JP6969373B2 - Plasma processing equipment - Google Patents

Plasma processing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP6969373B2
JP6969373B2 JP2017253365A JP2017253365A JP6969373B2 JP 6969373 B2 JP6969373 B2 JP 6969373B2 JP 2017253365 A JP2017253365 A JP 2017253365A JP 2017253365 A JP2017253365 A JP 2017253365A JP 6969373 B2 JP6969373 B2 JP 6969373B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
work
peripheral edge
plasma processing
mold
edge portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017253365A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2019119896A (en
Inventor
拓哉 板倉
正一郎 熊本
和孝 飯塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to JP2017253365A priority Critical patent/JP6969373B2/en
Publication of JP2019119896A publication Critical patent/JP2019119896A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6969373B2 publication Critical patent/JP6969373B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、導電性のワークにプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に関する。 The present invention relates to a plasma processing apparatus that performs plasma processing on a conductive work.

ワークにプラズマ処理を行う装置として、特許文献1には、上下に2分割されるチャンバによってワークを挟み、チャンバ内にプラズマを発生させて成膜を行う装置が記載されている。 As an apparatus for performing plasma treatment on a work, Patent Document 1 describes an apparatus in which a work is sandwiched by a chamber divided into upper and lower parts, and plasma is generated in the chamber to form a film.

特開2009−62579号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-62579

発明者らは、プラズマ処理において、チャンバ内に配置されたワークの中央部分と、ワークの外周部分との温度差により、ワークが変形する場合があることを見出した。このような場合にワークに電圧を印加してプラズマ処理を行うと、ワークへの電圧印加が不安定になってワークの成膜密度やエッチング密度が低下するおそれがある。 The inventors have found that in plasma processing, the work may be deformed due to the temperature difference between the central portion of the work arranged in the chamber and the outer peripheral portion of the work. In such a case, if the plasma treatment is performed by applying a voltage to the work, the voltage application to the work may become unstable and the film formation density and the etching density of the work may decrease.

本開示は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
[形態1]
本開示の一形態によれば、導電性を有する板状かつ金属製のワークにプラズマ処理を行うプラズマ処理装置が提供される。このプラズマ処理装置は、真空容器であって、前記ワークの上面側の処理対象部分が配置される第1窪み部と、前記第1窪み部の外側に前記第1窪み部から連続的に設けられた第1周縁部と、を備える第1の型と、前記第1の型に対向して配置され、前記ワークの下面側の前記処理対象部分が配置される第2窪み部と、前記第2窪み部の外側に前記第2窪み部から連続的に設けられた第2周縁部と、を備える第2の型と、を有する真空容器と、前記処理対象部分において開口する開口部と、前記開口部を画定する平面部と、を有し、少なくとも一部が前記第1周縁部と前記第2周縁部との間に配置される導電性の支持部材であって、前記ワークの前記処理対象部分の外周に位置する非処理対象部分に接触して前記ワークを支持する、支持部材と、前記支持部材と前記真空容器との間に電圧を印加する電圧印加部と、を備える。前記平面部には、前記第1窪み部側を向いた傾斜面を有する凸部が設けられている。
The present disclosure has been made to solve the above-mentioned problems, and can be realized as the following forms.
[Form 1]
According to one embodiment of the present disclosure, there is provided a plasma processing apparatus that performs plasma processing on a conductive plate-shaped and metal work. This plasma processing apparatus is a vacuum vessel, and is provided continuously from the first recessed portion on the outer side of the first recessed portion and the first recessed portion in which the processing target portion on the upper surface side of the work is arranged. A first mold provided with a first peripheral edge portion, a second recessed portion arranged facing the first mold, and a second recessed portion on the lower surface side of the work, on which the processing target portion is arranged, and the second. A vacuum container having a second mold provided with a second peripheral edge portion continuously provided from the second recessed portion on the outside of the recessed portion, an opening opened in the processing target portion, and the opening. A conductive support member having a flat surface portion for defining a portion, and at least a part thereof is arranged between the first peripheral edge portion and the second peripheral edge portion, and the processing target portion of the work. It is provided with a support member for supporting the work by contacting a non-processed portion located on the outer periphery of the support member, and a voltage applying portion for applying a voltage between the support member and the vacuum vessel. The flat surface portion is provided with a convex portion having an inclined surface facing the first recessed portion side.

本開示の一形態によれば、導電性を有する平板状のワークにプラズマ処理を行うプラズマ処理装置が提供される。このプラズマ処理装置は;真空容器であって;前記ワークの上面側の処理対象部分が配置される第1窪み部と、前記第1窪み部の外側に前記第1窪み部から連続的に設けられた第1周縁部と、を備える第1の型と;前記第1の型に対向して配置され、前記ワークの下面側の前記処理対象部分が配置される第2窪み部と、前記第2窪み部の外側に前記第2窪み部から連続的に設けられた第2周縁部と、を備える第2の型と、を有する真空容器と;前記処理対象部分において開口する開口部と、前記開口部を画定する平面部と、を有し、少なくとも一部が前記第1周縁部と前記第2周縁部との間に配置される導電性の支持部材であって、前記ワークの前記処理対象部分の外周に位置する非処理対象部分に接触して前記ワークを支持する、支持部材と;前記支持部材と前記真空容器との間に電圧を印加する電圧印加部と、を備え;前記平面部には、前記第1窪み部側を向いた傾斜面を有する凸部が設けられている。
この形態によれば、プラズマ処理時にワークが面方向に伸びて変形した場合であっても、支持部材の傾斜面においてワークと支持部材とが接触するため、支持部材を介してワークに電圧を印加することができる。その結果、ワークが変形した場合における成膜密度又はエッチング密度の低下を抑制することができる。
According to one embodiment of the present disclosure, there is provided a plasma processing apparatus that performs plasma processing on a flat plate-shaped work having conductivity. This plasma processing apparatus is a vacuum vessel; is provided continuously from the first recessed portion on the outer side of the first recessed portion and the first recessed portion in which the processing target portion on the upper surface side of the work is arranged. A first mold including a first peripheral edge portion; a second recessed portion arranged to face the first mold and a portion to be processed on the lower surface side of the work, and a second recessed portion. A vacuum container having a second mold comprising a second peripheral edge portion continuously provided from the second recessed portion on the outside of the recessed portion; an opening opened in the treated portion and the opening. A conductive support member having a flat surface portion for defining a portion, and at least a part thereof is arranged between the first peripheral edge portion and the second peripheral edge portion, and the processing target portion of the work. A support member that supports the work in contact with a non-processed portion located on the outer periphery of the surface; and a voltage application portion that applies a voltage between the support member and the vacuum vessel; Is provided with a convex portion having an inclined surface facing the first recessed portion side.
According to this form, even when the work is stretched and deformed in the surface direction during plasma processing, the work and the support member come into contact with each other on the inclined surface of the support member, so that a voltage is applied to the work through the support member. can do. As a result, it is possible to suppress a decrease in the film formation density or the etching density when the work is deformed.

本開示は、上述したプラズマ処理装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、ワークにプラズマ処理を行う方法等の形態で実現することができる。 The present disclosure can also be realized in various forms other than the above-mentioned plasma processing apparatus. For example, it can be realized in the form of a method of performing plasma processing on the work.

プラズマ処理装置の構成を示す概略断面図。Schematic cross-sectional view showing the configuration of a plasma processing apparatus. プラズマ処理装置の分解斜視図。An exploded perspective view of the plasma processing device. マスキング部材の拡大断面図。Enlarged sectional view of the masking member. マスキング部材にワークが支持された様子を示す上面図。Top view showing how the work is supported by the masking member. プラズマ処理装置によるワークのプラズマ処理方法について示す工程図。The process drawing which shows the plasma processing method of the work by the plasma processing apparatus. 本実施形態のマスキング部材によりワークを支持してプラズマ処理を行う様子を説明するための図。The figure for demonstrating how the work is supported by the masking member of this embodiment, and plasma processing is performed. 真空容器内に発生したプラズマの様子を説明するための概念図。A conceptual diagram for explaining the state of plasma generated in a vacuum vessel.

A.実施形態
A1.装置構成
図1は、プラズマ処理装置200の構成を示す概略断面図である。図2は、プラズマ処理装置200の分解斜視図である。図1及び図2には、相互に略直交するXYZ軸が図示されている。なお、略直交とは、90°±20°の範囲を含む。本実施形態では、Y方向は略鉛直方向であり、X方向は略水平方向である。Z方向は略鉛直方向及び略水平方向に垂直な方向である。このことは、以降の図においても同様である。
A. Embodiment A1. Device Configuration FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the plasma processing device 200. FIG. 2 is an exploded perspective view of the plasma processing apparatus 200. 1 and 2 show XYZ axes that are substantially orthogonal to each other. In addition, substantially orthogonal includes a range of 90 ° ± 20 °. In the present embodiment, the Y direction is a substantially vertical direction, and the X direction is a substantially horizontal direction. The Z direction is a direction perpendicular to a substantially vertical direction and a substantially horizontal direction. This also applies to the following figures.

プラズマ処理装置200は、導電性を有する平板状のワーク10に成膜又はエッチングを行う装置である。ワーク10は、本実施形態では、燃料電池のセパレータの基材として用いられる平板状の金属である。ワーク10は、例えば、チタンやチタン合金をプレス加工することにより、図2に示す形状に成形される。ワーク10は、燃料電池の発電に寄与する処理対象部分10Aと、処理対象部分10Aの外周に配置された非処理対象部分10Bとを備える。非処理対象部分10Bには、反応ガスまたは冷却水が流通するマニホールド孔hが形成されている。プラズマ処理装置200は、処理対象部分10Aに、例えばプラズマCVD法により導電性の炭素系薄膜を形成する。 The plasma processing apparatus 200 is an apparatus for forming or etching a conductive flat plate-shaped work 10. In the present embodiment, the work 10 is a flat metal used as a base material for a separator of a fuel cell. The work 10 is formed into the shape shown in FIG. 2, for example, by pressing titanium or a titanium alloy. The work 10 includes a processing target portion 10A that contributes to power generation of the fuel cell, and a non-processing target portion 10B arranged on the outer periphery of the processing target portion 10A. A manifold hole h through which reaction gas or cooling water flows is formed in the non-treated portion 10B. The plasma processing apparatus 200 forms a conductive carbon-based thin film on the processing target portion 10A by, for example, a plasma CVD method.

プラズマ処理装置200は、真空容器(チャンバ)100と、マスキング部材21、22と、電圧印加部70と、を備える。プラズマ処理装置200は、さらに、絶縁部材30と、磁場形成部41、42と、パレット130と、シール部材61、62と、開閉装置50と、搬送装置55と、ガス供給装置80と、排気装置90と、制御部95と、を備える。なお、図2では、開閉装置50と、搬送装置55と、電圧印加部70及びその導入部71と、ガス供給装置80及び供給口81と、排気装置90及び排気口91と、制御部95と、は図示を省略している。 The plasma processing apparatus 200 includes a vacuum vessel (chamber) 100, masking members 21 and 22, and a voltage application unit 70. The plasma processing device 200 further includes an insulating member 30, magnetic field forming portions 41 and 42, a pallet 130, sealing members 61 and 62, a switchgear 50, a transport device 55, a gas supply device 80, and an exhaust device. A 90 and a control unit 95 are provided. In FIG. 2, the switchgear 50, the transport device 55, the voltage application unit 70 and its introduction unit 71, the gas supply device 80 and the supply port 81, the exhaust device 90 and the exhaust port 91, and the control unit 95. , Is omitted from the illustration.

真空容器100は、対向配置される第1の型110及び第2の型120を備える導電性の容器である。本実施形態では、真空容器100は、+Y方向及び−Y方向に分割される。真空容器100は、例えば、ステンレス、アルミニウム、チタン等の金属により形成される。 The vacuum container 100 is a conductive container provided with a first mold 110 and a second mold 120 which are arranged to face each other. In the present embodiment, the vacuum vessel 100 is divided into the + Y direction and the −Y direction. The vacuum vessel 100 is made of, for example, a metal such as stainless steel, aluminum, or titanium.

第1の型110は、ワーク10の上面側の処理対象部分10Aが配置される第1窪み部114と、第1窪み部114の外側に第1窪み部114から連続的に設けられた第1周縁部111と、を備える。真空容器100内にワーク10が配置された状態において、第1窪み部114はワーク10から離間する方向に窪んでおり、本実施形態ではワーク10の上面側の処理対象部分10Aから見て上方(+Y方向)に窪んでいる。また、第1窪み部114は、底部113と、底部113と第1周縁部111とを接続する側部112と、を備える。第1周縁部111は、非処理対象部分10Bを覆うマスキング部材21、22と、離間した状態で対向する。 The first mold 110 is a first recessed portion 114 in which a processing target portion 10A on the upper surface side of the work 10 is arranged, and a first recessed portion 114 continuously provided on the outside of the first recessed portion 114 from the first recessed portion 114. A peripheral portion 111 is provided. In the state where the work 10 is arranged in the vacuum vessel 100, the first recessed portion 114 is recessed in a direction away from the work 10, and in the present embodiment, it is upward (in the present embodiment) when viewed from the processing target portion 10A on the upper surface side of the work 10. It is dented in the + Y direction). Further, the first recessed portion 114 includes a bottom portion 113 and a side portion 112 connecting the bottom portion 113 and the first peripheral edge portion 111. The first peripheral edge portion 111 faces the masking members 21 and 22 covering the non-processed portion 10B in a separated state.

第2の型120は、ワーク10の下面側の処理対象部分10Aが配置される第2窪み部124と、第2窪み部124の外側に第2窪み部124から連続的に設けられた第2周縁部121と、を備える。真空容器100内にワーク10が配置された状態において、第2窪み部124は、ワーク10の下面側の処理対象部分10Aから見て下方(−Y方向)に窪んでいる。第2窪み部124は、底部123と、底部123と第2周縁部121とを接続する側部122と、を備える。第2周縁部121は、非処理対象部分10Bを覆うマスキング部材22と、離間した状態で対向する。第2周縁部121は、第1の型110の第1周縁部111と対応する部分に配置されている。本実施形態において、第1周縁部111及び第2周縁部121は、XZ平面と平行である。 The second mold 120 has a second recessed portion 124 in which the processing target portion 10A on the lower surface side of the work 10 is arranged, and a second recessed portion 124 provided continuously from the second recessed portion 124 on the outside of the second recessed portion 124. A peripheral portion 121 is provided. In the state where the work 10 is arranged in the vacuum vessel 100, the second recessed portion 124 is recessed downward (in the −Y direction) when viewed from the processing target portion 10A on the lower surface side of the work 10. The second recessed portion 124 includes a bottom portion 123 and a side portion 122 connecting the bottom portion 123 and the second peripheral edge portion 121. The second peripheral edge portion 121 faces the masking member 22 that covers the non-processed portion 10B in a separated state. The second peripheral edge portion 121 is arranged at a portion corresponding to the first peripheral edge portion 111 of the first mold 110. In the present embodiment, the first peripheral edge portion 111 and the second peripheral edge portion 121 are parallel to the XZ plane.

第1の型110及び第2の型120は、真空容器100内にガス供給装置80からガスを供給するための供給口81と、真空容器100内を排気装置90によって排気するための排気口91と、を備える。供給口81及び排気口91には、開閉可能な弁が設けられている。また、第2の型120は、マスキング部材22を介してワーク10と真空容器100との間に電圧を印加するための導入部71を備える。第2の型120と導入部71との間は、絶縁部材35によって電気的に絶縁されている。本実施形態において、真空容器100は、アース電位を有している。なお、導入部71、絶縁部材35は第1の型110に設けられていてもよい。この場合には、導入部71はマスキング部材21を介してワーク10と真空容器100との間に電圧を印加してもよい。 The first mold 110 and the second mold 120 have a supply port 81 for supplying gas from the gas supply device 80 into the vacuum container 100 and an exhaust port 91 for exhausting the inside of the vacuum container 100 by the exhaust device 90. And. The supply port 81 and the exhaust port 91 are provided with valves that can be opened and closed. Further, the second mold 120 includes an introduction portion 71 for applying a voltage between the work 10 and the vacuum vessel 100 via the masking member 22. The second mold 120 and the introduction portion 71 are electrically insulated by the insulating member 35. In this embodiment, the vacuum vessel 100 has an earth potential. The introduction portion 71 and the insulating member 35 may be provided in the first mold 110. In this case, the introduction unit 71 may apply a voltage between the work 10 and the vacuum vessel 100 via the masking member 21.

磁場形成部41は第1窪み部114内に磁場を形成するための装置である。磁場形成部42は第2窪み部124内に磁場を形成するための装置である。本実施形態では、磁場形成部41、42は、永久磁石により構成されており、例えば、ネオジウム磁石が用いられる。磁場形成部41は、第1の型110において、第1周縁部111から離間して第1窪み部114に配置されている。本実施形態では、磁場形成部41は、+X方向の側部112及び−X方向の側部112にそれぞれ配置されている。磁場形成部42は、第2の型120において、第2周縁部121から離間して第2窪み部124に配置されている。本実施形態では、磁場形成部42は、+X方向の側部122及び−X方向の側部122にそれぞれ配置されている。 The magnetic field forming portion 41 is a device for forming a magnetic field in the first recessed portion 114. The magnetic field forming portion 42 is a device for forming a magnetic field in the second recessed portion 124. In the present embodiment, the magnetic field forming portions 41 and 42 are composed of permanent magnets, and for example, neodymium magnets are used. The magnetic field forming portion 41 is arranged in the first recessed portion 114 apart from the first peripheral edge portion 111 in the first mold 110. In the present embodiment, the magnetic field forming portion 41 is arranged on the side portion 112 in the + X direction and the side portion 112 in the −X direction, respectively. The magnetic field forming portion 42 is arranged in the second recessed portion 124 apart from the second peripheral edge portion 121 in the second mold 120. In the present embodiment, the magnetic field forming portion 42 is arranged on the side portion 122 in the + X direction and the side portion 122 in the −X direction, respectively.

絶縁部材30は、第1周縁部111と第2周縁部121との間に配置され、マスキング部材22に接触してマスキング部材22を支持する。絶縁部材30は、例えば、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、又はこれらを2つ以上用いたもの等で形成されている。 The insulating member 30 is arranged between the first peripheral edge portion 111 and the second peripheral edge portion 121, and comes into contact with the masking member 22 to support the masking member 22. The insulating member 30 is made of, for example, aluminum oxide, silicon oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, titanium oxide, or a material using two or more of these.

パレット130は、導電性の板状部材である。パレット130は、ワーク10及びマスキング部材21、22を真空容器100内に搬送する部材でもある。パレット130は、第1周縁部111と第2周縁部121との間に配置される。本実施形態では、パレット130には、絶縁部材30、マスキング部材22、ワーク10及びマスキング部材21が、この順に+Y方向に積載されており、パレット130は、絶縁部材30を介してマスキング部材22を保持する。本実施形態では、パレット130は、真空容器100が閉じられた状態において真空容器100外に露出する縁部130tを有する。縁部130tは、後述する搬送装置55がパレット130を搬送する際に、パレット130に接触する部分である。本実施形態において、パレット130は、アース電位を有している。パレット130は、例えば、アルミニウム、ステンレスやチタン等により構成される。 The pallet 130 is a conductive plate-shaped member. The pallet 130 is also a member that conveys the work 10 and the masking members 21 and 22 into the vacuum container 100. The pallet 130 is arranged between the first peripheral edge portion 111 and the second peripheral edge portion 121. In the present embodiment, the insulating member 30, the masking member 22, the work 10, and the masking member 21 are loaded on the pallet 130 in this order in the + Y direction, and the pallet 130 has the masking member 22 via the insulating member 30. Hold. In the present embodiment, the pallet 130 has an edge portion 130t exposed to the outside of the vacuum container 100 when the vacuum container 100 is closed. The edge portion 130t is a portion that comes into contact with the pallet 130 when the transport device 55, which will be described later, transports the pallet 130. In this embodiment, the pallet 130 has a ground potential. The pallet 130 is made of, for example, aluminum, stainless steel, titanium, or the like.

シール部材61、62は、第1周縁部111と第2周縁部121との間に配置され、パレット130に接触する。シール部材61、62は、真空容器100内の気密を保つための部材である。シール部材61、62は、絶縁性の部材であり、本実施形態ではゴム製の環状部材である。本実施形態では、シール部材61、62は、オーリングを用いている。本実施形態では、シール部材61は第1の型110に設けられた溝部に嵌め込まれている。シール部材62は、第2の型120に設けられた溝部に嵌め込まれている。シール部材61、62、パレット130は、第1周縁部111及び第2周縁部121に対してワーク10及びマスキング部材21,22を離間しかつ絶縁して保持する離間部材でもある。 The seal members 61 and 62 are arranged between the first peripheral edge portion 111 and the second peripheral edge portion 121, and come into contact with the pallet 130. The seal members 61 and 62 are members for maintaining airtightness in the vacuum container 100. The seal members 61 and 62 are insulating members, and in the present embodiment, they are rubber annular members. In this embodiment, O-ring is used for the seal members 61 and 62. In the present embodiment, the seal member 61 is fitted in the groove provided in the first mold 110. The seal member 62 is fitted in a groove provided in the second mold 120. The sealing members 61, 62 and the pallet 130 are also separating members that separate and insulate the work 10 and the masking members 21 and 22 from the first peripheral edge portion 111 and the second peripheral edge portion 121.

開閉装置50は、真空容器100を開閉するための装置である。本実施形態では、開閉装置50は、第1の型110を+Y方向に移動させて真空容器100を開き、第1の型110を−Y方向に移動させて真空容器100を閉じる。 The opening / closing device 50 is a device for opening / closing the vacuum container 100. In the present embodiment, the opening / closing device 50 moves the first mold 110 in the + Y direction to open the vacuum vessel 100, and moves the first mold 110 in the −Y direction to close the vacuum vessel 100.

搬送装置55は、パレット130を真空容器100内へ搬送し、パレット130を真空容器100外へ搬送するための装置である。本実施形態では、搬送装置55は、パレット130の縁部130tに接触して、真空容器100が開いた状態において、パレット130及びパレット130に積載された絶縁部材30、マスキング部材21、22、ワーク10を真空容器100内に搬送する。また、搬送装置55は、搬送したパレット130を下方に移動させることによってパレット130をシール部材62を介して第2の型120上に設置する。また、搬送装置55は、上方に移動させたパレット130をXZ平面に沿って移動させて真空容器100外へ搬送することも可能である。 The transport device 55 is a device for transporting the pallet 130 into the vacuum container 100 and transporting the pallet 130 out of the vacuum container 100. In the present embodiment, the transport device 55 is in contact with the edge 130t of the pallet 130, and in a state where the vacuum container 100 is open, the insulating member 30, the masking members 21, 22, and the work are loaded on the pallet 130 and the pallet 130. 10 is conveyed into the vacuum container 100. Further, the transfer device 55 installs the pallet 130 on the second mold 120 via the seal member 62 by moving the transferred pallet 130 downward. Further, the transport device 55 can also move the pallet 130 moved upward along the XZ plane and transport it to the outside of the vacuum container 100.

マスキング部材21、22は、ワーク10の処理対象部分10Aにおいて開口する開口部21c、22cを備え、開口部21c、22cを画定する平面部21b、22bにおいて非処理対象部分10Bを覆う部材である。マスキング部材21は、ワーク10の第1の型110側に配置され、マスキング部材22は、ワーク10の第2の型120側に配置されている。マスキング部材21、22は、開口部21c、22cを含む一部が第1窪み部114内及び第2窪み部124内に配置され、他の部分が第1周縁部111と第2周縁部121の間に配置されている。マスキング部材22は、ワーク10の非処理対象部分10Bに接触してワーク10を支持する。マスキング部材22を、「支持部材」とも呼ぶ。マスキング部材21、22は、導電性を有する材料、例えば、チタンやチタン合金、ステンレス、アルミニウム等により形成されている。マスキング部材21、22は、ワーク10と同じ材料によって形成されていてもよい。 The masking members 21 and 22 include openings 21c and 22c that are opened in the processing target portion 10A of the work 10, and are members that cover the non-processing target portion 10B in the flat surface portions 21b and 22b that define the openings 21c and 22c. The masking member 21 is arranged on the first mold 110 side of the work 10, and the masking member 22 is arranged on the second mold 120 side of the work 10. A part of the masking members 21 and 22 including the openings 21c and 22c is arranged in the first recessed portion 114 and the second recessed portion 124, and the other portion is in the first peripheral edge portion 111 and the second peripheral edge portion 121. It is placed in between. The masking member 22 comes into contact with the non-processed portion 10B of the work 10 to support the work 10. The masking member 22 is also referred to as a "support member". The masking members 21 and 22 are made of a conductive material such as titanium, a titanium alloy, stainless steel, or aluminum. The masking members 21 and 22 may be made of the same material as the work 10.

図3は、マスキング部材21、22の拡大断面図である。図3には、例として、図1に示すX1部分が拡大して示されている。図4は、マスキング部材22にワーク10が支持された様子を示す上面概念図である。図4は、図3の4−4上面図であり、マスキング部材21は示されていない。支持部材としてのマスキング部材22は、開口部22cと、開口部22cを画定するXZ平面に沿った面である平面部22bと、平面部22bに設けられた凸部22aと、を備える。凸部22aは、ワーク10のマニホールド孔hに挿入可能な大きさに形成されている。凸部22aは第1窪み部114側に向いた傾斜面22sを備える。図3及び図4に示すワーク10は、傾斜面22sと接触することでマスキング部材22に支持されている。平面部22bと傾斜面22sとのなす角は、鋭角であり、例えば、20°〜70°の範囲の角度である。本実施形態では、なす角は、30°である。本実施形態では、マスキング部材21、22は、ワーク10からY方向に距離A2だけ離間して、の非処理対象部分10Bを覆う(図3)。距離A2は、ワーク10のプレス加工時に生じる反り量よりも大きい。反り量は、例えば、3〜15mmの範囲の値や、5〜10mmの範囲の値である。本実施形態では、距離A2は、凸部22aのY方向の高さA1よりも大きい。他の実施形態では、距離A1と距離A2は等しくてもよい。また、凸部22aは、ワーク10の+X方向に位置するマニホールド孔hのいずれか1つ、及び、ワーク10の−X方向に位置するマニホールド孔hのいずれか1つに対応して設けられていればよい。例えば、凸部22aは、ワーク10の全てのマニホールド孔hに対応して設けられていてもよい。 FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the masking members 21 and 22. In FIG. 3, as an example, the X1 portion shown in FIG. 1 is shown in an enlarged manner. FIG. 4 is a top conceptual view showing a state in which the work 10 is supported by the masking member 22. FIG. 4 is a top view of 4-4 of FIG. 3, and the masking member 21 is not shown. The masking member 22 as a support member includes an opening 22c, a flat surface portion 22b which is a surface along an XZ plane defining the opening 22c, and a convex portion 22a provided on the flat surface portion 22b. The convex portion 22a is formed in a size that can be inserted into the manifold hole h of the work 10. The convex portion 22a includes an inclined surface 22s facing the first recessed portion 114 side. The work 10 shown in FIGS. 3 and 4 is supported by the masking member 22 by coming into contact with the inclined surface 22s. The angle formed by the flat surface portion 22b and the inclined surface 22s is an acute angle, for example, an angle in the range of 20 ° to 70 °. In this embodiment, the formed angle is 30 °. In the present embodiment, the masking members 21 and 22 are separated from the work 10 in the Y direction by a distance A2 to cover the non-processed portion 10B (FIG. 3). The distance A2 is larger than the amount of warpage generated during press working of the work 10. The amount of warpage is, for example, a value in the range of 3 to 15 mm or a value in the range of 5 to 10 mm. In the present embodiment, the distance A2 is larger than the height A1 of the convex portion 22a in the Y direction. In other embodiments, the distance A1 and the distance A2 may be equal. Further, the convex portion 22a is provided corresponding to any one of the manifold holes h located in the + X direction of the work 10 and any one of the manifold holes h located in the −X direction of the work 10. Just do it. For example, the convex portion 22a may be provided corresponding to all the manifold holes h of the work 10.

A2.プラズマ処理方法
図5は、プラズマ処理装置200によるワーク10のプラズマ処理方法について示す工程図である。以下では、プラズマ処理装置200によりワーク10の処理対象部分10Aに成膜を行う方法を例に挙げて説明する。プラズマ処理装置200による成膜では、まず、ワーク10が真空容器100内に搬送される搬送工程が行われる(ステップS10)。本実施形態では、パレット130上に、絶縁部材30、マスキング部材22、ワーク10が積載され、さらに、ワーク10の上にマスキング部材21が積載される。本実施形態では、ワーク10は、マニホールド孔hにマスキング部材22の凸部22aが挿入されるように、マスキング部材22の上に積載される。その後、真空容器100の第1の型110が開閉装置50によって+Y方向に移動され、絶縁部材30、マスキング部材21、22及びワーク10が積載されたパレット130が、搬送装置55によって真空容器100内に搬送される。搬送されたパレット130は、シール部材62を介して第2の型120上に配置される。搬送工程では、パレット130が第2の型120上に配置されると、真空容器100が閉じられる。本実施形態では、開閉装置50によって第1の型110が−Y方向に移動される。真空容器100が閉じられると、シール部材61、シール部材62がパレット130に接触し、マスキング部材21,22と第1周縁部111及び第2周縁部121が離間され、マスキング部材21、22と第1周縁部111及び第2周縁部121との間に図1に示すような隙間が形成される。隙間のY方向に沿った距離は、例えば、0.5mm〜2.0mmの範囲の値である。
A2. Plasma processing method FIG. 5 is a process diagram showing a plasma processing method of the work 10 by the plasma processing apparatus 200. Hereinafter, a method of forming a film on the processing target portion 10A of the work 10 by the plasma processing apparatus 200 will be described as an example. In the film formation by the plasma processing apparatus 200, first, a transfer step of transporting the work 10 into the vacuum vessel 100 is performed (step S10). In the present embodiment, the insulating member 30, the masking member 22, and the work 10 are loaded on the pallet 130, and the masking member 21 is further loaded on the work 10. In the present embodiment, the work 10 is loaded on the masking member 22 so that the convex portion 22a of the masking member 22 is inserted into the manifold hole h. After that, the first mold 110 of the vacuum container 100 is moved in the + Y direction by the opening / closing device 50, and the pallet 130 on which the insulating member 30, the masking members 21, 22 and the work 10 are loaded is placed in the vacuum container 100 by the transfer device 55. Will be transported to. The conveyed pallet 130 is arranged on the second mold 120 via the sealing member 62. In the transfer step, the vacuum vessel 100 is closed when the pallet 130 is placed on the second mold 120. In the present embodiment, the opening / closing device 50 moves the first mold 110 in the −Y direction. When the vacuum container 100 is closed, the seal member 61 and the seal member 62 come into contact with the pallet 130, the masking members 21 and 22 are separated from the first peripheral edge portion 111 and the second peripheral edge portion 121, and the masking members 21 and 22 and the second peripheral edge portion 121 are separated from each other. A gap as shown in FIG. 1 is formed between the peripheral portion 111 and the second peripheral edge portion 121. The distance of the gap along the Y direction is, for example, a value in the range of 0.5 mm to 2.0 mm.

次に、真空容器100内のガスが排気される排気工程が行われる(ステップS20)。本実施形態では、プラズマ処理装置200は、例えば、窒素ガス雰囲気に設置されている。排気工程では、排気装置90によって排気口91を介して真空容器100内の窒素ガスが排気され、真空容器100内が真空化される。 Next, an exhaust step is performed in which the gas in the vacuum container 100 is exhausted (step S20). In this embodiment, the plasma processing apparatus 200 is installed, for example, in a nitrogen gas atmosphere. In the exhaust step, the nitrogen gas in the vacuum container 100 is evacuated by the exhaust device 90 through the exhaust port 91, and the inside of the vacuum container 100 is evacuated.

次に、電圧印加工程が行われる(ステップS30)。電圧印加工程では、ガス供給装置80により供給口81を介して真空容器100の内部にガスが供給されるとともに、電圧印加部70によりマスキング部材22を介してワーク10と真空容器100との間に電圧が印加されて、第1窪み部114内及び第2窪み部124内にプラズマが発生する。電圧印加工程では、真空容器100内が高温化する。 Next, a voltage application step is performed (step S30). In the voltage application step, gas is supplied to the inside of the vacuum vessel 100 through the supply port 81 by the gas supply device 80, and between the work 10 and the vacuum vessel 100 via the masking member 22 by the voltage application unit 70. A voltage is applied to generate plasma in the first recess 114 and the second recess 124. In the voltage application step, the temperature inside the vacuum vessel 100 becomes high.

本実施形態では、電圧印加工程は、昇温・エッチング工程と、第1層形成工程と、堆積工程と、を含む。昇温・エッチング工程は、ワーク10を昇温させるとともに、ワーク10に付着した水分等を除去する工程である。第1層形成工程は、昇温・エッチング工程の後に、成膜速度が比較的遅くなるように、電圧印加部70、ガス供給装置80を制御してワーク10に緻密な層を形成するための工程である。堆積工程は、第1層の上に、第1層の形成よりも早い成膜速度で膜を堆積させる工程である。例えば、昇温・エッチング工程では、アルゴンガスが供給される。第1層形成工程及び堆積工程では、キャリアガスとして、例えば、水素ガス及びアルゴンガスが供給され、原料ガスとして、窒素ガス及びピリジンガスが供給されて、ワーク10の処理対象部分10Aに薄膜が形成される。電圧印加工程が終了すると、ガスの供給と電圧の印加とが停止される。 In the present embodiment, the voltage application step includes a temperature raising / etching step, a first layer forming step, and a deposition step. The temperature raising / etching step is a step of raising the temperature of the work 10 and removing water and the like adhering to the work 10. The first layer forming step is for forming a dense layer on the work 10 by controlling the voltage application unit 70 and the gas supply device 80 so that the film forming speed becomes relatively slow after the temperature raising / etching step. It is a process. The deposition step is a step of depositing a film on the first layer at a film forming rate faster than the formation of the first layer. For example, in the temperature raising / etching step, argon gas is supplied. In the first layer forming step and the deposition step, for example, hydrogen gas and argon gas are supplied as carrier gas, and nitrogen gas and pyridine gas are supplied as raw material gas to form a thin film on the processing target portion 10A of the work 10. Will be done. When the voltage application process is completed, the gas supply and the voltage application are stopped.

次に、真空容器100内の圧力が調整される復圧工程が行われる(ステップS40)。本実施形態では、真空容器100内の圧力を、開閉装置50によって真空容器100を開くことが可能な程度の圧力に戻すために、ガス供給装置80によって真空容器100内に窒素ガスが供給される。なお、真空容器100内の圧力が調整されると、第1の型110が開閉装置50によって+Y方向に移動され、搬送装置55によって絶縁部材30、マスキング部材21、22及びワーク10が積載されたパレット130が、真空容器100から搬出される。以上のようにしてプラズマ処理装置200による一連のプラズマ処理が終了する。 Next, a depressurization step in which the pressure in the vacuum vessel 100 is adjusted is performed (step S40). In the present embodiment, nitrogen gas is supplied into the vacuum vessel 100 by the gas supply device 80 in order to return the pressure in the vacuum vessel 100 to a pressure sufficient to open the vacuum vessel 100 by the opening / closing device 50. .. When the pressure in the vacuum vessel 100 was adjusted, the first mold 110 was moved in the + Y direction by the opening / closing device 50, and the insulating member 30, the masking members 21, 22 and the work 10 were loaded by the transport device 55. The pallet 130 is carried out of the vacuum container 100. As described above, a series of plasma processing by the plasma processing apparatus 200 is completed.

A3.効果
A3−1.効果1
ワーク10の加工時の応力により、ワーク10の外周部分である非処理対象部分10Bは、処理対象部分10Aに対して、反りを有する場合がある。さらに、プラズマ処理時には、プラズマが発生する第1窪み部114、第2窪み部124の中央部分に位置する処理対象部分10Aに対し、処理対象部分10Aの外周に位置する非処理対象部分10Bは温度が低い。そのため、この温度差によって、ワーク10が、ワーク10の面方向に伸びて変形する場合がある。このようなワーク10の変形により、ワーク10を支持するマスキング部材とワーク10との接触が不安定になり、ワーク10の成膜密度やエッチング密度が低下するおそれがある。
A3. Effect A3-1. Effect 1
Due to the stress during processing of the work 10, the non-processed portion 10B, which is the outer peripheral portion of the work 10, may have a warp with respect to the processed portion 10A. Further, during plasma processing, the temperature of the non-processed portion 10B located on the outer periphery of the processed target portion 10A is relative to that of the processed target portion 10A located in the central portion of the first recessed portion 114 and the second recessed portion 124 in which plasma is generated. Is low. Therefore, due to this temperature difference, the work 10 may extend and deform in the surface direction of the work 10. Due to such deformation of the work 10, the contact between the masking member supporting the work 10 and the work 10 becomes unstable, and the film formation density and the etching density of the work 10 may decrease.

図6は、本実施形態のマスキング部材22によりワーク10を支持してプラズマ処理を行う様子を説明するための図である。マスキング部材22は、傾斜面22sを備える凸部22aを有する。そのため、プラズマ処理時にワーク10が面方向に伸びた場合であっても、図7に示す(1)から(2)のように接触領域Pを傾斜面22sのいずれかの箇所において確保することができるので、マスキング部材22を介してワーク10に電圧を印加することができる。その結果、ワーク10が変形した場合におけるワーク10の成膜密度又はエッチング密度の低下を抑制することができる。 FIG. 6 is a diagram for explaining how the work 10 is supported by the masking member 22 of the present embodiment to perform plasma treatment. The masking member 22 has a convex portion 22a having an inclined surface 22s. Therefore, even when the work 10 extends in the surface direction during plasma processing, the contact region P can be secured at any of the inclined surfaces 22s as shown in FIGS. 7 (1) to (2). Therefore, a voltage can be applied to the work 10 via the masking member 22. As a result, it is possible to suppress a decrease in the film formation density or the etching density of the work 10 when the work 10 is deformed.

A3−2.効果2
図7は、真空容器100内に発生したプラズマの様子を説明するための概念図である。図7には、磁場形成部41、42によって形成される磁場が、実線矢印で示されている。プラズマは、マイナス電荷を持った電子とプラス電荷を持ったイオン(正イオン)とが全体として同数存在するものである。電圧印加工程においてプラズマが発生すると、第1窪み部114内の電子は磁場形成部41が形成する磁場に引き寄せられる。また、第1窪み部114内の正イオンも、電子とともに磁場形成部41が形成する磁場に引き寄せられる。そのため、第1窪み部114内のプラズマ密度は、磁場形成部41が形成する磁場及びその付近で高くなる。一方、磁場から離れた位置、例えば、第1周縁部111付近のプラズマ密度は相対的に低くなる。同様に、第2窪み部124内の電子は磁場形成部42が形成する磁場に引き寄せられる。また、第2窪み部124内の正イオンも電子とともに磁場形成部42が形成する磁場に引き寄せられる。そのため、第2窪み部124内のプラズマ密度は、磁場形成部42が形成する磁場及びその付近で高くなる。一方、磁場から離れた位置、例えば、第2周縁部121付近のプラズマ密度は相対的に低くなる。なお、磁場に引き寄せられた正イオンは、図7に破線矢印で示すように陰極であるワーク10に向かい、ワーク10が成膜又はエッチングされる。
A3-2. Effect 2
FIG. 7 is a conceptual diagram for explaining the state of plasma generated in the vacuum container 100. In FIG. 7, the magnetic fields formed by the magnetic field forming portions 41 and 42 are indicated by solid arrows. Plasma has the same number of negatively charged electrons and positively charged ions (positive ions) as a whole. When plasma is generated in the voltage application step, the electrons in the first recessed portion 114 are attracted to the magnetic field formed by the magnetic field forming portion 41. Further, the cations in the first recessed portion 114 are also attracted to the magnetic field formed by the magnetic field forming portion 41 together with the electrons. Therefore, the plasma density in the first recessed portion 114 becomes high in the magnetic field formed by the magnetic field forming portion 41 and in the vicinity thereof. On the other hand, the plasma density at a position away from the magnetic field, for example, near the first peripheral edge portion 111, is relatively low. Similarly, the electrons in the second recess 124 are attracted to the magnetic field formed by the magnetic field forming portion 42. Further, the cations in the second recess 124 are also attracted to the magnetic field formed by the magnetic field forming portion 42 together with the electrons. Therefore, the plasma density in the second recess 124 becomes high in and around the magnetic field formed by the magnetic field forming portion 42. On the other hand, the plasma density at a position away from the magnetic field, for example, near the second peripheral edge portion 121, is relatively low. The positive ions attracted to the magnetic field are directed toward the work 10 which is a cathode as shown by the broken line arrow in FIG. 7, and the work 10 is formed or etched.

本実施形態のプラズマ処理装置200によれば、磁場形成部41によって第1周縁部111から離間した位置に形成される磁場ではプラズマ密度が高くなり、第1周縁部111付近ではプラズマ密度が相対的に低くなる。同様に、磁場形成部42によって第2周縁部121から離間した位置に形成される磁場ではプラズマ密度が高くなり、第2周縁部121、付近ではプラズマ密度が相対的に低くなる。その結果、プラズマ処理装置が磁場形成部41、42を備えない場合と比較して、第1周縁部111とマスキング部材21との間及び第2周縁部121とマスキング部材22との間から、マスキング部材21、22と絶縁部材30とが接触する箇所にプラズマが侵入することが抑制されるので、電圧が印加されるマスキング部材21、22と、絶縁部材30と、の接触箇所にプラズマが侵入することによる異常放電の発生を抑制することができる。 According to the plasma processing apparatus 200 of the present embodiment, the plasma density is high in the magnetic field formed at a position separated from the first peripheral edge portion 111 by the magnetic field forming portion 41, and the plasma density is relative in the vicinity of the first peripheral edge portion 111. It becomes low. Similarly, the plasma density is high in the magnetic field formed by the magnetic field forming portion 42 at a position separated from the second peripheral edge portion 121, and the plasma density is relatively low in the vicinity of the second peripheral edge portion 121. As a result, as compared with the case where the plasma processing apparatus does not include the magnetic field forming portions 41 and 42, masking is performed from between the first peripheral edge portion 111 and the masking member 21 and between the second peripheral edge portion 121 and the masking member 22. Since plasma is suppressed from entering the contact points between the members 21 and 22 and the insulating member 30, plasma penetrates into the contact points between the masking members 21 and 22 to which the voltage is applied and the insulating member 30. It is possible to suppress the occurrence of abnormal discharge due to this.

また、ワーク10の非処理対象部分10B全面がマスキング部材21、22に接触する場合には、プラズマ処理時のワーク10の伸びが阻害されて、処理対象部分10Aにうねり等の変形が生じるおそれがある。本実施形態によれば、磁場形成部41、42を備えるため、第1周縁部111、第2周縁部121付近でのプラズマ密度が相対的に低くなるので、ワーク10の非処理対象部分10Bとマスキング部材21、22との間に空間を設けつつ、当該空間にプラズマが侵入することによって非処理対象部分10Bがプラズマ処理されることを抑制することができる。そのため、処理対象部分10Aにうねり等の変形が生じることを抑制しつつ、非処理対象部分10Bがプラズマ処理されることを抑制することができる。 Further, when the entire surface of the non-processed portion 10B of the work 10 comes into contact with the masking members 21 and 22, the elongation of the work 10 during plasma processing may be hindered, and the treated portion 10A may be deformed such as undulation. be. According to the present embodiment, since the magnetic field forming portions 41 and 42 are provided, the plasma densities in the vicinity of the first peripheral edge portion 111 and the second peripheral edge portion 121 are relatively low, so that the non-processed portion 10B of the work 10 is used. While providing a space between the masking members 21 and 22, it is possible to prevent the non-processed portion 10B from being plasma-processed due to the invasion of plasma into the space. Therefore, it is possible to suppress the plasma treatment of the non-processed portion 10B while suppressing the occurrence of deformation such as waviness in the processed target portion 10A.

B.他の実施形態
B1.他の実施形態1
上記実施形態において、プラズマ処理装置200は、マスキング部材21を備えていなくともよく、ワーク10の上面をプラズマ処理してもよい。
B. Other Embodiment B1. Other Embodiment 1
In the above embodiment, the plasma processing apparatus 200 does not have to include the masking member 21, and the upper surface of the work 10 may be plasma-processed.

B2.他の実施形態2
上記実施形態において、ワーク10は、マニホールド孔hを備えていなくともよい。この場合には、マスキング部材22は、図1に示すワーク10の+X方向端部、−X方向端部に対応する箇所に、傾斜面22sを備える凸部22aを有していればよい。この形態によっても、ワーク10が面方向に沿って延びた場合にワーク10とマスキング部材22との接触領域Pを傾斜面22sのいずれかの箇所において確保することができる。
B2. Other Embodiment 2
In the above embodiment, the work 10 does not have to be provided with the manifold hole h. In this case, the masking member 22 may have a convex portion 22a provided with an inclined surface 22s at a position corresponding to the + X direction end portion and the −X direction end portion of the work 10 shown in FIG. Also in this form, when the work 10 extends along the surface direction, the contact region P between the work 10 and the masking member 22 can be secured at any position on the inclined surface 22s.

B3.他の実施形態3
上記形態において、凸部22aは導電性を有し、凸部22aと接触するワーク10と真空容器100との間に電圧を印加できる材料により構成されていればよく、平面部22bと異なる材料により形成されていてもよい。
B3. Other Embodiment 3
In the above embodiment, the convex portion 22a may be made of a material having conductivity and capable of applying a voltage between the work 10 in contact with the convex portion 22a and the vacuum vessel 100, and may be made of a material different from the flat surface portion 22b. It may be formed.

B4.他の実施形態4
上記形態において、プラズマ処理装置200は磁場形成部41、42を備えていなくともよい。
B4. Other Embodiment 4
In the above embodiment, the plasma processing apparatus 200 does not have to include the magnetic field forming units 41 and 42.

本開示は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組合せを行うことが可能である。また、前述した実施形態及び各変形例における構成要素の中の、独立請求項で記載された要素以外の要素は、付加的な要素であり、適宜省略可能である。 The present disclosure is not limited to the above-described embodiments and modifications, and can be realized with various configurations within a range not deviating from the gist thereof. For example, the technical features in the embodiments corresponding to the technical features in each embodiment described in the column of the outline of the invention are for solving a part or all of the above-mentioned problems, or one of the above-mentioned effects. It is possible to replace or combine as appropriate to achieve the part or all. Further, among the components in the above-described embodiment and each modification, the elements other than the elements described in the independent claims are additional elements and can be omitted as appropriate.

10…ワーク
10A…処理対象部分
10B…非処理対象部分
21、22…マスキング部材
22a…凸部
21b、22b…平面部
21c、22c…開口部
22s…傾斜面
30、35…絶縁部材
41、42…磁場形成部
50…開閉装置
55…搬送装置
61、62…シール部材
70…電圧印加部
71…導入部
80…ガス供給装置
81…供給口
90…排気装置
91…排気口
95…制御部
100…真空容器
110…第1の型
111…第1周縁部
112…側部
113…底部
114…第1窪み部
120…第2の型
121…第2周縁部
122…側部
123…底部
124…第2窪み部
130…パレット
130t…縁部
200…プラズマ処理装置
P…接触領域
h…マニホールド孔
10 ... Work 10A ... Processing target portion 10B ... Non-processing target portion 21, 22 ... Masking member 22a ... Convex portion 21b, 22b ... Flat portion 21c, 22c ... Opening 22s ... Inclined surface 30, 35 ... Insulating member 41, 42 ... Magnetic field forming unit 50 ... Switchgear 55 ... Conveying device 61, 62 ... Sealing member 70 ... Voltage applying unit 71 ... Introducing unit 80 ... Gas supply device 81 ... Supply port 90 ... Exhaust device 91 ... Exhaust port 95 ... Control unit 100 ... Vacuum Container 110 ... 1st mold 111 ... 1st peripheral edge 112 ... Side 113 ... Bottom 114 ... 1st recess 120 ... 2nd mold 121 ... 2nd peripheral edge 122 ... Side 123 ... Bottom 124 ... 2nd recess Part 130 ... Pallet 130t ... Edge 200 ... Plasma processing device P ... Contact area h ... Manifold hole

Claims (1)

導電性を有する板状かつ金属製のワークにプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
真空容器であって、
前記ワークの上面側の処理対象部分が配置される第1窪み部と、前記第1窪み部の外側に前記第1窪み部から連続的に設けられた第1周縁部と、を備える第1の型と、
前記第1の型に対向して配置され、前記ワークの下面側の前記処理対象部分が配置される第2窪み部と、前記第2窪み部の外側に前記第2窪み部から連続的に設けられた第2周縁部と、を備える第2の型と、を有する真空容器と、
前記処理対象部分において開口する開口部と、前記開口部を画定する平面部と、を有し、少なくとも一部が前記第1周縁部と前記第2周縁部との間に配置される導電性の支持部材であって、前記ワークの前記処理対象部分の外周に位置する非処理対象部分に接触して前記ワークを支持する、支持部材と、
前記支持部材と前記真空容器との間に電圧を印加する電圧印加部と、を備え、
前記平面部には、前記第1窪み部側を向いた傾斜面を有する凸部が設けられている、
プラズマ処理装置。
A plasma processing device that performs plasma processing on a conductive plate-shaped and metal work.
It ’s a vacuum container,
A first portion comprising a first recessed portion on which a portion to be processed on the upper surface side of the work is arranged, and a first peripheral edge portion continuously provided from the first recessed portion on the outside of the first recessed portion. With the mold
A second recess, which is arranged facing the first mold and where the processing target portion on the lower surface side of the work is arranged, and a second recess outside the second recess, which is continuously provided from the second recess. A vacuum vessel having a second perimeter and a second mold comprising.
It has an opening that opens in the processing target portion and a flat surface portion that defines the opening, and at least a part of the conductive portion is arranged between the first peripheral edge portion and the second peripheral edge portion. A support member that supports the work by contacting a non-processed portion located on the outer periphery of the process target portion of the work.
A voltage application unit for applying a voltage between the support member and the vacuum vessel is provided.
The flat surface portion is provided with a convex portion having an inclined surface facing the first recessed portion side.
Plasma processing equipment.
JP2017253365A 2017-12-28 2017-12-28 Plasma processing equipment Active JP6969373B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017253365A JP6969373B2 (en) 2017-12-28 2017-12-28 Plasma processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017253365A JP6969373B2 (en) 2017-12-28 2017-12-28 Plasma processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019119896A JP2019119896A (en) 2019-07-22
JP6969373B2 true JP6969373B2 (en) 2021-11-24

Family

ID=67307730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017253365A Active JP6969373B2 (en) 2017-12-28 2017-12-28 Plasma processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6969373B2 (en)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5681929A (en) * 1979-12-10 1981-07-04 Hitachi Ltd Plasma processing device
JPH0952792A (en) * 1995-08-11 1997-02-25 Hitachi Cable Ltd Substrate holder of apparatus for growing semiconductor
JP2971818B2 (en) * 1996-09-24 1999-11-08 イートン コーポレーション Wafer heat treatment equipment
US6026589A (en) * 1998-02-02 2000-02-22 Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc Wafer carrier and semiconductor apparatus for processing a semiconductor substrate
JP2002134484A (en) * 2000-10-19 2002-05-10 Asm Japan Kk Semiconductor substrate holding device
JP4285676B2 (en) * 2002-05-15 2009-06-24 コバレントマテリアル株式会社 Vertical wafer boat
JP4216055B2 (en) * 2002-11-28 2009-01-28 大日本スクリーン製造株式会社 Heat treatment equipment
JP4894647B2 (en) * 2007-06-18 2012-03-14 富士電機株式会社 Plasma CVD equipment
WO2010109848A1 (en) * 2009-03-26 2010-09-30 パナソニック株式会社 Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6455480B2 (en) * 2016-04-25 2019-01-23 トヨタ自動車株式会社 Film forming apparatus and film forming method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019119896A (en) 2019-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102242988B1 (en) Plasma processing equipment
KR101924488B1 (en) Confined process volume pecvd chamber
KR101850193B1 (en) Mounting table and plasma processing apparatus
KR101547483B1 (en) Flip edge shadow frame
US11315767B2 (en) Plasma processing apparatus
US9530657B2 (en) Method of processing substrate and substrate processing apparatus
KR20120100750A (en) Plasma processing apparatus
US20130273263A1 (en) Cvd apparatus and cvd method
JP5898523B2 (en) Vacuum processing apparatus and method for manufacturing article using vacuum processing apparatus
KR101892958B1 (en) Plasma processing apparatus
CN107304468B (en) Film formation device and film build method
CN108220907B (en) Plasma device
JP6969373B2 (en) Plasma processing equipment
CN107452588B (en) Plasma device
JP6859748B2 (en) Processing equipment
JP6939169B2 (en) Processing equipment
KR20220070573A (en) Shadow frame with sides having a varied profile for improved deposition uniformity
JP2019035105A (en) Plasma processing apparatus
KR100683255B1 (en) Plasma processing apparatus and exhausting device
KR102324032B1 (en) Substrate supporting module and substrate processing apparatus having the same
JP2019031723A (en) Plasma treatment apparatus
JP2006049367A (en) Plasma processing apparatus
JP2017208209A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2018090846A (en) Processor
JP6574588B2 (en) Plasma processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200624

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210331

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210420

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210517

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210928

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211011

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6969373

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151