TW201442584A - 回路構件之接續方法及接合體 - Google Patents

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TW103111095A
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Daisuke Sato
Ryosuke Odaka
Masao Saito
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Dexerials Corp
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Abstract

一種回路構件之接續方法,其係使第一回路構件之端子與第二回路構件之端子接續的回路構件之接續方法,其係包含:配置步驟,於前述第一回路構件上,依序配置含有自由基聚合性物質、有機過氧化物及焊料粒子的各向異性導電薄膜、及前述第二回路構件;及超音波施加步驟,押壓前述第二回路構件的同時,對前述各向異性導電薄膜施加超音波而加熱;其中前述超音波施加步驟中的各向異性導電薄膜之到達溫度係為前述焊料粒子之固相線溫度以下,且前述第一回路構件之端子及前述第二回路構件之端子之至少任一者係藉由防鏽劑作防鏽處理。

Description

回路構件之接續方法及接合體
本發明係關於回路構件之接續方法及接合體。
過去以來,就將電子構件與基板接續的手段而言,已使用將有分散導電性粒子的熱硬化性樹脂塗佈於剝離薄膜的帶狀接續材料(例如,各向異性導電薄膜(ACF,Anisotropic Conductive Film))。
舉例來說,此各向異性導電薄膜係將撓性印刷基板(FPC,Flexible Printed Circuits)或積體電路(IC,Integrated Circuit)晶片之端子,與液晶顯示器(LCD,Liquid Crystal Display)面板的玻璃基板上形成的電極加以接續的情形作為開始,而使用於將各種端子彼此接著的同時作電氣接續的情形。
近年來,就回路構件之保護劑而言,已使用稱為預焊劑(有機可焊性保護劑(OSP,Organic Solderability Preservative))的防鏽劑替代鍍金屬。就前述預焊劑而言,例如,已知咪唑系預焊劑等。
將藉由前述預焊劑作防鏽處理的回路構件,使用前述各向異性導電薄膜加以接續時,有前述回路構件之端子上存在的預焊劑層阻礙導通的問題。因此,正冀求此問題之解決。
又,於使用前述各向異性導電薄膜的接續,由縮短製造步驟的觀點來看,亦冀求可以短時間接續者。
所以,例如,已提議一種電子構件間之接續方法,其包含將接續的電子構件之上接續部及下接續部中的電極加以校準排列的階段;及對前述上接續部之 電極及前述下接續部之電極之間存在的接著劑施加超音波能量,利用來自前述接著劑本身的發熱而使接著劑硬化的階段(例如,參照專利文獻1)。
然而,此提議之技術中,將藉由前述預焊劑作防鏽處理的回路構件,使用前述各向異性導電薄膜加以接續時,所謂前述回路構件之端子上存在的預焊劑層抑制導通的問題並未被解決。
據此,目前冀求提供一種將藉由防鏽劑作防鏽處理的回路構件使用各向異性導電薄膜加以接續之際,接續信賴性優異且可短時間接續的回路構件之接續方法、及藉由前述回路構件之接續方法所獲得的接合體。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特表2009-517861號公報
[發明概要]
本發明係以解決過去以來的多個問題,達成以下目的為課題。即,本發明之目的係提供將藉由防鏽劑作防鏽處理的回路構件,使用各向異性導電薄膜而接續之際,接續信頼性優異且可短時間接續的回路構件之接續方法、及藉由前述回路構件之接續方法所獲得的接合體。
就用以解決前述課題的手段而言,係如以下所示。即,
<1>一種回路構件之接續方法,其係使第一回路構件之端子與第二回路構件之端子接續的回路構件之接續方法,其係包含:配置步驟,於前述第一回路構件上依序配置含有自由基聚合性物質、有機 過氧化物及焊料粒子的各向異性導電薄膜、及前述第二回路構件;超音波施加步驟,押壓前述第二回路構件的同時,對前述各向異性導電薄膜施加超音波而加熱;其中前述超音波施加步驟中的各向異性導電薄膜之到達溫度係為前述焊料粒子之固相線溫度以下,且前述第一回路構件之端子及前述第二回路構件之端子之至少一者係藉由防鏽劑作防鏽處理。
<2>如前述<1>所述之回路構件之接續方法,其中有機過氧化物之1分鐘半衰期溫度為110℃~135℃。
<3>如前述<1>至<2>中任一項所述之回路構件之接續方法,其中超音波施加步驟中的各向異性導電薄膜之到達溫度〔T(℃)〕係滿足下述式(1):〔式(1)〕〔焊料粒子之固相線溫度(℃)-15(℃)〕≦T≦〔焊料粒子之固相線溫度(℃)〕。
<4>如前述<1>至<3>中任一項所述之回路構件之接續方法,其中焊料粒子之固相線溫度為130℃~150℃。
<5>如前述<1>至<4>中任一項所述之回路構件之接續方法,其中超音波係具有相對於第二回路構件之平面為垂直地振動。
<6>一種接合體,其係藉由前述<1>至<5>中任一項所述之回路構件之接續方法而獲得。
依據本發明,可解決過去以來的多個問題,而達成前述目的,且可提供將藉由防鏽劑作防鏽處理的回路構件,使用各向異性導電薄膜來接續之際,接續信頼性為優異且可短時間接續的回路構件之接續方法、及藉由前述回路構件之接續方法所獲得的接合體。
1‧‧‧FR-4基材
2‧‧‧各向異性導電薄膜
3‧‧‧撓性印刷基板之圖案
4‧‧‧銅配線
A‧‧‧測定位置
第1圖係顯示實施例中的導通電阻之測定方法的說明圖。
[發明之效果]
(回路構件之接續方法、接合體)
本發明之回路構件之接續方法係至少含有配置步驟及超音波施加步驟,更因應必要含有其他步驟。
前述回路構件之接續方法係使第一回路構件之端子與第二回路構件之端子接續的方法。
前述接合體係藉由前述回路構件之接續方法而獲得。
<第一回路構件、第二回路構件>
就前述第一回路構件及前述第二回路構件而言,只要為具有端子,成為使用前述各向異性導電薄膜的各向異性導電接續之對象的回路構件即可,並未特別限制,可因應目的加以適宜選擇,例如,可列舉具有端子的塑膠基板、撓性軟板與基板的連接(FOB,Flex-on-Board)、撓性軟板與撓性軟板的連接(FOF,Flex-on-Flex)等。
就前述端子之材質而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,例如,銅(Cu)、施予鍍金(Au)的銅(Cu)、施予鍍鎳(Ni)及金(Au)的銅(Cu)、施予鍍錫(Sn)的銅(Cu)等。
就具有前述端子的塑膠基板之材質、構造而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,例如,具有端子的印刷基板、具有端子的撓性基板 等。就具有前述端子的印刷基板而言,例如,具有銅配線的玻璃環氧基板等。就具有前述端子的撓性基板而言,例如,具有銅配線的聚醯亞胺(polyimide)基板等。
就前述第一回路構件及前述第二回路構件之形狀、大小而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇。
前述第一回路構件及前述第二回路構件係可為相同回路構件,亦可為相異回路構件。
前述第一回路構件之端子及前述第二回路構件之端子之至少任一者係經由防鏽劑而作防鏽處理。
就前述防鏽劑而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇。前述防鏽劑一般而言,被稱為預焊劑或有機可焊性保護劑(OSP,Organic Solderability Preservative)。
舉例來說,前述防鏽劑係至少含有咪唑化合物、銅離子及有機酸。就前述咪唑化合物而言,例如,苯并咪唑等。前述苯并咪唑可具有取代基。
前述防鏽劑係水溶性者為較佳。
就前述防鏽處理之方法而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,例如,將經處理的回路構件,浸漬於前述防鏽劑、或浸漬於將前述防鏽劑稀釋而獲得的水溶液的方法等。
藉由進行前述防鏽處理時,回路構件上之端子、及回路部分被保護。
<配置步驟>
就前述配置步驟而言,只要於前述第一回路構件上依序配置各向異性導電薄膜及前述第二回路構件的步驟即可,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇。
前述配置步驟係包含第一配置處理及第二配置處理為較佳,其 中第一配置處理係於前述第一回路構件之端子上,配置前述各向異性導電薄膜;第二配置處理係於前述各向異性導電薄膜上,將前述第二回路構件,以前述第二回路構件之端子與前述各向異性導電薄膜鄰接的方式配置。
-各向異性導電薄膜-
前述各向異性導電薄膜係至少含有自由基聚合性物質、有機過氧化物及焊料粒子,更因應必要,含有其他成分。
--自由基聚合性物質--
就前述自由基聚合性物質而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,例如,丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、環氧基丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二丙烯酸酯、四亞甲基二醇四丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二丙烯醯氧基丙烷、2,2-雙〔4-(丙烯醯氧基甲氧基)苯基〕丙烷、2,2-雙〔4-(丙烯醯氧基乙氧基)苯基〕丙烷、二環戊烯基丙烯酸酯、二環戊二烯二丙烯酸酯、三環癸基丙烯酸酯、異三聚氰酸EO(環氧乙烷(ethylene oxide))改質二丙烯酸酯、異三聚氰酸EO改質三丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯等。此等,可單獨使用一種,亦可併用兩種以上。
又,可列舉將前述丙烯酸酯換成甲基丙烯酸酯者,此等可單獨使用一種,亦可併用兩種以上。
就前述各向異性導電薄膜中的前述自由基聚合性物質之含量而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,但10質量%~70質量%為較佳,20質量%~60質量%為更佳。
--有機過氧化物--
前述有機過氧化物係前述自由基聚合性物質之自由基聚合起始劑。
就前述有機過氧化物而言,只要為起始前述自由基聚合性物質之自由基聚 合者即可,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,例如,過氧化二月桂醯、1,1,3,3-四甲基丁基過氧基-2-乙基己酸酯、過氧化苯甲醯、t-戊基過氧基-2-乙基己酸酯、t-丁基過氧基-2-乙基己酸酯、t-丁基過氧基異丁酸酯、t-丁基過氧基順丁烯二酸、1,1-二(t-戊基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-二(t-戊基過氧基)環己烷、t-戊基過氧基異壬酸酯、t-戊基過氧基正辛酸酯、1,1-二(t-丁基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-二(t-丁基過氧基)環己烷、t-丁基過氧基異丙基碳酸酯、t-丁基過氧基-2-乙基己基碳酸酯、2,5-二甲基-2,5-二(苯甲醯基過氧基)己烷、t-戊基-過氧基苯甲酸酯、t-丁基過氧基乙酸酯、t-丁基過氧基異壬酸酯、2,2-二(t-丁基過氧基)丁烷、t-丁基過氧基苯甲酸酯、雙(4-t-丁基環己基)過氧基二碳酸酯等。
此等可單獨使用一種,亦可併用兩種以上。
就前述有機過氧化物之1分鐘半衰期溫度而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,但於110℃~135℃獲得的接合體之導通電阻及耐裂縫性為較佳。
就前述各向異性導電薄膜中的有機過氧化物之含量而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,但1質量%~10質量%為較佳,2質量%~8質量%為更佳。
--焊料粒子--
就前述焊料粒子而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇。
又,焊料係以錫、鉛等作為主成分的合金,一般而言,為包含可形成回路構件之導電金屬與合金組織之金屬的合金、或包含可形成貫穿孔內壁被膜與合金組織之金屬的合金。
就前述焊料粒子而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,例如,錫鉍(Sn-Bi)系焊料、錫銦(Sn-In)系焊料等。
就前述焊料粒子之固相線溫度而言,並未特別限制,可因應目 的加以適當選擇,但110℃~170℃為較佳,130℃~150℃為更佳。前述固相線溫度係於前述較佳範圍內時,於低溫接續之點來看,是有利的。
又,前述固相線溫度係意指固相(固體)之焊料開始熔解的溫度。
就前述焊料粒子之平均粒徑而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,但1μm~50μm為較佳,2μm~25μm為更佳,5μm~15μm為特佳。
前述平均粒徑係於任意十個之焊料粒子所測定的粒徑之平均值。
前述粒徑係可藉由例如掃描型電子顯微鏡觀察來測定。
就前述各向異性導電薄膜中的焊料粒子之含量而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,但1質量%~20質量%為較佳,4質量%~16質量%為更佳。
--其他成分--
就前述其他成分而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,例如,膜形成樹脂、矽烷偶合劑等。
---膜形成樹脂---
就前述膜形成樹脂而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,例如,苯氧基樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂等。前述膜形成樹脂係可單獨使用一種,亦可併用兩種以上。其中,由製膜性、加工性、接續信頼性之點來看,苯氧基樹脂為較佳。
就前述苯氧基樹脂而言,例如,由雙酚A與表氯醇(epichlorohydrin)所合成的樹脂等。
前述苯氧基樹脂可使用適宜合成者,亦可使用市售品。
就前述各向異性導電薄膜中的膜形成樹脂之含量而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,但20質量%~70質量%為較佳,30質量%~60 質量%為更佳。
---矽烷偶合劑---
就前述矽烷偶合劑而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,例如,乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、3-苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷等。
就前述各向異性導電薄膜中的矽烷偶合劑之含量而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇。
就前述各向異性導電薄膜之平均厚度而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,但5μm~50μm為較佳,15μm~45μm為更佳。
<超音波施加步驟>
就前述超音波施加步驟而言,只要押壓前述第二回路構件的同時,對前述各向異性導電薄膜施加超音波而加熱的步驟即可,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇。
前述超音波施加步驟中的各向異性導電薄膜之到達溫度係為前述焊料粒子之固相線溫度以下。
就押壓前述第二回路構件的方法而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,例如,內藏超音波振動子之可施加超音波的押壓構件等。
就前述押壓構件之先端形狀而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,例如,平面狀、曲面狀等。又,前述先端形狀為曲面狀的情形, 可沿前述曲面狀來押壓。
就前述押壓之押壓力而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,但0.5MPa~100MPa為較佳。
就前述押壓之時間(壓著時間)而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,但5.0秒以下為較佳,3.0秒以下為更佳。前述押壓之時間(壓著時間)超過5.0秒時,難謂為短時間之壓著。
就對前述各向異性導電薄膜施加超音波之方法而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,例如,以於前述第二回路構件內藏超音波振動子之可施加超音波的押壓構件來施壓的方法等。
就前述超音波之頻率而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,但10kHz~100kHz為較佳,20kHz~60kHz為更佳。前述頻率低於10kHz時,將回路構件押入的力量不足,有產生接續不良的情形,超過100kHz時,回路構件之接合端子有變形而引起短路或接續不良的情形。
就前述超音波之振動方向而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,相對於前述第二回路構件之平面,可為水平振動,亦可為垂直振動,但垂直振動為較佳。即,前述超音波係具有相對前述第二回路構件之平面為垂直地振動者為較佳。據此,可防止對準偏差。
就前述超音波之施加時間而言,並未特別限制,可因應目的加以適當選擇,但0.1秒~5.0秒為較佳,0.5秒~3.0秒為更佳。前述超音波之施加時間低於0.1秒時,有發生回路構件之押入不足的情形,超過5.0秒時,難謂為短時間接續。
前述超音波施加步驟中的各向異性導電薄膜之到達溫度〔T(℃)〕係為前述焊料粒子之固相線溫度以下,滿足下述式(1)為較佳。
〔式(1)〕 〔焊料粒子之固相線溫度(℃)-15(℃)〕≦T≦〔焊料粒子之固相線溫度(℃)〕
前述到達溫度藉由滿足上述式(1),可以較短壓著時間接續,且接續信頼性(例如,溫度循環測驗(TCT)後之導通電阻值)亦非常優異。
[實施例]
以下,說明本發明之實施例,但本發明並未限定於此等之實施例。
(製造例1~6)
<各向異性導電薄膜之製作>
將下述表1所示原材料,以下述表1所示摻合量混合後,將導電性粒子均一地分散而獲得各向異性導電組成物。
將獲得的各向異性導電組成物,塗佈於聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)薄膜上使平均厚度成為30μm,而獲得各向異性導電薄膜。
表1中之各物質如以下所示。
DCP:二環戊二烯二甲基丙烯酸酯(新中村化學工業股份有限公司製)
M315:異三聚氰酸EO改質二及三丙烯酸酯(ARONIX M315、東亞合成工 業股份有限公司製)
M1600:胺基甲酸酯丙烯酸酯(ARONIX M1600、東亞合成工業股份有限公司製)
YP50:苯氧基樹脂(新日鐵化學股份有限公司製)
SG80H:含有縮水甘油基的丙烯酸橡膠(Nagase ChemteX股份有限公司製)
KBE-503:3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷(信越化學工業股份有限公司製)
Nyper BW:有機過氧化物〔日油股份有限公司製、過氧化苯甲醯、1分鐘半衰期溫度(130.0℃)〕
PEROYL L:有機過氧化物〔日油股份有限公司製、過氧化二月桂醯、1分鐘半衰期溫度(116.4℃)〕
焊料粒子1:Sn(47)-Bi(53)系焊料粒子。藉由水霧化法,將熔融的合金自噴嘴噴霧至水中,急冷使凝固而獲得。平均粒徑係為10μm。固相線溫度係為140。℃。
焊料粒子2:Cd18-Pb32-Sn50。平均粒徑係為10μm。固相線溫度係為145℃。
Ni/Au:鍍Ni/Au金屬粒子(日本化學工業股份有限公司製、平均粒徑6μm)
(實施例1~7、比較例1~7)
<接合體之製造>
藉由以下之方法來製造接合體。
作為第一回路構件,使用評價用印刷電路基板(PWB,Printed Wiring Board)(Dexerials股份有限公司評價用基材、200μm節距、Cu35μm厚度、FR-4基材)。前述評價用印刷電路基板(PWB)係以水溶性預焊劑(F2LX、四國化成工業股份有限公司製)作預焊劑處理。
作為第二回路構件,使用評價用撓性印刷基板(FPC)(Dexerials股份有限公司評價用基材、200μm節距、Cu12μm厚度-鍍Ni/Au,PI25μm厚度-ESPANEX基材)。
於前述第一回路構件上配置裁切為寬1.5mm的各向異性導電薄膜。配置之際,於80℃、1MPa、1秒來貼附。接著,於此各向異性導電薄膜上,配置前述第二回路構件使前述各向異性導電薄膜不露出。接著,藉由緩衝材(矽酮橡膠、厚度0.2mm),使用超音波施加接合器(振動50kHz、振幅(縱振動15μm)),以表2及表3所示接續條件,將前述第二回路構件以2MPa之押壓力加以押壓,獲得接合體。又,超音波之施加時間係與壓著時間相同。又,使用超音波施加接合器的情形,由於藉由超音波之施加而各向異性導電薄膜被加熱,故不使用加熱工具。另一方面,未施加超音波的情形,使用加熱工具替代超音波施加接合器。
<評價>
於製作的接合體,進行以下之評價。結果示於表2及表3。
<<導通電阻>>
接合體之初期之導通電阻值(Ω)及溫度循環試驗(TCT)後之導通電阻值(Ω)以下列方法來測定。
具體而言,以與上述接合體之製造相同之方法,製作如第1圖所示的試驗體,使用數位多用表(產品編號:digital multi-meter 43301A、Agilent Technologies股份有限公司製)測定以4端子法流通電流1mA時之電阻值。於30通道測定電阻值,將最大電阻值作為測定值。於第1圖,符號1表示FR-4基材,符號2表示各向異性導電薄膜(ACF),符號3表示撓性印刷基板(FPC)之圖案,符號4表示銅配線,符號A表示測定位置。
又,溫度循環試驗(TCT)係將-55℃之低溫條件與125℃之高溫條件以15分鐘間隔重覆實施。溫度循環試驗(TCT)係實施至300個循環。
<<裂縫之發生>>
溫度循環試驗(TCT)後,藉由電子顯微鏡確認於使用焊料粒子的接合體中,端子接續的位置是否有發生裂縫,並以下列評價基準來評價。
〔評價基準〕
無:未見裂縫之發生。
有:一位置以上見到裂縫之發生。
<<綜合判定>>
由上述評價之結果及壓著時間,以下述評價基準進行綜合判定。
〔評價基準〕
○:全部滿足下述條件1~5。
△:滿足下述條件1~3,但未滿足下述條件4及5之至少任一者。
×:未滿足下述條件1~3之任一者。
條件1:壓著時間為5.0秒以下
條件2:初期電阻及溫度循環試驗(TCT)後之電阻為2.0Ω以下
條件3:無裂縫發生
條件4:壓著時間為3.0秒以下
條件5:初期電阻及溫度循環試驗(TCT)後之電阻為0.5Ω以下
到達溫度係表示使各向異性導電薄膜與溫差電偶接觸來測定所獲得的溫度,接續時到達的最高溫度。
實施例1~7中,藉由使用超音波的接續,以短時間(5.0秒以下)之壓著可進行回路構件之接續。尤其,接續時之到達溫度係滿足前述式(1)的條件(例如,實施例1~5)時,壓著時間較短(3.0秒以下)且溫度循環試驗(TCT)後之導通電阻值亦非常優異。
比較例1中,溫度循環試驗(TCT)後之導通電阻並不足夠,且亦見到裂縫。其即使於拉長壓著時間亦不會改變(比較例2)。
未使用超音波,且接續時之到達溫度較焊料粒子之固相線溫度高的情形,為了獲得導通電阻值及裂縫為良好者,壓著時間至少6秒為必要(比較例3)。
即使使用超音波,接續時之到達溫度較焊料粒子之固相線溫度高時,以短時間之壓著時間,溫度循環試驗(TCT)後之導通電阻值及裂縫發生為不充份(比較 例4)。
又,即使使用超音波,接續時之到達溫度較焊料粒子之固相線溫度高時,為了獲得導通電阻值及裂縫為良好者,壓著時間至少6秒為必要的(比較例5)。
於使用通常之各向異性導電薄膜(不含焊料粒子的各向異性導電薄膜),不使用超音波的通常接續的情形,為了獲得導通電阻值為良好者,壓著時間至少為6秒係必要的(比較例6)。
使用通常之各向異性導電薄膜(不含焊料粒子的各向異性導電薄膜)、並使用超音波的接續的情形,溫度循環試驗(TCT)後之電阻值(10Ω以上)為不充份(比較例7)。
[產業上之利用可能性]
本發明之回路構件之接續方法係將藉由防鏽劑作防鏽處理的回路構件,使用各向異性導電薄膜來接續之際,因接續信頼性為優異且於短時間可接續,故可適用於回路構件之接續。
1‧‧‧FR-4基材
2‧‧‧各向異性導電薄膜
3‧‧‧撓性印刷基板之圖案
4‧‧‧銅配線
A‧‧‧測定位置

Claims (6)

  1. 一種回路構件之接續方法,其係使第一回路構件之端子與第二回路構件之端子接續之回路構件之接續方法,其係包含:配置步驟,於前述第一回路構件上,依序配置含有自由基聚合性物質、有機過氧化物及焊料粒子的各向異性導電薄膜、及前述第二回路構件;及超音波施加步驟,押壓前述第二回路構件的同時,對前述各向異性導電薄膜施加超音波而加熱;其中前述超音波施加步驟中的各向異性導電薄膜之到達溫度係為前述焊料粒子之固相線溫度以下,且前述第一回路構件之端子及前述第二回路構件之端子之至少任一者係藉由防鏽劑作防鏽處理。
  2. 如請求項1所述之回路構件之接續方法,其中有機過氧化物之1分鐘半衰期溫度為110℃~135℃。
  3. 如請求項1所述之回路構件之接續方法,其中超音波施加步驟中的各向異性導電薄膜之到達溫度〔T(℃)〕係滿足下述式(1):〔式(1)〕〔焊料粒子之固相線溫度(℃)-15(℃)〕≦T≦〔焊料粒子之固相線溫度(℃)〕。
  4. 如請求項1所述之回路構件之接續方法,其中焊料粒子之固相線溫度為130℃~150℃。
  5. 如請求項1所述之回路構件之接續方法,其中超音波係具有相對於第二回路構件之平面為垂直地振動。
  6. 一種接合體,其係藉由如請求項1至5中任一項所述之回路構件之接續方法而獲得。
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