TW201446413A - 抛光墊修整器、抛光墊修整裝置及抛光系統 - Google Patents

Abstract

本發明為一種拋光墊修整器、拋光墊修整裝置及拋光系統，所述修整器包括：研磨顆粒；基體，具有研磨面，研磨顆粒固結在研磨面上，研磨面包括：相連的邊緣研磨面和中央研磨面，邊緣研磨面環繞在中央研磨面的周圍；中央研磨面為平面，且中央研磨面高於邊緣研磨面。在對拋光墊進行修整時，由於研磨面的中央研磨面高於邊緣研磨面，使得邊緣研磨面上的研磨顆粒高於中央研磨面上的研磨顆粒，故當拋光墊修整器進入拋光墊的壓入深度較小時，大部分邊緣研磨面上的研磨顆粒不會進行研磨，因而減少了位於邊緣位置的研磨顆粒的使用頻率，降低了位於邊緣位置的研磨顆粒的剝落可能；另外，還降低了位於邊緣位置的研磨顆粒與拋光墊邊緣發生碰撞的可能。

Description

抛光墊修整器、抛光墊修整裝置及抛光系統

本發明屬於化學機械抛光(Chemical-Mechanical Polishing,CMP)技術領域，特別是涉及一種抛光墊修整器、包含該抛光墊修整器的抛光墊修整裝置以及包含該抛光墊修整裝置的抛光系統。

化學機械抛光(CMP)技術是半導體晶片表面加工的關鍵技術之一，並用於積體電路製造過程的各階段表面平整化，近年來得到廣泛應用。在化學機械抛光過程中，抛光墊(polishing pad)具有儲存、運輸抛光液、去除加工殘餘物質、傳遞機械負載及維持抛光環境等功能。隨著化學機械抛光過程的不斷進行，抛光墊的物理及化學性能會發生變化，表現為抛光墊表面產生殘餘物質，微孔的體積縮小、數量減少，表面粗糙度降低，表面發生分子重組現象，形成一定厚度的釉化層，導致抛光速率和抛光質量的降低。因此，必須對抛光墊進行適當的修整，適當的修整不僅可以改善抛光效果，還可以提高抛光墊的使用壽命、降低抛光成本。

現有最廣泛應用的修整工具是金剛石修整器，圖1是現有一種金剛石修整器的剖面結構示意圖，如 圖1所示，修整器1包含基體2及金剛石研磨顆粒3，其中，基體2具有研磨面S1和非研磨面S2，非研磨面S2在研磨面S1所在平面上的投影被研磨面S1包圍，且研磨面S1高於非研磨面S2，金剛石研磨顆粒3固結在研磨面S1上。在利用修整器1對抛光墊進行修整的過程中，修整器1以一定壓力壓在抛光墊表面，使得金剛石研磨顆粒3與抛光墊表面接觸，且修整器1同時作轉動及往復運動，從而實現對抛光墊表面的修整。但是，這種修整器1的位於外邊緣位置(圖1中虛線圓圈A所示部位)的金剛石研磨顆粒3，以及位於內邊緣位置(圖1中虛線圓圈B所示部位)的金剛石研磨顆粒3均容易剝落，不僅減少了修整器1的使用壽命，而且剝落的金剛石研磨顆粒3會對抛光墊上方被抛光的矽片造成劃傷。

本發明要解決的技術問題是：現有抛光墊修整器的位於邊緣位置的研磨顆粒容易剝落。

為解決上述問題，本發明提供了一種抛光墊修整器，包括：研磨顆粒；基體，具有研磨面，所述研磨顆粒固結在所述研磨面上，所述研磨面包括：相連的邊緣研磨面和中央研磨面，所述邊緣研磨面環繞在中央研磨面的周圍；所述中央研磨面為平面，且所述中央研磨面高於邊緣研磨面。

可選的，所述邊緣研磨面為凸形弧面；或者， 所述邊緣研磨面由多個面相連而成，所述多個面包括：至少一個凸形弧面，和至少一個不與所述中央研磨面平行的平面。

可選的，當所述邊緣研磨面為凸形弧面時，所述邊緣研磨面與中央研磨面相切；當所述邊緣研磨面由多個面相連而成時，所述邊緣研磨面與中央研磨面相連的面為：與中央研磨面相切的凸形弧面。

可選的，所述弧面為圓弧面。

可選的，所述研磨面呈環狀分佈在所述基體上，所述邊緣研磨面包括內邊緣研磨面及外邊緣研磨面，所述中央研磨面位於內邊緣研磨面和外邊緣研磨面之間；所述基體還具有非研磨面，所述非研磨面在所述中央研磨面所在平面上的投影，被所述研磨面在所述中央研磨面所在平面上的投影包圍；所述非研磨面低於研磨面。

可選的，所述基體呈圓盤狀。

可選的，所述研磨顆粒為金剛石顆粒或立方氮化硼顆粒。

可選的，所述抛光墊修整器為電鍍型抛光墊修整器、化學釺焊型抛光墊修整器、金屬燒結型抛光墊修整器或化學氣相沈積型抛光墊修整器。

另外，本發明還提供了一種抛光墊修整裝置，包括：上述任一所述的抛光墊修整器。

可選的，還包括：驅動所述抛光墊修整器的驅動結構。

另外，本發明還提供了一種抛光系統，包括：抛光裝置，包括抛光墊；上述任一所述的抛光墊修整裝置，用於對所述抛光墊進行修整。

與現有技術相比，本發明的技術方案具有以下優點：在對抛光墊進行修整時，相對於基體底部而言，由於研磨面的中央研磨面高於邊緣研磨面，使得邊緣研磨面上的研磨顆粒高於中央研磨面上的研磨顆粒，故當抛光墊修整器進入抛光墊的壓入深度較小時，大部分邊緣研磨面上的研磨顆粒不會進行研磨，因而減少了位於邊緣位置的研磨顆粒的使用頻率，降低了位於邊緣位置的研磨顆粒的剝落可能；另外，由於邊緣研磨面上的研磨顆粒高於中央研磨面上的研磨顆粒，當抛光墊修整器沿著逐漸靠近抛光墊中心位置的方向運動時，大部分位於邊緣位置的研磨顆粒會位於抛光墊表面上方，降低了位於邊緣位置的研磨顆粒與抛光墊邊緣發生碰撞的可能，進而降低了位於邊緣位置的研磨顆粒的剝落可能。

進一步地，研磨面可以是由呈平面的中央研磨面、呈凸形圓弧面的內邊緣研磨面和凸形圓弧面的外邊緣研磨面相連而成，且兩個圓弧面均與中央研磨面相切，一方面，使得研磨面是一個光滑曲面，避免了研磨面中存在應力集中情況的發生；另一方面，使得研磨面的加工工藝更為簡單。

1‧‧‧修整器

2‧‧‧基體

3‧‧‧金剛石研磨顆粒

4‧‧‧修整器

5‧‧‧基體

6‧‧‧金剛石研磨顆粒

7‧‧‧修整器

8‧‧‧基體

9‧‧‧金剛石研磨顆粒

100‧‧‧修整器

110‧‧‧研磨顆粒

120‧‧‧基體

130‧‧‧結合劑

200‧‧‧拋光墊修整裝置

210‧‧‧驅動軸

220‧‧‧擺動臂

230‧‧‧擺動軸

240‧‧‧修整液體噴嘴

300‧‧‧拋光系統

310‧‧‧拋光墊

320‧‧‧拋光台

330‧‧‧磨頭

340‧‧‧轉軸

350‧‧‧磨料噴嘴

360‧‧‧擺動臂

370‧‧‧擺動軸

S1‧‧‧研磨面

S11‧‧‧中央研磨面

S12‧‧‧邊緣研磨面

S121‧‧‧外邊緣研磨面

S122‧‧‧內邊緣研磨面

S2‧‧‧非研磨面

圖1是現有一種金剛石修整器的剖面結構示意圖；圖2是對現有金剛石修整器作出改進後所提出的第二種金剛石修整器的剖面結構示意圖；圖3是對現有金剛石修整器作出改進後所提出的第三種金剛石修整器的剖面結構示意圖；圖4是本發明的一個實施例中抛光墊修整器的剖面結構示意圖；圖5是本發明的一個實施例中抛光墊修整器的仰視示意圖，圖4是沿圖5中AA方向的剖面圖；圖6是圖4所示抛光墊修整器中Q部位的局部放大圖，為了能更清楚的顯示研磨面的形狀，該放大圖並未顯示固結在研磨面上的研磨顆粒；圖7是本發明的另一個實施例中抛光墊修整器的剖面結構示意圖；圖8是本發明的另一個實施例中抛光墊修整器的仰視示意圖，圖7是沿圖8中BB方向的剖面圖；圖9是本發明的一個實施例中抛光系統的結構示意圖。

發明人經過研究發現，位於邊緣位置的金剛石研磨顆粒容易剝落的原因之一是：如圖1所示，在利用修整器1對抛光墊進行修整的過程中，外邊緣位置(圖1中虛線圓圈A所示部位)的金剛石研磨顆粒3具有較大的線速度，因而容易受到較大的剪切力；另外，由於修整器1 的固結有金剛石研磨顆粒3的研磨面S1為平面，因此，利用修整器1對抛光墊進行修整時，不管修整器1進入抛光墊的壓入深度為多少，研磨面S1上的所有金剛石研磨顆粒3都會對抛光墊進行研磨，增加了外邊緣位置的金剛石研磨顆粒3的使用頻率，造成外邊緣位置的金剛石研磨顆粒3容易剝落。

位於邊緣位置的金剛石研磨顆粒容易剝落的原因之二是：繼續參照圖1所示，在利用修整器1對抛光墊進行修整時，修整器1是同時作轉動及往復運動，當修整器1沿著逐漸靠近抛光墊中心位置的方向運動時，例如，當修整器1沿著箭頭C所示的方向運動時，由於研磨面S1為平面，內邊緣和外邊緣位置的金剛石研磨顆粒3均會與抛光墊的邊緣發生碰撞，造成內邊緣和外邊緣位置的金剛石研磨顆粒3容易剝落。

為了解決現有抛光墊修整器所存在的上述技術問題，發明人有對現有抛光墊修整器作出改進，提供了第二種抛光墊修整器，如圖2所示，第二種修整器4包含基體5及固結在基體5研磨面S1上的金剛石研磨顆粒6，且研磨面S1為凸形圓弧面(即圓弧面的圓心位於研磨面S1的上方)。

由於研磨面S1為凸形圓弧面，故利用修整器4對抛光墊進行修整時，當修整器4進入抛光墊的壓入深度較小時，僅有小部分位於研磨面S1中央位置的金剛石研磨顆粒6會對抛光墊進行研磨，位於研磨面S1外邊緣和內邊緣位置的金剛石研磨顆粒6不會進行研磨，因而減少了外 邊緣和內邊緣位置的金剛石研磨顆粒6的使用頻率，降低了外邊緣和內邊緣位置的金剛石研磨顆粒6的剝落可能。

另外，當修整器4沿著逐漸靠近抛光墊中心位置的方向運動時，由於研磨面S1是凸形圓弧面，因而內邊緣和外邊緣位置的金剛石研磨顆粒6均會位於抛光墊表面上方，降低了內邊緣和外邊緣位置的金剛石研磨顆粒6與抛光墊邊緣發生碰撞的頻率，因而減少了內邊緣和外邊緣位置的金剛石研磨顆粒6的剝落可能。

但是，發明人發現，上述第二種抛光墊修整器4又會帶來以下問題：由於修整器4的研磨面S1為凸形圓弧面，故利用修整器4對抛光墊進行修整時，修整器4與抛光墊的接觸面積較小，使得僅有部分金剛石研磨顆粒6會進行研磨，造成平均到每顆金剛石研磨顆粒6上的負荷較大，增加了中央位置的金剛石研磨顆粒6剝落的可能。

另外，為了解決外邊緣位置的金剛石研磨顆粒容易剝落的技術問題，發明人有對現有抛光墊修整器作出另一種改進，提供了第三種抛光墊修整器，如圖3所示，第三種修整器7包含基體8及固結在基體8研磨面S1上的金剛石研磨顆粒9，且研磨面S1由一平面和一凸形圓弧面(即圓弧面的圓心位於研磨面S1上方)相連而成。其中，圓弧面環繞在平面的外邊緣周圍，也就是說僅有平面的外邊界與圓弧面相連，平面的內邊界不與圓弧面相連，即研磨面的外邊緣為圓弧面，內邊緣為平面。

由於研磨面S1的圓弧面呈凸形，故利用修整器7對抛光墊進行修整時，當修整器7進入抛光墊的壓入 深度較小時，僅有平面和小部分圓弧面上的金剛石研磨顆粒9會對抛光墊進行研磨，外邊緣位置的大部分金剛石研磨顆粒9不會進行研磨，因而減少了外邊緣位置的金剛石研磨顆粒9的使用頻率，降低了外邊緣位置的金剛石研磨顆粒9的剝落可能。

與此同時，與上述第二種修整器4相比，由於研磨面S1的部分面為平面，故利用修整器7對抛光墊進行修整時，修整器7與抛光墊的接觸面積有所增加，使得平均到每顆金剛石研磨顆粒9上的負荷有所減小，降低了金剛石研磨顆粒9剝落的可能。但是，發明人發現，上述第三種抛光墊修整器7依然存在位於內邊緣位置的金剛石研磨顆粒9容易剝落的技術問題，具體原因可參照前面所述，在此不再贅述。

為了解決上述第二種及第三種抛光墊修整器所存在的問題，發明人又進行了大量研究，並最終提供了本發明的抛光墊修整器，解決了現有抛光墊修整器的位於邊緣位置的研磨顆粒容易剝落的技術問題。

為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施例做詳細的說明。

結合圖4至圖6所示，本發明具體實施例的抛光墊修整器100包括：研磨顆粒110；基體120。基體120具有研磨面S1，研磨顆粒110固結在研磨面S1上，研磨面S1包括：相連的邊緣研磨面S12和中央研磨面S11。其中，邊緣研磨面S12環繞在中央研磨面S11的周圍，且中央研 磨面S11的所有邊界均與邊緣研磨面S12相連，邊緣研磨面S12在中央研磨面S11所在平面上的投影將中央研磨面S11包圍起來。中央研磨面S11為平面，且中央研磨面S11高於邊緣研磨面S12。

在本發明中，中央研磨面S11是指這樣一種平面：當抛光墊修整器100對抛光墊進行修整時，該平面與抛光墊表面平行。中央研磨面S11高於邊緣研磨面S12是指：在抛光墊修整器100對抛光墊進行修整時，中央研磨面S11比邊緣研磨面S12更先與抛光墊表面接觸。換言之，研磨面S1呈凸形。

由於中央研磨面S11是與抛光墊表面平行的平面，對抛光墊進行修整時，無論抛光墊修整器100進入抛光墊的壓入深度為多少，固結在中央研磨面S11上的研磨顆粒110均能進行修整，與上述第二種研磨面為凸形圓弧面的抛光墊修整器相比，本發明中的抛光墊修整器與抛光墊的接觸面積有所增加，使得平均到每顆研磨顆粒110上的負荷有所減小，降低了中央位置的研磨顆粒110剝落的可能。

由於研磨面S1呈凸形，利用抛光墊修整器100對抛光墊進行修整時，邊緣研磨面S12上的研磨顆粒110高於中央研磨面S11上的研磨顆粒110，故當抛光墊修整器100進入抛光墊的壓入深度較小時，僅有中央研磨面S11和小部分邊緣研磨面S12上的研磨顆粒110會對抛光墊進行研磨，大部分邊緣研磨面S12上的研磨顆粒110不會進行研磨，因而減少了位於邊緣位置的研磨顆粒110的使用 頻率，降低了位於邊緣位置的研磨顆粒110的剝落可能。

另外，由於研磨面S1呈凸形，利用抛光墊修整器100對抛光墊進行修整時，位於邊緣位置的研磨顆粒110會高於中央研磨面S11上的研磨顆粒110，當抛光墊修整器100沿著逐漸靠近抛光墊中心位置的方向運動時，位於邊緣位置的研磨顆粒110會位於抛光墊表面上方，降低了位於邊緣位置的研磨顆粒110與抛光墊邊緣發生碰撞的可能。

在本實施例中，基體120還具有非研磨面S2，研磨面S1高於非研磨面S2，使得在利用抛光墊修整器100對抛光墊進行修整時，僅有研磨面S1會與抛光墊表面接觸，而非研磨面S2不會與抛光墊表面接觸；研磨面S1呈環狀分佈在基體120上；邊緣研磨面S12包括外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122，外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122均與中央研磨面S11相連，其中，中央研磨面S11位於外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122之間，且非研磨面S2在中央研磨面S11所在平面上的投影，被研磨面S1在中央研磨面S11所在平面上的投影包圍，換言之，在實施例中，非研磨面S2位於研磨面S1限定的環形空間中，且相對於基體底部而言非研磨面S2低於研磨面S1。

在本實施例中，內邊緣研磨面S122和外邊緣研磨面S121的形狀均為凸形圓弧面，且內邊緣研磨面S122和外邊緣研磨面S121均與中央研磨面S11相切，以使內邊緣研磨面S122和外邊緣研磨面S121均與中央研磨面S11 平滑相連。所述凸形圓弧面是指：在利用抛光墊修整器100對抛光墊進行修整時，圓弧面的圓心位於研磨面S1的上方。

由於研磨面S1呈凸形，利用抛光墊修整器100對抛光墊進行修整時，外邊緣研磨面S121和內邊緣研磨面S122上的研磨顆粒110均高於中央研磨面S11上的研磨顆粒110，故當抛光墊修整器100進入抛光墊的壓入深度較小時，僅有中央研磨面S11、小部分外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122上的研磨顆粒110會對抛光墊進行研磨，大部分外邊緣和內邊緣位置的研磨顆粒110不會進行研磨，因而減少了外邊緣和內邊緣位置的研磨顆粒110的使用頻率，降低了外邊緣和內邊緣位置的研磨顆粒110的剝落可能。

另外，由於研磨面S1呈凸形，利用抛光墊修整器100對抛光墊進行修整時，內邊緣研磨面S122上的研磨顆粒110會高於中央研磨面S11上的研磨顆粒110，當抛光墊修整器100沿著逐漸靠近抛光墊中心位置的方向運動時，內邊緣位置的研磨顆粒110會位於抛光墊表面上方，降低了內邊緣位置的研磨顆粒110與抛光墊邊緣發生碰撞的可能。

如圖6所示，中央研磨面S11應具有合適的寬度W，一方面，中央研磨面S11的寬度W應儘量大一些，使得抛光墊修整器100與抛光墊之間有足夠的接觸面積，進而使得平均到每顆研磨顆粒110上的負荷適中、減小研磨顆粒110剝落的頻率；另一方面，中央研磨面S11的寬 度W又不能過大，以避免抛光墊修整器100的尺寸過大，以及避免中央研磨面S11上的位於外邊緣位置的研磨顆粒110剝落，具體原因可參照前面分析，在此不再贅述。在一個實施例中，中央研磨面S11的寬度W為1mm至30mm，當抛光墊修整器100的尺寸較大時，可選擇相對較大的中央研磨面S11的寬度W，否則，可選擇相對較小的中央研磨面S11的寬度W。

當外邊緣研磨面S121的形狀為圓弧面時，外邊緣研磨面S121應具有合適的半徑R1，一方面，圓弧面的半徑R1應儘量大一些，使得抛光墊修整器100與抛光墊之間具有足夠的接觸面積，進而使得平均到每顆研磨顆粒110上的負荷適中、減小研磨顆粒110剝落的頻率；另一方面，圓弧面的半徑R1又不能過大，以避免外邊緣研磨面S121與抛光墊之間的接觸面積過大，致使外邊緣研磨面S121上位於外邊緣位置(較遠離中央研磨面S11)的研磨顆粒110容易剝落，具體原因可參照前面分析，在此不再贅述。例如，若中央研磨面S11的寬度W較小，且圓弧面的半徑R1較小時，會導致抛光墊修整器100與抛光墊之間的接觸面積較小，容易造成研磨顆粒110剝落。在一個實施例中，外邊緣研磨面S121的半徑R1為15mm至25mm。

當內邊緣研磨面S122的形狀為圓弧面時，內邊緣研磨面S122應具有合適的半徑R2，一方面，圓弧面的半徑R2應儘量大一些，使得抛光墊修整器100與抛光墊之間具有足夠的接觸面積，進而使得平均到每顆研磨顆粒110上的負荷適中、減小研磨顆粒110剝落的頻率；另一方 面，圓弧面的半徑R2又不能過大，以避免內邊緣研磨面S122接近於平面，使得抛光墊修整器100沿著逐漸靠近抛光墊中心位置的方向運動時，內邊緣研磨面S122上的位於內邊緣位置(較靠近非研磨面S2)的研磨顆粒110與抛光墊表面之間的距離較小，增加了內邊緣位置的研磨顆粒110與抛光墊邊緣發生碰撞的可能。在一個實施例中，內邊緣研磨面S122的半徑R2為15mm至25mm。

在本實施例中，研磨面S1是由呈平面的中央研磨面S11、呈凸形圓弧面的內邊緣研磨面S122和呈凸形圓弧面的外邊緣研磨面S121相連而成，且兩個圓弧面均與中央研磨面S11相切，一方面，使得研磨面S1是一個光滑曲面，避免了研磨面S1中存在應力集中情況的發生；另一方面，使得研磨面S1的加工工藝更為簡單。

但是，研磨面S1中外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122的形狀並不能僅僅侷限於本實施例。

在其他實施例中，呈圓弧面的外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122也可不與中央研磨面S11相切。

在其他實施例中，外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122的形狀也可為其他弧面。

在其他實施例中，外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122也可由多個面相連而成，所述多個面包括：至少一個凸形弧面，和至少一個平面，且該平面不與中央研磨面S11平行。為了使得外邊緣研磨面S121是一個光滑的曲面，外邊緣研磨面S121的與中央研磨面S11相連的面為：與中央研磨面S11相切的凸形弧面。同樣地，為了使 得內邊緣研磨面S122是一個光滑的曲面，內邊緣研磨面S122的與中央研磨面S11相連的面為：與中央研磨面S11相切的凸形弧面。在這種情況下，為了使得外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122的加工工藝更為簡單，外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122所包含的弧面為圓弧面，且圓弧面的圓心位於研磨面S1的上方。

例如，外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122可由一個圓弧面和一個平面相連而成，該圓弧面與中央研磨面S11相連並相切，該平面不與中央研磨面S11平行，且該平面與圓弧面相切。再例如，外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122可由兩個圓弧面和一個平面相連而成，該平面位於兩個圓弧面之間並與兩個圓弧面相切，且該平面不與中央研磨面S11平行，其中一個圓弧面與中央研磨面S11相連並相切。

當外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122是由圓弧面和平面構成的光滑曲面時，同樣能使得研磨面S1是一個光滑曲面，避免了研磨面S1中存在應力集中情況的發生。

當然，外邊緣研磨面S121及內邊緣研磨面S122的形狀並不能僅僅侷限於上述所給實施例，本領域技術人員可在所給實施例的基礎上作出相應調整或變更。

在本實施例中，結合圖4和圖5所示，基體120呈圓盤狀，且基體120的半徑可為100mm至300mm。當然，基體120也可設置成其他適於對抛光墊進行修整的形狀，不應僅侷限於本實施例。基體120的材料可為不銹鋼。

研磨顆粒110可為金剛石顆粒或立方氮化硼(Cubic Boron Nitride,CBN)顆粒。在具體實施例中，研磨顆粒110為金剛石顆粒。當然，也可選擇其他適於對抛光墊進行修整的研磨顆粒110，不應侷限於所給實施例。

抛光墊修整器100還包括結合劑130，利用結合劑130可以將研磨顆粒110固結在基體120的研磨面S1上。研磨顆粒110固結在基體120上的方法有多種，根據研磨顆粒110固結在基體120上的方法，抛光墊修整器100可為電鍍型抛光墊修整器、化學釺焊型抛光墊修整器、金屬燒結型抛光墊修整器或化學氣相沈積型抛光墊修整器。

需說明的是，研磨面S1在基體120上的分佈並不能僅僅侷限於上述所給實施例，本領域技術人員可在所給實施例的基礎上作出相應調整或變更。例如，在本發明的另一個實施例中，結合圖7至圖8所示，研磨面S1呈圓形分佈在基體120上，邊緣研磨面S12在中央研磨面S11所在平面上的投影將中央研磨面S11包圍起來。由於研磨面S1以非環形的方式分佈在基體120上，整個邊緣研磨面S12均位於基體120的外邊緣。中央研磨面S11為平面，且中央研磨面S11高於邊緣研磨面S12。在具體實施例中，邊緣研磨面S12為凸形弧面。當然，邊緣研磨面S12也可由多個面相連而成，所述多個面包括：至少一個凸形弧面，和至少一個不與中央研磨面S11平行的平面。進一步地，當邊緣研磨面S12為凸形弧面時，邊緣研磨面S12與中央研磨面S11相切；當邊緣研磨面S12由多個面相連而成時，邊緣研磨面S12與中央研磨面S11相連的面為：與中央研 磨面S11相切的凸形弧面。

另外，本發明還提供了一種抛光墊修整裝置，它包含上述任意一個實施例中的抛光墊修整器100。在一個實施例中，如圖9所示，抛光墊修整裝置200還包括：驅動抛光墊修整器100的驅動結構。在本實施例中，所述驅動結構包括：與抛光墊修整器100連接的驅動軸210，用於帶動抛光墊修整器100轉動；與驅動軸210轉動連接的擺動臂220；支撐擺動臂220的擺動軸230，且在擺動軸230的作用下，能驅使擺動臂220移動；修整液體噴嘴240。其中，電動機(圖中未示)安裝在擺動臂220中，並且該電動機連接至驅動軸230，以驅使驅動軸210轉動，從而帶動抛光墊修整器100轉動；擺動軸230連接至擺動電機(圖中未示)，擺動電動機可以帶動擺動軸230擺動，進而帶動抛光墊修整器100基本上沿抛光墊表面的徑向方向在抛光墊310的表面上移動。當修整抛光墊310時，抛光墊修整器100壓在抛光墊310上，而抛光台320和抛光墊修整器100旋轉，並且修整液體供給到抛光墊310的抛光表面上。

在其他實施例中，抛光墊修整裝置200除了包含抛光墊修整器100之外，還可以包括其他結構，並不能僅僅侷限於本實施例。

另外，繼續參照圖9所示，本發明還提供了一種抛光系統300，包括：抛光裝置，抛光裝置包括抛光墊310；上述任意一個實施例中的抛光墊修整裝置200，用於對抛光墊310進行修整。

在本實施例中，所述抛光裝置還包括：支撐抛 光墊310的抛光台320；用於固定矽片並將矽片壓在抛光墊310上表面的磨頭330；連接至磨頭330上表面的轉軸340；磨料噴嘴350；與轉軸340轉動連接的擺動臂360；支撐擺動臂360的擺動軸370。其中，電動機(圖中未示)安裝在擺動臂360中，並且該電動機連接至轉軸340，以驅使轉軸340轉動，從而帶動磨頭330轉動。擺動軸370連接至擺動電機(圖中未示)，擺動電動機可以帶動擺動軸370擺動，進而帶動磨頭330基本上沿抛光墊表面的徑向方向在抛光墊310的表面上移動。

雖然本發明揭露如上，但本發明並非限定於此。任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護範圍應當以申請專利範圍所限定的範圍為準。

S1‧‧‧研磨面

S11‧‧‧中央研磨面

S121‧‧‧外邊緣研磨面

S122‧‧‧內邊緣研磨面

Claims (11)

1. 一種抛光墊修整器，其特徵在於，包括：研磨顆粒；基體，具有研磨面，所述研磨顆粒固結在所述研磨面上，所述研磨面包括：相連的邊緣研磨面和中央研磨面，所述邊緣研磨面環繞在中央研磨面的周圍；所述中央研磨面為平面，且所述中央研磨面高於邊緣研磨面。
2. 如請求項1所述的抛光墊修整器，其特徵在於，所述邊緣研磨面為凸形弧面；或者，所述邊緣研磨面由多個面相連而成，所述多個面包括：至少一個凸形弧面，和至少一個不與所述中央研磨面平行的平面。
3. 如請求項2所述的抛光墊修整器，其特徵在於，當所述邊緣研磨面為凸形弧面時，所述邊緣研磨面與中央研磨面相切；當所述邊緣研磨面由多個面相連而成時，所述邊緣研磨面與中央研磨面相連的面為：與中央研磨面相切的凸形弧面。
4. 如請求項3所述的抛光墊修整器，其特徵在於，所述弧面為圓弧面。
5. 如請求項1所述的抛光墊修整器，其特徵在於，所述研磨面呈環狀分佈在所述基體上，所述邊緣研磨面包括內邊緣研磨面及外邊緣研磨面，所述中央研磨面位於內邊緣研磨面和外邊緣研磨面之間； 所述基體還具有非研磨面，所述非研磨面在所述中央研磨面所在平面上的投影，被所述研磨面在所述中央研磨面所在平面上的投影包圍；所述非研磨面低於研磨面。
6. 如請求項1所述的抛光墊修整器，其特徵在於，所述基體呈圓盤狀。
7. 如請求項1所述的抛光墊修整器，其特徵在於，所述研磨顆粒為金剛石顆粒或立方氮化硼顆粒。
8. 如請求項1所述的抛光墊修整器，其特徵在於，所述抛光墊修整器為電鍍型抛光墊修整器、化學釺焊型抛光墊修整器、金屬燒結型抛光墊修整器或化學氣相沈積型抛光墊修整器。
9. 一種抛光墊修整裝置，其特徵在於，包括：如請求項1至8任一項所述的抛光墊修整器。
10. 如請求項9所述的抛光墊修整裝置，其特徵在於，還包括：驅動所述抛光墊修整器的驅動結構。
11. 一種抛光系統，其特徵在於，包括：抛光裝置，包括抛光墊；如請求項9所述的抛光墊修整裝置，用於對所述抛光墊進行修整。