JP5685236B2 - 静電容量式タッチセンサ、その製造方法及び表示装置 - Google Patents
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Description
前記第1層は、第1方向に配列された複数の第1層第1電極及び隣り合う前記第1層第1電極を接続する第1層導通部でそれぞれ構成される複数の第1電極ライン、並びに前記第1方向に交差する第2方向に配列された複数の第1層第2電極でそれぞれ構成される複数の第2電極ラインを有し、
前記中間層は、各前記第1層第1電極上に形成された中間層第1電極、及び各前記第1層第2電極上に形成された中間層第2電極を有し、
前記第2層は、各前記中間層第2電極上に形成された第2層第2電極、前記第2方向において隣り合う前記第2層第2電極を前記第1層導通部と交差して接続する第2層導通部、及び各前記中間層第1電極上に形成された第2層第1電極を有し、
前記第1層は、前記第1電極ラインと前記第1層第2電極との間に形成された第1層絶縁部をさらに有し、
前記中間層は、隣り合う前記中間層第2電極同士の間に形成された中間層絶縁部をさらに有し、
前記第2層は、複数の前記第2層第2電極及び前記第2層導通部で構成される第3電極ラインと前記第2層第1電極との間に形成された第2層絶縁部をさらに有することを要旨とする。
前記第1層のパターニングにより、第1方向に配列する複数の第1層第1電極及び隣り合う前記第1層第1電極を接続する第1層導通部でそれぞれ構成される複数の第1電極ライン、及び前記第1方向に交差する第2方向に配列する複数の第1層第2電極でそれぞれ構成される複数の第2電極ライン、並びに前記第1電極ラインと前記第1層第2電極との間における第1層絶縁部を形成する工程と、
前記第1層の上に導電性高分子からなる中間層を形成する工程と、
前記中間層のパターニングにより、各前記第1層第1電極上における中間層第1電極、各前記第1層第2電極上における中間層第2電極、及び隣り合う前記中間層第2電極同士の間における中間層絶縁部を形成する工程と、
前記中間層の上に導電性高分子からなる第2層を形成する工程と、
前記第2層のパターニングにより、各前記中間層第2電極上における第2層第2電極、前記第2方向において隣り合う前記第2層第2電極を前記第1層導通部と交差して接続する第2層導通部、各前記中間層第1電極上における第2層第1電極、並びに複数の前記第2層第2電極及び前記第2層導通部で構成される第3電極ラインと前記第2層第1電極との間における第2層絶縁部を形成する工程とを有することを要旨とする。
図1において、平面内で互いに直交する方向をX軸方向及びY軸方向とする。
次に、上記図3(a)に示す静電容量式タッチセンサ1の断面構成を用いて、静電容量式タッチセンサ1の製造方法の一例を説明する。図4は図3(a)の静電容量式タッチセンサ1の製造工程を示す説明図である。
図6は本発明に係る静電容量式タッチセンサ1を備えた表示装置50の構成を示す断面図である。
実施例1において、第1層10、中間層12及び第2層15の材質としてPEDOT/PSSを採用した静電容量式タッチセンサ1を用いて、ヘイズ及び透過率を測定した。なおヘイズとは曇り度を意味し、数値が低いほど投影時の明度が高い。比較例1として、下記従来の静電容量式タッチセンサを用いた。
図8(a)は活性部及び不活性部についての透過率と光波長との関係を示すグラフであり、図8(b)は活性部及び不活性部についての反射率と光波長との関係を示すグラフである。また、図8(c)は不活性部の透過率と活性部の透過率との差と光波長との関係、及び不活性部の反射率と活性部の反射率との差と光波長との関係を示すグラフである。なお図8(c)のグラフは図8(a),(b)の測定データに基づいて作成した。
2 基材
3 第1電極
3a 第1層第1電極
3b 中間層第1電極
3c 第2層第1電極
4 第2電極
4a 第1層第2電極
4b 中間層第2電極
4c 第2層第2電極
5 第1層導通部
6 第2層導通部
7 絶縁部
7a 第1層絶縁部
7b 中間層絶縁部
7c 第2層絶縁部
10 第1層
12 中間層
15 第2層
30 第1電極ライン
40 第2電極ライン
41 第3電極ライン
50 表示装置
Claims (10)
- 基材の一方主面上に形成され、それぞれ導電性高分子からなる第1層、中間層及び第2層の層構造を備え、
前記第1層は、第1方向に配列された複数の第1層第1電極及び隣り合う前記第1層第1電極を接続する第1層導通部でそれぞれ構成される複数の第1電極ライン、並びに前記第1方向に交差する第2方向に配列された複数の第1層第2電極でそれぞれ構成される複数の第2電極ラインを有し、
前記中間層は、各前記第1層第1電極上に形成された中間層第1電極、及び各前記第1層第2電極上に形成された中間層第2電極を有し、
前記第2層は、各前記中間層第2電極上に形成された第2層第2電極、前記第2方向において隣り合う前記第2層第2電極を前記第1層導通部と交差して接続する第2層導通部、及び各前記中間層第1電極上に形成された第2層第1電極を有し、
前記第1層は、前記第1電極ラインと前記第1層第2電極との間に形成された第1層絶縁部をさらに有し、
前記中間層は、隣り合う前記中間層第2電極同士の間に形成された中間層絶縁部をさらに有し、
前記第2層は、複数の前記第2層第2電極及び前記第2層導通部で構成される第3電極ラインと前記第2層第1電極との間に形成された第2層絶縁部をさらに有することを特徴とする静電容量式タッチセンサ。 - 前記第1層絶縁部は、隣り合う前記第1電極ライン同士の間、及び隣り合う前記第1層第2電極同士の間に形成され、
前記中間層絶縁部は、隣り合う前記中間層第1電極同士の間、及び前記中間層第1電極と前記中間層第2電極との間に形成され、
前記第2層絶縁部は、隣り合う前記第3電極ライン同士の間、及び隣り合う前記第2層第1電極同士の間に形成された請求項1に記載の静電容量式タッチセンサ。 - 前記第1層絶縁部、第2層絶縁部、及び中間層絶縁部が、導電性高分子の不活性化により形成された請求項1又は2に記載の静電容量式タッチセンサ。
- 前記第1層と前記中間層とが同種の導電性高分子で形成された請求項1〜3のいずれか1項に記載の静電容量式タッチセンサ。
- 前記中間層と前記第2層とが同種の導電性高分子で形成された請求項1〜4のいずれか1項に記載の静電容量式タッチセンサ。
- 前記導電性高分子がPEDOT(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン))又はPEDOT/PSSである請求項1〜5のいずれか1項に記載の静電容量式タッチセンサ。
- 前記第1層の厚さが、0.01〜5.0μmである請求項1〜6のいずれか1項に記載の静電容量式タッチセンサ。
- 前記中間層の厚さが、0.01〜5.0μmである請求項1〜7のいずれか1項に記載の静電容量式タッチセンサ。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の静電容量式タッチセンサを表示パネルに装着した表示装置。
- 基材の一方主面上に導電性高分子からなる第1層を形成する工程と、
前記第1層のパターニングにより、第1方向に配列する複数の第1層第1電極及び隣り合う前記第1層第1電極を接続する第1層導通部でそれぞれ構成される複数の第1電極ライン、及び前記第1方向に交差する第2方向に配列する複数の第1層第2電極でそれぞれ構成される複数の第2電極ライン、並びに前記第1電極ラインと前記第1層第2電極との間における第1層絶縁部を形成する工程と、
前記第1層の上に導電性高分子からなる中間層を形成する工程と、
前記中間層のパターニングにより、各前記第1層第1電極上における中間層第1電極、各前記第1層第2電極上における中間層第2電極、及び隣り合う前記中間層第2電極同士の間における中間層絶縁部を形成する工程と、
前記中間層の上に導電性高分子からなる第2層を形成する工程と、
前記第2層のパターニングにより、各前記中間層第2電極上における第2層第2電極、前記第2方向において隣り合う前記第2層第2電極を前記第1層導通部と交差して接続する第2層導通部、各前記中間層第1電極上における第2層第1電極、並びに複数の前記第2層第2電極及び前記第2層導通部で構成される第3電極ラインと前記第2層第1電極との間における第2層絶縁部を形成する工程とを有することを特徴とする静電容量式タッチセンサの製造方法。
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