TW201438259A - 太陽能電池及其製造方法 - Google Patents

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Wu-Chun Kao
Li-Wei Cheng
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Abstract

一種太陽能電池及其製造方法，其中所述的製造方法包括以下步驟。於基板的第一表面上形成保護層。於基板的第二表面上形成鈍化層。於鈍化層上形成至少一第一型半導體圖案以及至少一第二型半導體圖案，其中第一型半導體圖案與第二型半導體圖案共平面且彼此鄰接。於第一型半導體圖案與第二型半導體圖案的交界處形成溝渠，以使第一型半導體圖案及第二型半導體圖案彼此電性絕緣。於第一型半導體圖案與第二型半導體圖案上形成種子層，且種子層的導電率大於9×105 S/m。於種子層上形成電極層。

Description

太陽能電池及其製造方法
本發明是有關於一種半導體元件及其製造方法，且特別是有關於一種太陽能電池及其製造方法。
近年來，隨著環保意識抬頭以及全球面臨能源危機、石化能源的污染與短缺等問題，如何開發節能、環保且可永續使用的替代能源已成為各個先進國家之科技研發的首要目標。在眾多替代能源的方案之中，太陽能電池於再生能源新興市場中的佔有率達23%以上，其為現階段最主要的替代能源，亦為十分具有前景的能源技術。
目前在各種類型的太陽能電池中，主要以矽基太陽能電池為技術的主流。然而，目前矽基太陽能電池的發展仍受到光電轉換效率的限制，其中影響光電轉換效率的膜層除了抗反射層(anti-reflection layer)及鈍化層外，窗戶層(window layer)的良窳也是決定光電轉換效率的重要關鍵之一。
圖1是習知的一種矽基太陽能電池的示意圖。請參照圖1，矽基太陽能電池100包括矽基材110、鈍化層120a、120b、第一型半導體層130、第二型半導體層140、窗戶層150a、150b及電極160a、160b。第一型半導體層130及第二型半導體層140配置於矽基材110的相對兩側，且鈍化層120a配置於第一型半導體層130與矽基材110之間，而鈍化層120b配置於第二型半導體層140與矽基材110之間。窗戶層150a、150b分別覆蓋於第一型半導體層130及第二型半導體層140上，而電極160a、160b則分別位於窗戶層150a、150b上。
由於窗戶層150a配置於矽基太陽能電池100的受光面(即面向外界光線)，因此，在光穿透率的考量下，矽基太陽能電池100主要以透明金屬氧化物作為窗戶層150a的材料，其中透明金屬氧化物又以銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)為主流。然而，銦的價格昂貴且銦錫氧化物需要真空(vacuum)製程，因而導致製程成本及時間的增加，而降低了產品的競爭力。此外，在銦錫氧化物的沉積過程中，物理氣相沈積(physical vapor deposition)製程中的電漿易損害矽基太陽能電池100中的膜層，進而影響矽基太陽能電池100的元件特性。
本發明提供一種太陽能電池的製造方法，其具有相對低的製程成本及時間。
本發明提供一種太陽能電池，其具有良好的元件特性。
本發明的一種太陽能電池的製造方法，包括以下步驟。於基板的第一表面上形成保護層。於基板的第二表面上形成鈍化層。於鈍化層上形成至少一第一型半導體圖案以及至少一第二型半導體圖案，其中第一型半導體圖案與第二型半導體圖案共平面且彼此鄰接。於第一型半導體圖案與第二型半導體圖案的交界處形成溝渠，以使第一型半導體圖案及第二型半導體圖案彼此電性絕緣。於第一型半導體圖案與第二型半導體圖案上形成種子層，且種子層的導電率大於9×105 S/m。於種子層上形成電極層。
在本發明的一實施例中，上述的第一表面相對於第二表面。
在本發明的一實施例中，上述在形成保護層之前，更包括對第一表面進行表面織化製程。
在本發明的一實施例中，上述的保護層的材料包括氮化矽、氧化矽及氧化鋁其中至少一者。
在本發明的一實施例中，上述的形成保護層的方法包括電漿增益化學氣相沈積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)、常壓化學氣相沈積(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)或原子層沈積(atomic layer deposition,ALD)。
在本發明的一實施例中，上述於鈍化層上形成第一型半導體圖案以及第二型半導體圖案的方法包括以下步驟。於鈍化層 上設置第一遮罩，且第一遮罩曝露出鈍化層的第一區域。於第一區域上形成第一型半導體圖案。於鈍化層上設置第二遮罩，且第二遮罩遮蔽第一型半導體圖案並曝露出第一型半導體圖案以外的第二區域。於第二區域上形成第二型半導體圖案。
在本發明的一實施例中，上述的第一型半導體圖案及第二型半導體圖案其中一者為N型半導體圖案，且第一型半導體圖案及第二型半導體圖案其中另一者為P型半導體圖案。
在本發明的一實施例中，上述的溝渠的製造方法包括以雷射鑽孔或濕式蝕刻移除位於第一型半導體圖案與第二型半導體圖案的交界處的第一型半導體圖案及第二型半導體圖案其中至少一者，且溝渠曝露出一部分的鈍化層。
在本發明的一實施例中，上述的溝渠是在種子層及電極層之前形成，且溝渠的深度等於第一型半導體圖案或第二型半導體圖案的厚度，溝渠並曝露出一部分的鈍化層。
在本發明的一實施例中，上述形成種子層的方法或形成電極層的方法包括網版印刷或電鍍，且該種子層及該電極層曝露出該部分的該鈍化層。
在本發明的一實施例中，上述的溝渠是在電極層之後形成，且溝渠的深度等於第一型半導體圖案、種子層及電極層的厚度的總和，或等於第二型半導體圖案、種子層及電極層的厚度的總和，溝渠並曝露出一部分的鈍化層。
在本發明的一實施例中，上述形成種子層的方法包括以 網版印刷、電鍍或熱蒸鍍的方式將種子層的材料全面地覆蓋於第一型半導體圖案與第二型半導體圖案上，而形成電極層的方法包括以網版印刷、電鍍、熱蒸鍍、電解或化學氣相沉積的方式將電極層的材料全面地覆蓋於種子層上。
在本發明的一實施例中，上述的種子層的材料包括鎳、鈦、銀、鋁或鈷。
在本發明的一實施例中，上述的種子層的厚度小於20奈米。
在本發明的一實施例中，上述的電極層的材料包括銀、鋁或銅。
本發明的一種太陽能電池包括基板、保護層、鈍化層、至少一第一型半導體圖案、至少一第二型半導體圖案、種子層以及電極層。基板具有相對的第一表面與第二表面。保護層配置於第一表面上。鈍化層配置於第二表面上。第一型半導體圖案以及第二型半導體圖案配置於鈍化層上，其中第一型半導體圖案與第二型半導體圖案共平面且彼此電性絕緣。種子層配置於第一型半導體圖案與第二型半導體圖案上，且種子層的導電率大於9×105 S/m。電極層配置於種子層上。
在本發明的一實施例中，上述的第一表面為織化(textured)表面。
在本發明的一實施例中，上述的保護層的材料包括氮化矽、氧化矽及氧化鋁其中至少一者。
在本發明的一實施例中，上述的第一型半導體圖案及第二型半導體圖案其中一者為N型半導體圖案，且第一型半導體圖案及第二型半導體圖案其中另一者為P型半導體圖案。
在本發明的一實施例中，上述的一部分的鈍化層未被第一型半導體圖案及第二型半導體圖案覆蓋，且位於第一型半導體圖案及第二型半導體圖案上的種子層及電極層也曝露出所述部分的鈍化層。
在本發明的一實施例中，上述的種子層的材料包括鎳、鈦、銀、鋁或鈷。
在本發明的一實施例中，上述的種子層的厚度小於20奈米。
在本發明的一實施例中，上述的電極層的材料包括銀、鋁或銅。
基於上述，本發明將第一型半導體圖案及第二型半導體圖案共同配置於基板的非受光面上(即背對外界光線的第二表面)。如此一來，除了可將遮光的電極層製作於基板的非受光面上還可免去於受光面上形成窗戶層，進而有效提升受光面的光穿透率。此外，本發明以導電率相對高的種子層取代習知以透明金屬氧化物為材料的窗戶層，因此，除了可有效提升太陽能電池的光電轉換效率及填充因子(fill factor)外，還可免去銦錫氧化物的製作，進而有效地降低製程成本及時間，並可避免因製作透明金屬氧化物而損害太陽能電池中的其他膜層，進而使本發明的太陽能 電池具有良好的元件特性。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100‧‧‧矽基太陽能電池
110‧‧‧矽基材
120a、120b、230‧‧‧鈍化層
130‧‧‧第一型半導體層
140‧‧‧第二型半導體層
150a、150b‧‧‧窗戶層
160a、160b‧‧‧電極
200、300‧‧‧太陽能電池
210‧‧‧基板
220‧‧‧保護層
240A‧‧‧第一遮罩
240B‧‧‧第二遮罩
250a、250b‧‧‧第一型半導體圖案
260a、260b‧‧‧第二型半導體圖案
270a、270b‧‧‧種子層
280a、280b‧‧‧電極層
A1‧‧‧第一區域
A2‧‧‧第二區域
S1a、S1b‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
D1、D2‧‧‧深度
T‧‧‧厚度
WA、WB‧‧‧開口
TC1、TC2‧‧‧溝渠
I1、I2‧‧‧島狀結構
S100、S200‧‧‧電漿增益化學氣相沈積製程
圖1是習知的一種矽基太陽能電池的示意圖。
圖2A至圖2I是依照本發明一實施例的太陽能電池的製作流程的剖面示意圖。
圖3A至圖3C是依照本發明另一實施例的太陽能電池的製作流程的剖面示意圖。
圖2A至圖2I是依照本發明一實施例的太陽能電池的製作流程的剖面示意圖。請參照圖2A，提供基板210，其中基板210具有相對的第一表面S1a與第二表面S2。第一表面S1a例如是受光面，亦即是，面向外界光線(未繪示，例如太陽光)以吸收光子的表面，而第二表面S2例如是非受光面，亦即是背對外界光線的表面。基板210的材料包括矽。舉例而言，基板210例如是P型矽基板或N型矽基板。
請參照圖2B，為了提高吸收光子的能力，並降低外界光線的反射，本實施例可選擇性地對第一表面S1a(即受光面)進行表 面織化製程，而形成織化表面(即織化的第一表面S1b)，如圖2B中的鋸齒狀表面所示。表面織化製程例如是，但不限於，使用氫氧化鉀(KOH)溶液來進行之。
請參照圖2C，於第一表面S1b上形成保護層220。在本實施例中，保護層220可以是具有高能隙以減少載子於表面復合的機率的鈍化層，其材料例如是非晶矽(amorphous-silicon)，且例如是以電漿增益化學氣相沈積的方法製成。另一方面，保護層220也可以是用以降低外界光線反射的抗反射層，其材料例如是氮化矽、氧化矽及氧化鋁其中至少一者，且例如是以電漿增益化學氣相沈積、常壓化學氣相沈積或原子層沈積的方法製成。如此一來，保護層220除了可作為保護太陽能電池之用(例如是用來避免太陽能電池刮傷或受潮等)，還可兼具減少載子於表面復合的機率及/或降低外界光線的反射的功效。
請參照圖2D，於基板210的第二表面S2上形成鈍化層230。鈍化層230的材料例如是非晶矽，且鈍化層230例如是以電漿增益化學氣相沈積的方法製成。
請參照圖2E，於鈍化層230上設置第一遮罩240A，其中第一遮罩240A具有開口WA曝露出鈍化層230的第一區域A1，且遮蔽第一區域A1以外的區域(即第二區域A2)。
接著，於第一區域A1上形成第一型半導體圖案250a，其中，第一型半導體圖案250a的材料例如是非晶矽，且形成第一型半導體圖案250a進行電漿增益化學氣相沈積製程S100。
請參照圖2F，於鈍化層230上設置第二遮罩240B，其中第二遮罩240B遮蔽第一型半導體圖案250a所在的第一區域A1，且第二遮罩240B具有開口WB曝露出第一型半導體圖案250a以外的第二區域A2。
接著，於第二區域A2上形成第二型半導體圖案260a，其中，第二型半導體圖案260a的材料例如是非晶矽，且形成第二型半導體圖案260a的方法包括進行電漿增益化學氣相沈積製程S200。
第一型半導體圖案250a及第二型半導體圖案260a共平面且彼此鄰接。此外，第一型半導體圖案250a及第二型半導體圖案260a其中一者為N型半導體圖案，且第一型半導體圖案250a及第二型半導體圖案260a其中另一者為P型半導體圖案。
此處需說明的是，本實施例雖以2個第一型半導體圖案250a及2個第二型半導體圖案260a彼此交替排列設置作為舉例說明，但第一型半導體圖案250a及第二型半導體圖案260a的數量或是設置關係當可視實際應用而定，因此本發明並不限於此。
請參照圖2G，於第一型半導體圖案與第二型半導體圖案的交界處(即第一區域A1與第二區域A2的交界處)形成溝渠TC1。詳言之，溝渠TC1的製造方法例如是以雷射鑽孔或濕式蝕刻移除位於第一型半導體圖案250a與第二型半導體圖案260a的交界處的第一型半導體圖案250a及第二型半導體圖案260a其中至少一者，而形成彼此分離的第一型半導體圖案250b及第二型半 導體圖案260b，其中溝渠TC1曝露出一部分的鈍化層230。此外，在溝渠TC1形成之後，第一型半導體圖案250b及第二型半導體圖案260b彼此電性絕緣。
進一步而言，本實施例的溝渠TC1的深度D1例如約等於第一型半導體圖案250b或第二型半導體圖案260b的厚度T。亦即是，本實施例以雷射鑽孔或濕式蝕刻所移除的第一型半導體圖案250a及/或第二型半導體圖案260a的深度約等於兩者各自的厚度。
請參照圖2H，於第一型半導體圖案250b與第二型半導體圖案260上形成種子層270a。在本實施例中，種子層270a例如是多個彼此分離且對應第一型半導體圖案250b及第二型半導體圖案260b設置的島狀導電結構，且種子層270a也曝露出溝渠TC1所曝露出的部份的鈍化層230。
此外，種子層270a的材料例如是鎳、鈦、銀、鋁、鈷或其疊層，且形成種子層270a的方法可以是網版印刷或電鍍。在本實施例中，種子層270a的厚度小於20奈米，而導電率大於9×105 S/m，且導電率較佳是介於106至108S/m之間。
本實施例以導電率相對高的種子層270a取代習知以透明金屬氧化物(導電率小於5×105 S/m)為材料的窗戶層，因此，本實施例除了可有效提升太陽能電池的光電轉換效率及填充因子外，還可免去銦錫氧化物的製作，進而有效地降低製程成本及時間，並可避免因製作透明金屬氧化物而損害太陽能電池中的其他膜層， 進而使本實施例的太陽能電池具有良好的元件特性。
請參照圖2I，於種子層270a上形成電極層280a。於此，則初步完成本實施例的太陽能電池200的製作。在本實施例中，電極層280a例如是多個彼此分離且對應第一型半導體圖案250b及第二型半導體圖案260b設置的島狀導電結構，且電極層280a也曝露出溝渠TC1所曝露出的部份的鈍化層230。
此外，電極層280a的材料例如銀、鋁、銅或其疊層，且形成電極層280a的方法可以是網版印刷或電鍍。
在本實施例中，第一型半導體圖案250b及第二型半導體圖案260b共同配置於基板210的非受光面(即背對外界光線的第二表面S2)上。因此，本實施例除了可將遮光的電極層280a製作於基板210的非受光面(即背對外界光線的第二表面S2)上，還可免去於受光面(即第一表面S1b)上形成習知的窗戶層(配置於基板與第一型半導體圖案之間或第二型半導體圖案之間)，進而有效提升受光面(即第一表面S1b)的光穿透率。
於前述實施例中，溝渠TC1(用以使第一型半導體圖案250b與第二型半導體圖案260b電性絕緣)是在種子層270a及電極層280a之前形成，但本發明不以此為限。
在本發明的另一實施例中，溝渠也可以是在電極層之後形成。圖3A至圖3C是依照本發明另一實施例的太陽能電池的製作流程的剖面示意圖。本實施例的太陽能電池300(參照圖3C)與圖2I的太陽能電池200具有相似的結構以及相似的製作流程(太陽 能電池300的前段製作流程可參照圖2A至圖2F)。兩者的差異處在於本實施例的太陽能電池300在前述圖2F的步驟後，於第一型半導體圖案250a與第二型半導體圖案260a上相繼地形成種子層270b(如圖3A所示)及電極層280b(如圖3B所示)，而非製作溝渠TC1(參照圖2G)。
此外，本實施例形成種子層270b的方法是以網版印刷、電鍍或熱蒸鍍的方式將種子層270b的材料全面地覆蓋於第一型半導體圖案250a與第二型半導體圖案260a上。另外，形成電極層280b的方法是以網版印刷、電鍍、熱蒸鍍、電解或化學氣相沉積的方式將電極層280b的材料全面地覆蓋於種子層270b上。
於種子層270b及電極層280b形成之後，接著才於第一型半導體圖案250a與第二型半導體圖案260a的交界處形成溝渠TC2，以使第一型半導體圖案250b與第二型半導體圖案260b彼此分離且電性絕緣。
由於在形成溝渠TC2之前，種子層270b及電極層280b已全面地覆蓋於第一型半導體圖案250a與第二型半導體圖案260a上，因此，本實施例以雷射鑽孔或濕式蝕刻移除位於第一型半導體圖案250a與第二型半導體圖案260a的交界處的第一型半導體圖案250a及/或第二型半導體圖案260a時，會同時移除位於其上的種子層270b及電極層280b，而形成多個具有島狀結構的種子層270a及電極層280a，其中種子層270a及電極層280a會與第一型半導體圖案250a或第二型半導體圖案260a具有相似的輪廓。
此外，由第一型半導體圖案250b、種子層270a及電極層280a所構成的島狀結構I1以及由第二型半導體圖案260b、種子層270a及電極層280a所構成的島狀結構I2會曝露出部分的鈍化層230。換言之，溝渠TC2的深度D2約等於第一型半導體圖案250b、種子層270a及電極層280a的厚度的總和(即島狀結構I1的厚度)或等於第二型半導體圖案260b、種子層270a及電極層280a的厚度的總和(即島狀結構I2的厚度)。
與太陽能電池200相似地，本實施例的太陽能電池300將第一型半導體圖案250b及第二型半導體圖案260b共同配置於基板210的非受光面上(即背對外界光線的第二表面S2)。如此一來，除了可避免將遮光的電極層280a製作於基板210的受光面(即面向外界光線的第一表面S1b)上之外，還可免去於受光面上形成習知的窗戶層，進而有效提升受光面的光穿透率。此外，本實施例的太陽能電池300也以導電率相對高的種子層270a取代習知以透明金屬氧化物為材料的窗戶層，因此，除了可有效提升太陽能電池300的光電轉換效率及填充因子外，還可免去銦錫氧化物的製作，進而有效地降低製程成本及時間，並可避免因製作透明金屬氧化物而損害太陽能電池中的其他膜層，進而使本實施例的太陽能電池300具有良好的元件特性。
綜上所述，本發明將第一型半導體圖案及第二型半導體圖案共同配置於基板的非受光面上(即背對外界光線的第二表面)。如此一來，除了可將遮光的電極層製作於基板的非受光面上 還可免去於受光面上形成窗戶層，進而有效提升受光面的光穿透率。此外，本發明以導電率相對高的種子層取代習知以透明金屬氧化物為材料的窗戶層，因此，除了可有效提升太陽能電池的光電轉換效率及填充因子(fill factor)外，還可免去銦錫氧化物的製作，進而有效地降低製程成本及時間，並可避免因製作透明金屬氧化物而損害太陽能電池中的其他膜層，進而使本發明的太陽能電池具有良好的元件特性。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
200‧‧‧太陽能電池
210‧‧‧基板
220‧‧‧保護層
230‧‧‧鈍化層
250b‧‧‧第一型半導體圖案
260b‧‧‧第二型半導體圖案
270a‧‧‧種子層
280a‧‧‧電極層
S1b‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
TC1‧‧‧溝渠

Claims (23)

  1. 一種太陽能電池的製造方法，包括：於一基板的一第一表面上形成一保護層；於該基板的一第二表面上形成一鈍化層；於該鈍化層上形成至少一第一型半導體圖案以及至少一第二型半導體圖案，其中該第一型半導體圖案與該第二型半導體圖案共平面且彼此鄰接；於該第一型半導體圖案與該第二型半導體圖案的交界處形成一溝渠，以使該第一型半導體圖案及該第二型半導體圖案彼此電性絕緣；於該第一型半導體圖案與該第二型半導體圖案上形成一種子層，且該種子層的導電率大於9×105 S/m；以及於該種子層上形成一電極層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的太陽能電池的製造方法，其中該第一表面相對於該第二表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的太陽能電池的製造方法，其中在形成該保護層之前，更包括：對該第一表面進行一表面織化製程。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的太陽能電池的製造方法，其中該保護層的材料包括氮化矽、氧化矽及氧化鋁其中至少一者。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的太陽能電池的製造方法，其 中形成該保護層的方法包括電漿增益化學氣相沈積、常壓化學氣相沈積或原子層沈積。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的太陽能電池的製造方法，其中於該鈍化層上形成該第一型半導體圖案以及該第二型半導體圖案的方法包括：於該鈍化層上設置一第一遮罩，該第一遮罩曝露出該鈍化層的一第一區域；於該第一區域上形成該第一型半導體圖案；於該鈍化層上設置一第二遮罩，該第二遮罩遮蔽該第一型半導體圖案並曝露出該第一型半導體圖案以外的一第二區域；以及於該第二區域上形成該第二型半導體圖案。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的太陽能電池的製造方法，其中該第一型半導體圖案及該第二型半導體圖案其中一者為N型半導體圖案，且該第一型半導體圖案及該第二型半導體圖案其中另一者為P型半導體圖案。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的太陽能電池的製造方法，其中該溝渠的製造方法包括：以雷射鑽孔或濕式蝕刻移除位於該第一型半導體圖案與該第二型半導體圖案的交界處的該第一型半導體圖案及該第二型半導體圖案其中至少一者，且該溝渠曝露出一部分的該鈍化層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的太陽能電池的製造方法，其中該溝渠是在該種子層及該電極層之前形成，且該溝渠的深度等 於該第一型半導體圖案或該第二型半導體圖案的厚度，該溝渠並曝露出一部分的該鈍化層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的太陽能電池的製造方法，其中形成該種子層的方法或形成該電極層的方法包括網版印刷或電鍍，且該種子層及該電極層曝露出該部分的該鈍化層。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的太陽能電池的製造方法，其中該溝渠是在該電極層之後形成，且該溝渠的深度等於該第一型半導體圖案、該種子層及該電極層的厚度的總和，或等於該第二型半導體圖案、該種子層及該電極層的厚度的總和，該溝渠並曝露出一部分的該鈍化層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的太陽能電池的製造方法，其中形成該種子層的方法包括以網版印刷、電鍍或熱蒸鍍的方式將該種子層的材料全面地覆蓋於該第一型半導體圖案與該第二型半導體圖案上，而形成該電極層的方法包括以網版印刷、電鍍、熱蒸鍍、電解或化學氣相沉積的方式將該電極層的材料全面地覆蓋於該種子層上。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的太陽能電池的製造方法，其中該種子層的材料包括鎳、鈦、銀、鋁或鈷。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的太陽能電池的製造方法，其中該種子層的厚度小於20奈米。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的太陽能電池的製造方法，其中該電極層的材料包括銀、鋁或銅。
  16. 一種太陽能電池，包括：一基板，具有相對的一第一表面與一第二表面；一保護層，配置於該第一表面上；一鈍化層，配置於該第二表面上；至少一第一型半導體圖案以及至少一第二型半導體圖案配置於該鈍化層上，其中該第一型半導體圖案與該第二型半導體圖案共平面且彼此電性絕緣；一種子層，配置於該第一型半導體圖案與該第二型半導體圖案上，且該種子層的導電率大於9×105 S/m；以及一電極層，配置於該種子層上。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的太陽能電池，其中該第一表面為一織化的第一表面。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的太陽能電池，其中該保護層的材料包括氮化矽、氧化矽及氧化鋁其中至少一者。
  19. 如申請專利範圍第16項所述的太陽能電池，其中該第一型半導體圖案及該第二型半導體圖案其中一者為N型半導體圖案，且該第一型半導體圖案及該第二型半導體圖案其中另一者為P型半導體圖案。
  20. 如申請專利範圍第16項所述的太陽能電池，其中一部分的該鈍化層未被該第一型半導體圖案及該第二型半導體圖案覆蓋，且位於該第一型半導體圖案及該第二型半導體圖案上的該種子層及該電極層也曝露出該部分的該鈍化層。
  21. 如申請專利範圍第16項所述的太陽能電池，其中該種子層的材料包括鎳、鈦、銀、鋁或鈷。
  22. 如申請專利範圍第16項所述的太陽能電池，其中該種子層的厚度小於20奈米。
  23. 如申請專利範圍第16項所述的太陽能電池，其中該電極層的材料包括銀、鋁或銅。
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