JP4549735B2 - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
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Description
チャンバは、基本的に密封構造に構成されており、図示しない扉の開閉により被処理物の配設・搬出が行なわれる。電極A・Bは対構造であり、プラズマ処理すべき被処理物を挟んだ対向位置に配設されており、プラズマ処理すべき被処理物は、第3の電極Cが接続される基板の上に1個ずつ載置される構造である。被処理物の配設が完了して扉が閉鎖されると、図示しない真空ポンプが作動されてチャンバ内のガスが排出され、次いで、プロセスガスの供給が行なわれ、電極A・B・Cに高周波電力が印加されると、電極からの放電によりプラズマ化されたプロセスガスが被処理物の表面に接触することでプラズマ処理が行われることになる。
図14に示した参考例の装置では、被処理物を配設する基板(台)が一方の電極Cに載置されており、この電極Cから所定の間隔をおいて配置されている電極Aと電極Bとの間での放電によりプラズマが発生される構成である。このような電極構造の装置では、プラズマの発生効率が低いので、処理時間が長くかかるだけでなく、処理性能にも不満が残されている。このため、プラズマの発生効率のよい電極の構造や、該電極への電力圧印手段(方式)が望まれている。
1.複数の被処理物を間隔をあけてマガジンに収納してチャンバに配設し、該チャンバ内におけるマガジンの両側面に異なる周波数帯域の高周波電力が印加される対構造の電極が対面構造で配置され、更に、該チャンバの前記両電極の外側には該電極方向に向かってガスを供給するガス供給口が少なくとも2箇所設けられ、該チャンバのほぼ中央2方向には、ガス排出調整口が少なくとも2箇所設けられ、前記電極でプラズマ化されたガスが被処理物の両側面方向から供給されて、次いで、該ガス供給方向の両側面方向にガス流を作ることで、被処理物の表面及び裏面の両面に対する均一なガス流の下でプラズマ処理が行われるプラズマ処理方法であって、前記マガシンは、全体形状が無底のボックスタイプに形成されており、互いに向かい合う側面部の少なくとも1つの組の面の夫々に、複数のハンガー部が多数連接されており、該ハンガー部とハンガー部との中間部が透孔となるようにスリットを設けると共に、他方の組の面を解放状態としてある構成であり、該マガジンの夫々のハンガー部に被処理物を懸架させることで複数の被処理物を間隔をあけて該マガジンに積層状態に収納して前記チャンバに配設し、該チャンバ内に配置される前記マガジンのハンガー部と前記スリットが設けられる面である両側面に前記異なる周波数帯域の高周波電力が印加される対構造の電極が対面構造で配置され、更に、該チャンバの前記両電極の外側には該電極方向に向かってガスを供給する前記ガス供給口が少なくとも2箇所設けられており、該チャンバの上方及び下方には、前記ガス排出調整口が少なくとも2箇所設けられ、前記ガス供給口から供給されたガスが、前記電極でプラズマ化され、前記マガジン内で積層状態にある被処理物と被処理物との間の隙間を通して流れ、中央の付近で左右の流れが合流して側方に流れを変えながら、前記ガス排出調整口から排出されるガス流を作ることで、被処理物の表面及び裏面の両面に対する均一なガス流の下でプラズマ処理が行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
先ず、図1に従って、本発明に係るプラズマ処理装置の全体を概説する。本体装置100は、後に説明する構成のチャンバ110を備えており、このチャンバ110の扉120を開くことにより、多数枚の被処理物が収納されているマガジン130の搬入・搬出が可能である。また、好ましい態様では、本体装置100の前面部には、装置を操作するための操作パネル140が配置されている。
被処理物10には、そのサイズや外形形状に非常に多くの種類があり、従って、チャンバ30内に配設する姿勢によっては、1度に処理できる個数が限定を受け、著しい処理効率の低下が避けられないことになる。殊に、被処理物10のチャンバ30への配設・搬出を1枚1枚行うことは、極めて非効率である。
図4、図5に従ってマガジン20を詳細に説明する。
図4に示すマガジン20は、無底のボックスタイプの実施例であり、内壁の両側面には
被処理物10を懸架するためのハンガー部21が多段に連設されており、壁面には、ハンガー部21とハンガー部21との中間部が透孔となるように、スリット22が形成されている。
図5の5−1に示したマガジン20の姿勢では、被処理物10は平らに積層された状態であるので、A1・A1及びA2・A2の方向からのガス流が可能であり、従って、後述するように、A1・A1及びA2・A2の側に電極が配置されることになる。
図2に示した電極40・50と電極41・51とは、電極ユニットを形成しており、ガスの流れる方向に、対面に配置される構成である。
従来の装置のマガジンでは、被処理物10の種類により様々な形状寸法で製造されており、プラズマ処理する際に、電極からマガジンまでの距離が離れすぎて効果が薄れる場合があるが、電極位置をアジャストできる構造とすることにより、どのような形状寸法のマガジン10でも利用が可能となる。
尚、ガス導入板60は、電極70と共に、可動である構成としてもよいが、図11に示すように、ガス導入板60はチャンバ30の特定位置に固定である構成であることが好ましい。
図2に従って説明したように、本発明では、真空排出口を目的別に数箇所設けており、例えば、チャンバ30を大気圧から真空にする場合は、チャンバ30の背面に設けられている排出口35から排気し、また、チャンバ30の天地に微調整用のガス排出調整口33と34とを設ける。尚、上下左右不均一に配置してもよい。
A:.マガジン(被処理物)の配設について
被処理物10は、自動操作或いは手作業により、マガジン20内に収納されて待機状態に置かれ、順次1つのマガジン20毎にチャンバ110へと配設される。尚、当然のことながら、洗浄装置100が、複数のマガジン20を収納して同時に洗浄を行なう構成とすることもできる。このような構成では、洗浄装置100は複数のチャンバ110を持つこともできる。
扉120の閉鎖によりチャンバ110が密閉空間となると、真空ポンプ300が稼動されて、チャンバ110内のガスの排出が行なわれ、真空状態となる。
プラズマ処理工程では、先ず、ガスボンベ400に用意されているプロセスガス、例えば酸素ガスがチャンバ110内に供給され、次いで、電源装置200の稼動により、電極40・41と電源50・51の夫々に電圧の印加が行なわれる。酸素ガスによる処理は、プラズマ化された酸素ガスにより被処理物10の表面を化学反応により処理するものであり、被処理物10の表面は親水化される。プロセスガスとしてアルゴンガスの供給が行なわれる処理では、被処理物10の表面に形成された酸化膜などの無機物をスパッタ効果により除去するものである。
プラズマ処理工程が所定時間経過したら、電極への高周波電力の印加が停止され、真空ポンプ300が停止されると共に、ガスボンベ402に用意されているパージガス、例えば窒素ガスの供給が行なわれ、大気圧に復帰する。
チャンバ110内を大気圧に復帰させた段階で扉120を開き、洗浄済みの被処理物10はマガジン20ごとチャンバ110から排出され、一連の処理工程は終了となる。
利用した装置:図1、図2に示した装置を利用した。
利用した処理ガス:アルゴンガス
ガス供給速度:10/ml/min
チャンバ内圧力:5Pa
電力:13.56MHz、200W
40KHz、600W
処理時間:5分
被処理物のサイズ及び量:20段構成の各段(棚)に縦180mm×横40mm
×厚み0.5mmのBGA基板(部品5〜6程度から構成)
を1枚宛、収納した。
利用した装置:図1、図2に示した装置を利用した。
利用した処理ガス:アルゴンガスと酸素ガスの混合
ガス供給速度:アルゴンガス 50ml/min
酸素ガス 100ml/min
チャンバ内圧力:130Pa
電力:13.56MHz、100W
40KHz、300W
処理時間:3分
被処理物のサイズ及び量:20段構成の各段(棚)に縦180mm×横15mm
×厚み0.5mmのリードフレーム(部品30個程度から構
成)を1枚宛、収納した。
20−マガジン
21−ハンガー部
22−スリット
30−チャンバ
31−ガス供給口(孔)
32−ガス供給口(孔)
33−ガス排出調整口(孔)
34−ガス排出調整口(孔)
35−真空吸引用排出口(孔)
40−電極
41−電極
45−フレーム
46−フレーム
50−電極
51−電極
60−ガス導入板
61−中空の箱体
62−開孔
70−電極
71−基台
72−レール
100−装置本体
110−チャンバ
120−扉
130−マガジン
140−操作パネル
200−電源装置
300−真空ポンプ
400−ボンベ
401−ボンベ
402−ボンベ
Claims (8)
- 複数の被処理物を間隔をあけてマガジンに収納してチャンバに配設し、該チャンバ内におけるマガジンの両側面に異なる周波数帯域の高周波電力が印加される対構造の電極が対面構造で配置され、更に、該チャンバの前記両電極の外側には該電極方向に向かってガスを供給するガス供給口が少なくとも2箇所設けられ、該チャンバのほぼ中央2方向には、ガス排出調整口が少なくとも2箇所設けられ、前記電極でプラズマ化されたガスが被処理物の両側面方向から供給されて、次いで、該ガス供給方向の両側面方向にガス流を作ることで、被処理物の表面及び裏面の両面に対する均一なガス流の下でプラズマ処理が行われるプラズマ処理方法であって、前記マガシンは、全体形状が無底のボックスタイプに形成されており、互いに向かい合う側面部の少なくとも1つの組の面の夫々に、複数のハンガー部が多数連接されており、該ハンガー部とハンガー部との中間部が透孔となるようにスリットを設けると共に、他方の組の面を解放状態としてある構成であり、該マガジンの夫々のハンガー部に被処理物を懸架させることで複数の被処理物を間隔をあけて該マガジンに積層状態に収納して前記チャンバに配設し、該チャンバ内に配置される前記マガジンのハンガー部と前記スリットが設けられる面である両側面に前記異なる周波数帯域の高周波電力が印加される対構造の電極が対面構造で配置され、更に、該チャンバの前記両電極の外側には該電極方向に向かってガスを供給する前記ガス供給口が少なくとも2箇所設けられており、該チャンバの上方及び下方には、前記ガス排出調整口が少なくとも2箇所設けられ、前記ガス供給口から供給されたガスが、前記電極でプラズマ化され、前記マガジン内で積層状態にある被処理物と被処理物との間の隙間を通して流れ、中央の付近で左右の流れが合流して側方に流れを変えながら、前記ガス排出調整口から排出されるガス流を作ることで、被処理物の表面及び裏面の両面に対する均一なガス流の下でプラズマ処理が行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 対面構造で配置される電極に対し、多数の透孔が設けられているガス導入板を介してガスが供給される構成であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 対構造の電極が太さの異なる細線を同一平面上で交互に並設させた構成であることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。
- マガジンの大きさに対応して電極の位置を変更する電極位置アジャスト機構を有し、該アジャスト機構が、電極に基台を設けると共に該基台がレールに沿って移行でき、該電極とマガジン内で積層状態にある被処理物との距離を調整できる構成であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
- 複数の被処理物を間隔をあけてマガジンに収納してチャンバに配設する被処理物配設手段と、該チャンバ内におけるマガジンの両側面に異なる周波数帯域の高周波電力が印加される対構造の電極が対面構造で配置されるプラズマ発生手段と、更に、該チャンバの前記両電極の外側には該電極方向に向かってガスを供給するガス供給口が少なくとも2箇所設けられ、該チャンバのほぼ中央2方向には、ガス排出調整口が少なくとも2箇所設けられ、前記電極でプラズマ化されたガスが被処理物の両側面方向から供給されて、次いで、該ガス供給方向の両側面方向にガス流が行われるガス流通手段とを有しており、被処理物の表面及び裏面の両面に対する均一なガス流の下でプラズマ処理が行われる構成であるプラズマ処理装置であって、前記マガジンは、全体形状が無底のボックスタイプに形成されており、互いに向かい合う側面部の少なくとも1つの組の面の夫々に、複数のハンガー部が多数連接されており、該ハンガー部とハンガー部との中間部が透孔となるようにスリットを設けると共に、他方の組の面を解放状態としてある構成であり、該マガジンの夫々のハンガー部に被処理物を懸架させることで複数の被処理物を間隔をあけて該マガジンに積層状態に収納して前記チャンバに配設し、該チャンバ内に配置される前記マガジンのハンガー部と前記スリットが設けられる面である両側面に前記異なる周波数帯域の高周波電力が印加される対構造の電極が対面構造で配置され、更に、該チャンバの前記両電極の外側には該電極方向に向かってガスを供給する前記ガス供給口が少なくとも2箇所設けられており、該チャンバの上方及び下方には、前記ガス排出調整口が少なくとも2箇所設けられ、前記ガス供給口から供給されたガスが、前記電極でプラズマ化され、前記マガジン内で積層状態にある被処理物と被処理物との間の隙間を通して流れ、中央の付近で左右の流れが合流して側方に流れを変えながら、前記ガス排出調整口から排出されるガス流を作ることで、被処理物の表面及び裏面の両面に対する均一なガス流の下でプラズマ処理が行われる構成であることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 対面構造で配置される電極に対し、多数の透孔が設けられているガス導入板を介してガスが供給される構成であることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 対構造の電極が太さの異なる細線を同一平面上で交互に並設させた構成であることを特徴とする請求項5又は6に記載のプラズマ処理装置。
- マガジンの大きさに対応して電極の位置を変更する電極位置アジャスト機構を有し、該アジャスト機構が、電極に基台を設けると共に該基台がレールに沿って移行でき、該電極とマガジン内で積層状態にある被処理物との距離を調整できる構成であることを特徴とする請求項5〜7のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
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JP4925843B2 (ja) * | 2007-01-30 | 2012-05-09 | 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ | プラズマ洗浄装置 |
WO2014030224A1 (ja) * | 2012-08-22 | 2014-02-27 | 株式会社Jcu | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2014064779A1 (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-01 | 株式会社Jcu | プラズマ処理装置及び方法 |
JP7178020B2 (ja) | 2018-03-23 | 2022-11-25 | 株式会社小松精機工作所 | 金属薄板の表面清浄化方法及び接合方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04288818A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-13 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JPH0831596A (ja) * | 1994-07-21 | 1996-02-02 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
JP2001271169A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | フォーク型電極を有するプラズマ化学蒸着装置 |
JP2003209212A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Mori Engineering:Kk | マガジン方式プラズマクリーニングシステム |
-
2004
- 2004-05-21 JP JP2004151651A patent/JP4549735B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04288818A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-13 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JPH0831596A (ja) * | 1994-07-21 | 1996-02-02 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
JP2001271169A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | フォーク型電極を有するプラズマ化学蒸着装置 |
JP2003209212A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Mori Engineering:Kk | マガジン方式プラズマクリーニングシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP2005329353A (ja) | 2005-12-02 |
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