JP6969373B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6969373B2 JP6969373B2 JP2017253365A JP2017253365A JP6969373B2 JP 6969373 B2 JP6969373 B2 JP 6969373B2 JP 2017253365 A JP2017253365 A JP 2017253365A JP 2017253365 A JP2017253365 A JP 2017253365A JP 6969373 B2 JP6969373 B2 JP 6969373B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- work
- peripheral edge
- plasma processing
- mold
- edge portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
[形態1]
本開示の一形態によれば、導電性を有する板状かつ金属製のワークにプラズマ処理を行うプラズマ処理装置が提供される。このプラズマ処理装置は、真空容器であって、前記ワークの上面側の処理対象部分が配置される第1窪み部と、前記第1窪み部の外側に前記第1窪み部から連続的に設けられた第1周縁部と、を備える第1の型と、前記第1の型に対向して配置され、前記ワークの下面側の前記処理対象部分が配置される第2窪み部と、前記第2窪み部の外側に前記第2窪み部から連続的に設けられた第2周縁部と、を備える第2の型と、を有する真空容器と、前記処理対象部分において開口する開口部と、前記開口部を画定する平面部と、を有し、少なくとも一部が前記第1周縁部と前記第2周縁部との間に配置される導電性の支持部材であって、前記ワークの前記処理対象部分の外周に位置する非処理対象部分に接触して前記ワークを支持する、支持部材と、前記支持部材と前記真空容器との間に電圧を印加する電圧印加部と、を備える。前記平面部には、前記第1窪み部側を向いた傾斜面を有する凸部が設けられている。
この形態によれば、プラズマ処理時にワークが面方向に伸びて変形した場合であっても、支持部材の傾斜面においてワークと支持部材とが接触するため、支持部材を介してワークに電圧を印加することができる。その結果、ワークが変形した場合における成膜密度又はエッチング密度の低下を抑制することができる。
A1.装置構成
図1は、プラズマ処理装置200の構成を示す概略断面図である。図2は、プラズマ処理装置200の分解斜視図である。図1及び図2には、相互に略直交するXYZ軸が図示されている。なお、略直交とは、90°±20°の範囲を含む。本実施形態では、Y方向は略鉛直方向であり、X方向は略水平方向である。Z方向は略鉛直方向及び略水平方向に垂直な方向である。このことは、以降の図においても同様である。
図5は、プラズマ処理装置200によるワーク10のプラズマ処理方法について示す工程図である。以下では、プラズマ処理装置200によりワーク10の処理対象部分10Aに成膜を行う方法を例に挙げて説明する。プラズマ処理装置200による成膜では、まず、ワーク10が真空容器100内に搬送される搬送工程が行われる(ステップS10)。本実施形態では、パレット130上に、絶縁部材30、マスキング部材22、ワーク10が積載され、さらに、ワーク10の上にマスキング部材21が積載される。本実施形態では、ワーク10は、マニホールド孔hにマスキング部材22の凸部22aが挿入されるように、マスキング部材22の上に積載される。その後、真空容器100の第1の型110が開閉装置50によって+Y方向に移動され、絶縁部材30、マスキング部材21、22及びワーク10が積載されたパレット130が、搬送装置55によって真空容器100内に搬送される。搬送されたパレット130は、シール部材62を介して第2の型120上に配置される。搬送工程では、パレット130が第2の型120上に配置されると、真空容器100が閉じられる。本実施形態では、開閉装置50によって第1の型110が−Y方向に移動される。真空容器100が閉じられると、シール部材61、シール部材62がパレット130に接触し、マスキング部材21,22と第1周縁部111及び第2周縁部121が離間され、マスキング部材21、22と第1周縁部111及び第2周縁部121との間に図1に示すような隙間が形成される。隙間のY方向に沿った距離は、例えば、0.5mm〜2.0mmの範囲の値である。
A3−1.効果1
ワーク10の加工時の応力により、ワーク10の外周部分である非処理対象部分10Bは、処理対象部分10Aに対して、反りを有する場合がある。さらに、プラズマ処理時には、プラズマが発生する第1窪み部114、第2窪み部124の中央部分に位置する処理対象部分10Aに対し、処理対象部分10Aの外周に位置する非処理対象部分10Bは温度が低い。そのため、この温度差によって、ワーク10が、ワーク10の面方向に伸びて変形する場合がある。このようなワーク10の変形により、ワーク10を支持するマスキング部材とワーク10との接触が不安定になり、ワーク10の成膜密度やエッチング密度が低下するおそれがある。
図7は、真空容器100内に発生したプラズマの様子を説明するための概念図である。図7には、磁場形成部41、42によって形成される磁場が、実線矢印で示されている。プラズマは、マイナス電荷を持った電子とプラス電荷を持ったイオン(正イオン)とが全体として同数存在するものである。電圧印加工程においてプラズマが発生すると、第1窪み部114内の電子は磁場形成部41が形成する磁場に引き寄せられる。また、第1窪み部114内の正イオンも、電子とともに磁場形成部41が形成する磁場に引き寄せられる。そのため、第1窪み部114内のプラズマ密度は、磁場形成部41が形成する磁場及びその付近で高くなる。一方、磁場から離れた位置、例えば、第1周縁部111付近のプラズマ密度は相対的に低くなる。同様に、第2窪み部124内の電子は磁場形成部42が形成する磁場に引き寄せられる。また、第2窪み部124内の正イオンも電子とともに磁場形成部42が形成する磁場に引き寄せられる。そのため、第2窪み部124内のプラズマ密度は、磁場形成部42が形成する磁場及びその付近で高くなる。一方、磁場から離れた位置、例えば、第2周縁部121付近のプラズマ密度は相対的に低くなる。なお、磁場に引き寄せられた正イオンは、図7に破線矢印で示すように陰極であるワーク10に向かい、ワーク10が成膜又はエッチングされる。
B1.他の実施形態1
上記実施形態において、プラズマ処理装置200は、マスキング部材21を備えていなくともよく、ワーク10の上面をプラズマ処理してもよい。
上記実施形態において、ワーク10は、マニホールド孔hを備えていなくともよい。この場合には、マスキング部材22は、図1に示すワーク10の+X方向端部、−X方向端部に対応する箇所に、傾斜面22sを備える凸部22aを有していればよい。この形態によっても、ワーク10が面方向に沿って延びた場合にワーク10とマスキング部材22との接触領域Pを傾斜面22sのいずれかの箇所において確保することができる。
上記形態において、凸部22aは導電性を有し、凸部22aと接触するワーク10と真空容器100との間に電圧を印加できる材料により構成されていればよく、平面部22bと異なる材料により形成されていてもよい。
上記形態において、プラズマ処理装置200は磁場形成部41、42を備えていなくともよい。
10A…処理対象部分
10B…非処理対象部分
21、22…マスキング部材
22a…凸部
21b、22b…平面部
21c、22c…開口部
22s…傾斜面
30、35…絶縁部材
41、42…磁場形成部
50…開閉装置
55…搬送装置
61、62…シール部材
70…電圧印加部
71…導入部
80…ガス供給装置
81…供給口
90…排気装置
91…排気口
95…制御部
100…真空容器
110…第1の型
111…第1周縁部
112…側部
113…底部
114…第1窪み部
120…第2の型
121…第2周縁部
122…側部
123…底部
124…第2窪み部
130…パレット
130t…縁部
200…プラズマ処理装置
P…接触領域
h…マニホールド孔
Claims (1)
- 導電性を有する板状かつ金属製のワークにプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
真空容器であって、
前記ワークの上面側の処理対象部分が配置される第1窪み部と、前記第1窪み部の外側に前記第1窪み部から連続的に設けられた第1周縁部と、を備える第1の型と、
前記第1の型に対向して配置され、前記ワークの下面側の前記処理対象部分が配置される第2窪み部と、前記第2窪み部の外側に前記第2窪み部から連続的に設けられた第2周縁部と、を備える第2の型と、を有する真空容器と、
前記処理対象部分において開口する開口部と、前記開口部を画定する平面部と、を有し、少なくとも一部が前記第1周縁部と前記第2周縁部との間に配置される導電性の支持部材であって、前記ワークの前記処理対象部分の外周に位置する非処理対象部分に接触して前記ワークを支持する、支持部材と、
前記支持部材と前記真空容器との間に電圧を印加する電圧印加部と、を備え、
前記平面部には、前記第1窪み部側を向いた傾斜面を有する凸部が設けられている、
プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017253365A JP6969373B2 (ja) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017253365A JP6969373B2 (ja) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019119896A JP2019119896A (ja) | 2019-07-22 |
JP6969373B2 true JP6969373B2 (ja) | 2021-11-24 |
Family
ID=67307730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017253365A Active JP6969373B2 (ja) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6969373B2 (ja) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5681929A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-04 | Hitachi Ltd | Plasma processing device |
JPH0952792A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Hitachi Cable Ltd | 半導体成長装置における基板ホルダ |
JP2971818B2 (ja) * | 1996-09-24 | 1999-11-08 | イートン コーポレーション | ウエハー熱処理装置 |
US6026589A (en) * | 1998-02-02 | 2000-02-22 | Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc | Wafer carrier and semiconductor apparatus for processing a semiconductor substrate |
JP2002134484A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Asm Japan Kk | 半導体基板保持装置 |
JP4285676B2 (ja) * | 2002-05-15 | 2009-06-24 | コバレントマテリアル株式会社 | 縦型ウエハボート |
JP4216055B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2009-01-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
JP4894647B2 (ja) * | 2007-06-18 | 2012-03-14 | 富士電機株式会社 | プラズマcvd装置 |
TW201118977A (en) * | 2009-03-26 | 2011-06-01 | Panasonic Corp | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP6455480B2 (ja) * | 2016-04-25 | 2019-01-23 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
-
2017
- 2017-12-28 JP JP2017253365A patent/JP6969373B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019119896A (ja) | 2019-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109216148B (zh) | 等离子体处理装置 | |
KR102242988B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
KR101924488B1 (ko) | 프로세스 공간이 한정된 pecvd 챔버 | |
KR101850193B1 (ko) | 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 | |
KR101547483B1 (ko) | 플립 엣지 쉐도우 프레임 | |
US9530657B2 (en) | Method of processing substrate and substrate processing apparatus | |
US11315767B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
US20130273263A1 (en) | Cvd apparatus and cvd method | |
KR20120100750A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP5898523B2 (ja) | 真空処理装置および真空処理装置を用いた物品の製造方法 | |
KR101892958B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
CN107304468B (zh) | 成膜装置及成膜方法 | |
CN108220907B (zh) | 等离子体装置 | |
JP6969373B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
CN107452588B (zh) | 等离子体装置 | |
KR102402497B1 (ko) | 개선된 증착 균일성을 위해 다양한 프로파일을 갖는 측부들을 갖는 섀도우 프레임 | |
JP6859748B2 (ja) | 処理装置 | |
JP6939169B2 (ja) | 処理装置 | |
JP2019035105A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100683255B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 배기 장치 | |
KR102324032B1 (ko) | 기판지지대 및 그가 설치된 기판처리장치 | |
JP2019031723A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2006049367A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI849423B (zh) | 基板保持裝置 | |
JP2017208209A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200624 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210420 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210517 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210928 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211011 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6969373 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |