TW201433570A - 製備含碳氫化矽烷之方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供製備含碳氫化矽烷的方法，其中在沒有觸媒及還原劑下，令隨意經硼或磷摻雜之氫化矽烷與選自線性、支鏈或環狀碳矽烷、經鹵化之烴、碳烯、烷基疊氮化物、重氮甲烷、硫酸二烷酯或醇的至少一種碳源反應；可藉由該方法製得之該含碳氫化矽烷寡聚物及其用途。
Description
本發明係關於製備含碳氫化矽烷的方法，該含碳氫化矽烷本身及其用途。
氫化矽烷及其混合物在文獻中被描述為用於製造矽層之可能的反應物，該矽層尤其是用在半導體工業中。氫化矽烷據了解是指實質上僅含有矽及氫原子之化合物。氫化矽烷可以是氣態、液態或固態，且在固態情況中實質可溶於溶劑(諸如甲苯或環己烷)或液態矽烷(諸如環五矽烷)中。實例包括單矽烷、二矽烷、三矽烷、環五矽烷及新五矽烷。具有至少三或四個矽原子之氫化矽烷可具有線性、支鏈或(隨意地二或多)環狀之具有Si-H鍵結的結構，且可藉由個別的通式SinH2n+2(線性或支鏈的；其中n2)，SinH2n(環狀的；其中n3)或SinH2(n-i)(二或多環狀的；其中n4；i=環數-1)來描述。
原則上可能經由多種方法製造矽層。然而，在這些中，濺射技術所具有之缺點是：彼必須在高真空下進行。
氣相沉積方法例如CVD或PVD所具有之另外的缺點是：i)在熱反應型的情況中彼需要使用極高溫，或ii)在以電磁輻射形式導入用於分解該先質所需之能量的情況中，彼需要高能量密度。在二情況中，僅可能以極高程度之設備複雜性，以經控制且均勻之方式導入分解該先質所需之能量。因為其他用於製造矽層之方法也是不利的，矽層因此較佳是經由液相沉積而形成。
在此種用於製造矽層之液相方法中，液態反應物(隨意地作為用於另外之添加劑及/或摻雜劑之溶劑)或含有本身為液態或固態之該反應物及隨意之另外的添加劑及/或摻雜劑的液態溶液被施加至待塗覆之基材，且隨後以熱學方式及/或以電磁輻射轉化成矽層。例如，US 2008/0022897 A1揭示含氫化矽烷之塗料組成物，其包括用於製造半導體薄膜的摻雜劑。
即使原則上可能使用很多氫化矽烷以供製造矽層，已發現：僅高級氫化矽烷(亦即具有至少10個矽原子之氫化矽烷)或其溶液在其塗覆過程中對慣用基材表面有良好覆蓋性且可獲得具有甚少缺陷之均勻層。因這理由，製備高級氫化矽烷的方法是令人感興趣的。很多高級氫化矽烷可藉由低級氫化矽烷之寡聚製備。在正式意義上所見之此種低級氫化矽烷的寡聚的情況中，一個具有較高分子量之氫化矽烷分子是由二或多個低級氫化矽烷分子，在提取氫及/或相對小之氫化矽烷基後所形成的。
然而，由純的氫化矽烷所製造之矽層還常常不具有符
合半導體應用之要求的性質，尤其是光電子應用者。因此，會想要能製造具有較大光學能帶隙的矽系層(其原則上適合將廣波長範圍之輻射吸收於太陽能電池中，亦即構成"廣能帶隙"材料)。也會想要製造具有特別小折射率的矽系層，其能有較佳之輻射光學注射。此外，會想要能製造具有特別良好之光學透射之矽系層。
US 5,866,471 A揭示製造半導體薄層之方法，其中不僅使用氫化矽烷之溶液，也使用包含經烷化之氫化矽烷的溶液。並未描述製備該經烷化之氫化矽烷的一般方法。在該實例中，揭示一種製備經烷化之氫化矽烷的方法，其中使用金屬鈉。然而，此方法所具有之缺點是所形成之鹽必須以昂貴且不方便之方式被移除，且可形成不利的金屬化矽烷化合物作為副產物。
US 6,020,447 A揭示一種製備經烷化之氫化矽烷的方法，其中聚矽烷先質與還原劑(較佳是鈉、鉀、鋰及其合金)反應。在此，也形成不利的離子副產物，且該還原劑必須以昂貴且不方便之方式移除。
US 5,700,400 A在一種製備半導體材料之方法的背景中揭示經隨意烷化之單、二或三矽烷之脫氫縮合中間物。然而，該縮合係在添加一種選自週期表之特定族群的金屬或金屬化合物的觸媒下進行。然而，這些觸媒有缺點。更特別地，不利地是：當要製造特純之矽層時，由該反應混合物移除彼是極昂貴且不方便地。
關於所列之先前技藝，所應付之問題因此是提供製備
含碳氫化矽烷之方法的問題，該方法避免該先前技藝之缺點。更特別地，本發明所應付之問題是提供製備含碳氫化矽烷之方法的問題，其中無需以昂貴且不方便之方式移除還原劑或觸媒，且其中不形成不利的副產物。
因此所應付之問題依照本發明係藉由一種製備含碳氫化矽烷的方法解決，其中在沒有觸媒及還原劑下，令隨意經硼或磷摻雜之氫化矽烷與選自下列之至少一中碳源反應：- 通式SibH2b+2-yRy之線性或支鏈碳矽烷，其中b2，1y2b+2且R=-C1-C10-烷基、-C6-C10-芳基、-C7-C14-芳烷基，- 通式SicH2c-yRy之環狀碳矽烷，其中c3，1y2c且R=-C2-C10-烷基、-C6-C10-芳基、-C7-C14-芳烷基，- 通式CnH2n+2-yXy之鹵化烴，其中1n5，1y12且X=F、Cl、Br、I，- 通式CRR'之碳烯，其中R、R'=-H、-F、-Br、-I、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基、-C1-C10-(環)雜烷基、-C2-C10-(環)雜烯基、-C5-C10-雜芳基、-C7-C14-芳烷基，-OR"，其中R"=-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-
(環)烯基、-C6-C10-芳基，-NR'''2，其中R'''=-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基，-SinRIV n+1，其中RIV=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基，-(CO)-Rv，其中Rv=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基，-(CO)-ORvi，其中Rvi=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基、-CN、-NC，-SRvii，其中Rvii=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基，-S(O)2-Rviii，其中Rviii=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基，-P(Rix)2 i，其中Rix=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基，或其中R及R'一同表示選自=C3-C20-(環)烷基、=C3-C20-(環)烯基、=C3-C20-(環)雜烷基、=C3-C20-(環)雜烯基或=C6-C14-(雜)芳烷基之雙牙橋接基團，- 碳烯類似物，尤其是CO及CN-，- 通式N3Rx之烷基疊氮化物，其中Rx=-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基、-C1-C10-(環)雜烷基、-C2-C10-(環)雜烯基、
-C5-C10-雜芳基、-C7-C14-芳烷基，- 重氮甲烷H2CN2，- 硫酸二甲酯C2H6O4S，- 或通式HORxi之醇，其中Rxi=-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基、-C1-C10-(環)雜烷基、-C2-C10-(環)雜烯基、-C5-C10-雜芳基、-C7-C14-芳烷基。
待用作反應物之氫化矽烷是實質上僅含矽及氫原子之化合物。彼可包括低比例之摻雜原子，尤其是硼或磷。較佳可用之氫化矽烷符合通式Sin{BH}x{PH}yH2n+2，其中n=3-10，x=0或1且y=0或1，先決條件是該等參數x及y中至少一者等於0。這些化合物是隨意經硼或磷摻雜之氫化矽烷，其可為線性或支鏈的。特別適用之氫化矽烷是通式Sin{BH}xH2n+2，其中n=3-10，x=0或1。可以利用通式SinH2n+2之氫化矽烷(其中n=3-10)，極特別有效率地進行依照本發明之方法。對應之化合物是線性或支鏈之氫化矽烷。極特佳是SiH(SiH3)3、Si(SiH3)4及Si(SiH3)3(SiH2SiH3)。
在該碳源存在下，該氫化矽烷之寡聚形成含碳氫化矽烷寡聚物，其比所用之氫化矽烷具有更高分子量。由於在該合成中經裂開之鍵結及隨後之所用之氫化矽烷與該碳源的重組，這些具有支鏈的結構。
本發明方法另外具有之優點是：寡聚物具有特別均勻之碳及矽原子分布，因此也可用來製造具有這些原子之特
別均勻分布的含矽層。此外，本發明方法還具有之優點是：在該寡聚物中即使低的碳濃度也可有效率地構成。
本發明方法是在沒有觸媒及還原劑下進行，此意指其是在沒有還原劑存在下(更特別地是在沒有元素鹼金屬或鹼土金屬存在下)且是在沒有會催化該寡聚合以產生該含碳氫化矽烷的化合物存在下(更特別地是在沒有過渡金屬、鑭系金屬、過渡金屬化合物或鑭系金屬化合物存在下)進行。
本發明方法係利用至少一種碳源進行。因此，該隨意經硼或磷摻雜之氫化矽烷可與一或多種碳源反應。較佳的是，本發明方法係以令該隨意經硼或磷摻雜之氫化矽烷與碳源反應之方式進行，因為如此會獲得特別良好之含碳氫化矽烷。該碳源是選自在下文中詳細闡明之下列特別的碳源：線性、支鏈及環狀的碳矽烷、鹵化烴、碳烯、烷基疊氮化物、醇、及化合物重氮甲烷及硫酸二甲酯。這些化合物的製備是熟於此技藝之人士所習知的。
所用之碳源可以是通式SibH2b+2-yRy之線性或支鏈碳矽烷，其中b2，1y2b+2且R=C1-C10-烷基、C6-C10-芳基、C7-C14-芳烷基。"C1-C10-烷基"在此據了解是指具有1至10個碳原子之基團。對應地，"C6-C10-芳基"具有6至10個碳原子且"C7-C14-芳烷基"具有7至14個碳原子。在此及下文中，字首"Cx-Cy"因此總是指明在下文中更明確指定之較佳基團的碳的最小值x及最大值y。所有烷基可以是線性或支鏈的。此外，所有烷基、芳基及芳烷基可具
有取代基。更特別地，所有烷基、芳基及芳烷基可被鹵化。可用作該碳源之線性或支鏈的碳矽烷可以只具有含碳基團(且因此是"純的"碳矽烷)，或在這些之外，也可具有直接鍵結於矽之氫原子(且因此是氫化碳矽烷)。較佳是通式SibH2b+2-yRy之線性或支鏈之氫化碳矽烷，其中b=2-20，y=1至2b+1且R=C1-C10-烷基、C6-C10-芳基、C7-C14-芳烷基，利用彼引發比"純的"線性或支鏈的碳矽烷高的反應性，此外，利用彼也可在該寡聚物中達成更均勻之碳分布。
所用之碳源也可以是通式SicH2c-yRy之環狀碳矽烷，其中c3，1y2c且R=C2-C10-烷基、C6-C10-芳基、C7-C14-芳烷基。所有烷基可以是線性或支鏈的。此外，所有烷基、芳基及芳烷基可具有取代基。更特別地，所有烷基、芳基及芳烷基可被鹵化。可用作該碳源之環狀碳矽烷可以只具有含碳基團(且因此是"純的"碳矽烷)，或除了具有這些，也可具有直接鍵結於矽之氫原子(且因此是氫化碳矽烷)。較佳是通式SicH2c-yRy之含氫的環狀碳矽烷，其中c=3-20，y=1-(2c-1)且R=C2-C10-烷基、C6-C10-芳基、C7-C14-芳烷基，利用彼引發比"純的"環狀碳矽烷高的反應性，此外，利用彼也可在該寡聚物中達成更均勻之碳分布。
所用之碳源也可以是通式CnH2n+2-yXy之鹵化烴，其中1n5，1y12且X=F、Cl、Br、I。另外較佳地使用通式CH4-yXy之經鹵化的化合物，其中X=F、Cl、Br、I
且y=1-3。特佳是使用溴仿、二溴甲烷、溴甲烷、氯仿及二氯甲烷。
所用之碳源也可以是通式CRR'之碳烯，其中R、R'=-H、-F、-Br、-I、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基、C1-C10-(環)雜烷基、-C2-C10-(環)雜烯基、-C5-C10-雜芳基、C7-C14-芳烷基、-OR"(其中R"=-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基)、-NR'''2(其中R'''=-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基)、-SinRIV n+1(其中RIV=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基)、-(CO)-Rv(其中Rv=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基)、-(CO)-ORvi(其中Rvi=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基)、-CN、-NC、-SRvii(其中Rvii=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基)、-S(O)2-Rviii(其中Rviii=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基)、-P(Rix)2(其中Rix=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基)。也可能使用通式CRR'之碳烯，其中R及R'一同表示選自=C3-C20-(環)烷基、=C3-C20-(環)烯基、=C3-C20-(環)雜烷基、=C3-C20-(環)雜烯基或=C6-C14-(雜)芳烷基之雙牙橋接基團。所有的烷基、烯基、雜烷基及雜烯基可以是線性或支鏈的。此外，所有的烷基、烯基、芳基、雜烷基、雜烯基、雜芳基及芳烷基在個別、數
個或所有位置上(更特別地在碳原子及氮原子上)可以有取代基。更特別地，個別、數個或所有這些位置可被鹵化或經C3-C6-烷基取代。利用通式CRR'之碳烯可以達成特別良好之結果，其中R、R'=-C4-C10-(環)烷基、-C4-C10-(環)烯基、-C4-C10-芳基、C4-C10-(環)雜烷基、-C4-C10-雜烯基、-C5-C10-雜芳基、C7-C14-芳烷基，或其中R及R'一同表示選自=C4-C10-(環)烷基、=C4-C10-(環)烯基、=C4-C10-(環)雜烷基、=C4-C10-(環)雜烯基或=C6-C10-(雜)芳烷基之雙牙橋接基團。
所用之碳源同樣地可以是通式N3Rx之烷基疊氮化物(其中Rx=-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基、C1-C10-(環)雜烷基、-C2-C10-(環)雜烯基、-C5-C10-雜芳基、C7-C14-芳烷基)、化合物重氮甲烷H2CN2、硫酸二甲酯C2H6O4S、或通式HORxi之醇(其中Rxi=-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基、C1-C10-(環)雜烷基、-C2-C10-(環)雜烯基、-C5-C10-雜芳基、C7-C14-芳烷基)。
所述之碳源比所述之其他碳源所得之優點是：彼特別有效率地(亦即特別快速地，尤其是高產率地)導致特別均勻之產物。某些碳源比其他選自用於待催化之反應的相同化合物類別的碳源，也可具有特別良好之適合性。
當該氫化矽烷係通式SinH2n+2(其中n=3-10)時，可另外特別有效率地進行依照本發明之方法。也較佳地，利用至少一種碳源之不含觸媒及還原劑的反應係在至少另外
一種具有至少500克/莫耳之重量平均分子量的氫化矽烷化合物的存在下實施。
特別良好之經硼或磷摻雜的氫化矽烷可由通式SinH2n+2(其中n=3-10)之氫化矽烷、碳源及至少一種選自AlMe3、AlCl3、BCl3、BF3、二硼烷(B2H6)、BH3：THF、BEt3、BMe3、PH3及P4之摻雜劑製備。特佳可用之摻雜劑是B2H6、BH3：THF及P4，這些導致特別良好之摻雜且另外有增加電暗(electric dark)傳導性的優點。因為彼是由三種反應物所形成，這些寡聚物在該矽、碳及其摻雜劑原子之分布方面是特別均勻的，且因此，導致具有特別良好電性之特別均勻的層。
該碳源較佳具有300至4000克/莫耳之重量平均分子量(在環辛烷中，相對聚丁二烯所測量的)。該碳源之這些重量平均分子量，在寡聚及轉化過程中，特別有效率地避免單側矽或碳損失。
依照本發明之方法同樣可在路易士酸存在下進行。然而，較佳沒有路易士酸存在。
較佳是以熱學方式及/或以電磁輻射(尤其是IR、VIS或UV輻射)轉化成含碳氫化矽烷寡聚物。在熱學處理的情況中，該反應混合物較佳被加熱至30至235℃之溫度。這些溫度可利用精於此技藝之人士已知之措施建立。另外，UV照射據了解是指以具有120至380奈米波長的電磁輻射照射。VIS輻射據了解是指以具有380至750奈米波長的電磁輻射照射。最後，IR照射據了解是指以具
有750奈米至1毫米波長的電磁輻射照射。對應之輻射可藉由精於此技藝之人士已知之措施產生。較佳是以熱學方式或以UV輻射轉化成該寡聚物。另外，較佳之反應時間是在0.1至12小時之間。
該反應是在溶劑之存在或不存在下進行。較佳是在沒有溶劑下進行依照本發明之方法。若在溶劑存在下進行，則所用之較佳溶劑可以是選自下列之溶劑：具有1至12個碳原子之線性、支鏈或環狀的飽和、不飽和或芳香族烴(其隨意地經部份或完全鹵化)、醚、酮及酯。特佳是正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正癸烷、十二烷、環己烷、環辛烷、環癸烷、二環戊烷、苯、甲苯、間-二甲苯、對-二甲苯、1,3,5-三甲苯、四氫萘、十氫萘、乙醚、二丙醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基乙基醚、四氫呋喃、丙酮、對-二、乙腈、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、二氯甲烷及氯仿。具有特別良好使用性之溶劑是烴-正戊烷、正己烷、正辛烷、正癸烷、十二烷、環己烷、環辛烷、環癸烷、苯、甲苯、間-二甲苯、對-二甲苯、1,3,5-三甲苯。該溶劑可為總質量之0.01至99重量%。
本發明另外提供可藉由依照本發明之方法製備之氫化矽烷寡聚物的用途。
本發明另外提供可藉由依照本發明之方法製備之氫化矽烷寡聚物於製造電子或光電子組件層的用途，尤其是用
於光伏打應用或於電晶體中的用途。
本發明同樣地提供可藉由依照本發明之方法製備之氫化矽烷寡聚物於製造含矽之層的用途，較佳是製造元素矽層的用途。
以下實例意圖進一步另外說明本發明之主題，但該等實例本身卻無限制效果。
a)新五矽烷(1.32克)與甲基異四矽烷(1.18克)及硼烷-THF錯合物(1.9克；1M)混合。該反應溶液在50℃下被攪拌4小時。GPC分析顯示500克/莫耳之重量平均分子量。
b)新五矽烷(3克)與溴仿(3.48毫升)及AlCl3(0.145克)混合，且逐漸加熱至100℃。在此過程中，可以觀察到反應突然開始，伴隨氣體釋出。在該反應已減緩後，該溶液在140℃下迴流另外3小時。
c)新五矽烷(1克)在室溫下與1,3-二異丙基咪唑鎓-2-亞基(1,3-diisopropylimidazolium-2-ylidenes)(0.059克)及硼烷-THF錯合物(1.46克；1M)混合。在此過程中，可以觀察到反應突然開始，伴隨氣體釋出。在反應已減緩後，依照實例3塗覆該溶液。
d)新五矽烷(1克)與丁醇(0.051克)及硼烷-THF錯合物(1.46克；1M)混合。該反應混合物逐漸加熱至
140℃且在140℃下被攪拌3小時，在此過程中，可觀察到溶液混濁。
e)比較用合成：新五矽烷(1克)與硼烷-THF錯合物(14.6克；1M)混合且在30℃下被攪拌3小時。GPC分析顯示580克/莫耳之重量平均分子量。
在6000rpm下，以由合成a)之寡聚物(0.15克)、環辛烷(0.06克)及甲苯(0.54克)所構成的調合物塗覆玻璃基材。該膜在500℃下固化60秒。層厚是35奈米。光學帶隙是1.72eV且導電率是1.52×10-7S/cm。
在3000rpm下，以由合成b)之寡聚物(0.2克)、環辛烷(0.06克)及甲苯(1.14克)所構成的調合物塗覆玻璃基材。該膜在500℃下固化60秒。層厚是205奈米。光學帶隙是2.42eV且導電率是2.1×10-11S/cm。
在1000rpm下，以由合成c)之寡聚物(0.156克)、環辛烷(0.016克)及甲苯(0.188克)所構成的調合物塗覆玻璃基材。該膜在500℃下固化60秒。層厚是101奈米。光學帶隙是1.74eV且導電率是2.1×10-8
S/cm。
在1000rpm下，以由合成d)之寡聚物(0.2克)、環辛烷(0.039克)及甲苯(0.364克)所構成的調合物塗覆玻璃基材。該膜在500℃下固化60秒。層厚是144奈米。光學帶隙是1.64eV且導電率是3.2×10-5S/cm。
在6000rpm下，以由比較用合成之寡聚物(0.1克)、環辛烷(0.1克)及甲苯(0.9克)所構成的調合物塗覆玻璃基材。該膜在500℃下固化60秒。層厚是98奈米。光學帶隙是1.54eV。
UV-VIS-NIR光譜係以Varian Cary 5000儀器測量。測量在玻璃(Corning Eagle XG)上之該含碳矽層在波長200奈米至1000奈米間之透射且繪製成Tauc作圖。該直線區外推至X軸獲得該光學帶隙Eg。
Claims (10)
- 一種製備含碳氫化矽烷的方法，其中在沒有觸媒及還原劑下，令隨意經硼或磷摻雜之氫化矽烷與選自下列之至少一種碳源反應：- 通式SibH2b+2-yRy之線性或支鏈碳矽烷，其中b2，1y2b+2且R=-C1-C10-烷基、-C6-C10-芳基、-C7-C14-芳烷基，- 通式SicH2c-yRy之環狀碳矽烷，其中c3，1y2c且R=-C2-C10-烷基、-C6-C10-芳基、-C7-C14-芳烷基，- 通式CnH2n+2-yXy之鹵化烴，其中1n5，1y12且X=F、Cl、Br、I，- 通式CRR'之碳烯，其中R、R'=-H、-F、-Br、-I、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基、-C1-C10-(環)雜烷基、-C2-C10-(環)雜烯基、-C5-C10-雜芳基、-C7-C14-芳烷基，-OR"，其中R"=-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基，-NR'''2，其中R'''=-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基，-SinRIV n+1，其中RIV=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基，-(CO)-Rv，其中Rv=-H、-C1-C10-(環)烷基、 -C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基，-(CO)-ORvi，其中Rvi=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基、-CN、-NC，-SRvii，其中Rvii=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基，-S(O)2-Rviii，其中Rviii=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基，-P(Rix)2，其中Rix=-H、-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基，或其中R及R'一同表示選自=C3-C20-(環)烷基、=C3-C20-(環)烯基、=C3-C20-(環)雜烷基、=C3-C20-(環)雜烯基或=C6-C14-(雜)芳烷基之雙牙橋接基團，- 碳烯類似物，尤其是CO及CN-，- 通式N3Rx之烷基疊氮化物，其中Rx=-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基、-C1-C10-(環)雜烷基、-C2-C10-(環)雜烯基、-C5-C10-雜芳基、C7-C14-芳烷基，- 重氮甲烷H2CN2，- 硫酸二甲酯C2H6O4S，- 或通式HORxi之醇，其中Rxi=-C1-C10-(環)烷基、-C2-C10-(環)烯基、-C6-C10-芳基、-C1-C10-(環)雜烷基、-C2-C10-(環)雜烯基、-C5-C10-雜 芳基、C7-C14-芳烷基。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該用作反應物之氫化矽烷具有通式Sin{BH}x{PH}yH2n+2，其中n=3-10，x=0或1且y=0或1，先決條件是該等參數x及y中至少一者等於0。
- 如申請專利範圍第2項之方法，其中該用作反應物之氫化矽烷具有通式SinH2n+2，其中n=3-10。
- 如申請專利範圍第3項之方法，其中與該至少一種碳源之反應係在至少一種具有至少500克/莫耳之重量平均分子量之另外的氫化矽烷化合物存在下進行。
- 如申請專利範圍第3及4項中任一項的方法，其中該氫化矽烷與該碳源之反應係在至少一種選自下列之摻雜劑存在下進行：AlMe3、AlCl3、BCl3、BF3、B2H6、BH3：THF、BEt3、BMe3、PH3及P4。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該碳源具有300至4000克/莫耳之重量平均分子量。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該反應係以熱學方式及/或以電磁照射進行。
- 一種含碳之氫化矽烷寡聚物，其可藉由如先前申請專利範圍第1至7項中任一項之方法製備。
- 一種可依申請專利範圍第1至7項中任一項製備之含碳氫化矽烷寡聚物的用途，其係用於製造電子或光電子組件層，尤其是用於光伏打應用或用於電晶體中。
- 一種可依申請專利範圍第1至7項中任一項製備 之含碳氫化矽烷寡聚物的用途，其係用於製造含矽之層，較佳是元素矽層。
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