18 2015-07-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板、液晶显示装置和阵列基板的制作方法
KR102200795B1 (ko) * 2012-10-31 2021-01-08 엘지디스플레이 주식회사 나노 와이어를 이용한 투명도전막 및 그 제조방법과 이를 이용한 어레이 기판, 유기전계발광소자 및 터치패널
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
CN105144387B (zh) * 2013-03-15 2018-03-13 苹果公司 具有冗余方案的发光二极管显示器和利用集成的缺陷检测测试来制造发光二极管显示器的方法
JP6169005B2 (ja) * 2014-01-17 2017-07-26 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子表示装置
GB201413578D0 (en) 2014-07-31 2014-09-17 Infiniled Ltd A colour iled display on silicon
CN113991003A (zh) 2015-12-01 2022-01-28 夏普株式会社 图像形成元件及其制造方法
KR102037225B1 (ko) * 2016-09-15 2019-10-30 일룩스 아이엔씨. 표면 실장 발광 소자를 구비하는 디스플레이
KR102651097B1 (ko) * 2016-10-28 2024-03-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
KR101920769B1 (ko) * 2016-10-31 2018-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN111095385B (zh) * 2017-09-21 2021-06-22 夏普株式会社 显示装置
CN107910347A (zh) * 2017-10-18 2018-04-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示器件及oled显示面板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI285060B (en) * 2004-07-27 2007-08-01 Seiko Epson Corp Light-emitting device, image forming apparatus
US20170301724A1 (en) * 2016-04-14 2017-10-19 Innolux Corporation Display apparatus
CN108022550A (zh) * 2016-11-01 2018-05-11 群创光电股份有限公司 显示装置

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