TW201444939A - 作爲暫時黏合膠黏劑之熱固化聚矽氧組成物 - Google Patents

作爲暫時黏合膠黏劑之熱固化聚矽氧組成物 Download PDF

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Abstract

在各實施例中提供聚矽氧型儲存穩定暫時黏合膠黏劑組成物。儲存穩定TBA組成物是由將下列者組合(例如，混合或摻合)而形成：烯基官能矽氧烷聚合物、顆粒大小低於一微米之烯基官能填充劑、含SiH之交聯劑、矽氫化催化劑和固化抑製劑，其中固化抑製劑和矽氫化催化劑的莫耳比大於40/1且小於500/1。所得到的TBA組成物可為整體(one-part)組成物。TBA組成物可用於各種應用，包括3D晶片整合、封裝應用、半導體裝置、射頻識別標籤、晶片卡、高密度記憶體裝置和微電子裝置。

Description

作為暫時黏合膠黏劑之熱固化聚矽氧組成物
本發明關於用於暫時黏合應用之新穎聚矽氧型儲存穩定暫時黏合膠黏劑(TBA)。儲存穩定TBA組成物是由將下列者組合(例如，混合或摻合)而形成：烯基官能矽氧烷聚合物、顆粒大小低於一微米之烯基官能填充劑、含SiH之交聯劑、矽氫化催化劑和固化抑製劑，其中固化抑製劑和矽氫化催化劑的莫耳比大於40/1且小於500/1。所得到的TBA組成物可為整體(one-part)組成物。TBA組成物可用於各種應用，包括3D晶片整合、封裝應用、半導體裝置、射頻識別標籤、晶片卡、高密度記憶體裝置和微電子裝置。
【發明詳述】
根據本發明的實施例，聚矽氧型儲存穩定TBA組成物係由將下列者組合(例如，混合或摻合)而形成：(a)烯基官能矽氧烷聚合物、(b)顆粒大小小於一微米(μm)之烯基官能填充劑、(c)含SiH之交聯劑、(d)矽氫化催化劑及(e)固化抑制劑，其中固化抑製劑和矽氫化催化劑的莫耳比大於40/1且小於500/1。所得到的聚矽氧型儲存穩定TBA組成物展現各種有利特性。所得到的儲存穩定TBA組成物可為整體組成物。儘管本發明易於進行各種修改和替代形式，具體實施例已在本文以實例的方式描述，並且本發明並不意圖侷限於所揭露的特定形式。更確切地說，本發明意圖涵蓋落在本發明的精神和範疇內之所有修改、等同物和替代物。
本文描述之聚矽氧型儲存穩定TBA組成物具有用於後處理步驟之良好機械性質。TBA可塗覆在基材上形成薄膜。薄膜可藉由加熱而固化形成交聯且不發黏之薄膜。其使TBA組成物置於對使用者更友善之形式而用於其終端使用之應用，例如，但不限於3D晶片整合、封裝應用、半 導體裝置、射頻識別標籤、晶片卡、高密度記憶體裝置和微電子裝置。
組分(a)
用於本文詳述之實施例的烯基官能矽氧烷聚合物(組分(a))是烯基聚矽氧有機聚矽氧烷流體。在一些實施例中，烯基官能矽氧烷聚合物是具有下列通式之烯基官能聚矽氧烷流體：
或者 其中R1是烯基，包括但不限於H2C=CH-、H2C=CHCH2-、H2C=C(CH3)CH2-、H2C=CHCH2CH2-、H2C=CHCH2CH2CH2-及H2C=CHCH2CH2CH2CH2-；R2為烷基或芳基，包括但不限於甲基、乙基、丙基、丁基、苯基及萘基；x及y為二結構單元之莫耳比，1x0、1y0且x+y=1；1o>0,1>p0且o+p=1；及m為重複單元的數目，其中m是一整數，其為1或更大。該烯基官能聚矽氧烷流體的實例為：CH2=CH-SiMe2-(OSiMe2)m-OSiMe2-CH=CH2，其中m1，Me為甲基及CH2=CH-SiMe2-(OSiMePh)m-OSiMe2-CH=CH2，其中m1，Ph為苯基。
合適的烯基官能矽氧烷聚合物的一非限制性實例為乙烯基封端之聚二甲矽氧烷聚合物流體，其中聚合度(DP)是500。
組分(b)
用於本文詳述之實施例的烯基官能填充劑(組分(b))具有小 於一微米(μm)之顆粒大小。在一些實施例中，烯基官能填充劑為乙烯基官能聚矽氧樹脂。在其他實施例中，烯基官能填充劑為乙烯基官能二氧化矽。在仍進一步實施例中，烯基官能填充劑是，例如，乙烯基官能膠體二氧化矽，乙烯基官能奈米粒子或乙烯基MQ樹脂。縮寫MQ當其關於聚矽氧樹脂時，係衍生自符號M、D、T及Q，其各自代表可存在於含有藉由Si--O--Si鍵接合之矽氧烷單元的聚矽氧樹脂之不同類型的結構單元的官能性。單官能(M)單元代表(CH3)3SiO1/2。雙官能(D)單元代表(CH3)2SiO2/2。三官能(T)單元代表CH3SiO3/2及導致形成分枝線型矽氧烷。四官能(Q)單元代表SiO4/2其導致形成樹脂化聚矽氧組成物。
當烯基官能填充劑為乙烯基MQ樹脂時，乙烯基MQ樹脂可具有下列結構單元：(Me3SiO1/2)(R1Me2SiO1/2)(SiO4/2)，其中R1為烯基，包括但不限於H2C=CH-、H2C=CHCH2-、H2C=C(CH3)CH2-、H2C=CHCH2CH2-、H2C=CHCH2CH2CH2-及H2C=CHCH2CH2CH2CH2-。用於組分(b)之合適的烯基官能填充劑的一非限制性實例為乙烯基官能MQ樹脂，其中乙烯基含量wt%係在0.5至5.0之範圍。用於組分(b)之合適的烯基官能填充劑的另一非限制性實例為乙烯基-官能化寡聚聚矽氧樹脂。
組分(c)
用於本文詳述之實施例的組分(c)為含SiH之交聯劑。在一些實施例中，含SiH之交聯劑具有下列通式：
或者 其中R2為烷基或芳基，包括但不限於甲基、乙基、丙基、丁基及苯基；x及y為二結構單元之莫耳比，1x0、1y0及x+y=1；1o>0,1>p0且o+p=1；及m為重複單元的數目，其中m是一整數，其為1或更大。合適的含SiH之交聯劑的一非限制性實例為具有MD3DH 5M結構之SiH交聯劑。合適的用於組分(c)的含SiH之交聯劑的另一非限制性實例為Si-H官能寡聚聚矽氧樹脂。
組分(d)
用於本文詳述之實施例的矽氫化催化劑(組分(d))為過渡金屬催化劑，包括但不限於鉑催化劑及銠催化劑。合適的鉑催化劑的一非限制性實例為鉑-二乙烯基-四甲基二矽氧烷催化劑。亦可使用其他的合適催化劑，包括但不限於揭露於PCT公開案第WO2012/118700號者。催化劑可作為單一催化劑物種或作為二或多種不同物種的混合物被添加。
組分(e)
用於本文詳述之實施例的固化抑制劑(組分(e))為有機化合物。固化抑制劑能夠與催化劑互相作用以延緩催化反應的引發。在一些實施例中，固化抑制劑為順丁烯二酸化合物。順丁烯二酸化合物具有下列通式： 順式R-OOC-CH=CH-COOR，其中R為有機基。在一些實施例中，固化抑制劑為順丁烯二酸二烯丙酯。在仍進一步實施例中，該固化抑製劑可包括各種矽氫化抑製劑，諸如但不限於炔醇、含磷化合物、含氮化合物及含硫化合物。合適的固化抑制劑的進一步非限制性實例包括乙炔基環己醇、順丁烯二酸雙-2-甲氧基-1-甲基乙酯及N,N,N’,N’-四甲基乙二胺。一般而言，存在於聚矽氧型TBA組成物之固化抑制劑的重量百分比係低於1%。預期固化抑制劑的重量百分比隨各抑制劑具有不同分子量而變化。
固化抑制劑及矽氫化催化劑的莫耳比([固化抑制劑]/[催化劑])係大於40/1且小於500/1。在仍進一步實施例中，固化抑制劑及矽氫化催化劑的莫耳比係在100/1至300/1的範圍。
當烯基官能填充劑為乙烯基(Vi)官能聚矽氧樹脂時，存在於膠黏劑中的SiH/Vi([含SiH之交聯劑]/[烯基官能填充劑])的莫耳比係在約0.8至約3.0的範圍。在仍進一步實施例中，在膠黏劑中的SiH/Vi的莫耳比係在約1.0至約2.0的範圍。
可選組分
一或多個額外的可選組分可被包括在儲存穩定TBA組成物中。這些額外的可選組分包括但不限於其他如滑石、二氧化矽及碳酸鈣之填充劑、穩定劑、吸收劑、顏料、塑化劑、用於提高膠黏之添加劑、凝膠劑中常規使用之流體或其他材料、膠凝劑、聚矽氧流體、聚矽氧蠟、聚矽氧聚醚、表面活性劑及流變修飾劑如增稠劑或觸變劑。
製程
藉由任何導致反應物之混合或摻合的合適技術使組分(a)-(e)及任何可選的額外組分混合或摻合。本發明之聚矽氧型TBA組成物係儲存穩定的。其可在室溫下儲存2週以上及在5℃下儲存3個月以上及展現優異的儲放壽命性質。
本發明之聚矽氧型TBA組成物可以整體組成物儲存。因此，其可由終端使用者直接從儲架取得及不需混合及/或脫氣下使用。本發明之聚矽氧型TBA組成物在低於100℃的溫度下有大於1分鐘之凝膠前時間。凝膠前時間是從t=0開始至TBA在特定的溫度下烘烤後TBA的表面仍發黏且傾斜時不可流動、但在輕微的壓力下可流動的時間之時間。有具有長凝膠前時間之TBA調配物對於在暫時黏合室成功暫時黏合是理想的。
本發明之聚矽氧型TBA組成物是有利的，因為其為無溶劑的。換句話說，「無溶劑」即本發明之聚矽氧型TBA組成物於各種組分((a)烯基官能矽氧烷聚合物、(b)烯基官能填充劑、(c)含SiH之交聯劑、(d)矽氫化催化劑及(e)固化抑制劑)被組合以形成聚矽氧型TBA組成物時不需要溶劑。這節省了，例如，材料、製程步驟及用於操控溶劑之設備，以及使本發明之聚矽氧型TBA組成物對環境友好，因為其可以使用更少的化學品及更少的處理步驟來形成。
可選地，一旦本發明之聚矽氧型TBA組成物被配製(即，藉由無溶劑組合組分(a)-(e)以形成聚矽氧型TBA)，其可用有機溶劑或有機溶劑之混合物進行稀釋以形成溶劑型TBA。在這種情況下，聚矽氧型TBA組成物是溶劑型組成物，其進一步包含有機溶劑或有機溶劑之混合物以形成溶劑型組成物。這在例如當較薄的膠黏劑薄膜是所欲的或需要其用於後處理 步驟或聚矽氧型TBA組成物的所欲的終端使用的情況下可為理想的。合適的有機溶劑的非限制性實例包括乙酸丁酯、丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)、甲基異丁基酮(MIBK)、二甲苯、均三甲苯、環己酮及2-庚酮。
一旦將組分組合形成聚矽氧TBA組成物，可採用製程將TBA組成物處理成終端使用者更所欲的形式。本文描述之儲存穩定TBA組成物具有用於後處理步驟之良好機械性質。
可將暫時黏合組成物塗覆在基材(包括但不限於矽、玻璃、SiC、金屬晶圓或平板等)上在基材形成薄膜。該塗層可藉由旋轉塗覆、噴塗、流動塗覆或其他合適的塗覆方法施加。旋轉塗覆提供厚度控制，簡單及快速的處理。當使用旋轉塗覆時，暫時黏合組成物可塗覆至從約1微米(μm)至約500μm之薄膜厚度。在替代性實施例中，得自旋轉塗覆之薄膜厚度可從約10μm至約200μm或從約20μm至約100μm。
可採用熱製程將薄膜固化形成不發黏且交聯之薄膜。可將本文描述之聚矽氧TBA組成物在高於80℃之溫度下快速固化形成交聯薄膜。在替代性實施例中，溫度係高於100℃。在這些溫度下，可將本文描述之聚矽氧TBA組成物在數分鐘內(一般在5分鐘內)固化。對於如下所討論的最終端使用而言，快速固化性質可將聚矽氧TBA組成物置於對使用者更友善的形式。
一暫時黏合結構的示意圖顯示於圖1a中。基材或裝置晶圓104(如下所述)係塗覆有釋放層103以形成塗覆釋放層之基材(或塗覆釋放層之裝置晶圓)。載體晶圓101係以TBA薄膜102的形式塗覆有本發明之TBA組成物(如本文所述)形成塗覆之載體晶圓基材(亦稱為塗覆膠黏劑之載體晶 圓)。隨後，塗覆釋放層之基材(塗覆有釋放層103之基材104)與塗覆之載體晶圓基材(塗覆有本發明之TBA組成物102之載體晶圓101)黏合形成黏合晶圓對(亦稱為黏合晶圓系統)。
藉由替代性處理技術形成之替代性暫時黏合結構的示意圖顯示於圖1b。替代地，基材或裝置晶圓104'首先以釋放層103'塗覆。然後將呈TBA薄膜102’之形式的本發明TBA組成物(如本文所述)塗覆至釋放層103’上以形成TBA層結構(亦稱為塗覆膠黏劑/釋放之裝置晶圓)。然後將載體晶圓101’放在形成的TBA層結構上以形成黏合晶圓對(亦稱為黏合晶圓系統)。藉由使TBA層102’熱固化將晶圓對黏合以形成如圖1b所示之黏合晶圓對。然後使黏合晶圓對接受晶圓薄化及其他下面詳述之製程。
根據本揭露之其他態樣，提供釋放層作為黏合系統的一部分，其中釋放層是由選自倍半矽氧烷型樹脂及熱塑性材料如熱塑性樹脂之材料形成。合適的熱塑性材料包括但不限於聚碸、聚醯亞胺及聚醚酮等等，其可溶解在各種溶劑中，例如但不限於N-甲基吡咯啶酮及N,N-二甲基乙醯胺。合適釋放層材料的一非限制性實例是描述在PCT公開案第WO2012/118700號中。設想該釋放層能經受最高至約180℃之暴露，而無實質交聯發生。
根據本揭露之另一態樣，使用TBA及釋放層以在裝置晶圓或基材及一載體晶圓之間提供暫時黏合以執行至少一個晶圓處理操作以形成經處理晶圓或經處理晶圓系統、將晶圓剝離及隨後清洗經處理裝置晶圓的方法。此方法通常包含提供裝置晶圓及載體晶圓用於後續塗覆。將釋放層塗覆到裝置晶圓表面以形成塗覆釋放層之裝置晶圓。可使用本領域技術 人員已知的常規技術塗覆釋放層，包括但不限於旋轉塗覆、噴塗、流動塗覆及類似者。類似地，使用常規技術將TBA塗覆到載體晶圓表面上以形成塗覆膠黏劑之晶圓，具有從約1微米至約500微米之薄膜厚度。可將塗覆膠黏劑之晶圓在約40至約80℃的範圍之溫度下預烘烤，以將膠黏劑熱固化。替代地，當可欲時，可以使用約90至約110℃的溫度範圍。塗覆釋放層之裝置晶圓可在約80至約180℃的溫度範圍下預烘烤。
然後藉由使TBA與釋放層接觸放置將塗覆膠黏劑之載體晶圓及塗覆釋放層之裝置晶圓黏合在一起以形成黏合晶圓系統。藉由在真空烘箱中在預定的減壓及溫度級別下或在常規烘箱中在較高的溫度下固化將經塗覆晶圓黏合。
在黏合的晶圓系統中，該載體晶圓提供裝置晶圓必要支撐以便後續將執行的操作或製程，如晶圓磨光等等。還是參照圖1a及1b，在裝置晶圓上執行晶圓處理。一旦裝置晶圓經處理成非常薄的晶圓，當所欲時，額外的製程，如穿透矽通孔(TSV)，可能會在經處理晶圓系統上可選地執行。
可藉由利用鋒利的刀(如刀片)在釋放層及膠黏劑之間的界面邊緣發起壓痕作用使經處理晶圓系統被機械剝離。從TBA的釋放層的分離導致至薄的經處理晶圓的形成。在黏合的晶圓系統中，膠黏劑層是用於支撐裝置晶圓。當磨光及任何後續處理完成時，釋放層是用來促進經處理晶圓系統中的剝離。
可選地，為了在被剝離及清潔後操控及使用薄的經處理裝置晶圓，可將經處理裝置晶圓的背側表面層疊或永久地黏合至切割帶。經處理裝置晶圓的背側表面係定義為晶圓不與釋放層或膠黏劑接觸的一側。至 切割帶之層疊或黏合可在將經處理晶圓系統暴露至剝離及清潔步驟之前執行。
經處理裝置晶圓可然後暴露至作為表面清潔劑之有機溶劑。可藉由將溶劑噴到經處理裝置晶圓或藉由將經處理裝置晶圓中浸漬在有機溶劑中使釋放層或其任何殘留物從經處理裝置晶圓移除，其中釋放層是可溶的。有機溶劑亦清潔釋放層塗覆其上之晶圓表面。可使用任何有機溶劑清潔經處理裝置晶圓只要該溶劑能夠溶解釋放層及可滿足任何必要的法規要求。有機溶劑的一些實例包括但不限於甲苯、二甲苯、均三甲苯、丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)和乙酸丁酯。
本領域技術人員將會理解在黏合至未塗覆之載體晶圓或另一塗覆釋放層之載體晶圓之前，可修改該方法以允許膠黏劑施加至塗覆釋放層之裝置晶圓。隨後的黏合製程及其他製程應該是類似的。
本發明之聚矽氧TBA組成物可用於各種應用，包括但不限於3D晶片整合、封裝應用、發光二極體(LED)、奈米壓模微影術(NIL)、微圖案化及奈米圖案化以形成圖案化自撐薄膜等。本發明之TBA亦可用於其中製造商需要限制裝置及晶圓的厚度之半導體裝置，因為本發明之膠黏劑滿足這樣的半導體產品及製程相關的製造挑戰。更具體而言，本發明之TBA亦可用在要求基材越來越薄之不同產品，例如但不限於射頻識別(RFID)標籤、尖端晶片卡、高密度記憶體裝置、微電子裝置、暫時晶圓黏合應用及適用於各種產品之先進封裝技術，產品範圍從邏輯至記憶體至圖像感測器。
而超薄矽晶圓，如該等厚度範圍在20μm至100μm者，展現出更大的可撓性，該晶圓亦展現出增加的不穩定性及易碎性。缺乏機械 完整性及增加易碎性可存在在批量製造環境維持高產率生產及提供高級別的晶圓所需數據處理速度之挑戰。因此，在半導體生產期間操控這些晶圓及其他裝置需要專門設計避免晶圓被損壞之製程及材料。
需要可靠的薄晶圓支撐及操控解決方案以克服上述挑戰，其必須能夠安全、可靠地操控基材通過背減薄及背側處理，同時與現有的設備生產線及製程相容。使用利用載體晶圓以提供機械支撐之暫時黏合及剝離技術提供一超薄晶圓的操控解決方案。剝離可包括例如利用鋒利的刀(如刀片或剝離引發劑)在膠黏劑及釋放層之間的界面邊緣發起壓痕作用的機械剝離技術。一旦裝置晶圓被暫時黏合至載體晶圓，其已準備好用於背側處理包括背減薄，穿透矽通孔成形等。經處理晶圓的背側表面是晶圓不與膠黏劑或釋放層接觸的一側。在背側表面上完成背側處理步驟後，可將裝置晶圓自載體晶圓剝離或釋放及進行最後的封裝製程。本發明之TBA在超薄矽晶圓應用特別有用，因為本發明之TBA提供超薄矽晶圓機械支撐。
實例
這些實例旨在對本領域普通技術人員說明本發明，並且不應被解釋為限制本發明於申請專利範圍闡述之範疇。實例中的所有部分及百分率是按重量計及所有測量均指明在約23℃下，除非另有相反指明。
機械性質測試
將具有約20密耳(0.508μm)之厚度的固化覆蓋薄膜用金屬切割機切成三個狗骨型樣本。狗骨的尺寸為62mm(長度)×15mm(寬端寬度)×4mm(中間寬度)。然後將狗骨放在MTS機器上，其中可得到應力-應變曲線。最終的數據是三次測定的平均值。
實例1-4：TBA層材料之製備
使含有不同量的乙烯基官能MQ樹脂之四調配物如表A所列製備。在實例1-4的每個樣品含有(a)乙烯基封端聚二甲矽氧烷聚合物流體(DP=500)(烯基官能矽氧烷聚合物)；(b)乙烯基官能MQ樹脂(Vi重量百分比約3.0%)(烯基官能填充劑)；(c)SiH交聯劑流體，具有MD3DH 5M(含SiH之交聯劑)之結構；(d)鉑-二乙烯基-四甲基二矽氧烷催化劑(CAS# 68478-92-2)(矽氫化催化劑)；及(e)順丁烯二酸二烯丙酯(固化抑制劑)。實例1-4之各SiH/Vi之莫耳比為約2.0。實例1-4之各順丁烯二酸二烯丙酯對鉑之莫耳比為80。
當摻合時，4個樣品(實例1-4)的每一個是在夾在兩個不銹鋼板之間的模具在150℃維持5分鐘固化。測試膠黏劑在固化時的硬度及機械性質。四個樣品的結果都顯示於表B。所製備的調配物提供在高溫度下很好的加工時間及可控固化速率。
在特定調配物負載愈多填充劑，所得材料的硬度及彈性模量愈高。在另一方面，隨著填充劑增加伸長率下降如圖2所示。實例1-4之具有不同填充劑負載量之固化聚二甲矽氧烷型TBA的應變-應力曲線係顯示於圖2。
實例5-12：儲放壽命及凝膠前時間結果
製備含有不同固化抑制劑對鉑催化劑莫耳比的四個整體TBA調配物。實例5-8中的各樣品含有(a)乙烯基封端聚二甲矽氧烷聚合物流體(DP=500)(烯基官能矽氧烷聚合物)；(b)乙烯基官能MQ樹脂(Vi重量百分比約3.0%)(烯基官能填充劑)；(c)SiH交聯劑流體，其具有MD3DH 5M)(含SiH之交聯劑)之結構；(d)鉑-二乙烯基-四甲基二矽氧烷催化劑(CAS# 68478-92-2)(矽氫化催化劑)；及(e)順丁烯二酸二烯丙酯(固化抑制劑)。MQ樹脂在實例5-8中的各實例的量為30.0重量百分比。實例5-8中的各實例的SiH/Vi莫耳比為約2.0。實例5-8中的各實例的鉑量為40ppm。在室溫(23℃)及冷藏箱溫度(3-5℃)下皆使用黏度計監測各調配物的黏度變化。在實例5-8的四個樣品的每一者的順丁烯二酸二烯丙酯對鉑的莫耳比及黏度數據係顯示於表C。
在室溫(23℃)下的黏度結果於圖3圖形化例示說明。更具體 地說，圖3例示說明在實例5-8的4個樣品的每一者具有不同順丁烯二酸二烯丙酯對鉑之莫耳比([DAM]/[Pt]莫耳比)在23℃隨時間之黏度變化。
發現增加順丁烯二酸二烯丙酯對鉑之莫耳比減緩對應調配物的黏度增加。此於圖3例示說明。然而，改良並非線性；例如，當[DAM]/[Pt]莫耳比係分別設定在40/1、60/1及80/1時，在23℃的儲存穩定度從約6小時改良為2天至6天。然而，當[DAM]/[Pt]莫耳比係調整至120/1時，觀察到調配物的儲放壽命顯著改良。此於圖3及4例示說明。更具體而言，圖4例示說明在40ppm的鉑催化劑級別下調配物的儲放壽命對[DAM]/[Pt]莫耳比的依賴度。
藉由增加[DAM]/[Pt]莫耳比而改良TBA的儲放壽命帶領至鉑濃度的探索。如表D所示，在固定120/1之[DAM]/[Pt]莫耳比及在其他相同調配物條件(30%的乙烯基官能MQ樹脂及約2.0的SiH/Vi莫耳比)下，與實例3之樣品相比實例9-12的鉑催化劑濃度分別從40ppm減少至20ppm、10ppm及5ppm。亦如表D所示，在不同調配物中對應的固化抑制劑(順丁烯二酸二烯丙酯)濃度亦減少。
考察調配物的固化性質。將薄的薄膜層(約100μm)撒至4"(100mm)矽晶圓上。然後將晶圓放在預熱烘箱或加熱板，及使用Q尖端根據液體膠黏劑層表面的膠黏性載入固化狀態。凝膠前時間係從t=0至當膠黏劑層的表面仍發黏及當傾斜時不可，但在輕微的壓力下可流動時之時間記錄。凝膠時間是其中膠黏劑層完全失去其流動及變得不發黏之點。
整體TBA材料的固化概況及凝膠前及凝膠時間值係如表E所示。
如表E所示，凝膠前時間隨對應鉑催化劑濃度的減少而增加。令人驚訝地，當在150℃加熱2分鐘時，該等調配物能被完全固化為薄膜，儘管其凝膠前時間長。
實例13-16：4"裸矽晶圓之黏合及剝離實例
製備16片4"(100mm)矽晶圓用於黏合及剝離測試。前8片晶圓係塗覆有如下所述之釋放材料之一。剩下8片晶圓係塗覆有如下所述 之膠黏劑材料之一。塗覆材料及固化條件概述如下：
‧釋放材料(製備8片晶圓)
- SSQ樹脂溶液
- 旋轉塗覆速率：2,000rpm
- 在130℃預烘烤1分鐘
- 塗覆厚度：150-200nm
‧膠黏劑材料(製備8片晶圓)
- 在樣品13-16的每一者，各膠黏劑材料(來自實例1-4)係塗覆在二片4"晶圓(2×4)上
- 塗覆厚度：約65μm在真空下執行黏合程序。在真空室將塗覆有釋放材料之晶圓放在塗覆膠黏劑層之晶圓頂部上。在真空下在96KPa(0.95atm)使各對晶圓黏合2分鐘。然後，從腔室釋放晶圓對。對於180℃固化，使晶圓對在加熱板上在180℃下加熱2分鐘(2×4對晶圓)。對於250℃固化，使四對上述晶圓在250℃下加熱1小時(4晶圓)。
執行剝離及評定。刀片被用作為剝離引發劑以使兩晶圓彼此手動分開。剝離的難易程度被評為標度1-5：
‧1-很容易分開(可能沒有足夠的附著力)
‧2-容易分開
‧3-剛好接受分開
‧4-難以分開
‧5-非常難以分開
剝離評估結果(在180℃及250℃下固化後之TBA的剝離等級)係列於表F中。
據觀察，該塗覆非常光滑(良好總厚度變化(TTV)：約3-4μm)。在剝離前，黏合晶圓對抓得很緊及當施加很強的切力時，沒有觀察到滑動或移動。實例13-16的4個調配物都容易剝離(等級2-3)。在180℃及250℃的剝離效果都很好，在這兩個溫度之間沒有觀察到顯著差異。實例13-16各調配物的剝離很乾淨且無殘餘物轉移至釋放層且反之亦然。剝離後，兩晶圓能被重新黏合在一起。當施加切力時，重新黏合之晶圓亦顯示無滑動或移動。此外，該晶圓能夠容易地被再次剝離。在黏合/剝離後，膠黏劑塗覆厚度保持不變(約65μm)。
實例17：12"(300mm)裸矽晶圓之黏合及剝離實例
以在乙酸丁酯之SSQ溶液將12"(300mm)裸晶圓在2000rpm/20秒下旋轉-塗覆。使裸晶圓在150℃下烘烤1分鐘。使來自實例3膠黏劑材料(黏度：4850cp；1000rpm/30秒)旋轉塗覆至12"矽載體晶圓上以形成90μm厚的膠黏劑層塗覆。然後使塗覆膠黏劑層之晶圓在80℃下預固化90 秒，接著在商用黏合室中使塗覆釋放層之裸晶圓落在塗覆膠黏劑之載體晶圓頂部上。使黏合對在150℃下固化3分鐘。在黏合晶圓對通過背磨光(裸晶圓藉此減薄至約100μm)後，減薄之晶圓對在室溫下以商用剝離器機械剝離。該剝離容易且乾淨及沒有膠黏劑層殘餘物轉移至在裸晶圓上的釋放層。然後藉由乙酸丁酯移除在裸晶圓上的釋放層。
實例18：12"(300mm)矽裝置晶圓之黏合及剝離實例
以在乙酸丁酯之SSQ溶液將具有65μm凸起高度之12"(300mm)裝置晶圓在2000rpm/20秒下旋轉-塗覆。使裝置晶圓在150℃下烘烤1分鐘。使來自實例3膠黏劑材料(黏度：4850cp；1000rpm/30秒)旋轉塗覆至12"矽載體晶圓上以形成92μm的膠黏劑層塗覆。然後使塗覆膠黏劑層之載體晶圓在80℃下預固化90秒，接著在商用黏合室中使塗覆釋放層之裝置晶圓落在塗覆膠黏劑之載體晶圓頂部上。使黏合對在150℃下固化3分鐘。在黏合晶圓通過背磨光(裝置晶圓藉此減薄至約100μm)後，減薄之晶圓對在室溫下以商用剝離器機械剝離。該剝離容易且乾淨及沒有膠黏劑層殘餘物轉移至在裝置晶圓上的釋放層。然後藉由乙酸丁酯移除在裝置晶圓上的釋放層。
替代性態樣
(1)聚矽氧型儲存穩定暫時黏合膠黏劑組成物，其至少包含：(a)烯基官能矽氧烷聚合物；(b)具有小於一微米之顆粒大小的烯基官能填充劑；(c)含SiH之交聯劑；(d)矽氫化催化劑；及(e)固化抑制劑，其中固化抑制劑及矽氫化催化劑的莫耳比係大於40/1且小於500/1。
(2)態樣1之膠黏劑組成物，其中烯基官能矽氧烷聚合物具 有下列通式：
或者 其中R1為烯基；R2為烷基或芳基；1x0,1y0及x+y=1；1o>0,1>p0且o+p=1；及m為一整數，其為1或更大。
(3)態樣1或態樣2之膠黏劑組成物，其中烯基官能矽氧烷聚合物為具有下列通式之乙烯基封端聚二甲矽氧烷流體：CH2=CH-SiMe2-(OSiMe2)m-OSiMe2-CH=CH2，其中m為1之整數。
(4)態樣1-3任一者之膠黏劑組成物，其中烯基官能填充劑為乙烯基官能聚矽氧樹脂或乙烯基官能二氧化矽。
(5)態樣1-4任一者之膠黏劑組成物，其中矽氫化催化劑為鉑催化劑或銠催化劑。
(6)態樣1-5任一者之膠黏劑組成物，其中固化抑制劑為順丁烯二酸化合物，其中順丁烯二酸化合物具有下列通式：順式R-OOC-CH=CH-COOR，其中R為有機基。
(7)態樣1-6任一者之膠黏劑組成物，其中含SiH之交聯劑具有下列通式：
或者 其中R2為烷基或芳基；1x0，1y0及x+y=1；1o>0，1>p0及o+p=1及m為一整數，其為1或更大。
(8)態樣1-7任一者之膠黏劑組成物，其中膠黏劑組成物係塗覆在基材上形成具有從約1微米至約500微米之厚度的薄膜及能在5分鐘內在高於80℃之溫度下被固化以形成交聯薄膜。
(9)聚矽氧型儲存穩定暫時黏合膠黏劑組成物，其包含：(a)乙烯基聚二甲矽氧烷流體；(b)乙烯基MQ樹脂；(c)SiH交聯劑；(d)鉑催化劑；及(e)順丁烯二酸化合物固化抑制劑，其中順丁烯二酸化合物固化抑制劑及鉑催化劑之莫耳比係大於40/1及小於500/1。
(10)前述態樣任一者之膠黏劑組成物，其中膠黏劑組成物為整體類型的組成物。
(11)前述態樣任一者之膠黏劑組成物，其中膠黏劑組成物為進一步包含有機溶劑或有機溶劑之混合物的溶劑型組成物以形成溶劑型組成物。
(12)可固化組成物，其包含前述態樣任一者之膠黏劑組成物。
(13)以態樣1至11任一者之膠黏劑組成物塗覆之半導體。
(14)製造製品的方法，其中該方法包含：(1)摻合(a)烯基官能矽氧烷聚合物；(b)具有小於一微米之顆粒大小的烯基官能填充劑；(c)含SiH之交聯劑；(d)矽氫化催化劑；及(e)固化抑制劑以產生暫時黏合膠黏劑調配物，其中固化抑制劑及矽氫化催化劑的莫耳比係大於40/1且小於500/1；(2)提供裝置晶圓及載體晶圓；(3)施加釋放層至裝置晶圓表面以形成塗覆釋放層之裝置晶圓；(4)施加暫時黏合膠黏劑至塗覆釋放層之裝置晶圓的釋放層上以形成塗覆膠黏劑之裝置晶圓，其薄膜厚度約從1微米至約500微米；(5)施加載體晶圓至暫時黏合膠黏劑上及然後使暫時黏合膠黏劑在高溫下固化以形成黏合晶圓系統；(6)在裝置晶圓上執行至少一項晶圓處理操作以形成經處理晶圓系統；(7)藉由在釋放層及暫時黏合膠黏劑之間引發分離而將經處理晶圓系統剝離以得到薄的經處理裝置晶圓；及(8)以有機溶劑清潔經處理裝置晶圓表面，其中有機溶劑能夠溶解釋放層。
(15)製造製品的方法，其中該方法包含：(1)摻合(a)烯基官能矽氧烷聚合物；(b)具有小於一微米之顆粒大小的烯基官能填充劑；(c)含SiH之交聯劑；(d)矽氫化催化劑；及(e)固化抑制劑以產生暫時黏合膠黏劑調配物，其中固化抑制劑及矽氫化催化劑的莫耳比係大於40/1且小於500/1；(2)提供裝置晶圓及載體晶圓；(3)施加釋放層至裝置晶圓表面以形成塗覆釋放層之裝置晶圓；(4)施加暫時黏合膠黏劑至載體晶圓表面以形成塗覆膠黏劑之載體晶圓，其薄膜厚度從約1微米至約500微米；(5)藉由將暫時黏合膠黏劑在高溫下固化將塗覆釋放層之裝置晶圓及塗覆膠黏劑之載體晶圓黏合在一起以形成黏合晶圓系統，其中暫時黏合膠黏劑係與釋放層接觸放置；(6)在裝置晶圓上執行至少一項晶圓處理操作以形成經處理晶圓系統；(7)藉由 在釋放層及暫時黏合膠黏劑之間引發分離而將經處理晶圓系統剝離以得到薄的經處理裝置晶圓；及(8)以有機溶劑清潔經處理裝置晶圓表面，其中有機溶劑能夠溶解釋放層。
儘管本發明易於進行各種修改和替代形式，具體實施例已在附圖中以實例的方式顯示且在本文中詳細地描述。然而應理解本發明並不意圖侷限於所揭露的特定形式。甚者，本發明涵蓋落在由所附申請專利範圍所限定之本發明的精神和範疇內的所有修改、等同物和替代物。
本發明的各種優點在閱讀下面的詳細說明並參照附圖將變得顯而易見。
圖1a和圖1b是根據本發明實施例之暫時黏合膠黏劑(TBA) 層和附加官能層的圖解。
圖2顯示某些固化聚二甲矽氧烷型暫時黏合膠黏劑(TBA)之應變-應力曲線。
圖3顯示某些TBA的黏度級別。
圖4顯示某些TBA的儲放壽命。
儘管本發明易於進行各種修改和替代形式，具體實施例已在附圖中以實例的方式顯示且將在本文中詳細地描述，並且本發明並不意圖侷限於所揭露的特定形式。
101‧‧‧載體晶圓
102‧‧‧TBA薄膜
103‧‧‧釋放層
104‧‧‧基材

Claims (15)

  1. 一種聚矽氧型儲存穩定暫時黏合膠黏劑組成物，其至少包含：a. 烯基官能矽氧烷聚合物；b. 具有小於一微米之顆粒大小的烯基官能填充劑；c. 含SiH之交聯劑；d. 矽氫化催化劑；以及e. 固化抑制劑，其中固化抑制劑及矽氫化催化劑的莫耳比係大於40/1及小於500/1。
  2. 如請求項1之膠黏劑組成物，其中烯基官能矽氧烷聚合物具有下列通式： 或者 其中R1為烯基；R2為烷基或芳基；1x0,1y0及x+y=1；1o>0,1>p0且o+p=1；及m為一整數，其為1或更大。
  3. 如請求項1或請求項2之膠黏劑組成物，其中烯基官能矽氧烷聚合物為具有下列通式之乙烯基封端聚二甲矽氧烷流體：CH2=CH-SiMe2-(OSiMe2)m-OSiMe2-CH=CH2，其中m為1之整數。
  4. 如請求項1至3中任一項之膠黏劑組成物，其中烯基官能填充劑為乙烯基官能聚矽氧樹脂或乙烯基官能二氧化矽。
  5. 如請求項1至4中任一項之膠黏劑組成物，其中矽氫化催化劑為鉑催化劑或銠催化劑。
  6. 如請求項1至5中任一項之膠黏劑組成物，其中固化抑制劑為順丁烯二酸化合物，其中順丁烯二酸化合物具有下列通式：順式R-OOC-CH=CH-COOR，其中R為有機基。
  7. 如請求項1至6中任一項之膠黏劑組成物，其中該含SiH之交聯劑具有下列通式： 或者 其中R2為烷基或芳基；1x0，1y0及x+y=1；1o>0,1>p0及o+p=1及m為一整數，其為1或更大。
  8. 如請求項1至7中任一項之膠黏劑組成物，其中膠黏劑組成物係塗覆在基材上形成具有從約1微米至約500微米之厚度的薄膜及能在5分鐘內在高於80℃之溫度下被固化以形成交聯薄膜。
  9. 一種聚矽氧型儲存穩定暫時黏合膠黏劑組成物，其包含：a. 乙烯基聚二甲矽氧烷流體；b. 乙烯基MQ樹脂；c. SiH交聯劑； d. 鉑催化劑；以及e. 順丁烯二酸化合物固化抑制劑，其中順丁烯二酸化合物固化抑制劑及鉑催化劑之莫耳比係大於40/1及小於500/1。
  10. 前述請求項中任一項之膠黏劑組成物，其中膠黏劑組成物為整體類型的組成物。
  11. 前述請求項中任一項之膠黏劑組成物，其中膠黏劑組成物為進一步包含有機溶劑或有機溶劑之混合物的溶劑型組成物以形成溶劑型組成物。
  12. 一種可固化組成物，其包含前述請求項中任一項之膠黏劑組成物。
  13. 一種以如請求項1至11中任一項之膠黏劑組成物塗覆之半導體。
  14. 一種製造製品的方法，其中該方法包含：(1)摻合a. 烯基官能矽氧烷聚合物；b. 具有小於一微米之顆粒大小的烯基官能填充劑；c. 含SiH之交聯劑；d. 矽氫化催化劑；以及e. 固化抑制劑，以產生暫時黏合膠黏劑調配物，其中固化抑制劑及矽氫化催化劑的莫耳比係大於40/1且小於500/1；(2)提供裝置晶圓及載體晶圓；(3)施加釋放層至裝置晶圓表面以形成塗覆釋放層之裝置晶圓；(4)施加暫時黏合膠黏劑至塗覆釋放層之裝置晶圓的釋放層上以形成 塗覆膠黏劑之裝置晶圓，其薄膜厚度約從1微米至約500微米；(5)施加載體晶圓至暫時黏合膠黏劑上及然後使暫時黏合膠黏劑在高溫下固化以形成黏合晶圓系統；(6)在裝置晶圓上執行至少一項晶圓處理操作以形成經處理晶圓系統；(7)藉由在釋放層及暫時黏合膠黏劑之間引發分離而將經處理晶圓系統剝離以得到薄的經處理裝置晶圓；以及(8)以有機溶劑清潔經處理裝置晶圓表面，其中有機溶劑能夠溶解釋放層。
  15. 一種製造製品的方法，其中該方法包含：(1)摻合a. 烯基官能矽氧烷聚合物；b. 具有小於一微米之顆粒大小的烯基官能填充劑；c. 含SiH之交聯劑；d. 矽氫化催化劑；以及e. 固化抑制劑，以產生暫時黏合膠黏劑調配物，其中固化抑制劑及矽氫化催化劑的莫耳比係大於40/1且小於500/1；(2)提供裝置晶圓及載體晶圓；(3)施加釋放層至裝置晶圓表面以形成塗覆釋放層之裝置晶圓；(4)施加暫時黏合膠黏劑至載體晶圓表面以形成塗覆膠黏劑之載體晶圓，其薄膜厚度從約1微米至約500微米；(5)藉由將暫時黏合膠黏劑在高溫下固化將塗覆釋放層之裝置晶圓及 塗覆膠黏劑之載體晶圓黏合在一起以形成黏合晶圓系統，其中暫時黏合膠黏劑係與釋放層接觸放置；(6)在裝置晶圓上執行至少一項晶圓處理操作以形成經處理晶圓系統；(7)藉由在釋放層及暫時黏合膠黏劑之間引發分離而將經處理晶圓系統剝離以得到薄的經處理裝置晶圓；以及(8)以有機溶劑清潔經處理裝置晶圓表面，其中有機溶劑能夠溶解釋放層。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI796486B (zh) * 2018-06-04 2023-03-21 日商信越化學工業股份有限公司 薄型基板之製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015084778A1 (en) 2013-12-05 2015-06-11 Honeywell International Inc. Stannous methansulfonate solution with adjusted ph
BR112016029690A2 (pt) 2014-07-07 2017-08-22 Honeywell Int Inc material de interface térmica, e componente eletrônico
GB2530388A (en) * 2014-07-25 2016-03-23 Dow Corning Fluoro-silicone compositions as temporary bonding adhesives field of the invention
US10287471B2 (en) 2014-12-05 2019-05-14 Honeywell International Inc. High performance thermal interface materials with low thermal impedance
EP3297808A1 (en) 2015-05-22 2018-03-28 LUXeXcel Holding B.V. Method for printing a three-dimensional structure and a system for printing a three-dimensional structure
US10312177B2 (en) 2015-11-17 2019-06-04 Honeywell International Inc. Thermal interface materials including a coloring agent
CN109072051B (zh) 2016-03-08 2023-12-26 霍尼韦尔国际公司 相变材料
US10501671B2 (en) 2016-07-26 2019-12-10 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
US10147631B2 (en) 2016-09-26 2018-12-04 Dow Silicones Corporation Fluoro-silicone compositions as temporary bonding adhesives
US11041103B2 (en) 2017-09-08 2021-06-22 Honeywell International Inc. Silicone-free thermal gel
US10428256B2 (en) 2017-10-23 2019-10-01 Honeywell International Inc. Releasable thermal gel
US11072706B2 (en) 2018-02-15 2021-07-27 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
CN109705581B (zh) * 2018-12-25 2021-07-13 浙江清华柔性电子技术研究院 硅橡胶组合物、硅橡胶及其制备方法
US11373921B2 (en) 2019-04-23 2022-06-28 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing
CN112574682B (zh) * 2020-11-12 2022-12-06 苏州赛伍应用技术股份有限公司 一种用于MiniLED巨量转移的多层结构胶带及其制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4427801A (en) * 1982-04-14 1984-01-24 Dow Corning Corporation Extrudable silicone elastomer compositions
US20050038188A1 (en) * 2003-08-14 2005-02-17 Dongchan Ahn Silicones having improved chemical resistance and curable silicone compositions having improved migration resistance
TWI557786B (zh) 2011-02-28 2016-11-11 道康寧公司 晶圓膠合系統及其用來膠合和脫膠的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI796486B (zh) * 2018-06-04 2023-03-21 日商信越化學工業股份有限公司 薄型基板之製造方法

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Publication number Publication date
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