TW201501778A - 基材分離設備及使用該設備之基材分離方法 - Google Patents

基材分離設備及使用該設備之基材分離方法 Download PDF

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Abstract

提供一種基材分離設備以及一種基材分離方法。根據本發明之一方面，其係提供一種基材分離設備，包括一雷射照射器，其係在一第一方向上照射一第一雷射束；一雷射分光器，其係劃分該第一雷射束成沿該第一方向行進之一第二雷射束以及沿不同於該第一方向之一第二方向行進之一第三雷射束；以及一方向變換器，其係變換該第二雷射束或該第三雷射束的方向。

Description

基材分離設備及使用該設備之基材分離方法
本發明係關於一種基材分離設備以及一種使用該設備之基材分離方法，且更特定言之係關於一種用於分離一第一基材與一第二基材之基材分離設備以及一種使用該基材分離設備之基材分離方法。
可輕易地製成具有大面積且薄與明亮的平板顯示器(flat panel display，FPD)正迅速地成為目前顯示器市場的主流。
平板顯示器包括液晶顯示器(LCD)、電漿顯示器面板(PDP)、以及有機發光顯示器(OLED)。然而，傳統的LCD、PDP及OLED等因使用玻璃基材而缺乏可撓性，故其應用及用途受限。
因此，使用由可撓的材料(例如塑料或箔)所形成的基材代替玻璃基材之可撓的顯示器正快速發展成為下一代顯示器。
可撓的顯示器係需要可撓的基材。然而，傳統的可撓的基材的抗熱性質有限。因此，要在傳統的面板製造程序中使 用傳統的可撓的基材取代玻璃基材並不容易。關於此，正在研究方法，其藉由使用一玻璃基材作為基底以形成一面板並藉由移除該玻璃基材以增加面板之可撓性。
本發明之方面係提供一種基材分離設備，可同時進行基材分離以及清潔操作。
本發明之方面亦提供一種基材分離方法，用以同時進行基材分離以及清潔操作。
然而，本發明之方面並不僅限於本文中所述。藉由參考以下本發明之詳細描述，本發明之上述及其他方面對本發明所屬領域中具通常知識者而言將變得更加顯著。
根據本發明之一方面，其係提供一種基材分離設備，包括一雷射照射器，其係在一第一方向上照射一第一雷射束；一雷射分光器，其係劃分該第一雷射束成沿該第一方向行進之一第二雷射束以及沿不同於該第一方向之一第二方向行進之一第主雷射束；以及一方向變換器，其係變換該第二雷射束或該第三雷射束的方向。
根據本發明之另一方面，其係提供一種基材分離方法，包括在一第一方向上照射一第一雷射束；劃分該第一雷射束成沿該第一方向行進之一第二雷射束以及沿不同於該第一方向之一第二方向行進之一第三雷射束；變換該第二雷射束或該第三雷射束的方向，以及照射該第二雷射束以及該第三雷射束至一基材 組合件。
10、11‧‧‧雷射照射器
20‧‧‧雷射分光器
21‧‧‧雷射束分光器
30‧‧‧方向變換器
31‧‧‧光反射鏡
40、45‧‧‧基材組合件
401‧‧‧第一表面
402‧‧‧第二表面
40a‧‧‧第一基材組合件
40b‧‧‧第二基材組合件
41、41a、41b、46‧‧‧第一基材
42、42a、42b、47‧‧‧第二基材
43‧‧‧顆粒
48‧‧‧薄膜電晶體陣列
49‧‧‧上側保護膜
51‧‧‧第一雷射束
52‧‧‧第二雷射束
53‧‧‧第三雷射束
60‧‧‧焦點調整器
61‧‧‧第一光學系統
62‧‧‧第二光學系統
63‧‧‧光學系統
100、101、102、103、104、105、106、107‧‧‧基材分離設備
θ1‧‧‧第一角度
θ2‧‧‧第二角度
S10、S20、S30、S40‧‧‧操作
藉由詳細描述本發明例示性具體實施態樣並參考所附圖式，本發明之上述及其他方面及特點將變得更加顯著。
第1圖係根據本發明之具體實施態樣之一基材分離設備的方塊圖；第2圖係例示根據本發明之具體實施態樣之一雷射束照射至一第一基材之一第二表面的剖視圖；第3圖係例示根據本發明之具體實施態樣之一雷射束照射至一第一基材之一第一表面的剖視圖；第4圖係根據本發明之一具體實施態樣之基材分離設備的剖視圖；第5圖係第4圖所示之基材分離設備的局部俯視圖；第6至8圖係例示第4圖所示之基材分離設備之操作的剖視圖；第9圖係根據第4圖之具體實施態樣之基材組合件之一修改實施例的剖視圖；第10圖係根據本發明之另一具體實施態樣之基材分離設備的剖視圖；第11圖係根據本發明之另一具體實施態樣之基材分離設備的剖視圖；第12圖係根據本發明之另一具體實施態樣之基材分離設備的剖視圖； 第13圖係根據本發明之另一具體實施態樣之基材分離設備的方塊圖；第14圖係根據本發明之另一具體實施態樣之基材分離設備的剖視圖；第15圖係根據本發明之另一具體實施態樣之基材分離設備的剖視圖；以及第16圖係例示根據本發明之一具體實施態樣之基材分離方法的流程圖。
透過參考將詳細描述之具體實施態樣並結合考量所附圖式，本發明之方面和特點以及用於達到該方面與特點的方法將變得顯著。然而，本發明並不限制於下文所揭露的具體實施態樣，但可以不同的形式實施。本文描述所定義的事項例如詳細的結構及元件僅係特定細節提供以幫助本領域中具有通常知識者充分了解本發明，且本發明僅如後附專利申請範圍之範疇內所定義者。
用語「上」係用於指明一元件係位於另一元件上、或位於一不同層上，或一層係包括二種情形，一情形為一元件係直接位於另一元件或另一層上，另一情形為一元件係透過另一層或再另一元件而位於另一元件上。於本發明的整個描述中，不同圖式之間的相同圖式元件符號係用來表示相同的元件。
儘管使用「第一」、「第二」等用語描述不同的組成 元件，然而此等組成元件不應受限於該等用語。該等用語僅用於區分一組成元件與另一組成元件。因此，在以下描述中，一第一組成元件可為一第二組成元件。
後文，將參考所附圖式描述本發明之具體實施態樣。
第1圖係根據本發明之具體實施態樣之基材分離設備100的方塊圖。
參考第1圖，根據本發明之具體實施態樣之基材分離設備100係經設計以分離一基材組合件40，基材組合件40係包括一第一基材41以及附接至第一基材41之一第二基材42。基材分離設備100係包括一雷射照射器10，其係在一第一方向上照射一第一雷射束51；一雷射分光器20，其係劃分第一雷射束51成沿該第一方向行進之一第二雷射束52以及沿不同於該第一方向之一第二方向行進之一第三雷射束53；以及一方向變換器30，其係變換第二雷射束52或第三雷射束53的方向。
基材組合件40係包括第一基材41以及附接至第一基材之第二基材42。
第一基材41可由具有抗熱性質及光透射性質的材料例如透明玻璃或塑料所形成。第一基材41可附接至第二基材42且固定第二基材42以避免第二基材42在過程中彎曲或歪曲。
附接至第一基材41的第二基材42可為一可撓的基材。於一實施例中，第二基材42可包括至少一種選自以下群組之材料：聚亞醯胺膜(kapton)、聚醚碸(polyethersulfone，PES)、 聚碳酸酯(PC)、聚醯亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚丙烯酸酯(PAR)、以及纖維增強塑料(fiber-reinforced plastic，FRP)。
儘管圖式中並未顯示，一黏著層(未示出)可安插於第一基材41與第二基材42之間。該黏著層可由光透射材料形成，具有穿透性(transmittance)允許一特定波長之雷射束通過該黏著層，且具有抗熱性質，此即，其具有220℃或者更高之玻璃轉化溫度。於一實施例中，該黏著層可包括一矽氧烷或丙烯系聚合物黏著劑。
雷射照射器10可在第一方向上照射第一雷射束51。於此可使用的雷射可為，但不限於，準分子雷射(excimer laser)。
雷射照射器10可更包括一控制器(未示出)，其係調整第一雷射束51之波長及強度。
第一雷射束51可直線地照射至目標物件上。此將於下文中描述。
雷射分光器20係劃分雷射照射器10所照射的第一雷射束51。雷射分光器20可劃分第一雷射束51成第二雷射束52以及第三雷射束53。在此情形中，第二雷射束52及第三雷射束53的強度總和可小於或實質上等於第一雷射束51的強度。
第二雷射束52與第三雷射束53可沿不同方向行進。於一實施例中，第二雷射束52如同第一雷射束51，可沿第一方向行進，且第三雷射束53可沿不同於第一方向之第二方向行進。於 一例示性具體實施態樣中，第一方向與第二方向可互相垂直。然而，第一方向與第二方向所形成的角度並不限於直角。第一方向與第二方向所形成的角度亦可為銳角或鈍角。
雷射分光器20劃分第一雷射束51的方式並沒有限制。於一例示性具體實施態樣中，雷射分光器20可藉由發送第一雷射束51的一部分並反射第一雷射束51的其他部分而劃分第一雷射束51。此即，發送穿過雷射分光器20的第一雷射束51可成為沿第一方向行進的第二雷射束52，且經由雷射分光器20反射的第一雷射束51可成為沿第二方向行進的第三雷射束53。於一例示性具體實施態樣中，雷射分光器20可包括一雷射束分光器。
方向變換器30可變換第二雷射束52或第三雷射束53的方向。於一例示性具體實施態樣中，方向變換器30可包括一光反射鏡(light reflecting mirror)。於本發明之具體實施態樣中，方向變換器30可引導沿第一方向行進的第二雷射束52為沿不同於第一方向之一第三方向行進。在此情形中，第一方向與第三方向可互相垂直。然而，第一方向與第三方向所形成的角度並不限於直角。
若第二雷射束52或第三雷射束53的方向係經由方向變換器30而變換，第二雷射束52與第三雷射束53可朝相同的平面照射。此即，第二雷射束52以及第三雷射束53可同時或相繼地照射至基材組合件40的不同區域。此將在下文中更詳細的描述。
現將描述根據本發明之具體實施態樣之基材分離設 備100的操作。
為照射第二雷射束52及/或第三雷射束53至基材組合件40的全部區域，基材組合件40與方向變換器30、雷射分光器20、以及雷射照射器10的至少一者係可相對於彼此地移動。為易於描述，以下將描述基材組合件40移動的情況作為一個例子。
基材組合件40可經放置以面向第二雷射束52或第三雷射束53的照射方向並進行直線運動(rectilinear motion)。為基材組合件40之直線運動，根據本發明之具體實施態樣之基材分離設備100可更包括一驅動器(未示出)沿一直線驅動基材組合件40。
如上所述，第二雷射束52以及第三雷射束53可照射至基材組合件40的不同區域。第二雷射束52以及第三雷射束53可直線地照射至基材組合件40上。此即，第二雷射束52以及第三雷射束53可為線形雷射束(line beam)。因此，第二雷射束52以及第三雷射束53可施加能量至界定在基材組合件40上的線段(line segment)。一由第二雷射束52於基材組合件40上所界定的線段與一由第三雷射束53於基材組合件40上所界定的線段可互相平行。再者，基材組合件40可沿一方向移動，該方向係垂直於由第二雷射束52以及第三雷射束53所界定的線段。
隨著基材組合件40移動，第二雷射束52以及第三雷射束53可由基材組合件40的一側至基材組合件40的另一側照射至基材組合件40。於一例示性具體實施態樣中，第二雷射束52可照射至第一基材41之一第一表面401，且第三雷射束53可照射至第一 基材41之一第二表面402上。於第二雷射束52係照射至第一基材41之第一表面401且第三雷射束53係照射至第一基材41之第二表面402的例示性具體實施態樣中，隨著基材組合件40移動，第二雷射束52可相繼地照射至第一基材41之第一表面401的所有區域，且第三雷射束53可相繼地照射至第一基材41之第二表面402的所有區域。
第三雷射束53可為一清潔雷射束，其係清潔第一基材41之第二表面402。現將參考第2圖以描述第三雷射束53清潔第一基材41的方式。
第2圖係例示根據本發明之具體實施態樣之第三雷射束53照射至第一基材41之第二表面402的剖視圖。參考第2圖，照射至第一基材41之第二表面402的第三雷射束53可去除存在於第一基材41之第二表面402上的顆粒43。此即，隨著基材組合件40移動，存在於第一基材41之第二表面402上的顆粒43可與第三雷射束53接觸並被第三雷射束53的能量分解。因此，存在於第一基材41之第二表面402上的顆粒43可被去除。
第二雷射束52可為一分離雷射束分離第一基材41與第二基材42。現將參考第3圖以描述第二雷射束52分離第一基材41與第二基材42的方式。
第3圖係例示根據本發明之具體實施態樣之第二雷射束52照射至第一基材41之第一表面401的剖視圖。參考第3圖，第二雷射束52可發送並穿過第一基材41之第二表面402而到達第 一基材41之第一表面401。照射至第一基材41之第一表面401的第二雷射束52可分離第一基材41與第二基材42。於本案說明書中，當「第一基材41與第二基材42彼此分離」時，第一基材41與第二基材42係可能於空間上彼此分離，或者第一基材41與第二基材42之間的黏著力可能降低或經去除。於一例示性具體實施態樣中，第三雷射束53可照射至第一基材41上，而後第二雷射束52可照射至第一基材41上。此即，第三雷射束53可清潔第一基材41之第二表面402，而第二雷射束52可照射至一經清潔的區域。因為第三雷射束53係清潔第一基材41之第二表面402且第二雷射束52接在第三雷射束53之後照射至第一基材41之第一表面401，基材組合件40的清潔以及分離實質上可同時地進行。因此，可省略一個別的清潔程序，從而改善基材分離程序的效率。
後文將參考所附圖式以描述本發明之更特定的具體實施態樣。
第4圖係根據本發明之一具體實施態樣之基材分離設備101的剖視圖。第5圖係第4圖所示之基材分離設備101的局部俯視圖。第6至8圖係例示第4圖所示之基材分離設備101之操作的剖視圖。
參考第4圖，根據目前具體實施態樣之基材分離設備101係包括一雷射照射器11，其係在一第一方向上照射一第一雷射束51；一雷射束分光器21，其係沿著該第一方向與雷射照射器11相隔開；以及一光反射鏡31，其係沿著該第一方向與該雷射束分 光器21相隔開。
雷射照射器11可在第一方向上照射第一雷射束51。於此可使用的雷射可為，但不限於，準分子雷射。
第一方向可平行於地面。在該第一方向上照射的第一雷射束51可到達雷射束分光器21，其係沿著該第一方向與雷射照射器11相隔開。
雷射束分光器21可劃分第一雷射束51成第二雷射束52以及第三雷射束53。在此情形中，該第二雷射束52以及該第三雷射束53的強度總和可小於或實質上等於該第一雷射束51的強度。第二雷射束52與第三雷射束53可沿不同方向行進。於一實施例中，第二雷射束52如同第一雷射束51，可沿第一方向行進，而第三雷射束53可沿不同於第一方向之第二方向行進。
雷射束分光器21可藉由發送第一雷射束51的一部分並反射第一雷射束51的其他部分而劃分第一雷射束51。此即，發送並穿過雷射束分光器21的第一雷射束51可成為沿第一方向行進的第二雷射束52，且經由雷射束分光器21反射的第一雷射束51可成為沿第二方向行進的第三雷射束53。第一方向與第二方向可互相垂直。然而，第一方向與第二方向所形成的角度並不限於直角。由雷射束分光器21射出的第二雷射束52可到達光反射鏡31，其係沿著第一方向與雷射束分光器21相隔開。
光反射鏡31可變換第二雷射束52的方向為不同於第一方向之一第三方向。第一方向與第三方向可能互相垂直。然而， 第一方向與第三方向所形成的角度並不限於直角。
當第二雷射束52的方向係藉由光反射鏡31由第一方向變換為第三方向時，第二雷射束52以及第三雷射束53可朝相同的平面行進。
於一例示性具體實施態樣中，第二雷射束52的方向與第三雷射束53的方向實質上可互相平行。
照射至基材組合件40上的第二雷射束52以及第三雷射束53可具有不同的焦點深度(depths of focus)。此即，第二雷射束52可照射至第一基材41之第一表面401，且第三雷射束53可照射至第一基材41之第二表面402。
第三雷射束53(係經由雷射束分光器21反射的第一雷射束51之一部分)可照射至第一基材41之第二表面402。照射至第一基材41之第二表面402的第三雷射束53可去除存在於第一基材41上之顆粒43。此即，與第三雷射束53接觸的顆粒43可被第三雷射束53的能量分解。因此，可去除存在於第一基材41之第二表面402上的顆粒43。此即，第三雷射束53可為一清潔雷射束，其係清潔第一基材41之第二表面402。
光反射鏡31所反射之第二雷射束52可發送並穿過第一基材41之第二表面402而到達第一基材41之第一表面401。照射至第一基材41之第一表面401的第二雷射束52可分離第一基材41與第二基材42。於本案說明書中，當「第一基材41與第二基材42彼此分離」時，第一基材41與第二基材42係可能於空間上彼此分 離，或者該第一基材41與第二基材42之間的黏著力可能降低或經去除。此即，第二雷射束52可為一分離雷射束分離第一基材41與第二基材42。
參考第5圖，根據目前具體實施態樣之基材分離設備101，第二雷射束52以及第三雷射束53可直線地照射至基材組合件40上。
第二雷射束52以及第三雷射束53可施加能量至界定在基材組合件40上的線段。此即，第二雷射束52以及第三雷射束53可為線形雷射束。
一由第二雷射束52於基材組合件40上所界定的線段與一由第三雷射束53於基材組合件40上所界定的線段可以一垂直的距離彼此相隔開。即使在此情形中，如上所述，第二雷射束52與第三雷射束53之焦點深度係可不同的。
現將描述根據目前具體實施態樣之基材分離設備101的操作。
如上所述，第二雷射束52以及第三雷射束53與基材組合件40可相對於彼此地移動。於第6至8圖中，例示基材組合件40沿著一X軸方向移動的情況作為一個例子。
儘管圖式中並未顯示，根據目前具體實施態樣之基材分離設備101可更包括一驅動器(未示出)，其係移動基材組合件40。驅動器可包括例如一電動機或一致動器。
如第6至8圖所示，基材組合件40可沿著一負的X軸方 向進行直線運動。基材組合件40可以等速移動。
參考第6圖，基材組合件40可朝著第三雷射束53移動，第三雷射束53係經由雷射束分光器21引導至第二方向。
參考第7圖，隨著基材組合件40連續地移動，基材組合件40的一側可到達第三雷射束53。於基材組合件40的一側到達第三雷射束53之一狀態下，基材組合件40可連續地移動。隨著基材組合件40連續地移動，具有一直線形狀之第三雷射束53可相繼地照射至基材組合件40之第二表面402的所有區域。
參考第8圖，基材組合件40可朝著第二雷射束52連續地移動。隨著基材組合件40連續地移動，基材組合件40的一側可到達第二雷射束52。於基材組合件40的一側到達第二雷射束52的狀態下，基材組合件40可連續地移動。當基材組合件40連續地移動，具有一直線形狀之第二雷射束52可發送並穿過第一基材41之第二表面402以相繼地到達第一基材41之第一表面401的所有區域。
如上所述，第三雷射束53可透過去除存在於第一基材41之第二表面402上的顆粒43以清潔第一基材41之第二表面402。因為第二雷射束52係照射至經第三雷射束53清潔的區域上，故可避免當第一基材41之第二表面402上的顆粒43吸收第二雷射束52的部分能量時而發生的基材分離缺陷。再者，第三雷射束53之清潔操作以及第二雷射束52之分離操作實質上可同時地進行。因此，可在沒有個別的清潔程序的情況下進行基材分離程序。此 可減少程序時間並增加程序效率。
現將描述本發明的其它具體實施態樣。於以下具體實施態樣中，實質上相同於上文所述者的元件係以類似的元件符號表示，因此將省略或簡化其多餘的描述。
第9圖係根據第4圖之具體實施態樣之基材組合件40之修改實施例的剖視圖。
參考第9圖，一基材組合件45係更包括一薄膜電晶體(TFT)陣列48以及一上側保護膜49。
TFT陣列48可形成於一第二基材47上。TFT陣列48可包括複數TFT排列成一矩陣(matrix)方向。信號配線例如閘極線(未示出)以及數據線(未示出)可形成於第二基材47上，且閘極訊號以及數據信號可透過信號配線發送至各TFT。畫素電極(未示出)可形成於各畫素中第二基材47上，各畫素電極可透過TFT接收一畫素電壓或電流。
上側保護膜49可形成於TFT陣列48上。上側保護膜49可完全覆蓋第二基材47。
上側保護膜49可固定第二基材47於位置上，以避免第二基材47容易在第一基材46與第二基材47分離後彎曲或歪曲。因此，即使在第一基材46與第二基材47分離之後，第二基材47可輕易地操作，而可在後續程序中更精準並穩定地附接一下側薄膜(未示出)至第二基材47。
於一例示性具體實施態樣中，第一基材46可較第二 基材47大。因此，第一基材46可包括一未與第二基材47重疊之區域(後文中稱為「非重疊區域」)。第一基材46的非重疊區域可沿第一基材46的邊緣配置。上側保護膜49可經放置以完全覆蓋第二基材47的頂部表面以及側面。上側保護膜49的底端係可接觸第一基材46之非重疊區域。另外，上側保護膜49係可接觸第二基材47的側面。
上側保護膜49可由一聚合物材料形成，例如聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醚碸、或金屬箔例如不鏽鋼(SUS)。
第10圖係根據本發明之另一具體實施態樣之基材分離設備102的剖視圖。
參考第10圖，根據目前具體實施態樣之基材分離設備102係不同於根據第4圖之具體實施態樣之基材分離設備101，差別在於一雷射照射器11係放置於一基材組合件40上方並朝著基材組合件40照射一雷射束。
如上所述，雷射照射器11可在一第一方向上照射一第一雷射束51。於根據目前具體實施態樣之基材分離設備102中，第一方向可為第10圖中之負的Y軸方向。
照射在第一方向之第一雷射束51可到達一雷射束分光器21，其係沿著第一方向與雷射照射器11相隔開。
雷射束分光器21可藉由發送第一雷射束51的一部分並反射第一雷射束51的其他部分而劃分第一雷射束51。此即，發 送並穿過雷射束分光器21的第一雷射束51可成為沿第一方向行進之一第二雷射束52，且經由雷射束分光器21反射的第一雷射束51可成為沿第二方向行進之一第三雷射束53。第一方向與第二方向可互相垂直。然而，第一方向與第二方向所形成的角度並不限於直角。第三雷射束53(其係由雷射束分光器21反射之第一雷射束51之一部分)可到達光反射鏡31，其係沿著第二方向與雷射束分光器21相隔開。
光反射鏡31可變換第三雷射束53的方向為不同於第二方向之一第三方向。在此情形中，該第一方向以及該第三方向可互相平行。然而，第一方向與第三方向所形成的角度並不限於180度。
由於第三雷射束53的方向係藉由光反射鏡31由第二方向變換至第三方向，因此第二雷射束52以及該第三雷射束53可朝相同平面行進。
照射至基材組合件40上的第二雷射束52以及第三雷射束53可具有不同的焦點深度。此即，第二雷射束52可照射至第一基材41之一第一表面401，且第三雷射束53可照射至第一基材41之一第二表面402。
經由光反射鏡31反射的第三雷射束53可照射至第一基材41之第二表面402。照射至第一基材41之第二表面402的第三雷射束53可去除存在於第一基材41上之顆粒43。此即，與第三雷射束53接觸的顆粒43可被第三雷射束53的能量分解。因此，可去 除存在於第一基材41之第二表面402上的顆粒43。此即，第三雷射束53可為一清潔雷射束，其係清潔第一基材41之第二表面402。
由雷射束分光器21射出的第二雷射束52可發送並穿透第一基材41之第二表面402以到達第一基材41之第一表面401。照射至第一基材41之第一表面401的第二雷射束52可分離第一基材41與第二基材42。於本案說明書中，當「第一基材41與第二基材42彼此分離」時，第一基材41與該第二基材42係可能於空間上彼此分離，或者第一基材41與第二基材42之間的黏著力可能降低或經去除。此即，第二雷射束52可為一分離雷射束分離第一基材41與第二基材42。
根據目前具體實施態樣之基材分離設備102可以與上述參考第6至8圖之基材分離設備101實質上相同的方式操作。因此，將省略根據目前具體實施態樣之基材分離設備102之操作的詳細描述。
第11圖係根據本發明之另一具體實施態樣之基材分離設備103的剖視圖。
參考第11圖，根據目前具體實施態樣之基材分離設備103係不同於根據第4圖之具體實施態樣之基材分離設備101，差別在於第二雷射束52及/或第三雷射束53係以一相對於一表面的預定角度照射，該表面係垂直於基材組合件40之頂部表面。
由一光反射鏡31及/或一雷射束分光器21所反射之第二雷射束52及/或第三雷射束53可以一相對於一表面的預定角度照 射，該表面係垂直於基材組合件40之頂部表面。為易於描述，第二雷射束52與垂直於基材組合件40之頂部表面的表面所形成的角度將稱作一第一角度θ1，且第三雷射束53與垂直於基材組合件40之頂部表面的表面所形成的角度將稱作一第二角度θ2。
第一角度θ1以及第二角度θ2可大於0度、以及小於或等於10度。然而，第一角度θ1以及第二角度θ2的大小並不限於上述範圍。
於一例式性具體實施態樣中，第二雷射束52的方向與第三雷射束53的方向係互相平行，很明顯的，第一角度θ1與第二角度θ2實質上係彼此等同。
若第二雷射束52及/或第三雷射束53以一相對於一表面的預定角度照射，該表面係垂直於基材組合件40之頂部表面，則可避免由基材組合件40所反射之第二雷射束52及/或第三雷射束53干擾由光反射鏡31及/或雷射束分光器21射出的第二雷射束52及/或第三雷射束53，因而降低程序效率。
第12圖係根據本發明之另一具體實施態樣之基材分離設備104的剖視圖。
參考第12圖，根據目前具體實施態樣之基材分離設備104係不同於根據第4圖之具體實施態樣之基材分離設備101，差別在於複數個基材組合件(40a、40b)係置入基材分離設備104中。
雷射束分光器21與沿著第一方向與雷射束分光器21相隔開之光反射鏡31之間的距離可相對地大於或小於第4圖之具 體實施態樣中的距離。若雷射束分光器21與光反射鏡31之間的距離係大於第4圖之具體實施態樣中的距離，則第二雷射束52與第三雷射束53之間的距離亦可大於第4圖之具體實施態樣中的距離。
若雷射束分光器21與光反射鏡31之間的距離係相對地大於第4圖之具體實施態樣中的距離，則複數個基材組合件可置入根據目前具體實施態樣之基材分離設備104中。為易於描述，放置於第12圖左側之一基材組合件將稱作一第一基材組合件40a，且放置於第12圖右側之一基材組合件將稱作一第二基材組合件40b。
於第12圖中，第一基材組合件40a以及第二基材組合件40b可於一直線上排列並可於一負的X軸方向上移動。第一基材組合件40a以及第二基材組合件40b可以等速移動。
第一基材組合件40a以及第二基材組合件40b可朝經由雷射束分光器21照射在一第二方向上之第三雷射束53移動。隨著第一基材組合件40a以及第二基材組合件40b連續地移動，第一基材組合件40a的一側可到達第三雷射束53。於第一基材組合件40a的一側到達第三雷射束53之一狀態下，第一基材組合件40a以及第二基材組合件40b可連續地移動。隨著第一基材組合件40a以及第二基材組合件40b連續地移動，具有一直線形狀之第三雷射束53可相繼地照射至第一基材組合件40a之第一基材41a之第二表面的所有區域。
隨著第一基材組合件40a以及第二基材組合件40b連續地移動，第二基材組合件40b的一側可到達第三雷射束53。若第 一基材組合件40a以及第二基材組合件40b係連續地移動，第二雷射束52可照射至第一基材組合件40a，且第三雷射束53可照射至第二基材組合件40b。此即，第二雷射束52可照射至第一基材組合件40a之第一基材41a的第一表面，且第三雷射束53可照射至第二基材組合件40b之第一基材41b的第二表面。
於第二基材組合件40b的一側到達第二雷射束52之一狀態下，第二基材組合件40b可連續地移動，且第二雷射束52可照射至第二基材組合件40b之第一基材41b的第一表面。
當藉由同時置入複數個基材組合件以進行一基材分離程序時，係可減少進行該程序所需的時間，進而改善程序的效率。
第13圖係根據本發明之另一具體實施態樣之基材分離設備105的方塊圖。
參考第13圖，根據目前具體實施態樣之基材分離設備105係不同於根據第4圖之具體實施態樣之基材分離設備101，差別在於其更包括一焦點調整器60，其係調整一第二雷射束52之一焦點及/或一第三雷射束53之一焦點。
根據目前的具體實施態樣之基材分離設備105可更包括焦點調整器60，其係調整第二雷射束52的焦點及/或第三雷射束53的焦點。焦點調整器60可包括至少一光學系統。
第14圖係根據本發明之另一具體實施態樣之基材分離設備106的剖視圖。
參考第14圖，根據目前具體實施態樣之基材分離設備106係不同於根據第4圖之具體實施態樣之基材分離設備101，差別在於其包括一第一光學系統61，配置於一光反射鏡31與一基材組合件40之間；以及一第二光學系統62，配置於一雷射束分光器21與一基材組合件40之間。第一光學系統61以及第二光學系統62可分別調整一第二雷射束52之一焦點以及一第三雷射束53之一焦點。此即，第一光學系統61可調整第二雷射束52的焦點，使得通過第一光學系統61的第二雷射束52可照射至一第一基材41之一第一表面401，且第二光學系統62可調整第三雷射束53的焦點，使得通過第二光學系統62的第三雷射束53可照射至第一基材41之一第二表面402上。
第15圖係根據本發明之另一具體實施態樣之基材分離設備107的剖視圖。
參考第15圖，根據目前的具體實施態樣之基材分離設備107係不同於根據第4圖之具體實施態樣之基材分離設備101，差別在於其係包括一光學系統63，配置於一雷射照射器11與一雷射束分光器21之間。
於根據目前具體實施態樣之基材分離設備107中，光學系統63可沿著一第一方向與雷射照射器11相隔開。
配置於雷射照射器11與雷射束分光器21之間的光學系統63可調整一第一雷射束51，使得通過光學系統63的第一雷射束51可具有適用於一清潔及/或分離操作的能量。
後文將描述根據本發明之一具體實施態樣的基材分離方法。可藉由上述根據本發明之具體實施態樣的基材分離設備進行根據本發明之具體實施態樣的基材分離方法。為簡單明瞭，實質上相同於第4至8圖者之元件係以類似的元件符號表示，因此將省略其多餘的描述。
第16圖係根據本發明之一具體實施態樣之基材分離方法的流程圖。
參考第16圖，根據目前的具體實施態樣之基材分離方法係用於分離一基材組合件，其係包括一第一基材以及一附接至該第一基材之第二基材。該基材分離方法係包括在一第一方向上照射一第一雷射束(操作S10)；劃分該第一雷射束成沿該第一方向行進之一第二雷射束以及沿不同於該第一方向之一第二方向行進之一第三雷射束(操作S20)；變換該第二雷射束或該第三雷射束的方向(操作S30)，以及照射該第二雷射束以及該第三雷射束至基材組合件(操作S40)。
劃分第一雷射束成沿第一方向行進之第二雷射束以及沿第二方向行進之第三雷射束可包括發送第一雷射束的一部分以及反射第一雷射束的其他部分。
照射該第二雷射束以及該第三雷射束至基材組合件可包括照射第二雷射束至一第一基材之一第一表面以及照射第三雷射束至該第一基材之一第二表面上。
根據目前具體實施態樣之基材分離方法可更包括調 整第一雷射束或第二雷射束之一焦點。
本發明之具體實施態樣係提供以下至少一優點。
此即，可同時進行基材分離以及清潔操作。
再者，可藉由同時進行基材分離以及清潔操作而增進程序效率。
然而，本發明之效果並不限於本文中所述者。藉由參考專利申請範圍，本發明之上述及其他效果對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言將變得更加顯著。
雖然參考前文之例示性具體實施態樣以特別顯示及描述本發明，本領域中具有通常知識者在不背離以下專利申請範圍所定義之本發明之精神及範疇的情況下，可進行其中之形式與細節上之各種改變。因此，本發明之具體實施態樣係用作例示而非限制本發明之所有方面，本發明之範疇應參考如後述申請專利範圍所列者而非前文之描述。
10‧‧‧雷射照射器
20‧‧‧雷射分光器
30‧‧‧方向變換器
40‧‧‧基材組合件
41‧‧‧第一基材
42‧‧‧第二基材
401‧‧‧第一表面
402‧‧‧第二表面
51‧‧‧第一雷射束
52‧‧‧第二雷射束
53‧‧‧第三雷射束
100‧‧‧基材分離設備

Claims (10)

  1. 一種用於分離一基材組合件之基材分離設備，該基材組合件係包含一第一基材以及一附接至該第一基材之第二基材，該設備係包含：一雷射照射器，其係在一第一方向上照射一第一雷射束；一雷射分光器，其係劃分該第一雷射束成沿該第一方向行進之一第二雷射束以及沿不同於該第一方向之一第二方向行進之一第三雷射束；以及一方向變換器，其係變換該第二雷射束或該第三雷射束的方向。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該雷射分光器係發送在該第一方向上之第二雷射束並反射在不同於該第一方向之第二方向上之第一雷射束的其他部分。
  3. 如請求項1所述之設備，其中該第二雷射束係照射至該第一基材之一第一表面上，且該第三雷射束係照射至該第一基材之一第二表面上。
  4. 如請求項3所述之設備，其中該第二雷射束以及該第三雷射束係以一相對於一表面的預定角度照射，該表面垂直於該基材組合件之頂部表面。
  5. 如請求項1所述之設備，其中該方向變換器係變換該第二雷射束的方向為不同於該第一方向之一第三方向，且該第三方向以及該第二方向係互相平行。
  6. 如請求項1所述之設備，其中該方向變換器係變換該第三雷射束的方向為不同於該第二方向之一第三方向，且該第一方向以 及該第三方向係互相平行。
  7. 如請求項1所述之設備，其另包含一焦點調整器，其係調整該第一雷射束、該第二雷射束、或該第三雷射束之焦點。
  8. 如請求項7所述之設備，其中該焦點調整器係包含一第一光學系統調整該第二雷射束之焦點，以及一第二光學系統調整該第三雷射束之焦點。
  9. 如請求項1所述之設備，其中該方向變換器係包含一光反射鏡。
  10. 如請求項1所述之設備，其中該第二雷射束係一分離雷射束分離該第一基材與該第二基材，且該第三雷射束係一清潔雷射束清潔該第一基材之第二表面。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170125384A (ko) * 2015-03-10 2017-11-14 샤프 가부시키가이샤 박막 소자 장치의 제조 방법 및 그것에 사용하는 광조사 장치
CN106298451A (zh) * 2016-08-18 2017-01-04 昆山国显光电有限公司 激光晶化方法及装置
KR102510398B1 (ko) 2018-04-11 2023-03-16 삼성디스플레이 주식회사 레이저 커팅 장치와 그 장치를 이용한 레이저 커팅 방법 및 그 방법을 적용한 디스플레이 패널의 제조방법
CN112750716B (zh) * 2019-10-29 2022-12-30 成都辰显光电有限公司 微元件的剥离装置以及剥离方法
CN111745301A (zh) * 2020-06-17 2020-10-09 武汉大学 Oled面板激光剥离装置
CN112975117B (zh) * 2020-08-27 2022-09-13 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种激光剥离方法及装置
CN112705859A (zh) * 2020-12-14 2021-04-27 华虹半导体(无锡)有限公司 晶圆的激光切割去环方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08112683A (ja) * 1994-10-12 1996-05-07 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザーによる表面改質処理方法及び装置
SG108262A1 (en) * 2001-07-06 2005-01-28 Inst Data Storage Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation
US7202141B2 (en) * 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
KR101074408B1 (ko) 2004-11-05 2011-10-17 엘지디스플레이 주식회사 펨토초 레이저 발생장치 및 이를 이용한 기판의 절단방법
JP2006313827A (ja) 2005-05-09 2006-11-16 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの製造方法、電子機器
CN101106067A (zh) * 2006-07-11 2008-01-16 上海宇体光电有限公司 半导体器件与硅衬底的剥离方法
WO2008018026A2 (en) * 2006-08-10 2008-02-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates
JP5379384B2 (ja) * 2008-02-15 2013-12-25 サイバーレーザー株式会社 レーザによる透明基板の加工方法および装置
JP2010021398A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの処理方法
JP2011045916A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Hitachi High-Technologies Corp レーザ処理装置、太陽電池パネルの製造装置、太陽電池パネルおよびレーザ処理方法
CN201997852U (zh) * 2010-11-09 2011-10-05 武汉高盛光电科技有限公司 一种太阳能晶体硅电池激光划片设备
CN102152003B (zh) * 2011-02-24 2014-03-12 华中科技大学 双激光束分离光学晶体方法及装置
CN102886609A (zh) * 2012-08-27 2013-01-23 中国科学院半导体研究所 应用于led器件分离的多焦点飞秒激光划片方法

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