TW201435486A - 用於確定遮罩圖案的方法、記錄媒體及資訊處理裝置 - Google Patents

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Abstract

一種用於確定遮罩圖案的方法、記錄媒體及資訊處理裝置。藉由使用資訊處理裝置來確定多個遮罩的圖案的方法,包括:獲取關於包含多個圖案元素的圖案的資料;將所獲取的多個圖案元素分配到遮罩中,將所獲取的多個圖案元素分解為所述遮罩的圖案,並且基於遮罩的數量、每個遮罩中的多個圖案元素之間的距離以及連接每個遮罩中的多個圖案元素的線的角度來計算用於評價指數的評價值。在所述方法中,基於所計算出的評價值來確定每個遮罩的圖案。

Description

用於確定遮罩圖案的方法、記錄媒體及資訊處理裝置
本發明涉及一種用於確定遮罩圖案的方法、一種記錄媒體以及一種資訊處理裝置。
近年來,隨著半導體器件的小型化的進展,已經難以藉由使用曝光裝置以高精度將所期望的圖案轉印到晶片上。這種情況的一個原因是減少的半間距,其為電路中所包括的圖案之間的最短距離的一半。
為了解決該問題,作為用於以高精度將例如22nm節點的微小圖案轉印到晶片上的技術,多次曝光構圖已經引起關注。該技術用於將具有比曝光裝置的解析度極限的半間距更小的半間距的圖案劃分為多個遮罩圖案並且對它們進行曝光,以使用比在如過去那樣曝光一次圖案的情況更高的精度轉印微小圖案。
多次曝光構圖可能需要確定多個光刻友好遮罩圖案,據此可以改進例如聚焦深度的分辨性能並且可以改進良 率。在美國專利申請公開No.2007/31740的說明書以及美國專利申請公開No.2010/223590的說明書中公開了用於確定這樣的多個遮罩圖案的方法。
美國專利申請公開No.2007/31740的說明書公開了一種基於疊代方法來將分解規則應用於圖案的方法。更具體地,所述方法包括:首先確定圖案分解規則,基於所述規則來確定目標圖案元素是屬於第一遮罩還是第二遮罩,並且對於每個圖案元素重覆該操作。根據所述分解規則,圖案是基於各圖案之間的距離或圖案的線寬度根據其是否嚴格的確定結果而分解。
美國專利申請公開No.2010/223590的說明書公開了一種用於藉由假設用於光強度分佈(有效光源分佈)的兩種類型的偶極子照明被形成在照射遮罩的照射光學系統的光瞳平面上來確定用於執行曝光兩次的多個遮罩圖案的方法。更具體地,該方法包括:分析x方向和y方向偶極子照明中的哪個照射適合於轉印待分解的圖案,並且確定兩種類型的遮罩圖案。具有在y方向上延伸的縱向邊緣的圖案被確定為用於x方向偶極子照明的遮罩圖案,而具有在x方向上延伸的縱向邊緣的圖案被確定為用於y方向偶極子照明的遮罩圖案。在美國專利申請公開No.2007/31740的說明書中,考慮圖案的線寬度或各圖案之間的距離但不考慮多個圖案元素之間的角度來確定每個遮罩圖案。這產生具有一個遮罩中所包括的不同角度的多個圖案元素。當遮罩受一個有效光源分佈照射時,圖案元素的分辨容易性 可能變化,可能在分辨一些圖案元素時有困難。
根據美國專利申請公開No.2010/223590的說明書,藉由將圖案元素的邊緣的方向與偶極子照明的方向進行關聯來劃分遮罩圖案。然而,多個圖案元素之間的相對位置關係(即多個圖案元素之間的距離或角度)並未納入考慮。這導致了在一個遮罩中出現具有不同相對位置關係的多個圖案元素。當遮罩受一個有效光源分佈照射時,圖案元素的分辨容易性可能變化,可能在分辨一些圖案元素時有困難。
本發明的實施例確定在圖案被分解為多個遮罩圖案時易於分辨的遮罩圖案。
根據本發明的一方面,提供一種用於確定遮罩圖案的方法,其藉由使用資訊處理裝置來確定用於多個遮罩的圖案,所述方法包括:獲取關於包含多個圖案元素的圖案的資料;將所獲取的多個圖案元素分配到遮罩中,將所獲取的多個圖案元素分解為所述遮罩的圖案,並且基於遮罩的數量、每個遮罩中的多個圖案元素之間的距離以及連接每個遮罩中的多個圖案元素的線的角度來計算用於評價指標的評價值,其中,基於所計算出的評價值來確定每個遮罩的圖案。
根據參照圖式對示例性實施例的以下描述,本發明的其他特徵將變得清楚。
401‧‧‧距離
402‧‧‧點
403‧‧‧線段
圖1示出用於確定遮罩圖案的方法的流程圖。
圖2A至圖2C是用於解釋一維佈局技術的圖。
圖3是用於解釋待分解的切割圖案的圖。
圖4A和圖4B是用於解釋衝突圖的圖。
圖5示出各圖案元素之間的距離和角度。
圖6A示出關於距離的評價值,圖6B示出關於距離的評價值。
圖7A示出藉由傳統方法所分解的遮罩圖案,圖7B示出根據本發明所分解的遮罩圖案。
圖8示出有效光源分佈的參數。
圖9A示出藉由傳統方法所最佳化的有效光源分佈,圖9B示出根據本發明所最佳化的有效光源分佈。
實施例涉及可用於製造例如半導體積體電路、液晶面板、LED和圖像感測器的器件的光刻技術,具體地說,其可以可能地用在形成用於多次曝光(如兩次曝光)的遮罩的圖案並且確定曝光照射條件的處理中。
圖1是示出用於確定遮罩圖案的方法(下文中又稱為圖案確定方法)的流程圖。藉由電腦中的處理單元(如CPU或MPU)讀取並且執行程式來實施該方法。實施該實施例的功能的軟體或程式經過網路或藉由記錄媒體提供 給包括一個或多個電腦的資訊處理裝置。資訊處理裝置中的處理單元讀取記錄媒體或儲存媒體中所記錄或儲存的程式以執行該程式。在遠端位置處所提供的多個電腦可以藉由有線或無線通信來相互交換資料,以執行程式的處理。
首先,在步驟S101中,電腦中的處理單元獲取關於待分解的圖案的資料。該資料可以從資料登錄設備輸入,或可以從外部電腦或記錄媒體輸入。該資料可以儲存在電腦中的儲存單元中,或可以對於每次使用而從儲存單元讀取並且獲取。在該實施例中,根據一維佈局技術的切割圖案被應用為待分解的圖案的示例。圖2A示出在晶片上所形成的線和空間圖案。術語“一維佈局技術”是指藉由憑藉使用圖2B中的黑色框內的孔洞圖案和上下線來切割圖2A所示的線和空間圖案的線圖案部分(黑色部分)來處理它以獲取如圖2C中的目標圖案的技術。術語“切割圖案”下文中是指圖2B中的五個黑色框所表示的孔洞圖案。一維佈局技術中也包括藉由以點圖案進行填充來處理線和空間圖案的空間部分的技術。根據該實施例,圖3所示的切割圖案用作待分解的圖案。圖3中以黑色著色的每個部分與切割圖案的圖案元素對應,並且是邊23nm的正方形。例如,待分解的圖案可以提供為多邊形座標陣列。
接下來,在步驟S102中,在約束條件下藉由使用圖論以衝突圖來表示圖案。例如,定義圖4A所示的預定距離401。如果圖案元素的各中心位置之間的距離等於或小於所述預定距離,則這意味著存在遮罩圖案應相互不同的 約束條件。圖4A中的正方形的黑色框中的每一個表示圖案元素,虛線表示把圖案元素的中心位置作為其中心並且把距離401作為其半徑的圓形。該條件具體地由圖4B所示的衝突圖表示。圖案元素由點(頂點)402表示,並且具有等於或小於預定距離的距離的圖案元素藉由線段(邊緣)403連接。線段403所連接的兩端應藉由不同遮罩編號(顏色)著色。確定遮罩編號(分解級別的編號)以及用於每個遮罩的圖案的問題也可以被稱為著色問題,這是因為其特徵在於圖案元素以不同的顏色著色。下文中,遮罩編號可以定義為顏色編號,並且可以藉由使用不同著色的表示來描述確定遮罩編號和每個遮罩的圖案的處理。
接下來,在步驟S103中,分析並且獲取在步驟S102中所獲取的圖案中所包括的各圖案元素之間的距離。在步驟S104中,分析並且獲取連接在步驟S102中所獲取的圖案中所包括的圖案元素的線的角度。
在步驟S105中,計算條件(如約束條件和邊界條件)以及變數被公式化並且定義為混合整數規劃問題。在步驟S106中,代價函數被定義為混合整數規劃問題。以下將詳細描述約束條件、邊界條件、變數和代價函數。接下來,在步驟S107中,這些條件、變數和代價函數用於求解混合整數規劃問題,多個圖案元素被分配給遮罩。對所述多個圖案元素進行不同著色以確定遮罩的圖案。關於所確定的遮罩的圖案的資料輸出作為解,並且可以有時顯示在監視器上。例如,ILOG CPLEX(註冊商標)IBM可 以用作用於求解混合整數規劃問題的軟體。
以下將詳細描述待在程式中使用的變數、常量和運算式。
(1)變數的描述
j:顏色編號,其中,1jm
m:最大顏色數量
i、i':圖案元素編號
Pall:所有顏色中的各圖案元素之間的距離的最小值
Pj:第j顏色中的各圖案元素之間的距離的最小值
Dii'j:二元變數,如果第i圖案元素和第i'圖案元素都以第j顏色著色,則該二元變數取1,而如果它們未被著色,則其取0。
yj:二元變數,指示將要如何使用顏色j,並且如果使用它則取1,如果不用,則取0。
xij:二元變數,指示在第i圖案元素中將要如何使用顏色j,並且如果使用它則取1,如果不用,則取0。
(2)常量的描述
pitchii':第i圖案元素和第i'圖案元素的中心之間的距離
angleii':連接第i圖案元素和第i'圖案元素的線的角度
α:代價函數的第一項的權重,指示顏色的數量
β:代價函數的第二項的權重,指示所有顏色中的各圖案元素之間的距離的最小值
γ:代價函數的第三項的權重,指示每個顏色中的各圖案元素之間的距離的最小值之和
δ:代價函數的第四項的權重,藉由每個顏色中的各圖案元素之間的距離和角度所確定
a:第四項中的各圖案元素之間的距離的項的權重
b:第四項中的各圖案元素之間的角度的項的權重
c:指示第四項中的常量的權重
圖5示出pitchii'和angleii'。angleii'表示連接第i圖案元素和第i'圖案元素的線相對於基準線L的角度。
(3)運算式的描述
(3.1)代價函數
將詳細描述步驟S108中所定義的代價函數(評價指數)。代價函數由運算式(1)表示。運算式(1)中的項“minimize”指示其為使得代價函數最小化的線性規劃問題。
在此情況下,α和δ是正常數,β和γ都是負常數。運算式(1)是目的為求解使得顏色數量最小化、使得各圖案元素之間的距離的最小值最大化並且使各圖案元素之間的距離和角度所定義的項Aj的值最小化的問題的代價函數。
接下來,將描述運算式(1)的各項。
第一項的表示顏色數量,即遮罩的數量。例如, 當顏色數量等於2時,
第二項和第三項中的Pall和Pj中的每一個表示各圖案 元素之間的最小距離(nm)。例如,如果所分解的各圖案元素之間的最小距離減小1nm,則該值減小1。
將參照圖式描述第四項中的Aj,即表示由各圖案元素之間的距離和角度所定義的項的代價。首先,Aj可以由運算式(2)表示,並且是表示曝光的容易性隨著Aj減小而增大的代價。
Aj=-αf(pitch ii')+bg(angle ii'-T j )+c…運算式2
其中,a、b和c是正常數。
接下來,將描述運算式(2)的各項。
第一項是根據各圖案元素之間的距離定義的,並且是pitchii'的函數。因為當各圖案元素之間的距離很大時圖案的分辨性能(如焦點深度、處理視窗和NILS)較高(曝光更容易),所以對第一項進行建模,以使得其可以具有隨著各圖案元素之間的距離增大而增大的評價值。在該運算式中,Aj隨著各圖案元素之間的距離增大而減小。在該意義上,可以說評價值表示圖案的分辨難度(曝光的難度)。圖6A示出第一項的示例。
第二項是根據連接各圖案元素的線的angleii'而定義的,並且由angleii'與Tj之間的差的函數表示。定義該函數,以使得該函數當(angleii'-Tj)的絕對值是0或180度時取最小值,隨著其從0度偏離並且接近90度而增加,並且當其為90度時取最大值。圖6B示出第二項的示例。
Tj是可以取從0度到180度的範圍中的任意值的變數,並且針對每個顏色j被定義為常數值。例如,當T1 是0度並且如果各圖案元素之間的角度接近0度時,第二項很小,從而產生良好的評價值。因此,容易藉由其間角度接近0度的圖案元素來生成具有顏色i=1的圖案。改進包含這樣的圖案元素的遮罩圖案的解析度並且適合於照射的有效光源分佈(在照射遮罩的照射光學系統的光瞳平面上所形成的光強度分佈)是具有在朝向基準線L的方向上(角度:0度)設置的兩極的偶極子照明。換句話說,第二項中的Tj的值表示適合於遮罩的照射的有效光源分佈的極性。如果Tj等於90度,則具有兩極的偶極子照明被設置在與基準線L垂直的方向上(角度:90度)。
表1示出針對各圖案元素之間的可變距離和角度的Aj值的示例。垂直列示出角度(angleii'-Tj),水平列示出各圖案元素的中心之間的距離。藉由將a=0.3、b=0.1以及c=50輸入到運算式(2)的a、b和c來計算表上所示的值。
上表示出該值隨著角度接近90度而增大,並且該值隨著距離減小而增大,並且用於代價函數的評價值惡化。藉由確定遮罩的圖案以使得用於代價函數的評價值最小化,可以創建可以以低難度分辨並且可以容易地曝光的遮罩圖案。
根據該實施例,α=1、β=-0.001、γ=-0.00001以及δ=0.001被輸入到運算式(1)。這些值是在考慮按優先順序 的較低的顏色數量、各圖案之間的較大最小距離、以及各圖案之間的距離和角度特性之間的關係的情況下為了遮罩圖案分解的目的定義的。用於γ的權重相對較小。根據待優先的項,這些值可以由其他值替換。
各項的正負號可以反轉,以使得運算式(1)的代價函數最大化。這是因為,解並不受最小化的代價函數、各項的正負號的反轉、以及最大化的代價函數影響。
(3.2)約束條件、邊界條件以及二元變數
運算式(3)至運算式(20)表示約束條件。運算式(21)至運算式(23)表示邊界條件。運算式(24)至運算式(27)表示二元變數。
約束條件
邊界條件
y 1=1…運算式21
二元變數
將描述運算式(3)至運算式(20)所表示的約束條件。運算式(3)表示按昇冪使用顏色編號這樣的約束條件。例如,如果y1=0並且y2=1,則這意味著不使用第一顏色編號而使用第二顏色編號。上述約束條件防止了該情況。運算式(4)表示一個顏色僅用於第i圖案元素這樣的約束條件。運算式(5)表示禁止以未使用的顏色進行著色這樣的約束條件。該約束條件防止產生在第j顏色編號不被使用(即yj=0)的同時第j顏色用於第i圖案元素(即xij=1) 的狀態。
運算式(6)表示與顏色編號的位置有關的約束條件。該約束條件防止當藉由衝突圖的線段連接第i圖案元素和第i'圖案元素時第i圖案元素和第i'圖案元素具有相同的顏色編號的狀態。當由衝突圖的線段連接的第i圖案元素和第i'圖案元素的中心之間的距離落入預定範圍A時,應用該約束條件。
運算式(7)和運算式(8)表示用於二元變數Dii'j的約束條件。當xij和xi'j都等於1時,Dii'j=1。當xij和xi'j中的至少一個等於0時,Dii'j=0。因此,這意味著Dii'j是xij和xi'j的與關係(AND)。當第i圖案與第i'圖案之間的距離落入預定範圍B內時,應用這些約束條件。
運算式(9)表示關於各圖案元素之間的距離的約束條件。當Dii'j等於1時,Pj pitchii',以使得Pj的值可以等於或小於每個顏色j中的各圖案元素之間的距離的值。當Dii'j等於0時,Pj 500。在此情況下,較高值500用於防止當Dii'j=0時正常地實質上約束Pj。值500在該實施例中用作比各圖案元素之間的距離的值充分更大的數量。然而,即使當使用其他值(只要其他值很高)時,數值運算式的意義也不改變。運算式(10)表示Pall取多個Pj中的最小值的約束條件。
運算式(11)是關於各圖案元素之間的距離和角度的約束條件。運算式(12)表示各圖案元素之間的角度angleii'與Tj之間的關係。在這些運算式中,藉由使用運算式(13)至 運算式(17)以及運算式(27)中的二元變數Z1ii'j、Z2ii'j和Z3ii'j來表示項B1ii'j、B2ii'j、B3ii'j以及B4ii'j。藉由使用這些運算式,可以計算圖6B中的評價值。例如,如果Z1=1、Z2=Z3=0,則B1=90,0B290,B3=B4=0。在此情況下,運算式(12)是angleii'-Tj=B2ii'j-90。運算式(11)是:
換句話說,當Z1=1,Z2=Z3=0時,獲取圖6B中的間隔B中的評價值。藉由angleii'-Tj確定評價值f=B1ii'j-B2ii'j+B3ii'j-B4ii'j。隨著值增大,圖案的分辨難度增加。因此,評價值表示分辨難度(曝光難度)。在間隔A中,其可以被表示f=B1ii'j,angleii'-Tj=B1ii'j-180。在間隔B中,其可以被表示f=90-B2ii'j。在間隔C中,其可以是f=B3ii'j,angleii'-Tj=B3ii'j。在間隔D中,其可以被表示f=90-B4ii'j,angleii'-Tj=90+B4ii'j
據此可理解,運算式(12)表示以混合整數規劃問題來描述虛線類型評價值f這樣的約束條件。B1ii'j、Z1ii'j等是用於允許對混合整數規劃問題的描述的參數。
運算式(18)表示Aii'j的最壞值是Aj這樣的約束條件。運算式(19)表示各圖案元素之間的距離和角度上所合成的項Aii'j取大於0的值這樣的約束條件。運算式(20)表示Tj等於或大於0°並且等於或小於180°這樣的約束條件。
在已經描述了上述約束條件的情況下,不需要運算式(7)、運算式(8)、運算式(9)和運算式(11)來描述所有可能 圖案元素之間的距離。更具體地說,例如,可以基於約束條件來預先排除等於或長於在解析度D=k1×λ/NA(λ:波長,NA:數值孔徑)中所表示的k1=1.0的量級的距離,以省略不必要的計算,這可以減少獲取其解所需的計算時間。
接下來,將描述運算式(21)至運算式(23)所表示的邊界條件。運算式(21)表示總是使用第一顏色的與顏色有關的邊界條件。運算式(22)和運算式(23)表示與距離有關的邊界條件。運算式(22)表示每個顏色中的各圖案元素之間的距離取大於零的值的邊界條件。運算式(23)表示待分解的所有圖案元素之間的距離的最小值取大於零的值的邊界條件。
最後,將描述運算式(24)至運算式(27)所表示的二元變數。運算式(24)中的項yj是指示是否使用第j顏色的二元變數。如果使用它,則輸入1。如果否,則輸入0。運算式(25)中的xij是指示第j顏色是否要用於遮罩圖案編號i的二元變數。如果使用它,則輸入1。如果否,則輸入0。運算式(26)中的項Dii'j是指示第i圖案和第i'圖案是否都用第j顏色著色的二元變數。如果它們都被著色,則輸入1。否則,輸入0。運算式(27)中的項Z1ii'j、Z2ii'j和Z3ii'j是要用於對混合整數規劃問題來描述各圖案元素之間的角度的二元變數,如以上約束條件的描述中所描述的那樣。二元變數0和1的組合允許描述圖6B中的間隔A至間隔D中的評價值。
在步驟S109中基於以上運算式來求解混合整數規劃問題。因此,圖3中待分解的圖案可以劃分為用於遮罩的圖案,並且遮罩的數量和遮罩的圖案可以被確定。
圖7A示出在不應用根據該實施例的圖案確定方法的情況下所獲取的遮罩的圖案。圖7B示出藉由應用根據該實施例的圖案確定方法所獲取的遮罩的圖案。遮罩1(第一遮罩)和遮罩2(第二遮罩)這樣的標記是指以第一顏色和第二顏色不同地著色的遮罩。編號1和2並不是指它們的順序。如表2所示,圖7A中的遮罩1和遮罩2中的各圖案元素之間的最小距離等於138nm。圖7B中情況相同。另一方面,圖7A和圖7B不同在於圖案的佈置。圖7A和圖7B示出指示遮罩圖案的佈置方向的箭頭。圖7A中的遮罩圖案在垂直方向和水平方向上都延伸,遮罩1和遮罩2的箭頭方向都是不規則的。另一方面,在圖7B中的遮罩圖案中,遮罩1和遮罩2的箭頭方向是規則的。遮罩1中的箭頭在水平方向上對準,遮罩2中的箭頭在垂直方向上對準。如表2所示,在應用該實施例的圖案確定方法的圖7B中,遮罩1的T1被獲取為0度,遮罩2的T2被獲取為90度。
如上獲取遮罩的數量和遮罩的圖案。接下來,為了檢查該實施例關於分辨性能的效果,遮罩圖案用於同時最佳化有效光源分佈和遮罩圖案。藉由同時改變I-Quad照明的參數和遮罩圖案的尺寸以具有193.368nm的波長和1.0的數值孔徑的切線極化來執行同時最佳化。在此情況下,衰減的相移遮罩用作遮罩材料。待對於同時最佳化而改變的有效光源分佈的參數可以包括外sigma、內sigma、角度和光強度,如圖8所示。使用I-Quad照明的一個原因是容易識別在兩種類型的偶極子照明之和中在貢獻於容易分辨的方向上所設置的極子與在貢獻相對難分辨的方向上所設置的極子之間的光強度的差。另一原因是遮罩的圖案可具有緊(小)間距部分和鬆(大)間距部分的混合,即嚴格遮罩圖案和非嚴格遮罩圖案的混合。為了公平比較最佳化結果,藉由對於遮罩的圖案設定相同的參數改變範圍來執行同時最佳化。在x方向和y方向上評價圖案元素。
圖9A和圖9B示出最佳化結果。圖9A和圖9B分別示出源自與圖7A和圖7B所示的遮罩圖案對應的最佳化的有效光源分佈。表3示出用於比較的數值。
表3中的CDDOF(5%)min和NILSmin分別是焦點深度和對比度的最差值,其滿足在多個評價點當中的目標尺寸43nm的5%內的尺寸。焦點深度和對比度越高,光刻特性(分辨性能)就越好。藉由比較表3上的這些數值,該實施例的圖案確定方法所應用於的CDDOF(5%)min和NILSmin都具有更好的值。據此可知,應用該實施例的圖案確定方法允許確定遮罩的光刻有好圖案。
接下來,將不僅描述確定遮罩的數量和遮罩的圖案的功能,而且還描述根據該實施例的圖案確定方法確定照射遮罩的有效光源分佈的功能。藉由關注在表3上該實施例的圖案確定方法所應用於的強度X和強度Y的值,可知,強度X在遮罩1上較高,而強度Y在遮罩2上較高。遮罩1上較高的強度X是由x方向上所設置的圖案元素的容易分辨而引起的,這是因為遮罩1的圖案在水平方向(x方向)上具有緊密間距,如圖7B所示。此外,遮罩2上較高的強度Y是由y方向上所設置的圖案元素的容 易分辨所引起的,這是因為遮罩2的圖案在垂直方向(y方向)上具有緊密間距。另一方面,源自獲取遮罩圖案的角度T1和T2分別等於0度和90度,這與在遮罩的圖案的最佳化結果中具有較高強度的分量的方向匹配。因此,據角度T1和T2,可以獲取關於有效光源分佈的極子的角度方向的資訊,其對於分辨遮罩的圖案是重要的。該資訊可以用於確定有效光源分佈。
基於以上事實,不僅可以確定遮罩的數量和遮罩的圖案,而且還可以確定用於分辨嚴格遮罩圖案的有效光源分佈。
已經根據該實施例描述了混合整數規劃用於作為代價函數的運算式(1)和(2),本發明實施例不限於此。只要代價函數包括表示遮罩的數量的項和由遮罩中的各圖案元素之間的距離和角度所定義的項,就可以使用其他代價函數和其他最佳化方法。例如,遺傳演算法可以用作替代的最佳化方法。最佳化方法可以包括:將多個圖案元素分配給遮罩並且藉由重覆改變用於分解遮罩的圖案的分解來不同地對圖案進行著色,或者可以包括:在預定規則下藉由一個操作來對圖案進行著色。
在運算式(1)中,代價函數可以僅包括表示遮罩的數量的項以及由遮罩中的各圖案元素之間的距離和角度定義的項,而不包括表示各圖案元素之間的距離的最小值的項。
已經描述了本發明的實施例,但本發明不應限於實施 例,而是在不脫離本發明的精神和範圍的情況下可以進行各種修改和改變。
遮罩繪製裝置可以藉由使用關於由該實施例的遮罩圖案確定方法確定的遮罩圖案的資料來在遮罩空白區上形成圖案,以製造遮罩。所製造的遮罩可以用於藉由曝光裝置進行的曝光。
也可以藉由讀出並且執行儲存媒體(例如非易失性電腦可讀儲存媒體)上所記錄的電腦可執行指令以執行本發明上述實施例中的一個或多個的功能的系統或裝置的電腦,以及藉由例如藉由讀取並且執行來自儲存媒體的電腦可執行指令以執行上述實施例中的一個或多個的功能的系統或裝置的電腦所執行的方法,來實現本發明實施例。電腦可以包括中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU)或其他電路中的一個或多個,並且可以包括分離電腦或分離電腦處理器的網路。電腦可執行指令可以例如從網路或儲存媒體提供給電腦。儲存媒體可以包括例如硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、分散式計算系統的儲存裝置、光碟(如光碟(CD)、數位多功能光碟(DVD)或藍光碟(BD)TM)、快閃記憶體器件、記憶卡等中的一個或多個。
根據本發明的實施例,可以確定在圖案被分解為多個遮罩圖案時易於分辨的遮罩圖案。
雖然已經參照示例性實施例描述了本發明,但應理解,本發明不限於公開的示例性實施例。申請專利範圍的 範圍將要被賦予最寬泛的解釋,以便包括所有這樣的修改以及等同結構的功能。

Claims (13)

  1. 一種用於藉由使用資訊處理裝置來確定用於多個遮罩的圖案的方法,該方法包括:獲取關於包含多個圖案元素的圖案的資料;以及將所獲取的多個圖案元素分配到遮罩中,將所獲取的多個圖案元素分解為該遮罩的圖案,並且基於遮罩的數量、每個遮罩中的多個圖案元素之間的距離、以及連接每個遮罩中的多個圖案元素的線的角度來計算用於評價指標的評價值,其中,基於所計算出的評價值來確定每個遮罩的圖案。
  2. 如申請專利範圍第1項的方法,其中,該評價指標具有由連接遮罩中的多個圖案元素的線的角度與預定角度之間的差定義的項。
  3. 如申請專利範圍第2項的方法,其中,該項具有隨著連接遮罩中的多個圖案元素的線的角度與該預定角度之間的差從0度增大並且接近90度而變壞的評價指標的評價值。
  4. 如申請專利範圍第2項的方法,其中,該預定角度具有在各遮罩之間不同地設定的值。
  5. 如申請專利範圍第1項的方法,其中,該評價指標還包含由多個圖案元素之間的最小距離定義的項。
  6. 如申請專利範圍第1項的方法,其中,藉由將該評價指標定義為代價函數並且將每個遮罩中的多個圖案元 素之間的距離和用於連接多個圖案元素的線的角度的約束條件定義為混合整數規劃問題,來用混合整數規劃確定每個遮罩的圖案。
  7. 如申請專利範圍第1項的方法,其中,針對其之間的距離落入預定範圍內的多個圖案元素的評價來而計算該評價指標的評價值。
  8. 如申請專利範圍第1項的方法,其中,該多個圖案元素是用於切割基板上所形成的線圖案的圖案。
  9. 如申請專利範圍第1項的方法,其中,所確定的遮罩圖案是包含縱向對齊的多個圖案元素的第一遮罩圖案以及包含橫向對齊的多個圖案元素的第二遮罩圖案。
  10. 如申請專利範圍第1項的方法,還包括:確定在照射所確定的遮罩圖案中的每一個的照射光學系統的光瞳平面上所形成的光強度分佈。
  11. 如申請專利範圍第1項的方法,其中,藉由重覆改變用於將所獲取的多個圖案元素分配到遮罩中並且將所獲取的多個圖案元素分解為該遮罩的圖案的分解來計算該評價指標的評價值,並且基於藉由重覆改變該分解所計算出的該評價值來確定用於每個遮罩的圖案。
  12. 一種記錄媒體,其儲存程式,該程式致使資訊處理裝置執行如申請專利範圍第1項之方法。
  13. 一種確定用於多個遮罩的圖案的資訊處理裝置,該資訊處理裝置包括:處理單元,被配置為:獲取關於包含多個圖案元素的 圖案的資料,將所獲取的多個圖案元素分配到遮罩中,將所獲取的多個圖案元素分解為該遮罩的圖案,並且基於遮罩的數量、每個遮罩中的多個圖案元素之間的距離、以及連接每個遮罩中的多個圖案元素的線的角度來計算用於評價指標的評價值,其中,該處理單元基於所計算出的評價值來確定每個遮罩的圖案。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10354886B2 (en) 2013-02-22 2019-07-16 Synopsys, Inc. Hybrid evolutionary algorithm for triple-patterning
US9384319B2 (en) 2013-08-15 2016-07-05 Synopsys, Inc. Detecting and displaying multi-patterning fix guidance
JP6238687B2 (ja) * 2013-11-12 2017-11-29 キヤノン株式会社 マスクパターン作成方法、光学像の計算方法
US9817320B2 (en) * 2013-11-20 2017-11-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and apparatus
US9747407B2 (en) 2014-02-20 2017-08-29 Synopsys, Inc. Categorized stitching guidance for triple-patterning technology
JP6249970B2 (ja) 2015-01-30 2017-12-20 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
KR102404639B1 (ko) 2015-02-02 2022-06-03 삼성전자주식회사 전자 빔 노광 방법 및 그를 포함하는 기판 제조 방법
US9842185B2 (en) * 2015-08-21 2017-12-12 Qualcomm Incorporated Systems and methods for group constraints in an integrated circuit layout
US10372037B2 (en) 2015-10-30 2019-08-06 Synopsys, Inc. Constructing fill shapes for double-patterning technology
US10395001B2 (en) 2015-11-25 2019-08-27 Synopsys, Inc. Multiple patterning layout decomposition considering complex coloring rules
US10162928B2 (en) * 2015-12-02 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of designing a semiconductor device, system for implementing the method and standard cell
US10311195B2 (en) 2016-01-15 2019-06-04 Synopsys, Inc. Incremental multi-patterning validation
US20180196349A1 (en) * 2017-01-08 2018-07-12 Mentor Graphics Corporation Lithography Model Calibration Via Genetic Algorithms with Adaptive Deterministic Crowding and Dynamic Niching
US10509881B2 (en) * 2017-09-28 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for coloring circuit layout and system for performing the same
EP3588190A1 (en) * 2018-06-25 2020-01-01 ASML Netherlands B.V. Method for performing a manufacturing process and associated apparatuses
CN111380509B (zh) * 2018-12-28 2022-04-01 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种掩模版姿态监测方法、装置及掩模版颗粒度检测设备
CN111597768B (zh) * 2020-05-15 2024-01-19 全芯智造技术有限公司 用于构建版图图案集的方法、设备和计算机可读存储介质

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW359770B (en) 1997-09-16 1999-06-01 Sanei Giken Co Ltd Photomask and alignment method
JP2002083761A (ja) 2000-09-08 2002-03-22 Canon Inc 露光装置及び露光方法
GB0113255D0 (en) 2001-05-31 2001-07-25 Scient Generics Ltd Number generator
SG137657A1 (en) * 2002-11-12 2007-12-28 Asml Masktools Bv Method and apparatus for performing model-based layout conversion for use with dipole illumination
US8132130B2 (en) 2005-06-22 2012-03-06 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus for performing mask feature pitch decomposition for use in a multiple exposure process
CN100576083C (zh) 2005-12-29 2009-12-30 Asml蒙片工具有限公司 用于多次曝光过程的基于模型的几何分解方法及相应产品
US7493589B2 (en) 2005-12-29 2009-02-17 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus for model based geometry decomposition for use in a multiple exposure process
KR100861363B1 (ko) 2006-07-21 2008-10-01 주식회사 하이닉스반도체 이중 노광을 위한 패턴분할 방법
JP4945367B2 (ja) * 2006-08-14 2012-06-06 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. 回路パターンを複数の回路パターンに分離する装置および方法
CN101271483B (zh) 2006-09-13 2012-02-22 Asml蒙片工具有限公司 分解图案的方法、器件制造方法及产生掩模的方法
JP5032948B2 (ja) 2006-11-14 2012-09-26 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. Dptプロセスで用いられるパターン分解を行うための方法、プログラムおよび装置
JP5050618B2 (ja) 2007-04-10 2012-10-17 大日本印刷株式会社 多重露光技術用フォトマスクのパタンデータ作成方法
US7783458B2 (en) 2007-06-22 2010-08-24 Ricardo Claps Discrete principal component analysis (DPCA)
JP5020003B2 (ja) 2007-09-04 2012-09-05 株式会社ジーダット レチクル検証システム及びプログラム
JP4779003B2 (ja) * 2007-11-13 2011-09-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. フルチップ設計のパターン分解を行うための方法
JP5607308B2 (ja) * 2009-01-09 2014-10-15 キヤノン株式会社 原版データ生成プログラムおよび方法
US8250495B2 (en) 2009-01-16 2012-08-21 Mentor Graphics Corporation Mask decomposition for double dipole lithography
JP5665398B2 (ja) * 2009-08-10 2015-02-04 キヤノン株式会社 生成方法、作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム
US8402396B2 (en) 2009-09-29 2013-03-19 The Regents Of The University Of California Layout decomposition for double patterning lithography
US8631379B2 (en) * 2010-02-09 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Decomposing integrated circuit layout
NL2007578A (en) 2010-11-17 2012-05-22 Asml Netherlands Bv Pattern-independent and hybrid matching/tuning including light manipulation by projection optics.
US8689151B1 (en) * 2012-09-12 2014-04-01 International Business Machines Corporation Pitch-aware multi-patterning lithography

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Publication number Publication date
TWI544276B (zh) 2016-08-01
CN104007608A (zh) 2014-08-27
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US20140244215A1 (en) 2014-08-28
CN104007608B (zh) 2018-08-10

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