JPWO2014073707A1 - 光導波路、光導波路の製造方法、及び光モジュール - Google Patents

Abstract

基板１と、基板１上に設けられた下部クラッド層２と、下部クラッド層２上に設けられた光信号伝達用コアパターン３１及び張出しパターン３２と、光信号伝達用コアパターン３１を下部クラッド層２とで覆うように設けられた上部クラッド層４とを備え、張出しパターン３２は、基板１、下部クラッド層２、上部クラッド層４よりも基板１外周方向に張出している外周壁３３を有する光導波路である。

Description

本発明は、光導波路、光導波路の製造方法、及び光モジュールに関する。

情報容量の増大に伴い、幹線及びアクセス系といった通信分野のみならず、ルータ及びサーバ内の情報処理にも光信号を用いる光インターコネクション技術の開発が進められている。特に、ルータ及びサーバ装置内のボード間、又はボード内の短距離信号伝達に光を用いるための光伝達路としては、光ファイバに比べて配線の自由度が高く、かつ高密度化が可能な光導波路を用いることが望ましく、中でも、加工性及び経済性に優れたポリマー材料を用いた光導波路が有望である。

光導波路としては、まず、基板上に下部クラッド層を硬化形成した後に、下部クラッド層上にコアパターンを形成し、下部クラッド層及びコアパターン上に上部クラッド層を積層した光導波路が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
このような光導波路をシート状に複数配列させて形成した場合、光導波路形成後に、基板と光導波路とを切断して個片化する必要がある。

一般に、基板と光導波路の切断には、レーザ加工、ダイシングソー及びルータを用いた切削加工、刃型及び金型を用いたせん断加工等を用いられる。

特開２００６−０１１２１０号公報

しかしながら、上記の加工方法では、基板と光導波路との加工性の違いによるバリが生じたり、端面が傾いたり、端面が不連続に形成されたり、基板と光導波路との密着性が低いことによる剥離が発生したりする問題があった。
また、光導波路の外形形状をコネクタの位置合わせに用い、光導波路のコアと、受発光部材（受発光素子及び光ファイバ等）を光軸合わせするような光モジュールにおいては、コアパターンと外形とが、１０μｍ以下レベルの精度で形成することが必要になるが、上述のいずれの加工方法においても、コアパターンとの位置精度のよい加工は困難であった。位置精度がよくない光モジュールでは、光導波路のコアと受発光部材との光軸がずれてしまうことになり、光信号伝達効率が低下してしまう問題がある。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、光ファイバコネクタ等の別体のコネクタとの光軸合わせが容易であり、光信号伝達効率に優れた光導波路、光導波路の製造方法、及び光モジュールを提供することを目的とする。

本発明者らは上記の課題を解決するために鋭意研究した結果、基板外周よりも露出した張出しパターンを有する光導波路とすることで、上記課題を解決し得ることを見出した。本発明は、かかる知見にもとづいて完成したものである。

すなわち、本発明は、
（１）基板と、前記基板上に設けられた下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に設けられた光信号伝達用コアパターン及び張出しパターンと、前記光信号伝達用コアパターンを前記下部クラッド層とで覆うように設けられた上部クラッド層とを備え、前記張出しパターンは、前記基板、前記下部クラッド層、前記上部クラッド層よりも基板外周方向に張出している外周壁を有する光導波路、
（２）前記外周壁が前記光導波路形成面に対して略垂直である（１）に記載の光導波路、
（３）前記張出しパターンが、前記基板外周を挟持している（１）又は（２）に記載の光導波路、
（４）前記下部クラッド層が、パターン化された下部クラッドパターンであって、前記下部クラッドパターンの端部が、前記張出しパターンに挟持されている（１）〜（３）のいずれかに記載の光導波路、
（５）前記上部クラッド層が、パターン化された上部クラッドパターンであって、前記上部クラッドパターンの端部が、前記張出しパターンに挟持されている（１）〜（４）のいずれかに記載の光導波路、
（６）前記張出しパターンの底面が、前記光導波路形成面の裏面と略同一平面上に形成されている、又は前記光導波路形成面の裏面よりも前記光導波路形成面側に形成されている（１）〜（４）のいずれかに記載の光導波路、
（７）支持基板の一部に基板を形成する工程Ａ１と、前記基板上に下部クラッドパターンを形成する工程Ｂ１と、前記基板、前記下部クラッドパターン、及び前記支持基板表面上に、フォトリソグラフィー加工によって前記基板外周を挟持するように前記張出しパターンを形成する工程Ｃ１、前記光信号伝達用コアパターンを埋め込み、かつ端部が前記張出しパターンに挟持される位置に上部クラッドパターンを形成する工程Ｄ１と、前記支持基板を除去する工程Ｅ１とを含む光導波路の製造方法、
（８）支持基板の一部に基板を形成すると共に、前記基板近傍の別の一部に剥離基板を形成する工程Ａ２、前記基板上に下部クラッドパターンを形成する工程Ｂ１、前記基板、下部クラッドパターン、前記支持基板表面、及び前記剥離基板表面上に、フォトリソグラフィー加工によって前記基板外周を挟持するように前記張出しパターンを形成する工程Ｃ２、前記光信号伝達用コアパターンを埋め込み、かつ端部が前記張出しパターンに挟持される位置に上部クラッドパターンを形成する工程Ｄ１と、前記支持基板を除去する工程Ｅ１とを含む光導波路の製造方法、
（９）前記工程Ａ１又は前記工程Ａ２の前に、仮固定シート上に基板シートを貼り合わせ、前記仮固定シートを切断しないように前記基板シートを前記基板の形状に形状加工する工程と、前記基板シートの表面に前記支持基板を積層する工程と、前記仮固定シートを除去する工程とを順に有する（７）又は（８）に記載の光導波路の製造方法、
（１０）前記工程Ｃ１又は前記工程Ｃ２において、前記張出しパターンを形成すると同時に、前記下部クラッドパターン上に光信号伝達用コアパターンを形成する（７）〜（９）のいずれかに記載の光導波路の製造方法、
（１１）前記工程Ｅ１と同時又は後に、前記剥離基板を除去する工程Ｆを有する（７）〜（１０）のいずれかに記載の光導波路の製造方法、
（１２）前記基板上に下部クラッド層を形成する工程Ｂ２と、前記下部クラッド層上に、延伸する光信号伝達用コアパターンを形成し、かつ、該光信号伝達用コアパターンを間に位置するように張出しパターンを形成する工程Ｃ３と、前記張出しパターンの側面部のうち、前記光信号伝達用コアパターンの側面部と対向しない側の側面部が露出し、かつ、前記光信号伝達用コアパターンを埋設するように、上部クラッドパターンを形成する工程Ｄ２と、前記張出しパターンの下方の前記基板及び前記下部クラッド層、又は前記基板を除去する工程Ｅ２とを含む光導波路の製造方法、
（１３）前記基板上に下部クラッドパターンを形成する工程Ｂ１と、前記下部クラッドパターン上に、延伸する光信号伝達用コアパターンを形成し、かつ、前記基板上及び／又は前記下部クラッドパターン上に、該光信号伝達用コアパターンを間に位置するように張出しパターンを形成する工程Ｃ４と、前記張出しパターンの側面部のうち、前記光信号伝達用コアパターンの側面部と対向しない側の側面部が露出し、かつ、前記光信号伝達用コアパターンを埋設するように、上部クラッドパターンを形成する工程Ｄ２と、前記張出しパターンの下方の前記基板及び前記下部クラッドパターン、又は前記基板を除去する工程Ｅ３とを含む光導波路の製造方法、
（１４）前記下部クラッドパターンの端部を挟持するように前記張出しパターンを形成する（１３）に記載の光導波路の製造方法、
（１５）前記光信号伝達用コアパターン及び前記張出しパターンを同時に形成する（１２）〜（１４）のいずれかに記載の光導波路の製造方法、
（１６）前記光信号伝達用コアパターン及び前記張出しパターンをフォトリソグラフィー加工によって形成する（１２）〜（１５）のいずれかに記載の光導波路の製造方法、
（１７）前記上部クラッドパターンをフォトリソグラフィー加工によって形成する（１２）〜（１６）のいずれかに記載の光導波路の製造方法、
（１８）前記Ｅ２又は前記Ｅ３において、前記張出しパターンの前記上部クラッドパターンで覆われていない側面部を光導波路の外周壁とする（１２）〜（１７）のいずれかに記載の光導波路の製造方法、
（１９）前記Ｅ２又は前記Ｅ３において、ダイシング加工によって除去する（１２）〜（１８）のいずれかに記載の光導波路の製造方法、
（２０）前記Ｅ２又は前記Ｅ３において、断面が、略矩形又は略三角形にダイシング加工によって切削する（１２）〜（１９）のいずれかに記載の光導波路の製造方法、
（２１）前記Ｅ２又は前記Ｅ３において、前記張出しパターンの下方の少なくとも一部の前記基板及び／又は前記下部クラッドパターンが残存する（１２）〜（２０）のいずれかに記載の光導波路の製造方法、
（２２）前記（１）〜（６）のいずれかに記載の光導波路とコネクタとが、前記張出しパターンの外周壁を用いて嵌合された光モジュールである。

本発明によれば、光ファイバコネクタ等の別体のコネクタとの光軸合わせが容易であり、光信号伝達効率に優れた光導波路、光導波路の製造方法、及び光モジュールを提供することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る光導波路の一態様を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る光導波路の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る光導波路の一態様を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る光導波路の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る光導波路の一態様を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る光導波路の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る光導波路の一態様を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る光導波路の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る光導波路の一態様を示す断面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る光導波路の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る光導波路の一態様を示す断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る光導波路の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第７の実施の形態に係る光導波路の一態様を示す断面図である。 本発明の第７の実施の形態に係る光導波路の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第８の実施の形態に係る光導波路の一態様を示す断面図である。 本発明の第８の実施の形態に係る光導波路の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の実施例１に関する製造方法を示す平面図である。 本発明の実施例２に関する製造方法を示す平面図である。

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る光導波路は、図１に示すように、基板１と、基板１の光導波路形成面１３上に設けられた下部クラッド層２（下部クラッドパターン２１）と、下部クラッド層２上に設けられた光信号伝達用コアパターン３１と、光信号伝達用コアパターン３１を下部クラッド層２とで覆うように設けられた上部クラッド層４（上部クラッドパターン４１）と、基板１の基板外周１１よりも張出した位置に外周壁３３を有する張出しパターン３２とを備える。

［基板］
基板１は、光導波路に強靱性を付与する。また、基板１は、光導波路にダイシングソー等を用いて光路変換ミラーを形成する場合に、光導波路の破断を抑制することができる。また、複数チャンネルの光信号伝達用コアパターン３１を下部クラッドパターン２１（下部クラッド層２）上に形成する場合には、光導波路の収縮を抑制し、光信号伝達用コアパターン３１間のピッチを良好に保つことができる。また、基板１は、製作工程（後述する工程Ｅ１及び工程Ｆ）において張出し部５の支持基板６及び剥離基板７を物理的に剥離する際に、下部クラッドパターン２１及び上部クラッドパターン４１とで、張出しパターン３２を挟むように保持できることで、張出し部５の破損を抑制することができる。また、基板１は、コネクタに光導波路を嵌合する際の張出し部５の破損を抑制することができる。
基板１の材質としては、上記の観点から、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、上記各基板上に樹脂層を形成した樹脂層付き基板、上記各基板上に金属層を形成した金属層付き基板、電気配線板等が挙げられる。
基板１の厚さは、特に限定はないが、剛直な光導波路を得たい場合には、５０μｍ以上であると、剛直な基板１としての強度が得やすいという利点があり、２０００μｍ以下であると低背な光導波路が得られる。以上の観点から、基板１の厚さは５０μｍ以上２０００μｍ以下の範囲であることが好ましく、６０μｍ以上１０００μｍ以下の範囲であることがより好ましい。

光導波路に柔軟性を付与したい場合には、基板１としては、柔軟性及び強靭性のある材料を用いることが好ましい。柔軟性及び強靭性のある基板１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドが好適に挙げられる。
基板１の厚さは、特に限定はないが、５μｍ以上であると、キャリアフィルムとしての強度が得やすいという利点があり、２００μｍ以下であると張出し部５の基板１方向の底面と基板１の光導波路形成面と反対の面と略同一平面上に形成しやすいという利点がある。以上の観点から、基板１の厚さは５μｍ以上２００μｍ以下の範囲であることが好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることがより好ましい。

［下部クラッド層及び上部クラッド層］
下部クラッド層２及び上部クラッド層４としては、光信号伝達用コアパターン３１より低屈折率で、光及び熱により硬化する樹脂であれば特に限定されず、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂等を好適に使用することができる。下部クラッド層２及び上部クラッド層４を形成するクラッド層形成用樹脂は、含有する成分が同一であっても異なっていてもよく、屈折率が同一であっても異なっていてもよい。
下部クラッド層２として形成される下部クラッドパターン２１及び上部クラッド層４として形成される上部クラッドパターン４１は、例えば、クラッド層形成用樹脂層を積層し、露光現像することで、パターン化することができる。また、下部クラッドパターン２１及び上部クラッドパターン４１を形成する別の例として、所望する箇所のみにフィルム状又はワニス状のクラッド層形成用樹脂を配することによって形成することができる。位置合わせ精度の観点から、フォトリソグラフィー加工が好適である。下部クラッドパターン２１においては基板１上に下部クラッド層２０を形成後、レーザ加工、ダイシング等による切削加工によって基板１全面に形成された下部クラッドパターン２１とすることもできる。

下部クラッド層２及び上部クラッド層４を形成するための方法として、クラッド層形成用樹脂層を積層する方法としては特に限定はなく、例えば、クラッド層形成用樹脂を溶媒に溶解して塗布するなどして積層してもよく、事前に用意したクラッド層形成用樹脂フィルムをラミネートしてもよい。
下部クラッド層２及び上部クラッド層４を形成するための方法として、塗布による場合には、その方法は限定されず、クラッド層形成用樹脂を常法により塗布すればよい。
また、下部クラッド層２及び上部クラッド層４を形成するための方法として、ラミネートを採用する場合、ラミネートに用いるクラッド層形成用樹脂フィルムは、例えば、クラッド層形成用樹脂を溶媒に溶解して、支持フィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。

下部クラッド層２（下部クラッドパターン２１）及び上部クラッド層４（上部クラッドパターン４１）の厚さに関しては、特に限定するものではないが、パターン形成後の厚さで、５μｍ以上５００μｍ以下の範囲であることが好ましい。パターン形成後の厚さが５μｍ以上であると、光の閉じ込めに必要なクラッド厚さが確保でき、５００μｍ以下であると、低背な光導波路を得ることができる。以上の観点から、下部クラッドパターン２１及び上部クラッドパターン４１のパターン形成後の厚さは、更に１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることがより好ましい。また、下部クラッドパターン２１及び上部クラッドパターン４１を形成するための下部クラッド層形成用樹脂フィルム及び上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さに関しては、上述の厚さのパターンが形成出来れば特に限定するものではないが、均一な膜厚の樹脂フィルムを得やすいという観点から、樹脂フィルムの厚さは、５００μｍ以下であるとことが好ましい。

［光信号伝達用コアパターン］
光信号伝達用コアパターン３１としては、例えば、コア層形成用樹脂層を積層し、露光現像することで形成することができる。コア層形成用樹脂は、下部クラッド層２（下部クラッドパターン２１）及び上部クラッド層４（上部クラッドパターン４１）より高屈折率であり、活性光線によりパターン化し得るものを用いることが好ましい。パターン化する前のコア層形成用樹脂層の形成方法は限定されず、例えば、コア層形成用樹脂を溶媒に溶解して塗布するなどして積層してもよく、事前に用意したコア層形成用樹脂フィルムをラミネートしてもよい。

光信号伝達用コアパターン３１の厚さについては特に限定されないが、形成後の光信号伝達用コアパターン３１の厚さが、１０μｍ以上であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバとの結合において位置合わせトレランスが拡大できるという利点があり、１００μｍ以下であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバとの結合において、結合効率が向上するという利点がある。以上の観点から、光信号伝達用コアパターン３１の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることが好ましく、３０μｍ以上９０μｍ以下の範囲であることが更に好ましい。このような厚さを得るために適宜コア層形成用樹脂フィルムの厚さを調整すればよいが、均一な膜厚の樹脂フィルムを得やすいという観点から、樹脂フィルムの厚さは、５００μｍ以下であるとよい。
コア層形成用樹脂としては、用いる光信号の光に対して透明であり、活性光線によりパターンを形成し得るものを用いることが好ましい。

［張出しパターン］
張出しパターン３２としては、上述の光信号伝達用コアパターン３１と同様に、例えば、コア層形成用樹脂層を積層し、露光現像することで形成することができる。活性光線によりパターン化し得るものを用いることが好ましい。パターン化する前のコア層形成用樹脂層の形成方法は限定されず、例えば、コア層形成用樹脂を溶媒に溶解して塗布する等して積層してもよく、事前に用意したコア層形成用樹脂フィルムをラミネートしてもよい。

張出しパターン３２の厚さについては特に限定されないが、上述の光信号伝達用コアパターン３１と同一のコア層形成用樹脂層から形成される場合には、基板１の光導波路形成面１３からのコア上面までの高さが、光信号伝達用コアパターン３１とほぼ同一の高さになる。基板１に直接形成される部位の張出しパターン３２の高さは、（下部クラッドパターンの厚さ）＋（光信号伝達用コアパターンの厚さ）になる。また、張出しパターン３２の底面が、光導波路形成面１３の裏面と略同一平面上に形成されている箇所の張出しパターン３２の厚さは、（基板の厚さ）＋（下部クラッドパターンの厚さ）＋（光信号伝達用コアパターンの厚さ）になる。張出しパターン３２の下方の基板１及び下部クラッド層２、又は基板１を除去する際に、部分的に張出しパターン３２の一部を除去してしまう場合には、外周壁３３における張出しパターン３２の厚さは、上記の値よりも小さくなる。

張出しパターン３２の基板１の法線方向から見たときの形状としては、基板外周１１よりも突出した部位があればよく、その外周壁３３が、直線状でも、円弧状でも、円弧波状でも、三角波状でもよい。直線状であるとコネクタの位置合わせの際に面合わせができ、円弧状、円弧波状、三角波状であると、点固定ができる。コネクタとの位置合わせの安定性の観点からは、面固定であることが好ましく、コネクタへの挿入性の観点からは、点固定であることが好ましい。

張出しパターン３２の外周壁（側面部）３３は、基板１の光導波路形成面１３に対して略垂直であることが好ましく、コネクタとの嵌合に影響のない範囲で、湾曲していても傾いていてもよい。外周壁３３と光導波路形成面１３との角度は、７５°以上１０５°以下（略垂直の範囲とする）が好ましく、より好ましくは８５°以上９５°以下、更に好ましくは８７°以上９３°以下である。外周壁３３と光導波路形成面１３との角度が９０°ではないときには、最も基板１から突出した部位によってコネクタとの嵌合ができない等の影響がなければよい。
張出しパターン３２は、基板外周１１を挟持している。このことにより光導波路としての製品の外形ラインを張出しパターン３２の外周壁３３とすることができる。
更に、張出しパターン３２と基板１とに接着性がない場合、接着性が弱い場合は、下部クラッドパターンの端部２２及び上部クラッドパターンの端部４２を挟持するように張出しパターン３２を形成することが好ましい。
尚、張出しパターン３２を形成する箇所としては、基板１外周の全てでも、一部でもよい。基板１の外周一部に形成する場合には、少なくとも製品外形のうちコネクタの位置合わせに用いる部位に張出しパターン３２を形成すればよい。そのときの張出しパターン３２以外の部位は、張出しパターン３２を形成した後に、例えばダイシングソーを用いた切削加工、レーザアブレーション、刃型及び金型を用いた外形加工を行えばよい。

［張出し部］
第１の実施の形態に係る光導波路において、基板外周１１よりも張出して形成された光導波路形成層を張出し部５といい、少なくとも張出しパターン３１の一部が張出し部５として形成される。張出し部５は、張出しパターン３２であることが好ましい。
張出し部５としての張出しパターン３２の底面は、図１に示すように、基板１の光導波路形成面１３の裏面と略同一平面上に形成されていることが好ましい。これにより、基板１の裏面から突出した部位がなくなり、光導波路とコネクタとの嵌合の際に引っかかる部分がなく、嵌合を良好に行える利点がある。
尚、張出し部５を形成する箇所としては、基板１外周の全てでも、一部でもよい。基板１の外周一部に形成する場合には、少なくとも製品外形のうちコネクタの位置合わせに用いる部位を張出し部５とすればよい。そのときの張出し部５以外の部位は、張出しパターン３２を形成した後に、例えばダイシングソーを用いた切削加工、レーザアブレーション、刃型及び金型を用いた外形加工を行えばよい。
加工後の基板１より外側にはみ出した張出し部５の長さ（基板１平行方向の張出し量）は、コネクタ９に嵌併する際に張出しパターン３２が破損しない範囲であればよく、０．１μｍ以上１００μｍ以下であるとよい。加工精度の観点及びさらなる張出しパターン３２の破損抑制の観点から、０．５μｍ以上７５μｍ以下であるとよりよく、１μｍ以上５０μｍ以下であるとさらによい。

以下に、本発明の第１の実施の形態に係る光導波路の製造方法について図２を用いて説明する。

［工程Ａ１］
工程Ａ１において支持基板６の一部に基板１を形成する方法としては、特に限定はなく、例えば、支持基板６上に基板１を１つ以上貼り合わせてもよく、支持基板６上に基板１を作り出すための基板シート１２を貼り合わせた後に、基板１を形状加工してもよい。好適な方法としては、後述する［基板１の準備工程］に記載の方法が挙げられる。
また、支持基板６と基板１とは、光導波路の製造方法のプロセス中は固定され、後の工程で支持基板６を基板１から除去できる組み合わせであることが好ましい。

［基板１の準備工程］
まず、形状加工後に基板１となるシート状の基板シート１２を用意し、図２（ａ）に示すように、仮固定シート８上に基板シート１２を貼り合わせる。
次に、図２（ｂ）に示すように、仮固定シート８を切断しないように基板シート１２を基板１に形状加工する。このときの形状加工方法としては基板シート１２のみを切断できる方法であれば特に限定はないが、例えば、ダイシングソーを用いた切削加工、レーザアブレーションによる加工、刃型による加工等が挙げられる。
その後、図２（ｃ）に示すように、仮固定シート８と反対の面の基板シート１２の表面に支持基板６を積層する。
最後に、図２（ｄ）に示すように、仮固定シート８を除去することにより、支持基板６上に基板１が配置された基板を得ることができる。

この方法により、例えば、複数の基板１を、ピッチを維持したまま支持基板６に配置できる利点がある。また、支持基板６上に基板シート１２を貼り合わせた後にダイシングソー、レーザアブレーション等によって基板１に加工すると、支持基板６の表面に掘り込み溝が形成されることが懸念され、張出しパターン３２が、掘り込み溝深さ分、基板１底面よりも突出してしまうが、仮固定シート８から、支持基板６に基板１を転写することによって掘り込み溝なく基板１を支持基板６に形成することができる利点がある。更に、仮固定シート８から支持基板６に基板１を転写する際に、基板１以外の余分な基板シート１２の残物（切りしろ）を除去することが容易となる利点がある。
尚、基板１の外周の一部のみを張出し部５とする場合には、基板１において少なくとも張出し部５を形成する部分が、形状加工されていればよく、切りしろ部分と基板１とが、部分的につながっていてもよい。

＜支持基板＞
基板１を支持する支持基板６としては、基板１から除去可能な基板であれば特に限定はないが、除去性の観点から、金属基板、基板１に列挙した基板もしくは、それらに剥離層が形成された基板、金属箔付き樹脂基板（樹脂基板部を基板１、基板シート１２として使用できる）などが好適に挙げられる。支持基板６の厚さは、５μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、５μｍ以上であると基板１を支持することが可能となり、２０ｍｍ以下であると取り扱い性に優れる。支持基板６の厚さは、１０μｍ〜２ｍｍであるとハンドリング性が良好になるためより好ましい。

＜仮固定シート＞
基板シート１２と積層される仮固定シート８の種類としては、基板シート１２（基板１）と剥離性があれば特に限定はなく、金属基板、基板１に列挙した基板もしくは、それらに剥離層が形成された基板、金属箔付き樹脂基板（樹脂基板部を基板１、基板シート１２として使用できる）などが好適に挙げられる。

［工程Ｂ１］
図２（ｅ）に示すように、基板１の光導波路形成面１３上に下部クラッドパターン２１（下部クラッド層２）を形成する工程Ｂ１を以下に説明する。
下部クラッドパターン２１の形成方法としては特に制限はないが、例えば、基板１上へ部分的に下部クラッド層形成用樹脂組成物を塗布する方法、あらかじめフィルム状に塗工した下部クラッド層形成用樹脂フィルムを基板１上へ部分的にラミネートする方法、基板１を覆うように下部クラッド層形成用樹脂組成物を塗布、または、あらかじめフィルム状に塗工した下部クラッド層形成用樹脂フィルムをラミネートし、フォトリソグラフィー加工等を用いてパターン化することにより、下部クラッドパターン２１を形成することができる。フォトリソグラフィー加工によって行う場合には、下部クラッド層形成用樹脂組成物は、感光性樹脂組成物であるとよい。
別の方法としては、基板シート１２全面に下部クラッド層を形成した後に、基板シート１２を基板１に形状加工すると同時に下部クラッド層２を基板１と同一形状の下部クラッドパターン２１としてもよい。基板１の形状加工と同時に下部クラッド層２を下部クラッドパターン２１にする方法において、上述した［基板１の準備工程］に記載の方法を用いる場合には、基板シート１２上に下部クラッド層２を形成し、下部クラッド層２上に更に仮固定シート８を形成し、その後に、基板１及び下部クラッドパターン２１の形状加工、支持基板６の形成、仮固定シート８の除去を順に行えばよい。基板１及び下部クラッドパターン２１の形状加工を同時に行う場合には、下部クラッド層形成用樹脂組成物は、感光性樹脂組成物及び熱硬化性樹脂組成物であるとよい。

［工程Ｃ１］
図２（ｆ）に示すように、張出しパターン３２を形成する工程Ｃ１としては、フォトリソグラフィー加工によってパターン化することで形成できる。このとき、基板外周１１を挟持するように、支持基板６、基板１、及び下部クラッドパターン２１上に張出しパターン３２を形成することによって、製品の外形ラインを張出しパターン３２の外周壁３３とすることができる。製品の外形ラインを張出しパターン３２の外周壁３３とすることによって、光信号伝達用コアパターン３１と外周壁３３との高精度な光導波路を得ることができる。
張出しパターン３２をフォトリソグラフィー加工によって形成する際に、単一の遮光マスクを用いて光信号伝達用コアパターン３１と張出しパターン３２を同時に形成することにより、光信号伝達用コアパターン３１と位置合わせ用に用いる外周壁３３との間の位置ずれが抑制されるので、互いの位置関係の精度が良好に形成されるので好ましい。

［工程Ｄ１］
工程Ｃ１の後に、図２（ｇ）に示すように、光信号伝達用コアパターン３１を埋め込み、かつ上部クラッドパターンの端部４２が張出しパターン３２に挟持される位置に上部クラッドパターン４１（上部クラッド層４）を形成する工程Ｄ１を行うことが好ましい。
光信号伝達用コアパターン３１の上面及び側面を覆うように上部クラッドパターン４１を形成することによって、光信号伝達用コアパターン３１を保護することができる。また、張出しパターン３２に挟持される位置に上部クラッドパターンの端部４２を設けることによって、張出しパターン３２が、部分的に上部クラッドパターン４１と基板１（又は基板１と下部クラッドパターン２１）とで挟まれた状態になるため、後の工程（工程Ｅ１又は／及び工程Ｆ）の際、又は、コネクタに光導波路を嵌合する際に、張出しパターン３２の剥がれ及び破損を防ぐことができる。

上部クラッドパターン４１の形成方法としては特に制限はないが、例えば、所望の箇所（下部クラッドパターン２１、光信号伝達用コアパターン３１、張出しパターン３２の一部の上）へ部分的に上部クラッド層形成用樹脂組成物を塗布する方法、あらかじめフィルム状に塗工した上部クラッド層形成用樹脂フィルムを所望の箇所に部分的にラミネートする方法、支持基板６全面に上部クラッド層形成用樹脂組成物を塗布、または、あらかじめフィルム状に塗工した上部クラッド層形成用樹脂フィルムをラミネートし、フォトリソグラフィー加工等を用いてパターン化することにより、上部クラッドパターン４１を形成することができる。上部クラッドパターン４１を部分的に塗布したり、ラミネートしたりする方法の場合は、上部クラッド層形成用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂組成物及び感光性樹脂組成物であるとよく、フォトリソグラフィー加工によって行う場合には、感光性樹脂組成物であるとよい。上部クラッドパターンの形成位置の合わせ精度の観点からフォトリソグラフィー加工によって形成することがより好ましい。

［工程Ｅ１］
図２（ｈ）に示すように、支持基板６を除去する工程Ｅ１の方法としては、張出し部５から支持基板６を取り除ければ特に制限はなく、例えば、張出し部５と支持基板６との間に剥離性がある場合には、支持基板６を物理的に引き剥がせばよい。別の方法として、支持基板６を、基板１及び張出し部５が不溶な溶媒で、溶解除去する方法などがある。溶解除去する具体的な方法としては、支持基板６の素材として金属（Ｃｕ等）を用い、エッチング除去する方法などがある。

［光モジュール］
図２（ｉ）に示すように、上述の光導波路の製造方法で製造された光導波路と光ファイバコネクタ等の別体のコネクタ９とを嵌合することで第１の実施の形態に係る光モジュールとすることができる。

本発明の第１の実施の形態に係る光導波路によれば、張出しパターン３２によって基板１が挟持されていることにより、光導波路としての製品の外形ラインを張出しパターン３２の外周壁３３とすることができるため、外周壁３３による光信号伝達用コアパターン３１の高精度な位置合わせが可能となり、高精度な光導波路を得ることができる。このことにより、光信号伝達用コアパターン３１と受発光部材との光軸合わせが容易になり、光信号伝達効率に優れた光導波路とすることができる。
更に、本発明の第１の実施の形態に係る光導波路によれば、張出しパターン３２と基板１とに接着性がない場合、接着性が弱い場合であっても、下部クラッドパターンの端部２２及び上部クラッドパターンの端部４２の少なくとも一方を挟持するように張出しパターン３２を形成することで、下部クラッドパターン２１及び上部クラッドパターン４１の少なくともいずれかと張出しパターン３２との接着界面が形成されるため、接着性が確保される。

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る光導波路は、図３に示すように、第１の実施の形態で示した光導波路と比して、張出し部５としての張出しパターン３２の底面が基板１の光導波路形成面１３の裏面よりも光導波路形成面１３側に形成されている点が異なる。第２の実施の形態に係る光導波路について、第１の実施の形態に係る光導波路と実質的に同様である箇所の記載については、重複した記載となるので省略する。

以下に、本発明の第２の実施の形態に係る光導波路の製造方法について図４を用いて説明する。

［工程Ａ２］
工程Ａ２において支持基板６の一部に基板１を形成し、基板１の近傍に剥離基板７を形成する方法としては、特に限定はなく、例えば、支持基板６上に基板１を貼り合わせた後に、更に基板１の近傍に剥離基板７を貼り合わせてもよい。張出しパターン３２と基板１とに剥離性がある場合には、支持基板６上に基板１を作り出すための基板シート１２を貼り合わせた後に、基板１を形状加工し、切りしろ部分に残った基板シート１２を剥離基板７としてもよい。
剥離基板７を有する基板１の形成方法として、好適な方法としては、後述する［基板１の準備工程］に記載の方法が挙げられる。支持基板６と基板１とは、光導波路形成プロセス中は固定され、後の工程で支持基板６を基板１から除去できる組み合わせであることが好ましい。

［基板１の準備工程］
まず、図４（ａ）に示すように、形状加工後に基板１となるシート状の基板シート１２を用意し、仮固定シート８上に基板シート１２を貼り合わせる。
次に、図４（ｂ）に示すように、仮固定シート８を切断しないように基板シート１２を基板１に形状加工する。このときの形状加工方法としては基板シート１２のみを切断できる方法であれば特に限定はないが、例えば、ダイシングソーを用いた切削加工、レーザアブレーションによる加工、刃型による加工等が挙げられる。
その後、図４（ｃ）に示すように、仮固定シート８と反対の面の基板シート１２の表面に支持基板６を積層する。
最後に、図４（ｄ）に示すように、仮固定シート８を除去することにより、支持基板６上に基板１及び剥離基板７が配置された基板を得ることができる。

この方法により、例えば、複数の基板１を、ピッチを維持したまま支持基板６に配置できる利点がある。また、支持基板６上に基板シート１２を貼り合わせた後にダイシングソー、レーザアブレーション等によって基板１に加工すると、支持基板６の表面に掘り込み溝が形成されることが懸念され、張出しパターン３２が、掘り込み溝深さ分、基板１底面よりも突出してしまうが、仮固定シート８から、支持基板６に基板１を転写することによって掘り込み溝なく基板１を支持基板６に形成することができる利点がある。更に、仮固定シート８から支持基板６に基板１を転写する際に、基板１以外の余分な基板シート１２の残物（切りしろ）を故意に残せば、工程Ａ２（切りしろ部分に残った基板シート１２を剥離基板７とする場合）が容易に行えるようになる。掘り込み溝が形成されないように加工可能な場合や、張出しパターン３２が掘り込み溝深さ分、基板１底面よりも突出してしまっても問題ない場合では、図４（ｂ）の仮固定シート８を支持基板６として扱い、下部クラッドパターン２１以降の工程を行っても良い。
尚、基板１の外周の一部のみを張出し部５とする場合には、基板１において少なくとも張出し部５を形成する部分が、形状加工されていればよく、切りしろ部分と基板１とが、部分的につながっていてもよい。

＜剥離基板＞
基板１と同一平面に配置される剥離基板７としては、支持基板６から除去可能な基板であれば特に限定はないが、除去性の観点から、金属基板、基板１に列挙した基板もしくは、それらに剥離層が形成された基板などが、好適に挙げられる。剥離基板７の厚さは、基板１の厚さ±３０μｍ以内であると、基板１とほとんど段差がなくコアパターン等が形成できるため好ましい。

［工程Ｂ１］
図４（ｅ）に示すように、基板１の光導波路形成面１３上に下部クラッドパターン２１（下部クラッド層２）を形成する（工程Ｂ１）。

［工程Ｃ２］
図４（ｆ）に示すように、張出しパターン３２を形成する工程Ｃ２としては、フォトリソグラフィー加工によってパターン化することで形成できる。このとき、基板外周１１を挟持するように、支持基板６、基板１、及び下部クラッドパターン２１上に張出しパターン３２を形成することによって、製品の外形ラインを張出しパターン３２の外周壁３３とすることができる。製品の外形ラインを張出しパターン３２の外周壁３３とすることによって、光信号伝達用コアパターン３１と外周壁３３との高精度な光導波路を得ることができる。
剥離基板７と基板１との間に間隙がある場合は、支持基板６、剥離基板７、基板１、及び下部クラッドパターン２１上に張出しパターン３２を形成することによって、製品の外形ラインを張出しパターン３２の外周壁３３とすることができる。剥離基板７と基板１との間に間隙がある場合は、支持基板６上も一部張出しパターン３２が形成されるが、支持基板６と張出しパターン３２とが剥離できれば問題はない。
張出しパターン３２をフォトリソグラフィー加工によって形成する際に、単一の遮光マスクを用いて光信号伝達用コアパターン３１と張出しパターン３２を同時に形成することにより、光信号伝達用コアパターン３１と位置合わせ用に用いる外周壁３３との間の位置ずれが抑制されるので、互いの位置関係の精度が良好に形成されるので好ましい。

［工程Ｄ１］
工程Ｃ２の後に、図４（ｇ）に示すように、光信号伝達用コアパターン３１を埋め込み、かつ上部クラッドパターンの端部４２が張出しパターン３２に挟持される位置に上部クラッドパターン４１（上部クラッド層４）を形成する工程Ｄ１を行うことが好ましい。

［工程Ｅ１］
図４（ｈ）に示すように、支持基板６を除去する（工程Ｅ１）。

［工程Ｆ］
図４（ｈ）に示すように、剥離基板７を除去する工程Ｆの方法としては、張出し部５から剥離基板７を取り除ければ特に制限はなく、例えば、張出し部５と剥離基板７との間に剥離性がある場合には、剥離基板７を物理的に引きはがせばよい。別の方法として、剥離基板７を、基板１及び張出し部５が不溶な溶媒で、溶解除去する方法などがある。溶解除去する具体的な方法としては、剥離基板７を金属（Ｃｕ等）にし、エッチング除去する方法などがある。

［光モジュール］
図４（ｉ）に示すように、上述の光導波路の製造方法で製造された光導波路と光ファイバコネクタ等の別体のコネクタ９とを嵌合することで第２の実施の形態に係る光モジュールとすることができる。

このように構成された本発明の第２の実施の形態に係る光導波路でも、第１の実施の形態に係る光導波路と同様の効果を得ることができる。

更に、本発明の第２の実施の形態に係る光導波路の製造方法によれば、支持基板６と張出しパターン３２との密着性が高い場合、厚い膜厚のコアパターン化が困難な場合、支持基板６が露光の際の活性光線を散乱させたりして張出しパターン３２が良好に形成できない場合には、工程Ｃ１よりも工程Ｃ２の方が剥離基板７により支持基板６と張出しパターン３２との接触が制限されるため好適である。

（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態に係る光導波路は、図５に示すように、第１の実施の形態で示した光導波路と比して、張出し部５は、張出しパターン３２と上部クラッドパターン４１である点が異なる。第３の実施の形態に係る光導波路について、第１の実施の形態に係る光導波路と実質的に同様である箇所の記載については、重複した記載となるので省略する。

以下に、本発明の第３の実施の形態に係る光導波路の製造方法について図６を用いて説明する。

［工程Ａ１及び工程Ｂ１］
工程Ａ１における支持基板６の一部に基板１を形成する工程と、工程Ｂ１における基板１の光導波路形成面１３上に下部クラッドパターン２１を形成する工程とを同時に行う。
まず、図６（ａ）に示すように、基板シート１２と下部クラッド層２とを積層する。具体的な積層方法としては、基板１形状加工前の基板シート１２と下部クラッドパターン２１形状加工前の下部クラッド層形成用樹脂フィルムとを張り合わせる。
次に、図６（ｂ）に示すように、下部クラッド層２の表面に仮固定シート８を積層する。
次に、図６（ｃ）に示すように、仮固定シート８を切断しないように基板シート１２及び下部クラッド層２を基板１及び下部クラッドパターン２１に形状加工する。このときの形状加工方法としては基板シート１２及び下部クラッド層２を切断できる方法であれば特に限定はないが、例えば、ダイシングソーを用いた切削加工、レーザアブレーションによる加工、刃型による加工等が挙げられる。
その後、図６（ｄ）に示すように、仮固定シート８と反対の面の基板シート１２の表面に支持基板６を積層する。
そして、図６（ｅ）に示すように、仮固定シート８を除去することにより、支持基板６上に基板１と下部クラッドパターン２１が積層された基板を得ることができる。

［工程Ｃ１］
図６（ｆ）に示すように、張出しパターン３２を形成する（工程Ｃ１）。

［工程Ｄ１］
工程Ｃ１の後に、図６（ｇ）に示すように、光信号伝達用コアパターン３１を埋め込み、かつ上部クラッドパターンの端部４２が張出しパターン３２に挟持される位置に上部クラッドパターン４１（上部クラッド層４）を形成する工程Ｄ１を行うことが好ましい。

［工程Ｅ１］
図６（ｈ）に示すように、支持基板６を除去する（工程Ｅ１）。

［光モジュール］
図６（ｉ）に示すように、上述の光導波路の製造方法で製造された光導波路と光ファイバコネクタ等の別体のコネクタ９とを嵌合することで第３の実施の形態に係る光モジュールとすることができる。

このように構成された本発明の第３の実施の形態に係る光導波路でも、第１の実施の形態に係る光導波路と同様の効果を得ることができる。

（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態に係る光導波路は、図７に示すように、第１の実施の形態で示した光導波路と比して、張出し部５は、張出しパターン３２と上部クラッドパターン４１であり、上部クラッドパターン４１が基板１の基板外周１１を挟持するように配置されている点が異なる。第４の実施の形態に係る光導波路について、第１の実施の形態に係る光導波路と実質的に同様である箇所の記載については、重複した記載となるので省略する。

以下に、本発明の第４の実施の形態に係る光導波路の製造方法について図８を用いて説明する。

［工程Ａ１］
工程Ａ１において支持基板６の一部に基板１を形成する方法としては、特に限定はなく、例えば、支持基板６上に基板１を１つ以上貼り合わせてもよく、支持基板６上に基板１を作り出すための基板シート１２を貼り合わせた後に、基板１を形状加工してもよい。好適な方法としては、後述する［基板１の準備工程］に記載の方法が挙げられる。
また、支持基板６と基板１とは、光導波路の製造方法のプロセス中は固定され、後の工程で支持基板６を基板１から除去できる組み合わせであることが好ましい。

［基板１の準備工程］
まず、図８（ａ）に示すように、形状加工後に基板１となるシート状の基板シート１２を用意し、仮固定シート８上に基板シート１２を貼り合わせる。
次に、図８（ｂ）に示すように、仮固定シート８を切断しないように基板シート１２を基板１に形状加工する。このときの形状加工方法としては基板シート１２のみを切断できる方法であれば特に限定はないが、例えば、ダイシングソーを用いた切削加工、レーザアブレーションによる加工、刃型による加工等が挙げられる。
その後、図８（ｃ）に示すように、仮固定シート８と反対の面の基板シート１２の表面に支持基板６を積層する。
最後に、図８（ｄ）に示すように、仮固定シート８を除去することにより、支持基板６上に基板１が配置された基板を得ることができる。

［工程Ｂ１］
図８（ｅ）に示すように、基板外周１１を挟持するように、下部クラッドパターン２１を形成する工程Ｂ１としては、フォトリソグラフィー加工によってパターン化することで形成できる。

［工程Ｃ１］
図８（ｆ）に示すように、張出しパターン３２を形成する（工程Ｃ１）。

［工程Ｄ１］
工程Ｃ１の後に、図８（ｇ）に示すように、光信号伝達用コアパターン３１を埋め込み、かつ上部クラッドパターンの端部４２が張出しパターン３２に挟持される位置に上部クラッドパターン４１（上部クラッド層４）を形成する工程Ｄ１を行うことが好ましい。

［工程Ｅ１］
図８（ｈ）に示すように、支持基板６を除去する（工程Ｅ１）。

［光モジュール］
図８（ｉ）に示すように、上述の光導波路の製造方法で製造された光導波路と光ファイバコネクタ等の別体のコネクタ９とを嵌合することで第４の実施の形態に係る光モジュールとすることができる。

このように構成された本発明の第４の実施の形態に係る光導波路でも、第１の実施の形態に係る光導波路と同様の効果を得ることができる。

（第５の実施の形態）
本発明の第５の実施の形態に係る光導波路は、図９に示すように、第２の実施の形態で示した光導波路と実質的に同様である。第５の実施の形態に係る光導波路について、第２の実施の形態に係る光導波路と実質的に同様である箇所の記載については、重複した記載となるので省略する。

以下に、本発明の第５の実施の形態に係る光導波路の製造方法について図１０を用いて説明する。

［工程Ａ２］
工程Ａ２において支持基板６の一部に基板１を形成し、基板１の近傍に剥離基板７を形成する方法としては、特に限定はなく、例えば、支持基板６上に基板１を貼り合わせた後に、更に基板１の近傍に剥離基板７を貼り合わせてもよい。張出しパターン３２と基板１とに剥離性がある場合には、支持基板６上に基板１を作り出すための基板シート１２を貼り合わせた後に、基板１を形状加工し、切りしろ部分に残った基板シート１２を剥離基板７としてもよい。
剥離基板７を有する基板１の形成方法として、好適な方法としては、後述する［基板１の準備工程］に記載の方法が挙げられる。支持基板６と基板１とは、光導波路形成プロセス中は固定され、後の工程で支持基板６を基板１から除去できる組み合わせであることが好ましい。

［基板１の準備工程］
まず、図１０（ａ）に示すように、形状加工後に基板１となるシート状の基板シート１２を用意し、支持基板６上に基板シート１２を貼り合わせる。
次に、図１０（ｂ）に示すように、支持基板６の表面に凹部を形成しないように基板シート１２を基板１に形状加工する。このときの形状加工方法としては基板シート１２のみを切断できる方法であれば特に限定はないが、例えば、レーザアブレーションによる加工等が挙げられる。
以上の工程により、支持基板６上に基板１及び剥離基板７が配置された基板を得ることができる。

この方法により、例えば、複数の基板１を、ピッチを維持したまま支持基板６に配置できる利点がある。
尚、基板１の外周の一部のみを張出し部５とする場合には、基板１において少なくとも張出し部５を形成する部分が、形状加工されていればよく、切りしろ部分と基板１とが、部分的につながっていてもよい。

＜剥離基板＞
基板１と同一平面に配置される剥離基板７としては、支持基板６から除去可能な基板であれば特に限定はないが、除去性の観点から、金属基板、基板１に列挙した基板もしくは、それらに剥離層が形成された基板などが、好適に挙げられる。剥離基板７の厚さは、基板１の厚さ±３０μｍ以内であると、基板１とほとんど段差がなくコアパターン等が形成できるため好ましい。

［工程Ｂ１］
図１０（ｃ）に示すように、基板１の光導波路形成面１３上に下部クラッドパターン２１（下部クラッド層２）を形成する（工程Ｂ１）。

［工程Ｃ２］
図１０（ｄ）に示すように、張出しパターン３２を形成する工程Ｃ２としては、フォトリソグラフィー加工によってパターン化することで形成できる。このとき、基板外周１１を挟持するように、支持基板６、基板１、及び下部クラッドパターン２１上に張出しパターン３２を形成することによって、製品の外形ラインを張出しパターン３２の外周壁３３とすることができる。製品の外形ラインを張出しパターン３２の外周壁３３とすることによって、光信号伝達用コアパターン３１と外周壁３３との高精度な光導波路を得ることができる。
剥離基板７と基板１との間に間隙がある場合は、支持基板６、剥離基板７、基板１、及び下部クラッドパターン２１上に張出しパターン３２を形成することによって、製品の外形ラインを張出しパターン３２の外周壁３３とすることができる。剥離基板７と基板１との間に間隙がある場合は、支持基板６上も一部張出しパターン３２が形成されるが、支持基板６と張出しパターン３２とが剥離できれば問題はない。
張出しパターン３２をフォトリソグラフィー加工によって形成する際に、単一の遮光マスクを用いて光信号伝達用コアパターン３１と張出しパターン３２を同時に形成することにより、光信号伝達用コアパターン３１と位置合わせ用に用いる外周壁３３との間の位置ずれが抑制されるので、互いの位置関係の精度が良好に形成されるので好ましい。

［工程Ｄ１］
工程Ｃ２の後に、図１０（ｅ）に示すように、光信号伝達用コアパターン３１を埋め込み、かつ上部クラッドパターンの端部４２が張出しパターン３２に挟持される位置に上部クラッドパターン４１（上部クラッド層４）を形成する工程Ｄ１を行うことが好ましい。

［工程Ｅ１］
図１０（ｆ）に示すように、支持基板６を除去する（工程Ｅ１）。

［工程Ｆ］
図１０（ｆ）に示すように、剥離基板７を除去する工程Ｆの方法としては、張出し部５から剥離基板７を取り除ければ特に制限はなく、例えば、張出し部５と剥離基板７との間に剥離性がある場合には、剥離基板７を物理的に引きはがせばよい。別の方法として、剥離基板７を、基板１及び張出し部５が不溶な溶媒で、溶解除去する方法などがある。溶解除去する具体的な方法としては、剥離基板７を金属（Ｃｕ等）にし、エッチング除去する方法などがある。

［光モジュール］
図１０（ｇ）に示すように、上述の光導波路の製造方法で製造された光導波路と光ファイバコネクタ等の別体のコネクタ９とを嵌合することで第５の実施の形態に係る光モジュールとすることができる。

このように構成された本発明の第５の実施の形態に係る光導波路でも、第１及び第２の実施の形態に係る光導波路と同様の効果を得ることができる。

更に、本発明の第５の実施の形態に係る光導波路の製造方法によれば、基板１の準備工程において、支持基板６の表面に凹部を形成しないように基板シート１２を基板１に形状加工するので、仮固定シート８が不必要となるので使用する資材を減らすことができ、かつ、加工工程の簡略化を図ることができる。

（第６の実施の形態）
［光導波路］
本発明の第６の実施の形態に係る光導波路は、図１１に示すように、第１の実施の形態で示した光導波路と比して、張出し部５が張出しパターン３２のみである点が異なる。第６の実施の形態に係る光導波路について、第１の実施の形態に係る光導波路と実質的に同様である箇所の記載については、重複した記載となるので省略する。

［光導波路の製造方法］
本発明の第６の実施の形態に係る光導波路の製造方法は、工程Ｂ２、工程Ｃ３、工程Ｄ２、及び工程Ｅ２を含む。
以下に、本発明の第６の実施の形態に係る光導波路の製造方法について図１２を用いて説明する。

［工程Ｂ２］
図１２（ａ）に示すように、基板１上に下部クラッド層２を形成する（工程Ｂ２）。

［工程Ｃ３］
次いで、工程Ｃ３として、図１２（ｂ）に示すように、基板１上に形成した下部クラッド層２上に、延伸する光信号伝達用コアパターン３１を形成し、かつ、光信号伝達用コアパターン３１を間に位置するように張出しパターン３２を形成する。
工程Ｃ３において、光信号伝達用コアパターン３１及び張出しパターン３２は、同時に加工して形成するとそれらの位置の相関が良好に保たれるため、工程Ｃ３の後の外周壁３３と、光信号伝達用コアパターン３１との位置の相関が良好となり、好ましい。光信号伝達用コアパターン３１及び張出しパターン３２は、同時に加工できるという観点から、フォトリソグラフィー加工によって形成することが好ましい。

［工程Ｄ２］
工程Ｄ２として、図１２（ｃ）に示すように、光信号伝達用コアパターン３１の側面部と対向しない側の張出しパターン３２の側面部３３が露出し、かつ、光信号伝達用コアパターン３１を埋設するように、上部クラッドパターン４１を形成する。上部クラッドパターン４１は、図１２（ｃ）に示すように、下部クラッド層２及び張出しパターン３２上に形成する構造が好ましいが、光信号伝達用コアパターン３１が埋設されるように形成されることが重要であり、張出しパターン３２上には形成されない構造もあり得る。
工程Ｄ２において、上部クラッドパターン４１は、下部クラッド層２及び張出しパターン３２上での位置合わせの精度を向上させるという観点から、フォトリソグラフィー加工を用いて形成することが好ましい。また、光信号伝達用コアパターン３１と張出しパターン３２との間隙部に形成される上部クラッドパターン４１、及び当該間隙部と張出しパターン３２との上に形成される上部クラッドパターン４１は、光導波路の強度を確保するという観点から、分離することなく一体化して形成することが好ましい。

［工程Ｅ２］
工程Ｅ２として、図１２（ｄ）に示すように、張出しパターン３２の下方の基板１及び下部クラッド層２（又は基板１）を除去する。
除去する方法としては、特に限定はないが、ルータ加工、ダイシング加工、レーザアブレーション加工等の切削加工や、エッチング加工等が好適に挙げられる。除去部分の深さ制御の観点から中でもダイシング加工がより好ましい。ダイシング加工によって切削を行う場合には、略矩形のダイシングブレードを用いることによって除去できる。
基板１側から、切削加工を行うと、張出しパターン３２を最外周（外端部）にすることが容易であるため好ましい。

工程Ｅ２において、外周壁３３が光導波路の最外周となるように張出しパターン３２の下方の基板１及び下部クラッド層２、又は基板１を除去することが好ましい。具体的には、図１２（ｄ）に示すように、外周壁３３を光導波路の最外周とするために、張出しパターン３２の下方の除去すべき基板１及び下部クラッド層２からなる箇所（除去部６０）を除去することによって、外周壁３３が外端部となる光導波路を得ることができる。張出しパターン３２からなる外周壁３３の少なくとも一部が残存すれば、コネクタ等との嵌合時に外周壁３３を位置合わせに用いることができ、光信号伝達用コアパターン３１と受発光部材（受発光素子や光ファイバ等）との高い位置合わせ精度を確保することができる。
図１２（ｄ）に示す形状となるように、基板１及び下部クラッド層２を切削加工によって除去する場合には、外周壁３３側の張出しパターン３２にかかる深さまで切削すると、外周壁３３より外側に存在する基板１を切り落とすことができるため好ましい。張出しパターン３２の切削深さは、張出しパターン３２の外周壁３３が残存すれば特に問題はないが、外周壁３３の切削量（基板に対して垂直方向の長さ）は０．５μｍ以上２０μｍ以下であると好ましく、０．５μｍ以上１０μｍ以下であるとより好ましく、０．５μｍ以上５μｍ以下であるとさらに好ましい。外周壁３３の切削量は、可能な限り小さくすることで、コネクタ９等の嵌合するときに、広い面積（外周壁３３）で固定可能となる。

工程Ｅ２において、張出しパターン３２の下方の少なくとも一部の基板１及び下部クラッド層２が残存するように除去することで、張出しパターン３２の破損を抑制できるため好ましい。
また、張出しパターン３２をフォトリソグラフィー加工によってパターン化した際に、裾引きが起こる場合には、光導波路をコネクタ等に嵌合する際に裾引き部が干渉してしまうので、本工程において裾引き部を除去することが好ましい。

［光モジュール］
図１２（ｅ）に示すように、上述の光導波路の製造方法で製造された光導波路と光ファイバコネクタ等の別体のコネクタ９とを嵌合することで光モジュールとすることができる。このとき、光導波路の張出しパターン３２の外周壁３３がコネクタ９の内壁面に接触するように嵌合することで、光導波路とコネクタ９との位置合わせが容易で、かつ高精度に行うことができる。

このように構成された本発明の第６の実施の形態に係る光導波路でも、第１の実施の形態に係る光導波路と同様の効果を得ることができる。

（第７の実施の形態）
［光導波路］
本発明の第７の実施の形態に係る光導波路は、図１３に示すように、第６の実施の形態で示した光導波路と比して、張出しパターン３２がパターン化された下部クラッド層２（下部クラッドパターン２１）の端部を挟持するように設けられていて、張出しパターン３２の底面が基板１の光導波路形成面１３に形成されている点が異なる。本発明の第７の実施の形態について以下詳述するが、第６の実施の形態に係る記載と実質的に同様である箇所の記載については、重複した記載となるので省略する。

基板１に直接形成される部位の張出しパターン３２の厚さは、おおよそ（基板の厚さ）＋（下部クラッド層の厚さ）＋（光信号伝達用コアパターンの厚さ）になる。工程Ｅ３において、張出しパターン３２の下方の基板１を除去する際に、部分的に張出しパターン３２の一部を除去してしまう場合には、外周壁３３における張出しパターン３２の厚さは、上記の値よりも小さくなる。

［光導波路の製造方法］
本発明の第７の実施の形態に係る光導波路の製造方法は、工程Ｂ１、工程Ｃ４、工程Ｄ２、及び工程Ｅ３を含む。
以下に、本発明の第２の実施の形態に係る光導波路の製造方法について図１４を用いて説明する。

［工程Ｂ１］
図１４（ａ）に示すように、基板１の光導波路形成面１３上に下部クラッドパターン２１（下部クラッド層２）を形成する（工程Ｂ１）。

［工程Ｃ４］
次いで、図１４（ｂ）に示すように、下部クラッド層２上に光信号伝達用コアパターン３１を形成し、かつ、基板１上及び／又は下部クラッド層２上に、光信号伝達用コアパターン３１を間に位置するように張出しパターン３２を形成する。
図１４（ｂ）に示すように、基板１及び下部クラッドパターン２１上（又は下部クラッドパターン２１上）に張出しパターン３２を形成する構造が好ましいが、下部クラッドパターン２１はパターン状に形成されているため、下部クラッドパターン２１上ではなく、その外側の基板１上に張出しパターン３２を形成する構造もあり得る。
張出しパターン３２は基板１上に形成することによって、下部クラッド層２上のみに形成するよりも外周壁３３の厚さが確保できるためコネクタ等との嵌合が安定的に行えるため好ましい。また、張出しパターン３２と基板１との密着が弱い場合には、張出しパターン３２がパターン化された下部クラッド層２の端部を挟持するように形成すると、下部クラッド層２と張出しパターン３２との界面による密着性を確保できるため好ましい。

［工程Ｄ２］
工程Ｄ２として、図１４（ｃ）に示すように、光信号伝達用コアパターン３１の側面部と対向しない側の張出しパターン３２の側面部３３が露出し、かつ、光信号伝達用コアパターン３１を埋設するように上部クラッドパターン４１を形成する。上部クラッドパターン４１は、図１４（ｃ）に示すように、下部クラッドパターン２１及び張出しパターン３２上に形成する構造が好ましいが、光信号伝達用コアパターン３１が埋設されるように形成されることが重要であり、張出しパターン３２上には形成されない構造もあり得る。

［工程Ｅ３］
工程Ｅ３として、図１４（ｄ）に示すように、張出しパターン３２の下方の基板１（又は基板１及び下部クラッドパターン２１）を除去する。なお、この工程Ｅ３の詳細は、上記第６の実施の形態において説明した工程Ｅ２の内容と実質的に同様である。

［光モジュール］
図１４（ｅ）に示すように、上述の光導波路の製造方法で製造された光導波路と光ファイバコネクタ等の別体のコネクタ９とを嵌合することで光モジュールとすることができる。このとき、光導波路の張出しパターン３２の外周壁３３がコネクタ９の内壁面に接触するように嵌合することで、光導波路とコネクタ９との位置合わせが容易で、かつ高精度に行うことができる。

このように構成された本発明の第７の実施の形態に係る光導波路でも、第６の実施の形態に係る光導波路と同様の効果を得ることができる。
また、第７の実施の形態に係る光導波路によれば、下部クラッドパターン２１がパターン化され、下部クラッド層２が除去された部位に張出しパターン３２が形成されているため張出しパターン３２の厚さが、光信号伝達用コアパターン３１の厚さよりも厚くなっている。したがって、張出しパターン３２の強度が強化され、張出しパターン３２の割れや欠けを低減できる。

（第８の実施の形態）
［光導波路］
本発明の第８の実施の形態に係る光導波路は、図１５に示すように、第７の実施の形態で示した光導波路と比して、張出しパターン３２がパターン化された下部クラッド層２（下部クラッドパターン２１）の端部を挟持するように設けられていて、張出しパターン３２の外周壁３３が基板１から一連の傾斜面となっている点が異なる。本発明の第８の実施の形態について以下詳述するが、第７の実施の形態に係る記載と実質的に同様である箇所の記載については、重複した記載となるので省略する。

［光導波路の製造方法］
本発明の第８の実施の形態に係る光導波路の製造方法は、工程Ｂ１、工程Ｃ４、工程Ｄ２、及び工程Ｅ３を含む。
以下に、本発明の第８の実施の形態に係る光導波路の製造方法について図１６を用いて説明する。

［工程Ｂ１］
図１６（ａ）に示すように、基板１の光導波路形成面１３上に下部クラッドパターン２１（下部クラッド層２）を形成する（工程Ｂ１）。
第８の実施の形態に係る光導波路の製造方法では、工程Ｂ１及び工程Ｂ２を適宜選択できるが、ここでは工程Ｂ１を行う場合を例として説明する。

［工程Ｃ４］
次いで、図１６（ｂ）に示すように、下部クラッド層２上に光信号伝達用コアパターン３１を形成し、かつ、基板１上及び／又は下部クラッド層２上に、光信号伝達用コアパターン３１を間に位置するように張出しパターン３２を形成する。

［工程Ｄ２］
工程Ｄ２として、図１６（ｃ）に示すように、光信号伝達用コアパターン３１の側面部と対向しない側の張出しパターン３２の側面部３３が露出し、かつ、光信号伝達用コアパターン３１を埋設するように上部クラッドパターン４１を形成する。

［工程Ｅ３］
工程Ｅ３として、図１６（ｄ）に示すように、張出しパターン３２の下方の基板１（又は基板１及び下部クラッドパターン２１）を除去する。
工程Ｅ３において、断面が、略三角形になるように基板１及び張出しパターン３２の少なくとも一部を除去する。図１６（ｄ）に示す略三角形（断面視）にダイシング加工によって切削を行う場合には、例えば傾斜面を有するダイシングブレードを用いることによって除去できる。

工程Ｅ３において、基板１及び張出しパターン３２の少なくとも一部が傾斜面を有するように除去する場合、基板１表面と傾斜面のなす角は、特に限定はないが、３０°以上８９°以下であると好ましく、４０°以上８０°以下であるとより好ましく、４５°以上７５°以下であるとさらに好ましい。４０°以上であると、基板１及び／又は下部クラッドパターン２１の切削量が少なく、光導波路の強度が確保できる。

［光モジュール］
図１６（ｅ）に示すように、上述の光導波路の製造方法で製造された光導波路と光ファイバコネクタ等の別体のコネクタ９とを嵌合することで光モジュールとすることができる。このとき、光導波路の張出しパターン３２の外周壁３３がコネクタ９の内壁面に接触するように嵌合することで、光導波路とコネクタ９との位置合わせが容易で、かつ高精度に行うことができる。

このように構成された本発明の第８の実施の形態に係る光導波路でも、第６の実施の形態に係る光導波路と同様の効果を得ることができる。
また、第８の実施の形態に係る光導波路は、基板１から、張出しパターン３２の外周壁３３にかけて傾斜面となっているため、張出しパターン３２に引っかかりが少なく、張出しパターン３２の割れ及び欠けを低減することができる。

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
（実施例１）
［クラッド層形成用樹脂フィルムの作製］
＜（Ａ）（メタ）アクリルポリマー（ベースポリマー）の作製＞
撹拌機、冷却管、ガス導入管、滴下ろうと、及び温度計を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部及び乳酸メチル２３質量部を秤量して移し、窒素ガスを導入しながら撹拌を行った。液温を６５℃に上昇させ、メチルメタクリレート４７質量部、ブチルアクリレート３３質量部、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１６質量部、メタクリル酸１４質量部、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）３質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部、及び乳酸メチル２３質量部の混合物を３時間かけて滴下後、６５℃で３時間撹拌した。更に９５℃で１時間撹拌を続けて、（Ａ）（メタ）アクリルポリマーの溶液（固形分４５質量％）を得た。

＜重量平均分子量の測定＞
（Ａ）（メタ）アクリルポリマーの重量平均分子量（標準ポリスチレン換算）は、ＧＰＣ（東ソー株式会社製「ＳＤ−８０２２」、「ＤＰ−８０２０」、「ＲＩ−８０２０」）を用いて測定した結果、３．９×１０^４であった。なお、カラムは日立化成株式会社製「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１５０−Ｓ」及び「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１６０−Ｓ」を使用した。
＜酸価の測定＞
（Ａ）（メタ）アクリルポリマーの酸価を測定した結果、７９ｍｇＫＯＨ／ｇであった。なお、酸価は（Ａ）（メタ）アクリルポリマー溶液を中和するのに要した０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム水溶液量から算出した。このとき、指示薬として添加したフェノールフタレインが無色からピンク色に変色した点を中和点とした。

＜クラッド層形成用樹脂ワニスの調合＞
ベースポリマーとして、（Ａ）（メタ）アクリルポリマー溶液（固形分４５質量％）８４質量部（固形分３８質量部）、（Ｂ）光硬化成分として、ポリエステル骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業株式会社製「Ｕ−２００ＡＸ」）３３質量部、及びポリプロピレングリコール骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業株式会社製「ＵＡ−４２００」）１５質量部、（Ｃ）熱硬化成分として、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート型三量体をメチルエチルケトンオキシムで保護した多官能ブロックイソシアネート溶液（固形分７５質量％）（住化バイエルウレタン株式会社製「スミジュールＢＬ３１７５」）２０質量部（固形分１５質量部）、（Ｄ）光重合開始剤として、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（ＢＡＳＦジャパン株式会社製「イルガキュア２９５９」）１質量部、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド（ＢＡＳＦジャパン株式会社製「イルガキュア８１９」）１質量部、及び希釈用有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２３質量部を攪拌しながら混合した。孔径２μｍのポリフロンフィルタ（アドバンテック東洋株式会社製「ＰＦ０２０」）を用いて加圧濾過後、減圧脱泡し、クラッド層形成用樹脂ワニスを得た。

［クラッド層形成用樹脂フィルムの作製］
上記で得られたクラッド層形成用樹脂ワニスを、支持フィルムであるＰＥＴフィルム（東洋紡績株式会社製「コスモシャインＡ４１００」、厚さ５０μｍ）の非処理面上に、塗工機（株式会社ヒラノテクシード製、マルチコーター「ＴＭ−ＭＣ」）を用いて塗布し、１００℃で２０分乾燥後、保護フィルムとして表面離型処理ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製「ピューレックスＡ３１」、厚さ２５μｍ）を貼付け、クラッド層形成用樹脂フィルムを得た。
このとき、クラッド層形成用樹脂ワニスより形成される樹脂層の厚さは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能であり、その膜厚については後述する。

［コア層形成用樹脂フィルムの作製］
（Ａ）ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂（東都化成株式会社製「フェノトートＹＰ−７０」）２６質量部、（Ｂ）光重合性化合物として、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン（新中村化学工業株式会社製「Ａ−ＢＰＥＦ」）３６質量部、及びビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（新中村化学工業株式会社製「ＥＡ１０２０」）３６質量部、（Ｃ）光重合開始剤として、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦジャパン株式会社製「イルガキュア８１９」）１質量部、及び１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（ＢＡＳＦジャパン株式会社製「イルガキュア２９５９」）１質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４０質量部を用いたこと以外は上述のクラッド層形成用樹脂ワニスの調合と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスを調合した。その後、上記と同様の方法及び条件で加圧濾過更に減圧脱泡した。
上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスを、支持フィルムであるＰＥＴフィルム（東洋紡績株式会社製「コスモシャインＡ１５１７」、厚さ：１６μｍ）の非処理面上に、上記製造例と同様な方法で塗布乾燥し、次いで保護フィルムとして離型ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社、「ピューレックスＡ３１」、厚さ：２５μｍ）を離型面が樹脂側になるように貼り付け、コア層形成用樹脂フィルムを得た。
このとき、コア層形成用樹脂ワニスより形成される樹脂層の厚さは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能である。

［第１の実施の形態に係る光導波路の製造例］
＜基板の準備工程；基板の準備及び工程Ａ１＞
基板シート１２として１００ｍｍ×１００ｍｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社性「カプトンＥＮ」、厚さ；１２．５μｍ）を用い、その一方の面に仮固定シート８として、再剥離接着層付きのＰＥＴフィルム（株式会社パナック社製「パナプロテクトＥＴ―５０ｋＢ」）をロールラミネータ（日立化成テクノプラント株式会社製「ＨＬＭ−１５００」）を用い、圧力０．４ＭＰａ、温度５０℃、ラミネート速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートした（図２（ａ）参照）。
次いでＮｄ−ＹＡＧレーザの第三高調波（波長；３５５ｎｍ）にて、仮固定シート８を切断しないように基板シート１２を形状加工し、基板１（２９５０μｍ×１０ｍｍ×２箇所）を形成した。尚、除去した部分の間隙は２０μｍであった（図２（ｂ）、図１７（ａ）参照）。
その後、ポリイミドフィルムの表面に支持基板６として、再剥離接着層付きのＰＥＴフィルム（株式会社パナック社製「パナプロテクトＥＴ―５０ｋＢ」）をロールラミネータ（日立化成テクノプラント株式会社製「ＨＬＭ−１５００」）を用い、圧力０．４ＭＰａ、温度５０℃、ラミネート速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートした（図２（ｃ）参照）。次に、仮固定シート８及び基板１間に残存した切りしろ部分を剥離除去した（図２（ｄ）参照）。

＜工程Ｂ１；下部クラッドパターンの形成＞
基板１の光導波路形成面１３側から、上記で得られた２７μｍ厚さのクラッド層形成用樹脂フィルムの保護フィルムを剥離した後に、真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製「ＭＶＬＰ−５００」）を用い、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１１０℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着して、ラミネートした。続いて、紫外線露光機（株式会社オーク製作所製「ＥＸＭ−１１７２」）を用いて、開口部（２９２０μｍ×９．９５０ｍｍ×２箇所）を有するネガ型フォトマスクを介して開口部中心と、基板１中心との位置を合わせ、クラッド層形成用樹脂フィルムの支持フィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を３５０ｍＪ／ｃｍ^２で照射した。その後、支持フィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、支持基板６上の下部クラッド層形成用樹脂を除去して、水洗浄を行った。更に上記紫外線露光機を用いて３．０Ｊ／ｃｍ^２で照射し、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化作業を行った。下部クラッドパターン２１の厚さは基板１上から１５μｍであった（図２（ｅ）参照）。

＜工程Ｃ１；光信号伝達用コアパターン及び張出しパターンの形成＞
次いで、上記で形成した下部クラッドパターン２１形成面側から、上記で得られた７２μｍ厚さのコア層形成用樹脂フィルムを、保護フィルムを剥離した後に、ロールラミネータ（日立化成テクノプラント株式会社製「ＨＬＭ−１５００」）を用い、圧力０．４ＭＰａ、温度５０℃、ラミネート速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートした。次に、上記の真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製「ＭＶＬＰ−５００」）を用い、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度７０℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着した。

続いて、張出しパターン３２の開口部（１５０μｍ×９．９００ｍｍ）が、基板１の長辺（２辺）の基板外周１１を挟持する位置となるように、ネガ型フォトマスクの位置合わせをする。また、光信号伝達用コアパターン３１の開口部（４５μｍ×９．９００ｍｍ）が、２５０μｍピッチで８箇所（図中は２箇所分に略記）設けられ、下部クラッドパターン２１上に配置されるように、ネガ型フォトマスクの位置合わせをする。そして、ネガ型フォトマスクを介して、支持フィルム側から上記紫外線露光機を用いて、紫外線（波長３６５ｎｍ）を０．８Ｊ／ｃｍ^２で照射し、８０℃で５分間露光後加熱を行った。その後、支持フィルムであるＰＥＴフィルムを剥離し、現像液（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド＝８／２、質量比）を用いてエッチングした。続いて、洗浄液（イソプロパノール）を用いて洗浄し、１００℃で１０分間加熱乾燥し、光信号伝達用コアパターン３１及び張出しパターン３２を形成した（図２（ｆ）参照）。得られた光信号伝達用コアパターン３１の下部クラッドパターン２１表面からの高さは４５μｍであった。また、光信号伝達用コアパターン３１のコア幅は４５μｍであった。張出しパターン３２の支持基板６表面からの高さは７５μｍであった。

＜工程Ｄ１；上部クラッドパターンの形成＞
上記で得られた９７μｍ厚さのクラッド層形成用樹脂フィルムは、保護フィルムを剥離した後に、得られた光信号伝達用コアパターン３１及び張出しパターン３２上から、真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製「ＭＶＬＰ−５００」）を用い、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１１０℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着して、ラミネートした。
続いて、開口部（２９００μｍ×９．９５０ｍｍ×２箇所）を有するネガ型フォトマスクの開口部中心と、基板１中心とを位置合わせし、上記紫外線露光機を用いて、クラッド層形成用樹脂フィルムの支持フィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を３５０ｍＪ／ｃｍ^２で照射した。その後、支持フィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、支持基板６上の上部クラッド層形成用樹脂を除去し、次いで水洗浄を行った。更に上記紫外線露光機を用いて３．０Ｊ／ｃｍ^２照射し、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化作業を行った。上部クラッドパターン４１の厚さは、基板１上から８７．５μｍであった（図２（ｇ）参照）。

＜工程Ｅ１；支持基板除去＞
得られた光導波路の基板１及び張出しパターン３２と、支持基板６との界面を引きはがし、支持基板６を剥離除去した（図２（ｈ）参照）。
得られた導波路の対向する張出しパターン３２の外周壁３３間の距離は、２．９９８ｍｍであった。得られた光導波路の基板１底面から光信号伝達用コアパターン３１のコア中心までの高さは５０μｍであり、基板１を含む光導波路の総厚は１００μｍであり、光信号伝達用コアパターン３１のピッチは２５０μｍであった。基板１の光導波路形成面１３と外周壁３３とのなす角は９０°であった。ＧＩ５０の光ファイバアレイ８ＣＨ（２５０μｍピッチ）と光信号伝達用コアパターン３１とを位置合わせしたところ、良好に位置合わせができ、良好に光信号が伝達した。

＜基板の切断＞
得られた光導波路の基板１短辺平行方向に、ダイシングソー（株式会社ディスコ社製「ＤＡＣ５５２」）を用いて光信号伝達用コアパターン３１の長さが、９．８ｍｍになるように、ダイシング加工線１００に沿って基板を切断し、端面を平滑化した（図１７（ｂ）参照、上部クラッドパターン４１は図示していない）。

得られた光導波路をコネクタ９（白山製作所製「ＰＭＴコネクタ」、光導波路嵌合部形状（幅３．０ｍｍ、高さ１００μｍ））の光導波路嵌合部に搭載したところ、外形中心と、光信号伝達用コアパターン３１の配列中心（１ＣＨと８ＣＨとの中心位置）との位置ずれは１μｍで搭載できた（図２（ｉ）参照）。曲げ半径５ｍｍで上部クラッドパターン側を内側に曲げても光導波路は破断しなかった。

（実施例２）
［第２の実施の形態に係る光導波路の製造例］
以下に述べる変更点を除き、実施例１と同様にして光導波路を製造した。
基板の準備工程；基板の準備及び工程Ａ２として、基板１の幅が２９５０μｍとなるような対のスリットを２箇所形成し、基板１と剥離基板７が一部でつながった基板を製造した（図１８（ａ）参照）。
下部クラッド層形成用樹脂の厚さは１７．５μｍ、コア層形成用樹脂の厚さは４５μｍ、上部クラッド層形成用樹脂の厚さは７０μｍとした。張出しパターン３２は、基板外周１１を挟持すると共に、基板１と剥離基板７上に形成し、上部クラッドパターン４１形成後に支持基板６を剥離除去した。次いで、基板１短辺平行方向に、ダイシングソー（ＤＡＣ５５２、株式会社ディスコ社製）を用いて光信号伝達用コアパターン３１の長さが、９．８ｍｍになるように、ダイシング加工線１００に沿って剥離基板７と基板１とを切断すると同時に、端面を平滑化した（図１８（ｂ）参照、上部クラッドパターン４１は図示していない）。このとき、剥離基板７と基板１とは、張出しパターン３２を介して接続されている。最後に剥離基板７を剥離除去し、図３に示した光導波路を製造した。
得られた導波路の対向する張出しパターン３２の外周壁３３間の距離は、２．９９８ｍｍであった。得られた光導波路の基板１底面からコア中心までの高さは５０μｍであり、基板１を含む光導波路の総厚は１００μｍであり、光信号伝達用コアパターン３１のピッチは２５０μｍであった。基板１の光導波路形成面１３と外周壁３３とのなす角は９０°であった。ＧＩ５０の光ファイバアレイ８ＣＨ（２５０μｍピッチ）と光信号伝達用コアパターン３１とを位置合わせしたところ、良好に位置合わせができ、良好に光信号が伝達した。

得られた光導波路をコネクタ９（白山製作所製「ＰＭＴコネクタ」、光導波路嵌合部形状（幅３．０ｍｍ、高さ１００μｍ））の光導波路嵌合部に搭載したところ、外形中心と、光信号伝達用コアパターン３１の配列中心との位置ずれは１μｍで搭載できた（図４（ｉ）参照）。曲げ半径５ｍｍで上部クラッドパターン側を内側に曲げても光導波路は破断しなかった。

（実施例３）
［第２の実施の形態に係る光導波路の別の製造例］
以下に述べる変更点を除き、実施例２と同様にして光導波路を製造した。
基板シート１２及び支持基板６の複合体として、銅箔付きのポリイミドフィルム（１２μｍ厚さの銅箔（三井金属鉱業株式会社製「ＮＡ−ＤＦＦ」）、１２．５μｍ厚さのポリイミド（宇部日東化成製「ユーピレックスＶＴ」））を用い、金属箔を貫通しないようにＮｄ−ＹＡＧレーザにて形状加工を行った。
上部クラッドパターン４１形成後、塩化第二鉄水溶液にて、支持基板６である銅箔をエッチング除去した以外は実施例２と同様の方法で、光導波路を製造した。
得られた光導波路の基板１底面から光信号伝達用コアパターン３１のコア中心までの高さは５０μｍであり、基板１を含む光導波路の総厚は１００μｍであり、光信号伝達用コアパターン３１のピッチは２５０μｍであった。基板１の光導波路形成面１３と外周壁３３とのなす角は９０°であった。ＧＩ５０の光ファイバアレイ８ＣＨ（２５０μｍピッチ）と光信号伝達用コアパターン３１とを位置合わせしたところ、良好に位置合わせができ、良好に光信号が伝達した。

得られた光導波路をコネクタ９（白山製作所製、商品名；ＰＭＴコネクタ、光導波路嵌合部形状（幅３．０ｍｍ、高さ１００μｍ））の光導波路嵌合部に搭載したところ、外形中心と、光信号伝達用コアパターン３１の配列中心との位置ずれは１μｍで搭載できた（図４（ｉ）参照）。曲げ半径５ｍｍで上部クラッドパターン側を内側に曲げても光導波路は破断しなかった。

（実施例４）
［第３の実施の形態に係る光導波路の製造例］
以下に述べる変更点を除き、実施例１と同様にして光導波路を製造した。
基板シート１２と支持基板６とを積層する前に、基板シート１２の一方の面に、１５μｍ厚さの下部クラッド層形成用樹脂フィルムをラミネートし、上記露光機を用いて紫外線（３５５ｎｍ）を３．０Ｊ／ｃｍ^２照射後、１７０℃で１時間加熱硬化した。その後、下部クラッド層２形成面に仮固定シート８を形成し、実施例１と同様にＮｄ−ＹＡＧレーザにて仮固定シート８を切断しない様に、基板１と下部クラッド層２を形状加工した。その後、基板１上に実施例１と同様の支持基板６をラミネートし、仮固定シート８及び、基板１間の切りしろ部分を剥離除去した。
コアパターンの形成は、実施例１と同様の形成方法にて行った。
上部クラッドパターン４１の形成はネガ型フォトマスクの開口部を２９７０μｍ×９．９５０ｍｍ×２箇所とした以外は同様の方法で、光導波路を製造した。
得られた光導波路の基板１底面から光信号伝達用コアパターン３１のコア中心までの高さは５０μｍであり、基板１を含む光導波路の総厚は１００μｍであり、光信号伝達用コアパターン３１のピッチは２５０μｍであった。基板１の光導波路形成面１３と外周壁３３とのなす角は９０°であった。ＧＩ５０の光ファイバアレイ８ＣＨ（２５０μｍピッチ）と光信号伝達用コアパターン３１とを位置合わせしたところ、良好に位置合わせができ、良好に光信号が伝達した。

得られた光導波路をコネクタ９（白山製作所製「ＰＭＴコネクタ」、光導波路嵌合部形状（幅３．０ｍｍ、高さ１００μｍ））の光導波路嵌合部に搭載したところ、外形中心と、光信号伝達用コアパターン３１の配列中心との位置ずれは１μｍで搭載できた（図６（ｉ）参照）。曲げ半径５ｍｍで上部クラッドパターン側を内側に曲げても光導波路は破断しなかった。

（実施例５）
［第４の実施の形態に係る光導波路の製造例］
以下に述べる変更点を除き、実施例１と同様にして光導波路を製造した。
下部クラッドパターン２１のネガ型フォトマスクの開口部を２９７０μｍ×９．９５０ｍｍ×２箇所とした以外は実施例１と同様の方法で、光導波路を製造した。
得られた光導波路の基板１底面から光信号伝達用コアパターン３１のコア中心までの高さは５０μｍであり、基板１を含む光導波路の総厚は１００μｍであり、光信号伝達用コアパターン３１のピッチは２５０μｍであった。基板１の光導波路形成面１３と外周壁３３とのなす角は９０°であった。ＧＩ５０の光ファイバアレイ８ＣＨ（２５０μｍピッチ）と光信号伝達用コアパターン３１とを位置合わせしたところ、良好に位置合わせができ、良好に光信号が伝達した。

得られた光導波路をコネクタ９（白山製作所製「ＰＭＴコネクタ」、光導波路嵌合部形状（幅３．０ｍｍ、高さ１００μｍ））の光導波路嵌合部に搭載したところ、外形中心と、光信号伝達用コアパターン３１の配列中心との位置ずれは１μｍで搭載できた（図８（ｉ）参照）。曲げ半径５ｍｍで上部クラッドパターン側を内側に曲げても光導波路は破断しなかった。

（実施例６）
実施例４において、張出しパターン３２の幅を５０μｍとし（対向する外周壁３３間の距離；３０５２μｍ）、基板外周１１を挟持しないようにした以外は同様の方法で、光導波路を製造した。
得られた光導波路の基板１底面から光信号伝達用コアパターン３１のコア中心までの高さは５０μｍであり、基板１を含む光導波路の総厚は１００μｍであり、光信号伝達用コアパターン３１のピッチは２５０μｍであった。基板１の光導波路形成面１３と外周壁３３とのなす角は９０°であった。ＧＩ５０の光ファイバアレイ８ＣＨ（２５０μｍピッチ）と光信号伝達用コアパターン３１とを位置合わせしたところ、良好に位置合わせができ、良好に光信号が伝達した。

得られた光導波路をコネクタ９（白山製作所製「ＰＭＴコネクタ」、光導波路嵌合部形状（幅３．０６ｍｍ（削りだしにより３．０から３．０６に幅を広げた。）、高さ１００μｍ））の光導波路嵌合部に搭載したところ、張出しパターン３２の欠けが生じたが、外形中心と、光信号伝達用コアパターン３１の配列中心との位置ずれは１μｍで搭載できた。

（比較例１）
実施例２において、下部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さを２７．５μｍとし、上部クラッド層４及びコア層形成用樹脂フィルムは実施例２と同様の厚さのフィルムを用いて、基板１を用いずに支持基板６上に光導波路を形成し、基板１がない光導波路を製造した。
工程Ｅ１において、支持基板６を剥離する際に、張出しパターン３２に亀裂が入り、良好に剥離できなかった。
得られた光導波路の基板１底面からコア中心までの高さは５０μｍであり、基板１を含む光導波路の総厚は１００μｍであり、光信号伝達用コアパターン３１のピッチは２４７μｍであった。
ＧＩ５０の光ファイバアレイ８ＣＨ（２５０μｍピッチ）と光信号伝達用コアパターン３１とを位置合わせしたところ、ピッチが合わずに良好に光信号が伝達しなかった。

得られた光導波路をコネクタ（白山製作所製「ＰＭＴコネクタ」、光導波路嵌合部形状（幅３．０ｍｍ、高さ１００μｍ））の光導波路嵌合部に搭載したところ、張出しパターン３２の一部が、剥がれ落ちた。曲げ半径５ｍｍで上部クラッドパターン側を内側に曲げたところ、光導波路が破断した。

（比較例２）
実施例２において、基板シート１２上に、下部クラッド層２、光信号伝達用コアパターン３１、上部クラッド層４（下部クラッド層２及び上部クラッド層４はパターン化しない）を形成し、光導波路の基板１の４辺をダイシングソー（ＤＡＣ５５２、株式会社ディスコ社製）を用いて光信号伝達用コアパターン３１の長さが、９．８ｍｍになるように基板を切断し、端面を平滑化した。
光導波路の外形中心と、光信号伝達用コアパターン３１の配列中心との位置ずれは８μｍであり、良好な位置合わせができなかった。

（実施例７）
［第６の実施の形態に係る光導波路の製造例］
＜下部クラッドパターンの形成＞
基板１として１００ｍｍ×１００ｍｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製ポリイミド「カプトンＥＮ」、厚さ；１２．５μｍ）を用い、上記で得られた１５μｍ厚さのクラッド層形成用樹脂フィルムの保護フィルムを剥離した後に、真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製「ＭＶＬＰ−５００」）を用い、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１１０℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着して、基板１上にラミネートした。続いて、紫外線露光機（株式会社オーク製作所製「ＥＸＭ−１１７２」）を用いて、３．０Ｊ／ｃｍ^２で照射し、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化作業を行った。下部クラッド層２の厚さは基板１表面から１５μｍであった（図１２（ａ）参照）。

＜張出しパターン、光信号伝達用コアパターンの形成＞
下部クラッド層２形成面側から、上記で得られた４５μｍ厚さのコア層形成用樹脂フィルムを、保護フィルムを剥離した後に、ロールラミネータ（日立化成テクノプラント株式会社製「ＨＬＭ−１５００」）を用い、圧力０．４ＭＰａ、温度５０℃、ラミネート速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートした。次に、上記の真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製「ＭＶＬＰ−５００」）を用い、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度７０℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着した。

続いて、張出しパターン３２形成用の開口部（１５０μｍ×１０ｃｍ）と、光信号伝達用コアパターン３１形成用の開口部（４５μｍ×１０ｃｍ）が、２５０μｍピッチで８箇所（図中は２箇所分に略記）設けられた、ネガ型フォトマスクを介して、支持フィルム側から上記紫外線露光機を用いて、紫外線（波長３６５ｎｍ）を０．８Ｊ／ｃｍ^２で照射し、８０℃で５分間露光後加熱を行った。その後、支持フィルムであるＰＥＴフィルムを剥離し、現像液（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド＝８／２、質量比）を用いてエッチングした。続いて、洗浄液（イソプロパノール）を用いて洗浄し、１００℃で１０分間加熱乾燥し、光信号伝達用コアパターン３１及び張出しパターン３２を形成した（図１２（ｂ）参照）。得られた光信号伝達用コアパターン３１の下部クラッド層２表面からの厚さは４５μｍであった。また、光信号伝達用コアパターン３１のコア幅は４５μｍであった。張出しパターン３２の下部クラッド層２表面からの厚さは４５μｍであった。

＜上部クラッド層の形成＞
上記で得られた６１μｍ厚さのクラッド層形成用樹脂フィルムは、保護フィルムを剥離した後に、得られた光信号伝達用コアパターン３１及び張出しパターン３２上から、真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製「ＭＶＬＰ−５００」）を用い、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１１０℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着して、ラミネートした。
続いて、開口部（２９００μｍ×１０ｃｍ）を有するネガ型フォトマスクを、開口部の長辺が、先に形成した張出しパターン３２上になるように位置合わせし、上記紫外線露光機を用いて、クラッド層形成用樹脂フィルムの支持フィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を３５０ｍＪ／ｃｍ^２で照射した。その後、支持フィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、未硬化の上部クラッド層形成用樹脂を除去し、次いで水洗浄を行った。さらに上記紫外線露光機を用いて３．０Ｊ／ｃｍ^２照射し、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化作業を行った。得られた光導波路の総厚は１００μｍであった（図１２（ｃ）参照）。

＜基板除去＞
得られた光導波路の基板１側から、矩形のダイシングブレード（ブレード幅１００μｍ）を備えたダイシングソー（株式会社ディスコ社製「ＤＡＣ５５２」）を用い、張出しパターン３２の一方端（光信号伝達用コアパターン３１がない方向）を挟持するように位置合わせし、切削深さ２８μｍで切断した（図１２（ｄ）参照）。併せて光信号伝達用コアパターン３１が端面に露出するように長さが５０ｍｍで両端面を形成した。
得られた光導波路の対向する張出しパターン３２の外周壁３３間の距離は、２．９９８ｍｍであった。得られた光導波路の基板１底面から光信号伝達用コアパターン３１のコア中心までの厚さは５０μｍであり、基板１を含む光導波路の総厚は１００μｍであり、光信号伝達用コアパターン３１のピッチは２５０μｍであった。基板１の光導波路形成面と外周壁３３とのなす角は９０°であった。外周壁３３の厚さは４４．５μｍであった。基板１よりはみ出した張出し部５の長さは一方端が３０μｍ、もう一方端が１５μｍであった。

＜光デバイスの作製＞
得られた光導波路をコネクタ９（株式会社白山製作所製「ＰＭＴコネクタ」、光導波路嵌合部形状（幅３．０ｍｍ、厚さ１００μｍ））の光導波路嵌合部に搭載したところ、外形中心と、光信号伝達用コアパターン３１の配列中心との位置ずれは１μｍで搭載できた。
ＧＩ５０の光ファイバアレイ８ＣＨ（２５０μｍピッチ）備えた別体のコネクタと光信号伝達用コアパターン３１とを位置合わせしたところ、良好に位置合わせができ、良好に光信号が伝達した。

（実施例８）
［第７の実施の形態に係る光導波路の製造例］
実施例１において、下部クラッド層２を、上部クラッド層４で用いたネガ型フォトマスクを用いてパターン化し、コア形成用樹脂フィルムの厚さを６０μｍ、上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さを７４μｍにした以外は同様の方法で光導波路を形成した（図１４（ｃ）参照）。

＜基板除去＞
得られた光導波路の基板１側から、実施例１と同様のダイシングソーを用いて、張出しパターン３２の一方端（光信号伝達用コアパターン３１がない方向）を挟持するように位置合わせし、切削深さ１３μｍで切断した（図１４（ｄ）参照）。併せて光信号伝達用コアパターン３１が端面に露出するように長さが５０ｍｍで両端面を形成した。
得られた光導波路の対向する張出しパターン３２の外周壁３３間の距離は、２．９９６ｍｍであった。得られた光導波路の基板１底面から光信号伝達用コアパターン３１のコア中心までの厚さは５０μｍであり、基板１を含む光導波路の総厚は１００μｍであり、光信号伝達用コアパターン３１のピッチは２５０μｍであった。基板１の光導波路形成面と外周壁３３とのなす角は９０°であった。外周壁３３の厚さは５９．５μｍであった。基板１よりはみ出した張出し部５の長さは一方端が４０μｍ、もう一方端が３０μｍであった。

＜光デバイスの作製＞
得られた光導波路をコネクタ９（株式会社白山製作所製「ＰＭＴコネクタ」、光導波路嵌合部形状（幅３．０ｍｍ、厚さ１００μｍ））の光導波路嵌合部に搭載したところ、外形中心と、光信号伝達用コアパターン３１の配列中心との位置ずれは１μｍで搭載できた。
ＧＩ５０の光ファイバアレイ８ＣＨ（２５０μｍピッチ）備えた別体のコネクタと光信号伝達用コアパターン３１とを位置合わせしたところ、良好に位置合わせができ、良好に光信号が伝達した。

（実施例９）
［第８の実施の形態に係る光導波路の製造例］
実施例８と同様に上部クラッドパターン４１まで形成した後に、９０°の角度を有するダイシングブレードを備えた上記ダイシングソーを用いて、切削した一方の傾斜面に張出しパターン３２があらわれる深さまで切削加工をした（図１６（ｄ）参照）。併せて実施例２と同様のダイシングブレードを用いて光信号伝達用コアパターン３１が端面に露出するように長さが５０ｍｍで両端面を形成した。

得られた光導波路の対向する張出しパターン３２の外周壁３３間の距離は、２．９９６ｍｍであった。得られた光導波路の基板１底面から光信号伝達用コアパターン３１のコア中心までの厚さは５０μｍであり、基板１を含む光導波路の総厚は１００μｍであり、光信号伝達用コアパターン３１のピッチは２５０μｍであった。基板１の光導波路形成面と外周壁３３とのなす角は９０°であった。外周壁３３の厚さは両端共に５８μｍであった。基板１よりはみ出した張出し部５の長さは両端共に１．５μｍであった。

＜光デバイスの作製＞
得られた光導波路をコネクタ９（白山製作所製「ＰＭＴコネクタ」、光導波路嵌合部形状（幅３．０ｍｍ、厚さ１００μｍ））の光導波路嵌合部に搭載したところ、外形中心と、光信号伝達用コアパターン３１の配列中心との位置ずれは１μｍで搭載できた。
ＧＩ５０の光ファイバアレイ８ＣＨ（２５０μｍピッチ）備えた別体のコネクタと光信号伝達用コアパターン３１とを位置合わせしたところ、良好に位置合わせができ、良好に光信号が伝達した。

（比較例３）
実施例７において、基板１上に、下部クラッド層２、光信号伝達用コアパターン３１（張出しパターンは形成しない）、上部クラッド層４（下部クラッド層２及び上部クラッド層４はパターン化しない）を形成し、光導波路の基板１の４辺をダイシングソー（株式会社ディスコ社製「ＤＡＣ５５２」）を用いて光信号伝達用コアパターン３１の長さが、５０ｍｍになるように基板を切断し、端面を平滑化した。
得られた光導波路の外形中心と、光信号伝達用コアパターン３１の配列中心との位置ずれは８μｍであり、外部の光受送信部材との良好な位置合わせができなかった。

本発明の光導波路は、光ファイバコネクタ等の別体のコネクタとの精度のよい位置合わせが容易であり、従って光信号伝達効率に優れているため、各種光学装置、光インターコネクション等の幅広い分野に適用可能である。

１…基板
１１…基板外周
１２…基板シート
１３…光導波路形成面
２…下部クラッド層
２１…下部クラッドパターン
２２…下部クラッドパターンの端部
３１…光信号伝達用コアパターン
３２…張出しパターン
３３…外周壁
４…上部クラッド層
４１…上部クラッドパターン
４２…上部クラッドパターンの端部
５…張出し部
６…支持基板
７…剥離基板
８…仮固定シート
９…コネクタ
６０…除去部
１００…ダイシング加工線

Claims (22)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられた下部クラッド層と、
   前記下部クラッド層上に設けられた光信号伝達用コアパターン及び張出しパターンと、
   前記光信号伝達用コアパターンを前記下部クラッド層とで覆うように設けられた上部クラッド層とを備え、
   前記張出しパターンは、前記基板、前記下部クラッド層、前記上部クラッド層よりも基板外周方向に張出している外周壁を有する光導波路。
2. 前記外周壁が前記光導波路形成面に対して略垂直である請求項１に記載の光導波路。
3. 前記張出しパターンが、前記基板外周を挟持している請求項１又は２に記載の光導波路。
4. 前記下部クラッド層が、パターン化された下部クラッドパターンであって、前記下部クラッドパターンの端部が、前記張出しパターンに挟持されている請求項１〜３のいずれかに記載の光導波路。
5. 前記上部クラッド層が、パターン化された上部クラッドパターンであって、前記上部クラッドパターンの端部が、前記張出しパターンに挟持されている請求項１〜４のいずれかに記載の光導波路。
6. 前記張出しパターンの底面が、前記光導波路形成面の裏面と略同一平面上に形成されている、又は前記光導波路形成面の裏面よりも前記光導波路形成面側に形成されている請求項１〜５のいずれかに記載の光導波路。
7. 支持基板の一部に基板を形成する工程Ａ１と、
   前記基板上に下部クラッドパターンを形成する工程Ｂ１と、
   前記基板、前記下部クラッドパターン、及び前記支持基板表面上に、フォトリソグラフィー加工によって前記基板外周を挟持するように前記張出しパターンを形成する工程Ｃ１、
   前記光信号伝達用コアパターンを埋め込み、かつ端部が前記張出しパターンに挟持される位置に上部クラッドパターンを形成する工程Ｄ１と、
   前記支持基板を除去する工程Ｅ１
   とを含む光導波路の製造方法。
8. 支持基板の一部に基板を形成すると共に、前記基板近傍の別の一部に剥離基板を形成する工程Ａ２、
   前記基板上に下部クラッドパターンを形成する工程Ｂ１、
   前記基板、下部クラッドパターン、前記支持基板表面、及び前記剥離基板表面上に、フォトリソグラフィー加工によって前記基板外周を挟持するように前記張出しパターンを形成する工程Ｃ２、
   前記光信号伝達用コアパターンを埋め込み、かつ端部が前記張出しパターンに挟持される位置に上部クラッドパターンを形成する工程Ｄ１と、
   前記支持基板を除去する工程Ｅ１
   とを含む光導波路の製造方法。
9. 前記工程Ａ１又は前記工程Ａ２の前に、
   仮固定シート上に基板シートを貼り合わせ、前記仮固定シートを切断しないように前記基板シートを前記基板の形状に形状加工する工程と、
   前記基板シートの表面に前記支持基板を積層する工程と、
   前記仮固定シートを除去する工程
   とを順に有する請求項７又は８に記載の光導波路の製造方法。
10. 前記工程Ｃ１又は前記工程Ｃ２において、前記張出しパターンを形成すると同時に、前記下部クラッドパターン上に光信号伝達用コアパターンを形成する請求項７〜９のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
11. 前記工程Ｅ１と同時又は後に、前記剥離基板を除去する工程Ｆを有する請求項７〜１０のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
12. 前記基板上に下部クラッド層を形成する工程Ｂ２と、
    前記下部クラッド層上に、延伸する光信号伝達用コアパターンを形成し、かつ、該光信号伝達用コアパターンを間に位置するように張出しパターンを形成する工程Ｃ３と、
    前記張出しパターンの側面部のうち、前記光信号伝達用コアパターンの側面部と対向しない側の側面部が露出し、かつ、前記光信号伝達用コアパターンを埋設するように、上部クラッドパターンを形成する工程Ｄ２と、
    前記張出しパターンの下方の前記基板及び前記下部クラッド層、又は前記基板を除去する工程Ｅ２
    とを含む光導波路の製造方法。
13. 前記基板上に下部クラッドパターンを形成する工程Ｂ１と、
    前記下部クラッドパターン上に、延伸する光信号伝達用コアパターンを形成し、かつ、前記基板上及び／又は前記下部クラッドパターン上に、該光信号伝達用コアパターンを間に位置するように張出しパターンを形成する工程Ｃ４と、
    前記張出しパターンの側面部のうち、前記光信号伝達用コアパターンの側面部と対向しない側の側面部が露出し、かつ、前記光信号伝達用コアパターンを埋設するように、上部クラッドパターンを形成する工程Ｄ２と、
    前記張出しパターンの下方の前記基板及び前記下部クラッドパターン、又は前記基板を除去する工程Ｅ３
    とを含む光導波路の製造方法。
14. 前記下部クラッドパターンの端部を挟持するように前記張出しパターンを形成する請求項１３に記載の光導波路の製造方法。
15. 前記光信号伝達用コアパターン及び前記張出しパターンを同時に形成する請求項１２〜１４のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
16. 前記光信号伝達用コアパターン及び前記張出しパターンをフォトリソグラフィー加工によって形成する請求項１２〜１５のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
17. 前記上部クラッドパターンをフォトリソグラフィー加工によって形成する請求項１２〜１６のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
18. 前記Ｅ２又は前記Ｅ３において、前記張出しパターンの前記上部クラッドパターンで覆われていない側面部を光導波路の外周壁とする請求項１２〜１７のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
19. 前記Ｅ２又は前記Ｅ３において、ダイシング加工によって除去する請求項１２〜１８のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
20. 前記Ｅ２又は前記Ｅ３において、断面が、略矩形又は略三角形にダイシング加工によって切削する請求項１２〜１９のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
21. 前記Ｅ２又は前記Ｅ３において、前記張出しパターンの下方の少なくとも一部の前記基板及び／又は前記下部クラッドパターンが残存する請求項１２〜２０のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
22. 前記請求項１〜６のいずれかに記載の光導波路とコネクタとが、前記張出しパターンの外周壁を用いて嵌合された光モジュール。

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