TW201421622A - 熱交換器以及半導體模組 - Google Patents

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Abstract

一種熱交換器，用以冷卻一熱源。所述熱交換器內設一旁通流道，且此旁通流道的寬度大於其餘流道的寬度，以降低工作流體流動之流阻，減少推動系統所需的幫浦功率。此意謂著在相同的幫浦功率消耗下，能夠推動更多的流體，達到較佳的散熱效果。應用此熱交換器，可以將電子元件經由承載基板接合至熱交換器的頂部。如此，電子元件運作時所產生的熱量只需透過承載基板，便可傳遞至熱交換器，以藉由熱交換器將熱量散逸到外界。由於縮短了傳遞的路徑，降低元件之間的界面所產生的熱阻，因此有助於改善熱傳效率，提升散熱效果。

Description

熱交換器以及半導體模組
本申請是有關於一種熱交換器及應用此熱交換器，以達到良好散熱效果的半導體模組。
近年來，積體電路(Integrated Circuit,IC)的製程技術發展迅速，使得電子元件的功能大幅提昇。然而，伴隨著電子元件的處理速度和效能的提升，電子元件運作時的發熱量也隨之上昇。若不能有效將廢熱排除，電子元件便有可能失效或無法達到最佳的效能。
功率電子元件，如絕緣閘雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)被廣泛應用於電動車輛中。電動車輛的發展講求輕量與體積的降低，並節省電力消耗。達到上述目標的關鍵點之一即在於IGBT功率模組的運作效能。由於IGBT功率模組長時間受到高溫、振動、潮濕及灰塵污染的環境影響，再加上IGBT功率模組本身為高壓大電流之模組，因此散熱良窳一直左右其運作效能。
傳統的IGBT功率模組包括IGBT晶片、二極體(Diode)晶片、驅動晶片、直接覆銅(Direct Bond Copper,DBC)基板、底座等，並且搭配散熱片(heat-sink)等冷卻模組。所述IGBT晶片與二極體晶片在運作時產生的熱量是先傳遞至DBC基板，熱量在DBC基板上擴散(spreading)後，再傳遞至底座。底座透過導熱膏(thermal grease)接著至散熱片等 散熱模組，以藉由散熱片將熱量散逸到外界。換言之，與IGBT功率模組接觸的散熱片、IGBT功率模組與散熱片接著處的導熱膏，以及底座上皆會產生顯著的熱阻，以至於IGBT功率模組的散熱效能受到限制。
另一方面，由於IGBT功率模組的發熱功率相當高，因此已知也有採用液冷式散熱器來對IGBT功率模組進行散熱的設計。然而，此類設計除了同樣具有前述的熱阻問題外，還需額外耗費幫浦功率(pumping power)來推動液冷式散熱器中的工作流體，增加整體系統的耗能。例如，當此類型的IGBT功率被應用於電動車輛時，會增加電動車輛的電力消耗，縮短電動車的行駛時間與距離。
依照本申請的一實施例，所述熱交換器包括一底板(base plate)、一蓋板、多個第一散熱鰭片、多個第二散熱鰭片以及一工作流體。底板具有一承載面以及相對於承載面的一背側，其中承載面用以承載一熱源，例如一電子元件。蓋板配置於底板的背側，且蓋板與底板共同形成一腔室。所述腔室具有一入口以及一出口，位於腔室的同一側。第一散熱鰭片並排設置於底板與蓋板之間，用以在腔室內形成相互平行的多個第一流道以及一旁通流道(bypass channel)。各第一流道以及旁通流道由入口延伸至腔室內的一混流區，且旁通流道的寬度大於各第一流道的寬度。旁通流道的寬度與第一流道的寬度的比值例如是小於或等於 9。第二散熱鰭片並排設置於底板與蓋板之間，用以在腔室內形成相互平行的多個第二流道。各第二流道由混流區延伸至出口，且旁通流道的寬度大於各第二流道的寬度。工作流體適於由入口進入腔室，其中一部分的工作流體通過第一流道，另一部分的工作流體通過旁通流道，並且該部分的工作流體以及該另一部分的工作流體在混流區混合後，進入第二流道中，再由出口離開腔室。
為讓本申請之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
首先說明的是，本申請的熱交換器可應用於各種相容的半導體模組中，以將半導體模組內的電子元件在運作時所產生的熱量傳遞到外界。下文僅以本申請的熱交換器應用於IGBT功率模組的架構為例來進行說明，然本申請並不限於此。
依據本申請之熱交換器的設計，吾人可以將IGBT功率模組的底座與熱交換器予以整合，亦即省略了原有IGBT功率模組的底座，而將承載電子元件的承載基板直接接合至熱交換器的頂部。如此，電子元件運作時所產生的熱量只需透過承載基板，便可傳遞至熱交換器，以藉由熱交換器將熱量散逸到外界。由於整合了IGBT功率模組的底座與熱交換器，省略了原有IGBT功率模組的底座，因此可減少元件間的界面數量，降低元件之間的界面所產生的熱 阻，有助於改善熱傳效率，提升散熱效果。
圖1A繪示依照本申請之一實施例的半導體模組。半導體模組100包括熱交換器110、承載基板120以及電子元件132與134。電子元件132與134例如分別是二極體晶片(Diode)以及絕緣閘雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)晶片，分別配置於承載基板120上。所述承載基板120例如是直接覆銅(Direct Bond Copper,DBC)基板、直接鍍銅基板(Direct Plated Copper,DPC)等陶瓷金屬化基板，即包含陶瓷核心層122以及雙面之覆銅層124與126的複合基板。所述陶瓷核心層122的材質例如是氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)或，鋁碳化矽(AlSiC)等。電子元件132與134藉由第一銲料層142接合至覆銅層124，而覆銅層124可被圖案化為表層線路124a，以提供電子元件132與134連接到外部的線路。本實施例的電子元件132與134藉由銲線192相互電性連接，且電子元件132藉由銲線194電性連接到覆銅層124所形成的表層線路124a。
在此，電子元件132與134的種類、數量以及連接方式僅是作為舉例之用。實際上，隨著實際需求，本申請之其他實施例的電子元件的數量可能為一個或三個以上，而電子元件132與134的種類也不限於二極體晶片或IGBT晶片。電子元件132與134可以透過承載基板120對外連接，也可以藉由其他電路元件或直接與外界連接。此外，本實施例的電子元件132與134共用一個承載基板120，然在其他實施例中，亦可以是被設置於相獨立的兩個承載 基板上，或是被設置於其他可能類型的中介基板上。
電子元件132與134藉由承載基板120設置於熱交換器110的底板112上。承載基板120與熱交換器110之間例如是藉由第二銲料層144相互接合。
以下進一步說明熱交換器110的結構。
圖1B為熱交換器110的底視圖，其中為清楚表達熱交換器110的內部結構，圖1B省略了蓋板114。圖1C為圖1B之結構的立體圖。圖1D為圖1B之區域A的放大圖。
請同時參考圖1A~1D，熱交換器110的板112具有承載面112a以及相對於承載面112a的背側112b，而承載基板120配置於底板112的承載面112a。蓋板114配置於底板112的背側112b，並且接合至底板112，以形成腔室119。底板112與蓋板114之間設置多個第一散熱鰭片116以及多個第二散熱鰭片118，以在底板112與蓋板114之間形成多個流道。此外，殼體150配置於熱交換器110的底板112上，以覆蓋電子元件132、134以及承載基板120。表層線路124a藉由導線182a、182b連接到殼體150表面的接點184a、184b。
由蓋板114與底板112共同形成的腔室119具有一入口119a以及一出口119b。本實施例考量系統組裝時進出口由單一邊進出的設計限制，因此將入口119a與出口119b設置於鄰近腔室119的同一側，且經由腔室119側邊進出。
在本申請其他實施例中，作為入口119a與出口119b的開孔也可以被選擇形成於蓋板114或底板112上。例如， 圖1E便繪示了本申請將入口119a與出口119b設置於底板112上的另一種結構。
鑒於本實施例的入口119a與出口119b位於腔室119同一側的設計，第一散熱鰭片116以及第二散熱鰭片118在腔室119內形成多個U型流道。更詳細而言，第一散熱鰭片116並排設置於底板112與蓋板114之間，用以在腔室119內形成相互平行的多個第一流道162以及一旁通流道164。各第一流道162以及旁通流道164由入口119a延伸至腔室119內的一混流區166，且旁通流道164的寬度W1大於各第一流道162的寬度W2。具體而言，旁通流道流道164的寬度W1與第一流道162的寬度W2的比值例如是小於或等於9，以在散熱與降低流阻的效果之間取得良好的平衡。
另一方面，在本實施例中為了使流體於流道中分布均勻，第一散熱鰭片116與第二散熱鰭片118的高度可以有變化，並且可在其間形成不同深度的流道，使流體進入時產生不同阻抗，達到更均勻之流體流動分布。
在本實施例中，入口119a與出口119b位於腔室119的第一側S1，而混流區166位於腔室119的第二側S2。各第一散熱鰭片116例如為L形，且各第一散熱鰭片116包括第一部分116a以及第二部分116b。第一部分116a由第一側S1沿一第一方向D1延伸至第二側S2，而第二部分116b連接第一部分116a，並且沿一第二方向D2延伸至混流區166。第一方向D1與第二方向D2相交，例如相互 垂直。此外，旁通流道164的位置可隨需求調整，例如本實施例選擇將旁通流道164設置於第一流道162的最外側，且鄰近於腔室119的內壁。
第二散熱鰭片118並排設置於底板112與蓋板114之間，用以在腔室119內形成相互平行的多個第二流道168。各第二流道168由混流區166延伸至出口119b，且旁通流道164的寬度W1大於各第二流道168的寬度W3。
在本實施例中，各第二散熱鰭片118為與第一散熱鰭片116鏡向設置的L形，且各第二散熱鰭片118包括第三部分118a以及第四部分118b。第三部分118a由第一側S1沿第一方向D1延伸至第二側S2，而第四部分118b連接第三部分118a，並且沿第三方向D3延伸至混流區166。所述第三方向D3與第二方向D2相反。
工作流體170適於由入口119a進入腔室119，其中第一部分的工作流體172通過第一流道162，第二部分的工作流體174通過旁通流道164，之後第一部分的工作流體172與第二部分的工作流體174在混流區166混合後，進入第二流道168中，再由出口119b離開腔室119。
承上述，由於旁通流道164的寬度W1大於各第一流道162的寬度W2，因此第二部分的工作流體174在旁通流道164內流動時受到的流阻會小於第一部分的工作流體172在第一流道162內流動時受到的流阻，亦即，第二部分的工作流體174在旁通流道164內的壓損會小於第一部分的工作流體172在第一流道162內的壓損。當電子元件 132與134運作時所產生的熱量透過承載基板120傳遞至熱交換器110時，可藉由底板112、蓋板114、第一散熱鰭片116以及第二散熱鰭片118來與工作流體170進行熱交換，以藉由工作流體170將熱量帶走。
此外，由於第一部分的工作流體174在旁通流道164內的壓損較小，流速較快，因此通過旁通流道164的第一部分的工作流體174的溫度會低於通過第一流道162的第二部分的工作流體172的溫度，且兩者在混流區166混和後進入第二流道168時的入口溫度，會比無此旁通流道164設計的結構具有較低的入口溫度，使得工作流體170在第二流道168中可以提供較好的熱交換效果。
換言之，藉由本實施例的旁通流道164可降低工作流體170在流道內的壓損，可有效降低推動工作流體170流動之流阻，減少推動系統所需的幫浦功率(pumping power)；或是，在相同的幫浦功率消耗下，提供較已知設計更大的液體流量與熱傳輸量，達到較佳的散熱效果。此外，將本實施例的半導體模組100作為電動車輛的IGBT功率模組時，可使得電動車輛消耗的功率降低，延長電動車的行駛時間與距離。
在製程上，可以採用機械加工以及銲接(welding)、機械密封等技術來製作所述熱交換器110。首先，例如是以CNC(Computer Numerical Control)機械加工方式在金屬板上製作第一流道162、旁通流道164、混流區166、第二流道168以及相應的第一散熱鰭片116與第二散熱鰭片118 等。亦即，底板112、第一散熱鰭片116以及第二散熱鰭片118是採一體成型的方式製作。此外，再將另外以機械加工製作的蓋板114，經由銲接、機械密封等方式結合到底板112，以形成熱交換器110。在本實施例中，選用的金屬板可以是銅板或是其他具有良好導熱效果的金屬材質。此外，也可以選用複合板材來取代金屬板，進行熱交換器110的製作。
下文更以多個實施例來說明本申請之半導體模組及其熱交換器可能的變化例，其中省略前述實施例已說明的部分，就主要差異進行描述，並以相同或類似的元件符號來表示類似的元件。
圖2繪示依照本申請之另一實施例的熱交換器。圖2省略了蓋板，以清楚表達熱交換器的內部結構。
如圖2所示，本實施例的熱交換器210與圖1B所示的熱交換器110類似，兩者的主要差異在於：本實施例改變第二散熱鰭片218的結構來調整混流區266的形狀。更具體而言，本實施例省略了前述實施例之熱交換器110的第二散熱鰭片118的第四部分118b(如圖1B所示)，以將原先設置第四部分118b的區域留空，擴大本實施例的混流區266。各第二散熱鰭片218為直線形，並且由第一側S1沿第一方向D1延伸至混流區266。
當然，此混流區266的形狀、大小、位置可隨實際需求來進行調整。因應混流區266的設計，第一散熱鰭片216與第二散熱鰭片218的結構也可做相應的改變。
另一方面，本申請可以選擇在混流區內設置額外的擾流結構，以提高工作流體在混流區內的混合效果。如圖3所示之本申請之另一實施例的熱交換器310，即繪示了在混流區366內額外設置混流件367的設計。在此，混流件367例如是隔板，其與第一散熱鰭片316以及第二散熱鰭片318相互分離，並且橫亙於工作流體370的移動路徑上。此外，本申請並不限定混流件367的數量、形狀、位置與高度，在其他實施例中，可藉由改變混流件367的數量、形狀、位置、高度，來得到期望的混流效果。
圖4繪示依照本申請之另一實施例的半導體模組。如圖4所示，本實施例的半導體模組400與圖1A所示的半導體模組100類似，兩者的主要差異在於：本實施例的底板412為均熱板(vapor chamber)。亦即，在底板412內部形成具毛細結構490的低真空度的腔體412a，當熱量由熱源傳導至底板412時，腔體412a裡面的液相工質會吸收熱量並且在低真空度的環境中汽化。此時，工質吸收熱能並且潛變汽化，汽相的工質會很快充滿整個腔體412a。當汽相工質接觸到溫度較低的區域時會產生冷凝的現象，以藉由冷凝的現象釋放出在汽化時吸收的熱量。凝結後的液相工質會藉由毛細結構的毛細作用再回到蒸發處。如此，週而復始，可將熱源產生的熱量迅速轉移到底板412的各個部分。換言之，本實施例的底板412為具有良好的兩相流特性之平板式熱管架構，可提供極佳之二維橫向導熱效果，即使承載工作溫度極高的分散式熱源，也能快速的將 熱源產生的熱量擴散開來，避免在局部區域形成熱點(hot spot)，以延長產品使用壽命。
圖5A繪示依照本申請之又一實施例的半導體模組。圖5B為圖5A之熱交換器的底視圖，其中為清楚表達熱交換器的內部結構，圖5B省略了蓋板。圖5C為圖5B之區域B的放大圖。如圖5A~5C所示，本實施例的半導體模組500與圖1A~1D所示的半導體模組100類似，兩者的主要差異在於：本實施例將電子元件532以及534分別設置在第一承載基板520a以及第二承載基板520b上；以及本實施例選擇在第一散熱鰭片516的表面、第二散熱鰭片518的表面或腔室519的內壁形成多個凹洞502。更具體而言，本實施例的電子元件532與534例如分別是IGBT晶片以及二極體晶片，可藉由前述實施例所介紹的方式或是已知可行的方式連接到外部電路。凹洞502可以在製作熱交換器510的同時，藉由例如機械加工的方式被選擇形成在底板512、蓋板514、第一散熱鰭片516或第二散熱鰭片518的表面，且凹洞520較佳之位置是位於工作流體570進入散熱鰭片較前邊處。如此，凹洞502可以改變工作流體570在腔室519內的層流流動特性，因凹洞可將原有的熱邊界層與流場的邊界層在流過凹洞時出現『下沉』的現象，因此熱邊界與流場邊界層化出現變薄的現象。熱邊界層變薄，熱傳效果自然就改善(熱阻變小)。流場邊界層變薄，就不容易出現分離的現象，使得工作流體570阻力縮小，更強化其散熱能力。
圖6繪示依照本申請之再一實施例的半導體模組。如 圖6所示，本實施例的半導體模組600與圖5A所示的半導體模組500類似，兩者的主要差異在於：本實施例選擇將凹洞602形成在對應於熱源(電子元件632與634)的位置，並且使凹洞602貫穿底板612，以連接熱源的底部。更具體而言，所述凹洞602可貫穿底板612，直達承載基板620a與620b的底部，如此可使得工作流體直接冷卻位於電子元件632與634下方的承載基板620a與620b，提高散熱效果。另一方面，若承載基板620a與620b藉由銲料層644與底板612相接合，其接著面上可能會產生氣孔，而此氣孔製程中可由凹洞602被排出，提高承載基板620a與620b與底板612之間的接著的可靠度與散熱能力。當然，本實施例也可以結合如圖5A~5C所示實施例的凹洞502設計，亦即，可以在熱交換器610的底板612、蓋板614、散熱鰭片616的表面上形成可能的凹洞。
雖然本申請已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本申請，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本申請之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本申請之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧半導體模組
110‧‧‧熱交換器
112‧‧‧底板
112a‧‧‧底板的承載面
112b‧‧‧底板的背側
114‧‧‧蓋板
116‧‧‧第一散熱鰭片
116a‧‧‧第一散熱鰭片的第一部分
116b‧‧‧第一散熱鰭片的第二部分
118‧‧‧第二散熱鰭片
118a‧‧‧第二散熱鰭片的第三部分
118b‧‧‧第二散熱鰭片的第四部分
119‧‧‧腔室
119a‧‧‧腔室的入口
119b‧‧‧腔室的出口
120‧‧‧承載基板
122‧‧‧陶瓷核心層
124、126‧‧‧覆銅層
124a‧‧‧表層線路
132、134‧‧‧電子元件
142‧‧‧第一銲料層
144‧‧‧第二銲料層
150‧‧‧殼體
162‧‧‧第一流道
164‧‧‧旁通流道
166‧‧‧混流區
168‧‧‧第二流道
170、172、174‧‧‧工作流體
182a、182b‧‧‧導線
184a、184b‧‧‧接點
192、194‧‧‧銲線
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
D3‧‧‧第三方向
S1‧‧‧腔室的第一側
S2‧‧‧腔室的第二側
W1‧‧‧旁通流道的寬度
W2‧‧‧第一流道的寬度
W3‧‧‧第二流道的寬度
210‧‧‧熱交換器
216‧‧‧第一散熱鰭片
218‧‧‧第二散熱鰭片
266‧‧‧混流區
310‧‧‧熱交換器
316‧‧‧第一散熱鰭片
318‧‧‧第二散熱鰭片
366‧‧‧混流區
367‧‧‧混流件
370‧‧‧工作流體
400‧‧‧半導體模組
412‧‧‧底板
412a‧‧‧腔體
490‧‧‧毛細結構
500‧‧‧半導體模組
502‧‧‧凹洞
510‧‧‧熱交換器
512‧‧‧底板
514‧‧‧蓋板
516‧‧‧第一散熱鰭片
518‧‧‧第二散熱鰭片
519‧‧‧腔室
520a‧‧‧第一承載基板
520b‧‧‧第二承載基板
532、534‧‧‧電子元件
570‧‧‧工作流體
600‧‧‧半導體模組
602‧‧‧凹洞
610‧‧‧熱交換器
612‧‧‧底板
614‧‧‧蓋板
616‧‧‧散熱鰭片
620a‧‧‧第一承載基板
620b‧‧‧第二承載基板
632、634‧‧‧電子元件
644‧‧‧銲料層
圖1A繪示依照本申請之一實施例的半導體模組。
圖1B為圖1A之熱交換器的底視圖。
圖1C為圖1B之結構的立體圖。
圖1D為圖1B之區域A的放大圖。
圖1E為本申請之另一實施例的熱交換器的立體圖。
圖2繪示依照本申請之另一實施例的熱交換器。
圖3繪示依照本申請之又一實施例的熱交換器。
圖4繪示依照本申請之另一實施例的半導體模組。
圖5A繪示依照本申請之又一實施例的半導體模組。
圖5B為圖5A之熱交換器的底視圖。
圖5C為圖5B之區域B的放大圖。
圖6繪示依照本申請之再一實施例的半導體模組。
110‧‧‧熱交換器
112‧‧‧底板
116‧‧‧第一散熱鰭片
116a‧‧‧第一散熱鰭片的第一部分
116b‧‧‧第一散熱鰭片的第二部分
118‧‧‧第二散熱鰭片
118a‧‧‧第二散熱鰭片的第三部分
118b‧‧‧第二散熱鰭片的第四部分
119‧‧‧腔室
119a‧‧‧腔室的入口
119b‧‧‧腔室的出口
162‧‧‧第一流道
164‧‧‧旁通流道
166‧‧‧混流區
168‧‧‧第二流道
170、172、174‧‧‧工作流體
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
D3‧‧‧第三方向
S1‧‧‧腔室的第一側
S2‧‧‧腔室的第二側
W3‧‧‧第二流道的寬度

Claims (13)

  1. 一種熱交換器，包括：一底板(base plate)，具有一承載面以及相對於該承載面的一背側，其中該承載面用以承載一熱源；一蓋板，配置於該底板的該背側，該蓋板與該底板共同形成一腔室，且該腔室具有一入口以及一出口，位於該腔室的同一側；多個第一散熱鰭片，並排設置於該底板與該蓋板之間，用以在該腔室內形成相互平行的多個第一流道以及一旁通流道(bypass channel)，其中各該第一流道以及該旁通流道由該入口延伸至該腔室內的一混流區，且該旁通流道的寬度大於各該第一流道的寬度；多個第二散熱鰭片，並排設置於該底板與該蓋板之間，用以在該腔室內形成相互平行的多個第二流道，各該第二流道由該混流區延伸至該出口，且該旁通流道的寬度大於各該第二流道的寬度；以及一工作流體，適於由該入口進入該腔室，其中一部分的該工作流體通過該些第一流道，另一部分的該工作流體通過該旁通流道，並且該一部分的工作流體以及該另一部分的工作流體在該混流區混合後，進入該些第二流道中，再由該出口離開該腔室。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之熱交換器，其中該些第一流道中的該工作流體之流阻大於該些旁通流道中的該另一部分的工作流體之流阻。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之熱交換器，其中該腔室具有相對的一第一側以及一第二側，該入口與該出口位於該第一側，該混流區位於該第二側。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之熱交換器，其中各該第一散熱鰭片為L形，且各該第一散熱鰭片包括：一第一部分，由該第一側沿一第一方向延伸至該第二側；以及一第二部分，連接該第一部分，並且沿一第二方向延伸至該混流區，該第一方向與該第二方向相交。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之熱交換器，其中各該第二散熱鰭片為L形，且各該第二散熱鰭片包括：一第三部分，由該第一側沿該第一方向延伸至該第二側；以及一第四部分，連接該第三部分，並且沿一第三方向延伸至該混流區，該第三方向與該第二方向相反。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之熱交換器，其中各該第二散熱鰭片為直線形，並且由該第一側沿該第一方向延伸至該混流區。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之熱交換器，更包括一混流件，設置於該混流區內，並且與該些第一散熱鰭片以及該些第二散熱鰭片相互分離。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之熱交換器，其中該混流件包括一隔板，橫亙於該工作流體的移動路徑上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之熱交換器，其中該旁 通流道位於該些第一流道的最外側，且鄰近於該腔室的內壁。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之熱交換器，其中該底板包括一均熱板(vapor chamber)。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之熱交換器，其中該些第一散熱鰭片的表面、該些第二散熱鰭片的表面以及該腔室的內壁中的至少一個具有多個凹洞。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之熱交換器，其中該些凹洞對應於該熱源的位置，並且貫穿該底板，以連接該熱源的底部。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之熱交換器，其中該底板的材質包括金屬或複合材料。
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