TW201440160A - 半導體製程用載具 - Google Patents

半導體製程用載具 Download PDF

Info

Publication number
TW201440160A
TW201440160A TW102133595A TW102133595A TW201440160A TW 201440160 A TW201440160 A TW 201440160A TW 102133595 A TW102133595 A TW 102133595A TW 102133595 A TW102133595 A TW 102133595A TW 201440160 A TW201440160 A TW 201440160A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
semiconductor
small
semiconductor process
transfer
Prior art date
Application number
TW102133595A
Other languages
English (en)
Inventor
Taro Itatani
Hiroyuki Ishii
Yoshiyuki Amano
Tsuneyuki Hayashi
Original Assignee
Nat Inst Of Advanced Ind Scien
Carrier Integration Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nat Inst Of Advanced Ind Scien, Carrier Integration Inc filed Critical Nat Inst Of Advanced Ind Scien
Publication of TW201440160A publication Critical patent/TW201440160A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/0014—Gripping heads and other end effectors having fork, comb or plate shaped means for engaging the lower surface on a object to be transported
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68309—Auxiliary support including alignment aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68313—Auxiliary support including a cavity for storing a finished device, e.g. IC package, or a partly finished device, e.g. die, during manufacturing or mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】提供套件，在使用對應於大口徑矽基板的半導體製造裝置，進行小徑的半導體基板(小基板)之製程時，藉由將小基板吸附固定於消除尺寸差異的套件板上，如此則即使成為垂直方向或反轉方向時小基板亦不會掉落。【[解決手段】為了將小基板適用於大口徑矽基板所對應的半導體製造裝置，而對大口徑矽基板所構成的搬送基材部1實施孔加工形成開口部10，於其背面接著貼付聚醯亞胺薄膜2，可以對小基板實施真空吸盤及靜電吸盤之吸附，另外，包括覆蓋開口部10之一部分而可以插入並收容小基板的由基板插入部7b及基板收容部7c構成的構造體7，依據此一構造可以實現搬送與製程。

Description

半導體製程用載具
本發明關於半導體製程用載具，係在適用大口徑矽基板的半導體製造裝置中，進行小口徑或異型的半導體基板(小基板)之各種製程者。
半導體元件及電路之製造中，主要針對矽元件進行以微細化為始的生產技術之高度化。矽元件的生產技術之高度化進展，係以基板尺寸的擴大與加工尺寸的微細化為一體來推進，同時推進技術的高度化與製造成本的降低。
矽以外的化合物半導體的產業規模，至2000年為止，對比於矽元件雖乃僅止於1%以下，但跨越2010年以後，使用GaN系材料的LED產業之成長，或使用SiC系材料的功率元件的實用化，使用GaAs系材料的以智慧手機為代表的無線元件市場之擴大，對比於矽元件而超越1%，可以預料今後該比例乃會擴大。該等化合物半導體元件用半導體基板的尺寸，通常為4英吋以下，今後亦將進入6英吋等級或8英吋等級之範圍，因此，適用於小口徑基板的高度生產技術成為必要。另外，微機器(micro-machine)或奈米機器(nanomachine)系統甲，大部分所使用的製造裝置乃對應於舊世代的6英吋以下之小口徑晶圓。而另外，可以使用於3維安裝等之後工程中的長方形 半導體基板等之異型晶圓或晶片的感測技術亦成為必要。
但是，現狀是每次欲變更基板尺寸時，乃然需要對裝置之搬送系或加工系進行交換或改造，而且，不僅1台半導體製造裝置之改造，而是需要對全部製造工程裝置之搬送系及加工系進行改造，改造成本為一大負擔。
有鑑於此一狀況，無須對半導體製造裝置的搬送系或加工系進行交換或改造，可以適用於小口徑半導體基板或異型基板之製程的手段，不論在經濟面或泛用性均有強烈要求。
目前為止，係採取在適用於製程裝置的搬送系之基板形成埋頭孔加工等之口袋形狀，將小口徑半導體基板載置於其中來對應於裝置搬送系的對策(例如特開平10-79418號公報：專利文獻1)。此外亦有採取簡單地藉由蠟等將多種暫時固定劑、黏著材貼合於使用基板上等的對策。
專利文獻1提案的發明，係關於曝光用基板或光罩之搬送者，對應於基板「被載置」於搬送用套件上的狀態下進行搬送者，為實現位置精確度，「包括限制基板周圍的限制構件」為其必要條件，因此，難以適用於一般半導體製造裝置。其理由為，一般的半導體製造裝置，對於半導體基板係使用真空吸附或靜電吸盤來進行搬送、製程或加工，而因為「限制周圍」，於中途，基板於垂直方向或上下實施反轉時，所設置的半導體基板會掉落，或者有可能需要耐高溫。
和使用聚醯亞胺薄膜的半導體製造及搬送有關的專利，例如於特開平5-114618號公報(專利文獻2)，係揭 示和使用聚醯亞胺製薄膜的元件密封法有關的專利，特開平9-162247號公報(專利文獻3)，係揭示和使用聚醯亞胺帶的安裝手法相關的專利，特開2002-134567號公報(專利文獻4)，係揭示和安裝所使用的聚醯亞胺類薄膜有關的專利，特開2003-34736號公報(專利文獻5)，係揭示和使用聚醯亞胺薄膜的TAB帶相關的專利，特開2004-7160號公報(專利文獻6)揭示的專利，係和將晶片安裝於聚醯亞胺帶上的手法相關，特開2006-518930號公報(專利文獻7)揭示的專利，係和將聚醯亞胺薄膜與導電性膜的複合基板設置於裝置內而進行靜電吸盤吸附的手法有關，但是並非針對本發明所欲解決的課題，亦即並非針對本發明之設定半導體製造裝置中的一般搬送或製程、加工為對象者。
【先行技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】 特開平10-79418號公報
【專利文獻2】 特開平5-114618號公報
【專利文獻3】 特開平9-162247號公報
【專利文獻4】 特開2002-134567號公報
【專利文獻5】 特開2003-34736號公報
【專利文獻6】 特開2004-7160號公報
【專利文獻7】 特開2006-518930號公報
本發明有鑑於該等問題，目的在於提供半導體製 程用載具，利用其可以無須改造適用於大口徑矽基板的半導體製造裝置，而進行小口徑或異型的半導體基板(小基板)之搬送、加工等製程，或者可以將近年來受矚目而期待作為半導體材料的SiC或GaN等之高溫製程，用於一般的半導體製程。
為達成上記目的，本發明之半導體製程用載具，係在由半導體基板構成的搬送用基材(base)部，實施加工成為可以將比起該搬送用基材部為小口徑、或和上述搬送用基材部為異型的小基板予以保持而構成者；其特徵在於：於上述搬送用基材部形成開口部，以覆蓋該開口部的方式於底面接著聚醯亞胺薄膜。
於上記半導體製程用載具中，特徵在於：具有透過上述聚醯亞胺薄膜施加1kV以上的高電壓，而對所保持的上述小基板連同半導體製造裝置內的特定位置實施靜電吸盤吸附的構造。
特徵在於：上記開口部，係藉由空氣主軸方式的研削法或超音波加工法形成。
特徵在於：上記聚醯亞胺薄膜的厚度為50μm以下。
又，於上記半導體製程用載具中，特徵在於：在開口部的接著有上述聚醯亞胺薄膜之側的相反側，具有由基板插入部及基板收容部構成的構造體，用於使上述小基板可以裝拆地插入並被收容，不因在上述半導體製造裝置內之搬送或旋轉而掉落。
本發明另一半導體製程用載具，係在由半導體基 板構成的搬送用基材部，實施加工成為可以將比起該搬送用基材部為小口徑、或和上述搬送用基材部為異型的小基板保持而構成者；其特徵在於：包括由基板插入部及基板收容部構成的構造體，其係被實施加工而成為可以保持上述小基板，以使上述小基板可以裝拆地插入並被收容，不因在上述半導體製造裝置內之搬送或旋轉而掉落。
特徵在於：上記由基板插入部及基板收容部構成的構造體，係藉由空氣主軸方式的研削法或超音波加工法形成。
特徵在於：上述由基板插入部及基板收容部構成的構造體，係包含有裝拆部構造，用於覆蓋由該構造體所形成的空間之一部分，而使上述小基板可由斜上方進行裝拆。
特徵在於：上述由基板插入部及基板收容部構成的構造體與上述搬送用基材部，係藉由電漿照射實施表面活化接合而形成。
另外，特徵在於：上述由基板插入部及基板收容部構成的構造體，係由矽形成。又，特徵在於：上述搬送用基材部及由基板插入部、基板收容部構成的構造體，係由和矽不同的化合物半導體材料形成。
本發明，係於上記半導體製程用載具中，特徵在於：形成有用於真空吸附固定或冷卻上述小基板的孔。可以保持上述小基板的加工，係藉由半導體製程來實現。
藉由使用本發明的半導體製程用載具，無須針對 適用於大口徑矽基板或高溫半導體製程的半導體製造裝置進行改造，即可進行小基板之搬送或加工等製程，無須半導體製造裝置之特殊改造。另外，於搬送系及加工系的製程中，藉由對應於構成本發明之搬送用基材部的真空吸盤或靜電吸盤，對小基板亦可以實施吸附固定或覆蓋之固定，可以防止搬送中之掉落或位置偏移，高溫製程亦成為可能。活用該等優點，則無須針對適用於大口徑矽基板的半導體製造裝置或適用於高溫的半導體製造裝置加以改造，即可使其容易適用於小基板的製程，有助於生產成本之降低與產效率之提升。
本發明的半導體製程用載具，係以半導體製造裝置之對象而已實用化的6、8英吋等大口徑矽晶圓，來構成矽基板之基材，則和使用陶瓷材料或金屬材料、以一般玻璃為始的矽或半導體以外的材料時比較，其彈性係數或比重、熱膨脹係數等物理常數幾乎與矽無任何差異，因此，搬送系或加工系之問題不容易產生。另外，可以直接利用矽表面的反射條件，具有容易檢測出半導體製程用載具上之成為定位基準的標記等優點。另外，不含雜質，因此亦具有無產生污染問題的優點。再加上，構成為包括真空吸附固定用之孔，小基板被搬送固定於搬送臂時，或者製程或加工時可以固定於平台，可以防止脫落.掉落，亦可以防止曝光時等之精確度降低。因此，定位基準的標記位置，相對於基材基板之凹槽或定位平面，可以設定成為高精確度位置(X、Y<±200μm，Θ<1度)，自動對準的批次處理成為可能，可以大幅提升製程之作業效率。
本發明中，於搬送用基材部接著有聚醯亞胺薄膜 的構成中，聚醯亞胺薄膜大致上可視為絕緣體，因此可藉由靜電吸盤的靜電力直接吸附固定小基板。施加1.0kV時，吸附力可依據矽與靜電吸盤間之距離，經由實驗而確定以下之數值。50μm為90〔gf/cm2〕，100μm為12.6〔gf/cm2〕，200μm為4.4〔gf/cm2〕，300μm為2.7〔gf/cm2〕。在如蝕刻裝置之需要He冷卻機能的裝置，由經驗確認吸附力需要15〔gf/cm2〕以上之力，因此需要保持穩定的固定力時，將聚醯亞胺薄膜的厚度設為50μm以下乃有效者。
本發明的半導體製程用載具，係使用電漿照射之表面活化接合進行接合，而可將基板插入部及基板收容部構成的構造體，接合於設為基材的搬送用基材部，因此可以包括固定/裝拆小基板的機構。藉由包括該構造體之構成，將半導體基板以同心圓狀置放於圓盤狀旋轉體，則對於旋轉之同時進行離子植入的離子植入裝置，或使晶圓上下移動之同時進行離子植入的離子植入裝置，亦無須改造即可使用。該旋轉，係對該半導體基板施加離心力(小於300mm時，r=50cm，以1200rpm旋轉，300mm時，r=750mm，以750rpm旋轉等)，因此需要能克服該離心力的固定方法。另外，於使用SiC的功率電晶體製造中，具有於600℃等高溫進行離子植入的工程，因此具耐熱性且能克服離心力的固定方法之載具為有效者。
將利用研削實施埋頭孔加工的載具使用於高溫製程之工程時會有殘留應變(residual strain)，會有矽載具龜裂之問題。另外，使用聚醯亞胺的矽載具，僅有500℃左右之耐熱性。因此，例如將在矽基板上挖空加工成為C形的構造體， 藉由該技術予以接合而製作本發明的半導體製程用載具(參照圖5)，進行11次加熱循環試驗(於加熱溫度1000℃保持1小時)，經由紅外線影像確認接合部(白色區域)的面積與分布並無變化。另外，可見光於載具部之干涉條紋之數目約20條(凹凸為約6μm左右)並無變化，因此可以確認加熱溫度1000℃之循環試驗中並未出現彎曲或龜裂。由該結果可知，作為本發明半導體製程用載具之一例並歷經實驗的矽載具，可以充分適用於退火製程。
1‧‧‧搬送用基材部
10‧‧‧開口部
11‧‧‧第1支點
12‧‧‧第2支點
13‧‧‧第3支點
14‧‧‧基準點
1a‧‧‧搬送用基材部
2‧‧‧聚醯亞胺薄膜
3‧‧‧接著部
4‧‧‧藍寶石基板(小基板)
5‧‧‧孔
6‧‧‧靜電吸盤平台
7‧‧‧構造體
7b‧‧‧基板插入部
7c‧‧‧基板收容部
71‧‧‧蓋部
72‧‧‧間隔部
7a‧‧‧構造體
7a1‧‧‧開閉片部
8‧‧‧金屬彈簧
101‧‧‧搬送用基材部
102‧‧‧絕緣層
103‧‧‧電荷儲存層
104‧‧‧配線層(V+)
105‧‧‧配線層(V-)
106‧‧‧介電體材料
107‧‧‧小基板
108‧‧‧構造體
【圖1】本發明的半導體製程用載具的第1實施形態之說明用剖面圖。
【圖2】本發明的半導體製程用載具的第1實施形態中，搭載、吸附試料之狀態下以剖面加以說明的剖面說明圖。
【圖3】本發明的半導體製程用載具的第1實施形態之平面圖。
【圖4】關於本發明的半導體製程用載具的第2實施形態，係表示小基板於製造裝置內被搬送或旋轉等不致於掉落，而且可以進行小基板之安裝與拆除的構造體，(a)為平面圖，(b)表示基板插入部之形態的B位置之剖面圖，(c)表示基板收容部之形態的C位置之剖面圖。
【圖5】關於本發明的半導體製程用載具的第3實施形態，係表示小基板於製造裝置內被搬送或旋轉等不致於掉落，且可以進行小基板之安裝與拆除、而且可使用於高溫的構造 體，(a)為平面圖，(b)表示基板插入部之形態的B位置之剖面圖，(c)表示基板收容部之形態的C位置之剖面圖。
【圖6】關於本發明的半導體製程用載具的第4實施形態，係表示小基板於製造裝置內被搬送或旋轉等不致於掉落，且可以進行小基板之安裝與拆除、而且可使用於高溫的構造體，(a)為平面圖，(b)表示基板插入部之形態的B位置之剖面圖，(c)表示基板收容部之形態的C位置之剖面圖，(d)表示開閉片部之移動說明用的A位置之縱剖面圖。
【圖7】在本發明的半導體製程用載具之開口部或構造體內側被形成的空間之加工相關的實驗結果之說明圖。
【圖8】在本發明的半導體製程用載具之開口部或構造體內側被形成的空間之加工例，(a)為一邊接觸，(b)為二邊接觸，(c)及(d)為三邊接觸之例之說明圖。
【圖9】本發明的半導體製程用載具之另一形態，說明圖係表示所包括之可將小基板保持的機構，係依藉由半導體製程來實現的絕緣體、電極、絕緣體、電荷儲存層、絕緣體之順序予以積層者。
以下參照圖面說明本發明幾個實施形態。以下說明的實施形態，僅為本發明之例，本發明在不脫離申請專利範圍記載的事項範圍內可做各種設計變更。
(第1實施形態)
本發明，係由以下構成：聚醯亞胺薄膜2，其基於洗淨中之耐藥品性、耐熱性、耐磨耗性及較少脫氣，作為半導體製程 用而具有良好特性；及搬送用基材部1，係針對被大口徑矽基板對應的半導體製造裝置所利用的6、8英吋等之大口徑矽基板進行加工而成。係以大口徑矽基板作為搬送用基材部1使用，因此即使包括如後述小基板之例的藍寶石基板4之構成，在半導體製造裝置的搬送系統、製程、加工系統中亦可以辨識為大口徑矽基板，可以藉由吸附或靜電吸盤，將搬送用基材部1連同小基板予以固定，可以在小基板不致於掉落之情況下進行搬送與製程、加工。
例如圖1所示，本發明的半導體製程用載具，係在50μm以下厚度之絕緣體的聚醯亞胺薄膜2上，載置有框體亦即由矽基板構成的搬送用基材部1之構成，於該框體之搬送用基材部1形成有特定形狀的開口部10用來收容小基板(例如後述的藍寶石基板4)。聚醯亞胺薄膜2與搬送用基材部1，係藉由加熱至300~400℃而被接著。接著劑，係由具有熱硬化型或溶融接著型或熱塑型的性質，例如由環氧或溶劑可溶性的聚醯亞胺材等之具耐熱性的接著劑所構成的接著部3予以接著。於聚醯亞胺薄膜2形成孔5，藉由該孔5而將小基板真空吸附固定於半導體製造裝置內的特定位置，或於半導體製造裝置內實施冷卻。
就泛用性觀點而言，搬送用基材部1，較好是例如直徑6~12英吋尺寸規格品的矽晶圓。小基板，係較搬送用基材部1為小口徑，或和搬送用基材部1的晶圓形狀不同的異型(例如矩形狀)的構成。小基板，除本實施形態中例示的藍寶石基板4以外，可為GaN基板、SiC基板、GaAs基板等之例。
如圖2及圖3所示，小基板之例如藍寶石基板4，係被收容於形成於搬送用基材部1的特定形狀的開口部10。特別是，如圖3所示，形成於搬送用基材部1的開口部10，係具有：第1支點11，用於支撐沿著藍寶石基板4的結晶方位而形成的定位平面；及第2支點12，係由對於該第1支點11成為直角的位置支撐藍寶石基板4。另外，就對準機構的準確性觀點而言，較好是具有第3支點13，其可由和第2支點12支撐藍寶石基板4的方向呈180度逆方向，以點方式來支撐藍寶石基板4。又，如圖3所示，就均勻的表面處理觀點而言，較好是於搬送用基材部1上，在定位平面或凹槽的位置形成搬送用基材部1的基準點14，以該基準點14作為吸附於平台上的位置之基準。
如圖2所示，本發明中，即使於搬送用基材部1的開口部10收容有藍寶石基板4，包含有藍寶石基板4時，基於搬送用基材部1係由矽基板形成，因此藉由對半導體製造裝置內的作為電場產生部之靜電吸盤平台6施加電場，即可藉由靜電吸盤進行吸附。
施加於靜電吸盤的電場，例如可以設為1kV。本發明中，於遮斷電場後，藉由殘留的靜電力亦可維持對靜電吸盤平台6的吸附。另外，於半導體製造裝置進行特定的製程後，施加逆電場以抵消殘留的靜電力，即可由靜電吸盤平台6剝離。
聚醯亞胺通常指芳香族化合物直接藉由以醯亞胺鍵結連結而成的芳香族聚醯亞胺，透過芳香族醯亞胺鍵結而具有共軛構造，具有剛硬強固的分子結構，而且醯亞胺鍵結具有 強的分子間作用力(intermolecular force)，於高分子中具有最高等級的高熱、機械、化學性質，因此適合用作為構成本發明之構件。例如杜邦公司製的Kapton(註冊商標)系聚醯亞胺薄膜，係由芳香族羥基四元酸與芳香族二胺的縮合聚合獲得，具有以下特徵，因此適合用作為構成本發明之構件。
1)常溫的機械特性即使於高溫區域亦大致無變化。
2)沒有融點，非500℃以上不會開始碳化，具難燃性。
3)幾乎不溶解於全部的有機溶劑，於高溫亦具有高耐化學藥品性。
4)在廣溫度範圍具有高的絕緣破壞電壓，小的介電損失等良好電氣特性。
另外，UpileX(註冊商標)系聚醯亞胺薄膜為宇部興產(股份有限公司)的製品，係使用和Kapton系不同的芳香族羥基四元酸二酐為原料，但是具有和Kapton系同樣良好的機械特性、電絕緣性、耐藥品性及耐熱性。另外，由同樣原料構成的U-清漆，係塗布於基材，於高溫燒結除去溶媒之同時，進行醯亞胺化反應，而成為具和薄膜類似特性的聚醯亞胺披膜，容易形成聚醯亞胺薄膜。因此，薄膜與清漆均適合用作為構成本發明的構件。
此外，顯現高耐熱特性的稱為超級工程塑膠(Super Engineering Plastic)的耐熱性塑膠的代表，例如有聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚碸(PSF)、聚醚碸(PES)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚醚醚酮(PEE K)及液晶聚酯(L CP)，均可用作為構成本發明之構件。一般而言，短期耐熱性在200℃以上，長期耐熱性在150℃以上的耐熱性塑膠可用作為構成本發明之構件。
搬送用基材部1的開口部10的加工，係藉由空氣主軸法、超音波法及其他各種方法達成。例如半導體製造裝置的加工、製程中，要求平坦度、尺寸精確度，空氣主軸法為實現彼等的有效方法，如圖7所示，該方法之高度方向的尺寸精確度為10μm以下，表面粗糙度為0.2μm以下。另外，超音波之加工雖會降低精確度，但對於某些用途亦為有利的方式。
另一方面，微機器(MEMS)的製造，係使用在基板之垂直剖面可實現高深寬比的稱為Bosch法之蝕刻方法，該方法之蝕刻速度快，但深度方向的尺寸精確度會受形狀影響。一般而言，依形狀對於500μm的蝕刻深度有30μm左右的誤差，因此除蝕刻法以外，另外使用上記空氣主軸法或超音波加工法，即可提升作業效率之同時，確保尺寸精確度。
圖8為使用空氣主軸法進行開口部10加工的例，表示藉由一邊接觸來確保位置精確度的構造，藉由二邊接觸來確保位置精確度的構造，及複雜的形狀的加工例等。
(第2實施形態)
另外，如圖4所示，本發明之半導體製程用載具，係除第1實施形態的構成以外，在開口部10的接著有聚醯亞胺薄膜2之側的相反側，具有由基板插入部7b及基板收容部7c構成的構造體7，以使小基板(省略圖示)可以裝拆地插入並被收容，不因在半導體製造裝置內之搬送或旋轉而掉落。
由基板插入部7b及基板收容部7c構成的構造體7，例如係由矽構成的材料，將蓋部71及間隔部72的2構件加工成為特定形狀並組合，而形成為圖4(a)所示平面上大略C字狀。具體言之為，欲形成具有基板插入部7b或基板收容部7c的平面上大略C字狀的構造時，該基板插入部7b成為可裝拆小基板的插入口，該基板收容部7c為將小基板收容於構造體7內部者，可藉由第1實施形態中形成搬送基材部1的手法、即空氣主軸方式的研削法或超音波加工法來形成。另外，就製程的確實觀點而言，基板插入部7b之構成，較好是包含：藉由蓋部71覆蓋由構造體7所形成空間之一部分之同時，進行間隔部72之加工以使小基板可由斜上方進行裝拆的裝拆部構造(例如參照圖4(b))。又，構造體7，可由和矽不同的化合物半導體材料之藍寶石、GaN、SiC、GaAs等構成。
另外，對搬送基材部1上，藉由進行矽表面的電漿照射來實施表面活化接合，如此則可對切片等進行接合。具體言之為，藉由電漿照射對構造體7與搬送基材部1實施表面活化處理，之後，加壓或加熱使密接而接合。
構造體7，係和第1實施形態之搬送基材部1的開口部10同樣，較好是具有：第1支點，用於支撐沿著小基板的結晶方位而形成的定位平面；及第2支點，係由對於該第1支點成為直角的位置進行支撐。另外，就對準機構的準確性觀點而言，較好是具有第3支點，其可由和第2支點支撐的方向呈180度逆方向，以點方式來支撐。又，就均勻的表面處理觀點來看，較好是於構造體7上形成記號，以該記號作為位置基 準使其被吸付於進行裝置內製程的平台上。
(第3實施形態)
又，如圖5所示，本發明的半導體製程用載具，係由以下構成：由大口徑矽基板構成的搬送用基材部1a；及由基板插入部7b及基板收容部7c構成的平面上大略C字狀的構造體7，係形成於該搬送基材部1a上，能使小基板(省略圖示)可以裝拆地插入並收容，不因半導體製造裝置內之搬送或旋轉而掉落。
第3實施形態，其和第1實施形態及第2實施形態之半導體製程用載具的構成之不同點在於，不需要聚醯亞胺薄膜2，於搬送用基材部1a未設置開口部10之構成。第3實施形態的半導體製程用載具，因為不用聚醯亞胺薄膜2，而於搬送用基材部1a形成孔5，用來將小基板真空吸附固定於半導體製造裝置內的特定位置，或於半導體製造裝置內進行冷卻。又，使小基板可以裝拆地插入並收容，不因半導體製造裝置內之搬送或旋轉而掉落的由基板插入部7b及基板收容部7c構成的構造體7的構造之形成方法，及將其接合於搬送用基材部1的接合方法，可藉由和第2實施形態同一方法來實現。另外，和第2實施形態同樣，較好是於構造體7上，設置用來確保所收容小基板的位置精確度的第1支點~第3支點。本實施形態之構造體7，除矽以外，可由和矽不同的化合物半導體材料之藍寶石、GaN、SiC、GaAs等構成。
(第4實施形態)
另外，如圖6所示，本發明的半導體製程用載具，係取代 第3實施形態之平面上大略C字狀的構造體7，而由包括金屬彈簧8等彈性構件透過其可進行開閉的環狀構造體7a構成。如此則，即使於半導體製造裝置內進行任意方向之搬送或旋轉等特殊製程時，亦可藉由開閉可能的環狀構造體7a，使收容於半導體製程用載具的小基板不致於掉落。
又，使小基板可以裝拆地插入並收容，不因半導體製造裝置內之搬送或旋轉而掉落的由基板插入部及基板收容部構成的構造體7a與開閉片部7a1的構造之形成方法，及對搬送用基材部1的接合方法，可藉由第2實施形態或和第2實施形態同一方法來實現。另外，和第2實施形態、第3實施形態同樣，較好是於構造體7上，設置用來確保所收容小基板的位置精確度的第1支點~第3支點。本實施形態之構造體7，除矽以外，可由和矽不同的化合物半導體材料之藍寶石、GaN、SiC、GaAs等構成。特別是，實施構造體7a的開閉之開閉片部7a1，亦可由塑膠構成。
本發明，係如上述藉由實現第1實施形態~第4實施形態的複數種半導體製程用載具，而可以圓滑地對應於曝光、離子植入、蝕刻、沉積、接合等半導體製造裝置的搬送以及製程所要求的要件。
1)曝光裝置，其之搬送時加速度或旋轉雖小，但是最終要求嚴格的位置精確度。因此，相對於作為半導體製程用載具的位置基準之標記，需要達成開口部的位置精確度，以及其中的小基板固定方法的位置精確度，因此具有開口部的第1實施形態、第2實施形態的半導體製程用載具為有效。
2)離子植入裝置，通常為達成面內均一性，而包括於離子植入時可進行各種旋轉的機構。另外，於其之製程中大多被施加加速度及離心力。因此，不僅是能將小基板載置於開口部，藉由構造體而可將小基板覆蓋、固定的構造為有效者，亦即第2實施形態、第3實施形態及第4實施形態的半導體製程用載具為有效者。
3)蝕刻裝置，通常使用靜電吸盤來保持矽載具，因此載具本身需要能對應於靜電吸盤。亦即，加工、製程中需要維持保持狀態。因此，透過聚醯亞胺薄膜對小基板實施靜電吸盤吸付的構造為有效者，亦即第1實施形態、第2實施形態的半導體製程用載具為有效。
4)CVD、濺鍍等之薄膜沉積裝置，搬送系需能耐沉積時的溫度，聚醯亞胺薄膜的耐高溫特性可以發揮。因此，第1實施形態及第4實施形態的半導體製程用載具均為有效。
5)高溫退火等之高溫爐，係於SiC導入雜質，離子植入後伴隨著高溫退火。於GaN則有高溫的結晶成長製程。關於矽，在雜質擴散或氧化膜形成、結晶成長等亦使用高溫爐。為了應付該等高溫製程，包含搬送系在內，需要形成為在高溫無黏著或剝離的材料及構造體。因此，第3實施形態、第4實施形態的半導體製程用載具為有效。
另外，半導體製造的製程中，係採用在製造過程的重要處為了尺寸測定而配置電子顯微鏡之觀察、光學顯微鏡之觀察測定，或者X線螢光分析等之計測分析裝置，據以維持品質及異常的早期發現體制。於該等計測裝置，需要確保搬送 用的靜電吸盤與小基板的位置精確度，因此第1實施形態、第2實施形態的半導體製程用載具為有效者。
【實施例】
以下參照幾個實施例詳細說明本發明。試料的種類與大小，聚醯亞胺薄膜的種類與厚度，接著劑的種類與接著方法有多種多樣，本發明並未限定於該等實施例。
(實施例1)
<製程1>
製作搬送基材部時，係藉由空氣主軸法實施孔加工。此時，基材基板的基準(凹槽或定位平面)與搭載晶圓的基準(定位平面)，在位置精確度上係以可以實現X、Y<±200μm、Θ<1度的方式，於挖空面加工形成至少2個支點。2個支點為定位平面的支點及直通該定位平面的支點(參照圖3)。
<製程2>
聚醯亞胺薄膜的加工係實施雷射加工。
<製程3>
接著劑溶液的調整，係放入溶劑可溶性的聚醯亞胺溶液進行稀釋，以自轉公轉攪拌器混合而進行聚醯亞胺接著溶液的濃度調整。
<製程4>
以旋轉塗布(spindle coat)法塗布(全面擴展)接著劑時，係於SEMI規格的6英吋矽基板上，黏貼研磨製程用的兩面帶，於其上黏貼熱剝離薄片，於其上將上述製作的搬送用搬送基材部洗淨並予以貼合。以旋轉塗布器進行接著用的溶媒可溶 聚醯亞胺之塗布。塗布後，使用加熱板進行加熱乾燥，最後進行高溫乾燥。溶媒被加熱揮發。
<製程5>
於空氣中藉由加熱加壓進行沖壓。
<製程6>
藉由氣體蝕刻裝置評估本實施例的半導體製程用載具，結果確認可以無問題地對小基板進行蝕刻製程。
(實施例2)
<製程1>
搬送基材部的製作，係藉由空氣主軸法實施孔加工。
<製程2>
聚醯亞胺薄膜的加工，係實施雷射加工。
<製程3>
接著劑溶液的調整，係放入溶劑可溶性的聚醯亞胺溶液進行稀釋，藉由自轉公轉攪拌器進行混合，進行聚醯亞胺接著溶液的濃度調整。
<製程4>
使用網版印刷法進行接著劑之塗布(部分擴展)。
<製程5>
於真空中或空氣中藉由加熱加壓進行沖壓。關於聚醯亞胺薄膜與基材部的接著強度，藉由拉伸試驗機朝180度方向剝離聚醯亞胺薄膜來測定剝離強度，結果為250gf/cm以上。
<製程6>
使用以水銀燈具的i線(365nm)為光源的曝光裝置(Nikon Corporation製NSR2205i12D)，對本實施例的半導體製程用載具進行評估。具體言之為，將在3英吋矽基板全面旋轉塗布有正型光阻劑(AZ公司製GXR602)而構成的小基板予以設置，於曝光裝置內藉由靜電吸盤進行吸附固定，於曝光台(Exposure Stage)上以真空吸盤吸付之狀態下，以曝光量80mJ/cm2的條件進行曝光，燒結成圖案。之後，以2.38%濃度的氫氧化四甲銨水溶液進行水坑顯影(puddle development)。結果，形成目的的阻劑圖案，而且無顯影液對暫固定劑之侵蝕現象，可以確保對3英吋矽基板的接著強度。
另外，測定吸附後的小基板表面的平坦度結果，可得5μm內的平坦度，可獲得和一般晶圓的搬送同等之平坦度。經由微影成像(lithography)製程的驗證，確認可以良好形成線寬與間距寬為1.0μm與1.2μm的圖案。另外，經由L圖案的驗證，進行0.6μm、0.5μm、0.4μm、0.3μm、0.2μm的圖案形成，確認可以良好形成至0.3μm為止的圖案。由該等結果可知，不使用矽載具，而具有和使用通常的SEMI規格的8英吋矽基板時同等的結果，使用本發明的曝光製程為有效。
(實施例3：特別是關於耐熱矽載具的製作，參照圖5、圖6)
<製程1>
製作由基板插入部及基板收容部構成的構造體時，係藉由空氣主軸法實施孔加工，將矽基板切空成為C型。此時，基材基板的基準(凹槽或定位平面)與搭載晶圓的基準(定位平面)在位置精確度上，係以可以實現X、Y<±200μm、Θ<1度的 方式，於挖空面加工形成至少2個支點。2個支點為定位平面的支點及直通該定位平面的支點(例如參照圖3)。又，於搬送用基材基板形成吸附用孔。
<製程2>
為了將構造體接合於搬送用基材部，而對搬送用基材部的矽基板、由基板插入部及基板收容部構成的構造體的表面進行洗淨，洗淨研削時的微粒等。又，使表面不存在1μm以上的微塵(dust)。
<製程3>
矽表面的離子化，針對搬送用基材部的矽基板與構造體的特別是基板收容部的表面進行離子活化處理。
<製程4>
進行搬送用基材基板與基板收容部之加熱加壓，進一步進行電漿接合。此時，可以作成專用冶具來提升對準精確度。
<製程5>
另外，作為矽表面的離子化，可以針對構造體的特別是基板收容部及基板插入部的表面實施離子活化。
<製程6>
進行基板收容部及基板插入部之加熱加壓，進一步進行電漿接合。此時，可以作成專用冶具來提升對準精確度。
因為耐熱載具等係由導體(矽、化合物晶圓)構成，無法由半導體裝置(靜電吸盤)進行小基板之吸附。亦即，導體存在時電場無法到達其上的小基板，無法吸附。雖可考慮於半導體裝置(靜電吸盤)與小基板之間，並非將導體(矽、 化合物晶圓)，而是將具有聚醯亞胺以上的耐熱溫度、且50μm以下的薄膜材予以貼合的方法，但是玻璃等會龜裂，因而無法使用。
因此，本發明，係如圖9所示，在作為搬送用基材部101的矽基板上，將包含介電體材料106而構成的電荷儲存層103或配線層104、105予以積層，進而接合構造體108而構成的半導體製程用載具，其亦包含於本發明之範圍。具體言之為，在作為搬送用基材部101的矽基板上，隔著SiO2等絕緣層102而積層電荷儲存層103，於該電荷儲存層103設置包含V+及V-的外部端子之配線層104、105，另外於電荷儲存層103上將由基板插入部及基板收容部構成的構造體108予以接合而構成。如此則，對包含V+及V-的外部端子之配線層104、105施加電壓，使小基板107透過薄的介電體106被吸附於配線層104、105。即使遮斷外部電壓後，亦可藉由電荷儲存層103的儲存電荷維持吸附力。矽載具與半導體製造裝置內，可藉由靜電吸盤平台來實現吸附，結果，成為小基板可以吸附於半導體裝置的構造。
【產業上的可利用性】
於大口徑矽基板用的半導體製造裝置，可以藉由本發明的半導體製程用載具，來實現使用小徑半導體基板的化合物半導體基板之製程，無須改造生產線。另外，可以藉由變更本發明的半導體製程用載具，來對應於基板尺寸的變更。生產線的改造，通常需要數千萬圓至1億圓以上的大費用，以及裝置改造期間之自下訂至貨品交付．動作確認為止3個月以上 的期間。因此，藉由使用本發明的半導體製程用載具，可以縮減製造期間及大幅削減費用。
另外，本發明不僅適用於半導體元件，在安裝元件或機械元件等加工時在不影響加工構件的範圍內均可適用。
以上說明本發明幾個實施形態，但是上述實施形態僅為本發明之例示，本發明在不脫離申請專利範圍之要旨情況下可做各種設計變更。例如構成本發明的由半導體基板構成的搬送用基材部，除了由以大口徑矽基板為基材之構成以外，亦可以化合物半導體基板等為基材來構成。
1‧‧‧搬送用基材部
2‧‧‧聚醯亞胺薄膜
3‧‧‧接著部
5‧‧‧孔
7‧‧‧構造體
7b‧‧‧基板插入部
7c‧‧‧基板收容部
71‧‧‧蓋部
72‧‧‧間隔部
72c‧‧‧間隔部
10‧‧‧開口部

Claims (13)

  1. 一種半導體製程用載具，對由半導體基板構成的搬送用基材部，實施加工而成為可以將比起該搬送用基材部為小口徑、或和上述搬送用基材部為異型的小基板予以保持而構成者；其特徵在於：於上述搬送用基材部形成開口部，覆蓋該開口部而於底面接著有聚醯亞胺薄膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中具有：透過上述聚醯亞胺薄膜施加1kV以上的高電壓，而對所保持的上述小基板連同半導體製造裝置內的特定位置實施靜電吸盤吸附的構造。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之半導體製程用載具，其中上述開口部係藉由空氣主軸(air spindle)方式的研削法或超音波加工法形成。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之半導體製程用載具，其中上述聚醯亞胺薄膜的厚度為50μm以下。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體製程用載具，其中於上述開口部的接著有上述聚醯亞胺薄膜之側的相反側，具有由基板插入部及基板收容部構成的構造體，用於使上述小基板可以裝拆地插入並被收容，不因在上述半導體製造裝置內之搬送或旋轉而掉落。
  6. 一種半導體製程用載具，對由半導體基板構成的搬送用基材部，實施加工成為可以將比起該搬送用基材部為小口 徑、或和上述搬送用基材部為異型的小基板保持而構成者；其特徵在於：包括：由基板插入部及基板收容部構成的構造體，其被實施加工而成為可以保持上述小基板，以使上述小基板可以裝拆地插入並被收容，不因在上述半導體製造裝置內之搬送或旋轉而掉落。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之半導體製程用載具，其中上述由基板插入部及基板收容部構成的構造體，係藉由空氣主軸方式的研削法或超音波加工法形成。
  8. 如申請專利範圍第5至7項中任一項之半導體製程用載具，其中上述由基板插入部及基板收容部構成的構造體，係包含有裝拆部構造，用於覆蓋由該構造體所形成的空間之一部分，而使上述小基板可由斜上方進行裝拆。
  9. 如申請專利範圍第5至8項中任一項之半導體製程用載具，其中上述由基板插入部及基板收容部構成的構造體與上述搬送用基材部，係藉由電漿照射的表面活化接合進行接合而形成。
  10. 如申請專利範圍第5至9項中任一項之半導體製程用載具，其中上述由基板插入部及基板收容部構成的構造體，係由矽形成。
  11. 如申請專利範圍第5至9項中任一項之半導體製程用載具，其中上述搬送用基材部及由基板插入部、基板收容部構成的構造體，係由和矽不同的化合物半導體材料形成。
  12. 如申請專利範圍第1至11項中任一項之半導體製程用載 具，其中形成有用於真空吸附固定或冷卻上述小基板的孔。
  13. 如申請專利範圍第6至12項中任一項之半導體製程用載具，其中可以保持上述小基板的加工，係藉由半導體製程來實現。
TW102133595A 2013-04-02 2013-09-17 半導體製程用載具 TW201440160A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013076752A JP5621142B2 (ja) 2013-04-02 2013-04-02 半導体プロセス用キャリア

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201440160A true TW201440160A (zh) 2014-10-16

Family

ID=51657948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102133595A TW201440160A (zh) 2013-04-02 2013-09-17 半導體製程用載具

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20160042988A1 (zh)
EP (1) EP2983199B1 (zh)
JP (1) JP5621142B2 (zh)
TW (1) TW201440160A (zh)
WO (1) WO2014162627A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI774590B (zh) * 2021-10-22 2022-08-11 環球晶圓股份有限公司 晶圓治具、晶圓結構及晶圓的加工方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5959069B2 (ja) * 2014-07-14 2016-08-02 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体プロセス用キャリア
JP6594286B2 (ja) * 2016-11-14 2019-10-23 三菱電機株式会社 ＳｉＣ半導体装置の製造方法
CN109129533B (zh) * 2018-10-12 2021-09-21 重庆大学 一种面向在轨捕获的自适应静电吸附式末端执行器

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2573050B2 (ja) * 1989-03-15 1997-01-16 三洋電機株式会社 磁気記録再生装置の信号検出方法
JPH0727628Y2 (ja) * 1989-11-20 1995-06-21 日本電信電話株式会社 ウエハ保持治具
JPH05114618A (ja) 1991-06-26 1993-05-07 Toshiba Chem Corp 半導体装置の製造方法
JP3257741B2 (ja) * 1994-03-03 2002-02-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及び方法
US6228685B1 (en) * 1994-07-07 2001-05-08 Tessera, Inc. Framed sheet processing
KR0174773B1 (ko) * 1995-03-31 1999-04-01 모리시다 요이치 반도체장치의 검사방법
JP3221304B2 (ja) 1995-12-13 2001-10-22 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH1079418A (ja) 1996-09-04 1998-03-24 Nikon Corp 基板搬送用アダプタ
JP3410366B2 (ja) * 1998-06-19 2003-05-26 理学電機工業株式会社 蛍光ｘ線分析用試料ホルダ
EP1006562A3 (en) * 1998-12-01 2005-01-19 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Two-piece clamp ring for holding semiconductor wafer or other workpiece
JP3679989B2 (ja) 2000-10-19 2005-08-03 株式会社アドバンスト・ディスプレイ チップキャリアフィルムおよびその製造方法ならびにこのチップキャリアフィルムを使用した液晶表示装置
JP2003034736A (ja) 2001-07-24 2003-02-07 Sumitomo Rubber Ind Ltd ゴム組成物およびそれを用いたタイヤ
JP3858669B2 (ja) * 2001-11-06 2006-12-20 信越半導体株式会社 表面検査用補助治具を用いた同点測定方法
JP2004007160A (ja) 2002-05-31 2004-01-08 Nikon Corp シェーディング補正装置
TWI327336B (en) * 2003-01-13 2010-07-11 Oc Oerlikon Balzers Ag Arrangement for processing a substrate
JP2006024697A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Olympus Corp ハンドリングツール及びこのツールを用いた部品搬送装置並びに方法
FR2875054B1 (fr) * 2004-09-08 2006-12-01 Cit Alcatel Support de substrats minces
TW200735254A (en) * 2006-03-03 2007-09-16 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck and producing method thereof
JP4790458B2 (ja) * 2006-03-22 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2008091353A (ja) * 2006-09-07 2008-04-17 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
EP2306505A4 (en) * 2008-07-08 2011-09-14 Creative Tech Corp BIPOLAR ELECTROSTATIC CHUCK
JP2010073884A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体ウェーハ用治具及び半導体装置の製造方法
WO2011017226A2 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Applied Materials, Inc. Compound lift pin tip with temperature compensated attachment feature
JP5395633B2 (ja) * 2009-11-17 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の基板載置台
JP2011187758A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Tokyo Electron Ltd 温度制御システム、温度制御方法、プラズマ処理装置及びコンピュータ記憶媒体
EP2671249A4 (en) * 2011-02-01 2015-10-07 Henkel IP & Holding GmbH FILLING FILM APPLIED TO A PRE-CUTTING WAFER
JP5875775B2 (ja) * 2011-03-30 2016-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板除去方法及び記憶媒体
JP5923245B2 (ja) * 2011-03-30 2016-05-24 東京エレクトロン株式会社 基板除去方法及び記憶媒体
US20130003249A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Wonhaeng Lee Electrostatic chucks, substrate treating apparatuses including the same, and substrate treating methods
US9349643B2 (en) * 2013-04-01 2016-05-24 Brewer Science Inc. Apparatus and method for thin wafer transfer
JP5959069B2 (ja) * 2014-07-14 2016-08-02 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体プロセス用キャリア
US10249526B2 (en) * 2016-03-04 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly for high temperature processes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI774590B (zh) * 2021-10-22 2022-08-11 環球晶圓股份有限公司 晶圓治具、晶圓結構及晶圓的加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014203878A (ja) 2014-10-27
US20160042988A1 (en) 2016-02-11
WO2014162627A1 (ja) 2014-10-09
EP2983199B1 (en) 2021-03-03
JP5621142B2 (ja) 2014-11-05
EP2983199A4 (en) 2017-02-08
EP2983199A1 (en) 2016-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8181688B2 (en) Apparatus for temporary wafer bonding and debonding
JP5518071B2 (ja) 静電チャック用エッジリング
JP5943408B2 (ja) 半導体デバイス製造装置
US7655316B2 (en) Cleaning of a substrate support
TWI600110B (zh) 用於較小晶圓及晶圓片之晶圓載具
TW201440160A (zh) 半導體製程用載具
US20080068580A1 (en) Substrate-retaining unit
US7678669B2 (en) Method for manufacturing semiconductor substrate
JP2005142496A (ja) ヒータ機構付き静電チャック
TW201349383A (zh) 晶圓固持具
TWI659488B (zh) Semiconductor process carrier
US20150206783A1 (en) System amd method for substrate holding
US9815091B2 (en) Roll to roll wafer backside particle and contamination removal
KR20150087133A (ko) 기판 홀딩 시스템 및 방법
JP5707793B2 (ja) 基板貼り合せ装置、基板貼り合せ方法および積層半導体装置製造方法
JP2004103799A (ja) 基板保持装置、デバイス製造装置及びデバイス製造方法
TW201939659A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
CN110556331B (zh) 一种复合材料及使用该材料的静电卡盘的制造方法
JP4539981B2 (ja) 基板保持装置
JP2006273447A (ja) 基板吸着方法及び装置
JP2004165439A (ja) ステージ装置
JP2011151079A (ja) 吸着方法、吸着装置、基板貼り合せ装置および積層半導体製造方法
JP2011192674A (ja) 基板ホルダ、ステージ装置および基板貼り合せ装置
JP2013042049A (ja) ウェハ支持装置
TW202401630A (zh) 接合裝置及接合方法