KR20110135445A - 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 플라즈마 처리 시스템 - Google Patents

다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 플라즈마 처리 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 인라인 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기는 용량 결합된 플라즈마를 유도하기 위한 용량 결합 전극을 포함하는 적어도 하나의 단위 방전 모듈; 상기 단위 방전 모듈에서 분사된 플라즈마가 처리된 후 가스를 플라즈마 챔버 외부로 배출하기 위해 상기 단위 방전 모듈과 인접하게 구비된 적어도 하나의 배출장치를 포함한다. 본 발명의 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 인라인 기판 처리 시스템에 의하면 플라즈마 공정 처리 후 잔여 가스를 다중 배기 구조를 이용하여 효율적으로 플라즈마 챔버 외부로 배출할 수 있다. 또한 다중 배기구조를 통해 잔여 가스를 효율적으로 배출함으로써 기판을 더욱 안정적인 상태에서 처리할 수 있다.

Description

다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 플라즈마 처리 시스템{PLASMA GENERATOR HAVING MULTI VENTILATION STRUCTURE AND PLASMA PROCESS SYSTEM}
본 발명은 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 플라즈마 처리 시스템에 관한 것으로, 구체적으로는 플라즈마 처리 후 발생되는 잔여물을 빠르게 처리하여 플라즈마 처리 효율을 높일 수 있는 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 플라즈마 처리 시스템에 관한 것이다.
플라즈마는 같은 수의 양이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 집적 회로 장치, 액정 디스플레이, 태양 전지등과 같은 장치를 제조하기 위한 여러 반도체 제조 공정 예를 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.
플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마(capacitive coupled plasma)와 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma)가 그 대표적인 예이다. 용량 결합 플라즈마 소스는 정확한 용량 결합 조절과 이온 조절 능력이 높아서 타 플라즈마 소스에 비하여 공정 생산력이 높다는 장점을 갖는다.
용량 결합 플라즈마 소스를 사용하는 물리적 기상 증착 설비는 고진공의 플라즈마 반응기 내부에 낮은 압력의 스퍼터링 기체, 보통 아르곤을 흘려주고 DC 또는 RF 전원을 두 전극 사이에 가해 이온화를 야기하여 플라즈마를 발생한다. 이때, 소스 타겟 물질로 덮여있는 음극판은 기판에 비해 음전위로 유지되므로 양전하인 아르곤 이온은 소스 타겟 쪽으로 가속되며 강하게 충돌하여 타겟 물질이 증기 형태로 방출되며, 중성 상태의 타겟 증기는 마주보고 있는 웨이퍼 기판에 증착하게 된다.
이러한 플라즈마 처리 공정을 수행하면 공정 처리 후 남는 가스가 플라즈마 챔버 내부에 남게 된다. 이때, 플라즈마 챔버의 하부에는 배기펌프가 연결되어 잔여 가스를 플라즈마 챔버 외부로 배출하게 된다. 그러나 배기펌프가 플라즈마 챔버에 구비되어 있어, 플라즈마 처리 공정 후 잔여 가스를 배출하는데 약간의 시간이 소요된다. 잔여 가스가 바로 배출되지 못하고 플라즈마 챔버 내부에 머물게 되면 기판 처리에 영향을 미쳐 효율적인 플라즈마 처리가 이루어지지 않는다.
본 발명의 목적은 플라즈마 공정시 공정 처리 후 잔여 가스를 효율적으로 배기하여 효율적인 플라즈마 공정을 수행할 수 있는 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 플라즈마 처리 시스템을 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 플라즈마 처리 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기는 용량 결합된 플라즈마를 유도하기 위한 용량 결합 전극을 포함하는 적어도 하나의 단위 방전 모듈; 상기 단위 방전 모듈에서 분사된 플라즈마가 처리된 후 가스를 플라즈마 챔버 외부로 배출하기 위해 상기 단위 방전 모듈과 인접하게 구비된 적어도 하나의 배출장치를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 용량 결합 전극은 바 형태를 갖는 제1 용량 결합 전극; 상기 제1 용량 결합 전극이 내부에 구비되고 상기 제1 용량 결합 전극의 주변으로 방전 공간이 형성되도록 구성된 제2 용량 결합 전극을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 용량 결합 전극은 상기 제1 용량 결합 전극의 길이방향을 따라 양측을 감싼 형태를 갖고, 상기 제2 용량 결합 전극은 하부에 방전된 플라즈마가 배출되기 위한 배출구가 구비된다.
일 실시예에 있어서, 상기 배출장치는 상기 단위 방전 모듈이 설치된 상기 플라즈마 챔버 벽면에 구비되는 배출구; 상기 배출구와 연결되는 배기펌프를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 배출구는 상기 다수 개의 단위 방전 모듈 사이에 위치된다.
일 실시예에 있어서, 상기 단위 방전 모듈은 상기 용량 결합 전극이 장착되는 전극 장착판을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 전극 장착판은 복수 개의 가스 분사홀을 포함하고, 상기 가스 분사홀을 통하여 상기 플라즈마 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 챔버는 상기 가스 공급부가 전원 공급원이나 접지로 연결되는 제1 용량 결합 전극이 고, 복수 개의 개구부를 갖는 제2 전극과의 사이에서 플라즈마 방전이 유도된다.
본 발명의 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 시스템은 다수 개의 플라즈마 발생기; 상기 플라즈마 발생기가 적어도 하나 설치되고 직선상으로 배열되는 다수 개의 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버 내부로 기판을 이송하기 위한 이송수단을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 다수 개의 플라즈마 챔버는 동일한 플라즈마 공정을 수행하거나 서로 다른 공정을 수행한다.
일 실시예에 있어서, 상기 다수 개의 플라즈마 챔버는 플라즈마 증착 공정과 상기 플라즈마 챔버 세척 공정을 교대적으로 수행한다.
본 발명의 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 플라즈마 처리 시스템에 의하면 플라즈마 공정 처리 후 잔여 가스를 다중 배기 구조를 이용하여 효율적으로 플라즈마 챔버 외부로 배출할 수 있다. 또한 다중 배기구조를 통해 잔여 가스를 효율적으로 배출함으로써 기판을 더욱 안정적인 상태에서 처리할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극 구조를 갖는 플라즈마 챔버를 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 챔버의 단면을 도시한 도면이다.
도 3은 플라즈마 챔버에서 분사된 플라즈마 및 처리 후 잔여가스의 이동 경로를 도시한 도면이다.
도 4는 다수 개의 단일 방전 모듈이 구비된 플라즈마 챔버를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극 구조를 갖는 플라즈마 챔버를 도시한 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 플라즈마 챔버의 단면을 도시한 도면이다.
도 7 및 도 8은 듀얼 플라즈마 챔버를 간략하게 도시한 도면이다.
도 9은 본 발명에 따른 플라즈마 챔버를 인라인 형태로 배열한 인라인 기판 처리 시스템을 도시한 도면이다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극 구조를 갖는 플라즈마 챔버를 도시한 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 챔버의 단면을 도시한 도면이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 발생기(200)는 용량 결합 전극을 포함하여 플라즈마 챔버(100) 내부로 용량 결합된 플라즈마를 유도하는 다중 방전 모듈(210)과 플라즈마 챔버(100) 내부의 잔여가스를 플라즈마 챔버(100) 외부로 배출하기 위한 배출장치를 포함한다.
다중 방전 모듈(210)은 가스 공급부(230)와 다수 개의 단위 방전 모듈이 모여 이루어진다. 가스 공급부(230)는 가스 공급원(250)으로부터 가스를 제공받아 플라즈마 챔버(100) 내부로 공급한다. 가스 공급부(230)는 내부에 배플(232)이 구비되고, 다수 개의 가스 분사홀(234)을 통해 플라즈마 챔버(100) 내부로 가스를 공급한다.
단위 방전 모듈은 하나의 제1 용량 결합 전극(212)과 제1 용량 결합 전극(214)의 양측에 위치되는 제2 용량 결합 전극(214)로 구성되어 제1 용량 결합 전극(212)과 제2 용량 결합 전극(214) 사이에서 방전이 이루어진다. 제1 용량 결합 전극(212)과 제2 용량 결합 전극(214) 사이에는 가스 분사홀(272)이 위치되어 가스를 제공한다.
제1 용량 결합 전극(212)은 바 형태로 다수 개가 플라즈마 발생기(200)의 내부에 선형으로 배열된다. 제2 용량 결합 전극(214)은 제1 용량 결합 전극(212)이 내부에 포함되도록 제1 용량 결합 전극(212)의 길이 방향으로 양측을 감싸는 형태로 갖는다. 이때 제2 용량 결합 전극(214)의 하부에는 방전된 플라즈마를 플라즈마 챔버(100) 내부로 제공할 수 있도록 개구된 배출구(215)가 구비된다. 제1 용량 결합 전극(212)과 제2 용량 결합 전극(214)은 가스 분사홀(272)과 연통되는 분사홀을 갖는 전극 장착판(280)에 설치된다.
제1 용량 결합 전극(212)은 전원 공급원(50)으로부터 발생된 무선 주파수 전원을 임피던스 정합기(52)를 통하여 공급받는다. 전원 공급원(50)은 별도의 임피던스 정합기 없이 출력 전원의 제어가 가능한 무선 주파수 발생기를 사용하여 구성될 수도 있다. 또한 제1 용량 결합 전극(212)은 복수 개의 전원 공급원(50)에 연결될 수도 있다. 이때 각 전원 공급원(50)은 동일한 무선 주파수를 공급할 수도 있고, 서로 다른 무선 주파수를 공급할 수도 있다. 제2 용량 결합 전극(214)은 접지로 연결된다. 여기서, 다수 개의 제1 용량 결합 전극(212)은 전류 균형 분배기(60)에 의해 균일하게 분배된 전류를 공급받는다.
플라즈마 발생기(200)는 다중 방전 모듈(210)의 양측으로 인접하게 배기장치가 구비된다. 배기 장치는 적어도 하나의 배기구(290)가 구비되고, 배기구(290)는 배기펌프(295)에 연결된다. 배기구(290)는 다중 방전 모듈(210)이 구비된 플라즈마 발생기(200)의 일면에 함께 구비된다. 즉, 플라즈마 챔버(100) 내부의 잔여가스는 양측 배기구(290)에 포집되고 배기펌프(295)에 의해 플라즈마 챔버(100) 외부로 배출된다.
도 3은 플라즈마 챔버에서 분사된 플라즈마 및 처리 후 잔여가스의 이동 경로를 도시한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 다중 방전 모듈(200)에서 발생된 플라즈마는 제2 용량 결합 전극(214)의 배출구(215)를 통해 플라즈마 챔버(100) 내부로 공급된다. 공급된 플라즈마는 피처리 기판(13)을 처리한다. 피처리 기판(13)을 처리한 후의 잔여가스는 바로 배기구(290)로 포집되어 플라즈마 챔버(100) 외부로 배출된다. 그러므로, 피처리 기판(13)을 처리한 후 남게된 잔여 가스가 플라즈마 챔버(100) 내부에 오래 머무르지 않고 바로 배기구(290)를 통해 외부로 배출되기 때문에 플라즈마 처리 효율이 높아진다.
다시 도 1, 2를 참조하면, 피처리 기판(13)은 이송수단(20)에 의해 플라즈마 챔버(100)에 수직으로 공급된다. 플라즈마 챔버(100)의 일측과 타측에는 각각 플라즈마 챔버(100) 내부로 피처리 기판(13)이 출입할 수 있는 게이트(102, 104)가 구비된다. 피처리 기판(13)은 플라즈마 챔버(100)의 게이트(102)를 통해 플라즈마 챔버(100) 내부로 유입되고, 게이트(104)를 통해 외부로 유출된다. 이때 피처리 기판(13)은 한 방향으로 이동되기 때문에 플라즈마 발생기(200)에서 선형으로 발생된 플라즈마에 의해 플라즈마 챔버(100) 내부에서 순차적으로 처리된다. 여기서, 도면에서는 도시하지 않았으나, 플라즈마 챔버(100)는 롤러나 컨베이어 밸트와 같은 이송수단에 의해 수평으로 이송되는 피처리 기판(13)을 처리할 수도 있다.
또한 플라즈마 챔버(100) 내부에는 피처리 기판(13)을 가열하기 위한 히터(30)가 구비되어 필요에 따라 피처리 기판(13)을 히팅한다. 히터(30)는 열선이나 히팅 램프를 사용하고 히터 전원(35)에 연결되어 구동된다.
도 4는 다수 개의 단일 방전 모듈이 구비된 플라즈마 챔버를 도시한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 플라즈마 발생기(200a)는 하나의 단위 방전 모듈(220)과 배기장치로 구성될 수도 있다. 단위 방전 모듈(220)과 배기 장치는 상기에 설명된 바와 동일한 구조를 갖는다. 여기서, 배기구(290)는 단위 방전 모듈(220)의 양측에 구비된다. 즉, 단위 방전 모듈(220)별로 플라즈마의 발생 및 잔여가스 처리가 이루어진다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극 구조를 갖는 플라즈마 챔버를 도시한 도면이고, 도 6은 도 5에 도시된 플라즈마 챔버의 단면을 도시한 도면이다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 플라즈마 발생기(200b)는 접지로 연결된 가스 공급부(230)와 주파수 전원이 인가되는 매쉬 형태의 제2 용량 결합 전극(214a) 을 갖는다. 가스 공급부(230)은 제1 용량 결합 전극으로 기능한다. 제1 용량 결합 전극은 다른 실시예로 돌기부를 갖도록 형성되어 돌기부가 매쉬 형상의 제2 용량 결합 전극(214a)과 결합되어 방전될 수도 있다. 제2 용량 결합 전극(214a)은 다수 개의 개구부(215)가 구비된 매쉬 형상을 갖는다. 가스 공급부(230)과 제2 용량 결합 전극(214a) 사이에서 유도된 플라즈마는 제2 용량 결합 전극(214a)의 배출구(215a)를 통해 플라즈마 챔버(100) 내부로 공급된다. 본 발명에서는 미도시 되었으나, 제1 용량 결합 전극인 가스 공급부(230)에 전원 공급원(50)이 연결되고, 제2 용량 결합 전극(214a)가 접지로 연결되어 방전이 이루어질 수 있다. 또한 플라즈마 발생기(200b)에는 다수 개의 제2 용량 결합 전극(214a)이 절연 프레임(217)에 의해 거치되면서 전기적으로 절연된다. 본 실시예에서의 다른 구성 및 동작은 상기의 제1 실시예와 동일하다.
도 7 및 도 8은 듀얼 플라즈마 챔버를 간략하게 도시한 도면이다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 플라즈마 발생기(200)를 양측 또는 중심부에 위치시켜 듀얼 플라즈마 챔버(100a)를 구성할 수 있다. 듀얼 플라즈마 챔버(100a)는 두 개의 공간으로 분리되고, 각 공간 내부로 플라즈마를 공급하기 위한 플라즈마 발생기(200)를 구비한다. 이때 각 듀얼 플라즈마 챔버(100a)는 두 개의 공간으로 분리되어 있어, 하나의 공간에서 하나의 피처리 기판(13)이 처리된다. 또한 듀얼 플라즈마 챔버(100b)는 중심부에 공통으로 플라즈마 발생기(200c)를 구비할 수 있다. 이때 플라즈마 발생기(200c)는 각각의 플라즈마 챔버(100b) 내부로 플라즈마를 공급한다. 또한 플라즈마 챔버(100a)에 구비된 두 개의 플라즈마 발생기(200)는 동일한 공정가스를 공급받거나 서로 다른 공정가스를 공급받을 수 있다. 또한 플라즈마 발생기(200c)는 듀얼 플라즈마 챔버(100b)에 동일하게 방전된 플라즈마를 제공하거나 서로 다른 플라즈마를 제공할 수 있다.
도 9은 본 발명에 따른 플라즈마 챔버를 인라인 형태로 배열한 인라인 기판 처리 시스템을 도시한 도면이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 플라즈마 발생기(200-1, 200-2, 200-3)가 각각 구비된 다수 개의 플라즈마 챔버(100)를 이용하여 플라즈마 처리 시스템을 구성할 수 있다. 이송수단(20)에 의해 피처리 기판(110)은 다수 개의 플라즈마 챔버(100)를 통과하면서 처리 공정이 수행된다. 여기서, 각 플라즈마 챔버(100) 사이에는 게이트 밸브가 구비된다. 피처리 기판(13)이 플라즈마 챔버(100) 내부로 들어갈 때 게이트(105)가 열리고, 피처리 기판(13)이 플라즈마 챔버(100) 외부로 나갈때 다시 게이트(105)가 열리므로 플라즈마 챔버(100) 내부를 독립적인 공간으로 유지하여 각 챔버 간에 가스가 혼합되는 것을 방지하며 피처리 기판(13)을 처리할 수 있다. 다수 개의 플라즈마 챔버(100)는 모두 동일한 공정가스를 이용하여 동일한 공정을 수행할 수 있고, 서로 다른 공정가스를 이용하여 다른 공정을 수행할 수도 있다, 또한 피처리 기판(13)이 이송되는 상황에 따라서 플라즈마 증착 공정과 챔버 세척 공정을 수행할 수도 있다. 예를 들어, 제1 플라즈마 발생기(200-1)가 구비된 플라즈마 챔버(100)에서 피처리 기판(13)은 플라즈마 증착 공정이 수행된다. 공정을 마친 피처리 기판(13)은 제2 플라즈마 발생기(200-2)가 구비된 플라즈마 챔버(100)로 이송되어 다른 공정이 수행된다. 이때, 피처리 기판(13)이 지나간 제1 플라즈마 발생기(200-1)가 구비된 플라즈마 챔버(100)는 챔버 내부를 세척하기 위한 세척 공정을 수행할 수 있다. 동일한 방법으로 제2 플라즈마 발생기(200-2)가 구비된 플라즈마 챔버에서 공정을 마친 피처리 기판(13)은 제3 플라즈마 발생기(200-3)가 구비된 플라즈마 챔버(100)로 이송되고, 제2 플라즈마 발생기(200-2)가 구비된 플라즈마 챔버(100)는 챔버 내부를 세척하기 위한 세척 공정을 수행할 수 있다.
본 발명에서는 도시하지 않았으나, 기판 이송 수단으로 자기 커플러 구조를 이용하여 피처리 기판(13)을 이송할 수도 있다. 또한 하나의 플라즈마 챔버(100)는 피처리 기판(13)의 균일한 처리를 위해 다수 개의 플라즈마 발생기(200)가 구비될 수 있다. 이렇듯 플라즈마 챔버에 구비되는 플라즈마 발생기(200)의 갯수는 조절이 가능하다.
이상에서 설명된 본 발명의 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 플라즈마 처리 시스템의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
13: 피처리 기판 20: 이송수단
30: 히터 35: 히터 전원
50: 전원 공급원 52: 임피던스 정합기
60: 전류 균형 분배기 100: 플라즈마 챔버
100a, 100b: 듀얼 플라즈마 챔버 102, 104, 105: 게이트
200, 200a, 200b, 200c: 플라즈마 발생기
200-1, 200-2, 200-3:제 1, 2, 3 플라즈마 발생기
210: 다중 방전 모듈 212: 제1 용량 결합 전극
214, 214a: 제2 용량 결합 전극 215, 215a: 배출구
217: 절연 프레임 220: 단위 방전 모듈
230: 가스 공급부 232: 배플
234: 가스 분사홀 250: 가스 공급원
280: 전극 장착판 290: 배기구
295: 배기펌프

Claims (11)

  1. 용량 결합된 플라즈마를 유도하기 위한 용량 결합 전극을 포함하는 적어도 하나의 단위 방전 모듈;
    상기 단위 방전 모듈에서 분사된 플라즈마가 처리된 후 가스를 플라즈마 챔버 외부로 배출하기 위해 상기 단위 방전 모듈과 인접하게 구비된 적어도 하나의 배출장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 용량 결합 전극은
    바 형태를 갖는 제1 용량 결합 전극;
    상기 제1 용량 결합 전극이 내부에 구비되고 상기 제1 용량 결합 전극의 주변으로 방전 공간이 형성되도록 구성된 제2 용량 결합 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 용량 결합 전극은 상기 제1 용량 결합 전극의 길이방향을 따라 양측을 감싼 형태를 갖고, 상기 제2 용량 결합 전극은 하부에 방전된 플라즈마가 배출되기 위한 배출구가 구비된 것을 특징으로 하는 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 배출장치는
    상기 단위 방전 모듈이 설치된 상기 플라즈마 챔버 벽면에 구비되는 배출구;
    상기 배출구와 연결되는 배기펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 배출구는 상기 다수 개의 단위 방전 모듈 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 단위 방전 모듈은 상기 용량 결합 전극이 장착되는 전극 장착판을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 전극 장착판은 복수 개의 가스 분사홀을 포함하고, 상기 가스 분사홀을 통하여 상기 플라즈마 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 플라즈마 챔버는
    상기 가스 공급부가 전원 공급원이나 접지로 연결되는 제1 용량 결합 전극이 고, 복수 개의 개구부를 갖는 제2 전극과의 사이에서 플라즈마 방전이 유도되는 것을 특징으로 하는 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 의해 형성된 다수 개의 플라즈마 발생기;
    상기 플라즈마 발생기가 적어도 하나 설치되고 직선상으로 배열되는 다수 개의 플라즈마 챔버;
    상기 플라즈마 챔버 내부로 기판을 이송하기 위한 이송수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 다수 개의 플라즈마 챔버는 동일한 플라즈마 공정을 수행하거나 서로 다른 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 시스템.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 다수 개의 플라즈마 챔버는 플라즈마 증착 공정과 상기 플라즈마 챔버 세척 공정을 교대적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 다중 배기구조를 갖는 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 시스템.
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