TW201433842A - 光波導、光波導的製造方法及光學模組 - Google Patents

光波導、光波導的製造方法及光學模組 Download PDF

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Daichi Sakai
Yoshiaki Tsubomatsu
Toshihiro Kuroda
Kazushi Minakawa
Hiroshi Betsui
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Abstract

一種光波導，其具備：基板1；下部包覆層2，其設置於基板1上；光訊號傳遞用核心圖案31和外伸圖案32，該等設置於下部包覆層2上；及，上部包覆層4，其設置成與下部包覆層2一起來包覆光訊號傳遞用核心圖案31；並且，外伸圖案32具有外周壁33，該外周壁33相較於基板1、下部包覆層2、上部包覆層4，於基板1外周方向更伸出。

Description

光波導、光波導的製造方法及光學模組
本發明關於光波導、光波導的製造方法及光學模組。
隨著資訊容量的增加，不僅在稱為傳輸幹線及存取系統的通訊領域，在路由器及伺服器內的資訊處理上，使用光訊號的光學互連技術的開發不斷地持續進步。特別是，作為光傳遞路徑，其是用來將光使用於路由器及伺服器裝置內的主機板(board)之間、或是配電板內的短距離訊號傳輸上，較理想的是使用光波導，其相較於光纖，在配線上的自由度高且可高密度化，其中，更被期待的是使用加工性及經濟性優異的聚合物材料而成的光波導。
作為光波導，首先提案出一種光波導，該光波導是於基板上硬化形成下部包覆層後，再於下部包覆層上形成核心圖案，並在下部包覆層及核心圖案上，層積上部包覆層而成(請參考如專利文獻1)。
將這樣的光波導，複數排列成片狀來形成時，於光波導形成後，必須將基板與光波導切斷，使其成為個別的片狀。
一般而言，在基板與光波導的切斷上，可使用：雷射加工、使用切割機及刻模機的切削加工、使用刀刃及金屬 模具的剪切加工等。
[先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2006-011210號公報。
然而，上述的加工方法中，具有由於基板與光波導在加工性質上的差異，而使得毛邊產生、端面傾斜、端面不連續地形成、或是因基板與光波導的密著性低造成剝離發生等問題。
又，在將光波導的外形形狀用於連結器的對位上，並將光波導的核心與受光發光構件(受光發光元件及光纖等)進行光軸校準這樣的光學模組中，核心圖案與外形，雖然變得必須要以10μm以下程度的精確度來形成，但上述的任一加工方法中，都難以加工至使外形與核心圖案的位置精確度良好。於位置精確度不佳的光學模組中，會導致光波導的核心與受光發光構件之間的光軸產生偏差，而造成光訊號傳遞效率低下的問題。
本發明是為了解決上述問題而完成，目的在於提供一種光波導、光波導的製造方法以及光學模組，該光波導容易與光纖連接器等另外的連接器進行光軸校準(光軸對準)，且光訊號傳遞效率優異。
本發明人為了解決上述的問題盡心研究的結果發 現，藉由具有比基板外周更露出的外伸圖案，可以解決上述的問題。本發明是基於相關的知識而完成。
亦即，本發明包含下述發明。
(1)一種光波導，其具備：基板；下部包覆層，其設置於前述基板上；光訊號傳遞用核心圖案和外伸圖案，該等設置於前述下部包覆層上；及，上部包覆層，其設置成與前述下部包覆層一起來包覆前述光訊號傳遞用核心圖案；並且，前述外伸圖案具有外周壁，該外周壁相較於前述基板、前述下部包覆層、前述上部包覆層，於基板外周方向更伸出。
(2)如(1)所述之光波導，其中，前述外周壁大約垂直於前述光波導形成面。
(3)如(1)或(2)所述之光波導，其中，前述外伸圖案夾著前述基板外周。
(4)如(1)至(3)中任一項所述之光波導，其中，前述下部包覆層是經圖案化的下部包覆層圖案，且前述下部包覆層圖案的端部被前述外伸圖案所夾著。
(5)如(1)至(4)中任一項所述之光波導，其中，前述上部包覆層是經圖案化的上部包覆層圖案，且前述上部包覆層圖案的端部被前述外伸圖案所夾著。
(6)如(1)至(5)中任一項所述之光波導，其中，前述外伸圖案的底面，形成在與前述光波導形成面的背面大約相同之平面上、或是形成在相較於前述光波導形成面的背面更接近前述光波導形成面側之部位。
(7)一種光波導的製造方法，其包含以下步驟：步驟A1， 其於支持基板的一部分上形成基板；步驟B1，其於前述基板上形成下部包覆層圖案；步驟C1，其於前述基板、前述下部包覆層圖案及前述支持基板表面上，藉由光刻加工，以夾著前述基板外周的方式，來形成前述外伸圖案；步驟D1，其形成上部包覆層圖案，該步驟D1包埋前述光訊號傳遞用核心圖案，且將該上部包覆層圖案形成於其端部被前述外伸圖案所夾著的位置；及，步驟E1，其去除前述支持基板。
(8)一種光波導的製造方法，其包含以下步驟：步驟A2，其於支持基板的一部分上形成基板，並於前述基板附近的其他部分上形成剝離基板；步驟B1，其於前述基板上形成下部包覆層圖案；步驟C2，其於前述基板、下部包覆層圖案、前述支持基板表面及前述剝離基板表面上，藉由光刻加工，以夾著前述基板外周的方式，來形成前述外伸圖案；步驟D1，其形成上部包覆層圖案，該步驟D1包埋前述光訊號傳遞用核心圖案，且將上部包覆層圖案形成於其端部被前述外伸圖案所夾著的位置；及，步驟E1，其去除前述支持基板。
(9)如(7)或(8)所述之光波導的製造方法，其中，在前述步驟A1或步驟A2前，依序具有下列步驟：於暫時固定片材上貼合基板片材，並以不切斷前述暫時固定片材的方式，將前述基板片材進行形狀加工而成為前述基板的形狀之步驟；於前述基板片材的表面上層積前述支持基板之步驟；及，去除前述暫時固定片材之步驟。
(10)如(7)至(9)中任一項所述之光波導的製造方法，其中，於前述步驟C1或前述步驟C2中，在形成前述外伸圖案 的同時，於前述下部包覆層圖案上，形成光訊號傳遞用核心圖案。
(11)如(7)至(10)中任一項所述之光波導的製造方法，其中，在前述步驟E1的同時或之後，具有去除前述剝離基板之步驟F。
(12)一種光波導的製造方法，其包含以下步驟：步驟B2，其於前述基板上形成下部包覆層；步驟C3，其於前述下部包覆層上，形成延伸的光訊號傳遞用核心圖案，並以將該光訊號傳遞用核心圖案設置於外伸圖案之間的方式，來形成外伸圖案；步驟D2，其以前述外伸圖案的側面部中之不與前述光訊號傳遞用核心圖案之側面部對向一側的側面部露出，且包埋前述光訊號傳遞用核心圖案的方式，來形成上部包覆層圖案；及，步驟E2，其去除前述外伸圖案的下方的前述基板和前述下部包覆層、或去除前述基板。
(13)一種光波導的製造方法，其包含以下步驟：步驟B1，其於前述基板上形成下部包覆層圖案；步驟C4，其於前述下部包覆層圖案上，形成延伸的光訊號傳遞用核心圖案，並於前述基板上及/或前述下部包覆層圖案上，以將該光訊號傳遞用核心圖案設置於外伸圖案之間的方式，來形成外伸圖案；步驟D2，其以前述外伸圖案的側面部中之不與前述光訊號傳遞用核心圖案之側面部對向一側的側面部露出，且包埋前述光訊號傳遞用核心圖案的方式，來形成上部包覆層圖案；及，步驟E3，其去除前述外伸圖案的下方的前述基板和前述下部包覆層圖案、或去除前述基板。
(14)如(13)所述之光波導的製造方法，其中，以夾著前述下部包覆層圖案的端部的方式來形成前述外伸圖案。
(15)如(12)至(14)中任一項所述之光波導的製造方法，其中，同時形成前述光訊號傳遞用核心圖案和前述外伸圖案。
(16)如(12)至(15)中任一項所述之光波導的製造方法，其中，藉由光刻加工來形成前述光訊號傳遞用核心圖案和前述外伸圖案。
(17)如(12)至(16)中任一項所述之光波導的製造方法，其中，藉由光刻加工來形成前述上部包覆層圖案。
(18)如(12)至(17)中任一項所述之光波導的製造方法，其中，於前述步驟E2或前述步驟E3中，將前述外伸圖案的未被前述上部包覆層圖案包覆的側面部，作為光波導的外周壁。
(19)如(12)至(18)中任一項所述之光波導的製造方法，其中，於前述步驟E2或前述步驟E3中，藉由切割加工來進行去除。
(20)如(12)至(19)中任一項所述之光波導的製造方法，其中，於前述步驟E2或前述步驟E3中，剖面藉由切割加工而切削成為大約長方形或大約三角形。
(21)如(12)至(20)中任一項所述之光波導的製造方法，其中，於前述步驟E2或前述步驟E3中，前述外伸圖案的下方至少留存一部分的前述基板及/或前述下部包覆層圖案。
(22)一種光學模組，是利用前述外伸圖案的外周壁，嵌合前述(1)至(6)中任一項所述之光波導與連接器而成。
依據本發明，可提供一種光波導、光波導的製造方法以及光學模組，其可容易與光纖連接器等的其他連接器進行光軸校準，且光訊號輸送效率優異。
1‧‧‧基板
11‧‧‧基板外周
12‧‧‧基板片材
13‧‧‧光導波形成面
2‧‧‧下部包覆層
21‧‧‧下部包覆層圖案
22‧‧‧下部包覆層圖案的端部
31‧‧‧光訊號傳遞用核心圖案
32‧‧‧外伸圖案
33‧‧‧外周壁
4‧‧‧上部包覆層
41‧‧‧上部包覆層圖案
42‧‧‧上部包覆層圖案的端部
5‧‧‧外伸部
6‧‧‧支持基板
7‧‧‧剝離基板
8‧‧‧暫時固定片材
9‧‧‧連接器
60‧‧‧除去部
100‧‧‧切割加工線
第1圖是表示關於本發明的第1實施形態的光波導的一種態樣的剖面圖。
第2圖是表示關於本發明的第1實施形態的光波導的製造方法的步驟剖面圖。
第3圖是表示關於本發明的第2實施形態的光波導的一種態樣的剖面圖。
第4圖是表示關於本發明的第2實施形態的光波導的製造方法的步驟剖面圖。
第5圖是表示關於本發明的第3實施形態的光波導的一種態樣的剖面圖。
第6圖是表示關於本發明的第3實施形態的光波導的製造方法的步驟剖面圖。
第7圖是表示關於本發明的第4實施形態的光波導的一種態樣的剖面圖。
第8圖是表示關於本發明的第4實施形態的光波導的製造方法的步驟剖面圖。
第9圖是表示關於本發明的第5實施形態的光波導的一種態樣的剖面圖。
第10圖是表示關於本發明的第5實施形態的光波導的製 造方法的步驟剖面圖。
第11圖是表示關於本發明的第6實施形態的光波導的一種態樣的剖面圖。
第12圖是表示關於本發明的第6實施形態的光波導的製造方法的步驟剖面圖。
第13圖是表示關於本發明的第7實施形態的光波導的一種態樣的剖面圖。
第14圖是表示關於本發明的第7實施形態的光波導的製造方法的步驟剖面圖。
第15圖是表示關於本發明的第8實施形態的光波導的一種態樣的剖面圖。
第16圖是表示關於本發明的第8實施形態的光波導的製造方法的步驟剖面圖。
第17圖是表示關於本發明的實施例1的製造方法的平面圖。
第18圖是表示關於本發明的實施例2的製造方法的平面圖。
(第1實施形態)
關於本發明第1實施形態的光波導，如第1圖所示，具備：基板1；下部包覆層2(下部包覆層圖案21)，其設置於基板1的光波導形成面13上；光訊號傳遞用核心圖案31，其設置於下部包覆層2上；上部包覆層4(上部包覆層圖案41)，其設置成與下部包覆層2一起來包覆光訊號傳遞用核心圖案 31；具有外周壁33的外伸圖案32，該外周壁33位於相較於基板1的基板外周11更伸出的位置。
[基板]
基板1賦予光波導強韌性。又，基板1，在使用切割機等在光波導形成光徑變換鏡時，可抑制光波導的斷裂。又，基板1，將複數個波道(Channel)的光訊號傳遞用核心圖案31形成於下部包覆層圖案21(下部包覆層2)上時，可抑制光波導的收縮，並使光訊號傳遞用核心圖案31之間保持良好的間距。又，基板1，在製作步驟(後述的步驟E1及步驟F1)中，將外伸部5的支持基板6及剝離基板7以物理方式剝離時，可利用與下部包覆層圖案21和上部包覆層圖案41，一起以夾著外伸圖案32的方式來保持，而能抑制外伸部5的破損。又，將光波導嵌合於連接器上時，基板1可抑制此時所產生的外伸部5的破損。
作為基板1的材質，由上述的觀點，可舉出例如，玻璃環氧樹脂基板、陶瓷基板、玻璃基板、矽基板、塑膠基板、金屬基板、於上述各基板上形成樹脂層的附樹脂層基板、於上述各基板上形成金屬層的附金屬層基板、電配線板等。
基板1的厚度，並無特別限定，但在欲獲得剛性光波導的情況下，基板1的厚度若在50μm以上，有容易獲得作為剛性基板1的強度這樣的優點，而基板1的厚度若在2000μm以下，則可得到低剖面(low profile)的光導波。由上述觀點，基板的厚度較佳是在50μm以上且2000μm以下的範圍，更佳是在60μm以上且1000μm以下的範圍。
在欲賦予光波導柔軟性的情況下，作為基板1，較佳是使用具有柔軟性及強韌性的材料。作為具有柔軟性及強韌性的基板1，可舉出合適的例子如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯；聚乙烯、聚丙烯、聚醯胺、聚碳酸酯、聚苯醚、聚醚硫化物、聚芳香酯、液晶聚合物、聚碸、聚醚碸、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醯亞胺。
基板1的厚度，並無特別限定，若是在5μm以上，具有可輕易獲得作為載體膜的強度這樣的優點，若是在200μm以下，具有使得外伸部5的基板1方向的底面與基板1的光波導形成面的反面，可約略形成在相同平面上這樣的優點。由上述的觀點，基板1的厚度較佳是在5μm以上且200μm以下的範圍，更佳是在10μm以上且100μm以下的範圍。
[下部包覆層及上部包覆層]
作為下部包覆層2及上部包覆層4，可使用感光性樹脂及熱硬化性樹脂等較為合適，該等樹脂相較於光訊號傳遞用核心圖案31具有更低的折射率，且藉由光及熱即可硬化。形成下部包覆層2及上部包覆層4的包覆層形成用樹脂，在含有的成分上可相同亦可相異，在折射率上可相同亦可相異。
作為下部包覆層2所形成的下部包覆層圖案21、及作為上部包覆層4所形成的上部包覆層圖案41，例如，可藉由層積包覆層形成用樹脂層，並進行曝光顯像來進行圖案化。又，作為形成下部包覆層圖案21及上部包覆層圖案41的其他例子，可藉由僅在預期的地方，配置膜狀或漆狀的包覆層形成 用樹脂層來形成。由對位精確度的觀點而言，光刻加工為合適。下部包覆層圖案21中，於基板1上形成下部包覆層20後，藉由雷射加工、以切割等方法的切削加工，亦可作成形成於基板1全面的下部包覆層圖案21。
作為用來形成下部包覆層2及上部包覆層4的方法，就層積包覆層形成用樹脂的方法而言並無特別限定，例如，可將包覆層形成用樹脂溶解於溶劑中再塗佈等方法來進行層積，亦可使用事先準備好的包覆層形成用樹脂薄膜來進行層疊。
作為用來形成下部包覆層2及上部包覆層4的方法，藉由塗佈來形成時，其方法不受限定，藉由一般的方法來塗佈包覆層形成用樹脂即可。
又，作為用來形成下部包覆層2及上部包覆層4的方法，採用層疊來形成時，用於層疊的包覆層形成用樹脂薄膜，例如，可藉由將包覆層形成用樹脂溶解於溶劑，將其塗佈於支持薄膜上，再去除溶劑來輕易地製造完成。
關於下部包覆層2(下部包覆層圖案21)及上部包覆層4(上部包覆層圖案41)的厚度，並無特別限定，但圖案形成後的厚度，較佳是在5μm以上且500μm以下的範圍。若圖案形成後的厚度是5μm以上，可確保將光封閉所需的包覆厚度，若圖案形成後的厚度是500μm以下，可得到低剖面的光波導。由上述觀點，下部包覆層圖案21及上部包覆層圖案41圖案形成後的厚度，進而更佳是在10μm以上且100μm以下的範圍。又，關於用來形成下部包覆層圖案21及上部包覆 層圖案41圖案的下部包覆層形成用樹脂薄膜及上部包覆層形成用樹脂薄膜的厚度，若能形成上述厚度的圖案，則無特別限定，但由容易獲得均一膜厚度的樹脂薄膜的觀點而言，樹脂薄膜的厚度，較佳是500μm以下。
[光訊號傳遞用核心圖案]
作為光訊號傳遞用核心圖案31，例如，藉由層積核心層形成用樹脂層，並進行曝光顯像，可形成光訊號傳遞用核心圖案31。核心層形成用樹脂，較佳是使用相較於下部包覆層2(下部包覆層圖案21)及上部包覆層4(上部包覆層圖案41)，具有高折射率，並可藉由活性光線(active light)進行圖案化之物。圖案化前的核心層形成用樹脂的形成方法，並沒有限定，例如，可將核心層形成用樹脂溶解於溶劑中再塗佈等來進行層積，亦可使用事先準備好的核心層形成用樹脂薄膜來進行層疊。
關於光訊號傳遞用核心圖案31的厚度，並無特別限定，但形成後的光訊號傳遞用核心圖案31的厚度，若是10μm以上，在與光波導形成後的受光發光元件或是與光纖的結合上，具有可使得對位的允許誤差擴大這樣的優點，形成後的光訊號傳遞用核心圖案31的厚度，若是100μm以下，在與光波導形成後的受光發光元件或是與光纖的結合上，具有使結合效率提升這樣的優點。由上述的觀點而言，光訊號傳遞用核心圖案31的厚度，較佳是在10μm以上且100μm以下的範圍，更佳是在30μm以上且90μm以下的範圍。為了得到這樣的厚度，雖然適當地調整核心層形成用樹脂薄膜 的厚度即可，但由容易獲得均一膜厚度的樹脂薄膜的觀點而言，樹脂薄膜的厚度，較佳是500μm以下。
作為核心層形成用樹脂，較佳是使用相對於所用的光訊號為透明，且以活性光線形成圖案而得之物。
[外伸圖案]
作為外伸圖案32，與上述的光訊號傳遞用核心圖案31相同，例如，可藉由層積核心層形成用樹脂層，並進行曝光顯像來形成。較佳是使用可藉由活性光線進行圖案化之物。圖案化前的核心層形成用樹脂的形成方法，並沒有限定，例如，可將核心層形成用樹脂溶解於溶劑中再塗佈等來進行層積，亦可使用事先準備好的核心層形成用樹脂薄膜來進行層疊。
關於外伸圖案32的厚度，雖然並無特別限定，但在由與上述光訊號傳遞用核心圖案31同樣的核心層形成用樹脂來形成外伸圖案32時，從基板1的光波導形成面13至核心頂面為止的高度，變得與光訊號傳遞用核心圖案31的高度幾乎相同。直接形成於基板1的部分上的外伸圖案32高度，是由(下部包覆層圖案的厚度)+(光訊號傳遞用核心圖案的厚度)而成。又，外伸圖案32的底面與光波導形成面13的背面，形成於約為相同平面上的地方的外伸圖案32的厚度，是由(基板的厚度)+(下部包覆層圖案的厚度)+(光訊號傳遞用核心圖案的厚度)而成。去除外伸圖案32的下方的基板1及下部包覆層2時，或是在去除基板1時，亦去除掉部份的外伸圖案32的情況下，外周壁33中的外伸圖案32的厚度，會變得比上述之值小。
由基板1的法線方向觀察外伸圖案32時，作為外伸圖案32的形狀，有較基板外周11更凸出的部位即可，其外周壁33，可為直線狀、圓弧狀、圓弧波狀、三角波狀。若為直線狀，與連接器對位時，可藉由面相合。若為圓弧狀、圓弧波狀、三角波狀，則可藉由點固定。就與連接器之間的對位的安定性的觀點而言，較佳是以面固定，就對連接器的嵌入性的觀點而言，較佳是以點固定。
外伸圖案32的外周壁(側面部分)33，較佳的是大約垂直於基板1的光波導形成面13，在不影響與連接器之間的嵌合的範圍下，可為彎曲亦可為傾斜。外周壁33與光波導形成面13之間的角度，較佳是75°以上且105°以下(作為大約垂直的範圍)，更佳是85°以上且95°以下，進而更佳是87°以上且93°以下。外周壁33與光波導形成面13之間的角度並非90°時，只要不會因為從基板1最凸出的部位，導致無法與連接器互相嵌合等的影響即可。
外伸圖案32是夾著基板外周11。藉此，可將作為光波導的製品的外形輪廓，作為外伸圖案32的外周壁33。
進而，外伸圖案32與基板1之間不具黏著性時，或是黏著性弱時，較佳是以夾著下部包覆層圖案的端部22及上部包覆層圖案的端部42的方式，來形成外伸圖案32。
此外，作為形成外伸圖案32的位置，可在基板1外周的全部，亦可在外周的一部分。形成於基板1外周的一部分上時，製品外形中，至少在用於與連接器對位的部位上形成外伸圖案32即可。此時外伸圖案32以外的部位，於形成外伸 圖案32後，例如，可藉由使用切割機的切削加工、雷射切割、使用刀刃及金屬模具的剪切加工等來進行外形加工即可。
[外伸部]
第1實施形態相關的光波導中，相較於基板外周11，更伸出而形成的光波導形成層，稱為外伸部5，至少外伸圖案32的一部分是用來形成作為外伸部5。外伸部5，較佳為外伸圖案32。
作為外伸部5的外伸圖案32的底面，如第1圖所示，較佳的是與基板1的光波導形成面13的背面，形成在大約相同的平面上。藉此，從基板1背面凸出的部位消失，光波導與連接器嵌合時，不會有造成阻礙的部分，可良好地進行嵌合這樣的優點存在。
此外，作為形成外伸部5的位置，可為基板1外周的全部，亦可為基板1外周的一部分。形成於基板1外周的一部分上時，製品外形中，至少將用於與連接器對位的部位上作為外伸部5即可。此時外伸部5以外的部位，於形成外伸圖案32後，例如，藉由使用切割機的切削加工、雷射切割、使用刀刃及金屬模具來進行外形加工即可。
相較於加工後的基板1，往外側延伸的外伸部5的長度(基板1平行方向的外伸量)，與連接器9相嵌時，只要是不會造成外伸圖案32破損的範圍下即可，較佳是0.1μm以上且100μm以下。由加工精確度的觀點及進一步抑制外伸圖案32的破損的觀點而言，更佳是0.5μm以上且75μm以下，進而更佳是1μm以上且50μm以下。
以下，關於本發明的第1實施形態相關的光波導的製造方法，使用第2圖來進行說明。
[步驟A1]
步驟A1中，作為將基板1形成於一部分的支持基板6的方法，並無特別限定，例如，可於支持基板6上貼合1個以上的基板1，亦可於支持基板6上貼合用來做出基板1的基板片材12後，對基板1進行形狀加工。作為理想的方法，可舉出後述[基板1的準備步驟]所記載的方法。
又，支持基板6與基板1，於光波導的製造方法的製程中是被固定的狀態，較佳的是可藉由之後的步驟將支持基板6從基板1上去除的組合。
[基板1的準備步驟]
首先，準備片狀的基板片材12，該基板片材12在進行形狀加工後會變成基板1，如第2圖(a)所示，將基板片材12貼合於暫時固定片材8上。
接下來，如第2圖(b)所示，在不切斷暫時固定片材8的情況下，將基板片材12進行形狀加工而成為基板1。作為此時的形狀加工方法，若能為僅切斷基板片材12的方法，則無特別限定，但可舉出例如，使用切割機的切削加工、藉由雷射切割的加工、藉由刀刃的加工等。
之後，如第2圖(c)所示，將支持基板6層積在與暫時固定片材8為相反面的基板片材12的表面。
最後，如第2圖(d)所示，藉由去除暫時固定片材8，可獲得一種基板，其於支持基板6上配置有基板1。
藉由此種方法，例如，具有能將複數個基板1，在維持間距的狀態下，設置於支持基板6的優點。又，將基板片材12貼合於支持基板6上之後，若藉由切割機、雷射切割等加工成為基板1，會擔心在支持基板6的表面形成刻溝，如此一來，外伸圖案32，相較於基板底面，會以刻溝深度的程度凸出於基板底面，但藉由從暫時固定片材8將基板1轉印於支持基板6，則具有可在不形成刻溝下，將基板1形成於支持基板6的優點存在。進而，從暫時固定片材8將基板1轉印於支持基板6時，有變得容易去除基板1之外的多餘基板片材12的殘餘物(預留部分)的優點。
此外，僅將基板1外周的一部分，作為外伸部5時，在基板1中，至少在形成外伸部5的部分進行形狀加工即可，而預留部分與基板1，亦可為部分地相連。
<支持基板>
作為用來支持基板1的支持基板6，只要是可從基板1去除的基板，則無特別限制，但由去除性的觀點而言，理想的基板可舉出如金屬基板、列舉於基板1的基板，或是於該等基板上形成剝離層的基板、附金屬箔的樹脂基板(可將樹脂基板作為基板1，基板片材12來使用)等。支持基板6的厚度，較佳是5μm~20mm，若支持基板6的厚度是5μm以上，則可支持基板1，若支持基板6的厚度是20mm以下，則具有優異的使用性。支持基板6的厚度，若為10μm~2mm，由於處理性變得良好，故更佳。
<暫時固定片材>
作為與基板片材12進行層積的暫時固定片材8的種類，只要是與基板片材12(基板1)具有剝離性，則無特別限定，理想的種類可舉出如金屬基板、列舉於基板1的基板，或是於該等上形成剝離層的基板、附金屬箔的樹脂基板(可將樹脂基板作為基板1，基板片材12來使用)等。
[步驟B1]
如第2圖(e)所示，於基板1的光波導形成面13上，形成下部包覆層圖案21(下部包覆層2)的步驟B1，其說明如下。
作為下部包覆層圖案21的形成方法，並無特別限定，例如藉由：將下部包覆層形成用樹脂組成物部分地塗佈於基板1上的方法；將事先塗刷成薄膜狀的下部包覆層形成用樹脂薄膜，部分地層疊於基板1上的方法；以如同覆蓋基板1般地塗佈下部包覆層形成用樹脂組成物，或是，將事先塗刷成薄膜狀的下部包覆層形成用樹脂薄膜進行層疊，再使用光刻加工等進行圖案化的方法，則可形成下部包覆層圖案21。藉由光刻加工進行時，下部包覆層形成用樹脂組成物，較佳是感光性樹脂組成物。
就其他方法而言，於基板片材12的全面上形成下部包覆層後，將基板片材12進行形狀加工而成為基板1的同時，亦可將下部包覆層2作成與基板1相同形狀的下部包覆層圖案21。而於進行基板1的形狀加工的同時，將下部包覆層2處理為下部包覆層圖案21的方法中，使用上述[基板1的準備步驟]所記載的方法時，於基板片材12上形成下部包覆層2，再於下部包覆層2上形成暫時固定片材8，之後，再以下述的順 序進行即可：對基板1及下部包覆層圖案21進行形狀加工、形成支持基板6、去除暫時固定片材8。同時進行基板1及下部包覆層圖案21的形狀加工時，下部包覆層形成用樹脂組成物，較佳是感光性樹脂組成物及熱硬化性樹脂組成物。
[步驟C1]
如第2圖(f)所示，作為形成外伸圖案32的步驟C1，可藉由以光刻加工進行圖案化來形成外伸圖案32。此時，藉由於支持基板6、基板1及下部包覆層圖案21上，以夾著基板外周11的方式，來形成外伸圖案32，可將成品的外形輪廓線作為外伸圖案32的外周壁33。藉由將成品的外形輪廓線作為外伸圖案32的外周壁33，可得到一種光訊號傳遞用核心圖案31與外周壁33之間具高精確度的光波導。
以光刻加工形成外伸圖案32時，藉由使用單一的遮光罩同時形成光訊號傳遞用核心圖案31與外伸圖案32，可抑制光訊號傳遞用核心圖案31與用於對位的外周壁33之間的位置偏差，因此使得彼此的位置關係能以良好的精確度來形成，故較佳。
[步驟D1]
於步驟C1之後，如第2圖(g)所示，較佳是進行步驟D1，該步驟D1是將光訊號傳遞用核心圖案31包埋，且將上部包覆層圖案41(上部包覆層4)形成於上部包覆層圖案的端部42被外伸圖案32所夾著的位置。
藉由如覆蓋光訊號傳遞用核心圖案31的頂面及側面般地形成上部包覆層41，可保護光訊號傳遞用核心圖案31。又， 藉由設置上部包覆層圖案的端部42於被外伸圖案32所夾著的位置，外伸圖案32會變成被一部分的上部包覆層圖案41與基板1(或是基板1與下部包覆層圖案21)所夾著的狀態，因此，進行之後的步驟(步驟E1或/及步驟F)時、或是嵌合光波導於連接器時，可防止外伸圖案32的剝落及破損。
作為上部包覆層圖案41的形成方法，並無特別限制，例如可藉由：將上部包覆層形成用樹脂組成物部分地塗佈於預期的位置(下部包覆層圖案21、光訊號傳遞用核心圖案31、外伸圖案32的一部分上)的方法；將事先塗刷成薄膜狀的下部包覆層形成用樹脂薄膜，部分地層疊於所預期的位置的方法；將上部包覆層形成用樹脂組成物塗佈於支持基板6的全面上，或是，將事先塗刷成薄膜狀的上部包覆層形成用樹脂薄膜進行層疊，再使用光刻加工等進行圖案化的方法，則可形成上部包覆層圖案41。將上部包覆層圖案41部分地進行塗佈，或是層疊的方法時，上部包覆層形成用樹脂組成物，較佳是熱硬化性樹脂組成物及感光性樹脂組成物，而藉由光刻加工進行時，較佳是感光性樹脂組成物。由上部包覆層圖案的形成位置的對位(對準)精確度的觀點，更佳是藉由光刻加工形成。
[步驟E1]
如第2圖(h)所示，作為去除支持基板6的步驟E1，只要能從外伸部5去除支持基板6，則無特別限制，例如，外伸部5與支持基板6之間具有剝離性時，只要物理性地剝除支持基板即可。作為其他方法，有藉由不會溶解基板1及外伸部5 的溶劑來溶解去除支持基板6的方法等。就具體的溶解去除方法而言，作為支持基板6的材料，有使用金屬(Cu等)再蝕刻去除的方法等。
[光學模組]
如第2圖(i)所示，藉由嵌合以上述的光波導的製造方法所製造出的光波導、及光纖連接器等的其他連接器9，可作成第1實施形態相關的光學模組。
依據本發明的第1實施形態相關的光波導，藉由以外伸圖案32夾著基板1，可將作為光波導的製品的外形輪廓線當作外伸圖案32的外周壁33，因此，藉由外周壁33，可使得光訊號傳遞用核心圖案31具有高精確度的對位，而能得到高精度的光波導。藉此，光訊號傳遞用核心圖案31與受光發光構件之間的光軸校準變得容易，可作成光訊號傳遞效率優異的光波導。
進而，依據本發明的第1實施形態相關的光波導，即使外伸圖案32與基板1是不具黏著性、或是黏著性弱的情況下，藉由以夾著至少下部包覆層圖案的端部22或上部包覆層圖案的端部42其中之一的方式來形成外伸圖案32，會使得下部包覆層圖案21及上部包覆層圖案41中的至少任1個，與外伸圖案32之間形成黏著界面，因此得以確保黏著性。
(第2實施形態)
本發明的第2實施形態相關的光波導，如第3圖所示，相較於以第1實施形態所示的光波導，不同的點在於，作為外伸部5的外伸圖案32的底面，相較於基板1的光波導形成面 13的背面，是形成於更接近光波導形成面13的那一側。關於第2實施形態相關光波導，由於與第1實施形態相關光波導實質上相同的內容會變成重複記載，故省略。
以下，關於本發明的第2實施形態相關光波導的製造方法，藉由第4圖來說明。
[步驟A2]
步驟A2中，於一部分的支持基板6上形成基板1，作為於基板1的附近形成剝離基板7的方法，並無特別限定，例如，可在將基板1貼合於支持基板6上之後，再於基板1的附近貼合剝離基板7。在外伸圖案32與基板1具有剝離性的情況下，亦可將用來做出基板1的基板片材12貼合於支持基板6上後，對基板1進行形狀加工，而預留部分剩餘的基板片材12則可作為剝離基板7。
作為具有剝離基板7之基板1的形成方法，就理想的方法而言，可舉出如後述[基板1的準備步驟]中所記載的方法。支持基板6與基板1，於光波導形成製程中是被固定的狀態，較佳是可藉由之後的步驟，將支持基板6從基板1上去除的組合。
[基板1的準備步驟]
首先，如第4圖(a)所示，準備片狀的基板片材12，該基板片材12在進行形狀加工後會變成基板1，將基板片材12貼合於暫時固定片材8上。
接下來，如第4圖(b)所示，在不切斷暫時固定片材8的情況下，將基板片材12進行形狀加工而成為基板1。作為此 時的形狀加工方法，若能為僅切斷基板片材12的方法，則無特別限定，但可舉出例如，使用切割機的切削加工、藉由雷射切割的加工、藉由刀刃的加工等。
之後，如第4圖(c)所示，將基板6層積在與暫時固定片材8為相反面的基板片材12的表面。
最後，如第4圖(d)所示，藉由去除暫時固定片材8，可獲得一種基板，其於支持基板6上配置有基板1及剝離基板7。
藉由此種方法，例如具有能將複數個基板1，在維持間距的狀態下，設置於支持基板6的優點。又，將基板片材12貼合於支持基板6上之後，若藉由切割機、雷射切割等加工成為基板1，則擔心會在支持基板6的表面形成刻溝，如此一來，外伸圖案32，相較於基板底面，會以刻溝深度的程度凸出於基板底面，但藉由從暫時固定片材8將基板1轉印於支持基板6，則具有可在不形成刻溝下，將基板1形成於支持基板6的優點存在。進而，從暫時固定片材8將基板1轉印於支持基板6時，若刻意殘留基板1以外多餘的基板片材12的殘餘物，會使得步驟A2(將殘留在預留部分的基板12作為剝離基板7時)變得容易進行。在能以不形成刻溝的方式來加工的情況下，以及在外伸圖案32，相較於基板底面，以刻溝深度的程度凸出於基板底面卻不會造成問題的情況下，亦可將第4圖(b)的暫時固定片材8作為支持基板來處理，並進行下部包覆層圖案21以後的步驟。
此外，僅將基板1外周的一部分，作為外伸部5時，基板1中，至少在形成外伸部5的部分進行形狀加工即可，而 預留部分與基板1，亦可為部分地相連。
<剝離基板>
作為與基板1配置於相同平面的剝離基板7，只要是能從支持基板6去除的基板即可，但由去除性的觀點而言，理想的基板可舉出如金屬基板、列舉於基板1的基板，或是於該等基板上形成剝離層的基板等。剝離基板7的厚度，若是基板1的厚度±30μm以內，可與基板1在幾乎無高度差下使核心圖案等形成，故較佳。
[步驟B1]
如第4圖(e)所示，於基板1的光波導形成面13上，形成下部包覆層圖案21(下部包覆層2)(步驟B1)。
[步驟C2]
如第4圖(f)所示，作為形成外伸圖案32的步驟C2，可藉由以光刻加工進行圖案化來形成外伸圖案32。此時，藉由於支持基板6、基板1及下部包覆層圖案21上，以夾著基板外周11的方式，來形成外伸圖案32，則可將成品的外形輪廓線作為外伸圖案32的外周壁33。藉由將成品的外形輪廓線作為外伸圖案32的外周壁33，可得到光訊號傳遞用核心圖案31與外周壁33之間具有高精確度的光波導。
剝離基板7與基板1之間具有間隙時，藉由於支持基板6、剝離基板7、基板1及下部包覆層圖案21上形成外伸圖案32，可將成品的外形輪廓線作為外伸圖案32的外周壁33。剝離基板7與基板1之間具有間隙時，雖然一部分的外伸圖案32亦形成於支持基板6上，但只要支持基板6與外伸圖案32 可互相剝離則不會產生問題。
以光刻加工形成外伸圖案32時，藉由使用單一的遮光罩同時形成光訊號傳遞用核心圖案31與外伸圖案32，可抑制光訊號傳遞用核心圖案31與用於對位的外周壁33之間的位置偏差，因此使得彼此的位置關係能以良好的精確度來形成，故較佳。
[步驟D1]
於步驟C2之後，如第4圖(g)所示，較佳是進行步驟D1，該步驟D1是將光訊號傳遞用核心圖案31包埋，且將上部包覆層圖案41(上部包覆層4)形成於上部包覆層圖案的端部42被外伸圖案32所夾著的位置。
[步驟E1]
如第4圖(h)所示，去除支持基板6(步驟E1)。
[步驟F1]
如第4圖(h)所示，作為去除剝離基板7的步驟F的方法，只要能從外伸部5去除剝離基板7，則無特別限制，例如，外伸部5與剝離基板7之間具有剝離性的情況下，只要以物理性地剝除剝離基板即可。作為其他方法，有藉由不會溶解基板1及外伸部5的溶劑來溶解去除剝離基板7的方法等。就具體的溶解去除方法而言，有使用金屬(Cu等)作為剝離基板7的材料，再蝕刻去除的方法等。
[光學模組]
如第4圖(i)所示，藉由嵌合以上述的光波導的製造方法所製造出的光波導、及光纖連接器等的其他連接器9，可作成第 2實施形態相關的光學模組。
即使是以這樣的方式所構成的本發明的第2實施形態相關的光波導，亦能獲得與第1實施形態相關的光波導同樣的效果。
進而，依據本發明的第2實施形態相關的光波導的製造方法，在支持基板6與外伸圖案32之間的密著性高的情況下、膜厚度厚而難以進行核心圖案的圖案化的情況下、支持基板6使曝光時的活性光線散亂，外伸圖案32無法良好地形成的情況下，相較於步驟C1，由於步驟C2可藉由剝離基板7來限制支持基板6與外伸圖案32的接觸，故步驟C2較為理想。
(第3實施形態)
本發明的第3實施形態相關的光波導，如第5圖所示，相較於第1實施形態所示的光波導，不同的點在於，外伸部5是外伸圖案32與上部包覆層圖案41。關於第3實施形態相關的光波導，由於與第1實施形態相關的光波導實質上相同的內容會成為重複記載，故省略。
以下，關於本發明的第3實施形態相關的光波導的製造方法，使用第6圖來進行說明。
[步驟A1及步驟B1]
將步驟A1中，形成基板1於一部分的支持基板6上的步驟，與步驟B1中，形成下部包覆層圖案21於基板1的光波導形成面13上的步驟，同時進行。
首先，如第6圖(a)所示，層積基板片材12與下部包覆層 2。作為具體的層積方法，將基板片材12與下部包覆層形成用樹脂薄膜互相貼合，其中，該基板12是進行形狀加工前的基板1，該下部包覆層形成用樹脂薄膜是進行形狀加工前的下部包覆層圖案21。
接下來，如第6圖(b)所示，將暫時固定片材8層積於下部包覆層2的表面。
接下來，如第6圖(c)所示，在不切斷暫時固定片材8的情況下，將基板片材12及下部包覆層2，進行形狀加工而成為基板1及下部包覆層圖案21。作為此時的形狀加工方法，只要是能切斷基板片材12及下部包覆層2的方法，則無特別限定，但可舉出例如，使用切割機的切削加工、藉由雷射切割的加工、藉由刀刃的加工等。
之後，如第6圖(d)所示，將基板6層積在與暫時固定片材8為相反面的基板片材12的表面。
最後，如第6圖(e)所示，藉由去除暫時固定片材8，可獲得一種基板，其將基板1與下部包覆層圖案21層積於支持基板6上。
[步驟C1]
如第6圖(f)所示，形成外伸圖案32(步驟C1)
[步驟D1]
於步驟C1之後，如第6圖(g)所示，較佳是進行步驟D1，該步驟D1是將光訊號傳遞用核心圖案31包埋，且將上部包覆層圖案41(上部包覆層4)形成於上部包覆層圖案的端部42被外伸圖案32所夾著的位置。
[步驟E1]
如第6圖(h)所示，去除支持基板6(步驟E1)。
[光學模組]
如第6圖(i)所示，藉由嵌合以上述的光波導的製造方法所製造出的光波導、及光纖連接器等的另一連接器9，可作成第3實施形態相關的光學模組。
即使是以這樣的方式所構成的本發明的第3實施形態相關的光波導，亦能獲得與第1實施形態相關的光波導同樣的效果。
(第4實施形態)
本發明的第4實施形態相關的光波導，如第7圖所示，相較於第1實施形態所示的光波導，不同的點在於，外伸部5是外伸圖案32與上部包覆層圖案41，且上部包覆層圖案41是以夾著基板1的基板外周11的方式來配置。關於第4實施形態相關的光波導，由於與第1實施形態相關的光波導實質上相同的內容會成為重複記載，故省略。
以下，關於本發明的第4實施形態相關的光波導的製造方法，使用第8圖來進行說明。
[步驟A1]
步驟A1中，作為將基板1形成於一部分的支持基板6的方法，並無特別限定，例如，可於支持基板6上貼合1個以上的基板1，亦可於支持基板6上貼合用來做出基板1的基板片材12後，再對基板1進行形狀加工。作為理想的方法，可舉出後述[基板1的準備步驟]所記載的方法。
又，支持基板6與基板1，於光波導的製造方法的製程中是被固定的狀態，較佳是可藉由之後的步驟，將支持基板6從基板1上去除的組合。
[基板1的準備步驟]
首先，如第8圖(a)所示，準備片狀的基板片材12，該基板片材12在進行形狀加工後會變成基板1，並將基板片材12貼合於暫時固定片材8上。
接下來，如第8圖(b)所示，在不切斷暫時固定片材8的情況下，將基板片材12進行形狀加工而成為基板1。作為此時的形狀加工方法，若能為僅切斷基板片材12的方法，則無特別限定，但可舉出例如，使用切割機的切削加工、藉由雷射切割的加工、藉由刀刃的加工等。
之後，如第8圖(c)所示，將基板6層積在與暫時固定片材8為相反面的基板片材12的表面。
最後，如第8圖(d)所示，藉由去除暫時固定片材8，可獲得一種基板，其於支持基板6上配置有基板1。
[步驟B1]
如第8圖(e)所示，作為以夾著基板外周11的方式來形成下部包覆層圖案21的步驟B1，可藉由以光刻加工進行圖案化，形成下部包覆層圖案21。
[步驟C1]
如第8圖(f)所示，形成外伸圖案32(步驟C1)。
[步驟D1]
於步驟C1之後，如第8圖(g)所示，較佳是進行步驟D1， 該步驟D1是將光訊號傳遞用核心圖案31包埋，且將上部包覆層圖案41(上部包覆層4)形成於上部包覆層圖案的端部42被外伸圖案32所夾著的位置。
[步驟E1]
如第8圖(h)所示，去除支持基板6(步驟E1)。
[光學模組]
如第8圖(i)所示，藉由嵌合以上述的光波導的製造方法所製造出的光波導，與光纖連接器等的其他連接器9，可作成第4實施形態相關的光學模組。
即使是以這樣的方式所構成的本發明的第4實施形態相關的光波導，亦能獲得與第1實施形態相關的光波導同樣的效果。
(第5實施形態)
本發明的第5實施形態相關的光波導，如第9圖所示，實質上與藉由第2實施形態所示的光波導相同。關於第5實施形態相關的光波導，由於與第2實施形態相關的光波導實質上相同的內容會成為重複記載，故省略。
以下，關於本發明的第5實施形態相關的光波導的製造方法，使用第10圖來進行說明。
[步驟A2]
步驟A2中，於一部分的支持基板6上形成基板1，作為於基板1的附近形成剝離基板7的方法，並無特別限定，例如，可在將基板1貼合於支持基板6上之後，再於基板1的附近貼合剝離基板7。外伸圖案32與基板1具有剝離性的情 況下，亦可將用來做出基板1的基板片材12貼合於支持基板6上後，對基板1進行形狀加工，預留部分上剩餘的基板片材12則作為剝離基板7。
作為具有剝離基板7之基板1的形成方法，就理想的方法而言，可舉出如後述[基板1的準備步驟]中所記載的方法。支持基板6與基板1，於光波導形成製程中是被固定的狀態，較佳是可藉由之後的步驟，將支持基板6從基板1上去除的組合。
[基板1的準備步驟]
首先，如第10圖(a)所示，準備片狀的基板片材12，該基板片材12在進行形狀加工後會變成基板1，並將基板片材12貼合於支持基板6上。
繼而，如第10圖(b)所示，以不在支持基板6的表面上形成凹陷部分的方式，將基板片材12進行形狀加工而成為基板1。作為此時的形狀加工方法，若是能僅切斷基板片材12的方法，則無特別限定，例如，可舉出藉由雷射切割的加工等。
藉由以上的步驟，可得一種基板，其中，基板1及剝離基板7是配置於支持基板6上。
藉由此種方法，例如具有能將複數個基板1，在維持間距的狀態下，設置於支持基板6的優點。
此外，僅將基板1外周的一部分，作為外伸部5時，基板1中，至少在形成外伸部5的部分進行形狀加工即可，而預留部分與基板1，亦可部分地相連。
<剝離基板>
作為配置於與基板1相同平面的剝離基板7，只要是能從支持基板6去除的基板即可，但由去除性的觀點而言，理想的基板可舉出如金屬基板、列舉於基板1的基板，或是於該等基板上形成剝離層的基板等。剝離基板7的厚度，若是基板1的厚度±30μm以內，可與基板1在幾乎無高度差下使核心圖案等形成，故較佳。
[步驟B1]
如第10圖(c)所示，於基板1的光波導形成面13上，形成下部包覆層圖案21(下部包覆層2)(步驟B1)。
[步驟C2]
如第10圖(d)所示，作為形成外伸圖案32的步驟C2，可藉由以光刻加工進行圖案化來形成外伸圖案32。此時，藉由於支持基板6、基板1及下部包覆層圖案21上，以夾著基板外周11的方式，來形成外伸圖案32，可將製品的外形輪廓線作為外伸圖案32的外周壁33。藉由將製品的外形輪廓線作為外伸圖案32的外周壁33，可得到光訊號傳遞用核心圖案31與外周壁33之間具有高精確度的光波導。
剝離基板7與基板1之間具有間隙時，藉由於支持基板6、剝離基板7、基板1及下部包覆層圖案21上形成外伸圖案32，可將製品的外形輪廓線作為外伸圖案32的外周壁33。剝離基板7與基板1之間具有間隙時，雖然一部分的外伸圖案32亦形成於支持基板6上，但只要支持基板6與外伸圖案32可互相剝離則不會產生問題。
以光刻加工形成外伸圖案32時，藉由使用單一的遮光罩 同時形成光訊號傳遞用核心圖案31與外伸圖案32，可抑制光訊號傳遞用核心圖案31與用於對位的外周壁33之間的位置偏差，因此使得彼此的位置關係能以良好的精確度來形成，故較佳。
[步驟D1]
於步驟C1之後，如第10圖(E)所示，較佳是進行步驟D1，該步驟D1是將光訊號傳遞用核心圖案31包埋，且將上部包覆層圖案41(上部包覆層4)形成於上部包覆層圖案的端部42被外伸圖案32所夾著的位置。
[步驟E1]
如10圖(f)所示，去除支持基板6(步驟E1)。
[步驟F]
如第10圖(f)所示，作為去除剝離基板7的步驟F的方法，只要能從外伸部5去除剝離基板7，則無特別限制，例如，外伸部5與剝離基板7之間具有剝離性的情況下，只要以物理性地剝除剝離基板即可。作為其他方法，有藉由不會溶解基板1及外伸部5的溶劑來溶解去除剝離基板7的方法等。就具體的溶解去除方法而言，有使用金屬(Cu等)作為剝離基板7的材料，再蝕刻去除的方法等。
[光學模組]
如第10圖(g)所示，藉由嵌合以上述的光波導的製造方法所製造出的光波導、及光纖連接器等的其他連接器9，可作成第5實施形態相關的光學模組。
即使是以這樣的方式所構成的本發明的第5實施形 態相關的光波導，亦能獲得與第1及第2實施形態相關的光波導同樣的效果。
進而，依據本發明的第5實施形態相關的光波導的製造方法，基板1的準備步驟中，由於以不在支持基板6的表面上形成凹陷部分的方式，將基板片材12進行形狀加工而成為基板1，因此變成不一定需要暫時固定片材8，可減少使用的材料，且可期望加工步驟變得簡略。
(第6實施形態)
[光波導]
本發明的第6實施形態相關的光波導，如第11圖所示，相較於第1實施形態所示的光波導，不同的點在於，外伸部5僅是外伸圖案32。關於第6實施形態相關的光波導，由於與第1實施形態相關的光波導實質上相同的內容會成為重複記載，故省略。
[光波導的製造方法]
本發明的第6實施形態相關的光波導的製造方法，包含步驟B2、步驟C3、步驟D2以及步驟E2。
以下，關於本發明的第6實施形態相關的光波導的製造方法，使用第12圖來進行說明。
[步驟B2]
如第12圖(a)所示，於基板1上形成下部包覆層2(步驟B2)。
[步驟C3]
接下來，作為步驟C3，如第12圖(b)所示，於已形成在 基板1上的下部包覆層2上，形成延伸的光訊號傳遞用核心圖案31，且以將光訊號傳遞用核心圖案31置於中間的方式，形成外伸圖案32。
步驟C3中，光訊號傳遞用核心圖案31及外伸圖案32，若同時加工形成，則可保持兩者的相對關係位置良好，因此使得歷經步驟C3之後的外周壁33，與光訊號傳遞用核心圖案31之間的相對關係位置變得良好，故較佳。光訊號傳遞用核心圖案31及外伸圖案32，由可同時加工這樣的觀點而言，較佳是藉由光刻加工來形成。
[步驟D2]
作為步驟D2，如第12圖(c)所示，以不與光訊號傳遞用核心圖案31的側面部對向的一側之外伸圖案32，其側面部33露出，且埋設光訊號傳遞用核心圖案31的方式，來形成上部包覆層圖案41。上部包覆層圖案41，如第12圖(c)所示，雖然較佳是形成在下部包覆層2及外伸圖案32上，但重要的是將光訊號傳遞用核心圖案31以埋設的方式來形成，因此亦可為不形成在外伸圖案32上的構造。
步驟D2中，上部包覆層圖案41，就提升下部包覆層2及外伸圖案32上的對位精確度這樣的觀點而言，較佳是使用光刻加工形成。又，於光訊號傳遞用核心圖案31與外伸圖案32間隙部份所形成的上部包覆層圖案41、及於該間隙部份與外伸圖案32上所形成的上部包覆層圖案41，由確保光波導的強度這樣的觀點而言，較佳是無分離地一體形成。
[步驟E2]
作為步驟E2，如第12圖(d)所示，去除外伸圖案32的下方的基板1及下部包覆層2(或是基板1)。
作為去除的方法，並無特別限定，但理想可舉出如刻模加工、切割加工、雷射加工等的切削加工及蝕刻加工等。由控制去除部份的深度的觀點，其中又以切割加工為更佳。藉由切割加工進行切削時，可藉由使用略為矩形的切割葉片來去除。
若由基板1的那一側，進行切削加工，則容易將外伸圖案32作為最外周(外端部)，故較佳。
步驟E2中，較佳的是，藉由將外周壁33變成光波導的最外周的方式，將外伸圖案32下方的基板1及下部包覆層2或是基板1去除。具體而言，如第12圖(d)所示，為了將外周壁33作為光波導的最外周，藉由去除由外伸圖案32下方應去除的基板1、及下部包覆層2所成的位置(除去部60)，可得外周壁33為外端部的光波導。只要至少保留一部分由外伸圖案32所成的外周壁33，則與連接器等嵌合時，可將外周壁33用於對位，而能確保光訊號傳遞用核心圖案31與受光發光構件(受光發光元件或光纖等)之間的對位的高精確度。
以成為第12圖(d)所示形狀般，將基板1及下部包覆層2藉由切削加工去除時，若切削深度是切削至外周壁33那一側的外伸圖案32為止，則可切除存在於較外周壁33更外側的基板1，故較佳。外伸圖案32的切削深度，只要使外伸圖案32的外周壁33留存，則沒有特別的問題，但外周壁33的切削量(與基板呈垂直方向的長度)較佳是0.5μm以上且20μm 以下，更佳是0.5μm以上且10μm以下，進而更佳是0.5μm以上且5μm以下。藉由在可能的範圍下盡量降低外周壁33的切削量，在與連接器9等嵌合時，變得能較廣的面積(外周壁33)來固定。
步驟E2中，藉由留存外伸圖案32下方的至少一部分的基板1及下部包覆層2的方式，來進行去除，則可抑制外伸圖案32的破損，故較佳。
又，藉由光刻加工將外伸圖案32進行圖案化時，在發生底部卷折的狀況下，由於將光波導嵌合於連結器等時，底部卷折部分會造成干擾，因此較佳是在本步驟中將底部卷折部分去除。
[光學模組]
如第12圖(e)所示，藉由將以上述光波導的製造方法所製造出的光波導，與光纖連接器等的其他連接器9互相嵌合，則可作成光學模組。此時，藉由光波導的外伸圖案32的外周壁33，以接觸連接器9的內壁面般來進行嵌合，可使得光波導與連接器9之間的對位容易且高精確度地進行。
即使是以這樣的方式所構成的本發明第6實施形態相關的光波導，亦能與第1實施形態相關的光波導獲得同樣的效果。
(第7實施形態)
[光波導]
本發明第7實施形態相關的光波導，如第13圖所示，相較於以第6實施形態所示的光波導，不同的點在於，外伸 圖案32是以夾著被圖案化的下部包覆層2(下部包覆層圖案21)的端部的方式來設置，而外伸圖案32的底面是形成於基板1的光波導形成面13。關於第7實施形態相關的光波導，藉由以下內容詳細敘述，但由於與第6實施形態相關的光波導實質上相同的內容會成為重複記載，故省略。
直接形成於基板1部位的外伸圖案32的厚度，大約是由(基板的厚度)+(下部包覆層的厚度)+(光訊號傳遞用核心圖案的厚度)而成。步驟E3中，去除外伸圖案32下方的基板1時，在部份地去除掉外伸圖案32的一部分的情況下，外周壁33的外伸圖案32的厚度，會變得比上述的值小。
[光波導的製造方法]
本發明的第7實施形態相關的光波導的製造方法，包含步驟B1、步驟C4、步驟D2以及步驟E3。
以下，關於本發明的第7實施形態相關的光波導的製造方法，使用第14圖來進行說明。
[步驟B1]
如第14圖(a)所示，於基板1的光波導形成面13上形成下部包覆層圖案21(下部包覆層2)(步驟B1)。
[步驟C4]
接下來，如第14圖(b)所示，於下部包覆層2上形成光訊號傳遞用核心圖案31，並且於基板1上及/或下部包覆層2上，以將光訊號傳遞用核心圖案31置於中間的方式，來形成外伸圖案32。
如第14圖(b)所示，較佳的構造是在基板1及下部包覆層 圖案21上(或下部包覆層圖案21上)形成外伸圖案32，但由於下部包覆層圖案21是以圖案狀所形成，故亦可是不將外伸圖案32形成在下部包覆層圖案21上，而是形成在該下部包覆層圖案21的外側的基板1上之構造。
藉由形成外伸圖案32於基板1上，比起僅形成於下部包覆層2上，更能確保外周壁33的厚度，因此可安定地進行與連接器等的嵌合，故較佳。又，外伸圖案32與基板1的密著程度弱的情況下，若外伸圖案32是以夾著圖案化的下部包覆層2的端部的方式來形成，可確保由下部包覆層2與外伸圖案32的界面所產生的密著性，故較佳。
[步驟D2]
作為步驟D2，如第14圖(c)所示，以不與光訊號傳遞用核心圖案31的側面部對向的一側之外伸圖案32，其側面部33露出，且埋設光訊號傳遞用核心圖案31的方式，形成上部包覆層圖案41。上部包覆層圖案41，如第14圖(c)所示，雖然較佳是形成在下部包覆層圖案21及外伸圖案32上的構造，但重要的是將光訊號傳遞用核心圖案31以埋設的方式來形成，因此亦可是上部包覆層圖案41不形成於外伸圖案32上的構造。
[步驟E3]
如第14圖(d)所示，將外伸圖案32下方的基板1(或是基板1及下部包覆層圖案21)去除。此外，此步驟E3的細節，與上述的第6實施形態中所說明的步驟E2實質上相同。
[光學模組]
如第14圖(e)所示，藉由將以上述光波導的製造方法所製造出的光波導，與光纖連接器等的其他連接器9互相嵌合，則可作成光學模組。此時，藉由光波導的外伸圖案32的外周壁33，以接觸連接器9的內壁面的方式來嵌合，可使得光波導與連接器9的對位容易且高精確度地進行。
即使是以這樣的方式所構成的本發明的第7實施形態相關的光波導，亦能與第6實施形態相關的光波導獲得同樣的效果。
又，依照第7實施形態相關的光波導，由於下部包覆層圖案21被圖案化，外伸圖案32形成在下部包覆層2被去除的部位，外伸圖案32的厚度會變得比光訊號傳遞用核心圖案31的厚度更厚。因此，外伸圖案32的強度被強化，可降低外伸圖案32的破裂及欠損。
(第8實施形態)
[光波導]
本發明第8實施形態相關的光波導，如第15圖所示，相較於以第7實施形態所示的光波導，不同的點在於，外伸圖案32是以夾著被圖案化的下部包覆層2(下部包覆層圖案21)的端部的方式來設置，外伸圖案32的外周壁33，是變成由基板1開始的連續傾斜面。關於第8實施形態相關的光波導，藉由以下內容詳細敘述，但由於與第7實施形態相關的光波導實質上相同的內容會成為重複記載，故省略。
[光波導的製造方法]
本發明的第8實施形態相關的光波導的製造方法，包含 步驟B1、步驟C4、步驟D2以及步驟E3。
以下，關於本發明的第8實施形態相關的光波導的製造方法，使用第16圖來進行說明。
[步驟B1]
如第16圖(a)所示，於基板1的光波導形成面13上形成下部包覆層圖案21(下部包覆層2)(步驟B1)。
第8實施形態相關的光波導的製造方法中，雖然可以適當地選擇步驟B1及步驟B2，此處是以進行步驟B1的狀況作為例子來說明。
[步驟C4]
接下來，如第16圖(b)所示，於下部包覆層2上形成光訊號傳遞用核心圖案31，且於基板1上及/或下部包覆層2上，以將光訊號傳遞用核心圖案31置於中間的方式，來形成外伸圖案32。
[步驟D2]
作為步驟D2，如第16圖(c)所示，以不與光訊號傳遞用核心圖案31的側面部對向的一側的外伸圖案32，其側面部33露出，且埋設前述光訊號傳遞用核心圖案的方式，來形成上部包覆層圖案41。
[步驟E3]
作為步驟E3，如第16圖(d)所示，去除外伸圖案32下方的基板1(或是基板1及下部包覆層圖案21)。
步驟E3中，以使斷面變成略呈三角形的方式，去除基板1及外伸圖案32的至少一部分。藉由切割加工切削成如第16 圖(d)所示的略三角形(剖面視點)時，例如，可藉由使用具有傾斜面的切割葉片來去除。
步驟E3中，去除基板1及外伸圖案32的至少一部分來使其具有傾斜面時，基板1表面與傾斜面所夾的角度，並無特別限定，但較佳是30°以上且89°以下，更佳是40°以上且80°以下，進而更佳是45°以上且75°以下。若為40°以上，基板1及/或下部包覆層圖案21的切削量較少，可確保光波導的強度。
[光學模組]
如第16圖(e)所示，藉由將以上述光波導的製造方法所製造出的光波導，與光纖連接器等的其他連接器9互相嵌合，則可作成光學模組。此時，藉由光波導的外伸圖案32的外周壁33，以接觸連接器9的內壁面的方式來嵌合，可使得光波導與連接器9的對位容易且高精確度地進行。
即使是以這樣的方式所構成的本發明的第8實施形態相關的光波導，亦能與第7實施形態相關的光波導獲得同樣的效果。
又，第8實施形態相關的光波導，由於從基板1至外伸圖案32的外周壁33變成傾斜面，外伸圖案32受到的拉扯較少，可降低外伸圖案32的破裂及欠損。
[實施例]
以下，藉由實施例更詳細說明本發明，但本發明在不違背其主旨下，並不被以下的實施例所限定。
(實施例1) [包覆層形成用樹脂薄膜的製作] <(A)(甲基)丙烯酸聚合物(基底聚合物)的製作>
於具備攪拌機、冷卻管、氣體導入管、滴液漏斗及溫度計的燒瓶中，將丙二醇甲醚醋酸酯46質量份及乳酸甲酯23質量份秤量後移入，一邊導入氮氣氣體一邊進行攪拌。上升液溫至65℃，將甲基丙烯酸甲酯47質量份、丙烯酸丁酯33質量份、甲基丙烯酸2-羥乙酯16質量份、丙烯酸甲酯14質量份、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)3質量份、丙二醇甲醚醋酸酯46質量份及乳酸甲酯23質量份的混合物，花費3小時滴下後，於65℃下攪拌3小時。進而於95℃下繼續攪拌1小時，則獲得(A)(甲基)丙烯酸聚合物的溶液(固形份45質量%)。
<重量平均分子量的測定>
(A)(甲基)丙烯酸聚合物的重量平均分子量(以標準聚苯乙烯換算)，使用凝膠層析儀(GPC；TOSOH股份有限公司製「SD-8022」、「DP-8020」、「RI-8020」)的測定結果為3.9×104。此外，管柱是使用日立化成股份有限公司製的「Gelpack GL-A150-S」及「Gelpack GL-A160-S」。
<酸價的測定>
(A)(甲基)丙烯酸聚合物的酸價測定結果是79mgKOH/g。此外，酸價是由0.1mol/L氫氧化鉀水溶液量來算出，該0.1mol/L氫氧化鉀水溶液是用來中和(A)(甲基)丙烯酸聚合物。此時，作為指示劑而添加的酚酞，由無色變色成粉紅色時，即為中和點。
<包覆層形成用樹脂清漆的調合>
將以下成分混合攪拌：作為基底聚合物(A)，使用(甲基)丙烯酸聚合物的溶液(固形份45質量%)84質量份(固形份38質量份)；作為光硬化成分(B)，使用具有聚酯架構的胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸(新中村化學工業股份有限公司製「U-200AX」)33質量份、及具有聚丙二醇架構的胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸(新中村化學工業股份有限公司製「UA-4200」)15質量份；作為熱硬化成分(C)，使用將六亞甲二異氰酸酯的異氰尿酸酯型三聚物，藉由甲乙酮肟保護的多官能嵌段異氰酸酯溶液(固形份75質量%)(Sumika Bayer Urethane股份有限公司製「Sumidur BL3175」)20質量份(固形份15質量份)；作為光聚合起始劑(D)，使用1-[4-(2-羥乙氧基)苯基]-2-羥基-2-甲基-丙烷-1-酮(BASF Japan股份有限公司製「IRGACURE 2959」)1質量份、二(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦(BASF Japan股份有限公司製「IRGACURE 819」)1質量份；以及作為稀釋用有機溶劑的丙二醇甲醚醋酸酯23質量份。使用孔徑2μm的聚四氟乙烯過濾器(ADVANTEC東洋股份有限公司製「PF020」)，加壓過濾後，進行減壓除氣，獲得包覆層形成用樹脂清漆。
[包覆層形成用樹脂薄膜的製作]
將藉由上述方法所得到的包覆層形成用樹脂清漆，在作為支持薄膜的PET薄膜(東洋紡績股份有限公司製「Cosumosyain A4100」，厚度為50μm)的非處理面上，使用塗佈機(HIRANO TECSEED股份有限公司製，覆蓋塗佈機(mulch coater) 「TM-MC」)進行塗佈，以100℃乾燥20分鐘後，貼附作為保護薄膜的表面離型處理PET薄膜(帝人杜邦薄膜股份有限公司製「Purex A31」，厚度為25μm)，則獲得包覆層形成用樹脂薄膜。
此時，從包覆層形成用樹脂清漆所形成的樹脂層的厚度，可藉由調節塗佈機的孔隙來任意地調整，關於其膜厚則在之後說明。
[核心層形成用樹脂薄膜的製作]
作為基底聚合物(A)，使用苯氧基樹脂(東都化成股份有限公司製「Phenotouto YP-70」)26質量份；作為光聚合性化合物(B)，使用9,9-雙[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀(新中村化學工業股份有限公司製「A-BPEF」)36質量份，及雙酚A型環氧丙烯酸酯(新中村化學工業股份有限公司製「EA1020」)36質量份；作為光聚合起始劑(C)，使用二(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦(BASF JAPAN股份有限公司製「IRGACURE 819」)1質量份，及1-[4-(2-羥乙氧基)苯基]-2-羥基-2-甲基-丙烷-1-酮(BASF Japan股份有限公司製「IRGACURE 2959」)1質量份；作為有機溶劑，使用丙二醇甲醚醋酸酯40質量份；除此之外，皆使用與上述調合包覆層形成用樹脂清漆相同的方法及條件，來調合核心層形成用樹脂清漆。之後，以與上述同樣的方法及條件加壓過濾，進而進行減壓除氣。
將藉由上述方法所得到的核心層形成用樹脂清漆，在作為支持薄膜的PET薄膜(東洋紡績股份有限公司製「Cosumosyain A1517」，厚度為16μm)的非處理面上，以與上述製造例同樣的方法來進行乾燥塗佈，接下來，作為保護薄膜，以使離型面變成在樹脂那一側的方式來貼附表面離型PET薄膜(帝人杜邦薄膜股份有限公司製「Purex A31」，厚度為25μm)，則獲得核心層形成用樹脂薄膜。
此時，從核心層形成用樹脂清漆所形成的樹脂層的厚度，可藉由調節塗佈機的落差任意地調整。
[第1實施形態相關光波導的製造例]
<基板的準備步驟：基板的準備及步驟A1>
作為基板片材12，使用100mm×100mm的聚醯亞胺薄膜(Toray．Du Pont股份有限公司製「Kapton EN」，厚度：12.5μm)，在其另一面，作為暫時固定片材8，將附有再剝離黏著層的PET薄膜(PANAC股份有限公司製「PANAPROTECT ET-50kB」)使用壓輥層疊機(日立化成Technoplant股份有限公司製「HLM-1500」)，以壓力0.4MPa，溫度50℃，層疊速度0.2m/min的條件來進行層疊(參考第2圖(a))。
接下來，藉由Nd-YAG雷射的第三高諧波(波長：355nm)，以不切斷暫時固定片材8的方式，將基板片材12進行形狀加工，形成基板1(2950μm×10mm×2處)。又，去除的部分的間隙是20μm(參考第2圖(b)、第17圖(a))。
之後，在聚醯亞胺薄膜的表面，作為支持基板6，將附有再剝離黏著層的PET薄膜(PANAC股份有限公司製「PANAPROTECT ET-50kB」)使用壓輥層疊機(日立化成Technoplant股份有限公司製「HLM-1500」)，以壓力0.4MPa， 溫度50℃，層疊速度0.2m/min的條件來進行層疊(請參考第2圖(c))。接下來，將殘存於暫時固定片材8及基板1之間的預留部份剝離去除(請參考第2圖(d))。
<步驟B1：下部包覆層圖案的形成>
由基板1的光波導形成面13的那一側，將藉由上述方法所獲得的27μm厚的包覆層形成用樹脂薄膜的保護膜剝離後，使用真空加壓式層疊機(名機製作所股份有限公司製「MVLP-500」)，真空抽引至500Pa以下後，以壓力0.4MPa，溫度110℃，加壓時間30秒的條件加熱壓接，進行層疊。接下來，使用紫外線曝光機(ORC製作所股份有限公司「EXM-1172」)，隔著具有開口部份(2920μm×9.950mm×2處)的負型光罩，將開口部中心與基板1中心對位，從包覆層形成用樹脂薄膜的支持薄膜那一側，以350mJ/cm2的程度照射紫外線(波長365nm)。之後，剝離支持薄膜，使用顯影液(1%碳酸鉀水溶液)，去除支持基板6上的下部包覆層形成用樹脂，並以水進行洗淨。進而，使用上述紫外線曝光機，以3.0J/cm2的程度來照射，進行在170℃下1小時的加熱乾燥及硬化作業。下部包覆層圖案21的厚度，由基板1上起算是15μm(請參考第2圖(e))。
<步驟C1：光訊號傳遞用核心圖案及外伸圖案的形成>
接下來，從藉由上述方法形成的下部包覆層圖案21的形成面那一側，將藉由上述方法所獲得的27μm厚的核心層形成用樹脂薄膜，剝離保護膜後，使用壓輥層疊機(日立化成 Technoplant股份有限公司製「HLM-1500」)，以壓力0.4MPa，溫度50℃，層疊速度0.2m/min的條件來進行層疊。接下來，使用上述的真空加壓式層疊機(名機製作所股份有限公司製「MVLP-500」)，真空抽引至500Pa以下後，以壓力0.4MPa，溫度70℃，加壓時間30秒的條件進行加熱壓接。
接下來，以使外伸圖案32的開口部份(150μm×9.900mm)，變成夾著基板1的長邊(2邊)的基板外周11的位置般，與負型光罩進行對位。又，將光訊號傳遞用核心圖案31的開口部份(45μm×9.900mm)，以250μm的間距設置8處(圖中省略以2處表示)，以配置於下部包覆層圖案21上般，與負型光罩進行對位。然後，經由負型光罩，使用紫外線曝光機，由支持薄膜那一側，以0.8J/cm2的程度照射紫外線(波長365nm)，以80℃進行5分鐘的曝光後加熱。之後，剝離作為支持薄膜的PET薄膜，使用顯影液(丙二醇甲醚醋酸酯/N,N-二甲基乙醯胺=8/2，質量比)進行蝕刻。接下來，使用洗淨液(異丙醇)來洗淨，在100℃、10分鐘的條件下進行加熱乾燥，形成光訊號傳遞用核心圖案31及外伸圖案32(參考第2圖(f))。所得到的光訊號傳遞用核心圖案31由下部包覆層圖案表面起算的高度為45μm。又，光訊號傳遞用核心圖案31的核心寬度為45μm。外伸圖案32由支持基板6表面起算的高度為75μm。
<步驟D1：上部包覆層圖案的形成>
將藉由上述方法所獲得的97μm厚的包覆層形成用樹脂薄膜，剝離該薄膜的保護膜後，由所得到的光訊號傳遞用核 心圖案31及外伸圖案32上方，使用真空加壓式層疊機(名機製作所股份有限公司製「MVLP-500」)，真空抽引至500Pa以下後，以壓力0.4MPa，溫度110℃，加壓時間30秒的條件加熱壓接，進行層疊。
接下來，將具有開口部(2920μm×9.950mm×2處)的負型光罩的開口部中心與基板1中心對位，並使用上述紫外線曝光機，從包覆層形成用樹脂薄膜的支持薄膜那一側，以350mJ/cm2的程度照射紫外線(波長365nm)。之後，剝離支持薄膜，使用顯影液(1%碳酸鉀水溶液)，去去除支持基板6上的上部包覆層形成用樹脂，再以水進行洗淨。進而，使用上述紫外線曝光機，以3.0J/cm2的程度照射，在170℃、1小時的條件下進行加熱乾燥及硬化作業。上部包覆層圖案41的厚度，由基板1上起算是87.5μm(請參考第2圖(g))。
<步驟E1：去除支持基板>
將所得到的光波導的基板1以及外伸圖案32，與支持基板6之間的界面拉開分離，剝離去除支持基板6(參考第2圖(h))。
所得到的光波導，其對向的外伸圖案32的外周壁33之間的距離是2.998mm。從所得到的光波導的基板1的底面，到光訊號傳遞用核心圖案31的核心中心為止的高度是50μm，包含基板1的光波導的總厚度是100μm，而光訊號傳遞用核心圖案31的間距是250μm。基板1的光波導形成面13與外周壁33之間所夾的角度是90°。GI50的光纖陣列8CH(間距是250μm)與光訊號傳遞用核心圖案31進行對位時，可良好地 對位，而使光訊號良好地傳遞。
<基板的切斷>
在所得到的光波導的基板1短邊平行方向，使用切割機(DISCO股份有限公司製「DAC552」)，使光訊號傳遞用核心圖案31的長度變成9.8mm般，沿著切割加工線100切斷基板，並使端面平滑(參照第17圖(b)，其中未圖示上部包覆層圖案41)。
將所得到的光波導承載於連接器9(白山製作所製「PMT Connector」，光波導嵌合部份形狀(寬3.0mm，高100μm))的光波導嵌合部份時，能使外形中心與光訊號傳遞用核心圖案31的配列中心(1CH與8CH的中心位置)的位置偏差在1μm的程度下來進行承載(參考第2圖(i))。即使以彎曲半徑為5mm的程度，將上部包覆層圖案那一側往內側彎曲，光波導仍不會斷裂。
(實施例2)
[第2實施形態相關的光波導的製造例]
除了以下所述的變更處，實施例2是藉由與實施例1同樣的方法來製造光波導。
基板的準備步驟：作為基板的準備及步驟A2，形成使基板1的寬度成為2950μm的一對狹縫，並於兩處形成。製造基板1與剝離基板7一部分相連的基板(參考第18圖(a))。
下部包覆層形成用樹脂的厚度是17.5μm，核心層形成用樹脂的厚度是45μm，上部包覆層形成用樹脂的厚度是70μm。外伸圖案32是在夾著基板外周11的同時，形成於基板1 與剝離基板7上，並於形成上部包覆層圖案41後，剝離去除支持基板6。接下來，在所得到的光波導的基板1短邊平行方向，使用切割機(DAC552，DISCO股份有限公司製)，使光訊號傳遞用核心圖案31的長度變成9.8mm般，沿著切割加工線100切斷剝離基板7與基板1，並同時使端面平滑(參照第18圖(b)，其中未圖示上部包覆層圖案41)。此時，剝離基板7與基板1，是經由外伸圖案32相連。最後將剝離基板7剝離去除，製造出如第3圖所示的光波導。
所得到的光波導，其對向的外伸圖案32的外周壁33之間的距離是2.998mm。從所得到的光波導的基板1的底面，到核心中心為止的高度是50μm，包含基板1的光波導的總厚度是100μm，而光訊號傳遞用核心圖案31的間距是250μm。基板1的光波導形成面13與外周壁33之間所夾的角度是90°。GI50的光纖陣列8CH(間距是250μm)與光訊號傳遞用核心圖案31進行對位時，可良好地對位，而使光訊號良好地傳遞。
將所得到的光波導，承載於連接器9(白山製作所製「PMT Connector」，光波導嵌合部份形狀(寬3.0mm，高100μm))的光波導嵌合部份時，能使外形中心與光訊號傳遞用核心圖案31的配列中心(1CH與8CH的中心位置)的位置偏差在1μm的程度下來進行承載(參考第4圖(i))。即使以彎曲半徑為5mm的程度，將上部包覆層圖案那一側往內側彎曲，光波導仍不會斷裂。
(實施例3)
[第2實施形態相關的光波導的其他製造例]
除了以下所述的變更處，實施例3是藉由與實施例2同樣的方法來製造光波導。
作為基板片材12及支持基板6的複合體，使用附有銅箔的聚醯亞胺薄膜(厚度是12μm的銅箔(三井金屬礦業股份有限公司製「NA-DFF」)，厚度是12.5μm的聚醯亞胺(宇部日東化成股份有限公司製「UPILEX VT」))，以不貫穿金屬箔的方式，藉由Nd-YAG雷射進行形狀加工。
上部包覆層圖案41形成後，除了以三氯化鐵水溶液，蝕刻去除作為支持基板6的銅箔之外，其餘皆藉由與實施例2相同的方法來製造光波導。
從所得到的光波導的基板1的底面至核心中心為止的高度是50μm，包含基板1的光波導的總厚度是100μm，而光訊號傳遞用核心圖案31的間距是250μm。基板1的光波導形成面13與外周壁33之間所夾的角度是90°。GI50的光纖陣列8CH(間距是250μm)與光訊號傳遞用核心圖案31進行對位時，可良好地對位，而使光訊號良好地傳遞。
將所得到的光波導，承載於連接器9(白山製作所製商品名：「PMT Connector」；光波導嵌合部份形狀(寬3.0mm，高100μm))的光波導嵌合部份時，能使外形中心與光訊號傳遞用核心圖案31的配列中心(1CH與8CH的中心位置)的位置偏差在1μm的程度下來進行承載(參考第4圖(i))。即使以彎曲半徑為5mm的程度，將上部包覆層圖案那一側往內側彎曲，光波導仍不會斷裂。
(實施例4)
[第3實施形態相關的光波導的製造例]
除了以下所述的變更處，實施例4是藉由與實施例1同樣的方法來製造光波導。
層積基板片材12與支持基板6之前，於基板片材12的其中一面，層疊厚度為15μm的下部包覆層形成用樹脂薄膜，並使用上述曝光機，將紫外線(355nm)以3.0J/cm2的程度照射後，在170℃、1小時的條件下進行加熱硬化。之後，於下部包覆層2形成面上形成暫時固定片材8，與實施例1同樣地使用Nd-YAG雷射，以不切斷暫時固定片材8的方式，將基板1與下部包覆層2進行形狀加工。之後，於基板1上層疊與實施例1同樣的支持基板6，並將暫時固定片材8及基板1之間的預留部份剝離去除。
核心圖案的形成，是藉由與實施例1同樣的方法來進行。
上部包覆層圖案41的形成，除了將負型光罩的開口部份設為2970μm×9.950mm×2處之外，其餘皆是以同樣的方法來製造光波導。
從所得到的光波導的基板1的底面至光訊號傳遞用核心圖案31的核心中心為止的高度是50μm，包含基板1的光波導的總厚度是100μm，而光訊號傳遞用核心圖案31的間距是250μm。基板1的光波導形成面13與外周壁33之間所夾的角度是90°。GI50的光纖陣列8CH(間距是250μm)與光訊號傳遞用核心圖案31進行對位時，可良好地對位，而使光訊號良好地傳遞。
將所得到的光波導，承載於連接器9(白山製作所製商品名：「PMT Connector」；光波導嵌合部份形狀(寬3.0mm，高100μm))的光波導嵌合部份時，能使外形中心與光訊號傳遞用核心圖案31的配列中心(1CH與8CH的中心位置)的位置偏差在1μm的程度下來進行承載(參考第6圖(i))。即使以彎曲半徑為5mm的程度，將上部包覆層圖案那一側往內側彎曲，光波導仍不會斷裂。
(實施例5)
[第4實施形態相關光波導的製造例]
除了以下所述的變更處，實施例5是藉由與實施例1同樣的方法來製造光波導。
除了將下部包覆層圖案21的負型光罩的開口部份設為2970μm×9.950mm×2處之外，其餘皆是以與實施例1同樣的方法來製造光波導。
從所得到的光波導的基板1的底面，至光訊號傳遞用核心圖案31的核心中心為止的高度是50μm，包含基板1的光波導總厚度是100μm，而光訊號傳遞用核心圖案31的間距是250μm。基板1的光波導形成面13與外周壁33之間所夾的角度是90°。GI50的光纖陣列8CH(間距是250μm)與光訊號傳遞用核心圖案31進行對位時，可良好地對位，而使光訊號良好地傳遞。
將所得到的光波導，承載於連接器9(白山製作所製商品名：「PMT Connector」；光波導嵌合部份形狀(寬3.0mm，高100μm))的光波導嵌合部份時，能使外形中心與光訊號傳 遞用核心圖案31的配列中心(1CH與8CH的中心位置)的位置偏差在1μm程度下來進行承載(參考第8圖(i))。即使以彎曲半徑為5mm的程度，將上部包覆層圖案那一側往內側彎曲，光波導仍不會斷裂。
(實施例6)
實施例中，外伸圖案32的寬度是50μm(對向的外周壁33之間的距離：3052μm)，除了不以夾著基板外周11的方式之外，其餘皆是以同樣的方法來形成光波導。
從所得到的光波導的基板1的底面至光訊號傳遞用核心圖案31的核心中心為止的高度是50μm，包含基板1的光波導總厚度是100μm，而光訊號傳遞用核心圖案31的間距是250μm。基板1的光波導形成面13與外周壁33之間所夾的角度是90°。GI50的光纖陣列8CH(間距是250μm)與光訊號傳遞用核心圖案31進行對位時，可良好地對位，而使光訊號良好地傳遞。
將所得到的光波導，承載於連接器9(白山製作所製商品名：「PMT Connector」；光波導嵌合部份形狀(寬3.0mm，高100μm))的光波導嵌合部份時，雖然會使外伸圖案32產生破損，但能使外形中心與光訊號傳遞用核心圖案31的配列中心的位置偏差在1μm的程度下來進行承載。
(比較例1)
在實施2中，將下部包覆層形成用樹脂薄膜的厚度設為27.5μm，上部包覆層4及核心層形成用樹脂薄膜是使用與實施例2同樣厚度的薄膜，在不使用基板1的情況下於支持 基板6上形成光波導，製造沒有基板1之光波導。
步驟E1中，剝離支持基板6時，外伸圖案32出現裂痕，而無法良好地進行剝離。
所得到的光波導，由基板1底面至核心中心為止的高度是50μm，包含基板1之光波導的總厚度是100μm，而光訊號傳遞用核心圖案31的間距是247μm。
GI50的光纖陣列8CH(間距是250μm)與光訊號傳遞用核心圖案31進行對位時，彼此的間距無法契合，無法良好地傳遞光訊號。
將所得到的光波導，承載於連接器(白山製作所製商品名：「PMT Connector」；光波導嵌合部份形狀(寬3.0mm，高100μm))的光波導嵌合部份時，外伸圖案32的一部分會剝離掉落。以彎曲半徑為5mm的程度將上部包覆層圖案那一側往內側彎曲時，會造成光波導斷裂。
(比較例2)
實施例2中，於基板片材12上，形成下部包覆層2、光訊號傳遞用核心圖案31、上部包覆層4(下部包覆層2及上部包覆層4不進行圖案化)，將光波導的基板1的4邊使用切割機(DAC552，DISCO股份有限公司製)，以使光訊號傳遞用核心圖案31的長度成為9.8mm般，來切斷基板，使端面平滑。
光波導的外形中心與光訊號傳遞用核心圖案31的排列中心的位置誤差是8μm，無法良好地進行對位。
(實施例7)
[第6實施形態相關光波導的製造例] <下部包覆層圖案的形成>
作為基板片材1，使用100mm×100mm的聚醯亞胺薄膜(Toray．Du Pont股份有限公司製「Kapton EN」，厚度：12.5μm)，將藉由上述方法所獲得的15μm厚的包覆層形成用樹脂薄膜的保護膜剝離後，使用真空加壓式層疊機(名機製作所股份有限公司製「MVLP-500」)，真空抽引至500Pa以下後，以壓力0.4MPa，溫度110℃，加壓時間30秒的條件進行加熱壓接，層疊於基板1上。接下來，使用紫外線曝光機(ORC製作所股份有限公司「EXM-1172」)，以3.0J/cm2的程度來照射，在170℃、1小時的條件下進行加熱乾燥及硬化作業。下部包覆層圖案21的厚度，由基板1表面起算是15μm(參考第12圖(a))。
<外伸圖案、光訊號傳遞用核心圖案的形成>
從下部包覆層2的形成面那一側，將藉由上述方法所獲得的45μm厚的核心層形成用樹脂薄膜，剝離其保護膜後，使用壓輥層疊機(日立化成Technoplant股份有限公司製「HLM-1500」)，以壓力0.4MPa，溫度50℃，層疊速度0.2m/min的條件來進行層疊。接下來，使用上述的真空加壓式層疊機(名機製作所股份有限公司製「MVLP-500」)，真空抽引至500Pa以下後，以壓力0.4MPa，溫度70℃，加壓時間30秒的條件進行加熱壓接。
接下來，外伸圖案32的開口部份(150μm×10cm)，與光訊號傳遞用核心圖案31形成用的開口部份(45μm×10cm)，以250μm的間距設置8處(圖中省略以2處表示)， 經由負型光罩，從支持薄膜的那一側，使用紫外線曝光機，以0.8J/cm2的程度照射紫外線(波長365nm)，在80℃、5分鐘得條件下，進行曝光後加熱。之後，剝離作為支持薄膜的PET薄膜，使用顯影液(丙二醇甲醚醋酸酯/N,N-二甲基乙醯胺=8/2，質量比)進行蝕刻。接下來，使用洗淨液(異丙醇)來洗淨，在100。℃、10分鐘的條件下進行加熱乾燥，形成光訊號傳遞用核心圖案31及外伸圖案32(參考第12圖(b))。所得到的光訊號傳遞用核心圖案31，由下部包覆層2表面起算的厚度為45μm。又，光訊號傳遞用核心圖案31的核心寬度為45μm。外伸圖案32由下部包覆層2表面起算的厚度為45μm。
<上部包覆層的形成>
將藉由上述方法所獲得61μm厚的包覆層形成用樹脂薄膜，在剝離其保護膜後，由所得到的光訊號傳遞用核心圖案31及外伸圖案32上方，使用真空加壓式層疊機(名機製作所股份有限公司製「MVLP-500」)，真空抽引至500Pa以下後，以壓力0.4MPa，溫度110℃，加壓時間30秒的條件加熱壓接，進行層疊。
接下來，將具有開口部(2920μm×10cm)的負型光罩進行對位，使開口部的長邊變成在先前形成的外伸圖案32上，並使用上述紫外線曝光機，從包覆層形成用樹脂薄膜的支持薄膜那一側，以350mJ/cm2的程度照射紫外線(波長365nm)。之後，剝離支持薄膜，使用顯影液(1%的碳酸鉀水溶液)，去去除未硬化的上部包覆層形成用樹脂，再以水進行洗淨。進而，使用上述紫外線曝光機，以3.0J/cm2的程度來照射，在170 ℃、1小時的條件下，進行加熱乾燥及硬化作業。所得到的光波導的總厚度是100μm(參考第12圖(c))。
<去除基板>
由所得到的光波導的基板1那一側，使用具有矩形切割葉片(葉片寬度100μm)的切割機(DISCO股份有限公司製「DAC552」)，藉由夾著外伸圖案32的其中一端(無光訊號傳遞用核心圖案方向的一端)的方式進行對位，以切削深度為28μm的程度進行切斷(參考第12圖(d))。使光訊號傳遞用核心圖案31露出於端面，且合計長度是50mm，來形成兩端的端面。
所得到的光波導，其對向的外伸圖案32的外周壁33之間的距離是2.998mm。從所得到的光波導的基板1的底面，到光訊號傳遞用核心圖案31的核心中心為止的高度是50μm，包含基板1的光波導的總厚度是100μm，而光訊號傳遞用核心圖案31的間距是250μm。基板1的光波導形成面13與外周壁33之間所夾的角度是90°。外周壁33的厚度是44.5μm。從基板1延伸出的外伸部5的長度，一邊是30μm，另一邊是15μm。
<光學模組的製作>
將所得到的光波導，承載於連接器9(白山製作所製商品名：「PMT Connector」；光波導嵌合部份形狀(寬3.0mm，高100μm))的光波導嵌合部份時，能使外形中心與光訊號傳遞用核心圖案31的配列中心的位置偏差在1μm的程度下來進行承載。
具備GI50的光纖陣列8CH(間距是250μm)的另一連接器與光訊號傳遞用核心圖案31進行對位時，可良好地對位，使光訊號良好地傳遞。
(實施例8)
[第7實施形態相關光波導的製造例]
在實施例1中，除了使用用於上部包覆層4的負型光罩，將下部包覆層2進行圖案化，核心形成用樹脂薄膜的厚度是60μm，上部包覆層形成用樹脂薄膜的厚度是74μm之外，其餘皆藉由與實施例1同樣的方法來形成光波導(參考第14圖(c))。
<去除基板>
由所得到的光波導的基板1那一側，使用與實施例1同樣的切割機，以夾著外伸圖案32的其中一端(無光訊號傳遞用核心圖案方向的一端)的方式，進行對位，並以切削深度為13μm的程度進行切斷(參考第14圖(d))。使光訊號傳遞用核心圖案31露出於端面，且合計長度是50mm，來形成兩端的端面。
所得到的光波導，其對向的外伸圖案32的外周壁33之間的距離是2.996mm。從所得到的光波導的基板1的底面，到光訊號傳遞用核心圖案31的核心中心為止的高度是50μm，包含基板1的光波導的總厚度是100μm，而光訊號傳遞用核心圖案31的間距是250μm。基板1的光波導形成面13與外周壁33之間所夾的角度是90°。外周壁33的厚度是59.5μm。從基板1延伸出的外伸部5的長度，一邊是40μm，另一邊是30μm。
<光學模組的製作>
將所得到的光波導，承載於連接器9(白山製作所製商品名：「PMT Connector」；光波導嵌合部份形狀(寬3.0mm，高100μm))的光波導嵌合部份時，能使外形中心與光訊號傳遞用核心圖案31的配列中心的位置誤差在1μm的程度下來進行承載。
具備GI50的光纖陣列8CH(間距是250μm)的另一連接器與光訊號傳遞用核心圖案31進行對位時，可良好地對位，而使光訊號良好地傳遞。
(實施例9)
[第8實施形態相關光波導的製造例]
與實施例8同樣地形成至上部包覆層圖案41後，使用具備90°角度的切割葉片的上述切割機，使已切削的那一方的傾斜面上，進行切削加工至能使外伸圖案32顯露出來的深度為止(參考第16圖(d))。使用與實施例2同樣的切割葉片，使光訊號傳遞用核心圖案31露出於端面，且在合計長度是50μm下，形成兩端的端面。
所得到的光波導，其對向的外伸圖案32的外周壁33之間的距離是2.996mm。從所得到的光波導的基板1的底面，到光訊號傳遞用核心圖案31的核心中心為止的高度是50μm，包含基板1的光波導的總厚度是100μm，而光訊號傳遞用核心圖案31的間距是250μm。基板1的光波導形成面13與外周壁33之間所夾的角度是90°。外周壁33的厚度，兩端皆是58μm。從基板1延伸出的外伸部5的長度，兩端皆 是1.5μm。
<光學模組的製作>
將所得到的光波導，承載於連接器9(白山製作所製商品名：「PMT Connector」；光波導嵌合部份形狀(寬3.0mm，高100μm))的光波導嵌合部份時，能使外形中心與光訊號傳遞用核心圖案31的配列中心的位置偏差在1μm的程度下來進行承載。
具備GI50的光纖陣列8CH(間距是250μm)的另一連接器與光訊號傳遞用核心圖案31進行對位時，可良好地對位，而使光訊號良好地傳遞。
(比較例3)
實施例7中，於基板1上形成下部包覆層2、光訊號傳遞用核心圖案31(不形成外伸圖案)、上部包覆層4(下部包覆層2及上部包覆層4不進行圖案化)，並將光波導的基板1的4邊使用切割機(DISCO股份有限公司製「DAC552)，以使光訊號傳遞用核心圖案31的長度成為50mm般，來切斷基板，使端面平滑。
所得到的光波導的外形中心與光訊號傳遞用核心圖案31的配列中心之間的位置偏差是8μm，與外部的光接收傳送構件之間，無法良好地進行對位
[產業上的利用可能性]
本發明的光波導，可與光纖連接器等的其他連接器，容易地進行精確度良好的對位，因此在光訊號傳遞效率上優異，可廣幅地適用於各種光學裝置，光學互連等的領域。
1‧‧‧基板
11‧‧‧基板外周
13‧‧‧光導波形成面
21‧‧‧下部包覆層圖案
22‧‧‧下部包覆層圖案的端部
31‧‧‧光訊號傳遞用核心圖案
32‧‧‧外伸圖案
33‧‧‧外周壁
41‧‧‧上部包覆層圖案
42‧‧‧上部包覆層圖案的端部
5‧‧‧外伸部

Claims (22)

  1. 一種光波導，其具備：基板；下部包覆層，其設置於前述基板上；光訊號傳遞用核心圖案和外伸圖案，該等設置於前述下部包覆層上；及，上部包覆層，其設置成與前述下部包覆層一起來包覆前述光訊號傳遞用核心圖案；並且，前述外伸圖案具有外周壁，該外周壁相較於前述基板、前述下部包覆層、前述上部包覆層，於基板外周方向更伸出。
  2. 如請求項1所述之光波導，其中，前述外周壁大約垂直於前述光波導形成面。
  3. 如請求項1或2所述之光波導，其中，前述外伸圖案夾著前述基板外周。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之光波導，其中，前述下部包覆層是經圖案化的下部包覆層圖案，且前述下部包覆層圖案的端部被前述外伸圖案所夾著。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之光波導，其中，前述上部包覆層是經圖案化的上部包覆層圖案，且前述上部包覆層圖 案的端部被前述外伸圖案所夾著。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之光波導，其中，前述外伸圖案的底面，形成在與前述光波導形成面的背面大約相同之平面上、或是形成在相較於前述光波導形成面的背面更接近前述光波導形成面側之部位。
  7. 一種光波導的製造方法，其包含以下步驟：步驟A1，其於支持基板的一部分上形成基板；步驟B1，其於前述基板上形成下部包覆層圖案；步驟C1，其於前述基板、前述下部包覆層圖案及前述支持基板表面上，藉由光刻加工，以夾著前述基板外周的方式，來形成前述外伸圖案；步驟D1，其形成上部包覆層圖案，該步驟D1包埋前述光訊號傳遞用核心圖案，且將該上部包覆層圖案形成於其端部被前述外伸圖案所夾著的位置；及，步驟E1，其去除前述支持基板。
  8. 一種光波導的製造方法，其包含以下步驟：步驟A2，其於支持基板的一部分上形成基板，並於前述基板附近的其他部分上形成剝離基板；步驟B1，其於前述基板上形成下部包覆層圖案；步驟C2，其於前述基板、下部包覆層圖案、前述支持基板表面及前述剝離基板表面上，藉由光刻加工，以夾著前述 基板外周的方式，來形成前述外伸圖案；步驟D1，其形成上部包覆層圖案，該步驟D1包埋前述光訊號傳遞用核心圖案，且將上部包覆層圖案形成於其端部被前述外伸圖案所夾著的位置；及，步驟E1，其去除前述支持基板。
  9. 如請求項7或8所述之光波導的製造方法，其中，在前述步驟A1或步驟A2前，依序具有下列步驟：於暫時固定片材上貼合基板片材，並以不切斷前述暫時固定片材的方式，將前述基板片材進行形狀加工而成為前述基板的形狀之步驟；於前述基板片材的表面上層積前述支持基板之步驟；及，去除前述暫時固定片材之步驟。
  10. 如請求項7至9中任一項所述之光波導的製造方法，其中，於前述步驟C1或前述步驟C2中，在形成前述外伸圖案的同時，於前述下部包覆層圖案上，形成光訊號傳遞用核心圖案。
  11. 如請求項7至10中任一項所述之光波導的製造方法，其中，在前述步驟E1的同時或之後，具有去除前述剝離基板之步驟F。
  12. 一種光波導的製造方法，其包含以下步驟： 步驟B2，其於前述基板上形成下部包覆層；步驟C3，其於前述下部包覆層上，形成延伸的光訊號傳遞用核心圖案，並以將該光訊號傳遞用核心圖案設置於外伸圖案之間的方式，來形成外伸圖案；步驟D2，其以前述外伸圖案的側面部中之不與前述光訊號傳遞用核心圖案之側面部對向一側的側面部露出，且包埋前述光訊號傳遞用核心圖案的方式，來形成上部包覆層圖案；及，步驟E2，其去除前述外伸圖案的下方的前述基板和前述下部包覆層、或去除前述基板。
  13. 一種光波導的製造方法，其包含以下步驟：步驟B1，其於前述基板上形成下部包覆層圖案；步驟C4，其於前述下部包覆層圖案上，形成延伸的光訊號傳遞用核心圖案，並於前述基板上及/或前述下部包覆層圖案上，以將該光訊號傳遞用核心圖案設置於外伸圖案之間的方式，來形成外伸圖案；步驟D2，其以前述外伸圖案的側面部中之不與前述光訊號傳遞用核心圖案之側面部對向一側的側面部露出，且包埋前述光訊號傳遞用核心圖案的方式，來形成上部包覆層圖案；及，步驟E3，其去除前述外伸圖案的下方的前述基板和前述下部包覆層圖案、或去除前述基板。
  14. 如請求項13所述之光波導的製造方法，其中，以夾著前述下部包覆層圖案的端部的方式來形成前述外伸圖案。
  15. 如請求項12至14中任一項所述之光波導的製造方法，其中，同時形成前述光訊號傳遞用核心圖案和前述外伸圖案。
  16. 如請求項12至15中任一項所述之光波導的製造方法，其中，藉由光刻加工來形成前述光訊號傳遞用核心圖案和前述外伸圖案。
  17. 如請求項12至16中任一項所述之光波導的製造方法，其中，藉由光刻加工來形成前述上部包覆層圖案。
  18. 如請求項12至17中任一項所述之光波導的製造方法，其中，於前述步驟E2或前述步驟E3中，將前述外伸圖案的未被前述上部包覆層圖案包覆的側面部，作為光波導的外周壁。
  19. 如請求項12至18中任一項所述之光波導的製造方法，其中，於前述步驟E2或前述步驟E3中，藉由切割加工來進行去除。
  20. 如請求項12至19中任一項所述之光波導的製造方法，其中，於前述步驟E2或前述步驟E3中，剖面藉由切割加工 而切削成為大約長方形或大約三角形。
  21. 如請求項12至20中任一項所述之光波導的製造方法，其中，於前述步驟E2或前述步驟E3中，前述外伸圖案的下方至少留存一部分的前述基板及/或前述下部包覆層圖案。
  22. 一種光學模組，是利用前述外伸圖案的外周壁，嵌合前述請求項1~6中任一項所述之光波導與連接器而成。
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