TW201422424A - 附載體金屬箔 - Google Patents
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Abstract
本發明係提供一種調節樹脂製之板狀載體與金屬箔之接著強度，且亦對防止搬送時或加工時(操作中)載體與金屬箔剝離有所控制的附載體金屬箔。本發明之附載體金屬箔係由樹脂製之板狀載體與積層於該載體之至少一面之金屬箔所構成者，且載體與金屬箔間之界面至少於外周區域中之角部係經由接著層以201~1000 gf/cm之接著強度將載體與金屬箔接著，於剩餘部分區域係使用剝離劑以10~200 gf/cm之接著強度將載體與金屬箔暫時接著。
Description
本發明係關於一種附載體金屬箔。更詳細而言，係關於一種於印刷配線板所使用之單面或雙面積層2層以上的多層積層板或極薄之空心基板之製造中可使用之附載體金屬箔。
通常而言，印刷配線板係以使合成樹脂含浸於合成樹脂板、玻璃板、玻璃不織布、紙等基材而獲得之稱為「預浸體(prepreg)」的介電材作為基本構成材料。又，於與預浸體相對之側接合有具有導電性之銅或銅合金箔等片材。通常將如上述般組裝而成之積層物稱為CCL(Copper Clad Laminate，覆銅層板)材。銅箔之與預浸體接觸之面通常為了提高接合強度而設為無光澤面。亦有使用鋁、鎳、鋅等之箔代替銅或銅合金箔之情形。該等之厚度為5~200μm左右。將該通常使用之CCL(Copper Clad Laminate)材示於圖1。
於專利文獻1中提出有如下附載體金屬箔，其由合成樹脂製之板狀載體、及以可機械剝離之方式與該載體之至少一面密合之金屬箔所構成，且記載有該附載體金屬箔可供於印刷配線板之組裝之內容。並且，揭示板狀載體與金屬箔之接著強度較理想為1gf/cm~1kgf/cm。根據該附載體金屬箔，由於以合成樹脂支持銅箔整面，故可防止積層中於銅箔產生褶皺。又，該附載體金屬箔中，金屬箔與合成樹脂係無間隙地密合，因此於
對金屬箔表面進行鍍敷或蝕刻時，可將其投入至鍍敷或蝕刻用之化學溶液中。進而，由於合成樹脂之線膨脹係數於與作為基板之構成材料之銅箔及聚合後之預浸體同等之級別，故而不會導致電路之位置偏移，因此具有不良品產生變少而可提高良率之優異之效果。
於專利文獻2中記載有與專利文獻1同樣地於暫時基板上以可剝離之狀態形成增層配線層的配線基板之製造方法。專利文獻2所記載之製造方法之特徵在於具有如下步驟：準備使樹脂含浸於玻璃不織布中而成之暫時基板；藉由利用接著層將金屬箔之周緣側選擇性地接著於上述暫時基板上之配線形成區域之外周部，而將上述金屬箔暫時固定於上述暫時基板之至少一面；於上述金屬箔上形成增層配線層；及藉由對在上述暫時基板上形成有上述金屬箔及增層配線層之構造體中較上述接著層內側之部分進行切割，而將上述金屬箔自上述暫時基板分離，獲得於上述金屬箔上形成有上述增層配線層之配線構件。
於專利文獻3中記載有於暫時基板上以可剝離之狀態形成所需之配線層後，將配線層自暫時基板分離而獲得配線基板之製造方法。該製造方法之特徵在於具有如下步驟：於預浸體上之配線形成區域配置基底層(金屬箔、離型膜、或脫模劑)，以較上述基底層之尺寸大之金屬箔接觸於上述配線形成區域之外周部的方式，經由上述基底層將上述金屬箔配置於上述預浸體上，藉由加熱、加壓而使預浸體硬化，藉此由上述預浸體獲得暫時基板，並且使金屬箔部分地接著於該暫時基板之至少一面；於上述金屬箔上形成增層配線層；及藉由對在上述暫時基板上形成有上述基底層、上述金屬箔及上述增層配線層之構造體中與上述基底層之周緣對應之部分進行切割，而自上述暫時基板分離上述金屬箔，獲得於上述金屬箔上形成有上述增層配線層之配線構件。
[專利文獻1]日本特開2009-272589號公報
[專利文獻2]日本特開2007-158150號公報
[專利文獻3]日本特開2007-158174號公報
專利文獻1所記載之附載體金屬箔係藉由簡化印刷電路板之製造步驟及提高良率而對削減製造成本作出較大貢獻之劃時代之發明，但先前之附載體金屬箔有於操作中角之部分碰到其他構件，因此時施加之外力將板狀載體與金屬箔剝離而有導致不良之情形。又，有於配線基板之製造時鹽酸、硫酸、過氧化氫或過錳酸鹽等化學溶液從附載體銅箔與板狀載體之界面滲入，使金屬箔自板狀載體剝離之情形。
於專利文獻2中係利用接著層選擇性地接著金屬箔之周緣側，因此可減輕於操作中板狀載體從金屬箔剝離之問題，但於該情形時，內部之金屬箔只是成為僅接觸於板狀載體上之狀態，因此有於操作中於內部之金屬箔產生皺褶之可能性。若考慮利用金屬箔形成配線，則皺褶之產生容易導致配線不良而欠佳。又，雖利用接著層接著金屬箔之周緣部，但關於使用何種接著層以何種程度之接著強度進行接著之方面並無任何記載。
於專利文獻3中，未特別使用接著層而將預浸體與金屬箔之外周部接著。又，亦未提及此時之接著強度。因此，並未解決於操作中板狀載體與金屬箔剝離之問題。
因此，本發明之課題之一在於提供一種對防止搬送時或加工時(操作中)板狀載體與金屬箔剝離及防止皺褶產生有所控制之附載體金
屬箔。
本發明人等為解決上述課題而進行潛心研究，結果發現，藉由將板狀載體與金屬箔之內部及外周部之接著強度分別控制在一定範圍，可獲得可有效防止操作中之剝離，並且亦抑制於金屬箔表面產生皺褶之附載體金屬箔。
即，本發明係如下所述。
(1)一種附載體金屬箔，係由樹脂製之板狀載體與積層於該載體之至少一面之金屬箔所構成，載體與金屬箔間之界面至少於外周區域中之角部係經由接著層以201~1000gf/cm之接著強度將載體與金屬箔接著，於剩餘部分區域係使用剝離劑以10~200gf/cm之接著強度將載體與金屬箔暫時接著。
(2)如(1)記載之附載體金屬箔，其中上述脫模劑係單獨或者組合複數種的方式含有下式所示之矽烷化合物、其水解產物、該水解產物之縮合體；
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴基，R3及R4分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴基)。
(3)如(1)記載之附載體金屬箔，其中上述脫模劑含有分子內具有2
個以下之巰基之化合物。
(4)如(1)之附載體金屬箔，其中上述脫模劑係單獨或者組合複數種的方式含有下式所示之鋁酸鹽化合物、鈦酸鹽化合物、鋯酸鹽化合物、該等之水解產物、該水解產物之縮合體；(R1)m-M-(R2)n
(式中，R1為烷氧基或者鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴基，M為Al、Ti、Zr中之任一者，n為0或1或2，m為1以上且M之價數以下之整數，R1之至少一者為烷氧基；再者，m+n為M之價數，即於Al之情形時為3，於Ti、Zr之情形時為4)。
(5)如(1)記載之附載體金屬箔，其中上述脫模劑含有聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中之一種以上之樹脂。
(6)如(1)至(5)中任一項記載之附載體金屬箔，其中上述接著層為選自鉻酸鹽層、矽烷偶合劑層中之至少一層。
(7)如(6)記載之附載體金屬箔，其中上述矽烷偶合劑層之形成所使用的矽烷偶合劑於分子中具有環氧基、胺基、甲基丙烯醯基、乙烯基中之任一種以上。
(8)如(1)至(7)中任一項記載之附載體金屬箔，其中載體與金屬箔間之界面之外周整體係經由接著層接著載體與金屬箔接著。
(9)如(1)至(7)中任一項記載之附載體金屬箔，其中經由接著層接著載體與金屬箔之部分在俯視下為帶狀，且該部分之寬度為0.1mm以上。
(10)如(1)至(9)中任一項記載之附載體金屬箔，其中於經由接著層接著載體與金屬箔之部分設置有1~10處直徑0.01mm~10mm之孔。
(11)如(1)至(10)中任一項記載之附載體金屬箔，其中樹脂製之板狀載體為預浸體。
(12)如(11)記載之附載體金屬箔，其中上述預浸體具有120~320℃之玻璃轉移溫度Tg。
(13)如(1)至(12)中任一項記載之附載體金屬箔，其中於載體與金屬箔暫時接著之剩餘部分區域，上述金屬箔之與上述載體接觸側之表面的十點平均粗糙度(Rz jis)為3.5μm以下。
(14)如(1)至(13)中任一項記載之附載體金屬箔，其中上述金屬箔之未與上述載體接觸側之表面的十點平均粗糙度(Rz jis)為0.4μm以上且10.0μm以下。
(15)如(1)至(14)中任一項記載之附載體金屬箔，其中上述金屬箔之厚度為1μm以上且400μm以下。
(16)如(1)至(15)中任一項記載之附載體金屬箔，其中上述板狀載體之厚度為5μm以上且1000μm以下。
(17)如(1)至(16)中任一項記載之附載體金屬箔，其中於使用剝離劑將載體與金屬箔暫時接著之剩餘部分區域，以220℃加熱3小時、6小時或9小時中之至少一種時間後，金屬箔與板狀載體之接著強度為10gf/cm以上且200gf/cm以下。
(18)如(1)至(17)中任一項記載之附載體金屬箔，其中上述金屬箔為銅箔。
(19)如(1)至(18)中任一項記載之附載體金屬箔，其中四角經倒角處理。
(20)一種多層覆金屬積層板之製造方法，其包含將樹脂積層於(1)至(19)中任一項記載之附載體金屬箔之至少一金屬箔側，繼而反覆積層樹脂或金屬箔1次以上之步驟。
(21)一種多層覆金屬積層板之製造方法，其包含將樹脂積層於(1)至(19)中任一項記載之附載體金屬箔之金屬箔側，繼而反覆積層樹脂、
單面或雙面覆金屬積層板、或金屬箔1次以上之步驟。
(22)如(20)或(21)記載之多層覆金屬積層板之製造方法，其包含以下步驟：於較經由接著層接著載體與金屬箔之部位更為內側的部分將附載體金屬箔於厚度方向進行切割之步驟。
(23)如(22)記載之多層覆金屬積層板之製造方法，其更包含以下步驟：將上述切割後之內側部分中附載體金屬箔之板狀載體與金屬箔剝離而分離之步驟；及藉由蝕刻將因剝離而露出之金屬箔之一部分或全部去除之步驟。
(24)一種多層覆金屬積層板，其係藉由(20)至(23)中任一項記載之製造方法而獲得。
(25)一種增層基板之製造方法，其包含於(1)至(19)中任一項記載之附載體金屬箔之金屬箔側積層一層以上之增層配線層之步驟。
(26)如(25)記載之增層基板之製造方法，其中增層配線層係使用全加成法或半加成法中之至少一種而形成。
(27)一種增層基板之製造方法，其包含於(1)至(19)中任一項記載之附載體金屬箔之金屬箔側積層樹脂，繼而反覆積層樹脂、單面或雙面配線基板、單面或雙面覆金屬積層板、或金屬箔1次以上之步驟。
(28)如(27)記載之增層基板之製造方法，其更包含於單面或雙面配線基板、單面或雙面覆金屬積層板、附載體金屬箔之金屬箔、附載體金屬箔之板狀載體、或樹脂上開孔，並對該孔之側面及底面進行導通鍍敷之步驟。
(29)如(27)或(28)記載之增層基板之製造方法，其更包含將於上述構成單面或雙面配線基板之金屬箔、構成單面或雙面覆金屬積層板之金屬箔、及構成附載體金屬箔之金屬箔之至少一者上形成配線之步驟進行1次以上之步驟。
(30)如(27)至(29)中任一項記載之增層基板之製造方法，其更包含於形成有配線之表面上積層單面與金屬箔密合之(1)至(19)中任一項記載的另一附載體金屬箔之載體側的步驟。
(31)如(27)至(30)中任一項記載之增層基板之製造方法，其中上述樹脂之至少一者為預浸體。
(32)如(25)至(31)中任一項記載之增層基板之製造方法，其更包含以下步驟：於較經由接著層接著載體與金屬箔之部位更為內側的部分將附載體金屬箔於厚度方向進行切割之步驟。
(33)一種增層配線板之製造方法，其包含對藉由(32)記載之增層基板之製造方法獲得之增層基板將載體從增層基板之製造所使用之附載體金屬箔剝離之步驟。
(34)如(32)記載之增層配線板之製造方法，其更包含藉由蝕刻將因剝離載體而露出之金屬箔之一部分或全部去除之步驟。
(35)一種增層配線板，其係藉由(33)或(34)記載之方法而獲得。
(36)一種印刷電路板之製造方法，其包含藉由(34)或(35)記載之方法而製造增層配線板之步驟。
(37)一種金屬箔，其係於一表面具有脫模劑處理區域與未經脫模劑處理區域者，且未經脫模劑處理區域至少存在於金屬箔外周區域中之角部。
(38)如(37)記載之金屬箔，其中於未經脫模劑處理區域，接著層於最表面露出。
(39)如(37)或(38)記載之金屬箔，其中於脫模劑處理區域下形成有接著層。
(40)如(37)至(39)中任一項記載之金屬箔，其中外周整體為未經脫模劑處理區域。
(41)如(37)至(40)中任一項記載之金屬箔，其中未經脫模劑處理
區域在俯視下為帶狀，且該區域之寬度為0.1mm以上。
(42)如(37)至(41)中任一項記載之金屬箔，其中金屬為銅。
(43)如(37)至(42)中任一項記載之金屬箔，其中上述脫模劑係單獨或者組合複數種的方式含有下式所示之矽烷化合物、其水解產物、該水解產物之縮合體；
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴基，R3及R4分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴基)。
(44)如(37)至(42)中任一項記載之金屬箔，其中上述脫模劑含有分子內具有2個以下之巰基之化合物。
(45)如(37)至(42)中任一項記載之金屬箔，其中上述脫模劑係單獨或者組合複數種的方式含有下式所示之鋁酸鹽化合物、鈦酸鹽化合物、鋯酸鹽化合物、該等之水解產物、該水解產物之縮合體；(R1)m-M-(R2)n
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴基，M為Al、Ti、Zr中之任一者，n為0或1或2，m為1以上且M之價數以下之整數，R1之至少一個為烷氧基，再者，m+n為M之價數，即
於Al之情形時為3，於Ti、Zr之情形時為4)。
(46)如(37)至(42)中任一項記載之金屬箔，其中上述脫模劑含有聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂之一種以上之樹脂。
(47)如(38)至(42)中任一項記載之金屬箔，其中上述接著層為選自鉻酸鹽層、矽烷偶合劑層中之至少一層。
(48)如(47)記載之金屬箔，其中上述矽烷偶合劑層之形成所使用之矽烷偶合劑於分子中具有環氧基、胺基、甲基丙烯醯基、乙烯基中之任一種以上。
(49)如(37)至(48)中任一項記載之金屬箔，其中利用脫模劑處理前之表面的十點平均粗糙度(Rz jis)為3.5μm以下。
(50)如(37)至(49)中任一項記載之金屬箔，其中未利用脫模劑處理側之表面的十點平均粗糙度(Rz jis)為0.4μm以上且10.0μm以下。
(51)如(37)至(50)中任一項記載之金屬箔，其中上述金屬箔之厚度為1μm以上且400μm以下。
於本發明之附載體金屬箔中，於外周部，板狀載體與金屬箔牢固地接著，因此可防止操作中於板狀載體與金屬箔之間剝離。另一方面，於內部，板狀載體與金屬箔以可剝離之程度適度接著，因此可抑制操作中於金屬箔產生皺褶。進而，根據本發明之較佳之實施態樣，於外周部整體，板狀載體與金屬箔牢固地接著，因此防止化學溶液向界面滲入之效果亦較高。因此，可獲得附載體金屬箔之操作性提高，利用附載體金屬箔之印刷配線板之生產性提高之優點。
10‧‧‧積層模具
11‧‧‧附載體金屬箔
11a‧‧‧金屬箔
11c‧‧‧板狀載體
12‧‧‧預浸體
13‧‧‧內層核心
14‧‧‧頁
15‧‧‧冊
16‧‧‧增層配線層
200‧‧‧金屬箔
210‧‧‧暫時接著區域
220‧‧‧接著區域
230‧‧‧附載體金屬箔
240‧‧‧板狀載體
圖1係表示CCL之一構成例。
圖2係積層板狀載體之前階段中之金屬箔之示意性俯視圖。
圖3係本發明之附載體金屬箔之一實施形態之示意性側視圖。
圖4係表示利用本發明之附載體銅箔之4層覆金屬積層板之組裝例。
圖5係表示利用本發明之附載體銅箔之增層基板之組裝例。
本發明之附載體金屬箔於一實施形態中係由樹脂製之板狀載體與積層於該載體之至少一面之金屬箔所構成者，且載體與金屬箔間之界面至少於外周區域中之角部係經由接著層將載體與金屬箔接著，於剩餘部分區域係使用剝離劑將載體與金屬箔暫時接著。所謂外周區域係指之後被切割去除之區域。
於本發明之附載體金屬箔中，載體與金屬箔之間之界面至少於外周區域中之四角係經由接著層牢固地接著，相對於此，除此以外之部分係以可剝離之程度以適度之接著強度接著。因此，即便於搬送附載體金屬箔時、或利用其製造加工多層積層板或增層基板時等角之部分碰到其他構件，亦不容易剝離。並且，於搬送結束後等適當時間點，可於較經由接著層將載體與金屬箔接著之部位更為(接著區域)內側之部分對附載體金屬箔於厚度方向進行切割。又，亦可於保留接著區域之狀態下製造暫時之多層積層板，進而製造暫時之增層基板，之後於較接著區域內側之部分對多層積層板或增層基板於厚度方向進行切割。
又，於將外周區域切割後，可適時自金屬箔剝離載體。作為自金屬箔剝離載體之時間點，並無限定，通常設為形成多層積層板或增層基板後。亦可於形成多層積層板或增層基板中途視需要進行剝離。露出之金屬箔可用作用以形成配線之導電材料。亦可利用蝕刻等去除整面。關於
使用本發明之附載體金屬箔之多層積層板及增層基板之製造方法，於下文詳細進行說明。
參照圖2，於此處示意性地畫有積層板狀載體之前階段中之金屬箔200之俯視圖。於圖2之左圖(a)之態樣中，金屬箔200之外周區域中對向之二邊為設置接著層之區域(接著區域：220)。該區域係經由接著層將載體與金屬箔牢固地接著。另一方面，內側之剩餘部分區域係使用剝離劑將載體與金屬箔暫時接著之區域(暫時接著區域：210)。根據該態樣，最容易產生剝離之金屬箔之四角及對向之二邊利用接著層而牢固地與載體接著，因此可防止操作中之剝離。
於圖2之中央圖(b)之態樣中，金屬箔200之外周區域中之四邊為設置接著層之區域(接著區域：220)。該區域係經由接著層將載體與金屬箔牢固地接著。另一方面，由接著層區域包圍之內側之剩餘部分區域係使用剝離劑將載體與金屬箔暫時接著之區域(暫時接著區域：210)。根據該態樣，不僅金屬箔之四角，四邊亦利用接著層牢固地與載體接著，因此剝離防止效果進而更高，而且防止化學溶液滲入金屬箔與載體之界面間之效果亦較高。
於如圖2之左圖(a)或中央圖(b)般將接著區域設為在俯視下為帶狀之情形時，為了充分獲得防止剝離之效果或防止化學溶液滲入之效果，接著區域之寬度較佳為0.1mm以上，更佳為1.0mm以上，進而更佳為3.0mm以上。又，亦可增寬接著區域之寬度，並使用鑽孔器等設置1~10處左右直徑0.01mm~10mm左右之孔。此種設置於接著區域之孔可用作於下述之多層積層板之製造或增層基板之製造時用以固定定位銷(pin)等之手段。但是，即便過度增寬接著區域之寬度，由於該區域於之後會被去除，故而亦無幫助，因此較佳為50mm以下，更佳為25mm以下，進而更佳為5mm以下。
又，亦可為如圖2之右圖(c)之態樣。此處，金屬箔200之外周區域中四角為設置接著層之區域(接著區域：220)。該區域係經由接著層將載體與金屬箔牢固地接著。另一方面，內側之剩餘部分區域係使用剝離劑將載體與金屬箔暫時接著之區域(暫時接著區域：210)。根據該態樣，最容易產生剝離之金屬箔之四角亦利用接著層而牢固地與載體接著，因此可防止操作中之剝離。
再者，於上述之實施形態中，顯示俯視附載體金屬箔時之形狀為四邊形之情形，但亦可設為除此以外之多邊形。又，亦可藉由將角部進行倒角(R倒角或C倒角)而強化剝離防止效果。
於圖3中示意性地畫有本發明之附載體金屬箔230之一實施形態之側視圖。圖3之上圖(c)之附載體金屬箔230可藉由於金屬箔200之貼合面整體形成接著層，其後將剝離劑塗佈於內側之暫時接著區域，利用熱壓等貼合於板狀載體240之雙面而製作。或者，可藉由於板狀載體240之雙面之暫時接著區域210塗佈剝離劑，繼而，利用熱壓等將貼合面整體形成有接著層之金屬箔200貼合於板狀載體240之雙面而製作。
圖3之下圖(d)之附載體金屬箔230可藉由於金屬箔200之貼合面內，於接著區域220形成接著層，並且於暫時接著區域塗佈剝離劑，利用熱壓等貼合於板狀載體240之雙面而製作。
由圖3可知，藉由被牢固接著之外側之接著區域(220)保護內側之暫時接著區域(210)，可防止暫時接著區域(210)中之金屬箔與板狀載體之剝離、或化學溶液滲入至金屬箔與板狀載體之間之界面。
於圖3中對本發明之附載體金屬箔之特定實施形態進行了說明，接著層可形成於板狀載體與金屬箔之任一者表面。又，剝離劑可塗佈於板狀載體與金屬箔之任一者表面。例如亦可將接著層形成於板狀載體及金屬箔兩者。
於經由接著層將載體與金屬箔接著之部位必需不容易剝離，進而亦可防止化學溶液滲入之牢固之接著強度，即。具體而言，較理想為以201gf/cm以上、較佳為250gf/cm以上、更佳為350gf/cm以上之接著強度將載體與金屬箔接著。但是，由於無需過度提高接著強度，又，接著劑之成本亦會變高，故而較理想為以1000gf/cm以下，較佳為750gf/cm以下，更佳為500gf/cm以下之接著強度將載體與金屬箔接著。
作為用以實現此種接著強度之接著層，例如可列舉：鉻酸鹽層及矽烷偶合劑層。該等可單獨使用，亦可組合使用。又，可將該等設為以任意之順序，較佳為鉻酸鹽層、矽烷偶合劑層之順序積層而成之構成。鉻酸鹽層可藉由對金屬箔及/或板狀載體之貼合面進行鉻酸鹽處理而形成。鉻酸鹽層亦有防銹效果，因此較佳為至少對金屬箔側進行鉻酸鹽處理。亦可對金屬箔之表面進行粗化處理以提高接著強度。鉻酸鹽層例如可藉由於含有六價鉻離子0.1~10.0g/L之水溶液中浸漬金屬箔或板狀載體1~60秒，或者於金屬箔及板狀載體有導電性之情形時，將該等於上述之水溶液中作為陰極進行1~20秒電解而形成，矽烷偶合劑層例如可藉由將含有矽烷偶合劑0.1~5.0體積%之水溶液噴塗於金屬箔或板狀載體後，於100~200℃之空氣中進行乾燥而形成。作為矽烷偶合劑之種類，並無限定，例如較佳為使用分子中具有環氧基、胺基、甲基丙烯醯基、或乙烯基中之任一種以上作為反應性官能基，且具有甲氧基、乙氧基、或丙氧基中之任一種以上作為水解性基之矽烷偶合劑。
另一方面，使用剝離劑將載體與金屬箔暫時接著之部位終須剝離，因此密合性過高並不合適，但板狀載體與金屬箔必需於印刷電路板製作過程中進行之鍍敷等化學溶液處理步驟中不會產生皺褶、或不會簡單剝離之程度之密合性。
具體而言，較理想為以10gf/cm以上、較佳為30gf/cm以上、
更佳為50gf/cm以上之接著強度將載體與金屬箔接著。但是，由於無需過度提高接著強度，又，接著劑之成本亦會變高，故而較理想為以200gf/cm以下、較佳為150gf/cm以下、更佳為80gf/cm以下之接著強度將載體與金屬箔接著。
用以實現此種密合性之接著強度之調節例如可藉由使用以下所示之(1)~(4)之脫模劑而容易地實現。
(1)矽烷化合物
單獨或者混合複數種而使用具有下式所示之結構之矽烷化合物、或其水解產物、或該水解產物之縮合體(以下，簡稱為矽烷化合物)，將板狀載體與金屬箔貼合，藉此可適度降低密合性而將接著強度調節為如下所述之範圍內。
式：
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴基，R3及R4分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴基)
該矽烷化合物必須具有至少一個烷氧基。於不存在烷氧基而為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或僅由一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴基構成取代基之情形時，有板狀載體與金屬箔表面之密合性過度降低之傾向。又，該矽烷化合物必須具有至少一個選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或一個以上之氫原子
經鹵素原子取代之該等任一烴基。其原因在於：於不存在該烴基之情形時，有板狀載體與金屬箔表面之密合性上升之傾向。再者，於本案發明之烷氧基中亦包含一個以上之氫原子經鹵素原子取代之烷氧基。
就將板狀載體與金屬箔之接著強度調節為上述範圍之方面而言，該矽烷化合物較佳為具有三個烷氧基、一個上述烴基(包含一個以上之氫原子經鹵素原子取代之烴基)。若將其以上式表示，則R3及R4兩者為烷氧基。
作為烷氧基，並無限定，可列舉：甲氧基、乙氧基、正或異丙氧基、正、異或第三丁氧基、正、異或新戊氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、及正辛氧基等直鏈狀、分支狀、或環狀之碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5之烷氧基。
作為鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。
作為烷基，並無限定，可列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或第三丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或分支狀之碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5之烷基。
作為環烷基，並無限定，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7之環烷基。
作為芳基，可列舉：苯基、經烷基取代之苯基(例：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14之芳基。
該等烴基之一個以上之氫原子可經鹵素原子取代，例如可經氟原子、氯原子、或溴原子取代。
作為較佳之矽烷化合物之例，可列舉：甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、正或異丙基三甲氧基矽烷、正、異或第三丁基三甲氧基矽烷、正、異或新戊基三甲氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷；經烷基取代之苯基三甲
氧基矽烷(例如，對(甲基)苯基三甲氧基矽烷)、甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、正或異丙基三乙氧基矽烷、正、異或第三丁基三乙氧基矽烷、戊基三乙氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、經烷基取代之苯基三乙氧基矽烷(例如，對(甲基)苯基三乙氧基矽烷)、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基矽烷、及十三氟辛基三乙氧基矽烷、甲基三氯矽烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氯矽烷、苯基三氯矽烷、三甲基氟矽烷、二甲基二溴矽烷、二苯基二溴矽烷、該等之水解產物、及該等之水解產物之縮合體等。該等之中，就獲取之容易性之觀點而言，較佳為丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷。
矽烷化合物可以水溶液之形態使用。為了提高對水之溶解性，亦可添加甲醇或乙醇等醇。醇之添加特別是於使用疏水性較高之矽烷化合物時有效。矽烷化合物之水溶液係藉由進行攪拌而促進烷氧基之水解，若攪拌時間較長，則促進水解產物之縮合。通常而言，使用有經過充分之攪拌時間而進行水解及縮合之矽烷化合物者存在金屬箔與板狀載體之接著強度降低之傾向。因此，可藉由調整攪拌時間而調整接著強度。作為使矽烷化合物溶解於水後之攪拌時間並無限定，例如可設為1~100小時，典型而言，可設為1~30小時。當然，亦有不進行攪拌而使用之方法。
矽烷化合物之水溶液中之矽烷化合物之濃度較高者存在金屬箔與板狀載體之接著強度降低的傾向，可藉由調整矽烷化合物之濃度而調整接著強度。矽烷化合物於水溶液中之濃度並無限定，可設為0.01~10.0體積%，典型而言，可設為0.1~5.0體積%。
矽烷化合物之水溶液之pH值並無特別限制，無論酸性側或鹼性側均可加以利用。例如可以3.0~10.0之範圍之pH值使用。就無需特別調整pH值之觀點而言，較佳為設為中性附近之5.0~9.0之範圍之pH值，
更佳為設為7.0~9.0之範圍之pH值。
(2)分子內具有2個以下之巰基之化合物
藉由使用分子內具有2個以下之巰基之化合物將板狀載體與金屬箔貼合，亦可容易地獲得適合暫時接著之接著強度。但是，於使分子內具有3個以上之巰基之化合物或其鹽介存於板狀載體與金屬箔之間而貼合之情形時，並不適合本案記載之降低接著強度之目的。其原因在於：認為若分子內過量存在巰基，則藉由巰基彼此、或巰基與板狀載體、或巰基與金屬箔之化學反應而過量產生硫鍵、雙硫鍵或多硫鍵，於板狀載體與金屬箔之間形成牢固之三維交聯結構，因此接著強度上升。此種事例係揭示於日本特開2000-196207號公報中。
作為分子內具有2個以下之巰基之化合物，可列舉：硫醇、二硫醇、硫羧酸或其鹽、二硫羧酸或其鹽、硫磺酸或其鹽、及二硫磺酸或其鹽，可使用選自該等中之至少一種。
硫醇係分子內具有一個巰基者，例如以R-SH表示。此處，R表示可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。
二硫醇係分子內具有兩個巰基者，例如以R(SH)2表示。R表示可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。又，兩個巰基可分別鍵結於相同之碳，亦可分別鍵結於不同之碳或氮。
硫羧酸係有機羧酸之羥基經巰基取代者，例如以R-CO-SH表示。R表示可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。又，硫羧酸亦可以鹽之形態使用。再者，亦可使用具有兩個硫羧酸基之化合物。
二硫羧酸係有機羧酸之羧基中之2個氧原子經硫原子取代者，例如以R-(CS)-SH表示。R表示可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。又，二硫羧酸亦可以鹽之形態使用。再者，亦可使用具有兩個二硫羧酸基之化合物。
硫磺酸係有機磺酸之羥基經巰基取代者，例如以R(SO2)-SH表示。R表示可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。又，硫磺酸亦可以鹽之形態使用。
二硫磺酸係有機二磺酸之兩個羥基分別經巰基取代者，例如以R-((SO2)-SH)2表示。R表示可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。又，兩個硫磺酸基可分別鍵結於相同之碳，亦可分別鍵結於不同之碳。又，二硫磺酸亦可以鹽之形態使用。
此處，關於作為R較佳之脂肪族系烴基，可列舉烷基、環烷基，該等烴基亦可包含羥基與胺基中之任一者或兩者。
又，作為烷基，並無限定，可列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或第三丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或分支狀之碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5之烷基。
又，作為環烷基，並無限定，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7之環烷基。
又，關於作為R較佳之芳香族烴基，可列舉：苯基、經烷基取代之苯基(例：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14之芳基，該等烴基亦可包含羥基與胺基中之任一者或兩者。
又，關於作為R較佳之雜環基，可列舉：咪唑、三唑、四唑、苯并咪唑、苯并三唑、噻唑、苯并噻唑，亦可包含羥基與胺基中之任一者或兩者。
作為分子內具有2個以下之巰基之化合物之較佳之例，可列舉：3-巰基-1,2丙二醇、2-巰基乙醇、1,2-乙二硫醇、6-巰基-1-己醇、1-辛硫醇、1-十二烷硫醇、10-羥基-1-十二烷硫醇、10-羧基-1-十二烷硫醇、10-胺基-1-十二烷硫醇、1-十二烷硫醇磺酸鈉、苯硫酚、硫代苯甲酸、4-胺基-苯硫酚、對甲苯硫醇、2,4-二甲基苯硫酚、3-巰基-1,2,4三唑、2-巰基-苯并噻唑。
該等之中，就水溶性與廢棄物處理方面之觀點而言，較佳為3-巰基-1,2丙二醇。
附載體金屬箔可利用熱壓使板狀載體與金屬箔密合而製造。例如可藉由將上述分子內具有2個以下之巰基之化合物對金屬箔及/或板狀載體之貼合面進行被覆處理後，將B階段之樹脂製之板狀載體熱壓積層於金屬箔之貼合面而製造。
分子內具有2個以下之巰基之化合物可以水溶液之形態使用。為了提高對水之溶解性，亦可添加甲醇或乙醇等醇。醇之添加特別是於使用疏水性較高之分子內具有2個以下之巰基之化合物時有效。
分子內具有2個以下之巰基之化合物於水溶液中之濃度較高者存在金屬箔與板狀載體之接著強度降低的傾向，可藉由調整分子內具有2個以下之巰基之化合物之濃度而調整接著強度。分子內具有2個以下之巰基之化合物於水溶液中之濃度並無限定，可設為0.01~10.0重量%，典型而言，可設為0.1~5.0重量%。
分子內具有2個以下之巰基之化合物之水溶液之pH值並無特別限制，無論酸性側或鹼性側均可加以利用。例如可以3.0~10.0範圍之pH值使用。就無需特別調節pH值之觀點而言，較佳為設為中性附近之5.0~9.0範圍之pH值，更佳為設為7.0~9.0範圍之pH值。
就使由分子內具有2個以下之巰基之化合物產生之接著強度之調節變容易之觀點而言，金屬箔與板狀載體之接著強度較佳為10gf/cm以上，更佳為30gf/cm以上，進而較佳為50gf/cm以上，另一方面，較佳為200gf/cm以下，更佳為150gf/cm以下，進而較佳為80gf/cm以下。藉由將金屬箔與板狀載體之接著強度設為此種範圍，而於搬送時或加工時不會剝離，另一方面，容易調節為可利用人手容易地剝離之接著強度。
(3)金屬烷氧化物
單獨或者混合而使用如下材料：具有下式所示之結構之鋁酸鹽化合物、鈦酸鹽化合物、鋯酸鹽化合物、或其水解產物、或該水解產物之縮合體(以下，簡稱為金屬烷氧化物)，將板狀載體與金屬箔貼合，藉此亦可容易地獲得適合暫時接著之接著強度。
(R1)m-M-(R2)n
式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴基，M為Al、Ti、Zr中之任一者，n為0或1或2，m為1以上且M之價數以下之整數，R1之至少一者為烷氧基。再者，m+n為M之價數，即於Al之情形時為3，於Ti、Zr之情形時為4。
該金屬烷氧化物必須具有至少一個烷氧基。於不存在烷氧基而為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或僅由一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴基構成取代基之情形時，有板狀載體與金屬箔表面之密合性過度降低之傾向。又，該金屬烷氧化物必須具有0~2個選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴基。其原因在於：於具有3個以上該烴基之情形時，有板狀載體與金屬箔表面之密合性過於降低之傾向。再者，於本案發明之烷氧基中亦包含一個以上之氫原子經鹵素原子取代之烷氧基。就將板狀載體與金屬箔之接著強度調節為上述範圍之方面而言，該金屬烷氧化物較佳為具有兩個以上之烷氧基、一個或兩個上述烴基(包含一個以上之氫原子經鹵素原子取代之烴基)。
又，作為烷基，並無限定，可列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或第三丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或分支狀之碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5之烷基。
又，作為環烷基，並無限定，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7之環烷基。
又，關於作為R2較佳之芳香族烴基，可列舉：苯基、經烷基取代之苯基(例：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14之芳基，該等烴基亦可包含羥基與胺基中之任一者或兩者。
該等烴基之一個以上之氫原子可經鹵素原子取代，例如可經氟原子、氯原子、或溴原子取代。
作為較佳之鋁酸鹽化合物之例，可列舉：三甲氧基鋁、甲基二甲氧基鋁、乙基二甲氧基鋁、正或異丙基二甲氧基鋁、正、異或第三丁基二甲氧基鋁、正、異或新戊基二甲氧基鋁、己基二甲氧基鋁、辛基二甲氧基鋁、癸基二甲氧基鋁、苯基二甲氧基鋁；經烷基取代之苯基二甲氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二甲氧基鋁)、二甲基甲氧基鋁、三乙氧基鋁、甲基二乙氧基鋁、乙基二乙氧基鋁、正或異丙基二乙氧基鋁、正、異或第三丁基二乙氧基鋁、戊基二乙氧基鋁、己基二乙氧基鋁、辛基二乙氧基鋁、癸基二乙氧基鋁、苯基二乙氧基鋁、經烷基取代之苯基二乙氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二乙氧基鋁)、二甲基乙氧基鋁、三異丙氧基鋁、甲基二異丙氧基鋁、乙基二異丙氧基鋁、正或異丙基二乙氧基鋁、正、異或第三丁基二異丙氧基鋁、戊基二異丙氧基鋁、己基二異丙氧基鋁、辛基二異丙氧基鋁、癸基二異丙氧基鋁、苯基二異丙氧基鋁、經烷基取代之苯基二異丙氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二異丙氧基鋁)、二甲基異丙氧基鋁、(3,3,3-三氟丙基)二甲氧基鋁、及十三氟辛基二乙氧基鋁、甲基二氯化鋁、二甲基氯化鋁、二甲基氯化鋁、苯基二氯化鋁、二甲基氟化鋁、二甲基溴化鋁、二苯基溴化鋁、該等之水解產物、及該等之水解產物之縮合體等。該等之中，就獲取之容易性之觀點而言，較佳為三甲氧基鋁、三乙氧基鋁、三異丙氧基鋁。
作為較佳之鈦酸鹽化合物之例，可列舉：四甲氧基鈦、甲基三甲氧基鈦、乙基三甲氧基鈦、正或異丙基三甲氧基鈦、正、異或第三丁基三甲氧基鈦、正、異或新戊基三甲氧基鈦、己基三甲氧基鈦、辛基三甲氧基鈦、癸基三甲氧基鈦、苯基三甲氧基鈦；經烷基取代之苯基三甲氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三甲氧基鈦)、二甲基二甲氧基鈦、四乙氧基鈦、甲基三乙氧基鈦、乙基三乙氧基鈦、正或異丙基三乙氧基鈦、正、異或第三丁基三乙氧基鈦、戊基三乙氧基鈦、己基三乙氧基鈦、辛基三乙氧基鈦、癸基三乙氧基鈦、苯基三乙氧基鈦、經烷基取代之苯基三乙氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三乙氧基鈦)、二甲基二乙氧基鈦、四異丙氧基鈦、甲基三異丙氧基鈦、乙基三異丙氧基鈦、正或異丙基三乙氧基鈦、正、異或第三丁基三異丙氧基鈦、戊基三異丙氧基鈦、己基三異丙氧基鈦、辛基三異丙氧基鈦、癸基三異丙氧基鈦、苯基三異丙氧基鈦、經烷基取代之苯基三異丙氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三異丙氧基鈦)、二甲基二異丙氧基鈦、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基鈦、及十三氟辛基三乙氧基鈦、甲基三氯化鈦、二甲基二氯化鈦、三甲基氯化鈦、苯基三氯化鈦、二甲基二氟化鈦、二甲基二溴化鈦、二苯基二溴化鈦、該等之水解產物、及該等之水解產物之縮合體等。該等之中，就獲取之容易性之觀點而言，較佳為四甲氧基鈦、四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦。
作為較佳之鋯酸鹽化合物之例，可列舉：四甲氧基鋯、甲基三甲氧基鋯、乙基三甲氧基鋯、正或異丙基三甲氧基鋯、正、異或第三丁基三甲氧基鋯、正、異或新戊基三甲氧基鋯、己基三甲氧基鋯、辛基三甲氧基鋯、癸基三甲氧基鋯、苯基三甲氧基鋯；經烷基取代之苯基三甲氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三甲氧基鋯)、二甲基二甲氧基鋯、四乙氧基鋯、甲基三乙氧基鋯、乙基三乙氧基鋯、正或異丙基三乙氧基鋯、正、異或第三丁基三乙氧基鋯、戊基三乙氧基鋯、己基三乙氧基鋯、辛基三乙氧基鋯、
癸基三乙氧基鋯、苯基三乙氧基鋯、經烷基取代之苯基三乙氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三乙氧基鋯)、二甲基二乙氧基鋯、四異丙氧基鋯、甲基三異丙氧基鋯、乙基三異丙氧基鋯、正或異丙基三乙氧基鋯、正、異或第三丁基三異丙氧基鋯、戊基三異丙氧基鋯、己基三異丙氧基鋯、辛基三異丙氧基鋯、癸基三異丙氧基鋯、苯基三異丙氧基鋯、經烷基取代之苯基三異丙氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三異丙氧基鈦)、二甲基二異丙氧基鋯、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基鋯、及十三氟辛基三乙氧基鋯、甲基三氯化鋯、二甲基二氯化鋯、三甲基氯化鋯、苯基三氯化鋯、二甲基二氟化鋯、二甲基二溴化鋯、二苯基二溴化鋯、該等之水解產物、及該等之水解產物之縮合體等。該等之中，就獲取之容易性之觀點而言，較佳為四甲氧基鋯、四乙氧基鋯、四異丙氧基鋯。
金屬烷氧化物可以水溶液之形態使用。為了提高對水之溶解性，亦可添加甲醇或乙醇等醇。醇之添加特別是於使用疏水性較高之金屬烷氧化物時有效。
金屬烷氧化物於水溶液中之濃度較高者存在金屬箔與板狀載體之接著強度降低的傾向，可藉由調整金屬烷氧化物濃度而調整接著強度。金屬烷氧化物於水溶液中之濃度並無限定，可設為0.001~1.0mol/L，典型而言，可設為0.005~0.2mol/L。
金屬烷氧化物之水溶液之pH值並無特別限制，無論是酸性側或鹼性側均可加以利用。例如可以3.0~10.0範圍之pH值使用。就無需特別調節pH值之觀點而言，較佳為設為中性附近之5.0~9.0範圍之pH值，更佳為設為7.0~9.0範圍之pH值。
就使由金屬烷氧化物產生之接著強度之調節變容易之觀點而言，金屬箔與板狀載體之接著強度較佳為10gf/cm以上，更佳為30gf/cm以上，進而較佳為50gf/cm以上，另一方面，較佳為200gf/cm以下，更佳
為150gf/cm以下，進而較佳為80gf/cm以下。藉由將金屬箔與板狀載體之接著強度設為此種範圍，而於搬送時或加工時不會剝離，另一方面，容易調節為可利用人手容易地剝離之接著強度。
(4)含聚矽氧脫模劑
藉由對板狀載體與金屬箔使用含有聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中之任一種或複數種樹脂的脫模劑將板狀載體與金屬箔貼合，亦可容易地獲得適合暫時接著之接著強度。
作為環氧系樹脂，可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、溴化環氧樹脂、胺型環氧樹脂、可撓性環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、苯氧基樹脂、溴化苯氧基樹脂等。
作為三聚氰胺系樹脂，可列舉：甲醚化三聚氰胺樹脂、丁基化脲三聚氰胺樹脂、丁基化三聚氰胺樹脂、甲基化三聚氰胺樹脂、丁醇改質三聚氰胺樹脂等。又，三聚氰胺系樹脂亦可為上述樹脂與丁基化脲樹脂、丁基化苯并胍胺樹脂等之混合樹脂。
再者，環氧系樹脂之數量平均分子量較佳為2000~3000，三聚氰胺系樹脂之數量平均分子量較佳為500~1000。藉由具有此種數量平均分子量，可使樹脂塗料化，並且變得容易將由含聚矽氧脫模劑形成之樹脂塗膜之接著強度調整為特定範圍。
又，作為氟樹脂，可列舉：聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯等。
作為聚矽氧，可列舉：甲基苯基聚矽氧烷、甲基氫聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷、改質二甲基聚矽氧烷、該等之混合物等。此處，所謂改質，例如可列舉：環氧基改質、烷基改質、胺基改質、羧基改質、醇改質、氟改質、烷基芳烷基聚醚改質、環氧基聚醚改質、聚醚改質、烷基高級醇酯改質、聚酯改質、醚氧基烷基改質、鹵化烷基醯氧基烷基改質、鹵化烷
基改質、胺基二醇改質、巰基改質、含羥基聚酯改質等。
於樹脂塗膜中，若膜厚過小，則樹脂塗膜過薄而難以形成，因此生產性容易降低。又，即便膜厚超過一定尺寸，亦未發現樹脂塗膜之剝離性進一步提高，而樹脂塗膜之製造成本容易變高。就此種觀點而言，樹脂塗膜之膜厚較佳為0.1~10μm，進而較佳為0.5~5μm。又，樹脂塗膜之膜厚係藉由於下述之程序中以特定塗佈量塗佈樹脂塗料而達成。
於樹脂塗膜中，聚矽氧發揮作為樹脂塗膜之剝離劑之功能。因此，若與聚矽氧相比，環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂之合計量過多，則於板狀載體與金屬箔之間，樹脂塗膜所賦予之接著強度變大，因此有樹脂塗膜之剝離性降低，不易用人手剝離之情況。另一方面，若環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂之合計量過少，則上述之接著強度變小，因此有於附載體金屬箔之搬送時或加工時剝離之情況。就該觀點而言，較佳為相對於聚矽氧100質量份，以合計10~1500質量份之量含有環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂，進而較佳為含有20~800質量份之量。
又，氟樹脂係與聚矽氧同樣地發揮作為剝離劑之功能，且具有提高樹脂塗膜之耐熱性之效果。若氟樹脂與聚矽氧相比過多，則上述之接著強度變小，因此有於附載體金屬箔之搬送時或加工時剝離之情況，此外下述之燒附步驟所必需之溫度亦上升，因此變得不經濟。就該觀點而言，氟樹脂較佳為相對於聚矽氧100質量份為0~50質量份，進而較佳為0~40質量份。
樹脂塗膜除含有聚矽氧、及環氧樹脂及/或三聚氰胺樹脂、及視需要之氟樹脂外，亦可進而含有選自SiO2、MgO、Al2O3、BaSO4及Mg(OH)2中之1種以上之表面粗化粒子。藉由使樹脂塗膜含有表面粗化粒子，樹脂塗膜之表面變凹凸。藉由該凹凸，塗佈有樹脂塗膜之板狀載體或金屬箔之表面變凹凸而成為消光表面。表面粗化粒子之含量只要使樹脂塗膜凹凸化
則並無特別限定，較佳為相對於聚矽氧100質量份為1~10質量份。
表面粗化粒子之粒徑較佳為15nm~4μm。此處，粒徑係指根據掃描式電子顯微鏡(SEM)照片等測定之平均粒徑(最大粒徑與最小粒徑之平均值)。藉由使表面粗化粒子之粒徑為上述範圍，而變得容易調整樹脂塗膜之表面之凹凸量，結果變得容易調整板狀載體或金屬箔之表面之凹凸量。具體而言，板狀載體或金屬箔之表面之凹凸量以JIS規定之最大高度粗糙度Ry計成為4.0μm左右。
此處，對使用含聚矽氧脫模劑之情形之板狀載體與金屬箔之暫時接著方法進行說明。使用含聚矽氧脫模劑之暫時接著方法包含如下步驟：於板狀載體或金屬箔之至少一者之表面塗佈含聚矽氧脫模劑之步驟；使該塗佈之脫模劑硬化之燒附步驟；及將金屬箔及板狀載體進行熱壓之步驟。以下，對各步驟進行說明。
(塗佈步驟)
塗佈步驟係於板狀載體之單面或雙面塗佈含聚矽氧脫模劑而形成樹脂塗膜之步驟。含聚矽氧脫模劑可設為於醇等有機溶劑中溶解有環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂、氟樹脂及聚矽氧者。又，於樹脂塗料中之調配量(添加量)較佳為相對於聚矽氧100質量份，環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂之合計為10~1500質量份。又，氟樹脂較佳為相對於聚矽氧100質量份為0~50質量份。
作為塗佈步驟中之塗佈方法，只要可形成樹脂塗膜則並無特別限定，可使用凹版塗佈法、棒式塗佈法、輥塗法、淋幕式平面塗佈法、使用靜電塗裝機之方法等，就樹脂塗膜之均勻性、及作業之簡便性而言，較佳為凹版塗佈法。又，作為塗佈量，樹脂量較佳為1.0~2.0g/m2以使樹脂塗膜3成為較佳之膜厚0.5~5μm。
凹版塗佈法係藉由將填滿設置於輥表面之凹部(槽)之含聚
矽氧脫模劑轉印至板狀載體，而於板狀載體之表面形成樹脂塗膜之方法。具體而言，將表面設置有槽之下側輥之下部浸漬於含聚矽氧脫模劑中，藉由下側輥之旋轉而將樹脂塗料汲取至槽內。然後，將板狀載體配置於下側輥與配置於下側輥之上側之上側輥之間，一面利用上側輥將板狀載體壓抵於下側輥，一面使下側輥及上側輥旋轉，藉此一面搬送板狀載體，一面將汲取至槽內之樹脂塗料轉印(塗佈)至板狀載體之單面。
又，藉由於板狀載體之搬入側以接觸於下側輥之表面之方式配置刮刀，而將被汲取至槽以外之輥表面之過剩之含聚矽氧脫模劑去除，於板狀載體之表面塗佈特定量之含聚矽氧脫模劑。再者，於槽之規格(大小及深度)較大之情形，或含聚矽氧脫模劑之黏度較高之情形時，形成於板狀載體之單面之樹脂塗膜不易變平滑。因此，亦可於板狀載體之搬出側配置修勻輥而維持樹脂塗膜之平滑度。
再者，於板狀載體之雙面形成樹脂塗膜之情形時，於板狀載體之單面形成樹脂塗膜後，將板狀載體翻轉，再次配置於下側輥與上側輥之間。然後，以與上述相同之方式將下側輥之槽內之含聚矽氧脫模劑轉印(塗佈)至板狀載體之背面。
(燒附步驟)
燒附步驟係以125~320℃(燒附溫度)對塗佈步驟中形成之樹脂塗膜實施0.5~60秒(燒附時間)之燒附處理的步驟。藉由如上所述，對以特定調配量之樹脂塗料形成之樹脂塗膜實施特定條件之燒附處理，而將由樹脂塗膜賦予之板狀載體與金屬箔之間之接著強度控制在特定範圍。於本發明中，燒附溫度為板狀載體之到達溫度。又，作為燒附處理所使用之加熱手段，使用先前公知之裝置。
於燒附不足之條件、例如燒附溫度未達125℃、或燒附時間未達0.5秒之情形時，樹脂塗膜變得硬化不足，上述接著強度超過200
gf/cm，剝離性降低。又，於燒附過度之條件、例如燒附溫度超過320℃之情形時，樹脂塗膜劣化，上述接著強度超過200gf/cm，剝離時之作業性變差。或者有板狀載體因高溫而變質之情況。又，於燒附時間超過60秒之情形時，生產性變差。
含聚矽氧脫模劑亦可為由作為主劑之聚矽氧、作為硬化劑之環氧樹脂、三聚氰胺系樹脂、作為剝離劑之氟樹脂、及選自SiO2、MgO、Al2O3、BaSO4及Mg(OH)2中之1種以上之表面粗化粒子所構成者。藉由將此種表面粗化粒子進而添加於含聚矽氧脫模劑中，而使樹脂塗膜之表面變凹凸，藉由該凹凸，板狀載體或金屬箔變凹凸而成為消光表面。並且，為了獲得具有此種消光表面之板狀載體或金屬箔，含聚矽氧脫模劑中之表面粗化粒子之調配量(添加量)較佳為相對於聚矽氧100質量份為1~10質量份。又，表面粗化粒子之粒徑進而較佳為15nm~4μm。
再者，利用具備XPS(X射線光電子光譜裝置)、EPMA(電子束微量分析器)、EDX(能量分散型X射線分析)之掃描式電子顯微鏡等機器對金屬箔或樹脂之表面進行測定，若檢測到Si，則可推測於金屬箔或樹脂之表面存在矽烷化合物，又，若檢測到S，則可推測於金屬箔或樹脂之表面存在分子內具有2個以下之巰基之化合物，又，若檢測到Al、Ti、Zr，則可推測於金屬箔或樹脂之表面存在上述金屬烷氧化物。
本發明之附載體金屬箔之製造方法係如上所述，但於進行本發明時，亦可於不對上述各步驟造成不良影響之範圍內，於上述各步驟之間或者前後包含其他步驟。例如亦可於塗佈步驟前進行對板狀載體之表面進行清洗之清洗步驟。
又，於多層印刷配線板之製造過程中，多數情況下於積層加壓步驟或除膠渣步驟中進行加熱處理。因此，積層數越多，附載體金屬箔所受到之熱歷程越嚴重。因此，特別是就考慮向多層印刷配線板之應用之
方面而言，較理想為於經過所需之熱歷程後，暫時接著區域中之金屬箔與板狀載體之接著強度亦於上述之範圍。
因此，於本發明之進而較佳之一實施形態中，假定多層印刷配線板之製造過程中之加熱條件、例如以220℃加熱3小時、6小時或9小時中之至少一種時間後，金屬箔與板狀載體之暫時接著區域中之接著強度較佳為30gf/cm以上，更佳為50gf/cm以上。又，該接著強度較佳為200gf/cm以下，更佳為150gf/cm以下，進而更佳為80gf/cm以下。
關於220℃下之加熱後之接著強度，就可對應多種積層數之觀點而言，較佳為於3小時後及6小時後兩者、或者6小時及9小時後兩者中接著強度滿足上述範圍，進而較佳為3小時、6小時及9小時後全部接著強度滿足上述範圍。
於本發明中，暫時接著區域中之金屬箔與板狀載體間之接著強度係於將外周區域切割而去除後，依據JIS C6481所規定之90度接著強度測定方法進行測定。又，接著區域中金屬箔與板狀載體間之接著強度係於將外周區域切割後，對外周區域中包含接著區域之切割片依據JIS C6481所規定之90度接著強度測定方法進行測定。於接著區域過窄而不夠測定接著強度之情形時，只要適當調節接著強度測定用電路寬度進行測定，並換算為10mm寬度之90度接著強度(gf/cm)即可。即，將測定時之電路寬度設為w(mm)時，可利用換算值(gf/cm)=接著力測定值(gf)×10/w之換算式獲得。
以下，對用以實現上述接著強度之各材料之具體構成要素進行說明。
作為成為板狀載體之樹脂，並無特別限制，可使用酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、天然橡膠、松脂等，較佳為熱硬化性樹脂。又，亦可使用預浸體。與金屬箔貼合前之預浸體可為於B階段之狀態者。若預
浸體(C階段)之線膨脹係數為12~18(×10-6/℃)，則與作為基板之構成材料之銅箔之16.5(×10-6/℃)、或SUS加壓板之17.3(×10-6/℃)大致相等，因此就不易產生由加壓前後之基板尺寸與設計時之尺寸不同之現象(標度變化)所導致之電路之位置偏移方面而言有利。進而，作為該等優點之協同效果，亦可生產多層之極薄空心基板。此處所使用之預浸體可為與構成電路基板之預浸體相同者，亦可為不同者。
就將加熱後之接著強度維持在最佳範圍之觀點而言，該板狀載體較佳為具有較高之玻璃轉移溫度Tg，例如為120~320℃、較佳為170~240℃之玻璃轉移溫度Tg。再者，玻璃轉移溫度Tg係設為藉由DSC(示差掃描熱量測定法)測定之值。
又，樹脂之熱膨脹率較理想為金屬箔之熱膨脹率之+10%且-30%以內。藉此，可有效地防止起因於金屬箔與樹脂之熱膨脹差之電路之位置偏移，可減少不良品產生而提高良率。
板狀載體之厚度並無特別限制，可為剛性亦可為柔性，但若過厚，則會對熱壓中之熱分佈造成不良影響，另一方面，若過薄，則會彎曲而無法進行印刷配線板之製造步驟，因此通常為5μm以上且1000μm以下，較佳為50μm以上且900μm以下，更佳為100μm以上且400μm以下。
作為金屬箔，代表性者為銅或銅合金箔，亦可使用鋁、鎳、鋅等之箔。於銅或銅合金箔之情形時，可使用電解箔或壓延箔。金屬箔並無限定，若考慮用作印刷電路基板之配線，則通常具有1μm以上、較佳為5μm以上，及400μm以下、較佳為120μm以下之厚度。於板狀載體之雙面貼附金屬箔之情形時，可使用相同厚度之金屬箔，亦可使用不同厚度之金屬箔。
亦可對使用之金屬箔實施各種表面處理。例如可列舉：以賦
予耐熱性為目的之鍍金屬(鍍Ni、鍍Ni-Zn合金、鍍Cu-Ni合金、鍍Cu-Zn合金、鍍Zn、鍍Cu-Ni-Zn合金、鍍Co-Ni合金等)、用以賦予防銹性或耐變色性之鉻酸鹽處理(包含鉻酸鹽處理液中含有1種以上Zn、P、Ni、Mo、Zr、Ti等合金元素之情形)、用以調整表面粗糙度之粗化處理(例：利用電鍍銅粒或鍍Cu-Ni-Co合金、鍍Cu-Ni-P合金、鍍Cu-Co合金、鍍Cu-Ni合金、鍍Cu-Co合金、鍍Cu-As合金、鍍Cu-As-W合金等鍍銅合金者)。粗化處理當然會對金屬箔與板狀載體之接著強度造成影響，鉻酸鹽處理亦會造成較大影響。鉻酸鹽處理就防銹性或耐變色性之觀點而言較為重要，但因使接著強度明顯上升，故作為形成接著層之手段而言有意義。
於接著區域中，期望樹脂與金屬箔之接著強度較高，因此例如藉由將電解銅箔之無光澤面(M面)設為與樹脂之接著面並實施粗化處理等表面處理，可謀求利用化學及物理投錨效應提高接著力。又，亦於樹脂側亦可添加各種黏合劑以提高與金屬箔之接著力。藉由利用感光性樹脂等遮蔽暫時接著區域，可選擇性地對接著區域進行粗化處理。
另一方面，於暫時接著區域中，為了將金屬箔與板狀載體之接著強度調節為上述較佳範圍內，較佳為將貼合面之表面粗糙度設為以依據JIS B 0601：2001測定之金屬箔表面之十點平均粗糙度(Rz jis)表示為3.5μm以下、進而3.0μm以下。但是，使表面粗糙度無止境地變小耗費工夫而成為成本上升之原因，因此較佳為設為0.1μm以上，更佳為設為0.3μm以上。於使用電解銅箔作為金屬箔之情形時，只要調整為此種表面粗糙度，則可使用光澤面(光面(shiny surface)，S面)及粗糙面(無光澤面(mat surface)，M面)中之任一者，但使用S面者容易調整為上述表面粗糙度。另一方面，上述金屬箔之未與上述載體接觸側之表面之十點平均粗糙度(Rz jis)較佳為0.4μm以上且10.0μm以下。
又，於暫時接著區域中，亦可不對金屬箔之與板狀載體之貼
合面進行粗化處理等用以提高接著強度之表面處理。又，於本發明之附載體金屬箔之較佳之一實施形態中，於暫時接著區域中，於板狀載體中未添加用以提高其與金屬箔之接著力之黏合劑。
作為用以製造附載體金屬箔之熱壓之條件，於使用預浸體作為板狀載體之情形時，較佳為以壓力30~40kg/cm2、且以高於預浸體之玻璃轉移溫度之溫度進行熱壓。
進而，根據另一態樣，本發明提供一種上述附載體金屬箔之用途。
第一，提供一種多層積層板之製造方法，其包含將樹脂積層於上述附載體金屬箔之至少一金屬箔側，繼而反覆積層樹脂或金屬箔1次以上、例如1~10次之步驟。
第二，提供一種多層積層板之製造方法，其包含於上述附載體金屬箔之金屬箔側積層樹脂，繼而反覆積層樹脂、單面或雙面覆金屬積層板、或金屬箔1次以上、例如1~10次之步驟。
於上述之多層覆金屬積層板之製造方法中，可視需要於較經由接著層將載體與金屬箔接著之部位更為內側之部分對附載體金屬箔於厚度方向進行切割。為了充分發揮本發明之效果，該切割步驟較佳為於多層覆金屬積層板之積層結束後實施，但亦可於積層前或積層中途進行。於積層中途或積層結束後進行切割步驟之情形時，通常不僅切割附載體金屬箔，亦將積層之樹脂或基板等一起切割。
進而，將上述板狀載體與金屬箔剝離分離後，亦可視需要進行藉由蝕刻將因剝離而露出之金屬箔之一部分或全部去除之步驟。
第四，提供一種增層基板之製造方法，其包含於述附載體金屬箔之金屬箔側積層一層以上之增層配線層之步驟。此時，增層配線層可使用全加成法或半加成法中之至少一種形成。
所謂全加成法係導體層不使用金屬箔而藉由無電解鍍敷或/及電解鍍敷形成導體圖案之方法，半加成法係例如於由金屬箔構成之籽晶層上併用無電解金屬析出與電解鍍敷、蝕刻、或上述兩者而形成導體圖案後，將不需要之籽晶層蝕刻而去除，藉此獲得導體圖案之方法。
提供一種增層基板之製造方法，其包含於上述附載體金屬箔之金屬箔側積層樹脂，繼而反覆積層樹脂、單面或雙面配線基板、單面或雙面覆金屬積層板、或金屬箔1次以上、例如1~10次之步驟。
於上述之增層基板之製造方法中，可進而包含於單面或雙面配線基板、單面或雙面覆金屬積層板、附載體金屬箔之金屬箔、附載體金屬箔之板狀載體、或樹脂上開孔，並對該孔之側面及底面進行導通鍍敷之步驟。又，亦可進而包含將於上述構成單面或雙面配線基板之金屬箔、構成單面或雙面覆金屬積層板之金屬箔、及構成附載體金屬箔之金屬箔之至少一者形成配線之步驟進行1次以上之步驟。
於上述之增層基板之製造方法中，亦可進而包含於形成有配線之表面上積層單面密合金屬箔之本發明之進而另一附載體金屬箔之載體側之步驟。又，亦可進而包含於形成有配線之表面上積層樹脂，於該樹脂上積層雙面密合有金屬箔之本發明之附載體金屬箔。再者，所謂「形成有配線之表面」係指每當於進行增層之過程中出現之表面形成有配線之部分，作為增層基板，包含最終製品，亦包含其中途製品。
又，於上述之增層基板之製造方法中，可於較經由接著層將載體與金屬箔接著之部位更為內側之部分對附載體金屬箔於厚度方向進行切割。為了充分發揮本發明之效果，該切割步驟較佳為於增層基板之積層結束後實施，但亦可於積層前或積層中途進行。於積層中途或積層結束後進行切割步驟之情形時，通常不僅切割附載體金屬箔，亦將積層之樹脂或基板等一起切割。為了不阻礙配線形成、或不將已經形成之配線切割，切
割部位應設為較配線形成區域外側。
亦可進而進行對上述切割後之內側部分中之附載體金屬箔，將板狀載體與金屬箔剝離而分離，並藉由蝕刻而將露出之金屬箔之一部分或全部去除之步驟。
再者，於上述之多層覆金屬積層板之製造方法及增層基板之製造方法中，各層彼此可藉由進行熱壓接而積層。該熱壓接可每積層一層進行一次，亦可積層一定程度後集中進行，亦可於最後一次性進行。
以下，作為上述用途之具體例，一面參照圖4，一面對利用本發明之附載體金屬箔之4層覆金屬積層板之製法進行說明。此處所使用之附載體金屬箔係利用本發明之方法於板狀載體11c之單面密合金屬箔11a而成之附載體金屬箔11。雖未圖示，但於附載體金屬箔11之板狀載體11c與金屬箔11a間之界面存在內周部分之暫時接著區域與將其包圍之外周部分之接著區域。藉由於該附載體金屬箔11上，依序重疊所需片數之預浸體12、繼而稱為內層核心13之2層覆金屬積層板、繼而預浸體12、進而附載體金屬箔11，而完成1組之4層覆金屬積層板之組裝單元。繼而，反覆積層該單元14(通稱為「頁(page)」)10次左右，而構成壓製組裝物15(通稱為「冊(book)」)。其後，利用積層模具10夾持該冊15而設置於熱壓機中，以特定溫度及壓力進行加壓成型，藉此可同時製造較多之4層金屬箔積層。作為積層模具10，例如可使用不鏽鋼製平板。平板並無限定，例如可使用1~10mm左右之厚板。關於4層以上之覆金屬積層板，通常而言，亦可藉由提高內層核心之層數而以相同之步驟生產。
繼而，對利用樹脂製之板狀載體11c之雙面密合有金屬箔11a之附載體金屬箔11的空心增層基板之製造方法進行例示性說明。參照圖5，於該方法中，於附載體金屬箔11之兩側積層所需數之增層配線層16後，於較經由接著層將載體與金屬箔接著之部位更為內側之部分對附載體
金屬箔於厚度方向進行切割。藉此，則構成附載體金屬箔之載體與金屬箔只不過僅以接著力較弱之部分接著，因此其後，雙面之金屬箔可容易地自附載體金屬箔11剝離。
例如，可藉由於本發明之附載體金屬箔之金屬箔側依序重疊作為絕緣層之樹脂、2層電路基板、作為絕緣層之樹脂，於其上以金屬箔側與樹脂接觸之方式依序重疊本發明之附載體金屬箔之金屬箔，製成積層體，從而製造增層基板。
又，作為另一方法，對樹脂製之板狀載體11c之雙面或單面密合有金屬箔之附載體金屬箔之至少一金屬箔側依序積層作為絕緣層之樹脂、作為導體層之金屬箔。繼而，視需要亦可包含對金屬箔之整面進行半蝕刻而調整厚度之步驟。繼而，對積層之金屬箔之特定位置實施雷射加工而形成貫通金屬箔與樹脂之通孔，實施將通孔中之膠渣去除之除膠渣處理後，對通孔底部、側面及金屬箔之整面或一部分實施無電解鍍敷而形成層間連接，視需要進而進行電解鍍敷。亦可於金屬箔上之無需無電解鍍敷或電解鍍敷之部分於進行各鍍敷前預先形成鍍敷阻劑。又，於無電解鍍敷、電解鍍敷、鍍敷阻劑與金屬箔之密合性不充分之情形時，亦可預先使金屬箔之表面化學粗化。於使用鍍敷阻劑之情形時，於鍍敷後去除鍍敷阻劑。繼而，藉由蝕刻將金屬箔及無電解鍍敷部、電解鍍敷部之不需要部分去除，藉此形成配線。可以上述方式製造增層基板。亦可反覆進行複數次自積層樹脂、銅箔至形成配線之步驟，進而製成多層增層基板。
進而，於該增層基板之最表面，可與本發明之單面密合有金屬箔之附載體金屬箔之金屬箔之樹脂側接觸而進行積層，亦可於暫時積層樹脂後，與本發明之雙面密合有金屬箔之附載體金屬箔之一金屬箔接觸而進行積層。
此處，作為用於增層基板製作之樹脂，可較佳地使用含有熱
硬化性樹脂之預浸體。
又，作為另一方法，於本發明之於板狀載體之單面或雙面貼合金屬箔、例如銅箔而獲得之附載體金屬箔之金屬箔的露出表面積層作為絕緣層之樹脂(例如預浸體或感光性樹脂)。其後，於樹脂之特定位置形成通孔。於例如使用預浸體作為樹脂之情形時，通孔可藉由雷射加工而形成。雷射加工後，亦可實施將該通孔中之膠渣去除之除膠渣處理。又，於使用感光性樹脂作為樹脂之情形時，可藉由光微影法將通孔形成部之樹脂去除。繼而，對通孔底部、側面及樹脂之整面或一部分實施無電解鍍敷而形成層間連接，視需要進而進行電解鍍敷。亦可於樹脂上之無需無電解鍍敷或電解鍍敷之部分於進行各鍍敷前預先形成鍍敷阻劑。又，於無電解鍍敷、電解鍍敷、鍍敷阻劑與樹脂之密合性不充分之情形時，亦可預先使樹脂之表面化學粗化。於使用鍍敷阻劑之情形時，於鍍敷後去除鍍敷阻劑。繼而，藉由蝕刻將無電解鍍敷部或電解鍍敷部之不需要部分去除，藉此形成配線。可以上述方式製造增層基板。亦可反覆進行複數次自積層樹脂至形成配線之步驟，進而製成多層之增層基板。
進而，於該增層基板之最表面，可與本發明之單面密合有金屬箔之附載體金屬箔之金屬箔之樹脂側接觸而進行積層，亦可於暫時積層樹脂後，與本發明之雙面密合有金屬箔之附載體金屬箔之一金屬箔接觸而進行積層。
關於以上述方式製作之暫時空心增層基板，係經過鍍敷步驟及/或蝕刻步驟而於表面形成配線，進而自附載體金屬箔剝離載體，藉此完成增層配線板。亦可藉由對在剝離分離後露出之金屬箔之剝離面利用蝕刻將金屬箔之一部分去除而形成配線。又，亦可將全部利用蝕刻去除。上述之切割步驟亦可於板狀載體與銅箔之間在即將剝離分離前實施。進而，於增層配線板搭載電子零件類，藉此完成印刷電路板。
[實施例]
以下一併表示本發明之實施例與比較例，但該等實施例係為了更良好地理解本發明及其優點而提供者，並非意圖限定發明者。
準備複數片電解銅箔(550mm×550mm×厚度12μm)，針對各電解銅箔之光(S)面，實施利用下述條件之鍍鎳-鋅(Ni-Zn)合金處理及鉻酸鹽(Cr-Zn鉻酸鹽)處理，繼而，根據實驗例之編號進行矽烷偶合處理。將貼合面(此處為S面)之十點平均粗糙度(Rz jis：依據JIS B 0031(2003)(JIS B0601：2001)進行測定)設為1.5μm後，根據實驗例之條件，對該S面或預浸體表面塗佈脫模劑，將作為樹脂之南亞塑膠公司製造之預浸體(FR-4 RESIN，550mm×550mm×厚度200μm)與該電解銅箔之S面貼合，以170℃進行熱壓加工100分鐘，而製作附載體銅箔。
(鍍鎳-鋅合金)
(鉻酸鹽處理)
關於脫模劑對該S面或預浸體之處理，係使用噴塗機塗佈脫模劑之水溶液後，於100℃之空氣中使銅箔表面乾燥，之後進行與預浸體之貼合。關於脫模劑之使用條件，將脫模劑之種類、自使脫模劑溶解於水中至進行塗佈前之攪拌時間、水溶液中之脫模劑之濃度、水溶液中之醇濃度、水溶液之pH值示於表1。
又，使用含聚矽氧脫模劑於該S面或預浸體形成樹脂塗膜係藉由凹版塗佈法塗佈具有表1所示之組成之樹脂塗膜用組成物後，使用刮刀將其厚度調節為2~4μm。又，塗佈之樹脂塗膜係以150℃加熱30秒而進行燒附處理。再者，作為表1所示之環氧系樹脂，使用雙酚A型環氧樹脂，作為三聚氰胺系樹脂，使用甲醚化三聚氰胺樹脂。
根據實驗例適當對無需脫模劑處理之銅箔及預浸體之外周部進行遮蔽，於脫模劑之處理結束後，去除遮蔽而獲得接著區域。
銅箔之貼合面之類別、表面處理之條件及表面粗糙度Rz jis、脫模劑之使用條件、預浸體之種類、以及銅箔與預浸體之積層條件係如表1所示。
又，假定對該附載體銅箔於電路形成等進一步加熱處理時施加熱歷程，而對附載體銅箔進行表1所記載之條件之各熱處理。
對藉由熱壓獲得之附載體銅箔、及進而進行熱處理後之附載體銅箔中之經脫模劑處理之中央部分(暫時接著區域)之銅箔與板狀載體(加熱後之預浸體)的接著強度進行測定。將各結果示於表1。
又，為了評價剝離作業性，而將暫時接著區域切出，分別評價每單位個數之利用人手之作業時間(時間/個)。將結果示於表2。
又，為了評價化學溶液向金屬箔與載體間之界面之滲入，而將附載體銅箔浸漬於市售之除膠渣液中，利用目視確認金屬箔與載體界面
部分之侵蝕寬度之最大值。作為除膠渣液，使用Nippon MacDermid股份有限公司製造之DS224，以液溫75℃處理25分鐘。將結果示於表3。
對以上述條件製作之附載體金屬箔，依據JIS C6481所規定之90度接著強度測定方法測定外周區域(接著層)之接著強度。於接著區域過窄而不夠測定接著強度之情形時，依據上述之方法適當調節接著強度測定用電路寬度而進行測定，並換算為10mm寬度之90度接著強度(gf/cm)。對假定對該附載體金屬箔於形成電路等之進一步加熱處理時施加熱歷程而進行表3所記載之條件之熱處理後的接著強度亦分別進行測定。將結果示於表3。
對各實驗例中之脫模劑之處理區域(暫時接著區域)、外周部中之接著區域之處理方法與該部分之接著強度詳細進行說明。
<實驗例1、4~6>
脫模劑之處理區域係設為圖2(a)之形態。銅箔兩端部之接著區域之寬度於實驗例1中設為3mm，於實驗例4中設為1mm，於實驗例5中設為20mm，於實驗例6中設為50mm。於接著區域中發揮作為接著層之功能者為形成於銅箔上之上述鉻酸鹽層。該接著區域之接著強度為360gf/cm，具有充分之接著強度(相當於未進行脫模劑處理之實驗例12)。然而，有於對附載體銅箔進行熱處理時接著強度降低之傾向。
<實驗例2、7~10>
脫模劑之處理區域(暫時接著區域)係設為圖2(b)之形態。銅箔及預浸體外周部之接著區域之寬度於實驗例2中設為3mm，於實驗例7中設為1mm，於實驗例8中設為20mm，於實驗例9及10中設為50mm。於接著區域中發揮作為接著層之功能者於實驗例2中為形成於銅箔上之上述鉻酸鹽層，於實驗例7~10中為形成於銅箔上之上述鉻酸鹽層與塗佈於銅箔之鉻酸鹽層上之矽烷偶合劑。作為接著層所使用之矽烷偶合劑，於實驗例7
中設為3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷，於實驗例8中設為N-2-胺基乙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷，於實驗例9中設為乙烯基三甲氧基矽烷，於實驗例10中設為3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷。
關於所有矽烷偶合劑，係使用輥式塗佈機將使用2.0體積%水溶液以pH值7.0在常溫下攪拌12小時者進行塗佈後，於100℃之空氣中乾燥5分鐘。實驗例7~10中之強接著部之接著強度為330~550gf/cm，具有充分之接著強度。又，關於220℃下熱處理3小時、6小時、9小時後之接著強度，亦大部分維持在200gf/cm以上，顯示充分之強度。
<實驗例3、11>
脫模劑之處理區域(暫時接著區域)係設為圖2(c)之形態。銅箔及預浸體之四角部之未處理部(接著區域)之形狀係設為直角等腰三角形，夾著直角之2邊之長度於實驗例3中設為5mm，於實驗例11中設為30mm。於未處理部中發揮作為強接著層之功能者與實驗例1相同，係於銅箔上經處理之上述鉻酸鹽處理層。該強接著部之接著強度為360gf/cm，具有充分之接著強度。然而，有於對附載體銅箔進行熱處理時接著強度降低之傾向。
<實驗例12>
對銅箔之整面進行脫模劑處理，除此以外，於與實驗例2相同之條件下製作附載體銅箔。即，外周部之接著強度與中心部相同。此時，可知附載體銅箔及對其進行熱處理後之化學溶液滲入量全部較大為20mm以上，而無法防止化學溶液滲入至銅箔與預浸體之界面。
根據表可知，脫模劑無論對銅箔之表面進行處理或對板狀載體(預浸體)之表面進行處理，於其後之積層體之接著強度、加熱後之接著強度、及剝離作業性均可獲得同等之結果。
於所有實施例及比較例中，對與板狀載體之貼合面為相反側之銅箔無光澤(M)面於以下條件下依序進行粗化處理、鉻酸鹽處理及環氧
矽烷處理。其結果，M面之十點平均粗糙度(Rz jis：依據JIS B 0031(2003)(JIS B0601：2001)進行測定)為3.7μm。
(粗化處理)
(鉻酸鹽處理)
(環氧矽烷處理)
於常溫下攪拌12小時者
處理方法：使用噴塗機塗佈處理液後，於100℃之空氣中使處理面乾燥5分鐘。
於與實驗例1~12相同之條件下，但是於預浸體之兩側積層銅箔而製作之附載體銅箔之兩側依序重疊FR-4 PREPREG(南亞塑膠公司製造)、銅箔(JX日礦日石金屬(股)製造，JTC12μm(製品名))，以3MPa之壓力以170℃熱壓100分鐘，而製作4層覆銅積層板。
繼而，使用雷射加工機，開鑿貫通上述4層覆銅積層板兩表面之銅箔與其下之絕緣層(硬化之預浸體)之直徑100μm之孔。繼而，藉由無電解鍍銅、電鍍銅依序於在上述孔之底部露出之附載體銅箔上之銅箔表面、上述孔之側面、及上述4層覆銅積層板表面之銅箔上進行鍍銅，而於附載體銅箔上之銅箔與4層覆銅積層板表面之銅箔之間形成電性連接。繼而，使用氯化鐵系之蝕刻液對4層覆銅積層板表面之銅箔之一部分進行蝕刻而形成電路。以上述方式可製作4層增層基板。
繼而，對上述4層增層基板於較經由上述接著層將載體與金屬箔接著之部位內側之部分將附載體金屬箔於厚度方向進行切割後，將上述附載體銅箔之板狀載體與銅箔機械剝離而分離，藉此獲得2組2層增層配線板。
各實驗例均製作複數個4層增層基板，之後對各者利用目視確認構成附載體銅箔之預浸體與銅箔之密合情況，結果，比較例之於預浸體與銅箔之界面被剝離之狀態者多於實施例1~11中獲得者。
又，若將實施例3、11與實施例1、2、4~10進行比較，則實施例1、2、4~10於預浸體與銅箔之界面被剝離之狀態之個數較少。
又，若將實施例1、4~6與實施例2、7~10進行比較，則實施例2、7~10於預浸體與銅箔之界面被剝離之狀態之個數較少。
又，若於實施例2、7~10之各實施例之間進行比較，則實施例7、8、10、9、2於預浸體與銅箔之界面被剝離之狀態之個數依序減少。(即，實施例7於預浸體與銅箔之界面被剝離之狀態之個數最少)。
200‧‧‧金屬箔
210‧‧‧暫時接著區域
220‧‧‧接著區域
230‧‧‧附載體金屬箔
240‧‧‧板狀載體
Claims (51)
- 一種附載體金屬箔，其係由樹脂製之板狀載體與積層於該載體之至少一面之金屬箔所構成者，且載體與金屬箔間之界面至少於外周區域中之角部係經由接著層以201~1000gf/cm之接著強度將載體與金屬箔接著，於剩餘部分區域係使用剝離劑以10~200gf/cm之接著強度將載體與金屬箔暫時接著。
- 如申請專利範圍第1項之附載體金屬箔，其中上述脫模劑係單獨或者組合複數種的方式含有下式所示之矽烷化合物、其水解產物、該水解產物之縮合體；
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中上述脫模劑含有分子內具有2個以下之巰基之化合物。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中上述脫模劑係單獨或者組合複數種的方式含有下式所示之鋁酸鹽化合物、鈦酸鹽化合物、鋯酸鹽化合物、該等之水解產物、該水解產物之縮合體；(R1)m-M-(R2)n(式中，R1為烷氧基或者鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴 基，M為Al、Ti、Zr中之任一者，n為0或1或2，m為1以上且M之價數以下之整數，R1之至少一者為烷氧基；再者，m+n為M之價數，即於Al之情形時為3，於Ti、Zr之情形時為4)。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中上述脫模劑含有聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中之一種以上之樹脂。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中上述接著層為選自鉻酸鹽層、矽烷偶合劑層中之至少一層。
- 如申請專利範圍第6項之附載體金屬箔，其中上述矽烷偶合劑層之形成所使用的矽烷偶合劑於分子中具有環氧基、胺基、甲基丙烯醯基、乙烯基中之任一種以上。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中載體與金屬箔之間之界面之外周整體係經由接著層接著載體與金屬箔。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中經由接著層接著載體與金屬箔之部分在俯視下為帶狀，且該部分之寬度為0.1mm以上。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中經由接著層接著載體與金屬箔之部分設置有1~10處直徑0.01mm~10mm之孔。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中樹脂製之板狀載體為預浸體。
- 如申請專利範圍第11項之附載體金屬箔，其中上述預浸體具有120~320℃之玻璃轉移溫度Tg。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中於載體與金屬箔暫時接著之剩餘部分區域，上述金屬箔之與上述載體接觸側之表面的十點平均粗糙度(Rz jis)為3.5μm以下。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中上述金屬箔之未與上述載體接觸側之表面的十點平均粗糙度(Rz jis)為0.4μm以上且10.0 μm以下。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中上述金屬箔之厚度為1μm以上且400μm以下。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中上述板狀載體之厚度為5μm以上且1000μm以下。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中於使用剝離劑將載體與金屬箔暫時接著之剩餘部分區域，以220℃加熱3小時、6小時或9小時中之至少一種時間後，金屬箔與板狀載體之接著強度為10gf/cm以上且200gf/cm以下。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中上述金屬箔為銅箔。
- 如申請專利範圍第1或2項之附載體金屬箔，其中四角經倒角處理。
- 一種多層覆金屬積層板之製造方法，其包含將樹脂積層於申請專利範圍第1至19項中任一項之附載體金屬箔之至少一金屬箔側，繼而反覆積層樹脂或金屬箔1次以上之步驟。
- 一種多層覆金屬積層板之製造方法，其包含將樹脂積層於申請專利範圍第1至19項中任一項之附載體金屬箔之金屬箔側，繼而反覆積層樹脂、單面或雙面覆金屬積層板、或金屬箔1次以上之步驟。
- 如申請專利範圍第20或21項之多層覆金屬積層板之製造方法，其包含以下步驟：於較經由接著層接著載體與金屬箔之部位更為內側的部分將附載體金屬箔於厚度方向進行切割之步驟。
- 如申請專利範圍第22項之多層覆金屬積層板之製造方法，其更包含以下步驟：將上述切割後之內側部分中附載體金屬箔之板狀載體與金屬箔剝離而分離之步驟；及藉由蝕刻將因剝離而露出之金屬箔之一部分或全部去除之步驟。
- 一種多層覆金屬積層板，其係藉由申請專利範圍第20或21項之製造方法而獲得。
- 一種增層基板之製造方法，其包含於申請專利範圍第1至19項中任一項之附載體金屬箔之金屬箔側積層一層以上之增層配線層之步驟。
- 如申請專利範圍第25項之增層基板之製造方法，其中增層配線層係使用全加成法或半加成法中之至少一種而形成。
- 一種增層基板之製造方法，其包含於申請專利範圍第1至19項中任一項之附載體金屬箔之金屬箔側積層樹脂，繼而反覆積層樹脂、單面或雙面配線基板、單面或雙面覆金屬積層板、或金屬箔1次以上之步驟。
- 如申請專利範圍第27項之增層基板之製造方法，其更包含於單面或雙面配線基板、單面或雙面覆金屬積層板、附載體金屬箔之金屬箔、附載體金屬箔之板狀載體、或樹脂上開孔，並對該孔之側面及底面進行導通鍍敷之步驟。
- 如申請專利範圍第27或28項之增層基板之製造方法，其更包含將於上述構成單面或雙面配線基板之金屬箔、構成單面或雙面覆金屬積層板之金屬箔、及構成附載體金屬箔之金屬箔之至少一者上形成配線之步驟進行1次以上之步驟。
- 如申請專利範圍第27或28項之增層基板之製造方法，其更包含於形成有配線之表面上積層單面與金屬箔密合之申請專利範圍第1至19項中任一項的另一附載體金屬箔之載體側的步驟。
- 如申請專利範圍第27或28項之增層基板之製造方法，其中上述樹脂之至少一者為預浸體。
- 如申請專利範圍第25或26項之增層基板之製造方法，其更包含以下步驟：於較經由接著層接著載體與金屬箔之部位更為內側的部分將附載體金屬箔於厚度方向進行切割之步驟。
- 一種增層配線板之製造方法，其包含對藉由申請專利範圍第32項之增層基板之製造方法獲得之增層基板將載體從增層基板之製造所使用之附載體金屬箔剝離之步驟。
- 如申請專利範圍第32項之增層配線板之製造方法，其更包含藉由蝕刻將因剝離載體而露出之金屬箔之一部分或全部去除之步驟。
- 一種增層配線板，其係藉由申請專利範圍第33或34項之方法而獲得。
- 一種印刷電路板之製造方法，其包含藉由申請專利範圍第34項之方法而製造增層配線板之步驟。
- 一種金屬箔，係於一表面具有脫模劑處理區域與未經脫模劑處理區域者，未經脫模劑處理區域至少存在於金屬箔外周區域中之角部。
- 如申請專利範圍第37項之金屬箔，其中於未經脫模劑處理區域，接著層於最表面露出。
- 如申請專利範圍第37或38項之金屬箔，其中於脫模劑處理區域下形成有接著層。
- 如申請專利範圍第37或38項之金屬箔，其中外周整體為未經脫模劑處理區域。
- 如申請專利範圍第37或38項之金屬箔，其中未經脫模劑處理區域在俯視下為帶狀，且該區域之寬度為0.1mm以上。
- 如申請專利範圍第37或38項之金屬箔，其中金屬為銅。
- 如申請專利範圍第37或38項之金屬箔，其中上述脫模劑單獨或者組合複數種的方式含有下式所示之矽烷化合物、其水解產物、該水解產物之縮合體；
- 如申請專利範圍第37或38項之金屬箔，其中上述脫模劑含有分子內具有2個以下之巰基之化合物。
- 如申請專利範圍第37或38項之金屬箔，其中上述脫模劑單獨或者組合複數種的方式含有下式所示之鋁酸鹽化合物、鈦酸鹽化合物、鋯酸鹽化合物、該等之水解產物、該水解產物之縮合體；(R1)m-M-(R2)n(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之該等任一烴基，M為Al、Ti、Zr中之任一者，n為0或1或2，m為1以上且M之價數以下之整數，R1之至少一個為烷氧基，再者，m+n為M之價數，即於Al之情形時為3，於Ti、Zr之情形時為4)。
- 如申請專利範圍第37或38項之金屬箔，其中上述脫模劑含有聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中之一種以上之樹脂。
- 如申請專利範圍第38或38項之金屬箔，其中上述接著層為選自鉻酸鹽層、矽烷偶合劑層中之至少一層。
- 如申請專利範圍第47項之金屬箔，其中上述矽烷偶合劑層之形成所使用之矽烷偶合劑於分子中具有環氧基、胺基、甲基丙烯醯基、乙烯基中 之任一種以上。
- 如申請專利範圍第37或38項之金屬箔，其中利用脫模劑處理前之表面的十點平均粗糙度(Rz jis)為3.5μm以下。
- 如申請專利範圍第37或38項之金屬箔，其中未利用脫模劑處理側之表面的十點平均粗糙度(Rz jis)為0.4μm以上且10.0μm以下。
- 如申請專利範圍第37或38項之金屬箔，其中上述金屬箔之厚度為1μm以上且400μm以下。
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