TW201417368A - 有機電場發光元件及發光裝置 - Google Patents
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Abstract
根據一個實施形態，有機電致發光元件包含第1電極、設置成與第1電極對峙之反射層、設置於第1電極與反射層之間的有機發光層、設置於有機發光層與反射層之間的第2電極、設置於第2電極與反射層之間的光學緩衝層以及複數個光萃取部。複數個光萃取部設置於至少光學緩衝層之設有第2電極之側、光學緩衝層之設有反射層之側、及光學緩衝層之內，且光萃取部具有與光學緩衝層之折射率不同的折射率。
Description
本說明書中所述之實施形態大致有關於有機電致發光元件及發光裝置。
有機電致發光元件包含陰極電極、陽極電極、及設置於陰極電極與陽極電極之間的有機發光層。
於有機電致發光元件中，電壓施加於陰極電極與陽極電極之間。因此，電子從陰極電極注入有機發光層，且電洞從陽極電極注入有機發光層。被注入之電子與電洞再結合，且因再結合而產生激子。當激子經歷輻射去活化時，會產生光。
在這樣的有機電致發光元件中，光萃取效率提升受期望。
[專利文獻1]JP-A 2006-92936
1,1a,1b,1c,1d‧‧‧有機電致發光元件
1e,1f,1g,1h,1i‧‧‧有機電致發光元件
10‧‧‧第1電極
11‧‧‧發光裝置
11‧‧‧積層體
11a‧‧‧發光部
11b‧‧‧驅動部
11b‧‧‧驅動部
11c‧‧‧控制部
20‧‧‧第2電極
21‧‧‧面
30‧‧‧有機發光層
31‧‧‧第1功能層
32‧‧‧第2功能層
33‧‧‧發光位置
40‧‧‧光學緩衝層
40a,40b,40c,40a’,40b’‧‧‧界面
41‧‧‧面
42‧‧‧溝
44‧‧‧空間
50‧‧‧反射層
51‧‧‧面
60,61‧‧‧基板
60a,60b‧‧‧面
65‧‧‧光路控制層
70‧‧‧密封部
71‧‧‧空間
80‧‧‧光萃取部
80,80a,80b‧‧‧光萃取部
80a1,80b1‧‧‧斜面
80b2‧‧‧尖端部
90‧‧‧微透鏡
100‧‧‧有機電致發光元件
120‧‧‧第2電極
L1‧‧‧外部模式成分
L2‧‧‧基板模式成分
L3‧‧‧薄膜層模式成分
L4‧‧‧損失成分
圖1A及1B為例示根據第一實施形態之有機電致發光元件1及1a的示意圖。
圖2A及2B為例示在設置在根據比較例之有機電致發光元件100中之有機發光層30內的發光位置33所產生的光之損失的示意圖。
圖3為例示在根據第一實施形態之有機電致發光元件1、1a中之光萃取效率的圖表。
圖4A及4B為例示在界面40a及40b之折射的示意圖。
圖5為例示根據第二實施形態之有機電致發光元件1b的示意圖。
圖6A及6B為例示在界面40a及40b之折射的示意圖。
圖7A至7C為例示根據第三實施形態之有機電致發光元件1c的示意圖。
圖8為例示根據第四實施形態之有機電致發光元件1d的示意圖。
圖9A及9B為例示包含複數個光萃取部80之光學緩衝層40的形成方法的示意圖。
圖10A至10E為例示根據第五實施形態之有機電致發光元件1e的示意圖。
圖11為例示根據第六實施形態之有機電致發光元件
1f的示意圖。
圖12為例示根據第七實施形態之有機電致發光元件1g的示意圖。
圖13為例示複數個光萃取部80a的形成方法的示意圖。
圖14為例示根據第八實施形態之有機電致發光元件1h的示意圖。
圖15A及15B為例示複數個光萃取部80b的形成方法的示意圖。
圖16為例示複數個光萃取部80b的形成方法的示意圖。
圖17為例示根據第九實施形態之有機電致發光元件1i的示意圖。
圖18為例示根據第十實施形態之有機電致發光元件1j的示意圖。
圖19A及19B為例示光路控制層65的功能的示意圖。
圖20為例示光萃取效率的圖表。
圖21為例示發光裝置11的示意圖。
根據一個實施形態，有機電致發光元件包含第1電極、設置成與第1電極對峙之反射層、設置於第1電極與反射層之間的有機發光層、設置於有機發光層與反
射層之間的第2電極、設置於第2電極與反射層之間的光學緩衝層以及複數個光萃取部。複數個光萃取部設置於至少光學緩衝層之設有第2電極之側、光學緩衝層之設有反射層之側、及光學緩衝層之內，且光萃取部具有與光學緩衝層之折射率不同的折射率。
以下將參看附圖敘述各種實施形態。
圖式為示意或概念性的。每一個部分的厚度及寬度之間的關係、及各部分之間的尺寸比例如未必與實際上相同。再者，相同部分取決於圖而可能以不同尺寸或比例表示。
在本說明書及圖式中，與參看前述的圖於上面敘述者類似之組件以類似參考數字標示，且其詳細敘述適當地省略。
圖1A及1B為例示根據第一實施形態之有機電致發光元件1及1a的示意圖。
圖1A為例示有機電致發光元件1的示意剖視圖。圖1B為例示進一步包含第1功能層31與第2功能層32之有機電致發光元件1a的示意剖視圖。
如圖1A所示，有機電致發光元件1包含第1電極10、第2電極20、有機發光層30、光學緩衝層40、反射層50、及光萃取部80。
第1電極10對於射出自有機發光層30的光
具有透射性。
第1電極10作用為例如陽極。第1電極10之厚度尺寸可設定為例如50奈米(nm)或以上。
第1電極10包含例如包含從由In、Sn、Zn、及Ti所構成之群組中選出之至少一個元素的氧化物。第1電極10為例如ITO(氧化銦錫)膜。
第2電極20設置於有機發光層30與反射層50之間。第2電極20對於射出自有機發光層30的光具有透射性。
第2電極20作用為例如陰極。第2電極20之厚度尺寸可設定為例如10奈米(nm)或以下。
第2電極20之材料只要為導電的，則不特別限定。然而，較佳地，材料具有低折射率及低消光係數。例如，第2電極20可配置以包含由Ag、Au、Ca、及鹼金屬所構成之群組中選出之至少一者。
例如，第2電極20可由所包含之Ag的莫耳分數為0.4或以上的鎂銀合金所構成。
於此，第1電極10可使用為陰極，而第2電極20可使用為陽極。
有機發光層30設置於第1電極10與第2電極20之間。有機發光層30發出含有可見光的波長成分之光。有機發光層30之厚度尺寸可設定為例如50奈米(nm)或以上。
有機發光層30包含比如Alq3、F8BT、及PPV。有機
發光層30可由主體材料及加入主體材料之摻雜物的混合材料所構成。主體材料能以比如CBP、BCP、TPD、PVK、及PPT為基礎。摻雜物材料能以比如Flrpic、Ir(ppy)3、及Flr6為基礎。
再者，如圖1B所示，有機電致發光元件1a可進一步包含第1功能層31及第2功能層32。
第1功能層31設置於有機發光層30與第1電極10之間。第1功能層31之厚度尺寸可設定為例如約1奈米(nm)。第1功能層31視需要而設置。
第1功能層31作用為例如電洞注入層。作用為電洞注入層之第1功能層31包含比如PEDPOT：PPS、CuPc、及MoO3。
第1功能層31作用為例如電洞傳輸層。作用為電洞傳輸層之第1功能層31包含比如α-NPD、TAPC、m-MTDATA、TPD、及TCTA。
第1功能層31可藉將作用為電洞注入層之層及作用為電洞傳輸層之層積層而製成。
第2功能層32設置於有機發光層30與第2電極20之間。第2功能層32之厚度尺寸可設定為例如約1奈米(nm)。第2功能層32視需要而設置。
第2功能層32作用為例如電子傳輸層。第2功能層32包含比如Alq3、BAlq、POPy2、Bphen、及3TPYMB。
或者，第2功能層32作用為例如電子注入層。
或者，第2功能層32可藉將作用為電子傳輸
層之層及作用為電子注入層之層積層而製成。於此情況下，作用為電子注入層之層的目的在於提升電子注入特性。作用為電子注入層之層設置於作用為電子傳輸層之層與第2電極20之間。
光學緩衝層40設置於第2電極20與反射層50之間。因此，有機發光層30與反射層50之間的距離可距離至少光學緩衝層40的厚度尺寸的量。結果，可減少電漿子損失。
光學緩衝層40之未設有光萃取部80的部分之厚度尺寸可設定為50奈米(nm)或以上。
光學緩衝層40之材料只要對於射出自有機發光層30的光具有透射性，則不特別限定。然而，光學緩衝層40之折射率不同於光萃取部80之折射率。
光學緩衝層40具有界面40a、40b及40c。
界面40a沿著與有機發光層30之設有第2電極20之側的面的延伸方向(垂直於圖1A及1B之頁面的方向)交叉的方向。
於所說明之例中，有機發光層30之設有第2電極20之側的面的延伸方向正交於界面40a的延伸方向。然而，延伸方向不限於此。有機發光層30之設有第2電極20之側的面的延伸方向僅需要不平行於界面40a的延伸方向。
界面40b沿著有機發光層30之設有第2電極20之側的面的延伸方向。
界面40c係在未設有光萃取部80之區域的界面。
減少電漿子損失、光學緩衝層40之折射率、光學緩衝層40之厚度尺寸、及在界面40a、40b及40c之折射的細節將於後述。
反射層50設置於光學緩衝層40之設有第2電極20之側的相對側。亦即，反射層50設置成與第1電極10對峙。反射層50對於射出自有機發光層30的光具有反射性。反射層50之厚度尺寸可設定為例如約100奈米(nm)。
反射層50可包含例如金屬比如Ag、Mg：Ag(鎂銀合金)、及Al。或者，反射層50可為例如介電體多層膜。
光萃取部80設置複數個於光學緩衝層40之設有第2電極20之側。光萃取部80具有不同於光學緩衝層40之折射率的折射率。更具體而言，複數個光萃取部80設置於第2電極20與有機發光層30之間。光萃取部80從光學緩衝層40之設有第2電極20之側向光學緩衝層40內突出。透過設置光萃取部80，在光學緩衝層40中形成界面40a及40b。
只要至少在光學緩衝層40中形成界面40a，則光萃取部80之形狀不特別限定。例如，光萃取部80可具有如網目、線、或點之形狀。於所說明之例中，光萃取部80之剖面形狀為矩形狀。然而，剖面形狀不限於此。例如，光萃取部80之剖面形狀可為任意形狀比如三角形、梯形、半圓形、及半橢圓形。
圖1A及1B中所例示之有機電致發光元件1、1a包含基板60於第1電極10之設有有機發光層30之側的相對側。亦即，第1電極10設置於基板60與有機發光層30之間。基板60對於射出自有機發光層30的光具有透射性。基板60為例如玻璃基板。
有機電致發光元件1、1a為底部發光式有機電致發光元件。射出自有機發光層30的光中通過基板60之光的強度高於射出自有機發光層30的光中通過第2電極20之光的強度。射出自有機發光層30的光主要從第1電極10側(基板60側)萃取。
再者，有機電致發光元件1、1a包含複數個微透鏡90於基板60之設有第1電極10之側的相對側之面。例如，微透鏡90可具有如半球狀之形狀。微透鏡90之高度尺寸(沿著基板60之厚度方向的長度)可設定為例如1μm或以上及50μm或以下。於此情況下，微透鏡90之直徑尺寸為2μm或以上及100μm或以下。然而，微透鏡90之形狀及尺寸不限於已例示者，而可適當地變更。在複數個微透鏡90設置於基板60的情況下，預先形成複數個微透鏡90排列成如矩陣之微透鏡片，然後貼在基板60上。
第2電極20之界面40a’為與第2電極20接觸之面，並與光學緩衝層40之界面40a對峙。第2電極20之界面40b’為與第2電極20接觸之面，並與光學緩衝層40之界面40b對峙。
接著，進一步敘述上述之電漿子損失的減低。
圖2A及2B為例示在設置在根據比較例之有機電致發光元件100中之有機發光層30內的發光位置33所產生的光之損失的示意圖。
於此，圖2A為例示在有機發光層30中之發光位置33所產生之光的行跡的示意剖視圖。圖2B為例示每個光學模式的分配比的圖表。圖2B表示光萃取效率的模擬結果例。圖2B之水平軸代表發光位置33至第2電極120的距離。圖2B之垂直軸代表光萃取效率。模擬之條件設定為如下。第1電極10設為由ITO構成。第1電極10方面，折射率設定為1.8至2.2，且厚度尺寸設定為110奈米(nm)。有機發光層30之折射率設定為1.9。有機發光層30之厚度尺寸為藉對於發光位置33至第2電極120的各距離(圖2B之水平軸上的各距離)加上80奈米(nm)而給定。第2電極120設為由Al構成。第2電極120之厚度尺寸設定為150奈米(nm)。基板60之折射率設定為1.5。在有機發光層30中之發光位置33所產生之光的波長設定為525奈米(nm)。
如圖2A所示，根據比較例之有機電致發光元件100包含第1電極10、由金屬構成之第2電極120、有機發光層30、及基板60。亦即，根據比較例之有機電致發光元件100具有一般的有機電致發光元件之配置。因此，根據比較例之有機電致發光元件100不包含上述之光
學緩衝層40、反射層50、及光萃取部80。再者，第2電極120對於射出自有機發光層30的光不具有透射性。
如圖2A所示，在有機電致發光元件100中，在有機發光層30中之發光位置33所產生的光之行跡大致分為四種類。在發光位置33所產生之光包含外部模式成分L1、基板模式成分L2、薄膜層模式成分L3及在由金屬所構成之第2電極120中之損失成分L4。以下，「在由金屬所構成之第2電極120中之損失成分L4」簡稱為「損失成分L4」。
外部模式成分L1為可萃取至有機電致發光元件100的外部之成分。基板模式成分L2為到達基板60但在基板60與外部空氣之間的界面全反射之成分。薄膜層模式成分L3為到達第1電極10但在第1電極10與基板60之間的界面全反射之成分。於此情況下，基板模式成分L2可從基板60之面60a及面60b以外的面比如與面60a或面60b交叉之面萃取至外部。同樣地，薄膜層模式成分L3亦可萃取至第1電極10的外部。亦即，外部模式成分L1、基板模式成分L2、及薄膜層模式成分L3為可萃取至外部的成分。
另一方面，損失成分L4為由金屬所構成之第2電極120損失之成分。
於此，入射於第2電極120之光包含傳播光及非傳播光。
傳播光及非傳播光為射出自有機發光層30的
光的成分。
傳播光為可傳播至無吸收介質的情況無限遠的光。
非傳播光為強度隨傳播距離指數衰減的光。
在發光位置33與第2電極120之間有不同折射率的邊界之情況，一部分的傳播光會因全反射轉成非傳播光並到達第2電極120。
損失成分L4包含傳播光之損失及非傳播光之損失。
傳播光之損失(以下稱作傳播光損失)為因第2電極120之吸收而造成的。傳播光損失不取決於發光位置33與第2電極120之間的距離。
非傳播光之損失(以下稱作非傳播光損失)是因瞬息光(evanescent light)與第2電極120之金屬中的電子之交互作用而產生。此非傳播光損失稱作電漿子損失。電漿子損失(非傳播光損失)取決於發光位置33與第2電極120之間的距離。隨發光位置33與第2電極120之間的距離變長，電漿子損失變較低。
如圖2B所示，外部模式成分L1、基板模式成分L2、薄膜層模式成分L3、及損失成分L4依例如發光位置33至第2電極120的距離而變化。
有機電致發光元件100之光萃取效率可藉減少無法萃取至外部的損失成分L4中的電漿子損失部分而提升。電漿子損失可藉加長發光位置33與第2電極120之間的距離而減少。
因此，根據本實施形態之有機電致發光元件1、1a配置以包含對於射出自有機發光層30的光具有透射性之第2電極20。據此，可減少第2電極20中之電漿子損失。
再者，光學緩衝層40設置於第2電極20與反射層50之間。因此，可加長距離發光位置33與反射層50之間的距離。據此，可減少反射層50中之電漿子損失。
接著，進一步敘述上述之光學緩衝層40之折射率與光學緩衝層40之厚度尺寸。
圖3為例示在根據第一實施形態之有機電致發光元件1、1a中的光萃取效率的圖表。
圖3之水平軸代表光學緩衝層40之未設有光萃取部80的部分之厚度尺寸(第2電極20與反射層50之間的距離)。圖3之垂直軸之代表光萃取效率。
圖3表示光萃取效率的模擬結果例。
模擬之條件設定為如下。第1電極10設為由ITO構成。第1電極10之厚度尺寸設定為110奈米(nm)。有機發光層30方面，折射率設定為1.8，且厚度尺寸設定為120奈米(nm)。第2電極20設為由Ag構成。第2電極20之厚度尺寸設定為5奈米(nm)。反射層50設為由Ag構成。反射層50之厚度尺寸設定為150奈米(nm)。在有機發光層30中之發光位置33所產生之光的波長設定為525奈米(nm)。基板60之折射率設定為1.5。然後，光學緩衝層40之折射率設定為1.0、1.5、及1.8，並
求出每一個情況下之光萃取效率。
圖3中之A1、B1、及C1代表外部模式成分L1。A1代表光學緩衝層40之折射率設定為1.0之情況。B1代表光學緩衝層40之折射率設定為1.5之情況。C1代表學緩衝層40之折射率設定為1.8之情況。
圖3中之A2、B2、及C2代表外部模式成分L1與基板模式成分L2之和。A2代表光學緩衝層40之折射率設定為1.0之情況。B2代表光學緩衝層40之折射率設定為1.5之情況。C2代表光學緩衝層40之折射率設定為1.8之情況。
圖3中之A3、B3、及C3代表外部模式成分L1、基板模式成分L2、及薄膜層模式成分L3之和。A3代表光學緩衝層40之折射率設定為1.0之情況。B3代表光學緩衝層40之折射率設定為1.5之情況。C3代表光學緩衝層40之折射率設定為1.8之情況。
可從圖3看出，若使光學緩衝層40之折射率較低，則可對於外部模式成分L1、基板模式成分L2、及薄膜層模式成分L3每一者提升光萃取效率。於此情況下，僅需要使光學緩衝層40之折射率低於有機發光層30之折射率(例如，1.8-2.2)。
再者，可從圖3看出，若光學緩衝層40之未設有光萃取部80的部分之厚度尺寸設定為50奈米(nm)或以上，則可對於外部模式成分L1、基板模式成分L2、及薄膜層模式成分L3每一者提升光萃取效率。
接著，進一步敘述在界面40a、40b、40c、40a’及40b’之折射。
於此，在界面40c之折射無關於光萃取部80之設置，因此省略其敘述。
在光萃取部80之折射率不同於光學緩衝層40之折射率的情況下，折射因光萃取部80與光學緩衝層40之間的折射率差而發生。此折射作用為光萃取之功能。
圖4A及4B為例示在界面40a、40b、40c、40a’及40b’之折射的示意圖。
於此，圖4A表示光學緩衝層40之折射率低於光萃取部80之折射率之情況。圖4B表示光學緩衝層40之折射率高於光萃取部80之折射率之情況。
光學緩衝層40與光萃取部80之中具有較低折射率者可由例如SiO2、LiF、CaF2、MgF2、或氣體如空氣、氮氣、及稀有氣體所構成。
如圖4A所示，在光學緩衝層40之折射率低於光萃取部80之折射率之情況下，當在有機發光層30中之發光位置33所產生之光透過界面40a’、40a時，光折射。根據司乃耳定律，在界面40a之折射角大於界面40a’上之入射角。若使在界面40a之折射角較大，則反射層50上之入射角較小。因此，更可能使光為上述外部模式成分L1。據此，光萃取效率會提升。
另一方面，當在有機發光層30中之發光位置33所產生之光透過界面40b’、40b並折射時，根據司乃耳
定律，在界面40b之折射角大於界面40b’上之入射角。然而，若使在界面40b之折射角較大，則反射層50上之入射角較大。因此，對於入射於界面40b上之光，光萃取效率會降低。
亦即，在光學緩衝層40之折射率低於光萃取部80之折射率之情況下，較佳地，使界面40a’、40a之面積較大，且使界面40b’、40b之面積較小。例如，光萃取部80之剖面形狀可為比如三角形、梯形、及半圓形。或者，光萃取部80之剖面形狀可為長邊沿著界面40a’、40a側之矩形。
如圖4B所示，在光學緩衝層40之折射率高於光萃取部80之折射率之情況下，當在有機發光層30中之發光位置33所產生之光透過界面40a’、40a並折射時，使折射角較小。因此，對於入射於界面40a’、40a上之光，光萃取效率會降低。
另一方面，當在有機發光層30中之發光位置33所產生之光透過界面40b’、40b並折射時，使折射角較小。因此，對於入射於界面40b’、40b上之光，光萃取效率會提升。
亦即，在光學緩衝層40之折射率高於光萃取部80之折射率之情況下，較佳地，使界面40a’、40a之面積較小，且使界面40b’、40b之面積較大。例如，光萃取部80之剖面形狀可為長邊沿著界面40b’、40b側之矩形。
圖5為例示根據第二實施形態之有機電致發光元件1b的示意圖。
圖6A及6B為例示在界面40a及40b之折射的示意圖。
於此，圖6A表示光學緩衝層40之折射率低於光萃取部80之折射率。圖6B表示光學緩衝層40之折射率高於光萃取部80之折射率之情況。
如圖5所示，有機電致發光元件1b包含第1電極10、第2電極20、有機發光層30、光學緩衝層40、反射層50、及光萃取部80。再者，如上述有機電致發光元件1a，有機電致發光元件1b可進一步包含第1功能層31與第2功能層32。再者，有機電致發光元件1b可進一步包含基板60與微透鏡90。
光萃取部80設置複數個於光學緩衝層40之設有第2電極20之側。光萃取部80具有不同於光學緩衝層40之折射率的折射率。更具體而言，複數個光萃取部80設置於第2電極20與光學緩衝層40之間。光萃取部80從光學緩衝層40之設有第2電極20之側向光學緩衝層40內突出。藉亦設置複數個光萃取部80於這樣的位置，會於光學緩衝層40中形成界面40a及40b。
光學緩衝層40與光萃取部80之中具有較低折射率者可配置以包含比如SiO2、LiF、CaF2、及MgF2。
或者，光學緩衝層40與光萃取部80之中具有較低折射率者可由氣體如空氣、氮氣、及稀有氣體構成。
藉設置光萃取部80，會形成界面40a及40b。折射發生於界面40a及40b。
如圖6A所示，在光學緩衝層40之折射率低於光萃取部80之折射率之情況下，當在有機發光層30中之發光位置33所產生之光折射於界面40a時，使折射角較大。因此，對於入射於界面40a上之光，光萃取效率與上述者相同會提升。
另一方面，當在有機發光層30中之發光位置33所產生之光折射於界面40b時，使折射角較大。然而，若使在40b之折射角較大，則反射層50上之入射角較大。因此，對於入射於界面40b上之光，光萃取效率會降低。
亦即，在光學緩衝層40之折射率低於光萃取部80之折射率之情況下，較佳地，使界面40a之面積較大，並使界面40b之面積較小。例如，光萃取部80之剖面形狀可為比如三角形、梯形、及半圓形。或者，光萃取部80之剖面形狀可為長邊沿著界面40a側之矩形。
如圖6B所示，在光學緩衝層40之折射率高於光萃取部80之折射率之情況下，當在有機發光層30中之發光位置33所產生之光折射於界面40a時，使折射角較小。因此，對於入射於界面40a上之光，光萃取效率會降低。
另一方面，當在有機發光層30中之發光位置33所產生之光折射於界面40b時，使折射角較小。因此，對於入射於界面40b上之光，光萃取效率會提升。
亦即，在光學緩衝層40之折射率高於光萃取部80之折射率之情況下，較佳地，使界面40a之面積較小，且使界面40b之面積較大。例如，光萃取部80之剖面形狀可為長邊沿著界面40b側之矩形。
圖7A至7C為例示根據第三實施形態之有機電致發光元件1c的示意圖。
於此，圖7A為例示有機電致發光元件1c的示意剖視圖。圖7B為例示在光學緩衝層40之折射率低於光萃取部80之折射率之情況下的折射的示意圖。圖7C為例示在光學緩衝層40之折射率高於光萃取部80之折射率之情況下的折射的示意圖。
如圖7A所示，有機電致發光元件1c包括第1電極10、第2電極20、有機發光層30、光學緩衝層40、反射層50、及光萃取部80。再者，如上述有機電致發光元件1a，有機電致發光元件1c可進一步包含第1功能層31與第2功能層32。再者，有機電致發光元件1c可進一步包含基板60與微透鏡90。
光萃取部80設置複數個於光學緩衝層40之設有反射層50之側。光萃取部80具有不同於光學緩衝層
40之折射率的折射率。更具體而言，複數個光萃取部80設置於反射層50與光學緩衝層40之間。光萃取部80從光學緩衝層40之設有反射層50之側向光學緩衝層40內突出。藉亦設置複數個光萃取部80於這樣的位置，會於光學緩衝層40中形成界面40a及40b。
光學緩衝層40與光萃取部80之中具有較低折射率者可配置以包含比如SiO2、LiF、CaF2、及MgF2。或者，光學緩衝層40與光萃取部80之中具有較低折射率者可由氣體如空氣、氮氣、及稀有氣體構成。
藉設置光萃取部80，會形成界面40a及40b。折射發生於界面40a及40b。
如圖7B所示，在光學緩衝層40之折射率低於光萃取部80之折射率之情況下，當在有機發光層30中之發光位置33所產生之光折射於界面40a時，使折射角較小。因此，對於入射於界面40a上之光，光萃取效率會降低。
另一方面，當在有機發光層30中之發光位置33所產生之光折射於界面40b時，使折射角較小。因此，對於入射於界面40b上之光，光萃取效率會提升。
亦即，在光學緩衝層40之折射率低於光萃取部80之折射率之情況下，較佳地，使界面40a之面積較小，並使界面40b之面積較大。例如，光萃取部80之剖面形狀可為長邊沿著界面40b側之矩形。
如圖7C所示，在光學緩衝層40之折射率高於光萃取部80之折射率之情況下，當在有機發光層30中
之發光位置33所產生之光折射於界面40a時，使折射角較大。因此，對於入射於界面40a上之光，光萃取效率會提升。
另一方面，當在有機發光層30中之發光位置33所產生之光折射於界面40b時，使折射角較大。因此，對於入射於界面40b上之光，光萃取效率會降低。
亦即，在光學緩衝層40之折射率高於光萃取部80之折射率之情況下，較佳地，使界面40a之面積較大，且使界面40b之面積較小。例如，光萃取部80之剖面形狀可為比如三角形、梯形、及半圓形。或者，光萃取部80之剖面形狀可為長邊沿著界面40a側之矩形。
圖8為例示根據第四實施形態之有機電致發光元件1d的示意圖。
如圖8所示，有機電致發光元件1d包含第1電極10、第2電極20、有機發光層30、光學緩衝層40、反射層50、及光萃取部80。再者，如上述有機電致發光元件1a，有機電致發光元件1d可進一步包含第1功能層31與第2功能層32。再者，有機電致發光元件1d可進一步包含基板60與微透鏡90。
光萃取部80設置複數個於光學緩衝層40中。光萃取部80具有不同於光學緩衝層40之折射率的折射率。複數個光萃取部80分散於光學緩衝層40中。藉亦
以此方式設置複數個光萃取部80，會於光學緩衝層40中形成界面40a及40b。
光學緩衝層40與光萃取部80之中具有較低折射率者可配置以包含比如SiO2、LiF、CaF2、及MgF2。或者，在使光萃取部80之折射率較低之情況下，光萃取部80可由氣體如空氣、氮氣、及稀有氣體構成。
藉設置光萃取部80，會形成界面40a及40b。折射發生於界面40a及40b。再者，被分散之複數個光萃取部80引起散射。
於此情況下，在界面40a及40b之折射類似於圖7B及7C所例示者。
若複數個光萃取部80分散於光學緩衝層40中，則在有機發光層30中之發光位置33所產生之光於光學緩衝層40中散射並導引至基板60側。
因此，由於在界面40a及40b之折射、及被分散之複數個光萃取部80所造成的散射，使得光萃取效率會提升。
圖9A及9B為例示包含複數個光萃取部80之光學緩衝層40的形成方法的示意圖。
如圖9A所示，預先形成分散有複數個光萃取部80之膜狀光學緩衝層40。然後，膜狀光學緩衝層40可貼在第2電極20之設有有機發光層30之側的相對側之面上。
如圖9B所示，在反射層50之第2電極20側的面，預先形成分散有複數個光萃取部80之膜狀光學緩衝層
40。然後，反射層50與光學緩衝層40可設置於第2電極20之設有有機發光層30之側的相對側之面。於此，光學緩衝層40可藉使用已知蒸鍍法等而形成於反射層50之一面。
圖10A至10E為例示根據第五實施形態之有機電致發光元件1e的示意圖。
如圖10A所示，有機電致發光元件1e包含第1電極10、第2電極20、有機發光層30、光學緩衝層40、反射層50、基板60、基板61、及密封部70。再者，如上述有機電致發光元件1a，有機電致發光元件1e可進一步包含第1功能層31與第2功能層32。再者，有機電致發光元件1e可進一步包含微透鏡90。
基板61設置成與基板60對峙。
基板61可或可不對於射出自有機發光層30的光具有透射性。
反射層50設置於基板61之與基板60對峙之側的面。
如圖10B及10C所示，空間44設置於反射層50與光學緩衝層40之間。
於此，圖10B表示在上述有機電致發光元件1d中空間44進一步設置於反射層50與光學緩衝層40之間的情況。
圖10C表示在上述有機電致發光元件1c中空間44進一步設置於反射層50與光學緩衝層40之間的情況。
或者，如圖10D及10E所示，空間44設置於反射層50與第2電極20之間。
於此，圖10D表示在上述有機電致發光元件1中光學緩衝層40由填充於空間44之氣體構成的情況。
圖10E表示在上述有機電致發光元件1b中光學緩衝層40由填充於空間44之氣體構成的情況。
如圖10A所示，密封部70的一個端部側設置成圍住基板60的周緣。密封部70的另一個端部側設置成圍住基板61的周緣。密封部70由例如玻璃質材料形成。密封部70密封由基板60、基板61、及密封部70界定之空間71。
空間71填充例如氣體如空氣、氮氣、及稀有氣體。
因此，空間44亦填充該氣體。
如參見圖3所述，若使光學緩衝層之折射率較低，則可對於外部模式成分L1、基板模式成分L2、及薄膜層模式成分L3每一者提升光萃取效率。
一般而言，氣體具有低於固體與液體之折射率。因此，藉進一步於反射層50與光學緩衝層40之間設置由氣體構成之層、或藉使光學緩衝層40自己由氣體構成，光萃取效率會提升。
於此，若反射層50由介電體多層膜構成，則
可提升反射比。
然而，一般而言，介電體多層膜藉使用蒸鍍法等而形成。形成介電體多層膜之時的溫度會達到損害構成有機電致發光元件之有機材料的溫度。因此，若介電體多層膜形成於光學緩衝層40之設有第2電極20之側的相對側之面，則有損害光學緩衝層40等的危險。
在此實施形態中，反射層50設置於基板61。因此，即使由介電體多層膜構成之反射層50藉使用已知蒸鍍法等而形成，仍無損害光學緩衝層40等的危險。
此使反射層50可由介電體多層膜構成。
圖11為例示根據第六實施形態之有機電致發光元件1f的示意圖。
如圖11所示，有機電致發光元件1f包含第1電極10、第2電極20、有機發光層30、光學緩衝層40、反射層50、及光萃取部80a。再者，如上述有機電致發光元件1a，有機電致發光元件1f可進一步包含第1功能層31與第2功能層32。再者，有機電致發光元件1f可進一步包含基板60與微透鏡90。
在上述有機電致發光元件1、1a至1e中，複數個光萃取部80向光學緩衝層40內突出或分散於光學緩衝層40內。
另一方面，在根據本實施形態之有機電致發光元件1f
中，複數個光萃取部80a從光學緩衝層40之設有反射層50之側的面41向光學緩衝層40的外部突出。複數個光萃取部80a互相隔離。
光萃取部80a具有沿著與有機發光層30之設有第2電極20之側的面之延伸方向交叉的方向之斜面80a1。
於此情況下，較佳地，不使有機發光層30之設有第2電極20之側的面之延伸方向正交於斜面80a1之延伸方向。
再者，反射層50設置成覆蓋光學緩衝層40的面41、及複數個光萃取部80a的斜面80a1。
因此，在有機發光層30中之發光位置33所產生並入射於光萃取部80a之斜面80a1之光會被設置於光萃取部80a之斜面80a1的反射層50反射。更可能使被設置於光萃取部80a之斜面80a1的反射層50反射之光為上述外部模式成分L1。結果，光萃取效率會提升。
於所說明之例中，光萃取部80a之剖面形狀為三角形。然而，剖面形狀不限於此。例如，光萃取部80a之剖面形狀可為比如梯形。
於所說明之例中，斜面80a1為平面。然而，斜面80a1不限於此。例如，斜面80a1可為比如曲面。於此情況下，光萃取部80a之剖面形狀可為比如半圓形與半橢圓形。
圖12為例示根據第七實施形態之有機電致發光元件1g的示意圖。
如圖12所示，有機電致發光元件1g包含第1電極10、第2電極20、有機發光層30、反射層50、及光萃取部80a。再者，如上述有機電致發光元件1a，有機電致發光元件1g可進一步包含第1功能層31與第2功能層32。再者，有機電致發光元件1g可進一步包含基板60與微透鏡90。
在上述有機電致發光元件1f中，複數個光萃取部80a設置於光學緩衝層40之設有反射層50之側的面41。
另一方面，在根據本實施形態之有機電致發光元件1g中，複數個光萃取部80a從第2電極20之設有反射層50之側的面21向第2電極20的外部突出。複數個光萃取部80a互相隔離。在有機電致發光元件1g中，未設置光學緩衝層40。複數個光萃取部80a亦扮演光學緩衝層40之角色。
再者，反射層50設置成覆蓋第2電極20的面21與複數個光萃取部80a之斜面80a1。
因此，在有機發光層30中之發光位置33所產生並入射於光萃取部80a之斜面80a1的光會被設置於光萃取部80a之斜面80a1的反射層50反射。更可能使被設置於光萃取部80a之斜面80a1的反射層50反射之光為
上述外部模式成分L1。結果，光萃取效率會提升。
於所說明之例中，光萃取部80a之剖面形狀三角形。然而，剖面形狀不限於此。例如，光萃取部80a之剖面形狀可為比如梯形。
於所說明之例中，斜面80a1為平面。然而，斜面80a1不限於此。例如，斜面80a1可為比如曲面。於此情況下，光萃取部80a之剖面形狀可為比如半圓形與半橢圓形。
再者，反射層50可包含導電材料。然後，因為反射層50之一部分與第2電極20接觸，反射層50可用作為輔助電極。
輔助電極將於後述。
圖13為例示複數個光萃取部80a的形成方法的示意圖。
如圖13所示，預先形成複數個光萃取部80a。複數個光萃取部80a散布於包含第2電極20之積層體11的第2電極20的面21。然後，藉使用已知成膜法，將反射層50形成覆蓋第2電極20的面21與複數個光萃取部80a之斜面80a1。
因此，複數個光萃取部80a可容易設置於第2電極20的面21。
圖14為例示根據第八實施形態之有機電致發光元件
1h的示意圖。
如圖14所示，有機電致發光元件1h包含第1電極10、第2電極20、有機發光層30、光學緩衝層40、反射層50、及光萃取部80b。再者，如上述有機電致發光元件1a，有機電致發光元件1h可進一步包含第1功能層31與第2功能層32。再者，有機電致發光元件1h可進一步包含基板60與微透鏡90。
在上述有機電致發光元件1g中，複數個光萃取部80a設置於第2電極20之設有反射層50之側的面21。
另一方面，在根據本實施形態之有機電致發光元件1h中，複數個光萃取部80b設置於反射層50之設有光學緩衝層40之側的面51。複數個光萃取部80b從面51向光學緩衝層40內突出。複數個光萃取部80b互相隔離。
光萃取部80b具有沿著與有機發光層30之設有第2電極20之側的面之延伸方向交叉的方向之斜面80b1。
於此情況下，較佳地，不使有機發光層30之設有第2電極20之側的面正交於斜面80b1之延伸方向。
複數個光萃取部80b可由與反射層50相同之材料形成。
反射層50設置成覆蓋光學緩衝層40的面41。
在有機發光層30中之發光位置33所產生並入射於光萃取部80b之斜面80b1之光會被光萃取部80b
之斜面80b1反射。更可能使被光萃取部80b之斜面80b1反射之光為上述外部模式成分L1。結果，光萃取效率會提升。
於所說明之例中，光萃取部80b之剖面形狀為三角形。然而，剖面形狀不限於此。例如，光萃取部80b之剖面形狀可為比如梯形。
於所說明之例中，斜面80b1為平面。然而，斜面80b1不限於此。例如，斜面80b1可為比如曲面。於此情況下，光萃取部80b之剖面形狀可為比如半圓形與半橢圓形。
圖15A、15B以及16為例示複數個光萃取部80b的形成方法的示意圖。
首先，如圖15A所示，預先形成設有用以形成複數個光萃取部80b之複數個溝42之膜狀光學緩衝層40。然後，膜狀光學緩衝層40貼在第2電極20之設有有機發光層30之側的相對側之面上。
接著，如圖15B所示，反射層50形成覆蓋光學緩衝層40之設有複數個溝42之側的面。當形成反射層50時，複數個溝42填充用以形成反射層50之材料。因此，可形成複數個光萃取部80b。可藉使用已知成膜法施行反射層50之形成。
或者，如圖16所示，用以形成複數個光萃取部80b之複數個溝42形成於光學緩衝層40之設有第2電極20之側的相對側之面。然後，反射層50形成覆蓋光學
緩衝層40之設有複數個溝42之側的面。當形成反射層50時，複數個溝42填充用以形成反射層50之材料。因此，可形成複數個光萃取部80b。可藉使用已知成膜法施行反射層50之形成。
然後，反射層50、複數個光萃取部80b、及光學緩衝層40可設置於第2電極20之設有有機發光層30之側的相對側的面。
藉圖15A、15B及16所例示之形成方法，複數個光萃取部80b可容易設置於反射層50之設有光學緩衝層40之側的面51。
圖17為例示根據第九實施形態之有機電致發光元件1i的示意圖。
如圖17所示，有機電致發光元件1i包含第1電極10、第2電極20、有機發光層30、光學緩衝層40、含有導電材料之反射層50、及含有導電材料之光萃取部80b。再者，如上述有機電致發光元件1a，有機電致發光元件1i可進一步包含第1功能層31與第2功能層32。再者，有機電致發光元件1i可進一步包含基板60與微透鏡90。
在上述有機電致發光元件1h中，複數個光萃取部80b設置於反射層50之設有光學緩衝層40之側的面51。於此情況下，複數個光萃取部80b設置於光學緩衝層40之反射層50側。
另一方面，在根據本實施形態之有機電致發光元件1i中，光萃取部80b之尖端部80b2到達第2電極20。亦即，反射層50與第2電極20透過光萃取部80b電性連接。因此，反射層50可用作為輔助電極。
存在第2電極20無法配置以具有夠低的電阻之情況。若第2電極20具有高電阻，則在與外部電源連接之部分的近側與遠側之間會產生大電位差。若在與外部電源連接之部分的近側與遠側之間產生大電位差，則會發生亮度不均。
在本實施形態中，反射層50可用作為輔助電極。此可減小在與外部電源連接之部分的近側與遠側之間的電位差。因此，可抑制亮度不均。
在圖17所例示之例中，每一個光萃取部80b之尖端部80b2到達第2電極20。然而，本實施形態不限於此。本實施形態可配置成設置於會發生亮度不均之區域的光萃取部80b之尖端部80b2到達第2電極20。
再者，上述有機電致發光元件1、1a-1f例如可配置成反射層50含有導電材料且一部分與第2電極20接觸。例如，柱狀導體可設置於反射層50與第2電極20之間以電性連接反射層50與第2電極20。
圖18為例示根據第十實施形態之有機電致發光元件1j的示意圖。
圖19A及19B為例示光路控制層65的功能的示意圖。
於此，圖19A為例示未設置光路控制層65之情況下的示意圖。圖19B為例示設有光路控制層65之情況下的示意圖。
如圖18所示，有機電致發光元件1j包含第1電極10、第2電極20、有機發光層30、光學緩衝層40、反射層50、光萃取部80b、及光路控制層65。再者，如上述有機電致發光元件1a，有機電致發光元件1j可進一步包含第1功能層31與第2功能層32。再者，有機電致發光元件1j可進一步包含基板60與微透鏡90。
亦即，有機電致發光元件1j在光路控制層65進一步設置於第1電極10與基板60之間方面不同於上述有機電致發光元件1h。
如圖19A所示，在未設置光路控制層65之情況下，光一邊傳播一邊在基板60及反射層50之間反射。
如圖19B所示，在設置光路控制層65之情況下，光亦一邊傳播一邊在基板60及反射層50之間反射。然而，在設置光路控制層65之情況下，基板60及反射層50之間的距離加長光路控制層65之厚度尺寸的量。此可減少基板60及反射層50之間的反射次數。若可減少反射次數，則可減少反射造成之損失。結果，光萃取效率會提升。
光路控制層65對於射出自有機發光層30的
光具有透射性。
只要對於射出自有機發光層30的光具有透射性，光路控制層65之材料不特別限定。然而，較佳為使光路控制層65之折射率高於有機發光層30之折射率。
光路控制層65之厚度尺寸可依設置於基板60及反射層50之間的層之厚度尺寸、折射率等而適當地設定。
在圖18中所例示之例中，光路控制層65設置於上述有機電致發光元件1h中。然而，本實施形態不限於此。光路控制層65亦可設置於例如上述有機電致發光元件1、1a至1g及1i中。
圖20為例示光萃取效率的圖表。
圖20表示以編號1至編號4所示之配置中的光萃取效率之模擬結果例。
圖20之垂直軸代表光萃取效率。
編號1所示之配置對應於所示之配置對應於未設置光萃取部80之根據比較例的有機電致發光元件的情況。
編號2所示之配置對應於未設置微透鏡90之上述有機電致發光元件1的情況。
編號3所示之配置對應於複數個微透鏡90進一步設置於編號2所示之配置的情況。
編號4所示之配置對應於未設置微透鏡90之上述有機電致發光元件1f的情況。
模擬之條件設定為如下。
對於基板60，厚度尺寸設定為700微米(μm)，且折射率設定為1.5。
對於第1電極10，厚度尺寸設定為100奈米(nm)，且折射率設定為1.8。
對於有機發光層30，厚度尺寸設定為100奈米(nm)，且折射率設定為1.8。
對於編號1至編號3之光學緩衝層40，厚度尺寸設定為100微米(μm)，且折射率設定為1.0。亦即，編號1至編號3之光學緩衝層40設為由空氣構成。
對於編號4之光學緩衝層40，厚度尺寸設定為100微米(μm)，且折射率設定為1.8。
第2電極20之厚度尺寸設定為5奈米(nm)。
第1電極10設為由ITO構成。第2電極20設為由Ag構成。反射層50設為由Ag構成。在有機發光層30中之發光位置33所產生之光的波長設定為525奈米(nm)。
微透鏡90設為具有直徑尺寸為30微米(μm)之半球體的形狀。微透鏡90設為六方密堆。填充率(packing ratio)為82%。
於編號2與編號3，光萃取部80設為具有類似於一側的長度尺寸為50微米(μm)之立方體的形狀。光萃取部80之間的距離設定為50微米(μm)。光萃取部80之折射率設定為1.8。光萃取部80配置成格子狀。
於編號4，光萃取部80a設為具有類似於底面之一側
的長度尺寸為80微米(μm)之正四角錐的形狀。高度尺寸設定為60微米(μm)。光萃取部80a之間的距離設定為80微米(μm)。光萃取部80a之折射率設定為1.8。光萃取部80a配製成格子狀。
如圖20之編號2與編號4所示，若設置光萃取部80、80a，則與未設置光萃取部之編號1所示者相較之下，光萃取效率提升。
再者，如圖20之編號3所示，若進一步設置複數個微透鏡90，則光萃取效率可進一步提升。
以上第一至第十實施形態中所述之有機電致發光元件可用於發光裝置中。包含第一至第十實施形態中所述之有機電致發光元件的發光裝置具高亮度。如下所述，除了包含有機電致發光元件之發光部以外，發光裝置可包含驅動部與控制部。
圖21為例示發光裝置11的示意圖。
如圖21所示，發光裝置11包含發光部11a、驅動部11b、及控制部11c。
發光部11a包含複數個上述有機電致發光元件。有機電致發光元件之配置不特別限定。例如，如圖21所例示，可使用正規配置。或者，亦可使用非正規任意配置。再者，有機電致發光元件之個數不限於例示者，而可適當地變更。有機電致發光元件之個數可為一個。
驅動部11b可配置以包含例如用以施加電流至每一個有機電致發光元件或全部的有機電致發光元件的驅動電
路。
例如，在發光裝置11為顯示裝置之情況下，驅動部11b可配置以施加電流至每一個有機電致發光元件。
或者，例如，在發光裝置11為照明裝置之情況下，驅動部11b可配置以施加電流至全部的有機電致發光元件。
藉驅動部11b之驅動的配置不限於例示者，而可取決於發光裝置11的用途適當地變更。
控制部11c可配置以包含例如用以控制驅動部11b之控制電路。
於此，可應用已知技術於上述有機電致發光元件以外的組件。因此，省略發光部11a、驅動部11b、及控制部11c之詳細敘述。
以上敘述若干實施形態，但此等實施形態僅提供作為例子，而非意圖限制發明之範圍。並且，本說明書中所述之新穎的實施形態能以各種其他形式的具體化；再者，在不超出本發明之精神下，可進行各種在本說明書中所述之實施形態的形式上之省略、置換及變更。申請專利範圍中之各請求項及其等之等效者意圖涵蓋該等形態或變化例，同時涵蓋於本發明的範圍及精神內。此外，上述實施形態可互相結合而實施。
1‧‧‧有機電致發光元件
40a,40b,40c,40a’,40b’‧‧‧界面
33‧‧‧發光位置
10‧‧‧第1電極
20‧‧‧第2電極
30‧‧‧有機發光層
40‧‧‧光學緩衝層
50‧‧‧反射層
60‧‧‧基板
80‧‧‧光萃取部
90‧‧‧微透鏡
Claims (20)
- 一種有機電致發光元件，包括：第1電極；反射層，設置成與該第1電極對峙；有機發光層，設置於該第1電極與該反射層之間；第2電極，設置於該有機發光層與該反射層之間；光學緩衝層，設置於該第2電極與該反射層之間；以及複數個光萃取部，設置於至少該光學緩衝層之設有第2電極之側、該光學緩衝層之設有該反射層之側、及該光學緩衝層之內，且該等光萃取部具有與該光學緩衝層之折射率不同的折射率。
- 如申請專利範圍第1項之元件，其中該等光萃取部設置於該第2電極與該有機發光層之間，並從該光學緩衝層之設有第2電極之側向該光學緩衝層內突出。
- 如申請專利範圍第1項之元件，其中該等光萃取部分散於該光學緩衝層之內。
- 如申請專利範圍第1項之元件，其中該光學緩衝層之未設有該光萃取部的部分具有50奈米(nm)或以上之厚度尺寸。
- 如申請專利範圍第1項之元件，其中該光學緩衝層之折射率低於該有機發光層之折射率。
- 如申請專利範圍第1項之元件，其中該光學緩衝層與該等光萃取部之中具有較低折射率者包含從由SiO2、 LiF、CaF2、MgF2、空氣、氮氣、及稀有氣體所構成之群組中選出之至少一者。
- 如申請專利範圍第1項之元件，進一步包括：光路控制層，設置於該第1電極之設有該有機發光層之側的相對側，並具有高於該有機發光層之折射率。
- 如申請專利範圍第1項之元件，其中該反射層包含導電材料並一部分與該第2電極接觸。
- 一種有機電致發光元件，包括：第1電極；反射層，設置成與該第1電極對峙；有機發光層，設置於該第1電極與該反射層之間；第2電極，設置於該有機發光層與該反射層之間；以及複數個光萃取部，從該第2電極之設有該反射層之側的面向該第2電極之外部突出，且該等光萃取部互相隔離。
- 如申請專利範圍第9項之元件，進一步包括：光學緩衝層，設置於該第2電極與該反射層之間，該光萃取部從該光學緩衝層之設有該反射層之側的面向該光學緩衝層的外部突出。
- 如申請專利範圍第9項之元件，其中該等光萃取部具有沿著與該有機發光層之設有該第2電極之側的面之延伸方向交叉的方向之斜面。
- 如申請專利範圍第9項之元件，進一步包括： 光路控制層，設置於該第1電極之設有該有機發光層之側的相對側，並具有高於該有機發光層之折射率。
- 如申請專利範圍第9項之元件，其中該反射層包含導電材料並一部分與該第2電極接觸。
- 一種有機電致發光元件，包括：第1電極；反射層，設置成與該第1電極對峙；有機發光層，設置於該第1電極與該反射層之間；第2電極，設置於該有機發光層與該反射層之間；光學緩衝層，設置於該第2電極與該反射層之間；以及複數個光萃取部，從該反射層之設有該光學緩衝層之側的面向該光學緩衝層內突出，且該等光萃取部互相隔離。
- 如申請專利範圍第14項之元件，其中該等光萃取部具有沿著與該有機發光層之設有該第2電極之側的面之延伸方向交叉的方向之斜面。
- 如申請專利範圍第14項之元件，進一步包括：光路控制層，設置於該第1電極之設有該有機發光層之側的相對側，並具有高於該有機發光層之折射率。
- 如申請專利範圍第14項之元件，其中該反射層包含導電材料並一部分與該第2電極接觸。
- 一種發光裝置，包括：有機電致發光元件，包含： 第1電極；反射層，設置成與該第1電極對峙；有機發光層，設置於該第1電極與該反射層之間；第2電極，設置於該有機發光層與該反射層之間；光學緩衝層，設置於該第2電極與該反射層之間；以及複數個光萃取部，設置於至少該光學緩衝層之設有第2電極之側、該光學緩衝層之設有該反射層之側、及該光學緩衝層之內，且該等光萃取部具有與該光學緩衝層之折射率不同的折射率；驅動部，配置以施加電流至該有機電致發光元件；以及控制部，配置以控制該驅動部。
- 如申請專利範圍第18項之裝置，其中該等光萃取部設置於該第2電極與該有機發光層之間，並從該光學緩衝層之設有第2電極之側向該光學緩衝層內突出。
- 如申請專利範圍第18項之裝置，其中該等光萃取部分散於該光學緩衝層之內。
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