TW201431444A - 電漿處理裝置及方法 - Google Patents

Abstract

提供一種對於被處理物藉由電漿均勻地進行表面處理之電漿處理裝置及方法。將基板(11)保持於支架(33)上且容置於處理室內。配置面對基板(11)的表面之電極組(31、32)，各電極組(31、32)是由排列有高頻電極(25)和接地電極(26)之第一電極部(31a、32a)、第二電極部(31b、32b)所構成。使從導入口放出的處理氣體通過各電極(25、26)之間並產生電漿。藉由所產生的電漿來去除基板(11)的表面的污染物質。

Description

電漿處理裝置及方法

本發明是關於在真空的處理室內對被處理物進行電漿處理的電漿處理裝置及方法。

對於作為在真空的處理室內之被處理物，例如基板，已知有利用電漿進行各種處理的電漿處理裝置。作為電漿處理，例如有去除基板表面的髒污之清潔處理或蝕刻處理、去除在基板上形成通孔時附著於此通孔的壁面上的樹脂殘渣(或稱為污跡，smear)之除污(desmear)處理、或去除基板表面的阻劑(register，有機物)的殘渣(或稱為浮渣，scum)之除渣處理等。在電漿處理中，將處理室內抽真空，並從高頻電源對一對電極之間施加高頻電壓，在此狀態下導入處理氣體。藉此，將處理氣體電漿化。然後，藉由所產生的電漿中的自由基或離子接觸或碰撞被處理物的表面，可去除例如表面的髒污等而進行清潔處理。

於專利文獻1的電漿處理裝置中，將作為被處理物的基板配置於處理室內的一對平板電極之間並進行電漿清洗(ashing)。一對平板電極中，其中一個電極施加有高頻電壓，另一個電極接地。基板是以承載於接地的電極上的狀態，導 入處理氣體(process gas)並使該處理氣體產生電漿來進行處理。此外，於專利文獻2中，藉由電漿來進行蝕刻時，在將基板配置於要施加高頻電壓的高頻電極側，並使面對此高頻電極設置的氣體導入口接地的狀態下，向基板放出處理氣體。

已知有一種電漿處理裝置，其配置有面對作為被處理物的基板之一列電極列。於此電漿處理裝置中，於電極列中交替地排列配置有極性不同的電極。藉由在這些電極之間施加高頻電壓，在電極列的周圍產生電漿，並藉由從所產生的電漿區域供給自由基或離子至基板的表面來進行處理。電極列的各個電極彼此之間的間隔(間距)，需考量電極列與基板之間的間隔、處理內容和必要的處理速度，來適當地一併決定從高頻電源提供的電力、頻率、處理氣體的導入速度等。

於專利文獻3中，記載有常壓(大氣壓)電漿處理裝置。此常壓電漿處理裝置，是設置有氣體導入口、兩枚以上的電極及支持台之常壓電漿反應裝置；其中，氣體導入口將處理氣體導入維持在大氣壓力的處理室內，兩枚以上的電極配置成平行於來自氣體導入口的處理氣體的氣流的下游，支持台將作為被處理物的基板支持在處理氣體的氣流中的相較於這些電極更下游處。於此常壓電漿處理裝置中，使處理氣體通過電極之間而電漿化，並藉由氣流將此電漿運送到下游，對以支持台所支持的基板的表面進行處理。作為處理氣體，使用了稀有氣體與反應氣體之混合氣體。

[先前技術文獻] (專利文獻)

專利文獻1：日本特開平8-37178號公報

專利文獻2：日本特開平8-115903號公報

專利文獻3：日本特開平4-358076號公報

然而，在像專利文獻1或專利文獻2般地將作為被處理物的基板配置於一對電極之間的構成中，基板是放在電漿之中。因此，基板表面上的電漿量會太大而容易使基板受到損傷。此外，不容易調整基板表面上的電漿量和電漿分布，而難以均勻地處理基板表面。另外，由於電極的發熱會使得基板的溫度上升，而基板可能會因為溫度而受到損傷。

此外，在配置有一列電極列的電漿處理裝置中，不用將被處理物配置於不同極性的一對電極之間就可進行電漿處理。因此，不會像前述般地對基板造成損傷，但由於藉由電極列在其周圍形成的電漿區域的厚度較薄且電漿的產生量少，因此有難以有效率地處理之問題。

另一方面，像專利文獻3般的大氣電漿處理裝置中，雖然容易在基板表面上產生均勻的電漿量，但由於是在常壓下產生電漿，因此在電極之間產生的電漿容易因尚未電漿化的氣體而消失，故無法充足地供給電漿。因此，處理時間明顯變長，且因為處理時間明顯變長，而有基板容易受到電極的熱的影響這樣的問題。

本發明的目的在於提供一種電漿處理裝置及方法，在對被處理物進行電漿處理時，可對被處理物供給充分的電漿，且容易調整電漿的供給量。

為了解決上述問題，在真空的處理室內進行電漿處理之本發明的電漿處理裝置，具備導入口、電源及電極組。導入口用以將處理氣體導入處理室內。電源用以輸出電漿產生用的高頻電壓。電極組具有第一電極部與第二電極部，用以藉由來自電源的高頻電壓激發處理氣體而產生電漿。第一電極部，配置有以預定間隔相互平行地排列的複數個棒狀電極，且該複數個的棒狀電極配置成面對且分離於被處理物(與被處理物分開一定的距離)。第二電極部配置成以兩邊包夾第一電極部的方式面對被處理物且分離於第一電極部。

較佳是，第二電極部的複數個棒狀電極，以預定的間隔互相平行地配置；第一電極部和第二電極部的各個電極配置成平行於被處理物的表面。

較佳是，導入口以兩邊包夾電極組的方式設置在被處理物的相反側，且隔著電極組向被處理物放出處理氣體。

此外，電漿處理裝置，較佳是具備用以進行處理室內的排氣之排氣口，該排氣口以兩邊包夾被處理物的方式設置於面對導入口的位置。導入口是朝向電極組，向第一電極部的電極和第二電極部的電極的排列方向或電極的軸向放出處理氣體。

此外，較佳是，第一電極部和第二電極部由各自不 同極性的電極交替並排而成。

此外，較佳是，第一電極部是由不同極性中的其中一種極性之電極並排而成，第二電極部是由另一種極性之電極並排而成。

此外，較佳是，第二電極部是處理室的內壁面。電極組可將第一電極部的各個電極與內壁面作為不同極性的各個電極，並被施加來自電源的高頻電壓而使電漿產生。

此外，較佳是，第一電極部的各個電極和作為接地電極的內壁面是平行於被處理物的表面。

此外，較佳是，電漿處理裝置具備用以進行處理室內的排氣之排氣口，此排氣口是以兩邊包夾第一電極部的方式設置於面對導入口的位置。導入口是朝向第一電極部，且向第一電極部的電極的排列方向或電極的軸向放出處理氣體。

此外，較佳是，電極組是各自設置於以兩邊包夾被處理物的位置。

此外，電極組也可以是僅設置在面對被處理物的一面的位置。

此外，較佳是，電漿處理裝置具有支架，該支架用以將一對的被處理物的表面保持在以各自朝向外側的樣態重合之狀態。電極組設置成各自面對支架所保持的一對被處理物的各個表面。

此外，較佳是，電漿處理裝置具有支架，該支架用以使被處理物的表面以各自朝向電極組的樣態保持複數個被 處理物。

此外，較佳是，電漿處理裝置具備有流路控制構件，該流路控制構件設置於處理室內，用以限制由導入口放出的處理氣體，而使處理氣體通過電極組和處理室之間且流向排氣口側。

在真空的處理室內進行電漿處理之本發明之電漿處理方法具備導入步驟、產生步驟、及處理步驟。導入步驟將處理氣體導入處理室內。產生步驟利用電極組激發處理氣體而產生電漿。電極組具有第一電極部和第二電極部。第一電極部中配置有以預定間隔相互平行排列的複數個棒狀電極。第一電極部配置成面對且分離於被處理物。第二電極部以兩邊包夾第一電極部的方式配置成面對被處理物且分離於第一電極。處理步驟利用所產生的電漿來處理被處理物。

此外，較佳是，電漿處理方法具有排出步驟，在產生電漿的期間進行處理室的換氣，且是從排氣口排氣，該排氣口以兩邊包夾第一電極部的方式設置於面對前述導入口的位置。導入步驟可以是從導入口朝向第一電極部且向第一電極部的電極的排列方向或電極的軸向放出處理氣體。

此外，亦可以利用電極組使電漿產生，該電極組是各自設置於以兩邊包夾被處理物的位置；而處理步驟可以是利用這些各個電極部所產生的電漿來處理被處理物。

依據本發明，可對被處理物均勻且充足地供給電漿，並可均勻且以短時間進行處理。此外，也會變得可容易 地調整對於被處理物所供給的電漿的量。進一步地，能以短時間完成電漿處理，並防止因熱而產生之被處理物的損傷。

10‧‧‧電漿處理裝置

11‧‧‧基板

12‧‧‧處理單元

13‧‧‧控制單元

14‧‧‧處理室

15‧‧‧真空槽

15a‧‧‧本體部

15b‧‧‧蓋部

16‧‧‧真空泵

17‧‧‧氣體供給裝置

18‧‧‧高頻電源

21‧‧‧電極單元

22‧‧‧氣體導入部

22a‧‧‧表面

22b‧‧‧絕緣板

23‧‧‧供給管

24‧‧‧導入口

25‧‧‧高頻電極

26‧‧‧接地電極

28‧‧‧排氣口

29‧‧‧絕緣材料

30‧‧‧側板

31、32‧‧‧電極組

31a、31b、32a、32b‧‧‧電極部

33‧‧‧支架

34‧‧‧軌構件

34a‧‧‧溝

35‧‧‧軸套

35a‧‧‧凸緣

36‧‧‧安裝溝

37‧‧‧螺絲

52‧‧‧上側氣體導入部

52a‧‧‧下表面

53‧‧‧下側氣體導入部

53a‧‧‧上表面

54‧‧‧排氣口

61‧‧‧高頻電極

62‧‧‧接地電極

65‧‧‧電極

67‧‧‧溫度控制部

71、72、73、74‧‧‧電極板

78、79‧‧‧流路控制板

81‧‧‧基板

84‧‧‧電極組

84a‧‧‧第一電極部

84b‧‧‧第二電極部

84c‧‧‧第三電極部

85‧‧‧支架

86‧‧‧軌構件

86a‧‧‧溝

91‧‧‧真空槽

91a‧‧‧真空槽上部

91b‧‧‧真空槽下部

92‧‧‧油壓缸

93‧‧‧上部電極單元

94‧‧‧側板

94a、9b‧‧‧安裝溝

95‧‧‧托架

96‧‧‧螺絲

97‧‧‧下部電極單元

98‧‧‧托架

98a‧‧‧承載面

101‧‧‧真空槽

101a‧‧‧真空槽上部

101b‧‧‧真空槽下部

102‧‧‧樞紐

106‧‧‧上部電極單元

106a‧‧‧上部電極部

107‧‧‧下部電極單元

107a‧‧‧下部電極部

108‧‧‧側板

108a‧‧‧安裝溝

110、111‧‧‧托架

111a‧‧‧承載面

114‧‧‧頂面

115‧‧‧底面

117‧‧‧上部氣體導入部

118‧‧‧下部氣體導入部

第1圖是表示本發明之電漿處理裝置的外觀的斜視圖。

第2圖是表示處理室的各個構件的狀態的斜視圖。

第3圖是表示電極單元的斜視圖，該電極單元包含用以保持基板之支架。

第4圖是表示處理單元的電性連接的說明圖。

第5圖是表示以同種類的電極來構成各個電極部，且以接地電極來構成距離基板較近的第一電極部之例子的說明圖。

第6圖是表示以同種類的電極來構成各個電極部，且以高頻電極來構成距離基板較近的第一電極部之例子的說明圖。

第7圖是表示由高頻電極的電極部與接地電極的電極部來構成電極單元，且電極部的位置錯開之例子的說明圖。

第8圖是表示電極部交錯地將高頻電極與接地電極的配置錯開之例子的說明圖。

第9圖是表示隔著電極組向被處理物放出處理氣體之例子的說明圖。

第10圖是表示將各個電極設成角柱狀之例子的斜視圖。

第11圖是表示將電極設成中空且以冷卻水進行冷卻之例子的說明圖。

第12圖是表示使用一對格子狀的電極板之例子的說明圖。

第13圖是表示將一對電極板的格子作成網眼之例子的說明圖。

第14圖是表示以向電極部的電極的排列方向作為放出處理氣體的方向之構成，來設置流路控制板之例子的說明圖。

第15圖是表示以隔著電極組向被處理物放出處理氣體之構成，來設置流路控制板之例子的說明圖。

第16圖是表示將兩片被處理面是一面的基板重合並以支架保持之例子的斜視圖。

第17圖是表示將複數片的小尺寸的基板以支架保持之例子的斜視圖。

第18圖是表示以兩邊包夾電極組的方式來配置兩片基板之例子的斜視圖。

第19圖是表示將真空槽及電極單元上下分割成二部分之例子的斜視圖。

第20圖是表示只將基板的表面的其中一面面向電極組之例子的圖式。

第21圖是表示不將各個電極部接地之例子的說明圖。

第22圖是表示將處理室的內壁面作為第二電極部的電極之例子的剖面圖。

第23圖是表示將處理室的內壁面作為非接地的電極之例子的剖面圖。

如第1圖所示，實施本發明的電漿處理裝置10，對被處理物進行電漿處理。於本例中，將是板狀的被處理物也就是基板11(參照第3圖)的表面(雙面)作為被處理面，進行電漿處理。另外，作為被處理物並不限於是基板11，也可以是引線架(lead frame)等。此外，可以對於在表面有凹凸之物、在基板等的表面上構裝有半導體晶片這類的可稱為板狀的被處理物、或是立體形狀的被處理物，進行電漿處理。

此外，於本例中，是針對作為電漿處理之去除附著在基板表面上的樹脂之電漿洗淨(清潔處理)進行說明，但電漿處理也可以是下述處理：對構裝於基板等的表面上的半導體晶片的電極的清潔處理、阻劑的蝕刻處理、除渣處理、除污處理、或表面改善處理等。

電漿處理裝置10，具有：處理單元12、及以控制處理單元12的電路等所構成的控制單元13。處理單元12是由內部形成有處理室14(參照第2圖)之真空槽15、以及配置於處理室14內的電極、真空泵16、氣體供給裝置17、高頻電源18等所構成。真空槽15例如是不鏽鋼製的箱狀物，並由本體部15a及設置於本體部15a前表面的蓋部15b所構成。蓋部15b可在以實線表示的封閉位置與以兩點鏈線表示的開放位置之間自由轉動。

在進行電漿處理時，將蓋部15b設在封閉位置。藉此，可形成氣密的處理室14。而藉由將蓋部15b設在開放位置，可開放處理室14。藉此，可從露出於本體部15a的前表面的開口(圖式中省略)，進行基板11向處理室14的搬入 或搬出，並可進行調整；或是為了清潔而將電極單元21(參照第2圖)取出或放入。

真空泵16進行處理室14的排氣。藉由此排氣動作可使處理室14成為例如10~30Pa的真空度。另外，即使是在電漿處理中，真空泵16也可繼續從處理室14排氣，以維持預定的真空度。氣體供給裝置17供給要導入至處理室14內的處理氣體，例如四氟化碳(CF₄)與氧氣(O₂)的混合氣體。此外，作為處理氣體，可依據電漿處理的內容或處理對象作適當地選擇，而可利用氮氣氣體、氧氣氣體、氫氣氣體、氬氣氣體等，或其他組合的混合氣體來代替上述CF₄與O₂的混合氣體。

高頻電源18輸出高頻電壓，此高頻電壓是作為用以產生電漿的電漿產生用電壓。高頻電源18所輸出的高頻電壓的頻率可以例如是40kHz到數百kHz左右。此外，高頻電壓的頻率並不限於上述頻率，可對應電漿處理的內容作適當地設定，而可以例如是比上述範圍還高頻或是低頻。

如第2圖所示，在處理室14內，除了前述的電極單元21之外，也配置有氣體導入部22。氣體導入部22安裝在蓋部15b的內側表面，並隨著蓋部15b一起轉動。此氣體導入部22是箱狀，且可經由供給管23將來自氣體供給裝置17的處理氣體供給至氣體導入部22的中空的內部。在朝向氣體導入部22後方的表面，也就是在面對電極單元21之表面22a，形成有例如直徑為1mm左右的微小的複數個導入口24。此外，氣體導入部22是以兩邊包夾絕緣板22b的方式安裝於 蓋部15b上，而與真空槽15電性絕緣。

各個導入口24各自將供給至中空部的處理氣體向電極單元21水平地放出。藉此，能以平行於水平保持在電極單元21內的基板11的方向、或是向後述的電極部中的電極的排列方向，放出處理氣體並導入處理室14。另外，複數個導入口24是均勻地分布在對應於電極單元21的表面22a上的區域。藉此，能以均勻地供給處理氣體至電極單元21的方式淋灑(shower)狀地放出處理氣體。此外，也可以從一處或數處的導入口導入處理氣體，來取代淋灑狀地導入處理氣體。

電極單元21具有用以產生電漿的複數個高頻電極25及接地電極26。此電極單元21配置於處理室14的大約中央位置，且配置成電極單元21的前表面是面對氣體導入部22的表面22a。另外，基板11保持在此電極單元21的內部。電極單元21隔著絕緣材料29安裝在真空槽15內，而與真空槽15電性絕緣。

以兩邊包夾保持在電極單元21內的基板的方式，將排氣口28設置於面對導入口24之處理室14的後側的壁面上。此排氣口28連接到真空泵16，且從此排氣口28進行處理室14的排氣。藉由像這樣地將電極單元21配置於導入口24與排氣口28之間，使來自導入口24的處理氣體通過電極單元21的各個電極之間，而可在電極單元21的內部均勻地產生電漿。

如第3圖所示，電極單元21是由一對側板30、上 部電極組31、下部電極組32、保持基板11之支架33等所構成。如後述般地，一對側板30中的一邊的側板30上固定著各個電極25、26的一端，而一對側板30中的另一邊的側板30上固定著各個電極25、26的另一端，藉此這一對側板30是以互相平行且面對面的狀態固定。此外，各個電極25、26是以與側板30電性絕緣的方式組裝。

構成支架33的軌構件34，各自設置在各個側板30的內側表面。各個軌構件34設置在各個側板30的高度的方向的中央，並從側板30的前表面向後表面水平地延伸，且在軌構件34的前端各自形成有溝34a。藉由從電極單元21的前表面側將需要處理的基板11的兩側邊緣插入各個溝34a，可使基板11以被處理面朝向上方及下方的樣態(姿勢)，也就是以朝向各個電極組31、32的樣態，水平地保持於電極單元21之中。

上部電極組31及下部電極組32的任一個都可激發處理氣體而產生電漿，且各自由複數根的高頻電極25、接地電極26所構成。各個電極25、26是由具有導電性的金屬所製成，例如是由鋁製成，且形成為剖面呈圓形之棒狀(圓柱狀)。各個電極25、26可形成為相同的形狀及尺寸。高頻電極25被施加來自高頻電源18的高頻電壓，接地電極26則被接地。這些高頻電極25、接地電極26成為第一電極及第二電極。

上部電極組31配置成面對支架33，也就是面對基板11的上表面。此上部電極組31具有配置於上下兩層的第 一電極部31a與第二電極部31b。第一電極部31a配置成面對基板11的上表面(被處理面)且分離於基板11(亦即空出間隔)。第二電極部31b配置於第一電極部31a的上側，並以兩邊包夾第一電極部31a的方式，配置成面對基板11的上表面且分離於第一電極部31a；另外，以使處理氣體通過第一電極部31a與第二電極部31b之間的方式，調整成隔開預定的間隔。

各個電極部31a、31b，使複數個高頻電極25、接地電極26，各自在處理氣體的放出方向上互相分離且形成並排的電極列。另外，各電極部31a、31b的高頻電極25、接地電極26的任一個都是與基板11平行。進一步地，高頻電極25、接地電極26的長邊垂直於以箭頭A所示之處理氣體的放出方向，也就是以使高頻電極25、接地電極26的軸向垂直於處理氣體的放出方向的方式配置。於本例中，在處理氣體的放出方向上，各個電極部31a、31b的任一個都是高頻電極25、接地電極26交替並排，且在上下方向是配置相同種類的電極。

下部電極組32配置於基板11的下表面側。此下部電極組32具有第一電極部32a、及配置於此第一電極部32a的下方之第二電極部32b；這些電極部32a、32b的各個電極25、26的配置等，與上部電極組31相同。也就是說，第一電極部32a配置成面對基板11的下表面且分離於基板11，以兩邊包夾第一電極部32a的方式，第二電極部32b配置成面對基板11的下表面且分離於第一電極部32a。因此，關於第一、第二電極部32a、32b，也是形成電極列。

對於基板11，是如上所述般地將各個電極部配置成面對被處理面也就是上表面，但是應面對各個電極部之被處理物的表面不一定是被處理面。也就是說，若在要去除附著於基板的通孔或貫孔的壁面上的樹脂殘渣之除污處理之情況，設置在基板上的通孔或貫孔的壁面就會成為被處理面。在這種情形下，形成有通孔等的開口之基板表面(上表面或下表面)會成為最先須供給電漿的面，而是各個電極部31a、31b所應面對的表面。繼而，就可從形成於此表面的開口向通孔等的內部供給電漿。

各個電極部，在比基板11的表面(上表面、下表面)還廣的範圍中，配置有高頻電極25、接地電極26，且是以從基板11分離的狀態下並以覆蓋此表面的方式面對此表面。藉此，基板11的表面(上表面、下表面)可確實地面對各個電極組31、32內的電漿區域，並藉由從此電漿區域供給的電漿(自由基或離子)均勻地電漿處理基板11的表面。

上述的各個電極25、26在各個端部(end part)上各自安裝有以絕緣性的材料所製作之軸套35。藉由將此軸套35嵌入已形成於側板30的U字型的安裝溝36中，各個電極25、26能以可上下移動自如且絕緣的狀態安裝在側板30上。軸套35中，形成有一對各自配置在側板30的內側與外側的凸緣35a。

藉由從側板30的外側使螺絲37穿過軸套35並螺合於高頻電極25、接地電極26的端部，可使軸套35彈性變形並以外側與內側的各個凸緣35a來挾持側板30。藉此，高頻 電極25、接地電極26可固定於側板30。藉由鬆開螺絲37使高頻電極25、接地電極26在上下方向移動，可以調整電極彼此之間的上下方向(垂直於基板11的方向)的間隔，也可調整電極25、26與基板11之間的間隔。此外，軸套35也可利用以側板30的外側及內側而分開的結構。

藉由如上述般地調整在垂直於基板11的表面的方向上之電極彼此之間的上下方向的間隔，可調整向電極組31、32內的處理氣體的通過容易程度、或調整電極組31、32內的電漿的密度或分布等。另外，藉由調整電極25、26與基板11之間的間隔，可調整電極組31、32內的電漿與基板11的距離。繼而，藉由上述技術，可將對於基板11的表面之電漿處理的均勻性和處理速度等，調整成所需的程度。

為了在各個電極組31、32的內部使處理氣體順暢地流過，電極組31、32，較佳是：從處理氣體的放出方向來看的電極的上下方向的間隔，大於從處理氣體的放出方向來看的電極的寬度。於本例中，較佳是將於上下方向並列的高頻電極25彼此之間的間隔、接地電極26彼此之間的間隔設為電極25、26的直徑以上。另外，若是如本例般地一對電極組以兩邊包夾基板11的方式配置，為了不在一邊的電極組的電極與另一邊的電極組的電極之間產生電漿，較佳是將這些電極組以兩邊包夾基板的方式作對稱配置。

此外，上述電極單元21的構成為一例示，舉例而言，亦可如後述般地將上部電極組與下部電極組作為分別的單元來構成。另外，雖然能在上下方向自由地移動高頻電極 25、接地電極26，但也可以是能在水平方向(前後方向)自由地移動，而可調整在前後方向鄰接之電極的間隔。進一步地，各個電極組31、32也可以是配置有在互相分離的狀態下重疊三層以上的電極列(電極部)之構成。另外，於本例中，來自導入口24的處理氣體的放出方向就是於電極部中的各個電極25、26的並排方向，但也能向各個電極25、26的軸向放出處理氣體。

如第4圖所示，高頻電極25是藉由未繪示的配線在處理室14內連接到高頻電源18而被施加高頻電壓，接地電壓26則是接地。另外，真空槽15是接地。如前述，氣體導入部22及電極單元21的側板30，是以兩邊包夾絕緣性的構件的方式，固定於真空槽15，因此並未電性連接到高頻電源18，也未接地。另外，關於支架33及被保持於此的基板11，也是未電性連接到高頻電源18，也未接地。

接下來，針對上述構成的作用進行說明。電漿處理是在控制單元13的控制下，使各個部分動作而實施。首先，在確認處理室14成為常壓後將蓋部15b轉動到開放位置。接下來，將保持在支架33上的已處理好的基板11拉出來並搬出處理室14之外。搬出之後，將須處理的基板11插入支架33並安置於處理室14之中，之後將蓋部15b轉動到封閉位置。此外，處理室14的開閉或基板11的搬入搬出，可以藉由機械手臂等進行而自動化。

使真空泵16動作，排氣到使處理室14內到達預定的真空度為止。到達預定的真空度後，開始來自氣體供給裝 置17的處理氣體的供給，且藉由高頻電源18一併地開始對高頻電極25施加高頻電壓。處理氣體從各個導入口24各自被導入處理室14內。繼而，因為對於高頻電極25施加高頻電壓，而在高頻電極25與接地電極26之間產生的電場，利用此電場，此處理氣體被激發且電漿化。繼而，產生的電漿中的自由基或離子從電極組31、32供給至基板11，並除去附著於基板11的表面上的污染物質。

如上述般地進行基板11的清潔處理，但亦使來自導入口24的處理氣體向電極單元21放出，且導入口24與相反側的排氣口28包夾此電極單元21，並以排氣口28進行排氣。因此，處理氣體從電極單元21的前表面側，通過例如上部電極組31的配置成上下兩層的第一、第二電極部31a、31b之間並向後方流去。另外，來自面對上部電極組31的複數個導入口24的處理氣體，供給至上部電極組31的內部。

藉此，處理氣體可在上部電極組31的內部有效率地電漿化，且可在內部均勻地擴展而產生電漿區域，從此電漿區域可對基板11的上表面的各個部分均勻且充分地供給電漿(自由基或離子)。因此，可藉由電漿均勻地清潔處理基板11的上表面。另外，因為能以充分的電漿進行清潔處理，因此可在短時間內完成電漿處理。由於能在短時間內完成處理，就不容易受到各個電極25、26所產生的熱的影響。而且，與將基板11配置在電漿區域的情形不同，基板11因電漿而生的損傷很小。同樣地，由於下部電極組32的內部也有處理氣體流過而產生電漿，因此也可均勻地在短時間內被清潔處 理基板11的下表面。

如上述般地對基板11進行電漿處理後，停止處理氣體的供給、排氣、及高頻電壓的施加。之後，在處理室14內恢復到常壓後使蓋部15b轉動到開放位置，開放處理室14。繼而，從處理室14取出電漿洗淨後的基板11。

於上述實施例中，是交替並排不同極性的電極，也就是交替並排第一電極(高頻電極)與第二電極(接地電極)而構成各個電極部；但第一電極與第二電極的配置可採用各種方式。示於第5圖、第6圖的各個例示，是以相同種類的複數根的電極來構成電極部，並使電極的種類不同之電極部互相分離配置而構成電極組。

於第5圖之例子中，上部電極組31的接近基板11的第一電極部31a是只由接地電極26並排所構成，以兩邊包夾第一電極部31a的方式來面對基板11之第二電極部31b，是只由高頻電極25並排所構成。同樣地，下部電極組32的第一電極部32a是只由接地電極26並排所構成，以兩邊包夾第一電極部32a的方式來面對基板11之第二電極部32b，是只由高頻電極25並排所構成。於第6圖之例子中，與第5圖之例子相反，第一電極部31a、32a是只由高頻電極25所構成，第二電極部31b、32b是只由接地電極26所構成。

第7圖是表示在第一電極部與第二電極部中將電極的位置錯開而成之電極單元之例子的圖式。於本例中，與第5圖之例子同樣地，第一電極部31a、32a是只由接地電極26所構成，第二電極部31b、32b是只由高頻電極25所構成。 各個電極部31a、31b、32a、32b是以相同的節距(pitch)配置電極。第一電極部31a與第二電極部31b的各個電極，其位置是互相錯開半個電極的配置節距。同樣地，第一電極部32a與第二電極部32b的各個電極，其位置是互相錯開半個電極的配置節距。

第8圖是表示在電極組內的電極部之間將電極的配置錯開而成之電極單元之例子的圖式。於本例中，上部電極組31的第一電極部31a、第二電極部31b都是交替並排高頻電極25與接地電極26，但在第一電極部31a與第二電極部31b之間，高頻電極25與接地電極26的配置錯開一根電極的量。藉此，高頻電極25與接地電極26在上下方向並排。關於下部電極組32的第一電極部32a及第二電極部32b也是相同的。

第9圖是表示來自以兩邊包夾電極組的方式而設置於被處理物的相反側之導入口，隔著電極組向被處理物放出處理氣體之例子的圖式。於本例中，在處理室14的上表面設置上側氣體導入部52，且在下表面設置下側氣體導入部53，更在處理室14的前表面及後表面各自設置排氣口54。各個氣體導入部52、53將來自氣體供給裝置17的處理氣體供給至中空的內部。雖然上部電極組31、下部電極組32的配置是與第6圖所示相同，並不限於此。

在面對於上側氣體導入部52之上部電極組31的下表面52a上，形成有複數個微小的導入口24，複數個導入口24各自以隔著上部電極組31向基板11放出處理氣體的方 式，將處理氣體向下方也就是向對於基板11是垂直的放出方向來放出處理氣體。以將處理氣體均勻地供給至上部電極組31的全體的方式，複數個導入口24分布在面對上部電極組31之下表面52a的區域。

在面對於下側氣體導入部53之下部電極組32的上表面53a上，與上側氣體導入部52的下表面52a同樣地，設置有分布在面對下部電極組32的區域上之複數個微小的導入口24。以隔著下部電極組32向基板11放出處理氣體的方式，這些下側氣體導入部53的各個導入口24向上方也就是對於基板11是垂直的放出方向來放出處理氣體。

依據上述構成，從上側氣體導入部52的導入口24被導入的處理氣體，從上方均勻地供給至上部電極組31的內部，並以高頻電極25與接地電極26之間產生的電場，被激發並電漿化。以微觀的角度來看，產生的電漿藉由來自上側氣體導入部52的處理氣體的氣流，流向基板11的上表面，並沿著此表面朝向排氣口54流動。藉此，可均勻地供給充足的電漿給基板11的上表面，而可均勻且充分地進行清潔處理。

同樣地，從下側氣體導入部53的導入口24被導入的處理氣體，從下方均勻地供給至下部電極組32的內部並產生電漿，電漿藉由來自下側氣體導入部53的處理氣體的氣流流向基板11的下表面，並沿著此表面朝向排氣口54流動。藉此，可均勻地供給充足的電漿給基板11的下表面，而可均勻且充分地進行清潔處理。

此外，於上述例子中，雖然是以高頻電極25來構成 第一電極部31a、32a，並以接地電極26來構成第二電極部31b、32b，但並不以此為限。舉例而言，也可以是如第5圖所示，以接地電極26來構成第一電極部31a、32a，並以高頻電極25來構成第二電極部31b、32b。另外，也可以是如第4圖、第7圖、或第8圖所示般的電極配置。

雖然於上述各個實施形態中，各個電極的形狀是呈圓柱狀，但形狀並不限於此。舉例而言，也可以是如第10圖所示的高頻電極61、接地電極62般的角柱狀，或是長條的板狀。另外，也可以是中空的筒狀。

第11圖是表示藉由使筒狀的電極的中空的內部流有熱介質以控制電極的溫度之例子的圖式。電極65是中空的筒狀，兩端都有開口。將此電極65作為高頻電極、接地電極配置於處理室14時，可藉由未繪式的配管將各個端部連接到溫度控制部67。對於電極65，將作為熱介質的冷卻水從溫度控制部67供給，且通過電極65的內部後再回到溫度控制部67。依據像這樣流回來的冷卻水的溫度，溫度控制部67可調整冷卻水的溫度或流量，以將電極65的溫度維持在預定的範圍並不會變成高溫。藉此，可降低因電極65的高溫而帶給基板等被處理物的影響。

第12圖是表示利用設置有複數個開口之板狀的電極之例子的圖式。於本例中，作為第一電極部的內側電極板71及作為第二電極部的外側電極板72的任一個，都是藉由在導電性的板材上形成有多數個矩形的開口而呈格子狀。內側電極板71在面對基板11的被處理面的位置上，以與基板11 平行的樣態配置。以兩邊包夾內側電極板71的方式，外側電極板72設置於面對基板11的被處理面的位置上，且以與基板11平行的樣態配置。內側電極板71被配置成與基板11分離，外側電極板72被配置成與內側電極板71分離。在這種情形下，處理氣體的放出方向可以是與基板11平行的方向、或是與基板11垂直的方向都可。此外，也可以使各個電極板71、72為中空，並如第11圖之例子般地流通冷卻水來控制各個電極板71、72的溫度。

雖然上述的各個電極板71、72形成有矩形的開口，但並不限於此，開口也可以是圓形或三角形等各種形狀。另外，也沒有必要有規則地形成開口，而可是隨機地形成。作為格子狀，可以是如第13圖所示的電極板73、74般的網眼狀，各個電極板的開口的大小或網眼的整齊程度也可以不同。

此外，當向與基板平行的方向也就是向與各個電極板平行的方向放出處理氣體時，也可以是在外側電極板上不設置開口之構成。另外，作為配置在板狀的外側電極板與基板之間的第一電極部，也可利用上述各個實施形態般的配置有複數個棒狀的電極之電極列來取代內側電極板。此外，當被處理物的被處理面呈彎曲形狀時，也可使電極板依此被處理面的彎曲形狀而彎曲。

第14圖是表示在處理室內設置用以限制處理氣體的流路之流路控制構件之例子。於本例中，作為流路控制構件設置有一對流路控制板78。上部電極組31側的流路控制板78配置在接近此上部電極組31的上方，並從氣體導入部22 側向排氣口28側延伸。另外，下部電極組32側的流路控制板78配置在接近此下部電極組32的下方，並從氣體導入部22側向排氣口28側延伸。這一對的流路控制板78在氣體導入口22側的端部於上下方向擴開。這樣配置的流路控制板78限制處理氣體的流路，以使從氣體導入部22放出的處理氣體流到電極單元21內，且使流入電極單元21內的處理氣體不向外部流出，而在電極單元21內形成一致的氣流。也就是說，藉由這些流路控制板78，可防止發生從各個導入口24直接通過電極單元21的上方及下方而流向排氣口28之氣流，而可更有效率且確實地供給處理氣體至電極單元21。

雖然於上述的第14圖中，來自導入口的處理氣體的放出方向是在電極部中的電極的排列方向，但也可如第15圖所示般，利用在隔著電極組31、32將來自導入口的處理氣體向基板11放出的情形。於此第15圖之例子中，於上側氣體導入部52及下側氣體導入部53各自設有一對流路控制板79，可使處理氣體不流到電極單元21與處理室14的前表面之間以及電極單元21與處理室14的後表面之間，而可有效率且確實地使處理氣體在電極單元21內流動。

此外，當在電極單元21的各個側面與處理室14之間有處理氣體會流過的空隙時，也可設置流路控制板以使處理氣體不流過此空隙。另外，當處理室14與電極單元21的上表面、下表面、各個側面之間個別有空隙等時，可個別對應設置流路控制板，也可使用將這些流路控制板一體化之筒狀流路控制構件。

雖然於上述各實施形態中，已針對將一片基板的兩面進行電漿處理的情形加以說明，但在須供給電漿的表面僅為一面的情形下，可例如像第16圖所示般，同時地電漿處理兩片基板11。也就是說，如第16圖之例子般，以使兩片基板11的不進行處理的表面互相面對，並使須供給電漿的各個表面各自朝向外側的樣態重合之狀態，利用支架33保持兩片基板11並處理。此外，在這種情形下，例如可將溝34a的寬度設為兩片基板份的厚度以上，以使支架33可同時支持重合的基板11。

另外，如第17圖所示，也能以使小尺寸的複數個基板81不互相重疊的方式，並以使這些基板81的需供給基板的表面各自朝向電極組31、32的樣態保持於支架33，而對這些基板81同時進行電漿處理。當各個基板81的須供給電漿的表面僅有一面時，也可如第16圖之示般，使不需進行處理的表面互相面對之兩片基板81作為一組，並以支架33保持複數組。

第18圖是表示當須供給電漿的表面僅有一面時，以兩邊包夾電極組且使須供給電漿的表面互相面對的方式來配置兩個被處理物之例子的圖式。於本例中，在處理室14內設置具有電極組84之電極單元。電極組84是以第一~第三電極部84a~84c所構成。第一電極部84a僅以高頻電極25構成，第二電極部84b、第三電極部84c各自僅以接地電極26構成。第一~第三電極部84a~84c的電極的方向等，是與最初的實施形態相同。在第一電極部84a的上側，隔著適當的 間隔配置有第二電極部84b，而在第一電極部84a的下側，隔著適當的間隔配置有第三電極部84c。此外，也可以是僅以接地電極26來構成第一電極部84a，且僅以高頻電極25來構成第二、第三電極部84b、84c。

以兩邊包夾如上述般配置的電極組84的方式，設置有一對支架85。各個支架85例如可以是與最初的實施形態的支架33相同構造，由各自設有溝86a之一對軌構件86所構成。以使被處理面面向電極組84的方向，在各個支架85上各設置一片基板11。也就是說，一邊的基板11是以將須供給電漿的面朝下的態樣隔著適當的間隔設置於第二電極部84b的上方，另一邊的基板11是以將須供給電漿的面朝上的態樣隔著適當的間隔設置於第三電極部84c的下方。若依據這樣的構成，能以一個電極組84同時電漿處理兩片基板11的各一個表面。

雖然於上述第18圖之例子中，為了使對於兩片基板的處理速度相同，而使電極組的電極列(電極部)成為三列且對稱配置，但也可利用與第4圖或第8圖相同的配置的電極組。於上述第16圖到第18圖之例子中，作為須供給電漿的面，其可本身就是被處理面，也可以是最先須供給電漿的面。

第19圖是表示將上部電極組及下部電極組作為個別的單元來構成之例子之圖式。除了以下說明之外，與第9圖所示之例子相同，對於實質上相同的構成給予相同的標號並省略說明。此外，電極的配置或處理氣體的導入方向等也 可以是如其他例示進行。

真空槽91是兩分割成上下兩部分的箱狀，由真空槽上部91a及真空槽下部91b所構成。以安裝在真空槽上部91a的後表面下部及在真空槽下部91b的後表面上部之樞紐(hinge)為中心，真空槽上部91a可如圖式般地在開放處理室的開放位置與氣密地封閉處理室的封閉位置之間自由轉動。藉由油壓缸92，真空槽上部91a在開放位置與封閉位置之間移動。此外，不限於油壓缸92，可利用各種的致動器(actuator)來控制真空槽91的開閉。

於真空槽上部91a內，安裝有上部電極單元93。此上部電極單元93具備：構成上部電極組31的第一電極部31a與第二電極部31b；以及安裝有這些電極部31a、31b的各個電極25、26之一對側板94。各個電極25、26的端部隔著軸套35個別安裝在已形成於側板94的U字型的安裝溝94a中。於本例中，各個電極25、26個別設置於U字型的安裝溝94a。也就是說，對於第一電極部31a的各個電極25形成有從側板94的下方切割而成的安裝溝94a；對於第二電極部32a的各個電極26形成有從側板94的上方切割而成的安裝溝94a，且電極25、26可以一根一根獨立地拆除。

於各個側板94的前端部及後端部，形成有在上下方向延伸的安裝溝94b。於真空槽上部91a的四角，各自設置有托架95，各個托架95上鎖固有螺絲96。螺絲96穿過各個安裝溝94b。藉此，上部電極單元93於封閉位置的狀態可在上下方向移動自如，也就是可在靠近及遠離保持在真空槽下部 91b的上部之基板11之方向移動自如。藉由鬆開螺絲96，可使上部電極單元93沿著安裝溝94b在上下方向移動，並可藉由在任意的位置鎖緊螺絲以固定上部電極單元93。藉此，可調整基板11的上表面與上部電極組31之間的間隔。

於真空槽下部91b內，安裝有與上部電極單元93相同構成的下部電極單元97。也就是說，下部電極單元97具備構成下部電極組32的第一電極部32a與第二電極部32b、以及一對側板94，該一對側板94安裝有構成這些電極部32a、32b的各個電極25、26。下部電極單元97藉由鎖固於4根托架98之螺絲96被固定，而使下部電極單元97可在上下方向移動並固定於任意的位置，其中這4根托架98設置於真空槽下部91b的四角。藉此，可調整基板11的下表面與下部電極組32之間的間隔。

於真空槽上部91a的內側的上表面，設置有上側氣體導入部52；從上側氣體導入部52的各個導入口24，隔著上部電極單元93向基板11的上表面放出處理氣體。另外，於真空槽下部91b的內側的下表面，設置有下側氣體導入部53；從下側氣體導入部53的各個導入口24，隔著下部電極單元97向基板11的下表面放出處理氣體。

於各個托架98的上端部形成用以承載基板11之承載面98a。將須處理的基板11的四角置於承載面98a並進行電漿處理。於面對基板11的前端中心之真空槽91的前表面及於面對後端中心之真空槽91的後表面的各個部分，各自設置有排氣口54，其中基板11承載於承載面98a。

依據本例，針對各個電極單元93、97，可各自地使各個電極25、26移動而調整上下方下的電極間隔。另外，藉由使各個電極單元93、97各自一體化並在上下方向移動，可調整上部電極組31與基板11的上表面之間的間隔，以及調整下部電極組32與基板11的下表面之間的間隔。當進行電漿處理時，將基板11的四角放置並保持於承載面98a之後，使真空槽上部91a處於封閉位置，並與上述各個實施形態同樣地進行電漿處理。

第20圖是表示只將被處理物的表面的其中一面面向電極組設置之例子的圖式。於本例中，只設置對應基板11的上表面之上部電極組31，並只電漿處理基板11的上表面。此外，於本例中，除了沒有下部電極組以外，其餘部分與第5圖所示之例子相同，對於實質上相同的構成給予相同的標號並省略說明。另外，雖然於本例中只有面對基板的上表面設置上部電極組，但也可作成只有面對被處理物的須處理的一個表面設置電極組之構成。另外，處理氣體的導入方向並不限於是圖示的方向，也可以是隔著電極組向被處理物放出處理氣體。

於上述各個實施形態，雖然可將極性不同的電極之中的一種電極接地並作為接地電極，但也可如第21圖所示之例子般，採用不將連接到高頻電源18之極性不同的各個電極25、26接地的這種連接方式。於本構成，各個電極25、26是電性絕緣於接地的真空槽15。

第22圖是表示將處理室的內壁面作為接地電極之 例子。除了以下說明之外，與第19圖所示之例子相同，對於實質上相同的構成給予相同的標號並省略說明。

真空槽101是上下分割成兩部分的薄箱狀，由真空槽上部101a及真空槽下部101b所構成。真空槽上部101a能以設置於後部的樞紐102為中心，在開放處理室14之開放位置與如圖示般將處理室14氣密地封閉之封閉位置之間自由轉動；藉由致動器(未繪示)，可在開放位置與封閉位置之間移動。

在真空槽上部101a內設置有上部電極單元106，並在真空槽下部101b內設置有下部電極單元107。上部電極單元106具備上部電極部106a、及保持此上部電極部106a的各個高頻電極25的兩端部之一對側板108。關於下部電極單元107也與上部電極單元106相同，具備下部電極部107a及一對側板，且下部電極部107a的複數個高頻電極25保持於一對側板108之間。上部電極部106a的高頻電極25及下部電極部107a的高頻電極25，是互相平行且分離配置。高頻電極25例如可以成為正電極(陽極)。此外，於第22圖中，僅繪示內側的側板108。

上部電極單元106的各個側板108的前端及後端，固定於複數個托架110，而這些托架110是各自設置於真空槽上部101a的四角。下部電極單元107的各個側板108的前端及後端，固定於複數個托架111，而這些托架111是各自設置於真空槽下部101b的四角。於各個托架111的上端部設置有承載面111a。藉由將須處理的基板11的四角置於各個承載面 111a，可使基板11以基板11的上表面面向上部電極部106a，且基板11的下表面面向下部電極部107a之水平的樣態收容於處理室14。

在將真空槽上部101a置於封閉位置的狀態下，可調整上部電極部106a的各個高頻電極25在安裝溝108a內的安裝位置，以並列於水平方向。藉此，上部電極部106a及這些高頻電極25，可平行地配置於已水平地置於處理室14內之基板11的上表面；下部電極部107a及這些高頻電極25，可平行地配置於基板11的下表面。

處理室14的內壁面之中，以兩邊包夾上部電極部106a的方式被配置於基板11的相反側之頂面114，是與上部電極部106a平行的平面狀；上部電極部106a的各個高頻電極25與頂面114之間的間隔是固定的。同樣地，處理室14的內壁面之中，以兩邊包夾下部電極部107a的方式被配置於基板11的相反側之底面115，是與下部電極部107a平行的平面狀，且下部電極部107a的各個高頻電極25與底面115之間的間隔是固定的。

真空槽上部101a及真空槽下部101b是以具有導電性的材料所作成且接地。藉此，對應於上部電極部106a的各個高頻電極25，頂面114可作為接地電極來發揮作用；且對應於下部電極部107a的各個高頻電極25，底面115可作為接地電極來發揮作用。以像這樣將真空槽101的內壁面作為接地電極的構成，可減少構件的個數，而有利於電漿處理裝置的薄型化及小型化。

於本例中，頂面114、底面115各自為第二電極部，且以上部電極部106a及頂面114來構成上部電極組，以下部電極部107a及底面115來構成上部電極組。另外，雖然真空槽101的全體都以具有導電性的材料所作成，但若只是要產生電漿，也可以只有頂面114、底面115具有導電性。

於真空槽上部101a的前表面內側設置有上部氣體導入部117，且於真空槽下部101b的前表面內側設置有下部氣體導入部118。上部氣體導入部117朝向上部電極部106a，在高頻電極25的並列方向從複數個導入口24放出處理氣體；下部氣體導入部118朝向下部電極部107a，在高頻電極25的並列方向從複數個導入口24放出處理氣體。在以兩邊包夾上部電極部106a(亦即由導入口24與後述的排氣口54包夾)且面對上部氣體導入部117的位置上，於本例中就是在真空槽上部101a的後表面上，設置有排氣口54；同樣地，在以兩邊包夾下部電極部107a(亦即由導入口24與後述的排氣口54包夾)且面對下部氣體導入部118之真空槽下部101b的後表面上，設置有排氣口54。藉此，可使處理氣體流過各個電極部106a、107a的周圍，而使處理氣體有效率地電漿化，而且還可產生均勻地擴展之電漿區域。

高頻電極25、側板108、托架110和111、氣體導入部117和118，各自都與真空槽101電性絕緣，且彼此之間也都是電性絕緣。

依據本例，若從高頻電源18對各個高頻電極25施加高頻電壓，以將頂面114、底面115作為接地電極而產生的 電場會激發電漿氣體而電漿化。繼而，產生的電漿中的自由基或離子會被供給至基板11，並去除附著於基板11的表面的污染物質。

此外，雖然於上述例子中是以向電極的並列方向放出處理氣體的方式設置氣體導入部117、118，但是也能以向高頻電極25的軸向放出處理氣體的方式設置。在這種情形下，有必要保持各個高頻電極25，以免阻礙從氣體導入部放出的處理氣體的氣流。另外，雖然於上述之例子中，作為第二電極部的電極之頂面114、底面115是當作是接地電極，但也可如第23圖所示般，是採用包含高頻電極25也不接地的連接方式。進一步地，可如第12圖所示之內側電極板71般，利用形成有多數個矩形開口之板材來作為第一電極部。

11‧‧‧基板

21‧‧‧電極單元

25‧‧‧高頻電極

26‧‧‧接地電極

30‧‧‧側板

31、32‧‧‧電極組

31a、31b、32a、32b‧‧‧電極部

33‧‧‧支架

34‧‧‧軌構件

34a‧‧‧溝

35‧‧‧軸套

35a‧‧‧凸緣

36‧‧‧安裝溝

37‧‧‧螺絲

Claims (21)

1. 一種電漿處理裝置，用以將被處理物容置於處理室內，由導入至真空的前述處理室內的處理氣體產生電漿，並藉由該電漿對前述被處理物進行處理，該電漿處理裝置具備：導入口，用以將處理氣體導入前述處理室內；電源，用以輸出電漿產生用的高頻電壓；及，電極組，具有第一電極部和第二電極部，其中該第一電極部中配置有以預定間隔相互平行排列的複數個棒狀電極，且該第一電極部配置成面對且分離於被處理物，該第二電極部配置成以兩邊包夾前述第一電極部的方式面對前述被處理物且分離於前述第一電極部，並且，前述電極組用以藉由來自前述電源的高頻電壓激發處理氣體而產生電漿。
2. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中，前述第二電極部的複數個棒狀電極，以預定的間隔互相平行地配置；前述第一電極部和第二電極部的各個電極配置成平行於前述被處理物的表面。
3. 如請求項2所述之電漿處理裝置，其中，前述導入口以兩邊包夾前述電極組的方式設置在前述被處理物的相反側，且隔著前述電極組向被前述處理物放出處理氣體。
4. 如請求項2所述之電漿處理裝置，其中，具備用以進行前述處理室內的排氣之排氣口，該排氣口以兩邊包夾前述被處 理物的方式設置於面對前述導入口的位置；前述導入口是朝向前述電極組，向前述第一電極部和第二電極部中的電極的排列方向或電極的軸向放出處理氣體。
5. 如請求項2至4中任一項所述之電漿處理裝置，其中，前述第一電極部和第二電極部，是由各自不同極性的電極交替並排而成。
6. 如請求項2至4中任一項所述之電漿處理裝置，其中，前述第一電極部是由不同極性中的其中一種極性之電極並排而成，前述第二電極部是由另一種極性之電極並排而成。
7. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中，前述第二電極部是前述處理室的內壁面；前述電極組是將前述第一電極部的各個電極與前述內壁面作為不同極性的各個電極，並被施加來自前述電源的高頻電壓而使電漿產生。
8. 如請求項7所述之電漿處理裝置，其中，前述第一電極部的各個電極和前述內壁面是平行於前述被處理物的表面。
9. 如請求項7所述之電漿處理裝置，其中，具備用以進行前述處理室內的排氣之排氣口； 前述導入口是朝向前述第一電極部，且向前述第一電極部的電極的排列方向或電極的軸向放出處理氣體；前述排氣口是以兩邊包夾前述第一電極部的方式設置於面對前述導入口的位置。
10. 如請求項1至4或請求項7至9中任一項所述之電漿處理裝置，其中，前述電極組是各自設置於以兩邊包夾被處理物的位置。
11. 如請求項1至4或請求項7至9中任一項所述之電漿處理裝置，其中，前述電極組僅設置在面對被處理物的一面的位置。
12. 如請求項1至4或請求項7至9中任一項所述之電漿處理裝置，其中，具有支架，該支架用以將一對的前述被處理物的表面保持在以各自朝向外側的樣態重合之狀態，前述電極組設置成各自面對前述支架所保持的前述一對被處理物的各表面。
13. 如請求項1至4或請求項7至9中任一項所述之電漿處理裝置，其中，具有支架，該支架用以使前述被處理物的表面以各自朝向前述電極組的樣態保持複數個前述被處理物。
14. 如請求項1至4或請求項7至9中任一項所述之電漿處 理裝置，其中，具備有流路控制構件，該流路控制構件設置於前述處理室內，用以限制由前述導入口放出的處理氣體，而使前述處理氣體通過前述電極組和前述處理室之間且流向排氣口側。
15. 一種電漿處理方法，用以將被處理物容置於處理室內，並藉由在真空的前述處理室內所產生的電漿對前述被處理物進行處理，該電漿處理方法具有以下步驟：導入步驟，將處理氣體導入前述處理室內；產生步驟，利用電極組激發處理氣體而產生電漿，其中該電極組具有第一電極部和第二電極部，該第一電極部中配置有以預定間隔相互平行排列的複數個棒狀電極，且該第一電極部配置成面對且分離於前述被處理物，前述第二電極部以兩邊包夾前述第一電極部的方式配置成面對前述被處理物且分離於前述第一電極部；及，處理步驟，以該產生的電漿處理前述被處理物。
16. 如請求項15所述之電漿處理方法，其中，前述第二電極部中配置有以預定的間隔互相平行地配置的複數個棒狀電極，前述第一電極部和第二電極部的各個電極配置成平行於前述被處理物的表面。
17. 如請求項16所述之電漿處理方法，其中，前述導入步驟是從導入口向前述電極組放出處理氣體，且該導入口以兩邊 包夾前述電極組的方式設置在前述被處理物的相反側。
18. 如請求項15所述之電漿處理方法，其中，前述第二電極部是前述處理室的內壁面；前述產生步驟是將前述第一電極部的各個電極與前述內壁面作為不同極性的各個電極，並施加來自電源的高頻電壓而使電漿產生。
19. 如請求項18所述之電漿處理方法，其中，前述第一電極部的各個電極與前述內壁面是平行於前述被處理物的表面。
20. 如請求項18所述之電漿處理方法，其中，具有排出步驟，在產生電漿的期間進行前述處理室的換氣；前述導入步驟是從導入口朝向前述第一電極部且向前述第一電極部的電極的排列方向或電極的軸向放出處理氣體；前述排氣步驟是從排氣口排氣，該排氣口以兩邊包夾前述第一電極部的方式設置於面對前述導入口的位置。
21. 如請求項15至20任一項所述之電漿處理方法，其中，前述產生步驟是利用前述電極組使電漿產生，該電極組是各自設置於以兩邊包夾前述被處理物的位置；前述處理步驟是利用前述電極組所產生的電漿來處理被處理物。