TWI834922B - 用以製造蒸鍍罩之金屬板、金屬板之製造方法、蒸鍍罩及蒸鍍罩之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之用以製造蒸鍍罩之包含第1面及位於第1面相反側之第2面，且具備鐵及鎳之金屬板可具備：粒子，其包含鐵及鎳以外之元素作為主成分。於包含金屬板之第1面及第2面之樣本中，可滿足以下之條件(1)、(2)。
(1)樣本之每1 mm3
之體積所含之具有1 μm以上之圓相當直徑之粒子數為50個以上且3000個以下。
(2)樣本之每1 mm3
之體積所含之具有3 μm以上之圓相當直徑之粒子數為50個以下。
Description
本揭示之實施形態係關於一種用以製造蒸鍍罩之金屬板、金屬板之製造方法、蒸鍍罩及蒸鍍罩之製造方法。
近年，對於智慧型手機或平板PC(Personal Computer：個人電腦)等電子設備，市場要求高精細之顯示裝置。顯示裝置具有例如500ppi以上或800ppi以上等之像素密度。
由於應答性良好、或/及消耗電力低，有機EL(Electro Luminescence：電致發光)顯示裝置備受矚目。作為形成有機EL顯示裝置之像素之方法，已知有藉由蒸鍍而使構成像素之材料附著於基板之方法。該情形時，首先，準備包含貫通孔之蒸鍍罩。接著，於蒸鍍裝置內，於使蒸鍍罩密接於基板之狀態下，使有機材料或/及無機材料等蒸鍍，而於基板形成有機材料或/及無機材料等。
作為蒸鍍罩之製造方法，例如專利文獻1所揭示，已知有藉由蝕刻金屬板而於金屬板形成貫通孔之方法。
[專利文獻1]日本專利第5382259號公報
本揭示之實施形態之目的在於提高形成於金屬板之貫通孔之形狀精度。
本揭示之一實施形態中，用以製造蒸鍍罩之包含第1面及位於第1面之相反側之第2面，且具備鐵及鎳之金屬板亦可具備：粒子，其包含鐵及鎳以外之元素作為主成分。於包含金屬板之第1面及第2面之樣本中，可滿足以下之條件(1)、(2)。
(1)樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數為50個以上且3000個以下。
(2)樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之粒子數為50個以下。
根據本揭示之實施形態，可提高形成於金屬板之貫通孔之形狀精度。
10:蒸鍍罩裝置
15:框架
17a:第1端部
17b:第2端部
18:中間部
20:蒸鍍罩
20a:第1面
20b:第2面
22:有效區域
23:周圍區域
25:貫通孔
25A~25F:貫通孔
25X:貫通孔
25Y:貫通孔
26:長邊
27:短邊
30:第1凹部
31:壁面
35:第2凹部
36:壁面
41:連接部
42:貫通部
43:頂部
60:母材
61:芯件
62:捲繞體
64:金屬板
64a:第1面
64b:第2面
64c:主相
64d:粒子
64e:粒子
64f:粒子
64i:第1晶錠
64s:表面部分
64u:表面部分
65a:第1抗蝕劑膜
65b:第2抗蝕劑膜
65c:第1抗蝕劑圖案
65d:第2抗蝕劑圖案
66:輥軋裝置
66a:軋輥
66b:軋輥
67:退火裝置
69:樹脂
70:製造裝置
71:抗蝕劑膜形成裝置
72:曝光，顯影裝置
73:蝕刻裝置
74:分離裝置
75:薄化裝置
81:樣本
81a:樣本片
82:樣本
83:水溶液
84:濾紙
85:圖像
86:觀察範圍
87:分析點
90:蒸鍍裝置
92:有機EL基板
93:磁鐵
94:蒸鍍源
96:加熱器
98:蒸鍍材料
100:有機EL顯示裝置
A1:第1觀察方向
A2:第2觀察方向
D1:第1方向
D2:第2方向
E1:第1蝕刻液
E2:第2蝕刻液
K1:長度
K2:直徑
K4:尺寸
K5:尺寸
K6:尺寸
K7:尺寸
L:雷射光
M1:直線
N:法線方向
r:尺寸
SA:尺寸
SB:尺寸
SC:尺寸
SD:尺寸
SE:尺寸
SF:尺寸
t:厚度
X1:厚度
X2:厚度
X3:厚度
X4:厚度
α:寬度
β:寬度
θ1:角度
圖1係顯示本揭示之實施形態之具備一實施形態之蒸鍍罩裝置之蒸鍍裝置的圖。
圖2係顯示使用圖1所示之蒸鍍罩裝置製造之有機EL顯示裝置之剖視圖。
圖3係顯示本揭示之實施形態之一實施形態之蒸鍍罩裝置之俯視圖。
圖4係顯示圖3所示之蒸鍍罩之有效區域之部分俯視圖。
圖5係沿圖4之V-V線之剖視圖。
圖6係顯示具備粒子之金屬板之一例之剖視圖。
圖7係顯示於圖6所示之金屬板設置抗蝕劑圖案之步驟之剖視圖。
圖8係顯示藉由自第1面側蝕刻圖6所示之金屬板而形成第1凹部之步驟之剖視圖。
圖9係顯示以樹脂被覆第1凹部之步驟之剖視圖。
圖10係顯示藉由自第2面側蝕刻圖6所示之金屬板而形成第2凹部之步驟之剖視圖。
圖11係顯示去除樹脂及抗蝕劑圖案之步驟之剖視圖。
圖12係顯示具備粒子之金屬板之一例之剖視圖。
圖13係顯示藉由自第1面側蝕刻圖12所示之金屬板而形成第1凹部之步驟之剖視圖。
圖14係顯示藉由自第1面側蝕刻圖12所示之金屬板而形成第1凹部之步驟之剖視圖。
圖15係顯示以樹脂被覆第1凹部之步驟之剖視圖。
圖16係顯示藉由自第2面側蝕刻圖12所示之金屬板而形成第2凹部之
步驟之剖視圖。
圖17係顯示去除樹脂及抗蝕劑圖案之步驟之剖視圖。
圖18係顯示具備粒子之金屬板之一例之剖視圖。
圖19係顯示藉由自第1面側蝕刻圖18所示之金屬板而形成第1凹部之步驟之剖視圖。
圖20係顯示藉由自第1面側蝕刻圖18所示之金屬板而形成第1凹部之步驟之剖視圖。
圖21係顯示以樹脂被覆第1凹部之步驟之剖視圖。
圖22係顯示藉由自第2面側蝕刻圖18所示之金屬板而形成第2凹部之步驟之剖視圖。
圖23係顯示藉由自第2面側蝕刻圖18所示之金屬板而形成第2凹部之步驟之剖視圖。
圖24係顯示去除樹脂及抗蝕劑圖案之步驟之剖視圖。
圖25係顯示自第1面側觀察形成於金屬板之複數種類型之貫通孔之情形的俯視圖。
圖26係顯示自金屬板切出樣本之步驟之圖。
圖27係顯示自樣本沖壓複數塊樣本片之步驟之圖。
圖28係顯示使樣本片溶解之步驟之圖。
圖29係顯示分佈於濾紙上之複數個粒子之俯視圖。
圖30係用以說明調整掃描型電子顯微鏡之對比度及/或亮度之步驟之圖。
圖31係用以說明調整掃描型電子顯微鏡之對比度及/或亮度之步驟之圖。
圖32係用以說明調整解析軟體之亮度閾值之步驟之圖。
圖33係用以說明調整解析軟體之亮度閾值之步驟之圖。
圖34係用以說明濾紙之觀察範圍之圖。
圖35係顯示分析粒子之組成之步驟之圖。
圖36係顯示鐵合金之晶錠之圖。
圖37係顯示去除晶錠之表面部分之步驟之圖。
圖38係顯示輥軋母材獲得具有期望之厚度之金屬板之步驟之圖。
圖39係顯示將藉由輥軋獲得之金屬板退火之步驟之圖。
圖40係用以整體性說明蒸鍍罩之製造方法之一例之模式圖。
圖41係顯示於金屬板形成抗蝕劑圖案之步驟之圖。
圖42係顯示第1面蝕刻步驟之圖。
圖43係顯示第2面蝕刻步驟之圖。
圖44係用以說明蒸鍍罩之製造方法之第1變化例之模式圖。
圖45係用以說明蒸鍍罩之製造方法之第2變化例之圖。
圖46係用以說明蒸鍍罩之製造方法之第2變化例之圖。
圖47係用以說明蒸鍍罩之製造方法之第2變化例之圖。
圖48係顯示具備粒子之金屬板之一例之剖視圖。
圖49係顯示藉由自第1面側蝕刻圖48所示之金屬板而形成第1凹部之步驟之剖視圖。
圖50係顯示藉由自第1面側蝕刻圖48所示之金屬板而形成第1凹部之步驟之剖視圖。
圖51係顯示以樹脂被覆第1凹部之步驟之剖視圖。
圖52係顯示藉由自第2面側蝕刻圖48所示之金屬板而形成第2凹部之
步驟之剖視圖。
圖53係顯示去除樹脂及抗蝕劑圖案之步驟之剖視圖。
圖54係顯示金屬板之圖。
圖55係顯示去除金屬板之表面部分之步驟之圖。
圖56係用以說明貫通孔之面積之相對值之評估方法之圖。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則「基板」或「基材」或「板」或「片材」或「薄膜」等意指成為某構成之基礎之物質的用語並非僅基於稱呼之不同而相互區分者。本說明書及本圖式中，若無特別說明，則關於形狀或幾何學條件以及特定該等程度之例如「平行」或「正交」等用語或長度、角度之值等，不拘於嚴密之意義，當包含可期待同樣功能之程度之範圍而解釋。
本說明書及本圖式中，若無特別說明，則某構件或某區域等之某構成設為其他構件或其他區域等其他構成之「上」或「下」、「上側」或「下側」、或者「上方」或「下方」之情形，包含某構成與其他構成直接相接之情形。再者，亦包含於某構成與其他構成間含有另一構成之情形，即，間接相接之情形。又，若無特別說明，則「上」或「上側」或「上方」、或者「下」或「下側」或「下方」之語句亦可上下方向反轉。
於本說明書及本圖式中，若無特別說明，則對同一部分或具有同樣功能之部分標註同一符號或類似符號，而有省略其之重複說明之情形。
又，為了便於說明，而有圖式之尺寸比例與實際比例不同之情形、或自圖式省略構成之一部分之情形。
本說明書及本圖式中，若無特別說明，則本揭示之實施形態可於不產生矛盾之範圍內，與其他實施形態或變化例組合。又，其他之實施形態彼此、或其他之實施形態與變化例亦可於不產生矛盾之範圍內組合。又，變化例彼此亦可於不產生矛盾之範圍內組合。
本說明書及本圖式中，若無特別說明，則於就製造方法等之方法揭示複數個步驟之情形時，亦可於揭示之步驟間，實施未揭示之其他步驟。又，揭示之步驟之順序於不產生矛盾之範圍內為任意。
本說明書及本圖式中，若無特別說明，則藉由「~」之記號表現之範圍包含置於「~」符號之前後之數值或要件。例如，藉由「34~38質量%」之表現劃定之數值範圍與藉由「34質量%以上且38質量%以下」之表現劃定之數值範圍相同。例如，藉由「貫通孔25A~25E」之表現劃定之範圍包含貫通孔25A、25B、25C、25D、25E。
本說明書之一實施形態中，列舉用以於製造有機EL顯示裝置時，以期望之圖案於基板上將有機材料圖案化之蒸鍍罩及其製造方法相關之例進行說明。然而，不限定於此種應用，亦可對用於各種用途之蒸鍍罩應用本實施形態。例如，為了製造用以顯示或投影表現虛擬實境之所謂之VR(Virtual Reality)或擴增實境之所謂之AR(Augmented Reality)用之圖
像或影像的裝置，亦可使用本實施形態之蒸鍍罩。
以下，一面參照圖式一面對本揭示之一實施形態詳細地進行說明。另，以下所示之實施形態為本揭示之實施形態之一例，本揭示並非僅限定於該等實施形態而解釋者。
本揭示之第1態樣係一種金屬板，其係用以製造蒸鍍罩之包含第1面及位於上述第1面相反側之第2面，並具備鐵及鎳者，且具備：
粒子，其包含鐵及鎳以外之元素作為主成分；於包含上述金屬板之上述第1面及上述第2面之樣本中，滿足以下之條件(1)、(2)；(1)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以上且3000個以下；(2)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以下。
本揭示之第2態樣如上述之第1態樣之金屬板，其中可滿足以下之條件(3)。
(3)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為1000個以下。
本揭示之第3態樣如上述之第1態樣或上述之第2態樣之金屬板，其中可滿足以下之條件(4)。
(4)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為20個以下。
本揭示之第4態樣如上述之第1態樣至上述之第3態樣各者之金屬板，其中可滿足以下之條件(5)。
(5)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有5μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為20個以下。
本揭示之第5態樣如上述之第1態樣至上述之第3態樣各者之金屬板，其中可滿足以下之條件(6)。
(6)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有5μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為2個以下。
本揭示之第6態樣如上述之第1態樣至上述之第5態樣各者之金屬板，其中上述金屬板之第1比例可為70%以上。
上述第1比例為第1數量相對於具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子之合計數量的比例。
上述合計數量為上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子之數量。
上述第1數量為上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上且未達3μm之圓相當直徑之上述粒子的數量。
本揭示之第7態樣如上述之第1態樣至上述之第6態樣各者之金屬板，
其中上述金屬板之厚度可為70μm以下。
本揭示之第8態樣如上述之第1態樣至上述之第6態樣各者之金屬板，其中上述金屬板之厚度可為50μm以下。
本揭示之第9態樣如上述之第1態樣至上述之第6態樣各者之金屬板，其中上述金屬板之厚度可為30μm以下。
本揭示之第10態樣係一種金屬板之製造方法，其係用以製造蒸鍍罩之包含第1面及位於上述第1面相反側之第2面之金屬板的製造方法，且具備：準備具有包含鎳之鐵合金之母材之準備步驟；及輥軋上述母材製作上述金屬板之步驟；且上述金屬板具備包含鐵及鎳以外之元素作為主成分之粒子；於包含上述金屬板之上述第1面及上述第2面之樣本中，滿足以下條件(1)、(2)；(1)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以上且3000個以下；(2)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以下。
本揭示之第11態樣如上述之第10態樣之金屬板之製造方法，其中上述製造方法可具備去除上述母材或上述金屬板之表面部分之表面處理步
驟。
本揭示之第12態樣如上述之第11態樣之金屬板之製造方法，其中上述表面處理步驟可包含去除上述母材之上述表面部分之母材表面處理步驟，且上述表面部分之厚度為10mm以上。
本揭示之第13態樣如上述之第11態樣之金屬板之製造方法，其中上述表面處理步驟可包含去除上述金屬板之上述表面部分之金屬板表面處理步驟，且上述表面部分之厚度為5μm以上。
本揭示之第14態樣如上述之第11態樣之金屬板之製造方法，其中上述表面處理步驟可包含藉由使表面處理液接觸上述母材或上述金屬板之表面而去除上述表面部分的步驟。
本揭示之第15態樣如上述之第10態樣至上述之第14態樣各者之金屬板之製造方法，其中可具備：分選步驟，其分選滿足以下之條件(1)、(2)之上述金屬板。
(1)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以上且3000個以下。
(2)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以下。
本揭示之第16態樣如上述之第10態樣至上述之第15態樣各者之金屬
板之製造方法，其中可滿足以下之條件(3)。
(3)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為1000個以下。
本揭示之第17態樣如上述之第10態樣至上述之第16態樣各者之金屬板之製造方法，其中可滿足以下之條件(4)。
(4)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為20個以下。
本揭示之第18態樣如上述之第10態樣至上述之第17態樣各者之金屬板之製造方法，其中可滿足以下之條件(5)。
(5)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有5μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為20個以下。
本揭示之第19態樣係如上述之第10態樣至上述之第18態樣各者之金屬板之製造方法，其中可滿足以下之條件(6)。
(6)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有5μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為2個以下。
本揭示之第20態樣如上述之第10態樣至上述之第19態樣各者之金屬板之製造方法，其中上述金屬板之第1比例可為70%以上。
上述第1比例為第1數量相對於具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子之合計數量的比例。
上述合計數量為上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子之數量。
上述第1數量為上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上且未達3μm之圓相當直徑之上述粒子的數量。
本揭示之第21態樣如上述之第10態樣至上述之第20態樣各者之金屬板之製造方法，其中上述金屬板之厚度可為70μm以下。
本揭示之第22態樣如上述之第10態樣至上述之第20態樣各者之金屬板之製造方法，其中上述金屬板之厚度可為50μm以下。
本揭示之第23態樣如上述之第10態樣至上述之第20態樣各者之金屬板之製造方法，其中上述金屬板之厚度可為30μm以下。
本揭示之第24態樣係一種蒸鍍罩，其具備：金屬板，其包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面，且具備鐵及鎳；及複數個貫通孔，其形成於上述金屬板；且上述金屬板具備包含鐵及鎳以外之元素作為主成分之粒子；於包含上述金屬板之上述第1面及上述第2面之樣本中，滿足以下之條件(1)、(2)；(1)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以上且3000個以下；
(2)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以下。
本揭示之第25態樣係一種蒸鍍罩之製造方法，其具備：準備包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面，且具備鐵及鎳之金屬板的步驟；及加工步驟，其於上述金屬板形成複數個貫通孔；且上述金屬板具備包含鐵及鎳以外之元素作為主成分之粒子；於包含上述金屬板之上述第1面及上述第2面之樣本中，滿足以下之條件(1)、(2)；(1)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以上且3000個以下；(2)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以下。
首先，參照圖1對將使蒸鍍材料蒸鍍之蒸鍍處理實施於對象物的蒸鍍裝置90進行說明。如圖1所示，蒸鍍裝置90可於其之內部具備蒸鍍源94、加熱器96及蒸鍍罩裝置10。蒸鍍裝置90進而具備用以將蒸鍍裝置90之內部設為真空氛圍之排氣機構。蒸鍍源94為例如坩鍋。蒸鍍源94收納有機發光材料等之蒸鍍材料98。加熱器96加熱蒸鍍源94，於真空氛圍下使蒸鍍材料98蒸鍍。蒸鍍罩裝置10以與蒸鍍源94對向之方式配置。
以下，對蒸鍍罩裝置10進行說明。如圖1所示，蒸鍍罩裝置10可具備
至少一個之蒸鍍罩20、與支持蒸鍍罩20之框架15。為了不使蒸鍍罩20撓曲，框架15以沿其面方向牽引蒸鍍罩20之狀態加以支持。蒸鍍罩裝置10如圖1所示，可以蒸鍍罩20與使蒸鍍材料98附著之對象物即基板，例如有機EL基板92相向之方式配置於蒸鍍裝置90內。於以下之說明中，將蒸鍍罩20之面中之有機EL基板92側之面稱為第1面20a，將位於第1面20a相反側之面稱為第2面20b。
蒸鍍罩裝置10如圖1所示，亦可具備配置於有機EL基板92之與蒸鍍罩20相反側之面之磁鐵93。藉由設置磁鐵93，可利用磁力朝磁鐵93側吸引蒸鍍罩20，使蒸鍍罩20密接於有機EL基板92。雖未圖示，但可使用利用靜電力(庫侖力)之靜電吸盤使蒸鍍罩20密接於有機EL基板92。
圖3係顯示自蒸鍍罩20之第1面20a側觀察蒸鍍罩裝置10之情形之俯視圖。如圖3所示，蒸鍍罩裝置10具備複數個蒸鍍罩20。各蒸鍍罩20包含一對長邊26及一對短邊27，具有例如矩形狀之形狀。各蒸鍍罩20於一對短邊27或其附近之部分，藉由例如焊接而固定於框架15。
蒸鍍罩20包含形成有貫通蒸鍍罩20之複數個貫通孔25之金屬板。自蒸鍍源94蒸發而到達蒸鍍罩裝置10之蒸鍍材料98通過蒸鍍罩20之貫通孔25，附著於有機EL基板92。藉此，能以蒸鍍罩20之貫通孔25之位置所對應之期望之圖案，將蒸鍍材料98成膜於有機EL基板92之表面。
圖2係顯示使用圖1之蒸鍍裝置90製造之有機EL顯示裝置100之剖視
圖。有機EL顯示裝置100可具備有機EL基板92、及包含圖案狀設置之蒸鍍材料98之像素。雖未圖示，但有機EL顯示裝置100可進而具備電性連接於包含蒸鍍材料98之像素之電極。電極於例如藉由蒸鍍步驟而使蒸鍍材料98附著於有機EL基板92之前，預先設置於有機EL基板92。有機EL顯示裝置100可進而具備自外部將包含蒸鍍材料98之像素周圍之空間密封之密封構件等其他之構成要件。因此，圖2之有機EL顯示裝置100亦可謂為於製造有機EL顯示裝置之中間階段產生之有機EL顯示裝置中間體。
於欲進行複數色之彩色顯示之情形時，分別準備搭載有對應於各色之蒸鍍罩20之蒸鍍裝置90，將有機EL基板92依序投入各蒸鍍裝置90。藉此，例如，可使紅色用有機發光材料、綠色用有機發光材料及藍色用有機發光材料依序對有機EL基板92蒸鍍。
有於成為高溫氛圍之蒸鍍裝置90之內部實施蒸鍍處理之情形。該情形時，於蒸鍍處理期間，保持於蒸鍍裝置90內部之蒸鍍罩20、框架15及有機EL基板92亦被加熱。此時，蒸鍍罩20、框架15及有機EL基板92呈尺寸基於各自之熱膨脹係數而變化之狀態。因此，較佳為蒸鍍罩20及框架15之熱膨脹係數為與有機EL基板92之熱膨脹係數同等之值。藉此，可抑制蒸鍍罩20、框架15及有機EL基板92之尺寸基於熱膨脹係數之變化率產生差異。因此，可抑制附著於有機EL基板92上之蒸鍍材料之尺寸精度或位置精度因蒸鍍罩20、框架15、有機EL基板92等之熱膨脹而降低。
例如，使用玻璃基板作為有機EL基板92之情形時，亦可使用包含鎳
之鐵合金，作為蒸鍍罩20及框架15之主要材料。鐵合金除鎳之外可進而包含鈷。例如，作為構成蒸鍍罩20之金屬板之材料，可使用鎳及鈷之含有量合計為28質量%以上且54質量%以下，且鈷之含有量為0質量%以上且6質量%以下之鐵合金。
金屬板中之鎳及鈷之含有量亦可合計為28質量%以上且38質量%以下。該情形時，作為包含鎳或鎳及鈷之鐵合金之具體例，可舉出殷鋼材、超殷鋼(Super Invar)材、超級殷鋼(Ultra Invar)材等。殷鋼材為34質量%以上且38質量%以下之鎳、與其餘之鐵及無法避免之雜質之鐵合金。超殷鋼材為包含30質量%以上且34質量%以下之鎳、鈷、與其餘之鐵及無法避免之雜質之鐵合金。超級殷鋼材為包含28質量%以上且34質量%以下之鎳、2質量%以上且7質量%以下之鈷、0.1質量%以上且1.0質量%以下之錳、0.10質量%以下之矽、0.01質量%以下之碳、與其餘之鐵及無法避免之雜質之鐵合金。
金屬板中之鎳及鈷之含有量亦可合計為38質量%以上且54質量%以下。該情形時，作為包含鎳或鎳及鈷之鐵合金之具體例，可舉出低熱膨脹Fe-Ni系鍍覆合金等。低熱膨脹Fe-Ni系鍍覆合金為包含38質量%以上且54質量%以下之鎳、與其餘之鐵及無法避免之雜質之鐵合金。
蒸鍍處理時，於蒸鍍罩20、框架15及有機EL基板92之溫度未達到高溫之情形時，不必特別將蒸鍍罩20及框架15之熱膨脹係數設為與有機EL基板92之熱膨脹係數同等之值。該情形時，作為構成蒸鍍罩20之材料，亦可使用上述鐵合金以外之材料。例如，可使用包含鉻之鐵合金等除包含上述鎳之鐵合金以外之鐵合金。作為包含鉻之鐵合金，可使用例如稱為所
謂不鏽鋼之鐵合金。亦可使用鎳或鎳-鈷合金等鐵合金以外之合金。
接著，對蒸鍍罩20詳細地進行說明。如圖3所示，蒸鍍罩20可具備：第1端部17a及第2端部17b，其於蒸鍍罩20之第1方向D1上對向；及中間部18，其位於一對端部17a、17b之間。
首先，對端部17a、17b詳細地進行說明。端部17a、17b係於第1方向D1上自蒸鍍罩20之端擴展之區域。端部17a、17b具有可切出後述之樣本之面積。端部17a、17b可至少部分固定於框架15。於本實施形態中，端部17a、17b與中間部18一體構成。端部17a、17b亦可由與中間部18不同之構件構成。該情形時，端部17a、17b藉由例如焊接而接合於中間部18。
接著，對中間部18進行說明。中間部18包含至少1個之有效區域22，其形成有自第1面20a到達第2面20b之貫通孔25；及周圍區域23，其包圍有效區域22。有效區域22為蒸鍍罩20中與有機EL基板92之顯示區域相向之區域。
於圖3所示之例中，中間部18包含沿蒸鍍罩20之長邊26空出特定間隔排列之複數個有效區域22。一個有效區域22對應於一個有機EL顯示裝置100之顯示區域。因此，根據圖1所示之蒸鍍罩裝置10，可進行有機EL顯示裝置100之多面附著蒸鍍。亦有一個有效區域22對應於複數個顯示區域之情形。雖未圖示，但亦可於蒸鍍罩20之第2方向D2上空出特定間隔排列
複數個有效區域22。
如圖3所示，有效區域22具有例如俯視時大致四角形形狀，更正確而言係俯視時大致矩形狀之輪廓。雖未圖示，但各有效區域22可根據有機EL基板92之顯示區域之形狀而具有各種形狀之輪廓。例如，各有效區域22亦可具有圓形狀之輪廓。各有效區域22可具有與智慧型手機等顯示裝置之外形相同之輪廓。
以下，對有效區域22詳細地進行說明。圖4係自蒸鍍罩20之第2面20b側將有效區域22放大顯示之俯視圖。如圖4所示，於圖示之例中，形成於各有效區域22之複數個貫通孔25可於該有效區域22中，沿互相正交之二個方向分別以特定之間距排列。
圖5係顯示圖4之有效區域22之沿V-V方向之剖視圖。如圖5所示，複數個貫通孔25自蒸鍍罩20之沿法線方向N之一側之第1面20a向蒸鍍罩20之沿法線方向N之另一側之第2面20b貫通。於圖示之例中，如稍後所詳述，藉由蝕刻於蒸鍍罩20之法線方向N之一側之金屬板64之第1面64a形成第1凹部30，於蒸鍍罩20之法線方向N之另一側之金屬板64之第2面64b形成第2凹部35。第1凹部30連接於第2凹部35，藉此，形成為第2凹部35與第1凹部30彼此相通。貫通孔25由第2凹部35與連接於第2凹部35之第1凹部30構成。如圖4及圖5所示，第1凹部30之壁面31與第2凹部35之壁面36經由周狀之連接部41連接。於圖4及圖5所示之例中，連接部41區劃俯視蒸鍍罩20時貫通孔25之開口面積最小之貫通部42。
如圖5所示，於蒸鍍罩20之第1面20a側，相鄰之二個貫通孔25沿金屬板64之第1面64a相互隔開。於蒸鍍罩20之第2面20b側，相鄰之二個第2凹部35亦可沿金屬板64之第2面64b相互隔開。即，可於相鄰之二個第2凹部35間殘存金屬板64之第2面64b。於以下之說明中，亦將金屬板64之第2面64b之有效區域22中未被蝕刻而殘存之部分稱為頂部43。藉由以殘存此種頂部43之方式製作蒸鍍罩20，可使蒸鍍罩20具有充足之強度。藉此，例如可抑制蒸鍍罩20於搬運中等破損。另，若頂部43之寬度β過大，則有於蒸鍍步驟中產生陰影，致使蒸鍍材料98之利用效率降低的情況。因此，較佳以頂部43之寬度β不會過度變大之方式製作蒸鍍罩20。
如圖1所示，將蒸鍍罩裝置10收納於蒸鍍裝置90之情形時，如圖5之二點鏈線所示，蒸鍍罩20之第1面20a與有機EL基板92相向，蒸鍍罩20之第2面20b位於保持蒸鍍材料98之蒸鍍源94側。因此，蒸鍍材料98通過開口面積逐漸減小之第2凹部35附著於有機EL基板92。圖5中，如自第2面20b側朝向第1面20a之箭頭所示，蒸鍍材料98自蒸鍍源94朝有機EL基板92沿有機EL基板92之法線方向N移動，亦朝相對於有機EL基板92之法線方向N大幅傾斜之方向移動。此時，若蒸鍍罩20之厚度較大，則傾斜移動之蒸鍍材料98容易卡在頂部43、第2凹部35之壁面36或第1凹部30之壁面31，其結果使無法通過貫通孔25之蒸鍍材料98之比例增加。因此，為了提高蒸鍍材料98之利用效率，可考慮較佳為減小蒸鍍罩20之厚度t，由此減小第2凹部35之壁面36或第1凹部30之壁面31之高度。即，可以說作為用以構成蒸鍍罩20之金屬板64，較佳使用於能確保蒸鍍罩20之強度之範
圍內厚度t儘可能小之金屬板64。厚度t為周圍區域23之厚度，即蒸鍍罩20中未形成第1凹部30及第2凹部35之部分之厚度。因此，厚度t亦可謂為金屬板64之厚度。金屬板64之厚度t可為例如100μm以下，亦可為80μm以下，或可為70μm以下，或可為60μm以下，或可為50μm以下，或可為40μm以下，或可為30μm以下，或可為25μm以下，或可為20μm以下，或可為18μm以下。
另一方面，若金屬板64之厚度t過小，則蒸鍍罩20之強度降低，蒸鍍罩20容易損傷或發生變形。考慮到該點，金屬板64之厚度t可為例如8μm以上，亦可為10μm以上，或可為13μm以上，或可為15μm以上。
金屬板64之厚度t之範圍可由包含8μm、10μm、13μm、15μm之第1組群、及/或包含18μm、20μm、25μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm之第2組群而決定。金屬板64之厚度t之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意1個、與上述第2組群所含之值中之任意1個之組合決定。金屬板64之厚度t之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合決定。金屬板64之厚度t之範圍可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為8μm以上且100μm以下，亦可為8μm以上且80μm以下，或可為8μm以上且70μm以下，或可為8μm以上且60μm以下，或可為8μm以上且50μm以下，或可為8μm以上且40μm以下，或可為8μm以上且30μm以下，或可為8μm以上且25μm以下，或可為8μm以上且20μm以下，或可為8μm以上且18μm以下，或可為8μm以上且15μm以下，或可為8μm以上且13μm以下，或可
為8μm以上且10μm以下，或可為10μm以上且30μm以下，或可為10μm以上且25μm以下，或可為10μm以上且20μm以下，或可為10μm以上且18μm以下，或可為10μm以上且15μm以下，或可為10μm以上且13μm以下，或可為13μm以上且30μm以下，或可為13μm以上且25μm以下，或可為13μm以上且20μm以下，或可為13μm以上且18μm以下，或可為13μm以上且15μm以下，或可為15μm以上且30μm以下，或可為15μm以上且25μm以下，或可為15μm以上且20μm以下，或可為15μm以上且18μm以下，或可為18μm以上且30μm以下，或可為18μm以上且25μm以下，或可為18μm以上且20μm以下，或可為20μm以上且30μm以下，或可為20μm以上且25μm以下，或可為25μm以上且30μm以下，或可為30μm以上且100μm以下，或可為40μm以上且100μm以下，或可為50μm以上且100μm以下，或可為60μm以上且100μm以下，或可為70μm以上且100μm以下，或可為80μm以上且100μm以下。
作為測定金屬板64及蒸鍍罩20之厚度之方法，採用接觸式之測定方法。作為接觸式之測定方法，使用具備滾珠襯套引導式柱塞之HEIDENHAIN公司製之長度計HEIDENHAIN-METRO之「MT1271」。
製造蒸鍍罩20用之金屬板64可以例如捲繞於芯件之捲繞體之狀態售賣或搬送。該情形時，捲繞體狀態之金屬板64中亦可滿足金屬板64之厚度t相關之上述範圍。蒸鍍罩20之製造方法具備加工金屬板64之步驟以減少金屬板64之厚度之情形時，經加工而厚度減少之狀態之金屬板64中亦可滿足金屬板64之厚度t相關之上述範圍。為減少金屬板64之厚度而加工
金屬板64之步驟包含例如遍及全域蝕刻金屬板64之第1面64a或第2面64b中之至少與蒸鍍罩20之有效區域22對應之部分的步驟。以下，亦將遍及全域蝕刻金屬板64中至少與有效區域22對應之部分稱為薄化(Sliming)。
藉由蝕刻薄化金屬板64之情形時，若金屬板64之厚度之減少量較大，則薄化後之金屬板64之厚度容易產生不均。考慮到該點，於實施金屬板64之薄化之情形時，亦較佳使捲繞體狀態之金屬板64之厚度t於某種程度上較小。例如，金屬板64之厚度t可為50μm以下，亦可為45μm以下，或可為40μm以下，或可為35μm以下。本段落之上限之後補值可與上述複數個下限之後補值或上述複數個上限之後補值組合。
圖5中，通過構成貫通孔25之貫通部42之連接部41、與第2凹部35之壁面36以外之任意位置的直線M1相對於蒸鍍罩20之法線方向N所成之最小角度以符號θ1表示。為了使傾斜移動之蒸鍍材料98不到達壁面36而儘可能到達有機EL基板92，擴大角度θ1較為有利。除了擴大角度θ1且減小蒸鍍罩20之厚度t之外，減小上述之頂部43之寬度β亦有效。
圖5中，符號α表示金屬板64之第1面64a之有效區域22中未被蝕刻而殘存之部分(以下亦稱為肋部)之寬度。肋部之寬度α及貫通部42之尺寸r根據有機EL顯示裝置之尺寸及顯示像素數量而適當決定。例如，肋部之寬度α為5μm以上且40μm以下，貫通部42之尺寸r為10μm以上且60μm以下。
肋部之寬度α可為例如5μm以上，亦可為10μm以上，或可為15μm以上，或可為20μm以上。肋部之寬度α可為例如45μm以下，亦可為50μm以下，或可為55μm以下，或可為60μm以下。肋部之寬度α之範圍可由包含5μm、10μm、15μm及20μm之第1組群、及/或包含45μm、50μm、55μm及60μm之第2組群決定。肋部之寬度α之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意1個、與上述第2組群所含之值中之任意1個之組合決定。肋部之寬度α之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合決定。肋部之寬度α之範圍可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為5μm以上且60μm以下，亦可為5μm以上且55μm以下，或可為5μm以上且50μm以下，或可為5μm以上且45μm以下，或可為5μm以上且20μm以下，或可為5μm以上且15μm以下，或可為5μm以上且10μm以下，或可為10μm以上且60μm以下，或可為10μm以上且55μm以下，或可為10μm以上且50μm以下，或可為10μm以上且45μm以下，或可為10μm以上且20μm以下，或可為10μm以上且15μm以下，或可為15μm以上且60μm以下，或可為15μm以上且55μm以下，或可為15μm以上且50μm以下，或可為15μm以上且45μm以下，或可為15μm以上且20μm以下，或可為20μm以上且60μm以下，或可為20μm以上且55μm以下，或可為20μm以上且50μm以下，或可為20μm以上且45μm以下，或可為45μm以上且60μm以下，或可為45μm以上且55μm以下，或可為45μm以上且50μm以下，或可為50μm以上且60μm以下，或可為50μm以上且55μm以下，或可為55μm以上且60μm以下。
貫通部42之尺寸r可為例如可為10μm以上，亦可為15μm以上，或
可為20μm以上，或可為25μm以上。貫通部42之尺寸r可為例如40μm以下，亦可為45μm以下，或可為50μm以下，或可為55μm以下。貫通部42之尺寸r之範圍可由包含10μm、15μm、20μm及25μm之第1組群、及/或包含40μm、45μm、50μm及55μm之第2組群決定。貫通部42之尺寸r之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意1個、與上述第2組群所含之值中之任意1個之組合決定。貫通部42之尺寸r之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合決定。貫通部42之尺寸r之範圍可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為10μm以上且55μm以下，亦可為10μm以上且50μm以下，或可為10μm以上且45μm以下，或可為10μm以上且40μm以下，或可為10μm以上且25μm以下，或可為10μm以上且20μm以下，或可為10μm以上且15μm以下，或可為15μm以上且55μm以下，或可為15μm以上且50μm以下，或可為15μm以上且45μm以下，或可為15μm以上且40μm以下，或可為15μm以上且25μm以下，或可為15μm以上且20μm以下，或可為20μm以上且55μm以下，或可為20μm以上且50μm以下，或可為20μm以上且45μm以下，或可為20μm以上且40μm以下，或可為20μm以上且25μm以下，或可為25μm以上且55μm以下，或可為25μm以上且50μm以下，或可為25μm以上且45μm以下，或可為25μm以上且40μm以下，或可為40μm以上且55μm以下，或可為40μm以上且50μm以下，或可為40μm以上且45μm以下，或可為45μm以上且55μm以下，或可為45μm以上且50μm以下，或可為50μm以上且55μm以下。
圖4及圖5中，顯示於相鄰之二個第2凹部35間殘存金屬板64之第2面
64b之例，但不限定於此。雖未圖示，但亦可以相鄰之二個第2凹部35連接之方式實施蝕刻。即，可於相鄰之二個第2凹部35間，存在金屬板64之第2面64b不殘存之場所。
本發明者等人反復研究，發現若蒸鍍罩20之像素密度提高，則有金屬板64所含之複數個粒子容易對蒸鍍罩20之貫通孔25之形狀精度造成不良影響之傾向。以下，就原因進行探究。另，上述現象之原因不限定於下文之探究，亦可採用其他探究。
首先，對金屬板64所含之複數個粒子進行說明。本案發明者等人進行潛心研究，發現製造蒸鍍罩20所用之包含鐵及鎳之鐵合金製之金屬板64中存在複數個粒子。金屬板64中之粒子產生之原因在於例如於製作金屬板64之母材之溶解步驟時為了去除雜質而添加之鋁、矽等添加物。粒子包含鐵及鎳以外之元素作為主成分。此種粒子有時亦被稱為夾雜物。「主成分」意指粒子所含之元素中具有最高之重量%之元素。粒子可由單一元素構成，亦可由包含複數個元素之化合物構成。「母材」意指輥軋前之鐵合金之形態。母材之例為稍後敘述之第1晶錠、第2晶錠、第3晶錠等。「金屬板」意指經過熱軋步驟或冷軋步驟後之鐵合金之形態。
金屬板64所含之粒子數量較多之情形、或金屬板64所含之粒子之尺寸較大之情形，如以下說明，有致使藉由蝕刻形成於金屬板64之貫通孔25之形狀偏離設計之情況。以下，一面對使用金屬板64製造蒸鍍罩20之步驟之一部分進行說明，一面對金屬板64中之粒子64d對蒸鍍罩20之製造
步驟造成之影響進行說明。
首先，就金屬板64中之粒子對蒸鍍罩20之貫通孔25之形狀精度造成之影響輕微至可忽略之程度之情形進行說明。圖6係顯示包含粒子64d之金屬板64之一例之剖視圖。金屬板64具備主相64c與主相64c中存在之複數個粒子64d。主相64c例如包含：複數個結晶粒，其包含含有鐵及鎳之鐵合金。構成主相64c之鐵合金除鐵及鎳外，亦可包含鈷等之其他元素。主相64c中之鎳及鐵之含有量之範圍可與構成蒸鍍罩20之金屬板之材料之上述範圍相同。
粒子64d為例如對硝酸具有難溶性之物體。粒子64d包含鐵及鎳以外之元素作為主成分。例如，粒子64d具有鋁、鎂、矽、磷、硫磺、鉻或鋯或包含該等元素之化合物。化合物為例如氧化物、硫化物、碳化物、氮化物、金屬間化合物等。粒子64d之形狀為任意，但為例如粒狀。
如圖6所示，粒子64d可位於主相64c之內部，亦可位於主相64c之表面。「位於主相64c之表面」意指於金屬板64之第1面64a或第2面64b，粒子64d至少部分露出。
粒子64d位於主相64c之內部之情形時，粒子64d可位於主相64c之表面層，亦可位於主相64c之主體層。表面層意指厚度方向中與金屬板64之第1面64a或第2面64b之距離為5μm以內之部分。主體層意指厚度方向中與金屬板64之第1面64a或第2面64b之距離超過5μm之部分。
複數個粒子64d可均勻地分佈於主相64c之表面層及主體層之兩者。複數個粒子64d可較主相64c之主體層，更多地分佈於表面層。複數個粒子64d可較主相64c之表面層，更多地分佈於主體層。
於蒸鍍罩20之製造步驟中，如圖7所示，於金屬板64之第1面64a上，形成包含第1抗蝕劑膜65a之第1抗蝕劑圖案65c，於金屬板64之第2面64b上，形成包含第2抗蝕劑膜65b之第2抗蝕劑圖案65d。以下，對形成抗蝕劑圖案65c、65d之步驟進行說明。
首先，於金屬板64之第1面64a上及第2面64b上形成包含負型之感光性抗蝕劑材料之抗蝕劑膜65a、65b。例如，於金屬板64之第1面64a及第2面64b上，塗佈包含酪蛋白等之感光性抗蝕劑材料之塗佈液。其後，藉由使塗佈液乾燥而形成抗蝕劑膜65a、65b。或，亦可藉由於金屬板64之第1面64a上及第2面64b上貼附乾膜而形成抗蝕劑膜65a、65b。乾膜包含例如丙烯酸系光硬化性樹脂。
接著，準備不使光透過抗蝕劑膜65a、65b中之欲去除之區域之曝光罩，將曝光罩分別配置於65a、65b上。此時，可實施調整第1面64a側之曝光罩與第2面64b側之曝光罩間之相對位置關係的對準步驟。作為曝光罩，使用例如不使光透過抗蝕劑膜65a、65b中之欲去除之區域之玻璃乾板。其後，藉由真空密接使曝光罩充分密接於抗蝕劑膜65a、65b。
作為感光性抗蝕劑材料，亦可使用正型者。該情形時，作為曝光
罩，使用使光透過抗蝕劑膜中之欲去除之區域之曝光罩。
其後，可實施越過曝光罩將抗蝕劑膜65a、65b曝光之曝光步驟。再者，實施為了使像形成於經曝光之抗蝕劑膜65a、65b，而將抗蝕劑膜65a、65b顯影之顯影步驟。如上所述，如圖7所示，可於金屬板64之第1面64a上形成包含第1抗蝕劑膜65a之第1抗蝕劑圖案65c，於金屬板64之第2面64b上形成包含第2抗蝕劑膜65b之第2抗蝕劑圖案65d。亦可於顯影步驟後實施加熱抗蝕劑膜65a、65b之抗蝕劑熱處理步驟。藉此，可提高抗蝕劑膜65a、65b之硬度，或提高抗蝕劑膜65a、65b對金屬板64之密接性。抗蝕劑熱處理步驟可於例如25℃以上且400℃以下實施。除了將抗蝕劑膜65a、65b顯影之顯影步驟後之熱處理步驟外、或代替顯影步驟後之熱處理步驟，亦可於將抗蝕劑膜65a、65b顯影之顯影步驟前實施加熱抗蝕劑膜65a、65b之抗蝕劑熱處理步驟。
於金屬板64之表面，粒子64d露出之情形時，抗蝕劑膜65a、65b除主相64c之表面外，亦接觸於粒子64d。因此，與抗蝕劑膜65a、65b僅接觸於主相64c之表面之情形相比，可增加抗蝕劑膜65a、65b與金屬板64間之接觸面積。這有助於提高抗蝕劑膜65a、65b與金屬板64間之密接力。粒子64d對抗蝕劑膜65a、65b之錨定效應亦有助於提高抗蝕劑膜65a、65b與金屬板64間之密接力。
接著，如圖8所示，實施使用第1蝕刻液E1蝕刻金屬板64之第1面64a中未被第1抗蝕劑膜65a覆蓋之區域的第1面蝕刻步驟。例如，自配置於與
金屬板64之第1面64a相向之側之噴嘴朝金屬板64之第1面64a噴射第1蝕刻液E1。其結果，如圖8所示，第1蝕刻液E1之侵蝕於金屬板64中未被第1抗蝕劑膜65a覆蓋之區域進行。藉由蝕刻金屬板64之第1面64a中未被第1抗蝕劑膜65a覆蓋之區域，而於金屬板64之第1面64a形成多個第1凹部30。作為第1蝕刻液E1，可使用例如氯化鐵溶液及含鹽酸者。
其後，如圖9所示，藉由對後續之第2面蝕刻步驟中使用之第2蝕刻液具有耐性之樹脂69，被覆第1凹部30。例如，藉由對第2蝕刻液具有耐性之樹脂69，密封第1凹部30。如圖9所示，樹脂69之膜除第1凹部30外，亦可覆蓋第1面64a或第1抗蝕劑圖案65c。
接著，如圖10所示，實施藉由蝕刻金屬板64之第2面64b中未被第2抗蝕劑膜65b覆蓋之區域而於第2面64b形成第2凹部35的第2面蝕刻步驟。例如，自配置於與金屬板64之第2面64b相向之側之噴嘴朝金屬板64之第2面64b噴射第2蝕刻液E2。其結果，如圖10所示，第2蝕刻液E2之侵蝕於金屬板64中未被第2抗蝕劑膜65b覆蓋之區域進行。藉由蝕刻金屬板64之第2面64b中未被第2抗蝕劑膜65b覆蓋之區域，而於金屬板64之第2面64b形成多個第2凹部35。第2面蝕刻步驟實施至第1凹部30與第2凹部35彼此相通，且藉此形成貫通孔25為止。作為第2蝕刻液E2，可使用例如氯化鐵溶液及含鹽酸者。
接著，如圖11所示，將樹脂69自金屬板64去除。樹脂69例如可藉由使用鹼系剝離液而去除。使用鹼系剝離液之情形時，如圖11所示，亦可與
樹脂69同時去除抗蝕劑膜65a、65b。亦可於去除樹脂69後，使用與用以剝離樹脂69之剝離液不同之剝離液，與樹脂69分開地去除抗蝕劑膜65a、65b。
如此，可於金屬板64形成複數個貫通孔25。於以下之說明中，亦將未受金屬板64中之粒子64d之影響而形成之貫通孔25稱為標準貫通孔，並以符號25A顯示。
接著，對因自金屬板64中之粒子64d受到之影響，而使貫通孔25之尺寸與標準貫通孔25A相比減小之情形進行說明。於以下之蒸鍍罩20之製造步驟中，對於與上述圖6至圖11所示之形態同樣構成或實施之部分，有時省略重複之說明。
圖12係顯示包含複數個粒子64d之金屬板64之一例之剖視圖。圖12所示之金屬板64除了相對較小之粒子，例如具有未達3μm之圓相當直徑之粒子外，進而包含具有3μm以上之圓相當直徑之粒子。於以下之說明中，有時亦將粒子64d中具有3μm以上之圓相當直徑者特別以符號64e顯示。圖12所示之例中，粒子64e存在於金屬板64之主體層。粒子64e亦可存在於金屬板64之表面層。
於金屬板64之第1面64a及第2面64b形成抗蝕劑膜65a、65b後，如圖13所示，實施使用第1蝕刻液E1蝕刻金屬板64之第1面64a中之未被第1抗蝕劑膜65a覆蓋之區域的第1面蝕刻步驟。其結果，如圖13所示，第1蝕刻
液E1之侵蝕於金屬板64中之未被第1抗蝕劑膜65a覆蓋之區域進行。圖14係顯示第1蝕刻液E1之侵蝕進一步進行之狀態之圖。
於第1面蝕刻步驟中，若蝕刻進行至粒子64e存在之場所為止，則如圖13所示，粒子64e於第1凹部30之壁面露出。若自圖13所示之狀態進行蝕刻，則於壁面露出之粒子64e有時會自金屬板64脫落。該情形時，於第1凹部30之壁面中存在粒子64e之場所形成凹窪部。凹窪部中，與其他部分相比，於金屬板64之厚度方向上，蝕刻進行至更深處。其結果，如圖14右側所示，可考慮藉由來自金屬板64之第1面64a側之蝕刻形成之第1凹部30到達第2面64b之情況。或，如圖14左側所示，可考慮藉由來自金屬板64之第1面64a側之蝕刻形成之第1凹部30未到達第2面64b但到達接近第2面64b之位置之情況。
其後，如圖15所示，藉由對後續之第2面蝕刻步驟中使用之第2蝕刻液具有耐性之樹脂69，被覆第1凹部30。
如上述之圖14右側所示，第1凹部30到達第2面64b之情形時，如圖15右側所示，可考慮樹脂69貫通金屬板64到達第2面64b側之情況。該情形時，如圖15右側所示，於第2面64b上，可能發生於第2抗蝕劑膜65b間之間隙形成樹脂69之層之現象，即第2面64b之一部分由樹脂69之層覆蓋之現象。
接著，如圖16所示，實施藉由蝕刻金屬板64之第2面64b中未被第2抗
蝕劑膜65b覆蓋之區域而於第2面64b形成第2凹部35的第2面蝕刻步驟。其結果，如圖16所示，第2蝕刻液E2之侵蝕於金屬板64中未被第2抗蝕劑膜65b覆蓋之區域進行。
如圖16之右側所示，於第2抗蝕劑膜65b間之間隙形成有樹脂69之層之情形時，第2面64b之蝕刻受樹脂69之層阻礙。因此，如圖16之右側所示，可能於第2面64b中產生雖未被第2抗蝕劑膜65b覆蓋但完全未被蝕刻之部分。或者，可能因樹脂69之層阻礙第2面64b之蝕刻，而使第2凹部35之尺寸與標準貫通孔25A之情形相比減小。
如圖15左側及圖16左側所示，即便於樹脂69未貫通金屬板64到達第2面64b側之情形時，於第1凹部30之凹窪部額外設置樹脂69之情形時，有時亦會由樹脂69阻礙第2蝕刻液E2之流動。該情形時，第1凹部30與第2凹部35連接之連接部41之位置與標準貫通孔25A之情形相比，可能位於第2面64b側。
接著，如圖17所示，自金屬板64去除樹脂69及抗蝕劑膜65a、65b。如此，可於金屬板64形成複數個貫通孔25。於以下之說明中，將受金屬板64中之粒子之影響引起之具有與標準貫通孔25A相比較小之尺寸之貫通孔25稱為縮小貫通孔，並以符號25B或符號25C顯示。
圖17之右側之例中，縮小貫通孔25B之開口面積為最小之貫通部42藉由第1面蝕刻步驟到達第2面64b而形成於第2面64b之第1凹部30之輪廓
構成。因此，縮小貫通孔25B之貫通部42之尺寸SB與標準貫通孔25A之貫通部42之尺寸SA相比顯著減小。
圖17之左側之例中，縮小貫通孔25C之開口面積為最小之貫通部42由連接第1凹部30與第2凹部35之連接部41構成。圖17之左側所示之縮小貫通孔25C之連接部41之位置與標準貫通孔25A之情形相比，位於第2面64b側。因此，縮小貫通孔25C之貫通部42之尺寸SC與標準貫通孔25A之貫通部42之尺寸SA相比減小。
接著，對因受金屬板64中之粒子之影響，而使貫通孔25之尺寸與標準貫通孔25A相比增大之情形進行說明。於以下之蒸鍍罩20之製造步驟之說明中，對於與上述圖6至圖11所示之形態同樣構成或實施之部分，有時省略重複之說明。
圖18係顯示包含複數個粒子之金屬板64之一例之剖視圖。圖18所示之金屬板64包含與圖6所示之金屬板64相比更多之粒子64d。圖18所示之例中，複數個粒子64d之一部分相互接近而存在。
於金屬板64之第1面64a及第2面64b形成抗蝕劑膜65a、65b後，如圖19所示，實施使用第1蝕刻液E1蝕刻金屬板64之第1面64a中之未被第1抗蝕劑膜65a覆蓋之區域的第1面蝕刻步驟。其結果，如圖19所示，第1蝕刻液E1之侵蝕於金屬板64中之未被第1抗蝕劑膜65a覆蓋之區域進行。圖20係顯示第1蝕刻液E1之侵蝕進一步進行之狀態之圖。於圖20右側所示之例
中，於壁面露出之粒子64d自金屬板64脫落而於第1凹部30之壁面形成凹窪部。
其後，如圖21所示，藉由對後續之第2面蝕刻步驟中使用之第2蝕刻液具有耐性之樹脂69，被覆第1凹部30。
接著，如圖22所示，實施藉由蝕刻金屬板64之第2面64b中之未被第2抗蝕劑膜65b覆蓋之區域而於第2面64b形成第2凹部35的第2面蝕刻步驟。其結果，如圖22所示，第2蝕刻液E2之侵蝕於金屬板64中之未被第2抗蝕劑膜65b覆蓋之區域進行。圖23係顯示第2蝕刻液E2之侵蝕進一步進行之狀態之圖。於圖23左側所示之例中，於壁面露出之複數個粒子64d自金屬板64脫落。其結果，於第2凹部35之壁面形成有對應於粒子64d之凹窪。
接著，如圖24所示，自金屬板64去除樹脂69及抗蝕劑膜65a、65b。如此，可於金屬板64形成複數個貫通孔25。於以下之說明中，將受金屬板64中之粒子之影響引起之具有與標準貫通孔25A相比較大之尺寸之貫通孔25稱為放大貫通孔，並以符號25D或25E顯示。
於圖24右側之例中，放大貫通孔25D之開口面積為最小之貫通部42之一部分由形成於第1凹部30之凹窪部之輪廓而非連接第1凹部30與第2凹部35之連接部41構成。因此，放大貫通孔25D之貫通部42之尺寸SD與標準貫通孔25A之貫通部42之尺寸SA相比增大。
於圖24左側之例中，第2蝕刻液E2之侵蝕於第2凹部35中形成有凹窪部之部分，進行至更深處。因此，連接第1凹部30與第2凹部35之連接部41之一部分與標準貫通孔25A之情形相比，位於更靠第1面64a側。其結果，放大貫通孔25E之貫通部42之尺寸SE與標準貫通孔25A之貫通部42之尺寸SA相比增大。於圖24左側之例中，因相互接近定位之複數個粒子64d脫落形成之凹窪部對貫通孔25之貫通部42造成影響。因此，放大貫通孔25E之貫通部42之尺寸SE與放大貫通孔25D之貫通部42之尺寸SD相比可能增大。
圖25係顯示自第1面64a側觀察上述複數個類型之貫通孔25A~25E之情形之俯視圖。縮小貫通孔25B、25C之尺寸SB、SC與標準貫通孔25A之尺寸SA相比較小。縮小貫通孔25B之尺寸SB與縮小貫通孔25C之尺寸SC相比較小。放大貫通孔25D、25E之尺寸SD、SE與標準貫通孔25A之尺寸SA相比較大。放大貫通孔25E之尺寸SE與放大貫通孔25D之尺寸SD相比較大。
接著，對因受金屬板64中之粒子之影響，而未於金屬板64形成貫通孔25之情形進行說明。於以下之蒸鍍罩20之製造步驟之說明中，對於與上述圖6至圖11所示之形態同樣構成或實施之部分，有時省略重複之說明。
圖48係顯示包含複數個粒子64d之金屬板64之一例之剖視圖。圖48所示之金屬板64包含具有5μm以上之圓相當直徑之粒子。於以下之說明
中，有時亦將具有5μm以上之圓相當直徑之粒子64d以符號64f顯示。於圖49所示之例中，粒子64f存在於金屬板64之主體層。粒子64f亦可存在於金屬板64之表面層。
如圖49所示，使用第1蝕刻液E1蝕刻未被第1抗蝕劑膜65a覆蓋之第1面64a之區域。第1蝕刻液E1之侵蝕於未被第1抗蝕劑膜65a覆蓋之區域進行。藉此，於第1面64a形成第1凹部30。圖50係顯示第1蝕刻液E1之侵蝕進一步進行之狀態之圖。
圖50左側所示之例中，粒子64f位於第1面64a附近。該情形時，有因粒子64f阻礙第1蝕刻液E1之流動的可能性。因此，如圖50所示，有與標準貫通孔25A之情形相比，第1凹部30較小之可能性。
其後，如圖51所示，使用樹脂69被覆第1凹部30。可使樹脂69接觸於粒子64f。該情形時，於樹脂69之表面形成與粒子64f對應之凹窪。
接著，如圖52所示，使用第2蝕刻液E2蝕刻未被第2抗蝕劑膜65b覆蓋之第2面64b之區域。第2蝕刻液E2之侵蝕於未被第2抗蝕劑膜65b覆蓋之區域進行。藉此，於第2面64b形成第2凹部35。
於圖52之左側所示之例中，有因第1凹部30較小，故第2面64b之蝕刻未到達第1凹部30之可能性。即，有第2凹部35未連接於第1凹部30之可能性。
圖52之右側所示之例中，粒子64f自金屬板64及樹脂69脫落。粒子64f脫落後，有促進第2蝕刻液E2之流動之可能性。因此，於圖52之右側之例中，有與標準貫通孔25A之情形相比，第2凹部35較大之可能性。該情形時，有連接部41之位置與標準貫通孔25A之情形相比，更靠第1面64a側之可能性。
接著，如圖53所示，自金屬板64去除樹脂69及抗蝕劑膜65a、65b。於圖52左側所示之例中，由於第2凹部35未連接於第1凹部30，故不存在貫通孔25。於以下之說明中，亦將第1凹部30與第2凹部35未連接之部分稱為非貫通部分。
於圖53之右側所示之例中，貫通部42由連接部41構成。連接部41之位置與標準貫通孔25A之情形相比，位於第1面64a側。因此，貫通孔25F之尺寸SF與標準貫通孔25A之尺寸SA相比較大。即，圖53之右側所示之例中之貫通孔25F為放大貫通孔。
如上所述，金屬板64包含具有5μm以上之圓相當直徑之粒子之情形時，有產生非貫通部分或放大貫通孔之可能性。雖未圖示，但亦有與圖17之右側之例同樣，產生縮小貫通孔之可能性。
具有5μm以上之圓相當直徑之粒子有成為各種不良之原因之可能性。因此，具有5μm以上之圓相當直徑之1個粒子引起蒸鍍罩之不良品之概率高於具有3μm以上之圓相當直徑之1個粒子引起蒸鍍罩之不良品之概
率。
金屬板64所含之粒子64d、64e、64f有對蒸鍍罩20之貫通孔25之形狀精度造成不良影響之可能性。貫通孔25之尺寸精度之降低有於金屬板64之厚度較小之情形時尤為顯著之可能性。這是因為粒子64d、64e、64f之尺寸相對於金屬板64之厚度之比例較大。
為解決此種問題，本實施形態中，提出使用滿足以下之條件(1)、(2)者作為金屬板64。樣本自金屬板64取出。
(1)樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數為50個以上且3000個以下。
(2)樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之粒子數為50個以下。
如上述之圖18~圖24所示，若金屬板64所含之粒子64d之數量增加，則容易於第1凹部30之壁面及/或第2凹部35之壁面形成因粒子64d之脫落引起之凹窪部。其結果，貫通孔25之尺寸容易偏離設計值。例如，容易形成具有大於標準貫通孔25A之尺寸之放大貫通孔25D、25E。相對於此，如上述條件(1)所示，藉由將樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數之上限決定為3000個，如由稍後敘述之實施例所支持，可抑制貫通孔25之尺寸偏離設計值。尤其，可抑制貫通孔25之尺寸大於設計值。
另一方面，於金屬板64之表面露出之粒子如上所述，可有助於提高抗蝕劑膜65a、65b與金屬板64間之密接力。因此，如上述條件(1)所示，藉由將樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數之下限決定為50個，可抑制於蝕刻步驟等之蒸鍍罩20之製造步驟之期間，抗蝕劑圖案65c、65d之抗蝕劑膜65a、65b自金屬板64剝離。
顯示裝置之像素密度越高，蒸鍍罩20之貫通孔25之排列週期越短，抗蝕劑圖案65c、65d之抗蝕劑膜65a、65b之寬度等之尺寸減小。另一方面，抗蝕劑膜65a、65b之寬度等之尺寸較小，因此，抗蝕劑膜65a、65b之面積越小，於蒸鍍罩20之製造步驟之期間，抗蝕劑膜65a、65b容易自金屬板64剝離。根據本實施形態，由於可提高抗蝕劑膜65a、65b與金屬板64間之密接力，故易於採用尺寸較小之抗蝕劑膜65a、65b。因此，容易縮短蒸鍍罩20之貫通孔25之排列週期，可製作具有高像素密度之顯示裝置。
如上述圖12~圖17所示，若金屬板64所含之粒子64e之尺寸增大，則可考慮藉由第1面蝕刻步驟形成於第1面64a之第1凹部30到達第2面64b、或設置於第1凹部30之樹脂69到達第2面64b之附近。該情形時，自第2面64b側實施之第2面蝕刻步驟可能受樹脂69阻礙。藉此，例如，容易形成具有小於標準貫通孔25A之尺寸之縮小貫通孔25B、25C。相對於此，如上述條件(2)所示，藉由將樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之粒子數之上限決定為50個，如由稍後敘述之實施例所支持，可抑制貫通孔25之尺寸偏離設計值。尤其，可抑制貫通孔25之尺寸小於
設計值。
如上所述，因粒子64d、64e引起之不良影響係金屬板64之厚度越薄越容易出現。此處，藉由使用本揭示之實施形態，如實施例所支持，於使用具有30μm以下或20μm以下之厚度之相對較薄之金屬板64之情形時，亦可製作具備具有期望之尺寸精度之貫通孔25之蒸鍍罩20。
作為金屬板64，亦可使用滿足以下之條件(3)者。
(3)樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數為1000個以下。
藉由使金屬板64滿足條件(3)，可抑制金屬板64中複數個粒子64d相互接近而存在。藉此，可抑制於1個第1凹部30之壁面或1個第2凹部35之壁面中複數個粒子64d脫落。藉此，可抑制於第1凹部30之壁面或第2凹部35之壁面形成更大體積之凹窪部，例如，相當於複數個粒子64d之體積之凹窪部。因此，可抑制貫通孔25之尺寸偏離設計值。尤其可抑制貫通孔25之尺寸大於設計值。
於條件(1)及(3)中，已對樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數之上限值之例及下限值之例進行說明，但亦可採用其他之上限值或下限值。樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數可為例如50以上，亦可為100以上，或可為200以上，或可為300以上。樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數可為例如3000以下，亦可為2000以下，或可為1000以下，或
可為500以下。
樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數可為例如50個以上，亦可為100個以上，或可為200個以上，或可為300個以上。樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數可為例如500個以下，亦可為1000個以下，或可為2000個以下，或可為3000個以下。樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數之範圍可由包含50個、100個、200個及300個之第1組群、及/或包含500個、1000個、2000個及3000個之第2組群決定。樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意1個、與上述第2組群所含之值中之任意1個之組合決定。樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合決定。樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數之範圍可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為50個以上且3000個以下，亦可為50個以上且2000個以下，或可為50個以上且1000個以下，或可為50個以上且500個以下，或可為50個以上且300個以下，或可為50個以上且200個以下，或可為50個以上且100個以下，或可為100個以上且3000個以下，或可為100個以上且2000個以下，或可為100個以上且1000個以下，或可為100個以上且500個以下，或可為100個以上且300個以下，或可為100個以上且200個以下，或可為200個以上且3000個以下，或可為200個以上且2000個以下，或為200個以上且1000個以下，或可為200個以上且500個以下，或可為200個以上且300個以下，或可為300個以上
且3000個以下，或可為300個以上且2000個以下，或可為300個以上且1000個以下，或可為300個以上且500個以下，或可為500個以上且3000個以下，或可為500個以上且2000個以下，或可為500個以上且1000個以下，或可為1000個以上且3000個以下，或可為1000個以上且2000個以下，或可為2000個以上且3000個以下。
作為金屬板64，亦可使用滿足以下之條件(4)者。
(4)樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之粒子數為20個以下。
藉由使金屬板64滿足條件(4)，可進一步抑制藉由第1面蝕刻步驟形成於第1面64a之第1凹部30到達第2面64b、或設置於第1凹部30之樹脂69到達第2面64b附近。藉此，可抑制自第2面64b側實施之第2面蝕刻步驟受樹脂69阻礙。藉此，可進一步抑制形成縮小貫通孔25B、25C。
於條件(2)及(4)中，已對樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之粒子數之上限值之例進行說明，但亦可採用其他之上限值。樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之粒子數可為例如50個以下，亦可為40個以下，或可為30個以下，或可為20個以下，或可為15個以下，或可為10個以下，或可為5個以下。
作為金屬板64，亦可使用滿足以下之條件(5)者。
(5)樣本之每1mm3之體積所含之具有5μm以上之圓相當直徑之粒子數為20個以下。
藉由使金屬板64滿足條件(5)，可抑制例如蝕刻液之流動受粒子阻礙。藉此，可抑制產生非貫通部分。
樣本之每1mm3之體積所含之具有5μm以上之圓相當直徑之粒子數可為例如15個以下，亦可為10個以下，或可為5個以下，或可為2個以下。例如，作為金屬板64，可使用滿足以下之條件(6)者。
(6)樣本之每1mm3之體積所含之具有5μm以上之圓相當直徑之粒子數為2個以下。
作為金屬板64，可使用滿足以下之條件(7)者。
(7)樣本之每1mm3之體積所含之具有10μm以上之圓相當直徑之粒子數為零。
具有10μm以上之圓相當直徑之1個粒子引起蒸鍍罩之不良品之概率高於具有5μm以上之圓相當直徑之1個粒子引起蒸鍍罩之不良品之概率。藉由使金屬板64滿足條件(7)，可減少產生不良品之概率。
上述條件(1)~(7)可表示加工成蒸鍍罩後之狀態之金屬板64之構成。或，上述條件(1)~(7)亦可表示加工成蒸鍍罩前之狀態之金屬板64之構成。金屬板64包含可取出滿足上述條件(1)~(7)中之1個或2個以上之樣本之取樣部分。取樣部分包含金屬板64之第1面64a及第2面64b。即，取樣部分自第1面64a沿金屬板64之厚度方向擴展至第2面64b。
本實施形態中，將抑制金屬板64之主體層中存在之粒子對蒸鍍罩20
之貫通孔25之形狀精度造成不良影響作為應解決之問題之一。為解決此種問題，謀求適當地測定包含主體層之金屬板64之厚度方向全域存在之粒子數及尺寸。以下，對測定金屬板64中存在之粒子之方法進行說明。
首先，實施自母材或金屬板64取出具有特定體積之樣本之第1取樣步驟。例如圖26所示，將自捲繞體捲出之金屬板64沿金屬板64之厚度方向切斷，獲得俯視時具有正方形狀之樣本81。正方形狀之樣本81之一邊之長度K1為例如60mm。樣本81包含金屬板64之第1面64a及第2面64b。因此，樣本81包含金屬板64之上述表面層及主體層。作為用以自金屬板64切出樣本81之器具，亦可使用例如剪刀。
接著，實施自樣本81切出樣本片81a之第2取樣步驟。例如圖27所示，藉由沖壓樣本81，獲得複數個之例如3個樣本片81a。樣本片81a例如於俯視時具有直徑K2之圓形狀。直徑K2為例如20mm。樣本片81a包含金屬板64之第1面64a及第2面64b。因此，樣本片81a包含金屬板64之上述表面層及主體層。作為用以自樣本81再現性良好且精度良好地切出樣本片81a之器具，亦可使用例如沖孔裝置。
接著，實施清洗樣本片81a之樣本清洗步驟。藉此，可去除因第1取樣步驟或第2取樣步驟而附著於樣本片81a之異物。作為清洗方法，可採用於使樣本片81a浸漬於純水之狀態下對純水賦予超音波之超音波清洗。
接著，實施自樣本81提取粒子之粒子提取步驟。例如，首先實施使
自樣本81取出之樣本片81a溶解於水溶液之樣本溶解步驟。例如圖28所示，於收納有100ml之水溶液83之容器82中投入3個樣本片81a，使樣本片81a溶解於水溶液83。作為水溶液83，使用鐵合金易溶解但粒子難以溶解之溶液。例如，作為水溶液83，使用包含硝酸之水溶液100ml。藉此，可將樣本所含之對硝酸具有難溶性之粒子自鐵合金分離。水溶液83之溫度為例如50℃。水溶液83藉由例如將以60重量%之濃度包含硝酸之原液、與具有與原液相同體積之純水混合而製作。
樣本溶解步驟之時間為例如30分鐘。最初之15分鐘可一面用手等搖晃水溶液83一面實施，接下來之15分鐘於靜置水溶液83之狀態下實施。樣本溶解步驟可實施30分鐘以上。
接著，實施使用吸引過濾裝置自溶解有樣本片81a之水溶液83取出粒子之過濾步驟。吸引過濾裝置具有濾紙、及將濾紙下游側之空間減壓之減壓部。濾紙由具有耐酸性之材料構成，例如由鐵氟龍構成。濾紙構成為至少不使1μm以上之粒子通過。例如，濾紙之粗度即孔徑為0.45μm。因此，如圖29所示，至少具有1μm以上之尺寸之粒子64d、64e保留於濾紙84上。
於過濾步驟中，首先，將溶解有樣本片81a之水溶液83經由載置於濾紙84上之筒狀構件自容器82注入至濾紙84上。接著，實施3次沖洗容器82之沖洗步驟。於沖洗步驟中，首先，於空的容器82中倒入100ml之純水，接著，自容器82將純水經由筒狀構件注入至濾紙84上。其後，使用泵等
之減壓部，將濾紙下游側之空間減壓。
接著，實施使濾紙84上之粒子64d、64e乾燥之粒子乾燥步驟。具體而言，將上述筒狀構件自濾紙84拆除後，以由包裝薄膜自上方覆蓋濾紙84之狀態，使用泵等之減壓部持續將濾紙下側之空間減壓。於濾紙84之上方，以不與濾紙84接觸之方式配置包裝薄膜等之覆蓋物，藉此，可抑制於使濾紙84上之粒子64d、64e乾燥之期間，環境氛圍中之異物附著於濾紙84。粒子乾燥步驟之時間無特別限定，但為例如4小時以上且6小時以下。
接著，實施用於以掃描型電子顯微鏡(以下亦稱為SEM(Scanning Electron Microscope))觀察濾紙84上之粒子64d、64e之準備步驟。首先，以碳帶等將濾紙84之周圍部分固定於台座。接著，為確保SEM觀察時之導電性，藉由濺鍍而於濾紙84上形成鉑膜。濺鍍時間為例如10秒。接著，根據需要將夾具安裝於台座後，將台座安裝於SEM。
接著，實施使用SEM觀察濾紙84上之粒子64d之觀察步驟。於觀察步驟中，首先，實施調整SEM之觀察條件之觀察條件調整步驟。實施調整用以自藉由SEM獲得之圖像識別粒子64d之識別條件之識別條件調整步驟。實施設定濾紙84之觀察範圍之觀察範圍設定步驟。
作為SEM，可使用日本電子製之JSM7800FPRIME。SEM之設定等如下所示。
檢測器：反射電子檢測器LVBED-C
觀察倍率：1000倍
加速電壓：15kV
工作距離：10mm
照射電流：15
關於觀察條件調整步驟，參照圖30及圖31進行說明。於觀察條件調整步驟中，為了使粒子64d比濾紙84之纖維更顯眼，而調整SEM之對比度及/或亮度。圖30係以調整SEM之對比度及/或亮度前之狀態獲得之SEM圖像之一例。圖31係以調整SEM之對比度及/或亮度後之狀態獲得之SEM圖像之一例。於觀察條件調整步驟中，一面確認SEM之圖像，一面將SEM之對比度調整為3000以上且4000以下之範圍內之適當值，且將SEM之亮度調整為200以上且400以下之範圍內之適當值。此時，將SEN之對比度及/或亮度調整為濾紙84之纖維之一部分亦被視認之程度。藉此，可抑制複數個粒子64d中之一部分自圖像消失。
參照圖32及圖33對識別條件調整步驟進行說明。作為自藉由SEM獲得之圖像識別粒子用之解析機構，可使用附帶於能量分散型X射線分光裝置(以下亦稱為EDX裝置)之粒子自動分析軟體Particle Phaze Analysis版本6.53。作為EDX裝置，可使用Ametec公司製EDX裝置Octane Elect。
於識別條件調整步驟中，使用粒子解析軟體，識別SEM圖像中之粒子64d。具體而言，首先，調整粒子自動分析軟體中之亮度之閾值。接
著，粒子自動分析軟體將圖像中具有閾值以上之亮度且具有0.8μm以上之最大尺寸之物體認定為粒子64d。
圖32係調整粒子自動分析軟體之亮度閾值前之狀態之圖像之一例。圖33係調整粒子自動分析軟體之亮度閾值後之狀態之圖像之一例。粒子自動分析軟體之亮度閾值可於0以上且255以下之範圍內調整。於識別條件調整步驟中，一面確認圖像一面將粒子自動分析軟體之亮度閾值調整為例如120。此時，將SEM對比度及/或亮度調整為濾紙84之纖維之一部分亦被視認之程度。藉此，可抑制複數個粒子64d中之一部分自圖像消失。
參照圖34對觀察範圍設定步驟進行說明。於圖34中，標註有符號85之框表示使用SEM以1次觀察可取得之圖像85之區域。於觀察範圍設定步驟中，如圖34所示，以取得第1觀察方向A1中排列之15個圖像85，且取得與第1觀察方向A1正交之第2觀察方向A2中排列之10個圖像85之方式設定觀察範圍86。由複數個圖像85構成之觀察範圍86如圖34所示，可包含濾紙84之中央部分，亦可不包含。圖34所示之例中，對1片濾紙84取得之圖像85之數量為150個。可對1片濾紙84以2處以上之觀察範圍86取得圖像85。例如，亦可於包含濾紙84之中央部分之觀察範圍86中，取得150個圖像85，於包含濾紙84之端部分之觀察範圍86中，取得150個圖像85。藉此，可確認於濾紙84之中央部分與濾紙84之端部分之間檢測出之粒子64d之數量是否有差。
粒子自動分析軟體之設定如下所示。
圖像之像素數：1024(第1觀察方向A1)×800(第2觀察方向A2)
時間常數：1.92μs
預設(每1個粒子之分析時間)：1秒
掃描模式：核心50%
圖像邊界之粒子之處理：辨識為粒子
濾紙84上之第1觀察方向A1之圖像85之尺寸K4為114μm，濾紙84上之第2觀察方向A2之圖像85之尺寸K5為89μm。
如圖34所示，於第1觀察方向A1中相鄰之2張圖像85間設置間隙。第1觀察方向A1中相鄰之2張圖像85間之間隙之尺寸K6為尺寸K4之1/10。同樣，於第2觀察方向A2中相鄰之2張圖像85間設置間隙。於第2觀察方向A2中相鄰之2張圖像85間之間隙之尺寸K7為尺寸K5之1/10。藉此，可抑制於複數張圖像85中重複檢測出1個粒子64d。
實施上述觀察條件調整步驟、識別條件調整步驟及觀察範圍設定步驟後，使用SEM觀察濾紙84上之觀察範圍86，藉此，可檢測位於觀察範圍86且具有0.8μm以上之最大尺寸的粒子64d。
接著，實施對檢測出之複數個粒子64d進行分析之分析步驟。具體而言，實施分析粒子64d之主成分之組成分析步驟。又，實施算出粒子64d之圓相當直徑之徑算出步驟。又，基於分析步驟之結果及組成分析步驟之結果，實施提取包含特定成分，且具有1μm以上之圓相當直徑之粒子64d的提取步驟。
參照圖35對組成分析步驟進行說明。於組成分析步驟中，如圖35所示，於粒子64d中之複數個分析點87，實施使用能量分散型X射線分光法(以下亦稱為EDX法)之組成分析。組成分析對檢測出之所有粒子64d實施。作為實施EDX法之EDX裝置，可使用上述Ametec公司製EDX裝置Octane Elect。可同時實施1個粒子64d中之複數個分析點87之組成分析。將上述掃描模式設定為「核心50%」之情形時，以跨及1個粒子64d之面積之50%分佈之方式決定複數個分析點87。將上述預設設定為「1秒」之情形時，1個粒子64d之組成分析所需之時間為1秒。複數個分析點87中之組成分析之資料之平均值可作為1個粒子64d中之組成資料而採用。藉由實施組成分析，可獲得構成粒子64d之主成分或其他成分相關之資訊。
參照圖35對徑算出步驟進行說明。圖35所示之粒子64d為具有上述閾值以上例如120以上之亮度之像素之集合體。於徑算出步驟中，首先，算出出現粒子64d之像素數Pn。接著，對像素數Pn乘以像素之面積Ps，藉此，算出俯視時粒子64d之面積Ds。
Ds=Pn×Ps
接著，假定粒子64d於俯視時具有正圓形狀，根據粒子64d之面積Ds算出粒子64d之直徑。如此算出之直徑為粒子64d之圓相當直徑Da1。
Da1=2×(Ds/π)0.5
對檢測出之所有粒子64d實施圓相當直徑之算出。
於徑算出步驟中，有時會將1個粒子64d誤辨識為2個以上之粒子
64d，而算出圓相當直徑Da1。較佳由人確認是否存在此種錯誤之資料。存在錯誤之資料之情形時，較佳對誤辨識之粒子64d，由人重新手動進行圓相當直徑Da1之算出及組成分析。例如，將作為2個以上之粒子64d分析出之組成分析結果中之複數個分析點87之所有成分相加，其後，以各成分之重量%之合計值為100之方式手動修正。
對提取步驟進行說明。於提取步驟中，首先，實施排除檢測出之粒子64d中碳及氟之含有量為80重量%以上之粒子64d之第1排除步驟。藉此，可抑制濾紙84引起之物體被認定為粒子64d之情況。「排除」意指自判定是否滿足上述條件(1)、(2)等條件時之對象除外。
接著，實施第2排除步驟，排除未被第1排除步驟排除之複數個粒子64d中鐵含有量為10重量%以上之粒子64d。接著，實施第3排除步驟，排除未被第1排除步驟及第2排除步驟排除之複數個粒子64d中鐵含有量大於鋁、鎂、矽、磷、硫磺、鉻和鋯之含有量之合計的粒子64d。接著，實施第4排除步驟，排除未被第1排除步驟、第2排除步驟及第3排除步驟排除之複數個粒子64d中具有未達1μm之圓相當直徑之粒子64d。其後，對未被排除而留下之粒子64d整理個數、圓相當直徑、成分等之資訊。
鐵含有量為10重量%以上之粒子64d存在100個以上之情形、或鐵含有量為10重量%以上之粒子64d之數量相對於全體粒子64d之數量的比例為50%以上之情形時，設想上述樣本溶解步驟中樣本未充分溶解之情況。該情形時，較佳自上述第1取樣步驟開始重新進行測定金屬板64中存在之粒
子的方法。
接著，基於提取步驟中獲得之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子64d之個數Z1相關之資訊，實施算出樣本81之每1mm3之體積所含之粒子64d之個數Z2的換算步驟。於換算步驟中，基於以下之式(1)算出樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子64d的個數Z2。
Z2=Z1×(濾紙84之有效面積/SEM之觀察範圍之面積)×(1/溶解體積)
濾紙84之有效面積=(R/2)2×π
SEM之觀察範圍之面積=圖像85之面積×圖像85之個數
溶解體積=(K2/2)2×π×金屬板64之厚度×樣本片81a之片數
R為過濾步驟中載置於濾紙84上之筒狀構件之直徑。R為15mm之情形時，濾紙84之有效面積為176.715mm2。
第1觀察方向A1中之圖像85之尺寸K4為114μm，第2觀察方向A2中之圖像85之尺寸K5為89μm，SEM之觀察範圍86中之圖像85之個數為150之情形時，SEM之觀察範圍之面積為1.5219mm2。
金屬板64之厚度為20μm，樣本片81a之直徑K2為20mm，樣本片81a之片數為3片之情形時，溶解體積為18.850mm3。
如此，對具有1μm以上之圓相當直徑之粒子64d，可獲得樣本81之每1mm3之體積所含之粒子64d之個數Z2、圓相當直徑、成分等資訊。
具有1μm以上之圓相當直徑之粒子64d俯視時可為圓形。「粒子64d
為圓形」意指粒子64d之縱橫比(aspect)為2.5以下。粒子64d之縱橫比藉由下述式算出。
縱橫比=π×(LP/2)2/Ds
LP為粒子64d之最長徑，亦稱為長軸徑(Longest Projection)。Ds係如上所述為粒子64d之面積。縱橫比、長軸徑LP及面積Ds皆藉由使用Ametec公司製之粒子自動分析軟體Particle Phaze Analysis版本6.53分析粒子64d而算出。
於以下之說明中，亦將具有2.5以下之縱橫比之粒子64d之數量相對於具有1μm以上之圓相當直徑之粒子64d之合計數量的比例稱為圓形比例。圓形比例可為例如70%以上，亦可為80%以上，或可為90%以上，或可為95%以上。
接著，對製造至少滿足上述條件(1)、(2)之金屬板64之方法進行說明。本實施形態中，對金屬板包含含鎳之鐵合金之輥軋材之例進行說明。輥軋材中之鎳及鈷之含有量之合計為30質量%以上且38質量%以下。
首先，實施準備具有至少包含鎳之鐵合金之母材之準備步驟。於本實施形態中，母材意指藉由輥軋而成為上述金屬板64之構件。準備步驟至少具有第1溶解步驟。
首先，準備鐵及鎳以及其他原材料。例如，以鐵之比例及鎳之比例相對於原材料全體分別為約64重量%及約36重量%之方式準備各原材料。
接著，根據需要將各原材料粉碎後，實施於溶解爐溶解各原材料之第1溶解步驟。第1溶解步驟包含例如真空溶解。真空溶解為藉由於真空氛圍中溶解原材料而獲得溶解金屬之方法。例如，可利用電弧放電等之氣體放電將原材料於真空氛圍中溶解。亦可於設置成真空氛圍之感應爐溶解原材料。真空氛圍為例如1Pa以下，可為0.1Pa以下。其後，使溶解金屬凝固獲得第1晶錠。
溶解時之溫度根據原材料而設定，但可為例如1500℃以上。第1溶解步驟可包含將鋁、錳、矽等之添加劑投入溶解爐之步驟。添加劑可實現脫氧、脫水、脫氮等之功能。溶解步驟可於低於大氣壓之低壓狀態，於氬氣等惰性氣體之氛圍下實施。添加劑藉由與氧氣等反應而形成化合物。此種化合物有構成上述粒子之可能性。因此，藉由調整添加劑之量，可調整金屬板所含之粒子之量或尺寸。例如，藉由減少添加劑之量，可減少金屬板所含之粒子之量。或，藉由減少添加劑之量，可減少金屬板所含之粒子之圓相當直徑。
圖36係將自溶解爐取出之第1晶錠64i之表面及其周圍放大而顯示之剖視圖。如圖36所示，於第1晶錠64i之表面及其周圍，容易存在包含鋁等之添加劑之粒子64d。理由認為在於粒子64d之比重小於溶解金屬之比重。然而，於表面及其周圍容易存在粒子64d之理由不限於上述理由。
第1溶解步驟之時間較佳設定為粒子64d可移動至表面或其周圍。
為了去除粒子64d，可於第1溶解步驟後，如圖37所示，實施去除第1晶錠64i之表面部分64s之第1表面處理步驟。符號X1表示被去除之表面部分64s之厚度。藉由去除表面部分64s，可減少金屬板64所含之粒子64d之個數及密度。又，可去除氧化皮等氧化物之被膜。如後所述，藉由去除金屬板64之表面部分64u之金屬板表面處理步驟，亦可減少金屬板64所含之粒子64d之個數及密度。
去除表面部分64s前之第1晶錠64i之厚度X2可為例如100mm以上，亦可為150mm以上，或可為200mm以上。厚度X2可為例如300mm以下，亦可為400mm以下，或可為500mm以下。厚度X2之範圍可由包含100mm、150mm及200mm之第1組群、及/或包含300mm、400mm及500mm之第2組群決定。厚度X2之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意1個、與上述第2組群所含之值中之任意1個之組合決定。厚度X2之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合決定。厚度X2之範圍可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合決定。例如可為100mm以上且500mm以下，亦可為100mm以上且400mm以下，或可為100mm以上且300mm以下，或可為100mm以上且200mm以下，或可為100mm以上且150mm以下，或可為150mm以上且500mm以下，或可為150mm以上且400mm以下，或可為150mm以上且300mm以下，或可為150mm以上且200mm以下，或可為200mm以上且500mm以下，或可為200mm以上且400mm以下，或可為200mm以上且300mm以下，或可為300mm以上且500mm以下，或可為300mm以上且400mm以下，或可為400mm以上且500mm以下。
被去除之表面部分64s之厚度X1可為例如5mm以上，亦可為10mm以上，或可為12mm以上，或可為15mm以上。厚度X1可為例如20mm以下，亦可為25mm以下，或可為30mm以下，或可為40mm以下。厚度X1之範圍可由包含5mm、10mm、12mm及15mm之第1組群、及/或包含20mm、25mm、30mm及40mm之第2組群決定。厚度X1之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意1個、與上述第2組群所含之值中之任意1個之組合決定。厚度X1之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合決定。厚度X1之範圍可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為5mm以上且40mm以下，亦可為5mm以上且30mm以下，或可為5mm以上且25mm以下，或可為5mm以上且20mm以下，或可為5mm以上且15mm以下，或可為5mm以上且12mm以下，或可為5mm以上且10mm以下，或可為10mm以上且40mm以下，或可為10mm以上且30mm以下，或可為10mm以上且25mm以下，或可為10mm以上且20mm以下，或可為10mm以上且15mm以下，或可為10mm以上且12mm以下，或可為12mm以上且40mm以下，或可為12mm以上且30mm以下，或可為12mm以上且25mm以下，或可為12mm以上且20mm以下，或可為12mm以上且15mm以下，或可為15mm以上且40mm以下，或可為15mm以上且30mm以下，或可為15mm以上且25mm以下，或可為15mm以上且20mm以下，或可為20mm以上且40mm以下，或可為20mm以上且30mm以下，或可為20mm以上且25mm以下，或可為25mm以上且40mm以下，或可為25mm以上且30mm以下，或可為30mm以上且40mm以下。
藉由厚度X1為5mm以上，可減少金屬板64所含之粒子64d之個數及密度。範圍X1越大，粒子64d之個數越少。另一方面，範圍X1越大，獲得之金屬板64之量越少。藉由範圍X1為40mm以下，可抑制金屬板64之製造成本增加。
表面部分64s之厚度X1可基於相對於去除表面部分64s前之第1晶錠64i之厚度X2之比例而決定。X1/X2可為例如0.01以上，亦可為0.02以上，或可為0.03以上，或可為0.05以上。X1/X2可為例如0.10以下，亦可為0.15以下，或可為0.20以下，或可為0.30以下。X1/X2之範圍可由包含0.01、0.02、0.03及0.05之第1組群、及/或包含0.10、0.15、0.20及0.30之第2組群決定。X1/X2之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意1個、與上述第2組群所含之值中之任意1個之組合決定。X1/X2之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合決定。X1/X2之範圍可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為0.01以上且0.30以下，亦可為0.01以上且0.20以下，或可為0.01以上且0.15以下，或可為0.01以上且0.10以下，或可為0.01以上且0.05以下，或可為0.01以上且0.03以下，或可為0.01以上且0.02以下，或可為0.02以上且0.30以下，或可為0.02以上且0.20以下，或可為0.02以上且0.15以下，或可為0.02以上且0.10以下，或可為0.02以上且0.05以下，或可為0.02以上且0.03以下，或可為0.03以上且0.30以下，或可為0.03以上且0.20以下，或可為0.03以上且0.15以下，或可為0.03以上且0.10以下，或可為0.03以上且0.05以下，或可為0.05以上且0.30以下，或可為0.05以上且0.20以下，或可為0.05以上
且0.15以下，或可為0.05以上且0.10以下，或可為0.10以上且0.30以下，或可為0.10以上且0.20以下，或可為0.10以上且0.15以下，或可為0.15以上且0.30以下，或可為0.15以上且0.20以下，或可為0.20以上且0.30以下。
具有大圓相當直徑之粒子64d有較具有小圓相當直徑之粒子64d更容易存在於金屬板64之表面附近之可能性。理由認為在於粒子64d之圓相當直徑越大，溶解步驟中朝向上方之粒子64d之移動速度越大。然而，具有大圓相當直徑之粒子64d容易存在於表面之理由不限於上述理由。
具有大圓相當直徑之粒子64d容易存在於表面之情形時，去除表面部分64s之步驟尤其可有助於減少具有大圓相當直徑之粒子64d之個數及密度。因此，藉由調整表面部分64s之厚度X1，有能調整金屬板64所含之粒子64d之第1比例、第2比例及第3比例之可能性。同樣，藉由調整稍後敘述之表面部分64u之厚度X3，亦有能調整金屬板64所含之粒子64d之第1比例、第2比例及第3比例之可能性。第1比例為第1數量相對於具有1μm以上之圓相當直徑之粒子之合計數量的比例。第1數量意指樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上且未達3μm之圓相當直徑之粒子的數量。第2比例意指第2數量相對於具有1μm以上之圓相當直徑之粒子之合計數量的比例。第2數量意指樣本81之每1mm3之體積所含之具有3μm以上且未達5μm之圓相當直徑之粒子的數量。第3比例意指第3數量相對於具有1μm以上之圓相當直徑之粒子之合計數量的比例。第3數量意指樣本81之每1mm3之體積所含之具有5μm以上之圓相當直徑之粒子的數量。合
計數量意指樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數。藉由去除表面部分64s、64u，有能減少第2比例及第3比例之可能性。
另一方面，如稍後敘述之實施例所示，表示較小之合計數量例如未達100個之合計數量之金屬板之第2比例、第3比例有高於表示較大之合計數量例如100個以上之合計數量的金屬板之第2比例、第3比例的可能性。換言之，表示較小之合計數量之金屬板之第1比例有低於表示較大之合計數量之金屬板之第1比例的可能性。例如，請參照表1所示之第7罩及第8罩之結果。
假定較小之合計數量藉由增大範圍X1而實現。實施例之結果表明，範圍X1超過某值後，有產生隨著範圍X1增大，第1比例降低之現象之可能性。換言之，第1比例之降低有表明過度去除晶錠或金屬板之可能性。第1比例有成為有用之指標之一之可能性。
[表1]
金屬板之第1比例可為例如70%以上，亦可為80%以上，或可為90%以上。金屬板之第1比例可為例如95%以下，亦可為98以下，或可為100%
以下。金屬板之第1比例之範圍可由包含70%、80%及90%之第1組群、及/或包含95%、98%及100%之第2組群決定。金屬板之第1比例之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意1個、與上述第2組群所含之值中之任意1個之組合決定。金屬板之第1比例之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合決定。金屬板之第1比例之範圍可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為70%以上且100%以下，亦可為70%以上且98%以下，或可為70%以上且95%以下，或可為70%以上且90%以下，或可為70%以上且80%以下，或可為80%以上且100%以下，或可為80%以上且98%以下，或可為80%以上且95%以下，或可為80%以上且90%以下，或可為90%以上且100%以下，或可為90%以上且98%以下，或可為90%以上且95%以下，或可為95%以上且100%以下，或可為95%以上且98%以下，或可為98%以上且100%以下。
用以去除表面部分64s之具體方法無特別限定，可採用使砂輪旋轉而削除第1晶錠64i之表面之所謂研磨法、或將第1晶錠64i壓入切削具而削除第1晶錠64i之表面之所謂壓入法等。亦可藉由使表面處理液接觸第1晶錠64i之表面而去除表面部分64s。表面處理液為例如硫酸溶液、過硫酸水溶液等之酸性溶液。過硫酸水溶液為包含硫酸及過氧化氫之溶液。第1表面處理步驟可包含削除第1晶錠64i之表面之處理、及使表面處理液接觸第1晶錠64i之表面之處理的任一者，亦可包含兩者。可實施第1表面處理步驟以使第1晶錠64i之厚度均一化。
接著，可重複實施特定次數將去除表面部分之晶錠再次於溶解爐溶
解之步驟。例如，可進而實施將第1晶錠於溶解爐溶解獲得第2晶錠之第2溶解步驟。又，可進而實施將第2晶錠於溶解爐溶解獲得第3晶錠之第3溶解步驟。亦可重複4次以上溶解步驟。又，亦可於溶解步驟之期間，實施去除晶錠之表面部分之表面處理步驟。例如，可於第2溶解步驟後，實施去除第2晶錠之表面部分之第2表面處理步驟。可於第3溶解步驟後，實施去除第3晶錠之表面部分之第3表面處理步驟。藉由重複實施溶解步驟及表面處理步驟，可進一步降低金屬板64所含之粒子64d之個數及密度。
藉由調整溶解步驟及表面處理步驟之次數，可調整金屬板所含之粒子之量或尺寸。例如，藉由增加溶解步驟及表面處理步驟之次數，可減少金屬板所含之粒子之量。或，藉由增加溶解步驟及表面處理步驟之次數，可減少金屬板所含之粒子之圓相當直徑。
於第2表面處理步驟及第3表面處理步驟中，自晶錠去除之表面部分之厚度可與第1表面處理步驟之情形相同，亦可不同。於第2表面處理步驟中去除之表面部分之厚度之數值範圍可與上述厚度X1之數值範圍相同，亦可不同。於第3表面處理步驟中去除之表面部分之厚度之數值範圍可與上述厚度X1之數值範圍相同，亦可不同。
亦將第1表面處理步驟、第2表面處理步驟、第3表面處理步驟等之去除晶錠之表面部分之步驟稱為「母材表面處理步驟」。
第2溶解步驟、第3溶解步驟及後續之溶解步驟中之溶解方法可與第1
溶解步驟中之溶解方法相同，亦可不同。可採用例如真空電弧溶解、電渣溶解等。第2溶解步驟、第3溶解步驟較佳於真空氛圍下實施。
溶解步驟中之氛圍之壓力越低，溶解步驟中朝向上方之粒子64d之移動速度有變得越大之可能性。因此，有藉由調整氛圍之壓力，能調整金屬板所含之粒子之量或尺寸之可能性。例如，藉由降低氛圍之壓力，可減少金屬板所含之粒子量。或，藉由降低氛圍之壓力，可減少金屬板所含之粒子之圓相當直徑。
第2溶解步驟、第3溶解步驟及後續之溶解步驟之時間較佳設定為可使粒子64d移動至表面或其之周圍。
接著，如圖38所示，實施輥軋由藉由溶解步驟及母材表面處理步驟獲得之晶錠構成之母材60之輥軋步驟。例如，朝包含一對軋輥(工作輥)66a、66b之輥軋裝置66，一面以箭頭D1所示之方向施加牽引張力一面搬送。到達至一對軋輥66a、66b間之母材60由一對軋輥66a、66b輥軋，其結果，母材60之厚度減少，且沿搬送方向伸展。藉此，可獲得於方向D1延伸，且具有特定厚度之金屬板64。於以下之說明中，亦將金屬板64延伸之方向D1稱為長邊方向D1。藉由輥軋而製作金屬板64之情形時，於金屬板64之表面，形成於長邊方向D1延伸之軋痕。如圖38所示，可藉由將金屬板64捲繞於芯件61而形成捲繞體62。
圖38僅為顯示輥軋步驟之概略者，未特別限定用以實施輥軋步驟之
具體構成或順序。例如，輥軋步驟可包含以使構成母材60之鐵合金之結晶排列變化之溫度以上之溫度加工母材的熱軋步驟、或以使鐵合金之結晶排列變化之溫度以下之溫度加工母材之冷軋步驟。又，使母材60或金屬板64通過一對軋輥66a、66b之間時之方向不限定於一方向。例如，圖38中，亦可藉由以自紙面左側朝向右側之方向、及自紙面右側朝向左側之方向重複使母材60或金屬板64通過一對軋輥66a、66b之間，而逐漸輥軋母材60或金屬板64。
於輥軋步驟中，可調整輥軋致動器之壓力以調整金屬板64之形狀。又，除了軋輥(工作輥)66a、66b外，亦可適當調整備用輥之形狀。
於冷軋步驟中，可於母材60與軋輥66a、66b之間供給燈油等之冷卻劑。藉此，可控制母材之溫度。
可於輥軋步驟之前後或輥軋步驟之期間，實施分析母材60或金屬板64之品質或特性之分析步驟。例如，可對母材60或金屬板64照射螢光X射線而分析組成。可藉由熱機械分析(TMA：Thermomechanical Analisys)測定母材60或金屬板64之熱伸縮率。
可於輥軋步驟前或熱軋步驟與冷軋步驟之間，實施去除金屬板64之表面部分之金屬板表面處理步驟。藉此，可減少金屬板64所含之粒子64d之個數及密度。又，可去除氧化皮等之氧化物之被膜。金屬板表面處理步驟可於輥軋步驟前、及熱軋步驟與冷軋步驟之間之兩者實施。
圖54係將去除表面部分64u之前之金屬板64之表面及其周圍放大顯示的剖視圖。圖55係將去除表面部分64u後之金屬板64之表面及其周圍放大顯示的剖視圖。符號X3表示被去除之表面部分64u之厚度。符號X4表示去除表面部分64u之前之金屬板64之厚度。用以去除表面部分64u之具體方法未特別限定，可藉由例如使表面處理液接觸金屬板64之表面而去除表面部分64u。表面處理液與母材表面處理步驟之情形同樣，例如為硫酸溶液，過硫酸水溶液等之酸性溶液。於輥軋步驟前實施金屬板表面處理步驟之情形時，與母材表面處理步驟之情形同樣，可藉由削除金屬板64之表面而去除表面部分64u。金屬板表面處理步驟可包含使表面處理液接觸金屬板64之表面之處理、及削除金屬板64之表面之處理中之任一者，亦可包含兩者。
藉由金屬表面處理步驟去除之表面部分64u之厚度X3可為例如5μm以上，亦可為10μm以上，或可為15μm以上，或可為20μm以上。厚度X3可為例如30μm以下，亦可為50μm以下，或可為70μm以下，或可為100μm以下。厚度X3之範圍可由包含5μm、10μm、15μm及20μm之第1組群、及/或包含30μm、50μm、70μm及100μm之第2組群決定。厚度X3之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意1個、與上述第2組群所含之值中之任意1個之組合決定。厚度X3之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合決定。厚度X3之範圍可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合決定。例如可為5μm以上且100μm以下，亦可為5μm以上且70μm以下，或可為5μm以上且50μm以下，或可為5μm以上且30μm
以下，或可為5μm以上且20μm以下，或可為5μm以上且15μm以下，或可為5μm以上且10μm以下，或可為10μm以上且100μm以下，或可為10μm以上且70μm以下，或可為10μm以上且50μm以下，或可為10μm以上且30μm以下，或可為10μm以上且20μm以下，或可為10μm以上且15μm以下，或可為15μm以上且100μm以下，或可為15μm以上且70μm以下，或可為15μm以上且50μm以下，或可為15μm以上且30μm以下，或可為15μm以上且20μm以下，或可為20μm以上且100μm以下，或可為20μm以上且70μm以下，或可為20μm以上且50μm以下，或可為20μm以上且30μm以下，或可為30μm以上且100μm以下，或可為30μm以上且70μm以下，或可為30μm以上且50μm以下，或可為50μm以上且100μm以下，或可為50μm以上且70μm以下，或可為70μm以上且100μm以下。
表面部分64u之厚度X3可基於相對於去除表面部分64u之前之金屬板64之厚度X4的比例而決定。X3/X4可為例如0.01以上，亦可為0.02以上，或可為0.03以上，或可為0.05以上。X3/X4可為例如0.10以下，亦可為0.15以下，或可為0.20以下，或可為0.30以下。X3/X4之範圍可由包含0.01、0.02、0.03及0.05之第1組群、及/或包含0.10、0.15、0.20及0.30之第2組群決定。X3/X4之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意1個、與上述第2組群所含之值中之任意1個之組合決定。X3/X4之範圍可由上述第1組群所含之值中之任意2個之組合決定。X3/X4之範圍可由上述第2組群所含之值中之任意2個之組合決定。例如可為0.01以上且0.30以下，亦可為0.01以上且0.20以下，或可為0.01以上且0.15以下，或可為0.01以上且
0.10以下，或可為0.01以上且0.05以下，或可為0.01以上且0.03以下，或可為0.01以上且0.02以下，或可為0.02以上且0.30以下，或可為0.02以上且0.20以下，或可為0.02以上且0.15以下，或可為0.02以上且0.10以下，或可為0.02以上且0.05以下，或可為0.02以上且0.03以下，或可為0.03以上且0.30以下，或可為0.03以上且0.20以下，或可為0.03以上且0.15以下，或可為0.03以上且0.10以下，或可為0.03以上且0.05以下，或可為0.05以上且0.30以下，或可為0.05以上且0.20以下，或可為0.05以上且0.15以下，或可為0.05以上且0.10以下，或可為0.10以上且0.30以下，或可為0.10以上且0.20以下，或可為0.10以上且0.15以下，或可為0.15以上且0.30以下，或可為0.15以上且0.20以下，或可為0.20以上且0.30以下。
使用表面處理液之情形時，被去除之表面部分64u之厚度X3可小於上述厚度。例如，厚度X3可為0.5μm以上，亦可為1.0μm以上，或可為2.0μm以上，或可為3.0μm以上。使表面處理液接觸母材之表面之處理之情形時，亦可使被去除之表面部分64s之厚度X1小於上述厚度。例如，厚度X1可為0.5μm以上，亦可為1.0μm以上，或可為2.0μm以上，或可為3.0μm以上。
隨後，為了去除因輥軋而蓄積於金屬板64內之殘留應力，而如圖39所示，可使用退火裝置67對金屬板64進行退火。退火步驟如圖39所示，可一面朝搬送方向(長邊方向)拉伸金屬板64一面實施。即，退火步驟非所謂間歇式退火，而可一面搬送一面以連續退火實施。該情形時，較佳以抑制金屬板64產生彎曲等變形之方式設定溫度或搬送速度。藉由實施退火步
驟，可獲得一定程度上去除殘留應力之金屬板64。於圖39中，顯示退火步驟時於水平方向搬送金屬板64之例，但不限定於此，於退火步驟時，亦可於垂直方向等其他之方向搬送金屬板64。
其後，可實施分別於特定範圍內切除藉由輥軋步驟獲得之金屬板64之寬度方向之兩端的切割步驟以使金屬板64之寬度落在特定範圍內。該切割步驟為了去除因輥軋而可能於金屬板64之兩端產生之裂縫而實施。藉由實施此種切割步驟，可防止以裂縫為起點產生金屬板64破斷之現象，即所謂之板斷裂。
於切割步驟中切除之部分之寬度可以使切割步驟後之金屬板64之形狀於寬度方向左右對稱之方式調整。亦可於上述退火步驟前實施切割步驟。
藉由重複複數次上述輥軋步驟、退火步驟及切割步驟中之至少2個步驟，可製作特定厚度之長條狀之金屬板64。
可於輥軋步驟、退火步驟或切割步驟後，實施檢查金屬板64所含之粒子64d之密度及尺寸之檢查步驟。於檢查步驟中，藉由實施上述觀察步驟及分析步驟，可獲得樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子64d之個數Z2、圓相當直徑、成分等之資訊。
接著，可實施判定自樣本81取出之金屬板64是否為良品之判定步
驟。例如，於滿足上述條件(1)、(2)之情形時，判定自樣本81取出之金屬板64為良品。
於判定步驟中，亦可將除上述條件(1)、(2)外，進而滿足上述條件(3)、(4)等之金屬板64判定為良品。於判定步驟中，上述條件(1)~(4)可任意組合。例如，可將滿足所有判定條件(1)~(4)之金屬板64判定為良品，亦可將僅滿足判定條件(1)~(4)之一部分之金屬板64判定為良品。組合之例如下所示。
例1：將滿足條件(1)之金屬板64判定為良品。
例2：將滿足條件(2)之金屬板64判定為良品。
例3：將滿足條件(1)、(3)之金屬板64判定為良品。
例4：將滿足條件(2)、(4)之金屬板64判定為良品。
例5：將滿足條件(1)、(2)之金屬板64判定為良品。
例6：將滿足條件(1)、(2)、(3)之金屬板64判定為良品。
例7：將滿足條件(1)、(2)、(4)之金屬板64判定為良品。
例8：將滿足條件(1)、(2)、(3)、(4)之金屬板64判定為良品。
於判定步驟中，亦可將除上述之例1~例8所示之條件外，進而滿足上述條件(5)、(6)、(7)等之金屬板64判定為良品。例如，亦可將除上述之例1~例8所示之條件外，進而滿足上述條件(5)之金屬板64判定為良品。例如，亦可將除上述之例1~例8所示之條件外，進而滿足上述條件(6)之金屬板64判定為良品。例如，亦可將除上述之例1~例8所示之條件外，進而滿足上述條件(5)、(7)之金屬板64判定為良品。例如，亦可將除上述
之例1~例8所示之條件外，進而滿足上述條件(6)、(7)之金屬板64判定為良品。下述之例1A~例1D係將除上述之例1所示之條件外，進而滿足上述條件(5)、(6)、(7)之1個或2個之金屬板64判定為良品之例。
例1A：將滿足條件(1)、(5)之金屬板64判定為良品。
例1B：將滿足條件(1)、(6)之金屬板64判定為良品。
例1C：將滿足條件(1)、(5)、(7)之金屬板64判定為良品。
例1D：將滿足條件(1)、(6)、(7)之金屬板64判定為良品。
於上述之說明中，已顯示為判定金屬板64良否，即為分選金屬板64而實施基於粒子64d之個數、尺寸、成分等檢查金屬板64之檢查步驟的例。即，已顯示檢查步驟於金屬板64之製造方法中作為分選金屬板64之分選步驟發揮功能之例。然而，檢查步驟亦可用於金屬板64之製造方法中分選金屬板64以外之目的。
對將檢查步驟用於金屬板64之製造方法中分選金屬板64以外之目的之例進行說明。例如，基於粒子64d之個數、尺寸、成分等之金屬板64之檢查可利用於將原材料於溶解爐溶解之溶解步驟或表面處理步驟等製作母材之步驟之條件、或輥軋步驟、金屬板表面處理步驟、退火步驟等製造金屬板64之步驟之條件最佳化。
例如，首先，以各種條件製造金屬板64，算出自金屬板64取出之樣本81所含之粒子64d之個數及尺寸。又，對照金屬板64之製造條件、與自獲得之金屬板64取出之樣本81所含之粒子64d之個數及尺寸。藉此，可發
現以高概率製造滿足上述判定條件之金屬板64之條件。如此，基於粒子64d之個數及尺寸之金屬板64之檢查可利用於發現適當之製造條件。該情形時，無須對實際製造步驟中獲得之所有金屬板64，實施算出粒子64d之個數及尺寸之檢查步驟。例如，可僅對一部分金屬板64實施檢查步驟。或，一旦設定製造條件後，可完全不實施算出粒子64d之個數及尺寸之檢查步驟。
(外觀檢查步驟)
於輥軋步驟後或退火步驟後，可實施檢查金屬板64之外觀之外觀檢查步驟。外觀檢查步驟可包含使用自動檢查機檢查金屬板64之外觀之步驟。外觀檢查步驟可包含目測檢測金屬板64之外觀之步驟。
(形狀檢查步驟)
於輥軋步驟後或退火步驟後，可實施檢查金屬板64之形狀之形狀檢查步驟。例如，可使用三維測定器，於金屬板64之特定區域內測定厚度方向之金屬板64之表面之位置。
接著，主要參照圖40~圖43對使用滿足上述判定條件之金屬板64製造蒸鍍罩20之方法進行說明。圖40係顯示使用金屬板64製造蒸鍍罩20之製造裝置70之圖。首先，準備於長邊方向D1延伸之金屬板64。金屬板64以例如將金屬板64捲繞於上述芯件61之捲繞體62之狀態準備。接著，將金屬板64依序搬送至圖40所示之抗蝕劑膜形成裝置71、曝光、顯影裝置72、蝕刻裝置73及分離裝置74。圖40中，顯示藉由將金屬板64朝其之長
邊方向D1搬送而於裝置間移動之例，但不限定於此。亦可於特定裝置中捲繞金屬板64後，將捲繞體狀態之金屬板64供給至下游側之裝置。
抗蝕劑膜形成裝置71於金屬板64之表面設置抗蝕劑膜。曝光、顯影裝置72藉由對抗蝕劑膜實施曝光處理及顯影處理將抗蝕劑膜圖案化而形成抗蝕劑圖案。
蝕刻裝置73藉由以抗蝕劑圖案為罩蝕刻金屬板64而於金屬板64形成貫通孔25。於本實施形態中，於金屬板64形成對應於複數片蒸鍍罩20之多個貫通孔25。換言之，於金屬板64分配複數片蒸鍍罩20。例如，以於金屬板64之寬度方向D2排列複數個有效區域22，且於金屬板64之長邊方向D1排列複數個蒸鍍罩20用之有效區域22之方式，於金屬板64形成多個貫通孔25。
分離裝置74實施自金屬板64分離金屬板64中形成有對應於1片量之蒸鍍罩20之複數個貫通孔25之部分的分離步驟。如此，可獲得單片狀之蒸鍍罩20。
於蒸鍍罩20之製造步驟中，首先，使用抗蝕劑膜形成裝置71於金屬板64之表面設置抗蝕劑膜。接著，使用曝光、顯影裝置72，將抗蝕劑膜65a、65b曝光及顯影。藉此，如圖41所示，可於金屬板64之第1面64a上形成第1抗蝕劑圖案65c，於金屬板64之第2面64b上形成第2抗蝕劑圖案65d。
接著，使用蝕刻裝置73，以抗蝕劑圖案65c、65d為罩蝕刻金屬板64。首先，如圖42所示，藉由使用第1蝕刻液蝕刻金屬板64之第1面64a中未被第1抗蝕劑圖案65c覆蓋之區域而形成第1凹部30。接著，以樹脂69覆蓋第1凹部30。其後，如圖43所示，藉由蝕刻金屬板64之第2面64b中未被第2抗蝕劑圖案65d覆蓋之區域而於第2面64b形成第2凹部35。其後，自金屬板64去除樹脂69及抗蝕劑圖案65c、65d。
其後，逐個取出分配至金屬板64之複數片蒸鍍罩20。例如，將金屬板64中形成有對應於1片量之蒸鍍罩20之複數個貫通孔25之部分自金屬板64之其他部分分離。藉此，可獲得蒸鍍罩20。
接著，實施檢查形成於金屬板64之貫通孔25之面積自基準值之偏離量是否為特定容許值以下的檢查步驟。基準值及容許值根據使用蒸鍍罩20製造之顯示裝置之像素密度、或貫通孔25之尺寸之平均值等設定。例如，用於製造WQHD(寬四倍高畫質(Wide quad high definition))之顯示裝置之蒸鍍罩20之情形時，容許值為5μm2以上且400μm2以下之範圍內之特定值。貫通孔25之圓相當直徑之平均值為30μm±3μm之蒸鍍罩20之情形時，容許值為5μm2以上且150μm2以下之範圍內之特定值。於貫通孔之檢查步驟中，蒸鍍罩20中包含1個面積自基準值之偏離量超過容許值之貫通孔25之情形時，亦將該蒸鍍罩20作為不良品排除。
作為測定貫通孔25之面積之方法，可採用使用透過貫通孔25之光之
方法。具體而言，沿金屬板64之法線方向，使平行光入射於蒸鍍罩20之第1面20a或第2面20b之一者，透過貫通孔25自第1面20a或第2面20b之另一者出射。且，將出射之光於金屬板64之面方向所佔之區域之面積作為貫通孔25之面積測定。該情形時，貫通孔25之開口面積為最小之貫通部42之俯視時之輪廓決定自蒸鍍罩20出射之光於金屬板64之面方向所佔之區域之面積。
若於為形成貫通孔25而蝕刻金屬板64之蝕刻步驟之期間，產生金屬板64中之粒子64d、64e之脫落，則如上述之圖25所示，可能會形成小於標準貫通孔25A之縮小貫通孔25B、25C或大於標準貫通孔25A之放大貫通孔25D、25E。其結果，貫通部42之尺寸可能變成部分小於標準貫通孔25A之尺寸SA之尺寸SB、SC或大於尺寸SA之SD、SE。此種尺寸偏離引起貫通孔25之面積自基準值偏離。
此處，本實施形態中，藉由使用滿足上述條件(1)、(2)之金屬板64，可抑制因粒子64d、64e之脫落而形成縮小貫通孔25B、25C或放大貫通孔25D、25E。藉此，可抑制貫通孔25之面積自基準值偏離。
於貫通孔之檢查步驟中，亦可除了如上所述之評估貫通孔25之面積之絕對值外或代替評估貫通孔25之面積之絕對值，而實施評估貫通孔25之面積之相對值。例如，將某1個貫通孔25之面積設為S1，將包圍該貫通孔25之複數個貫通孔25之面積之平均值設為S2之情形時，可評估(S1-S2)/S2之絕對值是否為特定閾值以下。此時之閾值亦根據使用蒸鍍罩20製
造之顯示裝置之像素密度、或貫通孔25之尺寸之平均值等適當設定。
於本實施形態中，藉由使用滿足上述條件(1)、(2)之金屬板64，可抑制(S1-S2)/S2之絕對值超出特定閾值。
使用滿足上述條件(1)、(2)之金屬板64製造蒸鍍罩20之情形時，於蒸鍍罩20中，亦可滿足上述條件(1)、(2)。例如，蒸鍍罩20之端部17a、17b或中間部18之周圍區域23等不形成貫通孔25，因此，於蒸鍍罩20之製造步驟中由抗蝕劑圖案覆蓋之部分在製造步驟中不接觸於蝕刻液。因此，端部17a、17b或周圍區域23中，可維持形成貫通孔25前之金屬板64中之粒子64d之分佈狀態。換言之，於蒸鍍罩20中不與蝕刻液接觸之部分，金屬板64中之粒子64d不會脫落而予以保留。因此，使自蒸鍍罩20之端部17a、17b或周圍區域23取出之樣本81溶解而分析粒子64d之情形時，可取得與形成貫通孔25前之金屬板64之情形同樣之分析結果。因此，藉由自蒸鍍罩20之端部17a、17b或周圍區域23取出樣本81並分析，可獲得用於製造蒸鍍罩20之金屬板64中之粒子64d之分佈狀態相關之資訊。
於本實施形態中，如上述條件(1)所述，自金屬板64取出之樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上且未達3μm之圓相當直徑之粒子數為50個以上。於金屬板64之表面粒子64d露出之情形時，粒子64d可有助於提高抗蝕劑膜65a、65b與金屬板64間之密接力。又，粒子64d對抗蝕劑膜65a、65b之錨定效應亦有助於提高抗蝕劑膜65a、65b與金屬板64間之密接力。因此，可抑制於蝕刻步驟等蒸鍍罩20之製造步驟之期間，抗蝕劑圖案65c、65d之抗蝕劑膜65a、65b自金屬板64剝離。藉此，易於採用尺
寸較小之抗蝕劑膜65a、65b。因此，易於縮短蒸鍍罩20之貫通孔25之排列週期，可製作具有高像素密度之顯示裝置。
藉由實施上述母材表面處理步驟或金屬層表面處理步驟，可減少金屬板64所含之粒子64d之個數及密度。因此，可提高製造滿足條件(1)之金屬板64之概率。藉由調整以母材表面處理步驟或金屬層表面處理步驟去除之表面部分之厚度，可調整製造滿足條件(1)之金屬板64之概率。同樣，藉由調整以母材表面處理步驟或金屬層表面處理步驟去除之表面部分之厚度，可調整製造滿足其他之條件(2)~(7)等之金屬板64之概率。同樣，藉由調整以母材表面處理步驟或金屬層表面處理步驟去除之表面部分之厚度，可調整金屬板64之第1比例、第2比例及第3比例。可僅實施母材表面處理步驟或金屬層表面處理步驟之任一者，亦可實施兩者。
接著，實施將如上獲得之蒸鍍罩20固定於框架15之固定步驟。藉此，可獲得具備蒸鍍罩20及框架15之蒸鍍罩裝置10。
於固定步驟中，首先，實施以對蒸鍍罩20附加張力之狀態調整蒸鍍罩20相對於框架15之位置之張設步驟。於張設步驟中，例如，藉由未圖示之夾持部夾住蒸鍍罩20之端部17a、17b。接著，一面對蒸鍍罩20附加張力，一面調整蒸鍍罩20之位置或張力，使得蒸鍍罩20之貫通孔25之位置與有機EL基板92(或模擬有機EL基板92之基板)上之電極位置之差成為特定基準值以下。基準值為例如3μm。接著，實施以蒸鍍罩20之端部17與框架15接觸之狀態加熱端部17，而將端部17焊接於框架15之焊接步驟。例如，對端部17照射脈衝狀之雷射光，使端部17之複數個部位熔接
於框架15。如此，可將蒸鍍罩20固定於框架15。
接著，對使用本實施形態之蒸鍍罩20使蒸鍍材料98蒸鍍於有機EL基板92等之基板上之蒸鍍方法進行說明。首先，以蒸鍍罩20與有機EL基板92對向之方式配置蒸鍍罩裝置10。又，使用磁鐵93使蒸鍍罩20密接於有機EL基板92。於該狀態下，藉由使蒸鍍材料98蒸發並經由蒸鍍罩20朝有機EL基板92飛來，而可以對應於蒸鍍罩20之貫通孔25之圖案使蒸鍍材料98附著於有機EL基板92。此處，本實施形態之蒸鍍罩20中，如上所述，貫通孔25之形狀精度因粒子而降低之情況得到抑制。因此，可提高附著於有機EL基板92之蒸鍍材料98之面積、形狀或厚度等之精度。
可對上述之實施形態附加各種變更。以下，根據需要，一面參照圖式一面對變化例進行說明。以下之說明及以下之說明中使用之圖式，對與上述之實施形態同樣構成之部分，使用與對上述實施形態中對應之部分使用之符號相同之符號，省略重複之說明。於上述之實施形態中獲得之作用效果顯然在變化例中亦可獲得之情形時，有時亦省略該說明。
首先，對金屬板64之製造方法之變化例進行說明。圖44係用以全體性說明蒸鍍罩20之製造方法之一變化例之模式圖。圖44所示之製造裝置70僅於具備位於較抗蝕劑膜形成裝置71更靠上游側之薄化裝置75之點不同，其他之構成皆與圖40所示之上述製造裝置70相同。
薄化裝置75為使自捲繞體捲出之金屬板64之厚度減少之裝置。薄化
裝置75藉由例如遍及全域蝕刻金屬板64中至少對應於有效區域22之部分而使金屬板64之厚度減少。藉由實施金屬板64之薄化，即便於難以提高輥軋步驟中之壓下率之情形時，亦可獲得具有較小之厚度之金屬板64。
接著，對金屬板64之製造方法中之於金屬板64形成貫通孔25之步驟之變化例進行說明。上述實施形態中，已顯示於金屬板64形成貫通孔25之步驟具有自第1面64a側蝕刻金屬板64之第1面蝕刻步驟、及自第2面64b側蝕刻金屬板64之第2面蝕刻步驟的例。然而，不限定於此，於金屬板64形成貫通孔25之步驟亦可包含對金屬板64照射雷射光而加工貫通孔25之雷射加工。該情形時，雷射加工如以下所說明，可代替第1面蝕刻步驟實施。
首先，如圖45所示，於金屬板64之第2面64b上形成第2抗蝕劑圖案65d。接著，如圖46所示，實施藉由蝕刻金屬板64之第2面64b中未被第2抗蝕劑膜65b覆蓋之區域而於第2面64b形成第2凹部35的第2面蝕刻步驟。其後，如圖47所示，實施對金屬板64中形成有第2凹部35之部分之一部分照射雷射光L，而形成自第2凹部35之壁面貫通至第1面64a之第1凹部30之雷射加工步驟。如圖47所示，雷射光L亦可自金屬板64之第2面64b側照射。
於圖45至圖47所示之例中，若於第2面蝕刻步驟中產生金屬板64中之粒子64d之脫落，則貫通孔25之尺寸可能偏離設計值或產生尺寸不均。因此，圖45至圖47所示之例中，使用滿足上述條件(1)、(2)等之金屬板64較
為有用。
如圖47所示，藉由雷射加工形成之第1凹部30之壁面31可以隨著自第2面64b側朝向第1面64a側而使俯視中之貫通孔25之中心側發生移位之方式傾斜。該情形時，第1面64a上之第1凹部30之端劃成俯視時貫通孔25之開口面積為最小之貫通部42。
接著，對檢查步驟之變化例進行說明。於上述之本實施形態中，已顯示對形成貫通孔25前之金屬板64實施檢查金屬板64所含之粒子64d之密度及尺寸之檢查步驟之例。然而，不限定於此，亦可對形成貫通孔25後之金屬板64，即蒸鍍罩20實施檢查金屬板64所含之粒子64d之檢查步驟。該情形時，可自蒸鍍罩20之端部17a、17b或周圍區域23等金屬板64中未形成貫通孔25之部分取出樣本81而檢查粒子64d。自金屬板64中未形成貫通孔25之部分取出樣本81之情形時，基於構成蒸鍍罩20之金屬板64之厚度，自樣本81取出之樣本片81a之面積及塊數，可算出樣本81之溶解體積。亦可自金屬板64中形成貫通孔25之部分取出樣本81檢查粒子64d。該情形時，可基於樣本81之重量測定值及構成樣本81之材料之密度資料，算出樣本81之溶解體積。
[實施例]
接著，藉由實施例進而更具體地說明本揭示之實施形態，但本揭示之實施形態只要不超出其主旨，則並非限定於以下之實施例之記載者。
例1
首先，以鐵之比例及鎳之比例相對於原材料全體分別為約64重量%及約36重量%之方式，準備鐵及鎳以及其他之原材料。接著，根據需要粉碎各原材料後，實施將各原材料於溶解爐溶解之第1溶解步驟。於第1溶解步驟中，為了脫氧、脫水、脫氮等，而將鋁、錳、矽投入溶解爐。第1溶解步驟係於低於大氣壓之低壓狀態且惰性氣體之氛圍下實施。接著，實施去除藉由第1溶解步驟獲得之第1晶錠之表面部分之第1表面處理步驟。被去除之表面部分之厚度為10mm以上。
接著，進而實施於溶解爐溶解第1表面處理步驟中去除表面部分之第1晶錠並獲得第2晶錠之第2溶解步驟、及去除第2晶錠之表面部分之第2表面處理步驟。被去除之表面部分之厚度為10mm以上。如此，準備由包含其餘之鐵及無法避免之雜質之鐵合金構成之母材。
接著，對母材實施上述輥軋步驟、退火步驟及切割步驟，藉此，製造由具有20μm之厚度之金屬板捲繞而成之捲繞體(第1捲繞體)。接著，使用第1捲繞體之金屬板64，藉由上述圖6至圖11所示之製造方法製造蒸鍍罩20。亦將由第1捲繞體之金屬板64製造之蒸鍍罩20稱為第1罩。接著，自第1罩之第1端部17a，切出一邊長度K1為60mm之正方形狀之樣本81。樣本81包含構成第1罩之第1端部17a之金屬板64之第1面64a及第2面64b。又，自樣本81沖壓出直徑K2為20mm之圓形狀之3片樣本片81a。接著，以純水超音波清洗樣本片81a，去除附著於樣本片81a之異物。超音波之頻率為28kHz，超音波清洗時間為10秒。
接著，實施使樣本片81a溶解於水溶液83之樣本溶解步驟。具體而言，首先，準備具有500ml之容積之燒杯作為容器82，將3片樣本片81a載置於燒杯中。接著，將100ml之50℃之水溶液83注入至燒杯使樣本片81a溶解。此時，最初之15分鐘期間呈搖晃燒杯之狀態且接下來之15分鐘期間呈燒杯靜置之狀態，於合計30分鐘之期間，使樣本片81a溶解於燒杯中之水溶液83。作為水溶液83，使用包含硝酸之水溶液。具體而言，藉由混合500ml之硝酸液與500ml之純水，而製作水溶液83。作為硝酸液，使用林純藥工業股份公司製之特級硝酸(1.38)。特級硝酸(1.38)為以60重量%之濃度包含硝酸之水溶液。
接著，實施自樣本片81a溶解之水溶液83使用吸引過濾裝置提取粒子之過濾步驟。作為濾紙，使用MILLIPORE公司製之膜過濾器JHWP02500。JHWP02500之細孔直徑即孔徑為0.45μm。因此，認為至少具有1μm以上之尺寸之粒子保留於JHWP02500上。作為將濾紙下游側之空間減壓之減壓部，使用MILLIPORE公司製之吸引加壓兩用Chemical Duty泵WP6110060。又，以濾紙過濾燒杯內之水溶液1次後，將純水注入至燒杯，實施3次以濾紙過濾純水之沖洗步驟。
接著，實施上述粒子之乾燥步驟，使濾紙及保留於濾紙上之粒子乾燥。
接著，使用SEM實施上述觀察步驟，檢測濾紙上之粒子。作為
SEM，使用日本電子製之極掃描電子顯微鏡JSM 7800FPRIME。SEM之設定或SEM之對比度及/或亮度之調整方法如上所述。接著，使用Ametec公司製之粒子自動分析軟體Particle Phaze Analysis版本6.53，分析檢測出之粒子。又，使用Ametec公司製EDX裝置Octane Elect實施粒子之組成分析。藉此，擷取包含鐵及鎳以外之元素作為主成分，且具有1μm以上之圓相當直徑之粒子。又，算出樣本81之每1mm3之體積所含之粒子之個數及各粒子之圓相當直徑。樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數(以下亦稱為合計數量)為924個。
如表1所示，樣本81之每1mm3之體積所含之粒子中具有1μm以上且未達3μm之圓相當直徑之粒子數量(以下亦稱為第1數量)為912個，具有3μm以上且未達5μm之圓相當直徑之粒子數量(以下亦稱為第2數量)為12個，具有5μm以上之圓相當直徑之粒子數量(以下亦稱為第3數量)為0個。具有3μm以上之圓相當直徑之粒子數量為12個。因此，第1罩之金屬板滿足上述之條件(1)、(2)、(3)、(4)。
又，分別算出相對於具有1μm以上之圓相當直徑之粒子之合計數量之第1數量之比例(以下，亦稱為第1比例)、第2數量之比例(以下，亦稱為第2比例)、及第3數量之比例(以下，亦稱為第3比例)。表1中，如第1數量、第2數量及第3數量下之括弧中所示，第1比例為98.7%，第2比例為1.3%，第3比例為0.0%。
又，使用EDX裝置，分析具有1μm以上之圓相當直徑之粒子之組
成。如表2所示，樣本81之每1mm3之體積所含之粒子中以錳為主成分之粒子(以下亦稱為Mg數量)為6個，以鋁為主成分之粒子(以下亦稱為Al數量)為770個，以矽為主成分之粒子(以下亦稱為Si數量)為80個，以磷為主成分之粒子(以下亦稱為P數量)為0個，以鋯為主成分之粒子(以下亦稱為Zr數量)為37個，以硫磺為主成分之粒子(以下亦稱為S數量)為31個。
例2~4
與例1之情形同樣，以鐵之比例及鎳之比例相對於原材料全體分別為約64重量%及約36重量%之方式，準備鐵及鎳以及其他之原材料。接著，根據需要粉碎各原材料後，實施第1溶解步驟、第1表面處理步驟、第2溶解步驟及第2表面處理步驟，製作母材。接著，藉由對母材實施輥軋步驟、退火步驟及切割步驟，分別製造由具有20μm之厚度之金屬板64捲繞而成之第2捲繞體~第4捲繞體。第2捲繞體~第4捲繞體之製造條件與第1捲繞體之製造條件大致相同但細節不同。具體而言，第2捲繞體~第4捲繞體之製造條件就下述之(A)~(D)之至少一者與第1捲繞體之製造條件不同。又，第2捲繞體~第4捲繞體之製造條件就下述之(A)~(D)之至少一者互不相同。
(A)第1溶解步驟中之添加劑之量
(B)第1表面處理步驟中被去除之表面部分之厚度
(C)溶解步驟之次數
(D)第1溶解步驟中之氛圍之壓力
與上述之例1之情形同樣，使用第2捲繞體~第4捲繞體之金屬板64，藉由上述圖6至圖11所示之製造方法製造蒸鍍罩20。亦將由第2捲繞體~第4捲繞體之金屬板64製造之蒸鍍罩20稱為第2罩~第4罩。接著，使用SEM觀察自第2罩~第4罩之第1端部17a取出之各樣本81所含之粒子，算出樣本81之每1mm3之體積所含之粒子之個數及各粒子之圓相當直徑。將結果顯示於表1。又，與上述例1之情形同樣，使用EDX裝置，分析具有1
μm以上之圓相當直徑之粒子之組成。將結果顯示於表2。
例5~12
與例1之情形同樣，以鐵之比例及鎳之比例相對於原材料全體分別為約64重量%及約36重量%之方式，準備鐵及鎳以及其他之原材料。接著，根據需要粉碎各原材料後，實施第1溶解步驟、第1表面處理步驟、第2溶解步驟及第2表面處理步驟，製作第2晶錠。接著，進而實施於溶解爐溶解第2表面處理步驟中經去除表面部分之第2晶錠獲得第3晶錠之第3溶解步驟、及去除第3晶錠之表面部分之第3表面處理步驟。被去除之表面部分之厚度為10mm以上。如此，準備由包含鎳、其餘之鐵及無法避免之雜質之鐵合金構成之母材。接著，藉由對母材實施輥軋步驟、退火步驟及切割步驟，分別製造由具有20μm之厚度之金屬板64捲繞而成之第5捲繞體~第12捲繞體。第5捲繞體~第12捲繞體之製造條件大致相同但細節不同。具體而言，第5捲繞體~第12捲繞體之製造條件就下述之(A)~(D)之至少一者互不相同。
(A)第1溶解步驟中之添加劑之量
(B)第1表面處理步驟中被去除之表面部分之厚度
(C)溶解步驟之次數
(D)第1溶解步驟中之氛圍之壓力
與上述之例1之情形同樣，使用第5捲繞體~第12捲繞體之金屬板64，藉由上述圖6至圖11所示之製造方法製造蒸鍍罩20。亦將由第5捲繞體~第12捲繞體之金屬板64製造之蒸鍍罩20分別稱為第5罩~第12罩。接
著，使用SEM觀察自第5罩~第12罩之第1端部17a取出之各樣本所含之粒子，算出粒子之個數及各粒子之圓相當直徑。將結果顯示於表1。
又，與上述例1之情形同樣，分析具有1μm以上之圓相當直徑之粒子之組成。將結果顯示於表2。
使用第7捲繞體之金屬板64之情形時，於藉由蝕刻金屬板64形成貫通孔25之蝕刻步驟期間，產生抗蝕劑膜自金屬板64剝離之現象。因此，無法由第7捲繞體之金屬板64製造蒸鍍罩20。表1~表2中，於「第7罩」之列記載之測定結果為使用SEM觀察自第7捲繞體之金屬板64取出之樣本所含之粒子的結果、及分析粒子之組成之結果。
例13~17
與例1之情形同樣，以鐵之比例及鎳之比例相對於原材料全體分別為約64重量%及約36重量%之方式，準備鐵及鎳以及其他之原材料。接著，根據需要粉碎各原材料後，實施第1溶解步驟及第1表面處理步驟製作母材。接著，藉由對母材實施輥軋步驟、退火步驟及切割步驟，分別製造由具有20μm之厚度之金屬板64捲繞而成之第13捲繞體~第17捲繞體。
第13捲繞體~第17捲繞體之製造條件大致相同但細節不同。具體而言，第13捲繞體~第17捲繞體之製造條件就下述之(A)~(D)之至少一者互不相同。
(A)第1溶解步驟中之添加劑之量
(B)第1表面處理步驟中被去除之表面部分之厚度
(C)溶解步驟之次數
(D)第1溶解步驟中之氛圍之壓力
與上述之例1之情形同樣，使用第13捲繞體~第17捲繞體之金屬板64，藉由上述圖6至圖11所示之製造方法製造蒸鍍罩20。亦將由第13捲繞體~第17捲繞體之金屬板64製造之蒸鍍罩20分別稱為第13罩~第17罩。接著，使用SEM觀察自第13罩~第17罩之第1端部17a取出之各樣本81所含之粒子，算出樣本81之每1mm3之體積所含之粒子之個數及各粒子之圓相當直徑。將結果顯示於表1。又，與上述例1之情形同樣，使用EDX裝置，分析具有1μm以上之圓相當直徑之粒子之組成。將結果顯示於表2。
例21~22
與例1之情形同樣，以鐵之比例及鎳之比例相對於原材料全體分別為約64重量%及約36重量%之方式，準備鐵及鎳以及其他之原材料。接著，根據需要粉碎各原材料後，實施第1溶解步驟、第1表面處理步驟、第2溶解步驟及第2表面處理步驟，製作母材。接著，藉由對母材實施輥軋步驟、退火步驟及切割步驟，分別製造由金屬板64捲繞而成之第21捲繞體及第22捲繞體。第21捲繞體之金屬板64具有50μm以上之厚度。第22捲繞體之金屬板64具有80μm以上之厚度。
與上述之例1之情形同樣，使用第21捲繞體及第22捲繞體之金屬板64，藉由上述圖6至圖11所示之製造方法製造蒸鍍罩20。亦將由第21捲繞體及第22捲繞體之金屬板64製造之蒸鍍罩20稱為第21罩及第22罩。接
著，使用SEM觀察自第21罩及第22罩之第1端部17a取出之各樣本81所含之粒子，算出樣本81之每1mm3之體積所含之粒子之個數及各粒子之圓相當直徑。將結果顯示於表1。又，與上述例1之情形同樣，使用EDX裝置，分析具有1μm以上之圓相當直徑之粒子之組成。將結果顯示於表2。
例23
與例1之情形同樣，以鐵之比例及鎳之比例相對於原材料全體分別為約64重量%及約36重量%之方式，準備鐵及鎳以及其他之原材料。接著，根據需要粉碎各原材料後，實施第1溶解步驟及第1表面處理步驟製作母材。接著，藉由對母材實施輥軋步驟、退火步驟及切割步驟，製造由金屬板64捲繞而成之第23捲繞體。第23捲繞體之金屬板64具有70μm之厚度。
與上述之例1之情形同樣，使用第23捲繞體之金屬板64，藉由上述圖6至圖11所示之製造方法製造蒸鍍罩20。亦將由第23捲繞體之金屬板64製造之蒸鍍罩20稱為第23罩。接著，使用SEM觀察自第23罩之第1端部17a取出之各樣本81所含之粒子，算出樣本81之每1mm3之體積所含之粒子之個數及各粒子之圓相當直徑。將結果顯示於表1。又，與上述例1之情形同樣，使用EDX裝置，分析具有1μm以上之圓相當直徑之粒子之組成。將結果顯示於表2。
例24~25
與例1之情形同樣，以鐵之比例及鎳之比例相對於原材料全體分別為約64重量%及約36重量%之方式，準備鐵及鎳以及其他之原材料。接著，
根據需要粉碎各原材料後，實施第1溶解步驟、第1表面處理步驟、第2溶解步驟及第2表面處理步驟，製作第2晶錠。接著，進而實施於溶解爐溶解第2表面處理步驟中去除表面部分之第2晶錠獲得第3晶錠之第3溶解步驟、及去除第3晶錠之表面部分之第3表面處理步驟。被去除之表面部分之厚度為10mm以上。如此，準備由包含鎳、其餘之鐵及無法避免之雜質之鐵合金構成之母材。接著，藉由對母材實施輥軋步驟、退火步驟及切割步驟，分別製造由金屬板64捲繞而成之第24捲繞體及第25捲繞體。第24捲繞體之金屬板64具有60μm之厚度。第25捲繞體之金屬板64具有16μm之厚度。
與上述之例1之情形同樣，使用第24捲繞體及第25捲繞體之金屬板64，藉由上述圖6至圖11所示之製造方法製造蒸鍍罩20。亦將由第24捲繞體及第25捲繞體之金屬板64製造之蒸鍍罩20稱為第24遮罩及第25遮罩。接著，使用SEM觀察自第24遮罩及第25遮罩之第1端部17a取出之各樣本81所含之粒子，算出樣本81之每1mm3之體積所含之粒子之個數及各粒子之圓相當直徑。將結果顯示於表1。又，與上述例1之情形同樣，使用EDX裝置，分析具有1μm以上之圓相當直徑之粒子之組成。將結果顯示於表2。
接著，進行第1罩~第17罩及第21罩~第25罩之貫通孔25之面積精度相關之評估A及評估B。
(貫通孔之面積精度之評估A)
評估蒸鍍罩20之貫通孔25之面積是否為特定容許範圍內。具體而言，如圖56所示，測定某1個貫通孔25X之面積S1、與包圍該貫通孔25X之複數個貫通孔25Y之面積之平均值S2。於圖56所示之例中，貫通孔25Y之個數為4。接著，評估(S1-S2)/S2之絕對值是否為第1閾值以下。第1閾值根據使用蒸鍍罩20製造之顯示裝置之像素密度或貫通孔25之尺寸之平均值等而設定。例如，貫通孔25之圓相當直徑之平均值為30μm之蒸鍍罩20之情形時，第1閾值為0.20。
作為測定貫通孔25之面積之方法，採用使用透過貫通孔25之光之方法。具體而言，沿金屬板64之法線方向使平行光入射蒸鍍罩20之第1面20a或第2面20b之一者，透過貫通孔25自第1面20a或第2面20b之另一者出射。且，藉由以相機拍攝出射之光於金屬板64之面方向所佔之區域，測定區域面積。將該測定結果作為各貫通孔25之面積採用。該情形時，俯視下之蒸鍍罩20之貫通部42之輪廓決定自蒸鍍罩20出射之光於金屬板64之面方向所佔之區域之面積。
將評估結果顯示於表1之「評估A-1」欄及「評估A-2」欄。於「評估A-1」欄中，「OK」表示蒸鍍罩20之所有貫通孔25中，(S1-S2)/S2之絕對值為0.20以下，「NG」表示至少一部分貫通孔25中，(S1-S2)/S2超過0.20。於「評估A-2」欄中，「OK」表示蒸鍍罩20之所有貫通孔25中，(S1-S2)/S2之絕對值為0.20以下，「NG」表示至少一部分貫通孔25中，(S1-S2)/S2未達-0.20。因此，產生上述放大貫通孔之情形時，容易於評估A-1中出現NG，產生上述縮小貫通孔之情形時，容易於評估A-2中出現
NG。1片蒸鍍罩20中評估對象之貫通孔25之數量為2千5百萬個以上。
(貫通孔之面積精度之評估B)
評估上述之(S1-S2)/S2之絕對值是否為小於第1閾值之第2閾值以下。第2閾值根據使用蒸鍍罩20製造之顯示裝置之像素密度或貫通孔25之尺寸之平均值等而設定。例如，貫通孔25之圓相當直徑之平均值為20μm之蒸鍍罩20之情形時，第2閾值為0.15。
將評估結果顯示於表1之「評估B-1」欄及「評估B-2」欄。「評估B-1」欄中，「OK」表示蒸鍍罩20之所有貫通孔25中，(S1-S2)/S2之絕對值為0.15以下，「NG」表示至少一部分貫通孔25中，(S1-S2)/S2超過0.15。於「評估B-2」欄中，「OK」表示蒸鍍罩20之所有貫通孔25中，(S1-S2)/S2之絕對值為0.15以下，「NG」表示至少一部分貫通孔25中，(S1-S2)/S2未達-0.15。因此，產生上述放大貫通孔之情形時，容易於評估B-1中出現NG，產生上述縮小貫通孔之情形時，容易於評估B-2中出現NG。1片蒸鍍罩20中評估對象之貫通孔25之數量為2千5百萬個以上。
一般而言，貫通孔25之尺寸係顯示裝置之像素密度越高而越小。例如，WQHD之智慧型手機用顯示裝置之情形時，像素密度約500ppi，貫通孔25之直徑約30μm。UHD(Ultra High Definition：超高畫質)之智慧型手機用顯示裝置之情形時，像素密度約800ppi，貫通孔25之直徑約20μm。
為了將具有小尺寸之貫通孔25精度良好地形成於金屬板64，較佳為金屬板64之厚度較小。例如，用以製作具有約500ppi之像素密度之智慧型手機用顯示裝置之蒸鍍罩20之金屬板64之厚度較佳為20μm以下。相對於此，用以製作具有約800ppi之像素密度之智慧型手機用顯示裝置之蒸鍍罩20之金屬板64之厚度較佳為15μm以下。
以下，對評估A-1及評估A-2以及評估B-1及評估B-2之結果進行說明。
如表1所示，關於樣本81之每1mm3之體積所含之粒子，具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數為50個以上且3000個以下之第1罩~第6罩、第8罩~第12罩、第16罩、第17罩及第21罩~第25罩中，評估A-1為OK。另一方面，具有1μm以上之圓相當直徑之粒子個數超過3000個之第13罩~第15罩中，評估A-1為NG。由此，可以說上述條件(1)為用以抑制形成放大貫通孔之有用之判定條件。
如表1所示，關於樣本81之每1mm3之體積所含之粒子，具有3μm以上之圓相當直徑之粒子數為50個以下之第1罩~第6罩、第8罩~第13罩、第16罩、第17罩及第21罩~第25罩中，評估A-2為OK。另一方面，具有3μm以上之圓相當直徑之粒子個數超過50個之第14罩及第15罩中，評估A-2為NG。由此，上述條件(2)可謂為用以抑制形成縮小貫通孔之有用之判定條件。
如上所述，使用第7捲繞體之金屬板64之情形時，於藉由蝕刻金屬板64而形成貫通孔25之蝕刻步驟之期間，產生抗蝕劑膜自金屬板64被剝離之現象。因此，無法由第7捲繞體之金屬板64製造蒸鍍罩20。如表1所示，樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數未達50個。由此，上述條件(1)中之「具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數為50個以上」之事項可謂為用以抑制產生抗蝕劑膜之剝離之有用之判定條件。
如表1所示，關於樣本81之每1mm3之體積所含之粒子，具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數為1000個以下之第1罩、第4罩~第6罩、第8罩~第12罩、第24罩及第25罩中，評估B-1為OK。另一方面，具有1μm以上且未達3μm之圓相當直徑之粒子數超過1000個之第2罩、第3罩、第13罩~第17罩及第21罩~第23罩中，評估B-1為NG。由此，上述條件(3)可謂為用以更確實地抑制形成放大貫通孔之有用之判定條件。
如表1所示，關於樣本81之每1mm3之體積所含之粒子，具有3μm以上之圓相當直徑之粒子數為20個以下之第1罩、第4罩~第6罩、第8罩~第12罩、第21罩、第22罩、第24罩及第25罩中，評估B-2為OK。另一方面，具有3μm以上之圓相當直徑之粒子個數超過20個之第2罩、第3罩、第13罩~第17罩及第23罩中，評估B-2為NG。由此，上述條件(4)可謂為用以更確實地抑制形成縮小貫通孔之有用之判定條件。
上述例1~6、例8~17及例21~25中，已顯示自蒸鍍罩20之第1端部
17a取出之樣本所含之粒子之觀察結果。預測觀察自第1捲繞體~第6捲繞體、第8捲繞體~第17捲繞體及第21捲繞體~第25捲繞體之金屬板64取出之樣本所含之粒子之情形時，亦獲得與該等觀察結果相同之觀察結果。第1面蝕刻步驟及第2面蝕刻步驟中，對應於第1端部17a之金屬板64之區域被第1抗蝕劑膜65a及第2抗蝕劑膜65b覆蓋。因此，認為構成第1端部17a之金屬板64之狀態在粒子分佈上與構成捲繞體時之金屬板64之狀態相同。
(補充評估1)
與例1之情形同樣，以鐵之比例及鎳之比例相對於原材料全體分別為約64重量%及約36重量%之方式，準備鐵及鎳以及其他之原材料。接著，根據需要粉碎各原材料後，實施第1溶解步驟、第1表面處理步驟、第2溶解步驟及第2表面處理步驟，製作母材。接著，藉由對母材實施輥軋步驟、退火步驟及切割步驟，製造具有20μm之厚度，且將金屬板64捲繞成輥狀之第18捲繞體。
接著，於第18捲繞體之於金屬板之長邊方向上位於距離金屬板之前端1m處之部位，切出一邊長度K1為60mm之正方形狀之樣本81。同樣，於第18捲繞體之於金屬板之長邊方向上位於距離金屬板之前端100m、200m、300m、400m處之部位，分別切出一邊長度K1為60mm之正方形狀之樣本81。如此於第18捲繞體之金屬板之5個部位切出樣本81後，與上述例1之情形同樣，使用SEM觀察各樣本81所含之粒子，算出樣本81之每1mm3之體積所含之粒子之個數及各粒子之圓相當直徑。又，與上述例
1之情形同樣，使用EDX裝置，分析具有1μm以上之圓相當直徑之粒子之組成。將結果顯示於表3~表4。
如表3所示，切出之樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數分佈於585個~859個之範圍內，平均值為689.0個，分佈範圍為274個。分佈範圍意指於5個部位切出之樣本81之每1mm3之體
積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數之最大值與最小值的差。以分佈範圍除以平均值之值為0.398。因此，於5個部位切出之樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數為最大值與最小值之中間值±20%之範圍內。最大值相對於最小值之比為1.5以下。由此，於輥狀之捲繞體之任意1個部位切出之樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數為例如Y個之情形時，於同一捲繞體之其他部位切出之樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數可謂為少於5×Y個之數的可能性較高。
於表3，合併顯示於5個部位切出之樣本81之每1mm3之體積所含之各尺寸之粒子數及比例。關於第1比例及第2比例，亦可見與合計數量之情形同樣之傾向。關於表4所示粒子之組成分析之結果，亦可見與合計數量之情形同樣之傾向。
(補充評估2)
與例1之情形同樣，以鐵之比例及鎳之比例相對於原材料全體分別為約64重量%及約36重量%之方式，準備鐵及鎳以及其他之原材料。接著，根據需要粉碎各原材料後，實施第1溶解步驟、第1表面處理步驟、第2溶解步驟及第2表面處理步驟，製作母材。接著，藉由對母材實施輥軋步驟、退火步驟及切割步驟，製造具有20μm之厚度，且將金屬板64捲繞成輥狀之第19捲繞體。
接著，與上述例1之情形同樣，使用第19捲繞體之金屬板64，藉由上
述圖6至圖11所示之製造方法製造蒸鍍罩20。又，分別使用SEM觀察自蒸鍍罩20之第1端部17a及第2端部17b取出之各樣本81所含之粒子，算出樣本81之每1mm3之體積所含之粒子個數及各粒子之圓相當直徑。將結果顯示於表5。又，與上述例1之情形同樣，使用EDX裝置，分析具有1μm以上之圓相當直徑之粒子之組成。將結果顯示於表6。
如表5所示，切出之樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數分佈於833個~1158個之範圍內，平均值為995.5個，分佈範圍為325個。分佈範圍意指於第1端部17a切出之樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數、與於第2端部17b切出之樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數的差。以分佈範圍除以平均值之值為0.326。因此，自蒸鍍罩20之
第1端部17a及第2端部17b切出之樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數為最大值與最小值之中間值±20%之範圍內。第1端部17a中之粒子數與第2端部17b中之粒子數之比為1.5以下。由此，蒸鍍罩之任意1個部位切出之樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數為例如Z個之情形時，於同一蒸鍍罩之其他部位切出之樣本81之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之粒子數可謂為少於1.5×Z個之數的可能性較高。
於表5合併顯示於蒸鍍罩20之第1端部17a及第2端部17b切出之樣本81之每1mm3之體積所含之各尺寸之粒子數及比例。關於第1比例及第2比例，可見與合計數量之情形同樣之傾向。關於表6所示之粒子之組成分析之結果，亦可見與合計數量之情形同樣之傾向。
64:金屬板
64a:第1面
64b:第2面
64c:主相
64d:粒子
Claims (18)
- 一種金屬板，其係用以製造蒸鍍罩之包含第1面及位於上述第1面相反側之第2面，並具備鐵及鎳者；且具備：粒子，其包含鐵及鎳以外之元素作為主成分；於包含上述金屬板之上述第1面及上述第2面之樣本中，滿足以下之條件(1)、(2)；(1)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以上且3000個以下；(2)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以下；上述金屬板之第1比例為70%以上；上述第1比例為第1數量相對於具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子之合計數量的比例；上述合計數量為上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子之數量；上述第1數量為上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上且未達3μm之圓相當直徑之上述粒子的數量。
- 如請求項1之金屬板，其中滿足以下之條件(3)；(3)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為1000個以下。
- 如請求項1或2之金屬板，其中滿足以下之條件(4)；(4)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為20個以下。
- 如請求項1或2之金屬板，其中滿足以下之條件(5)；(5)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有5μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為20個以下。
- 如請求項1或2之金屬板，其中滿足以下之條件(6)；(6)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有5μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為2個以下。
- 如請求項1或2之金屬板，其中上述金屬板之厚度為70μm以下。
- 如請求項1或2之金屬板，其中上述金屬板之厚度為50μm以下。
- 如請求項1或2之金屬板，其中上述金屬板之厚度為30μm以下。
- 一種金屬板之製造方法，其係用以製造蒸鍍罩之包含第1面及位於上 述第1面相反側之第2面之金屬板的製造方法；且具備：輥軋具有包含鎳之鐵合金之母材而製作上述金屬板之步驟；且上述金屬板具備：粒子，其包含鐵及鎳以外之元素作為主成分；於包含上述金屬板之上述第1面及上述第2面之樣本中，滿足以下條件(1)、(2)；(1)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以上且3000個以下；(2)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以下；上述金屬板之第1比例為70%以上；上述第1比例為第1數量相對於具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子之合計數量的比例；上述合計數量為上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子之數量；上述第1數量為上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上且未達3μm之圓相當直徑之上述粒子的數量。
- 如請求項9之金屬板之製造方法，其具備去除上述母材或上述金屬板之表面部分之表面處理步驟。
- 如請求項10之金屬板之製造方法，其中上述表面處理步驟包含去除上述母材之上述表面部分之母材表面處理步驟；且上述表面部分之厚度為10mm以上。
- 如請求項10之金屬板之製造方法，其中上述表面處理步驟包含去除上述金屬板之上述表面部分之金屬板表面處理步驟；且上述表面部分之厚度為5μm以上。
- 如請求項10之金屬板之製造方法，其中上述表面處理步驟包含藉由使表面處理液接觸上述母材或上述金屬板之表面而去除上述表面部分的步驟。
- 如請求項9至13中任一項之金屬板之製造方法，其中具備：分選步驟，其分選滿足以下之條件(1)、(2)之上述金屬板；(1)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以上且3000個以下；(2)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以下。
- 如請求項9至13中任一項之金屬板之製造方法，其中滿足以下之條件(5)；(5)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有5μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為20個以下。
- 如請求項9至13中任一項之金屬板之製造方法，其中滿足以下之條件(6)； (6)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有5μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為2個以下。
- 一種蒸鍍罩，其具備：金屬板，其包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面，且具備鐵及鎳；及複數個貫通孔，其形成於上述金屬板；且上述金屬板具備：粒子，其包含鐵及鎳以外之元素作為主成分；於包含上述金屬板之上述第1面及上述第2面之樣本中，滿足以下之條件(1)、(2)；(1)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以上且3000個以下；(2)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以下；上述金屬板之第1比例為70%以上；上述第1比例為第1數量相對於具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子之合計數量的比例；上述合計數量為上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子之數量；上述第1數量為上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上且未達3μm之圓相當直徑之上述粒子的數量。
- 一種蒸鍍罩之製造方法，其具備： 準備包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面，且具備鐵及鎳之金屬板的步驟；及於上述金屬板形成複數個貫通孔的加工步驟；且上述金屬板具備：粒子，其包含鐵及鎳以外之元素作為主成分；於包含上述金屬板之上述第1面及上述第2面之樣本中，滿足以下之條件(1)、(2)；(1)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以上且3000個以下；(2)上述樣本之每1mm3之體積所含之具有3μm以上之圓相當直徑之上述粒子數為50個以下；上述金屬板之第1比例為70%以上；上述第1比例為第1數量相對於具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子之合計數量的比例；上述合計數量為上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上之圓相當直徑之上述粒子之數量；上述第1數量為上述樣本之每1mm3之體積所含之具有1μm以上且未達3μm之圓相當直徑之上述粒子的數量。
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