CN111158211A - 掩膜板的制备方法、显示基板的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种掩膜板的制备方法、显示基板的制备方法，属于掩膜板制备技术领域。本发明的掩膜板的制备方法，包括：形成图案化的过渡掩膜板；通过预设工艺对所述过渡掩膜板的部分位置施加预应力；对所述过渡掩膜板执行张网操作，以形成最终掩膜板。

Description

掩膜板的制备方法、显示基板的制备方法
技术领域
本发明属于掩膜板制备技术领域，具体涉及一种掩膜板的制备方法、显示基板的制备方法。
背景技术
现有的显示面板的制备过程中，多个步骤都需要用到掩膜板(Mask)。例如，在AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode；有源矩阵有机发光二极体面板)薄膜封装技术中，会采用金属Mask对无机封装层进行图案化。由于金属Mask在重力作用下会有下垂现象，需要张网时被拉平，金属Mask中各处均存在下垂和拉平两种变形作用。其中，凸出的开口(Notch)处的变形量至关重要，但是目前的金属Mask在张网后，不同位置的Notch处仍会出现下垂或者上翘等情况。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种能够提高掩膜板平整度的掩膜板的制备方法。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种掩膜板的制备方法，包括：
形成图案化的过渡掩膜板；
通过预设工艺对所述过渡掩膜板的部分位置施加预应力；
对所述过渡掩膜板执行张网操作，以形成最终掩膜板。
优选的，所述预设工艺包括感应淬火、激光淬火、喷丸工艺中的至少一者。
优选的，所述预设工艺包括感应淬火；所述通过预设工艺对所述过渡掩膜板的部分位置施加预应力，形成最终掩膜板的步骤包括：
利用涡流，将所述过渡掩膜板加热至预设温度；
通过氮气冷去工艺对所述过渡掩膜板的部分位置施加预应力，使冷却后的所述过渡掩膜板形成最终掩膜板。
优选的，所述预设工艺包括喷丸工艺；在形成所述最终掩膜板之后，还包括：对所述最终掩膜板进行张网操作。
优选的，所述预设工艺包括喷丸工艺；所述通过预设工艺对所述过渡掩膜板的部分位置施加预应力，形成最终掩膜板的步骤包括：
通过气流加速小球撞击所述过渡掩膜板的部分位置，以对所述过渡掩膜板的部分位置施加预应力，形成最终掩膜板。
优选的，所述形成图案化的过渡掩膜板的步骤包括：
在基板上形成金属材料层；通过刻蚀工艺对掩膜板基材进行刻蚀，以形成图案化的过渡掩膜板。
优选的，所述预应力的数值范围包括：5MPa至20MPa。
进一步优选的，所述预应力包括10MPa。
优选的，所述掩膜板包括金属掩膜板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板的制备方法，包括：
利用掩膜板在基底上形成图案化的膜层；所述掩膜板根据上述任意一种掩膜板的制备方法制备形成。
附图说明
图1为本发明的实施例1的掩膜板的制备方法的流程图；
图2为本发明的实施例2的掩膜板的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
如图1所示，本实施例提供一种掩膜板的制备方法，用于制备掩膜板。该制备方法可包括以下步骤：S11、形成图案化的过渡掩膜板；S12、通过预设工艺对过渡掩膜板的部分位置施加预应力；和S13、对过渡掩膜板执行张网操作，以形成最终掩膜板。
掩膜板为图案化的板材，随着现有技术中掩膜板图案复杂程度的提升，掩膜板的部分开口处即使在张网操作以后也仍可能会发生下垂或者上翘现象。本实施例提供的制备方法，则特别适用于上述掩膜板。其中，过渡掩膜板指已经图案化，而未进行张网操作的掩膜板。本实施例提供的制备方法中，通过对过渡掩膜板的部分位置施加一定的预应力，从而使最终形成的最终掩模版整体能够保持平整。
可以理解的是，过渡掩膜板的施加预应力的部分位置指现有技术中掩膜板在张网操作后容易产生形变的地方，例如不规则显示面板的Notch处。
其中需要说明的是，本实施例提供的制备方法中，根据对过渡掩模版施加预应力的方式不同(也即具体的预设工艺不同)，可在对过渡掩膜板进行张网操作之前或者之后对过渡掩模版施加预应力，以保证最终张网后的掩膜板是整体是平整的。
优选的，本实施例中，预设工艺可包括感应淬火、激光淬火、喷丸工艺中的至少一者。
其中可以理解的是，对过渡掩膜板施加的预应力不应过小，避免对掩膜板没有改进作用。同时，对过渡掩膜板施加的预应力也不应过大，避免掩膜板由原本的下垂变为上翘或者由上翘变为下垂。优选的，本实施例中，预应力的数值范围包括：5MPa至20MPa。根据多次实验数据表明，当不对过渡掩膜板进行预应力的施加处理时，张网后的过渡掩膜板的Notch处的下垂量可达到22微米。而对过渡掩膜板施加5MPa至20MPa的预应力后，张网后的过渡掩膜板的Notch处的下垂量会明显减小。进一步优选的，预应力包括10MPa。根据多次实验数据表明，过渡掩膜板施加10MPa的预应力后，张网后的过渡掩膜板的Notch处的下垂量可小于15微米，有效改善掩膜板的变形。
本实施例提供的制备方法优选用于制备金属掩膜板。现有技术中显示基板的制备中常用金属掩膜板，且金属掩膜板易发生形变，本实施例提供的制备方法能够有效缓解所形成的金属掩膜板的形变，从而提高显示基板中图案化膜层的制备良率。
实施例2：
如图2所示，本实施例提供一种掩膜板的制备方法，其与实施例1中提供的掩膜板的制备方法相似，特别的是，本实施例中，预设工艺具体为感应淬火工艺。为了对本实施例提供的制备方法进行更为清楚地说明，以下以制备金属掩膜板为例进行对制备方法进行详细描述，该制备方法具体可包括以下步骤：
S21、形成图案化的过渡掩膜板。
优选的，本步骤包括：在基板上形成金属材料层；通过刻蚀工艺对掩膜板基材进行刻蚀，以形成图案化的过渡掩膜板。
优选的，本步骤具体可包括：S211、基板预处理；首先对基板进行预处理，使得基板表面无杂质、油污、粗糙度低、具备催化活性中心，便于进行化学镀。其中，预处理可包括除油、化学刻蚀、敏化、活化等步骤，从而通过除油除去基板上的杂质和油污，通过化学刻蚀去除基板表面杂质、凸起等，通过敏化使得基板具备催化活性中心，通过活化使得催化中心被激活，进而加速基板表面金属材料(例如铁、镍离子)的沉积。S212、先在基板上沉积金属材料形成金属材料层；在基板上沉积金属材料层，制备金属掩膜板的基底。S213、然后使用激光干涉对沉积后的金属材料层进行图案化；使用激光干涉直接对金属材料层进行开口。可以使得开口的尺寸从纳米尺度到微米尺度的可控，且开口的密度可以做的很大。S214、脱模，得到图案化的过渡掩膜板。
S22、通过激光淬火工艺对过渡掩膜板的部分位置施加预应力。
其中，过渡掩膜板的部分位置指在正常张网后容易出现下垂或者上翘的位置(例如Notch处)。该部分位置可通过实际经验或者张网操作确定。
优选的，本步骤具体包括：S221、利用涡流，将过渡掩膜板加热至预设温度S222、通过快速冷却工艺对过渡掩膜板的部分位置施加预应力，使冷却后的过渡掩膜板形成最终掩膜板。
具体的，本实施例中，通过感应淬火工艺，利用涡流，可在毫秒时间内，将过渡掩膜板表层加热至100-1000摄氏度，再通过快速冷却工艺，实现对过渡掩膜板的部分位置施加预应力。其中，快速冷却工艺可包括吹入氮气冷却法。通过对快速冷去工艺的控制，可以控制对过渡掩膜板的施加的预应力的大小，从而满足实际的需要。
S23、对过渡掩膜板执行张网操作，以形成最终掩膜板。
本步骤中，具体可包括：将过渡掩膜板放置在掩膜框架上，通过拉伸实现对过渡掩膜板的张网操作，从而形成最终掩膜板。其中，在张网过程中，掩膜板的各处均存在下垂和拉平两种变形作用。一般情况下，部分位置(例如凸出的Notch处)会存在下垂和拉平两种变形作用。但是本实施例中，由于这些位置处仪预先被施加预应力，该预应力与下垂和拉平两种变形作用相反，可抵消，故从而可避免出现下垂或者上翘等情况。
在此需要说明的是，本实施例中通过感应淬火工艺对过渡掩膜板施加预应力，由于感应淬火工艺为无接触式加热方式，不会物理碰撞到过渡掩膜板，故施加预应力的步骤(也即步骤S22)可在张网步骤(也即步骤S23)之前或者之后均可进行。其中，当线执行张网步骤，再执行施加预应力的步骤时，施加预应力的位置(也即部分位置)可直接根据张网后的过渡掩膜板的形变位置确定。
实施例3：
本实施例提供一种实施例掩膜板的制备方法，其与实施例1中提供的掩膜板的制备方法相似，特别的是，本实施例中，预设工艺具体为喷丸工艺。为了对本实施例提供的制备方法进行更为清楚地说明，以下以制备金属掩膜板为例进行对制备方法进行详细描述，该制备方法具体可包括以下步骤：
S31、形成图案化的过渡掩膜板。
优选的，本步骤包括：在基板上形成金属材料层；通过刻蚀工艺对掩膜板基材进行刻蚀，以形成图案化的过渡掩膜板。
本步骤的具体工艺可参考现有技术或者实施例2，在此不再赘述。
S32、通过喷丸工艺对过渡掩膜板的部分位置施加预应力。
其中，过渡掩膜板的部分位置指在正常张网后容易出现下垂或者上翘的位置(例如Notch处)。该部分位置可通过以往实际经验或者张网操作确定。
具体的，本步骤中，可通过气流加速丸粒，使丸粒撞击过渡掩膜板的部分位置，从而对过渡掩膜板的部分位置施加预应力。其中，优选的丸粒可包括陶瓷小球。
本实施例中，可通过对气流速度的控制，实现对过渡掩膜板的施加的预应力大小的控制，从而满足实际的需要。
S33、对过渡掩膜板执行张网操作，以形成最终掩膜板。
本步骤中，具体可包括：将过渡掩膜板放置在掩膜框架上，通过拉伸实现对过渡掩膜板的张网操作，从而形成最终掩膜板。
在张网过程中，掩膜板的各处均存在下垂和拉平两种变形作用。一般情况下，部分位置(例如凸出的Notch处)会存在下垂和拉平两种变形作用。在本实施例提供的制备方法中，于步骤S22中先对上述位置处预先被施加预应力，该预应力与下垂和拉平两种变形作用相反，从而可与步骤S23中张网时的下垂和拉平作用相抵消，进而可避免张望后的过渡掩膜板(也即最终掩膜板)出现下垂或者上翘等情况，使最终掩膜板能够保持平整。
实施例4：
本实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：
利用实施例1或实施例2的制备方法制备形成的掩膜板在基底上形成图案化的膜层。
由于本实施例中是利用实施例1或实施例2的制备方法制备形成的掩膜板制备膜层，其中掩膜板较为平整，故所形成的膜层图案均匀，所制备的显示基板成品良率较高。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：
形成图案化的过渡掩膜板；
通过预设工艺对所述过渡掩膜板的部分位置施加预应力；
对所述过渡掩膜板执行张网操作，以形成最终掩膜板。
2.根据权利要求1所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述预设工艺包括感应淬火、激光淬火、喷丸工艺中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述预设工艺包括感应淬火；所述通过预设工艺对所述过渡掩膜板的部分位置施加预应力，形成最终掩膜板的步骤包括：
利用涡流，将所述过渡掩膜板加热至预设温度；
通过氮气冷去工艺对所述过渡掩膜板的部分位置施加预应力，使冷却后的所述过渡掩膜板形成最终掩膜板。
4.根据权利要求1所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述预设工艺包括喷丸工艺；在形成所述最终掩膜板之后，还包括：对所述最终掩膜板进行张网操作。
5.根据权利要求1所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述预设工艺包括喷丸工艺；所述通过预设工艺对所述过渡掩膜板的部分位置施加预应力，形成最终掩膜板的步骤包括：
通过气流加速小球撞击所述过渡掩膜板的部分位置，以对所述过渡掩膜板的部分位置施加预应力，形成最终掩膜板。
6.根据权利要求1所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述形成图案化的过渡掩膜板的步骤包括：
在基板上形成金属材料层；通过刻蚀工艺对掩膜板基材进行刻蚀，以形成图案化的过渡掩膜板。
7.根据权利要求1所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述预应力的数值范围包括：5MPa至20MPa。
8.根据权利要求7所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述预应力包括10MPa。
9.根据权利要求1所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述掩膜板包括金属掩膜板。
10.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
利用掩膜板在基底上形成图案化的膜层；所述掩膜板根据权利要求1至9中任意一项所述的掩膜板的制备方法制备形成。
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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GR01 Patent grant
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