TW201444986A - 用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料、蒸鍍遮罩板及其製備方法 - Google Patents

用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料、蒸鍍遮罩板及其製備方法 Download PDF

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Abstract

本發明公開了一種用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料、蒸鍍遮罩板及其製備方法。金屬基複合材料包括基體和彌散於所述基體中的增強相,其中,所述基體為鐵鎳合金,所述增強相為非金屬顆粒,所述非金屬顆粒在基體中的體積比為20-50vol%。

Description

用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料、蒸鍍遮罩板及其製備方法
本發明涉及一種金屬基複合材料,尤其涉及一種用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料、蒸鍍遮罩板及其製備方法。
有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode;OLED)顯示裝置屬於自身發光的裝置。與液晶顯示器(Liquid Crystal Display;LCD)裝置相比,OLED顯示裝置具有寬視角與高對比度等優越性。OLED裝置發光機制是利用陽極與陰極的一對電極之間夾有多層有機材料,通過對電極施加電壓,從陽極和陰極分別流出空穴和電子到有機層,通過其再複合而發光的結構。該有機層為層疊結構,是包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子輸送層、電子注入層等多層膜層疊的結果。有機也包括高分子材料和低分子材料,其中在使用低分子材料的情况下,使用真空蒸鍍裝置形成有機膜。
在申請號為CN200710127555的中國專利中提及,通過蒸發沉積形成OLED顯示裝置的有機發光層,在這種情况下,有機發光層形成在由蒸鍍遮罩板暴露的部分上,此時如果蒸鍍遮罩板是由蒸發裝置支撑,並且與蒸發裝置相距預定空間並保持預設時段,則蒸鍍遮罩板的中心部分會因重力而下垂。蒸鍍遮罩板下垂時,很難正常形成有機發光層。相應地,有機發光層可以比預期尺寸更大或者更小,或者可以形成在遠離預期部分的其它部分中,這容易導致OLED顯示器的顯示不良。為了克服該問題,可以將磁力施加於由金屬材料形成的蒸鍍遮罩板上,由此抬起蒸鍍遮罩板。但是,這種方式需要提供向蒸鍍遮罩板提供磁力的附加裝置,由此導致裝置的製作成本增加。特別地,隨著OLED裝置製備所採用玻璃基板尺寸的增大,蒸鍍遮罩板的尺寸也會越來越大,那麼蒸鍍遮罩板因重力而懸垂的問題將會更加突出,從而導致為防止其懸垂而在周邊附屬設備的設計將變得更加複雜,這也不可避免的會增加設備的成本以及生產OLED裝置的成本。
目前常用的遮罩板是採用Invar合金,該合金是含有36wt%鎳的鐵合金。該合金的膨脹係數小,且在-80~230℃的溫度內都比較穩定;並且該合金具有較好的塑性和衝擊韌性。但是,Invar合金的拉伸强度和硬度都不高,因此容易在多次機械拉力或衝擊下產生彎曲。此外,該合金密度較大,會使遮罩板產生懸垂的問題,即使採用磁力來抬起蒸鍍遮罩板,也不可避免的會導致周圍裝置的複雜性。
因此市場上需要一種性能更佳的基材來製備蒸鍍遮罩板,來解決遮罩板因重力而懸垂的問題。
本發明的目的在於提出一種用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料和蒸鍍遮罩板及其製備方法,解決遮罩板因重力而懸垂的問題,並且降低成本。
為達此目的,本發明採用以下的技術方案:
一方面,本發明提供了一種用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料,所述增强金屬基複合材料包括基體和彌散於所述基體中的增强相,其中,所述基體為鐵鎳合金,所述增强相為非金屬顆粒,所述非金屬顆粒在基體中的體積比為20-50vol%。
進一步地,所述鐵鎳合金中鎳含量為30%-36wt%。
進一步地,所述非金屬顆粒在基體中的體積比為50vol%。
進一步地,所述非金屬顆粒為SiC顆粒、Al2O3顆粒、AlN顆粒。
進一步地,所述非金屬顆粒的直徑在1-30μm之間。
另一方面,本發明還提供了一種用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料的製備方法,該方法包括以下步驟:將作為增强相的非金屬顆粒彌散在鐵鎳合金中,形成顆粒增强金屬基複合材料,所述非金屬顆粒在所述鐵鎳合金中的體積比為20-50vol%。
進一步地,所述將作為增强的非金屬顆粒彌散在鐵鎳合金中的方法包括:在1390~1520℃的溫度下熔融所述鐵鎳合金,在真空感應爐或電弧爐中將非金屬顆粒採用磁力攪拌的方式均勻彌散在熔融的鐵鎳合金中,然後將攪拌均勻的材料澆鑄成型,得到顆粒增强金屬基複合材料。
進一步地,所述將作為增强的非金屬顆粒彌散在鐵鎳合金中的方法包括:在常溫下將鐵粉、鎳粉或者鐵鎳預合金粉和非金屬顆粒採用高能球磨機均勻混合,將混合後的粉末壓製成型,將壓製成型的樣品在1390~1520℃的溫度下燒結緻密,得到顆粒增强金屬基複合材料。
進一步地,所述將作為增强的非金屬顆粒彌散在鐵鎳合金中的方法包括:採用高壓氫還原法製備鎳包覆所述非金屬顆粒的複合粉末,在常溫下將所述鎳包覆所述非金屬顆粒的複合粉末和鐵粉採用高能球磨機均勻混合,將混合後的粉末壓製成型,將壓製成型的樣品在1390~1520℃的溫度下燒結緻密,得到顆粒增强金屬基複合材料。
進一步地,使所述鐵鎳合金中鎳含量為30%-36wt%。
進一步地,使所述非金屬顆粒在鐵鎳合金中的體積比為50vol%。
進一步地,所述非金屬顆粒為SiC顆粒、Al2O3顆粒、AlN顆粒。
進一步地,所述非金屬顆粒的直徑在1-30μm之間。
再一方面,本發明還提供了一種蒸鍍遮罩板,該蒸 鍍遮罩板所採用的材料為前述任一種金屬基複合材料。
又一方面,本發明還提供了一種蒸鍍遮罩板的製備方法,包括將前述金屬基複合材料製成鑄件,然後將鑄件採用機械加工的方式得到蒸鍍遮罩板。
進一步地,使所述鐵鎳合金中鎳含量為30%-36wt%。
進一步地,使所述非金屬顆粒在鐵鎳合金中的體積比為50vol%。
進一步地,所述非金屬顆粒為SiC顆粒、Al2O3顆粒、AlN顆粒。
進一步地,所述非金屬顆粒的直徑在1-30μm之間。
又一方面,本發明還提供了一種蒸鍍遮罩板的製備方法,該方法包括:在常溫下將鐵粉、鎳粉或者鐵鎳預合金粉和非金屬顆粒採用高能球磨機均勻混合,將混合後的粉末在蒸鍍遮罩板的模具中壓製成型,將壓製成型的樣品在1390~1520℃的溫度下燒結緻密,得到蒸鍍遮罩板,在所述蒸鍍遮罩板中,非金屬顆粒作為增强相,鐵鎳合金作為基體。
進一步地,使所述鐵鎳合金中鎳含量為30%-36wt%。
進一步地,使所述非金屬顆粒在基體中的體積比為50vol%。
進一步地,所述非金屬顆粒為SiC顆粒、Al2O3顆粒、AlN顆粒。
進一步地,所述非金屬顆粒的直徑在1-30μm之間。
又一方面,本發明還提供了一種蒸鍍遮罩板的製備方法,該方法包括,採用高壓氫還原法製備鎳包覆所述非金屬顆粒的複合粉末,在常溫下將所述鎳包覆所述非金屬顆粒的複合粉末和鐵粉採用高能球磨機均勻混合,將混合後的粉末在蒸鍍遮罩板的模具中壓製成型,將壓製成型的樣品在1390~1520℃的溫度下燒結緻密,得到蒸鍍遮罩板,在所述蒸鍍遮罩板中,非金屬顆粒作為增强相,鐵鎳合金作為基體。
進一步地,使所述鐵鎳合金中鎳含量為30%-36wt%。
進一步地,使所述非金屬顆粒在基體中的體積比為50vol%。
進一步地,所述非金屬顆粒為SiC顆粒、Al2O3顆粒、AlN顆粒。
進一步地,所述非金屬顆粒的直徑在1-30μm之間。
與現有技術相比,本發明提出的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料,密度降低,彈性模量升高,避免遮罩板因重力而懸垂,並且本發明提出的蒸鍍遮罩板的製備方法,能够提高遮罩板的整體性能,並且節約原料,降低成本。
1‧‧‧鐵鎳合金
2‧‧‧非金屬顆粒
S101~S404‧‧‧步驟
第1圖為本發明中金屬基複合材料的結構示意圖。
第2圖為具體實施方式一中製備用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料和蒸鍍遮罩板的工藝流程圖。
第3圖為具體實施方式二中製備用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料和蒸鍍遮罩板的工藝流程圖。
第4圖為具體實施方式三中製備用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料和蒸鍍遮罩板的工藝流程圖。
第5圖為具體實施方式四中製備用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料和蒸鍍遮罩板的工藝流程圖。
下面結合圖式和實施例對本發明作進一步的詳細說明。可以理解的是,此處所描述的具體實施例僅僅用於解釋本發明,而非對本發明的限定。另外還需要說明的是,為了便於描述,圖式中僅示出了與本發明相關的部分而非全部結構。
具體實施例一:
本具體實施例提供了一種用於遮罩板的金屬基複合材料及其製備方法。
本實施例提供的用於遮罩板的金屬基複合材料,以鐵鎳合金為基體,以彌散於所述基體中的非金屬顆粒為增强相,所得到金屬基複合材料的示意圖如第1圖所示。第1圖中1為鐵鎳合金,2為彌散於鐵鎳合金中的非金屬顆粒。在該鐵鎳合金中,鎳含量為35.4wt%,該鐵鎳合金基體具有較好的塑性和衝擊韌性,在增强相的作用下能提高材料的 强度、彈性模量、硬度等性能。
該金屬基複合材料以SiC顆粒為增强相。SiC的密度為3.2g/cm3,僅為鐵鎳合金(以Invar合金為例)密度的40%,但是其彈性模量高達450GPa,把一定體積份量的SiC顆粒加入到鐵鎳合金中,不僅可以降低基材的密度,而且可以提升其彈性模量。以下表1示出了在鐵鎳合金中加入不同體積份量的SiC顆粒所得到的複合材料密度與彈性模量的變化。從表中可以看出,隨著SiC顆粒加入到鐵鎳合金中體積份量的增加,所得材料的密度不斷降低,彈性模量不斷提高。但是在實際生產工藝中,過多的SiC顆粒會增加成形的困難性,因此本具體實施例較佳加入碳化矽顆粒的體積份量為20-50vol%。
對於Al2O3顆粒和AlN顆粒增强的原理與效果與SiC相似,在此不再一一描述。
在所加入的非金屬顆粒中,其直徑的範圍在1-30μm之間,過大直徑的顆粒會造成在基體中彌散均勻的 困難,並且會帶來增强效果的下降,過小直徑的顆粒在基體中會有較大的膨脹係數,同樣會使增加效果下降。因此本實施方式的顆粒直徑範圍在1-30μm之間。
本實施方式提供的金屬基複合材料密度低,彈性模量高,適合用於蒸鍍遮罩板,可以解決現有技術中Invar合金製成的遮罩板的懸垂問題,尤其適合於在大尺寸蒸鍍遮罩板的應用,不需要附加的設備抬起蒸鍍遮罩板,簡化了設備,降低了成本。
接下來結合第2圖詳細描述本具體實施方式的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料的製備方法。首先在步驟S101中,在1390℃的溫度下熔融上述的鐵鎳合金,接著在步驟S102中,將非金屬顆粒(圖2中是以SiC為例)加入到所述熔融的鐵鎳合金中,步驟S103中在真空感應力或電弧爐中採用高溫磁力攪拌的方式將非金屬顆粒均勻地混合在鐵鎳合金中,步驟S104中將混合均勻的金屬複合材料澆鑄成錠胚、鑄件,然後通過一些金屬熱處理手段,例如將半成品試樣加熱至860℃±10℃,保溫後水淬,再將試樣加工為成品試樣,然後在335℃±10℃保溫後,隨爐冷或空冷,使得該錠胚或鑄件可以應用為蒸鍍遮罩板的基材。再採用機械加工的方式得到所需要的蒸鍍遮罩板。
採用本實施方式製備出的蒸鍍遮罩板重量輕,可以解決大尺寸遮罩板因重力導致的懸垂問題,不需要其他附加設備,節省原料,降低成本。
具體實施例二:
本具體實施方式提供了另一種用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料及蒸鍍遮罩板的製備方法。
本方法所製備出的金屬基複合材料,其材料中各組成部分的含量與具體實施方式一中金屬基複合材料相同,但採用本具體實施方式提供的方法製備出的材料性能提高,並且成本降低。
第3圖為本具體實施方式提供的製備方法的工藝流程圖。在步驟S201中首先將鐵粉、鎳粉、SiC顆粒按照比例配比,使得最終所得到的金屬基複合材料中,鎳在鐵鎳合金中的含量為35.4wt%,SiC顆粒在金屬合金中所占的體積比為50vol%。非金屬顆粒的直徑在直徑範圍在1-30μm之間。
在步驟S202中將配比好的粉末充分均勻地混合,混合的方式採用高能球磨機進行球磨,並加入一定的球磨劑以提高混料的均勻性。
在步驟S203中,將混合好的粉末充入到模具中進行壓製成型,此處的模具可以為蒸鍍遮罩板的模具,這樣直接壓製出蒸鍍遮罩板,比鑄造方法更加節省原料,降低成本。採用的壓製方式可以為常規壓製方式,也可以為冷等靜壓方式或者熱等靜壓方式,採用的壓製壓力在100-800MPa之間。在本具體實施例中採用常規壓製方式,壓製壓力為800MPa。
在步驟S204中,所述的燒結方式可以為常壓燒結、加壓燒結、真空燒結等。燒結溫度在1300-1600℃之間, 使所壓製成型的胚體緻密化。在本具體實施例中採用常壓燒結,燒結溫度為1600℃。
以上是本具體實施方式中製備金屬基複合材料的主要步驟,其它退火、淬火、加工等處理方式都是本領域常用的方式,在此不再贅述。
採用本具體實施方式製備的金屬基複合材料,非金屬顆粒作為增强相在基體中混合的更加均勻,得到的材料不僅重量低,並且彈性模量更高,更耐衝擊和拉伸,並且採用上述的粉末冶金方法製備的材料,更加節省原材料,降低成本。
採用本實施方式製備出的蒸鍍遮罩板重量輕,可以解決大尺寸遮罩板因重力導致的懸垂問題,不需要其他附加設備,並且採用粉末冶金法成型,節省原料,降低成本。
具體實施例三:
本具體實施方式提供了又一種用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料及蒸鍍遮罩板的製備方法。
本方法所製備出的金屬基複合材料,其材料中各組成部分的含量與具體實施方式一中金屬基複合材料相同,但採用本具體實施方式提供的方法製備出的材料性能提高,並且成本降低。
第4圖為本具體實施方式提供的製備方法的工藝流程圖。在步驟S301中首先將鐵鎳預合金粉、SiC顆粒按照比例配比,使得最終所得到的金屬基複合材料中,鎳在鐵鎳合金中的含量為35.4wt%,SiC顆粒在金屬合金中所占 的體積比為50vol%。SiC顆粒的直徑在直徑範圍在1-30μm之間。
在步驟S302中將配比好的粉末充分均勻地混合,混合的方式採用高能球磨機進行球磨,並加入一定的球磨劑以提高混料的均勻性。
在步驟S303中,將混合好的粉末充入到模具中進行壓製成型,此處的模具可以為蒸鍍遮罩板的模具,這樣直接壓製出蒸鍍遮罩板,比鑄造方法更加節省原料,降低成本。採用的壓製方式可以為常規壓製方式,也可以為冷等靜壓方式或者熱等靜壓方式,採用的壓製壓力在100-800MPa之間。在本具體實施例中採用常規壓製方式,壓製壓力為800MPa。
在步驟S304中,所述的燒結方式可以為常壓燒結、加壓燒結、真空燒結等。燒結溫度在1300-1600℃之間,使所壓製成型的胚體緻密化。在本具體實施例中採用常壓燒結,燒結溫度為1600℃。
以上是本具體實施方式中製備金屬基複合材料的主要步驟,其它退火、淬火、加工等處理方式都是本領域常用的方式,在此不再贅述。
採用本具體實施方式製備的金屬基複合材料,非金屬顆粒作為增强相在基體中混合的更加均勻,得到的材料不僅重量低,並且彈性模量更高,更耐衝擊和拉伸,並且與具體實施方式二相比,將鐵粉和鎳粉預合金化,更加增强了基體的塑性和衝擊韌性,而採用上述的粉末冶金方法 製備的材料,更加節省原材料,降低成本。
採用本實施方式製備出的蒸鍍遮罩板重量輕,可以解決大尺寸遮罩板因重力導致的懸垂問題,不需要其他附加設備,並且採用粉末冶金法成型,節省原料,降低成本。
具體實施例四:
本具體實施方式提供了又一種用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料及蒸鍍遮罩板的製備方法。
本方法所製備出的金屬基複合材料,其材料中各組成部分的含量與具體實施方式一中金屬基複合材料相同,但採用本具體實施方式提供的方法製備出的材料性能提高,並且成本降低。
第5圖為本具體實施方式提供的製備方法的工藝流程圖。在步驟S401中首先將鐵粉、鎳包覆SiC顆粒複合粉末按照比例配比,使得最終所得到的金屬基複合材料中,鎳在鐵鎳合金中的含量為35.4wt%,SiC顆粒在金屬合金中所占的體積比為50vol%。SiC顆粒的直徑在直徑範圍在1-30μm之間。
而鎳包覆SiC粉末可以採用高壓氫還原的方法製備,採用鎳包覆SiC粉末可以保證後續的混料更加均勻,使SiC非金屬顆粒更加均勻地彌散於鐵鎳合金基體中,增强所得複合材料的彈性模量和韌性。
在步驟S402中將配比好的粉末充分均勻地混合,混合的方式採用高能球磨機進行球磨,並加入一定的球磨劑以提高混料的均勻性。
在步驟S403中,將混合好的粉末充入到模具中進行壓製成型,此處的模具可以為蒸鍍遮罩板的模具,這樣直接壓製出蒸鍍遮罩板,比鑄造方法更加節省原料,降低成本。採用的壓製方式可以為常規壓製方式,也可以為冷等靜壓方式或者熱等靜壓方式,採用的壓製壓力在100-800MPa之間。在本具體實施例中,採用常規壓製方式,壓製壓力為800MPa。
在步驟S404中,採用真空燒結的方式燒結,所述的燒結方式可以為常壓燒結、加壓燒結、真空燒結等。燒結溫度在1300-1600℃之間,使所壓製成型的胚體緻密化。在本具體實施例中採用常壓燒結,燒結溫度為1600℃。在燒結工序中,由於鎳將碳化矽粉末包覆起來,阻止了在高溫下鐵與SiC的反應,而鎳相對比較穩定不易於SiC發生反應,防止了由於鐵與SiC的反應帶來的材料性能的下降。
以上是本具體實施方式中製備金屬基複合材料的主要步驟,其它退火、淬火、加工等處理方式都是本領域常用的方式,在此不再贅述。
採用本具體實施方式製備的金屬基複合材料,非金屬顆粒作為增强相在基體中混合的更加均勻,得到的材料不僅重量低,並且彈性模量更高,更耐衝擊和拉伸,並且與前述的具體實施方式相比,本具體實施方式中採用鎳包覆SiC粉末與鐵粉混合,壓製,燒結,可以保證後混料更加均勻,使SiC非金屬顆粒更加均勻地彌散於鐵鎳合金基體中,增强所得複合材料的彈性模量和韌性。並且鎳將碳 化矽粉末包覆起來,阻止了在高溫下鐵與SiC的反應,而鎳相對比較穩定不易於SiC發生反應,防止了由於鐵與SiC的反應帶來的材料性能的下降,更加增强了材料的性能,而採用上述的粉末冶金方法製備材料和蒸鍍遮罩板,更加節省原材料,降低成本。
採用本實施方式製備出的蒸鍍遮罩板重量輕,可以解決大尺寸遮罩板因重力導致的懸垂問題,不需要其他附加設備,並且採用粉末冶金法成型,節省原料,降低成本。
注意,上述僅為本發明的較佳實施例及所運用技術原理。本領域技術人員會理解,本發明不限於這裏所述的特定實施例,對本領域技術人員來說能够進行各種明顯的變化、重新調整和替代而不會脫離本發明的保護範圍。因此,雖然通過以上實施例對本發明進行了較為詳細的說明,但是本發明不僅僅限於以上實施例,在不脫離本發明構思的情况下,還可以包括更多其他等效實施例,而本發明的範圍由所附的申請專利範圍決定。
1‧‧‧鐵鎳合金
2‧‧‧非金屬顆粒

Claims (34)

  1. 一種用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料,所述金屬基複合材料包括基體和彌散於所述基體中的增强相,其中所述基體為鐵鎳合金,所述增强相為非金屬顆粒,所述非金屬顆粒在基體中的體積比為20-50vol%。
  2. 如請求項1所述的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料,其中所述鐵鎳合金中鎳含量為30%-36wt%。
  3. 如請求項1所述的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料,其中所述鐵鎳合金中鎳含量為35.4wt%。
  4. 如請求項1所述的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料,其中所述非金屬顆粒在基體中的體積比為50vol%。
  5. 如請求項1所述的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料,其中所述非金屬顆粒為選自由SiC顆粒、Al2O3顆粒及AlN顆粒組成的物質群中選擇的一種物質。
  6. 如請求項1所述的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料,其中所述非金屬顆粒的直徑在1-30μm之間。
  7. 一種用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料的製備方法,包括以下步驟:將作為增强相的非金屬顆粒彌散在鐵 鎳合金中,形成顆粒增强金屬基複合材料,所述非金屬顆粒在所述鐵鎳合金中的體積比為20-50vol%。
  8. 如請求項7所述的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料的製備方法,所述將作為增强相的非金屬顆粒彌散在鐵鎳合金中的方法包括:在1390~1520℃的溫度下熔融所述鐵鎳合金,在真空感應爐或電弧爐中採用磁力攪拌的方式將非金屬顆粒均勻彌散在熔融的鐵鎳合金中,然後將攪拌均勻的材料澆鑄成型,得到顆粒增强金屬基複合材料。
  9. 如請求項7所述的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料的製備方法,所述將作為增强相的非金屬顆粒彌散在鐵鎳合金中的步驟包括:在常溫下將鐵粉、鎳粉或者鐵鎳預合金粉和非金屬顆粒採用高能球磨機均勻混合,將混合後的粉末壓製成型,將壓製成型的樣品在1390~1520℃的溫度下燒結緻密,得到顆粒增强金屬基複合材料。
  10. 如請求項7所述的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料的製備方法,所述將作為增强相的非金屬顆粒彌散在鐵鎳合金中的步驟包括:採用高壓氫還原法製備鎳包覆所述非金屬顆粒的複合粉末,在常溫下將所述鎳包覆所述非金屬顆粒的複合粉末和鐵粉採用高能球磨機均勻混合,將混合後的粉末壓製成型,將壓製成型的樣品在1390~1520℃的溫度下燒結緻密,得到顆粒增强金屬基複合材料。
  11. 如請求項7-10中任一項所述的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料的製備方法,其中使所述鐵鎳合金中鎳含量為30%-36wt%。
  12. 如請求項11所述的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料的製備方法,其中使所述鐵鎳合金中鎳含量為35.4wt%。
  13. 如請求項7-10中任一項所述的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料的製備方法,其中使所述非金屬顆粒在鐵鎳合金中的體積比為50vol%。
  14. 如請求項7-10中任一項所述的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料的製備方法,其中所述非金屬顆粒選自由SiC顆粒、Al2O3顆粒及AlN顆粒組成的物質群中選擇的一種物質。
  15. 如請求項7-10中任一項所述的用於蒸鍍遮罩板的金屬基複合材料的製備方法,其中所述非金屬顆粒的直徑在1-30μm之間。
  16. 一種蒸鍍遮罩板,其中該蒸鍍遮罩板所採用的材料為請求項1-6中的任一項所述的金屬基複合材料。
  17. 一種蒸鍍遮罩板的製備方法,採用請求項8中的金屬基複合材料的製備方法得到鑄件,然後將鑄件採用機械加工的方式製成蒸鍍遮罩板。
  18. 如請求項17所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中使所述鐵鎳合金中鎳含量為30%-36wt%。
  19. 如請求項18所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中使所述鐵鎳合金中鎳含量為35.4wt%。
  20. 如請求項17所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中使所述非金屬顆粒在鐵鎳合金中的體積比為50vol%。
  21. 如請求項17所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中所述非金屬顆粒為選自由SiC顆粒、Al2O3顆粒及AlN顆粒組成的物質群中選擇的一種物質。
  22. 如請求項17所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中所述非金屬顆粒的直徑在1-30μm之間。
  23. 一種蒸鍍遮罩板的製備方法,該方法包括:在常溫下將鐵粉、鎳粉或者鐵鎳預合金粉和非金屬顆粒採用高能球磨機均勻混合,將混合後的粉末在蒸鍍遮罩板的模具中 壓製成型,將壓製成型的樣品在1390~1520℃的溫度下燒結緻密,得到蒸鍍遮罩板,在所述蒸鍍遮罩板中,非金屬顆粒作為增强相,鐵鎳合金作為基體。
  24. 如請求項23所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中使所述鐵鎳合金中鎳含量為30%-36wt%。
  25. 如請求項24所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中使所述鐵鎳合金中鎳含量為35.4wt%。
  26. 如請求項23所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中使所述非金屬顆粒在基體中的體積比為50vol%。
  27. 如請求項23所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中所述非金屬顆粒為選自由SiC顆粒、Al2O3顆粒及AlN顆粒組成的物質群中選擇的一種物質。
  28. 如請求項23所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中所述非金屬顆粒的直徑在1-30μm之間。
  29. 一種蒸鍍遮罩板的製備方法,包括:採用高壓氫還原法製備鎳包覆非金屬顆粒的複合粉末,在常溫下將所述鎳包覆所述非金屬顆粒的複合粉末和鐵粉採用高能球磨機均勻混合,將混合後的粉末在蒸鍍遮罩板的模具中壓製成 型,將壓製成型的樣品在1390~1520℃的溫度下燒結緻密,得到蒸鍍遮罩板,在所述蒸鍍遮罩板中,非金屬顆粒作為增强相,鐵鎳合金作為基體。
  30. 如請求項29所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中使所述鐵鎳合金中鎳含量為30%-36wt%。
  31. 如請求項29所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中使所述鐵鎳合金中鎳含量為35.4wt%。
  32. 如請求項29所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中使所述非金屬顆粒在基體中的體積比為50vol%。
  33. 如請求項29所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中所述非金屬顆粒為選自由SiC顆粒、Al2O3顆粒及AlN顆粒組成的物質群中選擇的一種物質。
  34. 如請求項29所述的蒸鍍遮罩板的製備方法,其中所述非金屬顆粒的直徑在1-30μm之間。
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