TW201423542A - 靜電電容式觸控感測器、其製造方法及顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於提供一種可抑制圖案顯露之靜電電容式觸控感測器、其製造方法及具備該觸控感測器的顯示裝置。解決手段為電容式觸控感測器1的第1層10係具有：複數個第1層第1電極3a；第1層導通部5，連接相鄰的第1層第1電極3a、3a；複數個第1層第2電極4a；及第1層絕緣部7a、7a，形成於第1層第2電極4a與第1層導通部5之間。中間層12係具有：中間層第1電極3b、3b，形成於第1層第1電極3a、3a上；中間層第2電極4b、4b，形成於第1層第2電極4a、4a上；及中間層絕緣部7b，形成於第1層導通部5與第2層導通部6之間。第2層15係具有：第2層第1電極3c、3c；第2層第2電極4c、4c；第2層導通部6，與第1層導通部5交叉地連接在Y軸方向相鄰的第2層第2電極4c、4c；及第2層絕緣部7c、7c，形成於第2層第1電極3c、3c與第2層導通部6之間。

Description

靜電電容式觸控感測器、其製造方法及顯示裝置

本發明係關於可適用於設有液晶面板等影像螢幕的行動電話或PDA、小型PC等輸入裝置的靜電電容式觸控感測器、其製造方法及具備該靜電電容式觸控感測器之顯示裝置。

近年，液晶顯示裝置(LCD)或有機發光裝置(OLED)等的用途擴大，在使用於室外的各種顯示物中亦利用LCD等。

舉例而言，車、船、飛機等的儀表板、行車導航器、數位相機、行動電話或電腦等行動裝置或在大樓、超市等所使用的數位招牌等中廣泛利用LCD等。

在此等電子機器中，廣泛利用兼備顯示器與輸入手段的觸控感測器。

就觸控感測器的方式，通常使用光學式、超音波式、電磁感應式、電阻膜式或靜電電容方式，但在與小型液晶顯示器的組合中，通常使用電阻膜式觸控感測器。此電阻膜式觸控感測器係以透明導電膜作為導體的輸入開關，且構成為使2片透明導電膜隔著間隔件相向。其可利用觸控筆或手指按壓力使電極面彼此接觸並導通而進行位置檢出。

對此，靜電電容式觸控感測器在可進行一般電阻膜式無法因應的多點檢測即所謂的多點觸控之點上，於近年受到注目。

作為此種靜電電容式觸控感測器，可舉出例如專利文獻1、2的觸控感測器。此等觸控感測器係具有：X電極膜，其具備朝X軸方向排列的複數個第1島狀電極，以及電性連接相鄰的第1島狀電極彼此的第1橋接配線膜；及Y電極膜，其具備朝垂直於X軸方向之Y軸方向排列的複數個第2島狀電極，以及電性連接相鄰之第2島狀電極彼此的第2橋接配線膜。第1橋接配線膜與第2橋接配線膜以絕緣膜絕緣。

又，作為靜電電容式觸控感測器的其他例，可舉出專利文獻3者。在專利文獻3的靜電電容式觸控感測器，朝Y軸方向排列的第2電極係橫跨朝X軸方向排列的第1電極之導通部而設置。上述第2電極與上述導通部以中間絕緣層絕緣。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2011-013725號公報

[專利文獻2]日本特開2011-039759號公報

[專利文獻3]日本特開2010-140370號公報

然而，上述專利文獻1、2的觸控感測器以平 坦化膜覆蓋第2島狀電極及第2橋接配線膜，而專利文獻3的觸控感測器按照黏著層及保護片的順序覆蓋第2電極，但由於折射率、穿透率或色相等的差異，而有電極或配線等圖案容易被肉眼看見的問題。尚且，以下將此種現象稱為圖案顯露。

本發明之目的在於提供一種可抑制圖案顯露之靜電電容式觸控感測器、其製造方法及具備該靜電電容式觸控感測器的顯示裝置。

本發明的靜電電容式觸控感測器其要旨為形成於基材的一側主面上，且具備分別由導電性高分子構成的第1層、中間層及第2層之層構造，前述第1層係具有：複數條第1電極線，分別由朝第1方向排列的複數個第1層第1電極及連接相鄰之前述第1層第1電極的第1層導通部所構成；及複數條第2電極線，分別由朝與前述第1方向交叉之第2方向排列的複數個第1層第2電極所構成，前述中間層係具有：中間層第1電極，形成於各個前述第1層第1電極上；及中間層第2電極，形成於各個前述第1層第2電極上，前述第2層係具有：第2層第2電極，形成於各個前述中間層第2電極上；第2層導通部，與前述第1層導通部交叉地連接在前述第2方向相鄰的前述第2層第2電極；及第2層第1電極，形成於各個前述中間層第1電極上，前述第1層係進一步具有第1層絕緣部，形成於前述第1電極線與前述第1層第2電極之間，前述中間層係進一步具有中間層絕緣部，形成於相鄰的前述中間層第2 電極彼此之間，前述第2層係進一步具有第2層絕緣部，形成於由複數個前述第2層第2電極及前述第2層導通部所構成的第3電極線與前述第2層第1電極之間。

本發明中，可進一步在相鄰的前述第1電極線彼此之間及相鄰的前述第1層第2電極彼此之間形成前述第1層絕緣部，進一步在相鄰的前述中間層第1電極彼此之間及前述中間層第1電極與前述中間層第2電極之間形成前述中間層絕緣部，且進一步在相鄰的前述第3電極線彼此之間及相鄰的前述第2層第1電極彼此之間形成前述第2層絕緣部。

本發明中，較佳為藉由導電性高分子的去活化形成前述第1層絕緣部、第2層絕緣部及中間層絕緣部。

本發明中，較佳為使用同種導電性高分子形成前述第1層與前述中間層。

本發明中，較佳為使用同種導電性高分子形成前述中間層與前述第2層。

本發明中，作為前述導電性高分子，可使用PEDOT(聚(3,4-乙基二氧塞吩))或PEDOT/PSS。

本發明中，可將前述第1層的厚度設為0.01~5.0μm。

本發明中，可將前述中間層的厚度設為0.01~5.0μm。

本發明的靜電電容式觸控感測器的製造方法其要旨為具有：在基材的一側主面上形成由導電性高分 子構成的第1層之步驟；藉由前述第1層的圖案化，形成：分別由朝向第1方向排列的複數個第1層第1電極及連接相鄰的前述第1層第1電極之第1層導通部所構成的複數條第1電極線；分別由朝向與前述第1方向交叉之第2方向排列的複數個第1層第2電極所構成的複數條第2電極線；及形成在前述第1電極線與前述第1層第2電極之間的第1層絕緣部之步驟；在前述第1層上形成由導電性高分子構成的中間層之步驟；藉由前述中間層的圖案化，形成：在各個前述第1層第1電極上的中間層第1電極；在各個前述第1層第2電極上的中間層第2電極；及在相鄰的前述中間層第2電極彼此之間的中間層絕緣部之步驟；在前述中間層上形成由導電性高分子構成的第2層之步驟；及藉由前述第2層的圖案化，形成：在各個前述中間層第2電極上的第2層第2電極；與前述第1層導通部交叉地連接在前述第2方向相鄰的前述第2層第2電極的第2層導通部；在各個前述中間層第1電極上的第2層第1電極；及在由複數個前述第2層第2電極及前述第2層導通部所構成的第3電極線與前述第2層第1電極之間的第2層絕緣部之步驟。

本發明的顯示裝置之要旨為在顯示面板安裝上述靜電電容式觸控感測器。

若按本發明的靜電電容式觸控感測器，在第1層導通部與第2層導通部交叉的構成中，分別形成於第1層第2電極上且相鄰的中間層第2電極彼此由中間層絕緣部絕緣。又，在第1電極線(由第1層第1電極及第1導通部 構成的線)與上述第1層第2電極之間形成有第1層絕緣部，在第3電極線(由形成於上述中間層第2電極上之第2層第2電極及第2導通部構成的線)與第2層第1電極之間形成有第2層絕緣部。在此種構成中，第1絕緣部位於上述中間層絕緣部上或下，第2層絕緣部位於該中間層絕緣部下或上，因此構成為第1層絕緣部與第2層絕緣部由中間層絕緣部絕緣。又，可藉由在各個第1層第2電極上分別形成中間層第2電極，並在此各個中間層第2電極上形成各個第2層第2電極及連接此等的第2層導通部，而實現在第1層相鄰的第1層第2電極彼此之連接。

如此，在第1層導通部與第2層導通部由中間層絕緣部絕緣的構成中，藉由在第1層、中間層及第2層的各層設有第1電極(第1層第1電極、中間層第1電極、第2層第1電極)及第2電極(第1層第2電極、中間層第2電極、第2層第2電極)，而在交叉部(第1層導通部與第2層導通部的交叉區域)與電極部之間使高低差無限制降低。因此，可抑制高低差所生之圖案顯露。又，可藉由分別使用導電性高分子作為第1層、中間層及第2層的材質，使上述交叉部與電極部的光學特性(折射率、穿透率、色相等)均勻化。藉此可進一步抑制或防止圖案顯露。

若按本發明的靜電電容式觸控感測器之製造方法，可藉由對包含導電性高分子的第1層、中間層及第2層分別進行圖案化，而分別做出維持導電性的值(電極)與降低導電性的值(絕緣部)。因此，可在短時間內輕易製造靜電電容式觸控感測器。

1‧‧‧靜電電容式觸控感測器

2‧‧‧基材

3‧‧‧第1電極

3a‧‧‧第1層第1電極

3b‧‧‧中間層第1電極

3c‧‧‧第2層第1電極

4‧‧‧第2電極

4a‧‧‧第1層第2電極

4b‧‧‧中間層第2電極

4c‧‧‧第2層第2電極

5‧‧‧第1層導通部

6‧‧‧第2層導通部

7‧‧‧絕緣部

7a‧‧‧第1層絕緣部

7b‧‧‧中間層絕緣部

7c‧‧‧第2層絕緣部

10‧‧‧第1層

12‧‧‧中間層

15‧‧‧第2層

30‧‧‧第1電極線

40‧‧‧第2電極線

41‧‧‧第3電極線

50‧‧‧顯示裝置

圖1為表示本發明之靜電電容式觸控感測器的構成之俯視圖。

圖2A為表示第2層的構成之俯視圖。

圖2B為表示中間層的構成之俯視圖。

圖2C為表示第1層的構成之俯視圖。

圖3A為圖1之A-A'線剖面圖。

圖3B為圖1之B-B'線剖面圖。

圖3C為圖1之C-C'線剖面圖。

圖4A為表示圖3A之靜電電容式觸控感測器的製造步驟之說明圖。

圖4B為表示圖3A之靜電電容式觸控感測器的製造步驟之說明圖。

圖4C為表示圖3A之靜電電容式觸控感測器的製造步驟之說明圖。

圖4D為表示圖3A之靜電電容式觸控感測器的製造步驟之說明圖。

圖4E為表示圖3A之靜電電容式觸控感測器的製造步驟之說明圖。

圖4F為表示圖3A之靜電電容式觸控感測器的製造步驟之說明圖。

圖5為表示靜電電容式觸控感測器的製造順序之流程圖。

圖6為表示具備本發明的靜電電容式觸控感測器之 顯示裝置的構成之剖面圖。

圖7A為表示比較例1之靜電電容式觸控感測器的構成之俯視圖。

圖7B為圖7A的D-D'線的剖面圖。

圖8A為表示關於活性部及去活性部之穿透率與光波長的關係之圖表。

圖8B為表示關於活性部及去活性部之穿透率與光波長的關係之圖表。

圖8C為表示去活性部的穿透率與活性部的穿透率之差與光波長的關係，及去活性部的反射率與活性部的反射率之差與光波長的關係之圖表。

圖9為表示片電阻與處理時間的關係之圖表。

[實施發明之形態]

以下，就本發明的實施形態之靜電電容式觸控感測器使用圖1至圖9詳細說明。

1．靜電電容式觸控感測器的構成

於圖1中，將平面內彼此垂直的方向設為X軸方向及Y軸方向。

在本發明的靜電電容式觸控感測器1，於基材2的一側主面上，複數個第1電極3朝X軸方向(第1方向)排列形成，相鄰的第1電極3、3以第1層導通部5彼此連接。又，在上述一側主面上，複數個第2電極4朝Y軸方向(第2方向)排列形成，相鄰的第2電極4、4以第2層導通部6彼此連接。第1層導通部5與配置於該第1層導通部5上方 的第2層導通部6係配置成交叉。藉由此種構成，可將第1電極3及第2電極4彼此交錯配置成矩陣狀。尚且，在第1電極3與第2電極4之間形成有絕緣部7。基材2可加工成俯視呈正方形或矩形等形狀，且可使用玻璃或丙烯酸樹脂等透明材料作為其材質。

在X軸方向的任一端側之各個第1電極3分別連接迴繞配線H1，並在Y軸方向的任一端側之各個第2電極4分別連接迴繞配線H2。此等迴繞配線H1、H2係連接於設於靜電電容式觸控感測器1之內部或外部裝置的未圖示驅動部。

以下詳細說明靜電電容式觸控感測器1的厚度方向之構成。如圖2A至C所示，本發明的靜電電容式觸控感測器1係具備3層積層構造，其包含分別由導電性高分子所構成之下層的第1層10、形成於該第1層10上的中間層12、及形成於該中間層12上的上層之第2層15。尚且，在圖2A至C，為了易於理解，而簡化表示圖1的第1電極3及第2電極4之形狀。

作為第1層10、中間層12及第2層15之材質的導電性高分子，可使用例如PEDOT(聚(3,4-乙基二氧塞吩))或PEDOT/PSS。PEDOT/PSS係為在水溶性高分子使用聚苯乙烯磺酸(PSS)，在導電性高分子單體使用EDOT(3,4-乙基二氧塞吩)的水分散聚塞吩衍生物。

PEDOT或PEDOT/PSS係具有導電性良好、平滑性與透明性優異、光穿透性優異、在導體狀態下的環境穩定性優異、不易彎曲且具備伸張性等優點。特別是 ，PEDOT/PSS摻雜水溶性高分子的PSS而提升在高溫氣體環境下的穩定性，又，若為具有抗靜電水準的表面電阻值之膜，則全光線穿透率為98%以上，幾乎不影響外觀。

又，除了PEDOT或PEDOT/PSS，亦可使用聚苯胺等導電性高分子。

以下詳細說明本發明的靜電電容式觸控感測器1之各層的構成，按照下層的第1層10、中間層12、及上層的第2層15之順序(圖中為圖2C、圖2B、圖2A的順序)說明。

在圖2C，第1層10係具有複數個第1電極線30，分別由朝X軸方向排列的複數個第1層第1電極3a及連接在X軸方向相鄰的第1層第1電極3a、3a的第1層導通部5所構成。又，第1層10係具有複數個第2電極線40，分別由朝Y軸方向排列的複數個第1層第2電極4a所構成。更且，第1層10係具有第1層絕緣部7a，形成於上述第1電極線30與第1層第2電極4a之間、相鄰的第1電極線30、30彼此之間、及相鄰的第1層第2電極4a、4a彼此之間。即，第1層絕緣部7a係形成於第1層10中除了第1電極線30及第1層第2電極4a以外的區域(除了配設有迴繞配線H1之一值的區域以外)。

又，在圖2B，中間層12係具有：中間層第1電極3b，分別形成於各個第1層第1電極3a上；及中間層第2電極4b，分別形成於各個第1層第2電極4a上。又，中間層12係具有中間層絕緣部7b，形成於相鄰的中間層第2 電極4b、4b彼此之間、相鄰的中間層第1電極3b、3b彼此之間、及中間層第1電極3b與中間層第2電極4b之間。即，中間層絕緣部7b係形成於中間層12中除了中間層第1電極3b及中間層第2電極4b以外的區域。尚且，上述「形成於其上」意指形成為全體或一值重合，但為了謀求降低電訊號的雜訊，較佳為形成為全體重合。

更且，在圖2A，第2層15係具有：第2層第2電極4c，分別形成於各個中間層第2電極4b上；第2層導通部6，與第1層導通部5交叉地連接在Y軸方向相鄰的第2層第2電極4c、4c；及第2層第1電極3c，分別形成於各個中間層第1電極3b上。又，第2層15係具有：第2層絕緣部7c，形成於由複數個第2層第2電極4c及連接在Y軸方向相鄰的第2層第2電極4c、4c的第2層導通部6所構成的第3電極線41與第2層第1電極3c之間、相鄰的第3電極線41、41彼此之間、及相鄰的第2層第1電極3c、3c彼此之間。即，第2層絕緣部7c係形成於第2層15中除了第3電極線41及第2層第1電極3c以外的區域(除了配設有迴繞配線H2之一部份的區域之外)。尚且，第2層第1電極3c及第2層第2電極4c較佳亦為分別形成為與中間層第1電極3b及中間層第2電極4b之全體重合。

第1層第1電極3a、中間層第1電極3b及第2層第1電極3c構成圖1的第1電極3，第1層第2電極4a、中間層第2電極4b及第2層第2電極4c構成圖1的第2電極4。又，第1層絕緣部7a、中間層絕緣部7b及第2層絕緣部7c構成圖1的絕緣部7。

圖中表示使迴繞配線H1連接至第1層第1電極3a，使迴繞配線H2連接至第2層第2電極4c之例，但並不限定於此，只要迴繞配線H1連接至第1層第1電極3a、中間層第1電極3b及第2層第1電極3c之任一者即可，且迴繞配線H2連接至第1層第2電極4a、中間層第2電極4b及第2層第2電極4c之任一者即可。尚且，圖2A及圖2C省略一部份迴繞配線H1、H2的圖示。

接下來說明靜電電容式觸控感測器1的剖面構成。圖3A為圖1的A-A'線剖面圖，圖3B為圖1的B-B'線剖面圖，圖3C為圖1的C-C'線剖面圖。

如圖3A所示，在圖1的A-A'線剖面，即垂直於基材2且通過夾著第1層導通部5而相鄰的2個第2電極4、4之剖面，第1層10係由：相鄰的2個第1層第2電極4a、4a；在此2個第1層第2電極4a，4a之間形成的第1層導通部5；在該第1層導通部5與相鄰的任一第1層第2電極4a之間形成的第1層絕緣部7a；及在該第1層導通部5與相鄰的另一第1層第2電極4a之間形成的第1層絕緣部7a所構成。又，中間層12係由：在任一第1層第2電極4a上形成的任一中間層第2電極4b；在第1層絕緣部7a、7a及第1層導通部5上形成的中間層絕緣部7b；及在另一第1層第2電極4a上形成的另一中間層第2電極4b所構成。更且，第2層15係由在中間層第2電極4b、4b上形成的第2層第2電極4c、4c及連接此等的第2層導通部6所構成。

如圖3B所示，圖1的B-B'線剖面之構成係由：由第1層第1電極3a、中間層第1電極3b及第2層第1電極3c 所構成的各層構造；及夾著由第1層絕緣部7a、中間層絕緣部7b、及第2層絕緣部7c所構成的各層構造且由第1層第2電極4a、中間層第2電極4b及第2層第2電極4c所構成的層構造所構成。

如圖3C所示，在圖1的C-C'線剖面，第1層10係由第1層第1電極3a、3a與連接此等的第1層導通部5所構成。又，中間層12係由分別在第1層第1電極3a、3a上形成的中間層第1電極3b、3b與在第1層導通部5上形成的中間層絕緣部7b所構成。更且，第2層15係由分別在中間層第1電極3b、3b上形成的第2層第1電極3c、3c與在中間層絕緣部7b上形成的第2層導通部6及第2層絕緣部7c、7c所構成。

如上所述，若按本發明，在第1層導通部5與第2層導通部6交叉的構成中，可藉由中間層12的中間層絕緣部7b使第1層導通部5與第2層導通部6絕緣。又，在中間層12，可藉由於第1層第2電極4a上形成中間層第2電極4b，並於此中間層第2電極4b上形成第2層第2電極4c及連接相鄰的第2層第2電極4c、4c彼此的第2層導通部6，而實現在第1層10中相鄰的第1層第2電極4a、4a彼此之連接。

如此，在第1層導通部5與第2層導通部6由中間層絕緣部7b絕緣的構成中，可藉由於第1層10、中間層12及第2層15的各層中設有第1電極3(第1層第1電極3a、中間層第1電極3b、第2層第1電極3c)及第2電極4(第1層第2電極4a、中間層第2電極4b、第2層第2電極4c)，而使 交叉部與電極部之間不產生階差。因此，可抑制由於階差所產生之圖案顯露。又，第1層10、中間層12及第2層15各者係在對同一膜中的一值進行不活性處理而維持光學特性的狀態下使導電性降低，因此可使上述交叉部與電極部的光學特性(折射率、穿透率、色相等)均勻化。藉此可進一步抑制或防止圖案顯露。

尚且，上述係使用PEDOT或PEDOT/PSS作為第1層10、中間層12及第2層15的材質，但並不限定於此，亦可使用PEDOT或PEDOT/PSS作為第1層10及中間層12的材質且使用其他導電性高分子作為第2層15的材質。

2.靜電電容式觸控感測器的製造方法

接下來使用上述圖3A所示之靜電電容式觸控感測器1的剖面構成說明靜電電容式觸控感測器1之製造方法的一例。圖4為表示圖3A之靜電電容式觸控感測器1的製造步驟之說明圖。

在圖4A中，首先在基材2上利用例如凹版印刷法形成第1層10。可將處理溫度設為100℃，處理時間設為10分鐘。

接下來在同圖中，在第1層10上且在應形成第1層第2電極4a的區域利用例如網版印刷法形成光阻R。即，未設光阻R之第1層10上的區域在之後步驟被去活化。作為光阻R的材質，可使用Clevios(註冊商標)SET。在上述網版印刷法，可將處理溫度設為80℃，處理時間設為5分鐘。

接著，將圖4A的狀態者浸漬於去活化劑中。 如此，在第1層10中未由光阻R被覆的值，導電性高分子主鏈由於去活化劑的氧化機制而被切斷，導致導電性高分子的導電性降低或喪失。即，可藉由此去活性化處理而維持導電性高分子的高分子膜，同時僅使導電性降低或喪失。尚且，作為上述去活化劑，可使用次氯酸鈉水溶液或過氯酸鈉水溶液等。

又，作為第1層10之去活化手段的其他例，可舉出切斷摻雜物與導電性高分子的關係之處理等，其中摻雜物係為從導電性高分子拔除電子而展現導電性的添加劑。具體而言，使用PEDOT/PSS作為導電性高分子時，在形成PEDOT/PSS膜的過程中，作為摻雜物的PSS會被導入PEDOT的摻雜部位。PSS係藉由將正電荷注入(拔除電子)PEDOT而展現導電性。去活化係藉由PSS的聚合之分解等而失去作為摻雜物的機能來進行。

如圖4B所示，藉由上述去活性化處理，由光阻R被覆的值可成為第1層導通部5及第1層第2電極4a、4a，而在未由光阻R被覆的值則可形成第1層絕緣部7a、7a。尚且，去活性化處理後會除去光阻R。在進行該除去時，可使用液溫為例如40℃的氨水，並可將處理時間設為30秒。

接下來在圖4C中，於第1層10上形成中間層12。接著在圖4D，於中間層12上且在應形成中間層第2電極4b的區域，採用與上述相同的方法形成光阻R。即，未設光阻R的中間層12上之區域在之後步驟被去活化。

在圖4D的狀態下，如上所述對中間層12進行 去活性化處理。去活性化處理後會除去光阻R。

如圖4E所示，藉由上述去活性化處理，由光阻R被覆的值可成為中間層第2電極4b、4b，而在未由光阻R被覆的值可形成中間層絕緣部7b。接著在圖4F，於中間層12上形成第2層第2電極4c、4c及連接此等的第2層導通部6。

圖5為表示靜電電容式觸控感測器1的製造順序之流程圖。尚且，因為有內容與上述重複的值，所以在此簡單說明。

在圖5，首先在基材2上形成第1層10(步驟S1)。接著對形成的第1層10進行圖案化(步驟S2)。

然後在第1層10上形成中間層12(步驟S3)。再者，對形成的中間層12進行圖案化(步驟S4)。

然後在中間層12上形成第2層15(步驟S5)。再者，對形成的第2層15進行圖案化(步驟S6)。

再者，形成包含上述迴繞配線H1、H2的迴繞回路(步驟S7)並形成保護層後(步驟S8)，藉由加工外形(步驟S9)而完成靜電電容式觸控感測器1。

3．具備靜電電容式觸控感測器的顯示裝置之構成

圖6表示具備本發明的靜電電容式觸控感測器1之顯示裝置50的構成之剖面圖。

如圖6所示，顯示裝置50係由靜電電容式觸控感測器1與在此靜電電容式觸控感測器1下方隔著間隔而設置的作為顯示面板之顯示器DP所構成。顯示器DP可由 液晶顯示器(LCD)或有機EL顯示器(OLED)等顯示元件所構成。

本發明原本即非受限於上述實施形態，在可符合本發明之意旨的範圍內施加適當變更而實施係屬理所當然者，彼等皆包含於本發明技術範圍內。

[實施例]

以下舉出實施例更具體說明本發明，本發明原本即非受限於下述實施例，在可符合於前‧後述意旨的範圍內施加適當變更而實施係屬理所當然者，彼等皆包含於本發明技術範圍內。

1.圖案顯露的評定

在實施例1，使用採用PEDOT/PSS作為第1層10、中間層12及第2層15的材質之靜電電容式觸控感測器1量測霧度及穿透率。尚且，霧度意指混濁度，數值越低則投影時的亮度越高。比較例1使用下述以往的靜電電容式觸控感測器。

圖7A為表示比較例1之靜電電容式觸控感測器的構成之俯視圖，圖7B為圖7A的D-D'線剖面圖。

圖7A、B中，在比較例1的靜電電容式觸控感測器，於基材2上形成有連接相鄰的第1電極3、3之第1層導通部5且與該第1層導通部5隔著間隔地在兩側形成有第2電極4、4。第1層導通部5與第2電極4、4係由絕緣層20絕緣。又，藉由形成為覆蓋此絕緣層20的連接層21而連接相鄰的第2電極4、4彼此。

如此，比較例1的靜電電容式觸控感測器係使 用電極部(第2電極4的區域)與交叉部(第1層導通部5與連接層21的交叉區域)之間存在階差者。此高低差的高度(從第2電極4的頂面至連接層21的頂面之距離)為5μm。

穿透率及霧度的量測結果顯示於表1。

如表1所示，就上述電極部與交叉部的穿透率，實施例1及比較例1幾乎沒有產生差異。

然而，就電極部及交叉部的霧度，實施例1與比較例1之間產生較大差異，特別是在交叉部，比較例1的霧度為實施例1的霧度之2倍。

又，為了檢查圖案顯露發生難度，對實施例1及比較例1的靜電電容式觸控感測器施以目視時，在實施例1的靜電電容式觸控感測器幾乎沒有圖案顯露，但在比較例1的靜電電容式觸控感測器則存在圖案顯露。

從以上結果，可確認在具有上述階差的比較例1之靜電電容式觸控感測器中，霧度較高，而且產生圖案顯露。相較之下，可確認在不具有階差且使用同種PEDOT/PSS作為第1層10、中間層12及第2層15的材質之本發明的靜電電容式觸控感測器1中，霧度較低，而且圖案顯露程度降低。

2.活性部(導電性部)與去活性部(絕緣部)的識別方法

圖8A為表示活性部及去活性部之穿透率與光波長的 關係之圖表，圖8B為表示活性部及去活性部之反射率與光波長的關係之圖表。又，圖8C為表示去活性部的穿透率與活性部的穿透率之差以及光波長的關係、及去活性部的反射率與活性部的反射率之差以及光波長的關係之圖表。尚且，圖8C的圖表係基於圖8A、B的量測資料而作成。

在圖8C，光的波長為約350nm與450nm~500nm時，去活性部與活性部的穿透率之差及反射率之差為最大。因此，從上述穿透率之差或反射率之差，可期待若使用上述波長區域的光則容易鎖定去活性部。

又，為了檢查去活性化處理導致的導電性降低，在作為去活性化處理液的次氯酸鈉水溶液中使導電性高分子層浸漬特定時間後，再量測片電阻。圖9為表示片電阻與處理時間之關係的圖表。

在圖9，將去活性化處理液的液溫設為16℃、20℃及24℃，可確認液溫越高則可使用越少浸漬時間使片電阻值上升(從導電性轉移至絕緣性)。如下述表8所示，上述導電性高分子層在液溫為16℃時2分鐘即絕緣，在20℃時1分鐘即絕緣，在液溫為24℃時0.5分鐘即絕緣。尚且，片電阻為107Ω/□以上者視為上述絕緣。

2‧‧‧基材

4a‧‧‧第1層第2電極

4b‧‧‧中間層第2電極

4c‧‧‧第2層第2電極

5‧‧‧第1層導通部

6‧‧‧第2層導通部

7a‧‧‧第1層絕緣部

7b‧‧‧中間層絕緣部

10‧‧‧第1層

12‧‧‧中間層

15‧‧‧第2層

Claims (10)

1. 一種靜電電容式觸控感測器，其特徵為形成於基材的一側主面上，且具備分別由導電性高分子構成的第1層、中間層及第2層之層構造，前述第1層係具有：複數條第1電極線，分別由朝第1方向排列的複數個第1層第1電極及連接相鄰之前述第1層第1電極的第1層導通部所構成；及複數條第2電極線，分別由朝與前述第1方向交叉之第2方向排列的複數個第1層第2電極所構成，前述中間層係具有：中間層第1電極，形成於各個前述第1層第1電極上；及中間層第2電極，形成於各個前述第1層第2電極上，前述第2層係具有：第2層第2電極，形成於各個前述中間層第2電極上；第2層導通部，與前述第1層導通部交叉地連接在前述第2方向相鄰的前述第2層第2電極；及第2層第1電極，形成於各個前述中間層第1電極上，前述第1層係進一步具有第1層絕緣部，形成於前述第1電極線與前述第1層第2電極之間，前述中間層係進一步具有中間層絕緣部，形成於相鄰的前述中間層第2電極彼此之間，前述第2層係進一步具有第2層絕緣部，形成於由複數個前述第2層第2電極及前述第2層導通部所構成的第3電極線與前述第2層第1電極之間。
2. 如申請專利範圍第1項之靜電電容式觸控感測器，其中前述第1層絕緣部形成於相鄰的前述第1電極線彼此之 間及相鄰的前述第1層第2電極彼此之間，前述中間層絕緣部形成於相鄰的前述中間層第1電極彼此之間及前述中間層第1電極與前述中間層第2電極之間，前述第2層絕緣部形成於相鄰的前述第3電極線彼此之間及相鄰的前述第2層第1電極彼此之間。
3. 如申請專利範圍第1或2項之靜電電容式觸控感測器，其中前述第1層絕緣部、第2層絕緣部及中間層絕緣部藉由導電性高分子的去活化而形成。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之靜電電容式觸控感測器，其中前述第1層與前述中間層由同種導電性高分子形成。
5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之靜電電容式觸控感測器，其中前述中間層與前述第2層由同種導電性高分子形成。
6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之靜電電容式觸控感測器，其中前述導電性高分子為PEDOT(聚(3,4-乙基二氧塞吩))或PEDOT/PSS。
7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之靜電電容式觸控感測器，其中前述第1層的厚度為0.01~5.0μm。
8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之靜電電容式觸控感測器，其中前述中間層的厚度為0.01~5.0μm。
9. 一種顯示裝置，在顯示面板安裝如申請專利範圍第1至8項中任一項之靜電電容式觸控感測器。
10. 一種靜電電容式觸控感測器的製造方法，其特徵為具 有：在基材的一側主面上形成由導電性高分子構成的第1層之步驟；藉由前述第1層的圖案化，形成：分別由朝向第1方向排列的複數個第1層第1電極及連接相鄰的前述第1層第1電極之第1層導通部所構成的複數條第1電極線；分別由朝向與前述第1方向交叉之第2方向排列的複數個第1層第2電極所構成的複數條第2電極線；及形成在前述第1電極線與前述第1層第2電極之間的第1層絕緣部之步驟；在前述第1層上形成由導電性高分子構成的中間層之步驟；藉由前述中間層的圖案化，形成：在各個前述第1層第1電極上的中間層第1電極；在各個前述第1層第2電極上的中間層第2電極；及在相鄰的前述中間層第2電極彼此之間的中間層絕緣部之步驟；在前述中間層上形成由導電性高分子構成的第2層之步驟；及藉由前述第2層的圖案化，形成：在各個前述中間層第2電極上的第2層第2電極；與前述第1層導通部交叉地連接在前述第2方向相鄰的前述第2層第2電極的第2層導通部；在各個前述中間層第1電極上的第2層第1電極；及在由複數個前述第2層第2電極及前述第2層導通部所構成的第3電極線與前述第2層第1電極之間的第2層絕緣部之步驟。