KR100731993B1 - 내부 방전 브리지를 갖는 플라즈마 소오스 - Google Patents

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KR100731993B1
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Abstract

내부 방전 브리지를 갖는 플라즈마 소오스가 게시된다. 본 발명의 플라즈마 처리 챔버는 유도 코일이 감겨진 페라이트 코어가 매입된 다수의 내부 방전 브리지가 서셉터 상부를 가로질러 병렬로 설치된 챔버 하우징과 내부 방전 브릿지의 바로 위에서 제1 가스를 흘리는 제1 가스 공급 채널과 내부 방전 브리지 사이로 제2 가스를 흘리는 제2 가스 공급 채널을 갖는 가스 분배 어셈블리를 구비한다. 플라즈마 처리 챔버는 대형의 기판을 플라즈마 처리하기 위한 넓은 볼륨의 플라즈마 처리 챔버에 있어서 챔버 내부에 고밀도의 플라즈마를 균일하게 안정적으로 발생하고 유지할 수 있어서 기판의 처리를 균일하게 할 수 있다.
플라즈마, 공정 가스, 캐리어 가스, 페라이트 코어

Description

내부 방전 브리지를 갖는 플라즈마 소오스{PLASMA SOURCE INTERNAL DISCHARGING BRIDGE}
본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버의 사시도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 처리 챔버의 분해 사시도이다.
도 3은 도 1의 플라즈마 처리 챔버의 단면도이다.
도 4는 도 1의 페라이트 코어의 사시도이다.
도 5는 분리된 이중 페라이트 코어의 사시도이다.
도 6은 내부 방전 브리지의 단면도이다.
도 7은 이중 바이어스 전원을 구비한 예를 보여주는 플라즈마 처리 챔버의 단면도이다.
도 8 및 도 9는 방전 분할 격판의 분해 및 조립 구조를 보여주는 사시도이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버에 설치되는 내부 방전 브리지와 방전 갓의 분해 및 조립 구조를 보여주는 사시도이다.
도 12는 방전 갓이 설치된 플라즈마 처리 챔버의 단면도이다.
도 13 내지 도 15는 방전 갓의 돌출부의 다양한 변형예를 보여주는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100: 플라즈마 처리 챔버 110: 챔버 하우징
200: 가스 분배 어셈블리 210: 가스 분사 플레이트
220: 가스 분배 플레이트 230: 상부 커버
250: 방전 갓 300: 내부 방전 브리지
310: 페라이트 코어
본 발명은 반도체 기판의 플라즈마 처리를 위한 플라즈마 소오스에 관한 것으로, 구체적으로는 챔버 내부로 유도 결합 플라즈마 발생을 위한 다수의 내부 방전 브리지를 구비한 플라즈마 소오스에 관한 것이다.
반도체 소자의 초미세화와 그리고 기판 사이즈의 증가 그리고 새로운 처리 대상 물질 등장 등의 여러 요인으로 인하여 반도체 제조 공정에서는 더욱 향상된 기판 처리 기술이 요구되고 있다. 특히, 플라즈마를 이용한 반도체 제조 공정으로 건식 에칭 공정 분야나 물리적/화학적 기상 증착 분야에서는 이러한 기술적 요구에 대응하기 위하여 고밀도의 플라즈마를 균일하게 얻을 수 있는 플라즈마 소오스에 대한 기술 개발이 지속되고 있다.
일반적으로 플라즈마 반응관의 압력을 낮추면 이온의 평균자유거리가 늘어나 웨이퍼에 충돌하는 이온의 에너지가 증가하고 이온들의 간의 산란현상도 줄어들기 때문에 이방성 에칭에 유리한 것으로 알려져 있다. 그러나 압력이 낮아지면 전자들 역시 평균자유거리가 늘어나 중성원자들과의 충돌이 감소함으로 플라즈마 상태를 유지하기가 어려워진다. 그럼으로 낮은 압력에서도 플라즈마를 유지할 수 있는 유도 결합 플라즈마 소오스 사용되고 있다.
유도 결합 플라즈마는 고주파의 자기계 성분이 전자 운동에 영향을 미치고, 시간 변화하는 자기계 성분에 의한 유도전기계에 의해 전자의 가속이 이루어진다. 유도 결합 플라즈마는 1Pa 이하의 낮은 가스 압력으로도 고밀도 플라즈마 발생된다. 고주파인가와 서셉터의 바이어스의 인가를 독립적으로 하여 이온 조사를 제어함으로서 막의 종류에 따라 양질의 막을 형성할 수 있다. 그러나 기판 사이즈의 증가에 따라 기판이 처리되는 플라즈마 반응 챔버의 사이즈도 증가되는데 이러한 경우 플라즈마 반응 챔버의 내부에 균일하게 플라즈마가 분포하기 어려우며 이로 인하여 기판 처리의 균일도가 낮아지는 문제점이 발생된다.
기판의 처리 균일도를 높이기 위하여 플라즈마 처리 챔버로 공급되는 공정 가스를 분리 공급하기 위한 기술이 제안되고 있다. 미국특허공보 US2006/0021703에 게시된 반도체 웨이퍼 처리 시스템의 샤워 헤드를 위한 이중 가스판(DUAL GAS FACEPLATE FOR A SHOWERHEAD IN A SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING SYSTEM)은 반응관으로 제1 공정 가스와 제2 공정 가스를 분리하여 공급하도록 하여 기판 처리의 균일도를 향상시키도록 하고 있다.
한편, 본 발명자는 2005년 6월 15일자로 출원된 출원번호 10-2005-0051638에서 대형 기판을 처리 할 수 있는 내부 방전 브리지를 갖는 플라즈마 소오스에 관한 기술을 제안한 바 있다. 이 기술은 대형화 되어가는 반도체 웨이퍼나 액정 디스플레이 글라스를 플라즈마 처리할 수 있으면서 보다 높은 플라즈마 처리 효율과 클리닝이 용이한 구조를 갖는 내부 방전 브릿지를 갖는 플라즈마 프로세스 챔버를 제공한다.
이에 본 발명자는 더 나아가 본 발명을 통하여 내부 방전 브리지를 갖는 플라즈마 소오스의 독특한 방전 구조에 적합한 이중 가스 공급 구조를 제공하고, 이와 더불어 서셉터에 인가된 바이어스의 방전이 보다 균일하게 발생될 수 있도록 플라즈마 처리 챔버의 구조를 개선함으로서 더욱 균일한 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있는 플라즈마 소오스를 제공하고자 한다.
따라서 본 발명은 대형의 기판을 플라즈마 처리하기 위한 넓은 볼륨의 플라즈마 처리 챔버에 있어서, 챔버 내부에 고밀도의 플라즈마를 균일하게 안정적으로 발생하고 유지할 수 있어서 기판의 처리를 균일하게 할 수 있는 내부 방전 브리지를 갖는 플라즈마 처리 챔버를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 플라즈마 처리 챔버에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 처리 챔버는: 유도 코일이 감겨진 페라이트 코어가 매입된 다수의 내부 방전 브리지가 서셉터 상부를 가로질러 병렬로 설치된 챔버 하우징; 및 내부 방전 브릿지의 바로 위에서 제1 가스를 흘리는 제1 가스 공급 채널과 내부 방전 브리지 사이로 제2 가스를 흘리는 제2 가스 공급 채널을 갖는 가스 분배 어셈블리를 구비한다.
바람직하게, 제1 공정 가스는 캐리어 가스이고, 제2 공정 가스는 원료 가스이다.
바람직하게, 상기 페라이트 코어는 다중 루프를 형성하는 단일 페라이트 코어이고, 단일 페라이트 코어는 각 루프에 각기 감겨진 다수의 유도 코일을 포함한다.
바람직하게, 상기 페라이트 코어는 하나의 독립된 루프를 형성하는 다수의 페라이트 코어이고, 다수의 페라이트 코어에 각기 감겨진 다수의 유도 코일을 포함한다.
바람직하게, 다수의 유도 코일은 제1 주파수의 교류 전원을 공급하는 제1 전원 공급원에 직렬, 병렬, 또는 직렬과 병렬의 혼합 방식 중 어느 하나의 방식으로 전기인 연결이 이루어진다.
바람직하게, 서셉터는 단일 바이어스 구조로서, 제2 주파수의 교류 전원을 제1 바이어스 전원으로 공급하는 제2 전원 공급원을 포함한다.
바람직하게, 서셉터는 이중 바이어스 구조로서, 제2 주파수의 제1 바이어스 전원을 공급하는 제2 전원 공급원과, 제2 주파수와 다른 주파수의 제3 주파수의 제2 바이어스 전원을 공급하는 제3 전원 공급원을 포함한다.
바람직하게, 다수의 내부 방전 브리지에 의한 플라즈마 형성 영역을 다수로 구획하는 다수의 방전 분리 격벽을 포함한다.
바람직하게, 내부 방전 브리지는 절연 부재로 구성되며, 서셉터에 대향된 저면으로 접지에 전기적으로 연결되는 전도성 금속 전극을 포함한다.
바람직하게, 가스 분배 어셈블리는: 제1 및 제2 가스 공급 채널이 형성되며, 전기적으로 접지된 가스 분사 플레이트; 가스 분사 플레이트에 적층되어 제1 및 제2 가스 공급 채널로 제1 및 제2 가스를 분리 공급하는 가스 분배 플레이트; 및 가스 분배 플레이트의 상부를 덮는 상부 커버를 포함한다.
바람직하게, 가스 분배 어셈블리는: 제1 및 제2 가스 공급 채널이 형성되고, 다수의 내부 방전 브리지에 일정 간격을 두고 에워싸되 서셉터에 대향되는 부분이 내부 방전 브리지를 따라 개방되며, 전기적으로 접지된 방전 갓; 및 방전 갓에 적층되어 제1 및 제2 가스 공급 채널로 제1 및 제2 가스를 분리 공급하는 가스 분배 플레이트를 포함하고, 방전 갓과 가스 분배 플레이트는 챔버 하우징의 상부 커버와 하부 바디 사이에 순차적으로 적층되어 구성된다.
바람직하게, 방전 갓은 다수의 내부 방전 브리지에 의한 플라즈마 형성 영역을 다수로 구획하는 다수의 방전 분리 격벽을 포함한다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시예에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성 에 대한 상세한 기술은 생략된다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 내부 방전 브리지를 갖는 플라즈마 소오스를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버의 사시도이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 처리 챔버의 분해 사시도이다. 그리고 도 3은 도 1의 플라즈마 처리 챔버의 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버(100)는 기판(W)이 놓이는 서셉터(101)가 마련된 챔버 하우징(110)과 그 상부에 설치되는 가스 분배 어셈블리(200)가 구성된다.
챔버 하우징(110)의 상부 영역에는 다수의 내부 방전 브리지(300)가 챔버 하우징의 일 측벽(111)에서 마주 대향된 타 측벽(112)까지 이르도록 서셉터(101) 상부를 가로질러 병렬로 설치된다. 챔버 하우징(110)의 하부에는 진공 펌프(104)에 연결되는 가스 배기구(105)가 구비된다.
다수의 내부 방전 브리지(300)가 연결되는 챔버 하우징(110)의 양쪽 측벽(111, 112)에는 개구된 홀(113)이 구비되어 내부 방전 브리지(300)의 양측 단부가 연결된다. 그럼으로 내부 방전 브리지(300)의 중공 영역(301)은 챔버 하우징(110)의 내측 상부 영역을 가로지르는 통로를 형성한다. 이 중공 영역(301)에는 유도 코일(312)이 감겨진 페라이트 코어(310)가 매입된다.
도 4는 도 1의 페라이트 코어의 사시도이고, 도 5는 분리된 이중 페라이트 코어의 사시도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 페라이트 코어(310)는 다중 루프를 형성하는 단일 페라이트 코어(310)로 구성된다. 단일 페라이트 코어(310)는 각 루프 마다 각기 감겨진 다수의 유도 코일(312)을 구비한다. 또는 도 5에 도시된 바와 같이, 각기 하나의 독립된 루프를 형성하는 다수의 페라이트 코어(310a, 310b)로 구성될 수 있다. 다수의 페라이트 코어(310a, 310b)에도 역시 각기 유도 코일(312)이 감겨 있다.
다수의 유도 코일(312)은 제1 전원 공급원(400)에 전기적으로 직렬로 연결된다. 그러나 병렬, 또는 직렬과 병렬의 혼합 방식 중 어느 하나의 방식으로 전기인 연결이 이루어질 수도 있다. 그리고 도면에는 도시되어 있지 않으나 다수의 유도 코일(312)과 제1 전원 공급원(400)의 사이에는 임피던스 정합기가 연결된다.
제1 전원 공급원(400)으로부터 유도 코일(312)로 제1 주파수의 교류 전원이 공급되면, 페라이트 코어(310)의 다중 루프를 따라서 유도 자기장(314)이 집속되고, 유도 자기장(314)에 의해 내부 방전 브리지(300)를 감싸는 유도 전기장(316) 형성된다. 이에 따라 챔버 하우징(110)의 내부에서 내부 방전 브리지(300) 주변으로 플라즈마 방전이 이루어진다.
다시, 도 2 및 도 3을 참조하여, 가스 분배 어셈블리(200)는 분리된 가스 공급 구조를 가지게 됨으로 보다 균일한 고밀도의 플라즈마를 형성이 가능해진다. 가스 분배 어셈블리(200)는 가스 분사 플레이트(210), 가스 분배 플레이트(220), 및 상부 커버(230)로 구성되며 이들은 챔버 하우징(110)의 상부에 진공 절연되어 순차적으로 적층된다. 각 층간은 진공 절연된다.
가스 분사 플레이트(210)는 제1 및 제2 가스 공급 채널(211, 212)을 구비하며, 전기적으로 접지된다. 제1 가스 공급 채널(211)은 내부 방전 브리지(300)의 상부 영역(322)의 길이 방향을 따라 선형으로 배열된 다수개의 관통된 홀들로 구성된다. 제2 가스 공급 채널(212)은 내부 방전 브리지(300)의 사이 영역(320)의 길이 방향을 따라 선형으로 배열된 다수개의 관통된 홀들로 구성된다.
가스 분배 플레이트(220)는 다수개의 관통된 홀(222)이 제2 가스 공급 채널(212)과 대응된 상부 위치에서 균일하게 형성되어 있으며, 이 관통된 홀(222)은 다수의 연결관(223)에 의해 제2 가스 공급 채널(212)과 상호 연결된다. 그리고 가스 분배 플레이트(220)에는 제1 공정 가스를 받아들여 가스 분사 플레이트(210) 상부로 배출하는 제1 가스 입구(221)가 구비된다.
상부 커버(230)는 가스 분배 플레이트(220)의 상부를 덮으며, 제2 공정 가스를 받아들이는 제2 가스 입구(231)가 구비된다. 그리고 제1 가스 입구(221)에 대응되는 위치에 하나의 관통된 홀(232)이 구비된다.
이와 같이 구성된 가스 분배 어셈블리(200)는 제1 가스 입구(221)로부터 제1 가스 공급 채널(211)에 이르는 하나의 제1 가스 공급 경로(201)를 형성하고, 제2 가스 입구(231)로부터 제2 가스 공급 채널(212)에 이르는 다른 하나의 제2 가스 공급 경로(202)를 형성한다.
그럼으로 제1 공정 가스는 내부 방전관 브리지(300)의 상부 영역(322)으로 흘르게 되고, 제2 공정 가스는 내부 방전 브리지(300)의 사이 영역(320)으로 흐르 게 된다. 이때, 제1 공정 가스는 내부 방전관 브지지(300)의 상부 영역(322)으로 흐르면서 제2 공정 가스 보다 먼저 플라즈마를 형성하게 되고, 이온화된 상태에서 제2 공정 가스와 혼합된다. 제1 공정 가스는 예를 들어, 캐리어 가스로서 Ar, N2, O2등의 가스일 수 있다. 제2 공정 가스는 예를 들어, 원료 가스로서 SiH4, CH4, CH3, Cl2 등의 가스 일 수 있다.
한편, 서셉터(101)는 제2 주파수의 교류 전원을 바이어스 전원으로 공급하는 제2 전원 공급원(410)에 전기적으로 연결된다. 서셉터(101)로 인가되는 바이어스는 전원은 접지로 연결된 가스 분사 플레이트(210)를 향하여 방전이 이루어진다. 이때 방전 경로 상에 내부 방전 브리지(300)가 배치됨으로 균일한 방전에 방해가 될 수 있다. 그럼으로 내부 방전 브리지(300)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 서셉터(101)를 대향하는 저면으로 길이 방향을 따라서 전도성 금속 전극(330)이 설치된다. 내부 방전 브리지(300)는 절연 부재로 구성되며, 금속 전극(330)의 내부에 설치되는 것이 바람직하다.
도 7은 이중 바이어스 전원을 구비한 예를 보여주는 플라즈마 처리 챔버의 단면도이다.
도 7을 참조하여, 서셉터(101)는 제2 주파수의 교류 전원을 제1 바이어스 전원으로 공급하는 제2 전원 공급원(410)에 전기적으로 연결되며, 또한 제3 주파수의 교류 전원을 제2 바이어스 전원으로 공급하는 제3 전원 공급원(420)에 전기적으로 연결된다. 제2 및 제3 주파수는 서로 다른 주파수이다.
도 8 및 도 9는 방전 분할 격판의 분해 및 조립 구조를 보여주는 사시도이다.
도 8 및 도 9를 참조하여, 내부 방전 브리지(300)를 따라서 플라즈마 방전이 이루지게 되는데, 이때 플라즈마 방전이 일부분으로 치우치는 것을 방지하기 위하여 다수의 분할된 방전 분리 격벽(340)이 구성될 수 있다. 다수의 분할된 방전 분리 격벽(340)은 다수의 내부 방전 브리지(300)의 길이 방향에 직교하는 방향으로 장착되어 플라즈마 형성 영역을 다수로 구획하게 된다. 그럼으로 전체적으로 균일한 플라즈마 방전이 이루어진다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버에 설치되는 내부 방전 브리지와 방전 갓의 분해 및 조립 구조를 보여주는 사시도이다. 그리고 도 12는 방전 갓이 설치된 플라즈마 처리 챔버의 단면도이다. 본 발명의 제2 실시예에 상술한 제1 실시예와 기본적으로 동일하다. 그럼으로 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기하고 반복된 설명은 생략한다.
도 10 내지 도 12를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버(100)는 상술한 제1 실시예와 달리 다수의 내부 방전 브리지(300) 상부에 방전 갓(250)을 포함하는 가스 분배 어셈블리(200)를 구비한다.
방전 갓(250)은 가스 분배 플레이트(220)의 하부와 챔버 하우징(110)의 상부에 설치된다. 방전 갓(250)은 상술한 제1 실시예의 가스 분사 플레이트(210)와 같이 교대적으로 구성되는 제1 및 제2 가스 공급 채널(252, 254)을 구비한다.
방전 갓(250)은 다수의 내부 방전 브리지에 일정 간격을 두고 에워싸되 서셉 터(101)에 대향되는 부분이 내부 방전 브리지(300)를 따라 개방되며 전기적으로 접지된다. 방전 갓(250)은 내부 방전 브리지(300)에 대응된 영역은 돔 구조(251)를 갖고, 내부 방전 브리지(300)의 사이 영역(320)으로 돌출부(253)를 갖게 된다. 제1 가스 공급 채널(252)은 돔 영역(251)을 따라서 구성되며, 제2 가스 공급 채널(254)은 돌출부(253)를 따라서 구성된다. 그럼으로 내부 방전 브리지(300)와 방전 갓(250)의 돔 영역(251) 사이에 좁은 방전 영역(256)이 형성된다.
제1 공정 가스는 좁은 방전 영역(256)을 통과하면서 플라즈마 방전이 이루어진다. 방전 갓(250)의 돌출부(251)는 서셉터(101)에 대향하여 돌출되어 있기 때문에 보다 안정적으로 바이어스에 의한 방전이 이루어진다. 돌출부(251)의 형상은 도 13 내지 도 15에 도시된 바와 같이, 다양하게 변형 실시할 수 있다.
그리고 부분적인 방전을 방지하고 보다 균일한 방전을 위하여 돔 구조(251)의 영역으로 다수의 방전 분리 격벽(255)이 설치될 수 있다. 제2 실시예에서도 상술한 제2 실시예와 같이 단일 또는 이중 바이어스 구조 모두 구성이 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같은 본 발명의 내부 방전 브리지를 갖는 플라즈마 소오스에 의 하면, 대형의 기판을 플라즈마 처리하기 위한 넓은 볼륨의 플라즈마 처리 챔버에 있어서 챔버 내부에 고밀도의 플라즈마를 균일하게 안정적으로 발생하고 유지할 수 있어서 기판의 처리를 균일하게 할 수 있다.

Claims (12)

  1. 유도 코일이 감겨진 페라이트 코어가 매입된 다수의 내부 방전 브리지가 서셉터 상부를 가로질러 병렬로 설치된 챔버 하우징; 및
    내부 방전 브릿지의 바로 위에서 제1 가스를 흘리는 제1 가스 공급 채널과 내부 방전 브리지 사이로 제2 가스를 흘리는 제2 가스 공급 채널을 갖는 가스 분배 어셈블리를 구비하는 플라즈마 처리 챔버.
  2. 제1 항에 있어서, 제1 공정 가스는 캐리어 가스이고, 제2 공정 가스는 원료 가스인 플라즈마 처리 챔버.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 페라이트 코어는 다중 루프를 형성하는 단일 페라이트 코어이고, 단일 페라이트 코어는 각 루프에 각기 감겨진 다수의 유도 코일을 포함하는 플라즈마 처리 챔버.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 페라이트 코어는 하나의 독립된 루프를 형성하는 다수의 페라이트 코어이고, 다수의 페라이트 코어에 각기 감겨진 다수의 유도 코일을 포함하는 플라즈마 처리 챔버.
  5. 제3 항 또는 제4 항에 있어서, 다수의 유도 코일은 제1 주파수의 교류 전원 을 공급하는 제1 전원 공급원에 직렬, 병렬, 또는 직렬과 병렬의 혼합 방식 중 어느 하나의 방식으로 전기인 연결이 이루어지는 플라즈마 처리 챔버.
  6. 제1 항에 있어서, 서셉터는 단일 바이어스 구조로서,
    제2 주파수의 교류 전원을 제1 바이어스 전원으로 공급하는 제2 전원 공급원을 포함하는 플라즈마 처리 챔버.
  7. 제1 항에 있어서, 서셉터는 이중 바이어스 구조로서,
    제2 주파수의 제1 바이어스 전원을 공급하는 제2 전원 공급원과,
    제2 주파수와 다른 주파수의 제3 주파수의 제2 바이어스 전원을 공급하는 제3 전원 공급원을 포함하는 플라즈마 처리 챔버.
  8. 제1 항에 있어서, 다수의 내부 방전 브리지에 의한 플라즈마 형성 영역을 다수로 구획하는 다수의 방전 분리 격벽을 포함하는 플라즈마 처리 챔버.
  9. 제1 항에 있어서, 내부 방전 브리지는 절연 부재로 구성되며, 서셉터에 대향된 저면으로 접지에 전기적으로 연결되는 전도성 금속 전극을 포함하는 플라즈마 처리 챔버.
  10. 제1 항에 있어서, 가스 분배 어셈블리는:
    제1 및 제2 가스 공급 채널이 형성되며, 전기적으로 접지된 가스 분사 플레이트;
    가스 분사 플레이트에 적층되어 제1 및 제2 가스 공급 채널로 제1 및 제2 가스를 분리 공급하는 가스 분배 플레이트; 및
    가스 분배 플레이트의 상부를 덮는 상부 커버를 포함하는 플라즈마 처리 챔버.
  11. 제1 항에 있어서, 가스 분배 어셈블리는:
    제1 및 제2 가스 공급 채널이 형성되고, 다수의 내부 방전 브리지에 일정 간격을 두고 에워싸되 서셉터에 대향되는 부분이 내부 방전 브리지를 따라 개방되며, 전기적으로 접지된 방전 갓; 및
    방전 갓에 적층되어 제1 및 제2 가스 공급 채널로 제1 및 제2 가스를 분리 공급하는 가스 분배 플레이트를 포함하고,
    방전 갓과 가스 분배 플레이트는 챔버 하우징의 상부 커버와 하부 바디 사이에 순차적으로 적층되어 구성되는 플라즈마 처리 챔버.
  12. 제11 항에 있어서, 방전 갓은 다수의 내부 방전 브리지에 의한 플라즈마 형성 영역을 다수로 구획하는 다수의 방전 분리 격벽을 포함하는 플라즈마 처리 챔버.
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