JP4894647B2 - プラズマcvd装置 - Google Patents
プラズマcvd装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4894647B2 JP4894647B2 JP2007159816A JP2007159816A JP4894647B2 JP 4894647 B2 JP4894647 B2 JP 4894647B2 JP 2007159816 A JP2007159816 A JP 2007159816A JP 2007159816 A JP2007159816 A JP 2007159816A JP 4894647 B2 JP4894647 B2 JP 4894647B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plasma cvd
- film
- cvd apparatus
- conductive plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 77
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
特許文献1(特開平8−8190号公報,発明の名称;プラズマCVD装置)に記載の従来技術では、上部電極と下部電極との間にウェーハホルダーを設けると共に、上部電極を上下動させる為のモーター、パルスエンコーダー、圧力センサー、レーザーセンサ等からなる駆動手段を設けた装置である。この駆動手段により、上部電極とウェーハとの間にギャップを形成して、ウェーハと上部電極を完全に容量接続し、ウェーハ面内の電位を均一にするというものである。
また、特許文献2に記載の従来技術では大型の基板に成膜したい場合、大型の基板を搭載したサセプタを回転できるようにするためには、上部電極と下部電極との距離を長くする必要があるというものであり、大型の基板には適用しにくいという問題があった。大型の基板にも適用可能なプラズマCVD装置にしたいという要請があった。
基板の成膜面を下側に向けて膜堆積を行うフェイスダウン方式のプラズマCVD装置において、
下部電極と、
開口と、開口の下側へ向けて先細るテーパ状の内壁と、内壁の周縁に形成される支持部と、を有し、開口内の支持部上に基板の端部が支持され、開口を通じて基板の成膜面を下側に向けつつ下部電極に基板を対向させる上部電極と、
上部電極のテーパ状の内壁と不接触となるとともに基板の径よりも大きい径としてその一面が基板の背面の全面に接するようになされた導電板と、
導電板の他面に接触して導電板と上部電極とを電気的に接続するコンタクト部と、
を備え、
上部電極の支持部と導電板を通じて基板を等電位にすることを特徴とする。
サセプタ2は、上部電極を兼ねるとともに基板5を保持する機能を有している。保持機能を実現するため、サセプタ2は、開口21、内壁22、支持部23を備える。開口21は、サセプタ2に形成された円形貫通孔である。開口21の形状は基板5の形状に応じて正方形、長方形または円形に製作される。内壁22は、開口21の下側へ向けて縮径する(先細る)ようにテーパ状に形成されている。支持部23は内壁22の最下部の周縁に形成される環状の突出部である。
RF電源4は、下部電極1と、サセプタ2と、のそれぞれプラス・マイナス側に接続されており、下部電極1とサセプタ2との間にプラズマ放電を起こさせるための所定の高電圧を印加する。
この導電板6は、基板5の背面の全面に接するように同じ径の円板かまたは少し大きい径の円板として設けられる。ここで内壁22はテーパ面としているため、導電板6の大きさ(径)を少し大きくすることが可能である。ただし、基板5の裏面へ確実に密着させる必要があるため、サセプタ2の内壁22に接触しない大きさである。
また、導電板6およびコンタクト部7は、成膜時に300℃に加熱されるため、その温度領域で形状および導電性が安定している材料を選ぶ必要がある。例えば材料としてアルミ材を選択することが好ましい。
まず、基板5に成膜面を形成する面を下側に向け、続いてサセプタ2の開口21内へ配置してフェイスダウンで設置する。開口21内の支持部23上に基板5の端部が支持され、開口21を通じて基板5の成膜面を下側に向けつつ下部電極1に基板5を対向させる。そして、導電性を有する導電板6を基板5の上に乗せる。次にこの導電板6の上に複数のコンタクト部7を配置してセッティングを完了する(図1の状態)。
また、開口内に大型の基板を載置する構成を採用したため、サセプタの回転動作を不要として、大型の基板にも適用可能なプラズマCVD装置としている。
総じて、簡易かつ安価な構成で大型基板にも適用でき、膜厚のバラツキを少なくしつつ基板上に成膜するようなプラズマCVD装置を提供することができる。
1:下部電極
2:サセプタ(上部電極)
21:開口
22:内壁
23:支持部
3:ヒータ
4:RF電源
5:基板
6:導電板
7:コンタクト部
Claims (1)
- 基板の成膜面を下側に向けて膜堆積を行うフェイスダウン方式のプラズマCVD装置において、
下部電極と、
開口と、開口の下側へ向けて先細るテーパ状の内壁と、内壁の周縁に形成される支持部と、を有し、開口内の支持部上に基板の端部が支持され、開口を通じて基板の成膜面を下側に向けつつ下部電極に基板を対向させる上部電極と、
上部電極のテーパ状の内壁と不接触となるとともに基板の径よりも大きい径としてその一面が基板の背面の全面に接するようになされた導電板と、
導電板の他面に接触して導電板と上部電極とを電気的に接続するコンタクト部と、
を備え、
上部電極の支持部と導電板を通じて基板を等電位にすることを特徴とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007159816A JP4894647B2 (ja) | 2007-06-18 | 2007-06-18 | プラズマcvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007159816A JP4894647B2 (ja) | 2007-06-18 | 2007-06-18 | プラズマcvd装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008311552A JP2008311552A (ja) | 2008-12-25 |
JP4894647B2 true JP4894647B2 (ja) | 2012-03-14 |
Family
ID=40238880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007159816A Active JP4894647B2 (ja) | 2007-06-18 | 2007-06-18 | プラズマcvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4894647B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018216226A1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-29 | アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP6969373B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2021-11-24 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62189725A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマcvd装置 |
JPH0276230A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Kawasaki Steel Corp | プラズマcvd装置 |
JPH02105417A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Nec Corp | プラズマ気相成長装置 |
-
2007
- 2007-06-18 JP JP2007159816A patent/JP4894647B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008311552A (ja) | 2008-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5262878B2 (ja) | 載置台構造及びプラズマ成膜装置 | |
JP5992334B2 (ja) | ウエハのエッジおよび斜面の堆積を修正するためのシャドウリング | |
TWI357091B (ja) | ||
TWI540672B (zh) | 靜電吸持裝置 | |
US10676817B2 (en) | Flip edge shadow frame | |
TWI629748B (zh) | 用於薄基板搬運的靜電載體 | |
US10600624B2 (en) | System and method for substrate processing chambers | |
TW202025217A (zh) | 具有嵌入式射頻屏蔽的半導體基板支撐件 | |
KR20110081160A (ko) | 커플링 링을 클로킹함으로써 정전 척과 핫 에지 링 사이의 조정가능한 열 접촉 | |
US20090269512A1 (en) | Nonplanar faceplate for a plasma processing chamber | |
WO2013151786A1 (en) | Flip edge shadow frame | |
US20230298922A1 (en) | Electrostatic chuck design with improved chucking and arcing performance | |
JP4894647B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
US10262877B2 (en) | Apparatus and method for reducing substrate sliding in process chambers | |
TWI827502B (zh) | 用於高溫處理腔室的靜電吸座及其形成方法 | |
US20130004681A1 (en) | Mini blocker plate with standoff spacers | |
US20210005493A1 (en) | Processing apparatus | |
TW202219298A (zh) | 濺鍍裝置 | |
JP2009071210A (ja) | サセプタおよびエピタキシャル成長装置 | |
JP4602528B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TW202234573A (zh) | 具有差異化的陶瓷的靜電卡盤 | |
US20140251216A1 (en) | Flip edge shadow frame | |
JP2004158751A (ja) | プラズマ処理装置 | |
CN111433890B (zh) | 成膜装置 | |
JP4890313B2 (ja) | プラズマcvd装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081117 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081118 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081215 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20091105 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20091105 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091105 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100216 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110914 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111129 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111212 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4894647 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |