CN104060160A - 用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料、蒸镀掩膜板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料、蒸镀掩膜板及其制备方法。该金属基复合材料包括基体和弥散于所述基体中的增强相，其中，所述基体为铁镍合金，所述增强相为非金属颗粒，所述非金属颗粒在基体中的体积比为20-50vol%。本发明提出的用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料，密度降低，弹性模量升高，避免掩膜板因重力而悬垂，并且本发明提出的蒸镀掩膜板的制备方法，能够提高掩膜板的整体性能，并且节约原料，降低成本。

Description

用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料、蒸镀掩膜板及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种金属基复合材料，尤其涉及一种用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料、蒸镀掩膜板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管（OLED）显示器件属于自身发光的器件。与液晶显示器（LCD）器件相比，OLED显示器件具有宽视角与高对比度等优越性。OLED器件发光机理是利用阳极与阴极的一对电极之间夹有多层有机材料，通过对电极施加电压，从阳极和阴极分别流出空穴和电子到有机层，通过其再复合而发光的结构。该有机层为层叠结构，是包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子输送层、电子注入层等多层膜层叠的结果。有机也包括高分子材料和低分子材料，其中在使用低分子材料的情况下，使用真空蒸镀装置形成有机膜。
在申请号为CN200710127555的中国专利中提及，通过蒸发沉积形成OLED显示器件的有机发光层，在这种情况下，有机发光层形成在由蒸镀掩膜板暴露的部分上，此时如果蒸镀掩膜板是由蒸发装置支撑，并且与蒸发装置相距预定空间并保持预设时段，则蒸镀掩膜板的中心部分会因重力而下垂。蒸镀掩膜板下垂时，很难正常形成有机发光层。相应地，有机发光层可以比预期尺寸更大或者更小，或者可以形成在远离预期部分的其它部分中，这容易导致OLED显示器的显示不良。为了克服该问题，可以将磁力施加于由金属材料形成的蒸镀掩膜板上，由此抬起蒸镀掩膜板。但是，这种方式需要提供向蒸镀掩膜板提供磁力的附加装置，由此导致器件的制作成本增加。特别地，随着OLED器件制备所采用玻璃基板尺寸的增大，蒸镀掩膜板的尺寸也会越来越大，那么蒸镀掩膜板因重力而悬垂的问题将会更加突出，从而导致为防止其悬垂而在周边附属设备的设计将变得更加复杂，这也不可避免的会增加设备的成本以及生产OLED器件的成本。
目前常用的掩膜板是采用Invar合金，该合金是含有36wt%镍的铁合金。该合金的膨胀系数小，且在-80～230℃的温度内都比较稳定；并且该合金具有较好的塑性和冲击韧性。但是，Invar合金的拉伸强度和硬度都不高，因此容易在多次机械拉力或冲击下产生弯曲。此外，该合金密度较大，会使掩膜板产生悬垂的问题，即使采用磁力来抬起蒸镀掩膜板，也不可避免的会导致周围装置的复杂性。
因此市场上需要一种性能更佳的基材来制备蒸镀掩膜板，来解决掩膜板因重力而悬垂的问题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料和蒸镀掩膜板及其制备方法，解决掩膜板因重力而悬垂的问题，并且降低成本。
为达此目的，本发明采用以下的技术方案：
一方面，本发明提供了一种用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料，所述增强金属基复合材料包括基体和弥散于所述基体中的增强相，其中，所述基体为铁镍合金，所述增强相为非金属颗粒，所述非金属颗粒在基体中的体积比为20-50vol%。
进一步地，所述铁镍合金中镍含量为30%-36wt%。
进一步地，所述非金属颗粒在基体中的体积比为50vol%。
进一步地，所述非金属颗粒为SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒。
进一步地，所述非金属颗粒的直径在1-30μm之间。
另一方面，本发明还提供了一种用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料的制备方法，该方法包括以下步骤：将作为增强相的非金属颗粒弥散在铁镍合金中，形成颗粒增强金属基复合材料，所述非金属颗粒在所述铁镍合金中的体积比为20-50vol%。
进一步地，所述将作为增强的非金属颗粒弥散在铁镍合金中的方法包括：在1390～1520℃的温度下熔融所述铁镍合金，在真空感应炉或电弧炉中将非金属颗粒采用磁力搅拌的方式均匀弥散在熔融的铁镍合金中，然后将搅拌均匀的材料浇铸成型，得到颗粒增强金属基复合材料。
进一步地，所述将作为增强的非金属颗粒弥散在铁镍合金中的方法包括： 在常温下将铁粉、镍粉或者铁镍预合金粉和非金属颗粒采用高能球磨机均匀混合，将混合后的粉末压制成型，将压制成型的样品在1390～1520℃的温度下烧结致密，得到颗粒增强金属基复合材料。
进一步地，所述将作为增强的非金属颗粒弥散在铁镍合金中的方法包括：采用高压氢还原法制备镍包覆所述非金属颗粒的复合粉末，在常温下将所述镍包覆所述非金属颗粒的复合粉末和铁粉采用高能球磨机均匀混合，将混合后的粉末压制成型，将压制成型的样品在1390～1520℃的温度下烧结致密，得到颗粒增强金属基复合材料。
进一步地，使所述铁镍合金中镍含量为30%-36wt%。
进一步地，使所述非金属颗粒在基体中的体积比为50vol%。
进一步地，所述非金属颗粒为SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒。
进一步地，所述非金属颗粒的直径在1-30μm之间。
再一方面，本发明还提供了一种蒸镀掩膜板，该蒸镀掩膜板所采用的材料为权利要求前述任一种金属基复合材料。
又一方面，本发明还提供了一种蒸镀掩膜板的制备方法，包括将前述金属基复合材料制成铸件，然后将铸件采用机加工的方式得到蒸镀掩膜板。
进一步地，使所述铁镍合金中镍含量为30%-36wt%。
进一步地，使所述非金属颗粒在基体中的体积比为50vol%。
进一步地，所述非金属颗粒为SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒。
进一步地，所述非金属颗粒的直径在1-30μm之间。
又一方面，本发明还提供了一种蒸镀掩膜板的制备方法，该方法包括：在常温下将铁粉、镍粉或者铁镍预合金粉和非金属颗粒采用高能球磨机均匀混合，将混合后的粉末在蒸镀掩膜板的模具中压制成型，将压制成型的样品在1390～1520℃的温度下烧结致密，得到蒸镀掩膜板，在所述蒸镀掩膜板中，非金属颗粒作为增强相，铁镍合金作为基体。
进一步地，使所述铁镍合金中镍含量为30%-36wt%。
进一步地，使所述非金属颗粒在基体中的体积比为50vol%。
进一步地，所述非金属颗粒为SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒。
进一步地，所述非金属颗粒的直径在1-30μm之间。
又一方面，本发明还提供了一种蒸镀掩膜板的制备方法，该方法包括，采 用高压氢还原法制备镍包覆所述非金属颗粒的复合粉末，在常温下将所述镍包覆所述非金属颗粒的复合粉末和铁粉采用高能球磨机均匀混合，将混合后的粉末在蒸镀掩膜板的模具中压制成型，将压制成型的样品在1390～1520℃的温度下烧结致密，得到蒸镀掩膜板，在所述蒸镀掩膜板中，非金属颗粒作为增强相，铁镍合金作为基体。
进一步地，使所述铁镍合金中镍含量为30%-36wt%。
进一步地，使所述非金属颗粒在基体中的体积比为50vol%。
进一步地，所述非金属颗粒为SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒。
进一步地，所述非金属颗粒的直径在1-30μm之间。
与现有技术相比，本发明提出的用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料，密度降低，弹性模量升高，避免掩膜板因重力而悬垂，并且本发明提出的蒸镀掩膜板的制备方法，能够提高掩膜板的整体性能，并且节约原料，降低成本。
附图说明
图1为本发明中金属基复合材料的结构示意图。
图2为具体实施方式一中制备用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料和蒸镀掩膜板的工艺流程图。
图3为具体实施方式二中制备用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料和蒸镀掩膜板的工艺流程图。
图4为具体实施方式三中制备用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料和蒸镀掩膜板的工艺流程图。
图5为具体实施方式四中制备用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料和蒸镀掩膜板的工艺流程图。
其中，附图标记说明如下：
1、铁镍合金基体；2、非金属颗粒。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结 构。
具体实施例一：
本具体实施例提供了一种用于掩膜板的金属基复合材料及其制备方法。
本实施例提供的用于掩膜板的金属基复合材料，以铁镍合金为基体，以弥散于所述基体中的非金属颗粒为增强相，所得到金属基复合材料的示意图如1所示。图1中1为铁镍合金，2为弥散于铁镍合金中的非金属颗粒。优选地，在该铁镍合金中，镍含量为30%-36wt%；更优选地，镍含量为35.4wt%。镍含量为30%-36wt%，更优选地镍含量为35.4wt%的铁镍合金基体具有较好的塑性和冲击韧性，在增强相的作用下能提高材料的强度、弹性模量、硬度等性能。
该金属基复合材料以SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒等非金属颗粒中的任一种为增强相。以SiC为例，SiC的密度3.2g/cm3，仅为铁镍合金（以Invar合金为例）密度的40%，但是其弹性模量高达450GPa，把一定体积分数的SiC颗粒加入到铁镍合金中，不仅可以降低基材的密度，而且可以提升其弹性模量。表1示出了在铁镍合金中加入不同体积分数的SiC颗粒所得到的复合材料密度与弹性模量的变化。从表中可以看出，随着SiC颗粒加入到铁镍合金中体积分数的增加，所得材料的密度不断降低，弹性模量不断提高。但是在实际生产工艺中，过多的SiC颗粒会增加成形的困难性，因此本具体实施例优选加入碳化硅颗粒的体积分数为20-50vol%。
表1
对于Al2O3颗粒和AlN颗粒增强的原理与效果与SiC相似，在此不再一一描述。
在所加入的非金属颗粒中，其直径的范围在1-30μm之间，过大直径的颗粒会造成在基体中弥散均匀的困难，并且会带来增强效果的下降，过小直径的颗粒在基体中会有较大的膨胀系数，同样会使增加效果下降。因此本实施方式优选的颗粒直径范围在1-30μm之间。
本实施方式提供的金属基复合材料密度低，弹性模量高，适合用于蒸镀掩膜板，可以解决现有技术中Invar合金制成的掩膜板的悬垂问题，尤其适合于在大尺寸蒸镀掩膜板的应用，不需要附加的设备抬起蒸镀掩膜板，简化了设备，降低了成本。
接下来结合附图2详细描述本具体实施方式的用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料的制备方法。首先在步骤S101中，在1390～1520℃的温度下熔融上述 的铁镍合金，接着在步骤S102中，将非金属颗粒（图2中是以SiC为例）加入到所述熔融的铁镍合金中，步骤103中在真空感应力或电弧炉中采用高温磁力搅拌的方式将非金属颗粒均匀地混合在铁镍合金中，步骤104中将混合均匀的金属复合材料浇铸成锭坯、铸件，然后通过一些金属热处理手段，例如将半成品试样加热至860℃±10℃，保温后水淬，再将试样加工为成品试样，然后在335℃±10℃保温后，随炉冷或空冷，使得该锭坯或铸件可以应用为蒸镀掩膜板的基材。再采用机加工的方式得到所需要的蒸镀掩膜板。
采用本实施方式制备出的蒸镀掩膜板重量轻，可以解决大尺寸掩膜板因重力导致的悬垂问题，不需要其他附加设备，节省原料，降低成本。
具体实施例二：
本具体实施方式提供了另一种用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料及蒸镀掩膜板的制备方法。
本方法所制备出的金属基复合材料，其材料中各组成部分的含量与具体实施方式一中金属基复合材料相同，但采用本具体实施方式提供的方法制备出的材料性能提高，并且成本降低。
图3为本具体实施方式提供的制备方法的工艺流程图。在步骤S201中首先将铁粉，镍粉，非金属颗粒（选自SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒中的任一种，图3中以SiC为例）按照所需要的比例配比，要使得最终所得到的金属基复合材料中，镍在铁镍合金中的含量为30%-36wt%，更优选地镍含量为35.4wt%，非金属颗粒在金属合金中所占的体积比为20-50vol%。非金属颗粒的直径在直径范围在1-30μm之间。
在步骤S202中将配比好的粉末充分均匀地混合，混合的方式优选采用高能球磨机进行球磨，并加入一定的球磨剂以提高混料的均匀性。
在步骤S203中，将混合好的粉末充入到模具中进行压制成型，此处的模具可以为蒸镀掩膜板的模具，这样直接压制出蒸镀掩膜板，比铸造方法更加节省原料，降低成本。采用的压制方式可以为常规压制方式，也可以为冷等静压方式或者热等静压方式，采用的压制压力在100-800MPA之间。
在步骤S204中，所述的烧结方式可以为常压烧结、加压烧结、真空烧结等。烧结温度在1300-1600℃之间，使所压制成型的坯体致密化。
以上是本具体实施方式中制备金属基复合材料的主要步骤，其它退火、淬 火、加工等处理方式都是本领域常用的方式，在此不再赘述。
采用本具体实施方式制备的金属基复合材料，非金属颗粒作为增强相在基体中混合的更加均匀，得到的材料不仅重量低，并且弹性模量更高，更耐冲击和拉伸，并且采用上述的粉末冶金方法制备的材料，更加节省原材料，降低成本。
采用本实施方式制备出的蒸镀掩膜板重量轻，可以解决大尺寸掩膜板因重力导致的悬垂问题，不需要其他附加设备，并且采用粉末冶金法成型，节省原料，降低成本。
具体实施例三：
本具体实施方式提供了又一种用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料及蒸镀掩膜板的制备方法。
本方法所制备出的金属基复合材料，其材料中各组成部分的含量与具体实施方式一中金属基复合材料相同，但采用本具体实施方式提供的方法制备出的材料性能提高，并且成本降低。
图4为本具体实施方式提供的制备方法的工艺流程图。在步骤S301中首先将铁镍预合金粉，非金属颗粒（选自SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒中的任一种，图4中以SiC为例）按照所需要的比例配比，要使得最终所得到的金属基复合材料中，镍在铁镍合金中的含量为30%-36wt%，更优选地镍含量为35.4wt%，非金属颗粒在金属合金中所占的体积比为20-50vol%。非金属颗粒的直径在直径范围在1-30μm之间。
在步骤S302中将配比好的粉末充分均匀地混合，混合的方式优选采用高能球磨机进行球磨，并加入一定的球磨剂以提高混料的均匀性。
在步骤S303中，将混合好的粉末充入到模具中进行压制成型，此处的模具可以为蒸镀掩膜板的模具，这样直接压制出蒸镀掩膜板，比铸造方法更加节省原料，降低成本。采用的压制方式可以为常规压制方式，也可以为冷等静压方式或者热等静压方式，采用的压制压力在100-800MPA之间。
在步骤S304中，所述的烧结方式可以为常压烧结、加压烧结、真空烧结等。烧结温度在1300-1600℃之间，使所压制成型的坯体致密化。
以上是本具体实施方式中制备金属基复合材料的主要步骤，其它退火、淬火、加工等处理方式都是本领域常用的方式，在此不再赘述。
采用本具体实施方式制备的金属基复合材料，非金属颗粒作为增强相在基体中混合的更加均匀，得到的材料不仅重量低，并且弹性模量更高，更耐冲击和拉伸，并且与具体实施方式二相比，将铁粉和镍粉预合金化，更加增强了基体的塑性和冲击韧性，而采用上述的粉末冶金方法制备的材料，更加节省原材料，降低成本。
采用本实施方式制备出的蒸镀掩膜板重量轻，可以解决大尺寸掩膜板因重力导致的悬垂问题，不需要其他附加设备，并且采用粉末冶金法成型，节省原料，降低成本。
具体实施例四：
本具体实施方式提供了又一种用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料及蒸镀掩膜板的制备方法。
本方法所制备出的金属基复合材料，其材料中各组成部分的含量与具体实施方式一中金属基复合材料相同，但采用本具体实施方式提供的方法制备出的材料性能提高，并且成本降低。
图5为本具体实施方式提供的制备方法的工艺流程图。在步骤S401中首先将铁粉，镍包覆非金属颗粒复合粉末（非金属颗粒选自SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒中的任一种，图5中以镍包覆SiC为例）按照所需要的比例配比，要使得最终所得到的金属基复合材料中，镍在铁镍合金中的含量为30%-36wt%，更优选地镍含量为35.4wt%，非金属颗粒在金属合金中所占的体积比为20-50vol%。非金属颗粒的直径在直径范围在1-30μm之间。
而镍包覆SiC粉末可以采用高压氢还原的方法制备，采用镍包覆SiC粉末可以保证后续的混料更加均匀，使以SiC为例的非金属颗粒更加均匀地弥散于铁镍合金基体中，增强所得复合材料的弹性模量和韧性。
在步骤S402中将配比好的粉末充分均匀地混合，混合的方式优选采用高能球磨机进行球磨，并加入一定的球磨剂以提高混料的均匀性。
在步骤S403中，将混合好的粉末充入到模具中进行压制成型，此处的模具可以为蒸镀掩膜板的模具，这样直接压制出蒸镀掩膜板，比铸造方法更加节省原料，降低成本。采用的压制方式可以为常规压制方式，也可以为冷等静压方式或者热等静压方式，采用的压制压力在100-800MPA之间。
在步骤S404中，采用真空烧结的方式烧结，所述的烧结方式可以为常压烧 结、加压烧结、真空烧结等。烧结温度在1300-1600℃之间，使所压制成型的坯体致密化。在烧结工序中，由于镍将碳化硅粉末包覆起来，阻止了在高温下铁与SiC的反应，而镍相对比较稳定不易于SiC发生反应，防止了由于铁与SiC的反应带来的材料性能的下降。
以上是本具体实施方式中制备金属基复合材料的主要步骤，其它退火、淬火、加工等处理方式都是本领域常用的方式，在此不再赘述。
采用本具体实施方式制备的金属基复合材料，非金属颗粒作为增强相在基体中混合的更加均匀，得到的材料不仅重量低，并且弹性模量更高，更耐冲击和拉伸，并且与前述的具体实施方式相比，本具体实施方式中采用镍包覆SiC粉末与铁粉混合，压制，烧结，可以保证后混料更加均匀，使以SiC为例的非金属颗粒更加均匀地弥散于铁镍合金基体中，增强所得复合材料的弹性模量和韧性。并且镍将碳化硅粉末包覆起来，阻止了在高温下铁与SiC的反应，而镍相对比较稳定不易于SiC发生反应，防止了由于铁与SiC的反应带来的材料性能的下降，更加增强了材料的性能，而采用上述的粉末冶金方法制备材料和蒸镀掩膜板，更加节省原材料，降低成本。
采用本实施方式制备出的蒸镀掩膜板重量轻，可以解决大尺寸掩膜板因重力导致的悬垂问题，不需要其他附加设备，并且采用粉末冶金法成型，节省原料，降低成本。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (34)

1.一种用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料，所述金属基复合材料包括基体和弥散于所述基体中的增强相，其中，所述基体为铁镍合金，所述增强相为非金属颗粒，所述非金属颗粒在基体中的体积比为20-50vol%。
2.如权利要求1所述的用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料，所述铁镍合金中镍含量为30%-36wt%。
3.如权利要求1所述的用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料，所述铁镍合金中镍含量为35.4wt%。
4.如权利要求1所述的用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料，所述非金属颗粒在基体中的体积比为50vol%。
5.如权利要求1-所述的用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料，其特征在于，所述非金属颗粒为选自SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒中的任一种。
6.如权利要求1所述的用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料，所述非金属颗粒的直径在1-30μm之间。
7.一种用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料的制备方法，包括以下步骤：将作为增强相的非金属颗粒弥散在铁镍合金中，形成颗粒增强金属基复合材料，所述非金属颗粒在所述铁镍合金中的体积比为20-50vol%。
8.如权利要求7所述的用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料的制备方法，所述将作为增强相的非金属颗粒弥散在铁镍合金中的方法包括：在1390～1520℃的温度下熔融所述铁镍合金，在真空感应炉或电弧炉中采用磁力搅拌的方式将非金属颗粒均匀弥散在熔融的铁镍合金中，然后将搅拌均匀的材料浇铸成型，得到颗粒增强金属基复合材料。
9.如权利要求7所述的用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料的制备方法，所述将作为增强的非金属颗粒弥散在铁镍合金中的步骤包括：在常温下将铁粉、镍粉或者铁镍预合金粉和非金属颗粒采用高能球磨机均匀混合，将混合后的粉末压制成型，将压制成型的样品在1390～1520℃的温度下烧结致密，得到颗粒增强金属基复合材料。
10.如权利要求5所述的用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料的制备方法，所述将作为增强的非金属颗粒弥散在铁镍合金中的步骤包括：采用高压氢还原法 制备镍包覆所述非金属颗粒的复合粉末，在常温下将所述镍包覆所述非金属颗粒的复合粉末和铁粉采用高能球磨机均匀混合，将混合后的粉末压制成型，将压制成型的样品在1390～1520℃的温度下烧结致密，得到颗粒增强金属基复合材料。
11.如权利要求7-10中任一所述用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料的制备方法，其中使所述铁镍合金中镍含量为30%-36wt%。
12.如权利要求11中所述用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料的制备方法，其中使所述铁镍合金中镍含量为35.4wt%。
13.如权利要求7-10中任一所述用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料的制备方法，其特征在于，使所述非金属颗粒在基体中的体积比为50vol%。
14.如权利要求7-10中任一所述用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料的制备方法，其中所述非金属颗粒选自SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒中的任一种。
15.如权利要求7-10中任一所述用于蒸镀掩膜板的金属基复合材料的制备方法，其中所述非金属颗粒的直径在1-30μm之间。
16.一种蒸镀掩膜板，其特征在于，该蒸镀掩膜板所采用的材料为权利要求1-6中的任一项所述的金属基复合材料。
17.一种蒸镀掩膜板的制备方法，采用权利要求8中的金属基复合材料的制备方法得到铸件，然后将铸件采用机加工的方式制成蒸镀掩膜板。
18.如权利要求17所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中使所述铁镍合金中镍含量为30%-36wt%。
19.如权利要求18所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中使所述铁镍合金中镍含量为35.4wt%。
20.如权利要求17所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中使所述非金属颗粒在基体中的体积比为50vol%。
21.如权利要求17所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中所述非金属颗粒为选自SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒中的任一种。
22.如权利要求17所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中所述非金属颗粒的直径在1-30μm之间。
23.一种蒸镀掩膜板的制备方法，该方法包括：在常温下将铁粉、镍粉或者铁镍预合金粉和非金属颗粒采用高能球磨机均匀混合，将混合后的粉末在蒸镀 掩膜板的模具中压制成型，将压制成型的样品在1390～1520℃的温度下烧结致密，得到蒸镀掩膜板，在所述蒸镀掩膜板中，非金属颗粒作为增强相，铁镍合金作为基体。
24.如权利要求23所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中使所述铁镍合金中镍含量为30%-36wt%。
25.如权利要求24所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中使所述铁镍合金中镍含量为35.4wt%。
26.如权利要求23所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中使所述非金属颗粒在基体中的体积比为50vol%。
27.如权利要求23所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中所述非金属颗粒为选自SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒中的任一种。
28.如权利要求23所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中所述非金属颗粒的直径在1-30μm之间。
29.一种蒸镀掩膜板的制备方法，包括：采用高压氢还原法制备镍包覆所述非金属颗粒的复合粉末，在常温下将所述镍包覆所述非金属颗粒的复合粉末和铁粉采用高能球磨机均匀混合，将混合后的粉末在蒸镀掩膜板的模具中压制成型，将压制成型的样品在1390～1520℃的温度下烧结致密，得到蒸镀掩膜板，在所述蒸镀掩膜板中，非金属颗粒作为增强相，铁镍合金作为基体。
30.如权利要求29所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中使所述铁镍合金中镍含量为30%-36wt%。
31.如权利要求29所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中使所述铁镍合金中镍含量为35.4wt%。
32.如权利要求20所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中使所述非金属颗粒在基体中的体积比为50vol%。
33.如权利要求29所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中所述非金属颗粒为选自SiC颗粒、Al2O3颗粒、AlN颗粒中的任一种。
34.如权利要求29所述的蒸镀掩膜板的制备方法，其中，所述非金属颗粒的直径在1-30μm之间。
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