TW201428805A - 混合式射頻組件 - Google Patents

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Abstract

方法和系統可提供用於混合式射頻(RF)微機電(MEMS)組件的設計，包括靜電致動和壓電致動。在一個範例中，該方法可以包括施加第一電壓以生成一第一壓電力來縮小一懸臂和一致動電極之間的一第一間隙、以及施加第二電壓以生成一靜電力來引起該懸臂和一傳輸電極之間的接觸。

Description

混合式射頻組件 發明領域
本發明係有關於混合式射頻組件。
發明背景
射頻(RF)微機電(MEMS)組件可受到青睞以使用於消費性電子產品裝置，來顯示高信號隔離度、低插入損耗和低電力消耗。
在一些情況下，一個RF MEMS組件可使用靜電力來致動。然而，使用靜電力可能需要較高的致動電壓(例如，40-150伏特)，使得RF MEMS組件無法與其他裝置組件一起操作。
替代地，一個RF MEMS組件可使用壓電致動機構來致動。然而，儘管該壓電致動機構需要較低的致動電壓(<10伏特)，其亦可能使得該RF MEMS組件與互補金屬氧化物半導體(CMOS)積體電路(IC)不相容，且會導致更高的插入損耗。
發明概要
依據本發明之一實施例，係特地提出一種系統，其包含一處理組件、耦合至該處理組件的一記憶體組件、及用以傳播耦合至該處理組件之無線射頻(RF)訊號的一無線電組件。該無線電組件可包括一RF開關，且該RF開關可包括一致動電極及一懸臂。該懸臂可包括一頂部電極層、以及位於該頂部電極層下方並連接至該頂部電極層的一壓電層，其中該壓電層包括氮化鋁(AlN)。該懸臂亦可包括位於該壓電層下方並連接至該壓電層的一底部電極層，其中一突出物從該底部電極層延伸以產生該突出物與一傳輸電極之間的一間隙。
100‧‧‧RF MEMS組件
101‧‧‧懸臂
102‧‧‧致動電極
103‧‧‧頂部金屬層
104‧‧‧壓電層
105‧‧‧底部金屬層
106‧‧‧突出物
107‧‧‧間隙
108‧‧‧RFin電極層
109‧‧‧RFout電極層
110‧‧‧Vpiezo
111‧‧‧dc GND
112‧‧‧Vstatic
300‧‧‧RF MEMS裝置
301‧‧‧RFin電極層
302‧‧‧MEMS懸臂
303‧‧‧RFout電極層
304‧‧‧第一接地層
305‧‧‧第二接地層
400‧‧‧RF MEMS組件
401‧‧‧頂部電極層
402‧‧‧壓電層
403‧‧‧底部電極層
404‧‧‧突出物
405‧‧‧靜電致動電極
406‧‧‧RFin電極層
407‧‧‧RFout電極層
408‧‧‧間隙
501‧‧‧致動電極
502‧‧‧RFin電極層
503‧‧‧RFout電極層
504‧‧‧基材
505‧‧‧犧牲層
506‧‧‧底部電極層
507‧‧‧突出物
508‧‧‧RF訊號載子層
509‧‧‧壓電層
510‧‧‧頂部電極層
511‧‧‧間隙
藉由閱讀下面的說明書和所附申請專利範圍，並藉由參考以下圖式，本發明的實施例的各種優點對於熟此技藝者將變得顯而易見，其中：圖1是根據一實施例的一RF MEMS組件的一個範例的方塊圖；圖2是例示說明有關壓電力和靜電力之力和偏轉/位移之間的關係的範例的圖；圖3是包括根據一實施例的RF MEMS組件之一電子裝置的一部分的一個範例的方塊圖；圖4A-4C是根據一實施例的RF MEMS組件的範例的方塊圖；及圖5是根據一實施例的RF MEMS組件的製造過程的範例的流程圖與例示說明。
較佳實施例之詳細說明
實施例可提供用於一種混合式RF MEMS組件，包括一靜電致動組件及一壓電致動組件。該混合式RF MEMS組件可組配使插入損耗減至最小並以較低的致動電壓操作。該混合式RF MEMS組件可被結合至各種電子裝置(例如，筆記型電腦、平板裝置、或行動電話)，並且可被組配以取決於環境而便於各種通信協議(例如，3G、GSM、Wi-Fi、4G LTE、等等)。
現轉至圖1，係顯示一RF MEMS組件100的一範例的方塊圖。於此範例中，該RF MEMS組件100可以是結合至一行動電話的一RF開關。該RF MEMS組件100可包括一懸臂101及一致動電極102。如將更加詳細地討論的，該懸臂101及該致動電極102可被組配以從一RFin電極層108將RF訊號傳播至一RFout電極層109。該懸臂101可包括一頂部金屬層103、一壓電層104、一底部金屬層105、以及一突出物106。
該頂部金屬層103可為組配以傳播該RF訊號的一金屬層。該壓電層104可為壓電材料所構成的一層，並且可被連接至該頂部金屬層103且位於該頂部金屬層103下面。特別值得注意的是，該壓電層104可由氮化鋁(AlN)所構成。AIN是目前唯一可與CMOS製程相容的壓電材料。
該底部金屬層105可為連接至該壓電層104並位於該壓電層104下面的一金屬層。於此範例中，接著底部金 屬層105可相對地較該頂部金屬層103薄。尤其，該頂部金屬層103可沉積為1.0-10.0微米的厚度，同時該底部金屬層105可沉積為0.1-0.5微米的厚度。
該突出物106可為從該懸臂101朝該RFout電極層109延伸的一結構。所以，於此範例中，若該RF MEMS組件100可處於閉合狀態(亦即，未施加致動電壓)，一間隙107可分隔該突出物106與該RFout電極層110。該間隙107可被用於防止從該懸臂101至該RFout電極層109的RF訊號傳輸。
現在，若一第一電壓可施加於Vpiezo 110和dc GND 111之間以啟動該RF MEMS組件100至開啟狀態，一壓電致動機構(利用該壓電層104)可被啟動以實施一壓電力。如將更加詳細地討論的，此壓電力可藉由延伸該突出物106縮小該間隙107來縮小該懸臂101與該致動電極102之間的距離。藉由縮小該懸臂101與該致動電極102之間的距離，相對較低的一靜電致動電壓Vstatic可被用於閉合該間隙107，且該RF MEMS組件100的插入損耗可減至最小。
此外，若一第二電壓同樣可施加於Vstatic 112和dc GND 111之間，一靜電致動機構(利用該懸臂101)可被啟動來實施一靜電力。如將更加詳細地討論的，此靜電力可導致該懸臂101朝向該致動電極102向下彎曲。在彎曲該懸臂101朝向該致動電極102時，施加相對較低的Vstatic可生成高接觸力並且可使該RF MEMS組件100的接觸電阻和插入損耗減至最小。此外，在某些情況下，在施加壓電力和靜電力(亦即，該RF MEMS組件100可於開啟狀態)時，該突出物 106可與該RFout電極層109接觸以允許RF訊號傳播。
現轉至圖2，例示說明有關壓電力和靜電力之力和位移/偏轉之間的關係的圖係被例示說明。由壓電力的位移/偏轉可與所施加的電壓成線性正比。因此，對於大位移/偏轉所需要的電壓，對於壓電致動而言可低於靜電致動。
例如，以包括間隙107(圖1)的RF MEMS組件100(圖1)為例。因此，若該間隙107可為相對大的，因為可能需要高的Vstatic以閉合該間隙107，靜電力可能是無效率的。在這種情況下，壓電力可被利用來有效地(亦即，以較低的電壓需求)縮小該間隙107，並同時利用相對較低的Vstatic來使該RF MEMS組件100的插入損耗減至最小。
在另一方面，靜電力可與一間隙的長度(例如，一底部金屬層和一致動電極之間的間隙)成平方反比。因此，在較小的間隙的情況下，靜電力可大於壓電力。
因此，再一次地，於該RF MEMS組件100的範例中，靜電力可被使用來引起足以生成該突出物106和該RFout 109之間的接觸的力。其結果是，該RF MEMS組件的接觸電阻和插入損耗可減至最小。
現轉至圖3，係顯示一RF MEMS裝置300的一部分的方塊圖。於此範例中，該RF MEMS裝置300可包括RFin電極層301、一MEMS懸臂302、RFout電極層303、一第一(頂部)接地層RF GND 304、以及一第二(底部)接地層RF GND 305。於此範例中，該MEMS懸臂302可類似於該懸臂101(圖1)，並且可被使用來從該RFin電極層301傳播RF訊號至該 RFout電極層303。
現轉至圖4A-4C，係顯示類似於該RF MEMS組件100(圖1)的一RF MEMS組件400的範例的方塊圖。於此範例中，該RF MEMS組件400可為結合至筆記型電腦的一RF開關。
該RF MEMS組件400可包括一頂部電極層401、一壓電層402、一底部電極層403、以及一突出物404。此外，該RF MEMS組件400可以包括一靜電致動電極405、RFin電極層406、以及一RFout電極層407。
該頂部電極層401可為類似該頂部金屬層103(圖1)的一第一金屬層，且該底部電極層403可為類似該底部金屬層105(圖1)的一第二金屬層。於此範例中，該底部電極層可為厚的，且該頂部電極層401可比該底部電極層403相對較薄。類似該壓電層104(圖1)的該壓電層402可由特別適合於CMOS製成的AlN所構成。
特別地，圖4A例示說明該RF MEMS組件400處於閉合狀態(亦即，沒有施加驅動電壓)的方塊圖。當該RF MEMS組件400處於閉合狀態時，該突出物404可朝向該RFout電極層407延伸，但不與該RFout電極層407接觸，如該間隙408所證明。因此，至該RFout電極層407的RF訊號傳輸可被防止。此外，當該RF MEMS組件400處於閉合狀態時，該底部電極層403可不與該靜電致動電極405接觸。
圖4B例示說明該RF MEMS組件400於一第一致動機構被啟動時的方塊圖。於此範例中，該第一致動機構 可為一壓電致動機構。
因此，於此範例中，第一極性的一第一電壓V1可被施加於該頂部電極層401與該壓電層402之間。該施加可生成一電場，並可導致該壓電層402橫向伸長，同時維持該頂部電極層401和該底部電極層403的長度。該壓電層402相對於該頂部電極層401和該底部電極層403的此變形可生成彎曲力矩。
此彎曲力矩可造成該RF MEMS組件400的部分(諸如該頂部電極層401、該壓電層402、及該底部電極層403)彎曲接近朝向該靜電致動電極405。例如，彎曲力矩可造成該突出物404向下朝向該RFout電極層407彎曲一距離δ，縮小該間隙408以及該底部電極層403和該靜電致動電極405之間的間隙。
現在，在某些情況下，靜摩擦力會形成於該RF MEMS組件400的組件之間。例如，靜摩擦會形成於該突出物404與該RFout電極層407之間。在這種情況下，可施加與V1相反的極性的電壓以生成一電場，導致該壓電層402收縮，同時維持該頂部電極層401和該底部電極層403的長度。此會生成相反的彎曲力矩，並會導致該突出物404向上遠離該RFout電極層407彎曲，並增加該間隙408。
圖4C例示說明一第二致動機構被啟動時的該RF MEMS組件400。於此範例中，該第二致動機構可為一靜電致動機構。特別地，於此範例中，一第二電壓V2可施加於該底部電極層403和該靜電致動電極405之間。
於是，該壓電致動電壓V1的實施可例如該懸臂101(圖1)的一懸臂和例如該靜電驅動電極405(圖4)的一個靜電驅動電極之間的距離。此距離的縮小可允許使用較低的靜電致動電壓V2來生成與一傳輸線的高接觸力，並將該RF MEMS組件400的接觸電阻和插入損耗減至最小。
現轉至圖5，係顯示根據一實施例之例如該RF MEMS組件400(圖4)的一RF MEMS組件的製造過程的範例的流程圖和例示說明。
該方法可被實現為一組邏輯指令，儲存於舉例來說例如為隨機存取存記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、可程式ROM(PROM)、韌體、快閃記憶體、等等的機器或電腦可讀取儲存媒體中，儲存於舉例來說例如為可程式邏輯陣列(PLAs)、現場可程式閘陣列(FPGAs)、複合可程式邏輯裝置(CPLDs)的可組配邏輯中，儲存於使用例如特定應用積體電路(ASIC)、互補金屬氧化物半導體(CMOS)或電晶體-電晶體邏輯(TTL)技術之電路技術的固定功能邏輯硬體中，儲存於半導體製程設備中，或任何其等之組合。舉例來說，用以實行該方法中所示之操作的電腦程式碼用一或多個程式語言的任意組合來編寫，舉例來說包括例如Java、Smalltalk、C++、或類似的程式語言之物件導向的程式語言，以及例如”C”程式語言或相似的程式語言之傳統的程序程式設計語言。
於處理方塊5000，相似於該致動電極405(圖4)的一致動電極501、相似於RFin電極層406(圖4)的一RFin電極層 502、以及相似於RFout電極層407(圖4)的一RFout電極層503可被沉積並圖案化於一基材504(例如，矽基材)的頂部。一種圖案化該致動電極501、該RFin電極層502及該RFout電極層503的方法係例示說明於圖5的階段5a中。
於處理方塊5010，一犧牲層505可被沉積並圖案化於該致動電極501和該RFout層503的頂部。此外，該犧牲層505可被深蝕刻至特定位置以容納一突出物。一種沉積、圖案化、及深蝕刻該犧牲層505的方法係例示說明於圖5的階段5b中。
於處理方塊5020，相似於該底部電極層403(圖4)的一底部電極層506、相似於該突出物404(圖4)的一突出物507、及一RF訊號載子層508可沉積並圖案化於該犧牲層505的頂部。一種沉積並圖案化該底部電極層506、該突出物507、及該RF訊號載子508的方法係例示說明於圖5的階段5c中。
於處理方塊5030，相似於該壓電層402(圖4)的一壓電層509可沉積並圖案化於該底部電極層506的頂部。於此範例中，該壓電層509可由AIN所組成。一種沉積並圖案化該壓電層509的方法係例示說明於圖5的階段5d中。
於處理方塊5040，相似於該頂部電極層401(圖4)的一頂部電極層510可被沉積並圖案化於該壓電層509的頂部。於此範例中，該頂部電極層510可比該底部電極層506相對較薄。一種沉積並圖案化該頂部電極層510的方法係例示說明於圖5的階段5e中。
於處理方塊5050，係移除該犧牲層505以於該突 出物507與該RFout層503之間生成相似於該間隙408(圖4)的一間隙511。一種移除該犧牲層505的方法係例示說明於圖5的階段5f中。
實施例可因此提供一系統，其包含一處理組件、耦合至該處理組件的一記憶體組件、及用以傳播耦合至該處理組件之無線射頻(RF)訊號的一無線電組件。該無線電組件可包括一RF開關，且該RF開關可包括一致動電極及一懸臂。該懸臂可包括一頂部電極層、以及位於該頂部電極層下方並連接至該頂部電極層的一壓電層，其中該壓電層包括氮化鋁(AlN)。該懸臂亦可包括位於該壓電層下方並連接至該壓電層的一底部電極層，其中一突出物從該底部電極層延伸以產生該突出物與一傳輸電極之間的一間隙。
另一實施例提供一種方法，其包含施加一第一電壓以生成一第一壓電力來縮小一懸臂與一致動電極之間的一第一間隙、以及施加一第二電壓施以生成一靜電力來閉合該懸臂與一傳輸電極之間的一第二間隙。
還有另一實施例可提供包含一致動電極及一懸臂的一設備。該懸臂可包括一頂部電極層、位於該頂部電極層下方並附接至該頂部電極層的一壓電層、以及位於該壓電層下方並附接至該壓電層的一底部電極層，其中一突出物從該底部電極層延伸以產生該突出物與一傳輸電極之間的一間隙。
又另一實施例可提供一種方法，其包含圖案化一底部電極層，其中該底部電極層包括一突出物、於該底部 層的頂部上圖案化一壓電層、以及於該壓電層的頂部上圖案化一頂部電極層。
各種實施例可使用硬體元件、軟體元件或兩者之組合來實現。硬體元件的範例可包括處理器、微處理器、電路、電路元件(例如，電晶體、電阻器、電容器、電感器、等等)、積體電路、特定應用積體電路(ASIC)、可程式邏輯裝置(PLD)、數位訊號處理器(DSP)、現場可程式閘陣列(FPGA)、邏輯閘、暫存器、半導體裝置、晶片、微晶片、晶片組、等等。軟體的範例可包括軟體組件、程式、應用軟體、電腦程式、應用程式、系統程式、機器程式、操作系統軟體、中間軟體、韌體、軟體模組、常式，次常式、函數、方法、程序、軟體介面、應用程式介面(API)、指令集、計算碼、電腦碼、碼段、電腦碼段、字、值、符號、或任何其等之組合。決定一實施例是否使用硬體組件及/或軟體組件來實施可依據任意數量的因素而改變，例如所需計算速率、功率位準、耐熱性、處理週期預算、輸入資料速率、輸出資料速率、記憶體資源、資料匯流排速度、以及其它設計或性能約束。
至少有一個實施例的一或多個屬性可藉由一機器可讀取媒體上所儲存之代表性指令加以體現，其代表該處理器內之各種邏輯，其被一機器讀取時可使該機器製作用以執行本說明書所說明之技術的邏輯。此類已知為"IP核心"之代表可儲存在一個有形之機器可讀取媒體上，並被供應至各種消費者或製造設備，而使載入該等實際製造該邏 輯或處理器之製作機器內。
本發明的實施例可應用於所有類型的半導體積體電路(“IC”)晶片的使用。此等IC晶片的範例包括但不限於處理器、控制器、晶片組組件、可程式邏輯陣列(PLAs)、記憶體晶片、網絡晶片、等等。此外，於某些圖式中，訊號導線係以線條來表示。某些可能是不同的以表示更多成分訊號路徑，具有一數字標記以指示成分訊號路徑的數量，及/或於一或多個端部具有箭頭以指示主要資訊流的方向。然而，此不應該以限制的方式來解釋。相反地，這些增加的細節可與一或多個範例實施例一起使用來幫助更容易理解一電路。無論是否有額外的資訊，任何所表示的訊號線實際上可包含可在多個方向上行進並且可用任何適當類型的訊號方案來實現的一或多個訊號，例如用差動對(differential pair)、光纖線路、及/或單端線路來實現的數位或類比線路。
範例尺寸/模型/值/範圍可能已經被給定，但本發明的實施例並不局限於此。由於製造技術(例如，光蝕刻)隨著時間而成熟，預期更小尺寸的裝置可以被製造。此外，為了例示說明和討論的簡單起見，已熟知的至IC晶片和其他組件的電源/接地連接可以或可以不於圖式中顯示，以免混淆本發明的實施例的某些觀點。再者，配置可以方塊圖的形式來顯示以避免混淆本發明的實施例，並且也鑑於與此類方塊圖的配置相關的細節是高度依賴於本發明將實現於其中之平台，亦即，這樣的細節於熟此技藝者的範圍應 為健全的。其中係列舉具體細節(例如，電路)以為了敘述本發明的範例實施例，對於熟此技藝者應為顯而易見的是，可以在沒有或具有這些具體細節的變化的情況下實踐本發明的實施例。該敘述因此被視為例示說明的而非限制性的。
舉例來說，一些實施例可使用一機器或者可存儲一指令或一組指令之有形的電腦可讀媒體或產品來實現，該指令或該組指令若由一機器執行時，可使該機器實行依照該等實施例方法及/或操作。此類機器可例如包括任何適當的處理平台、計算平台、計算裝置、處理裝置、計算系統、處理系統、電腦、處理器、或相似機器，並且可以使用硬體及/或軟體的任何適當的組合來實現。該機器可讀媒體或產品可例如包括任何合適類型的記憶體單元、記憶體裝置、記憶體產品、記憶體媒體、儲存裝置、儲存產品、儲存媒體、及/或儲存單元，例如記憶體、可移式或不可移式媒體、可抹除或不可抹除媒體、可寫或可重寫媒體、數位或類比媒體、硬碟、軟磁碟、唯讀光碟記憶體(CD-ROM)、可燒錄光碟(CD-R)、可抹寫光碟(CD-RW)、光碟、磁性媒體、磁光媒體、可移式記憶卡或碟、各種類型的數位通用磁碟(DVD)、磁帶、磁帶卡、或相似的媒體。該指令可包括任何合適類型的碼，例如原始碼、編譯碼、解釋碼、可執行碼、靜態碼、動態碼、加密碼、等等，使用任何合適的高階程式語言、低階程式語言、物件導向程式語言、視覺程式語言、編譯程式語言、及/或解釋程式語言。
除非特別聲明，否則可以理解的是，例如”處理”、”計算”、”計算”、”判定”、或相似的用語係涉及電腦或計算系統、或類似的電子計算裝置的動作或處理過程，其將計算系統的暫存器之中以物理量(例如，電子)表示的資料調處及/或轉換為該計算系統的記憶體、暫存器或其他此類資訊儲存、傳輸或顯示裝置之中相似地以物理量表示的其他資料。該等實施例不限於此上下文。
該用語”耦合”在本文中可使用以參照正在討論之該等組件之間(直接或間接)的任何類型的關係，並且可適用於電氣、機械、流體、光學、電磁、機電或其他連接。此外，該等用語”第一”、”第二”、等等在本文中僅用於便於討論且不帶有特定時間或時序的意義，除非另有表明。
熟此技藝者從上述將可理解，本發明的該等實施例的廣泛技術可以各種形式來實現。因此，儘管本發明的該等實施例已經連結其特定範例來描述，本發明的該等實施例的真正範圍不應如此侷限，因為在研讀圖式、說明書、及下述申請專利範圍，其他的變更對熟此技藝者將變得顯而易見。
100‧‧‧RF MEMS組件
101‧‧‧懸臂
102‧‧‧致動電極
103‧‧‧頂部金屬層
104‧‧‧壓電層
105‧‧‧底部金屬層
106‧‧‧突出物
107‧‧‧間隙
108‧‧‧RFin電極層
109‧‧‧RFout電極層
110‧‧‧Vpiezo
111‧‧‧dc GND
112‧‧‧Vstatic

Claims (30)

  1. 一種系統，其包含：一處理組件；耦合至該處理組件的一記憶體組件；及用以傳播耦合至該處理組件之無線射頻(RF)訊號的一無線電組件，其中該無線電組件包括一RF開關，該RF開關具有一致動電極；及一懸臂，其包括一頂部電極層；位於該頂部電極層下方並附接至該頂部電極層的一壓電層，其中該壓電層包括氮化鋁(AlN)；及位於該壓電層下方並附接至該壓電層的一底部電極層，其中一突出物從該底部電極層延伸以產生該突出物與一傳輸電極之間的一間隙。
  2. 如請求項1之系統，其中，透過一第一電壓的施加，該懸臂係經由一第一壓電力而變形以縮小該底部電極層與該致動電極之間的該間隙。
  3. 如請求項2之系統，其中該第一電壓的施加係於該頂部電極層與該壓電層之間。
  4. 如請求項2之系統，其中，透過與該第一電壓相反極性 的一電壓的施加，該懸臂係經由一第二壓電力而變形以使該突出物縮回遠離該傳輸電極。
  5. 如請求項2之系統，其中，透過一第二電壓的施加，該懸臂係經由一靜電力而變形以使該懸臂彎曲來閉合該突出物與該傳輸電極之間的一間隙。
  6. 如請求項5之系統，其中該第二電壓的施加係於該致動電極與該底部電極層之間。
  7. 如請求項1之系統，其中該底部電極層比該頂部電極層更厚。
  8. 如請求項1之系統，其中該頂部電極層比該底部電極層更厚。
  9. 一種方法，其包含下列步驟：施加一第一電壓以生成一第一壓電力來縮小一懸臂與一致動電極之間的一第一間隙；以及施加一第二電壓施以生成一靜電力來閉合該懸臂與一傳輸電極之間的一第二間隙。
  10. 如請求項9之方法，其更包括施加與該第一電壓相反極性的一電壓以施加一第二壓電力來彎曲該懸臂彎離該傳輸電極。
  11. 如請求項9之方法，其中該第一間隙係於該懸臂的一底部電極層與該致動電極之間。
  12. 如請求項9之方法，其中該第一電壓係施加於該懸臂的一頂部電極層與一壓電層之間。
  13. 如請求項12之方法，其中該第一電壓的施加導致該壓電 層變形以於該懸臂中產生一彎曲力矩。
  14. 如請求項9之方法，其中該第二間隙係於該懸臂的一突出物與該傳輸電極之間。
  15. 如請求項9之方法，其中該第二電壓係施加於該致動電極與該懸臂的一底部電極層之間。
  16. 一種設備，其包含：一致動電極；及一懸臂，其具有一頂部電極層；位於該頂部電極層下方並附接至該頂部電極層的一壓電層；及位於該壓電層下方並附接至該壓電層的一底部電極層，其中一突出物從該底部電極層延伸以產生該突出物與一傳輸電極之間的一間隙。
  17. 如請求項16之設備，其中，透過一第一電壓的施加，該懸臂係藉由一第一壓電力而變形以縮小該底部電極層與該致動電極之間的該間隙。
  18. 如請求項17之設備，其中該第一電壓的施加係於該頂部電極層與該壓電層之間。
  19. 如請求項17之設備，其中，透過與該第一電壓相反極性的一電壓的施加，該懸臂係經由一第二壓電力而變形以使該突出物縮回遠離該傳輸電極。
  20. 如請求項17之設備，其中，透過一第二電壓的施加，該懸臂係經由一靜電力而變形以使該懸臂彎曲來閉合該 突出物與該傳輸電極之間的一間隙。
  21. 如請求項20之設備，其中該第二電壓的施加係於該致動電極與一底部電極層之間。
  22. 如請求項16之設備，其中該底部電極層比該頂部電極層更厚。
  23. 如請求項16之設備，其中該頂部電極層比該底部電極層更厚。
  24. 一種方法，其包含下列步驟：圖案化一底部電極層，其中該底部電極層包括一突出物；於該底部層的頂部上圖案化一壓電層；及於該壓電層的頂部上圖案化一頂部電極層。
  25. 如請求項24之方法，其更包括於矽基材的頂部上圖案化一致動電極與一傳輸電極。
  26. 如請求項25之方法，其更包括於該致動電極與該傳輸電極中的一或多者的頂部上圖案化一犧牲層。
  27. 如請求項26之方法，其更包括於該犧牲層上的一第一位置蝕刻來容納該突出物。
  28. 如請求項26之方法，其更包括移除該犧牲層，其中該犧牲層的移除產生該突出物與該傳輸電極之間的一間隙。
  29. 如請求項26之方法，其中該底部電極層係被圖案化於該犧牲層的頂部上。
  30. 如請求項24之方法，其更包括圖案化一無線射頻(RF) 訊號載子層。
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