TW201416692A - 磁阻感測裝置 - Google Patents

Abstract

一種磁阻感測裝置包含一基板、一磁阻感測元件、一電路元件及一屏蔽元件。該基板具有第一表面和與該第一表面相對的第二表面。磁阻感測元件、電路元件與屏蔽元件係位於基板的第一表面上。該屏蔽元件位於磁阻感測元件與電路元件之間、至少包含一磁性材料。

Description

磁阻感測裝置

本發明是有關於一種磁場感測裝置，且特別是有關於一種具有屏蔽單元的磁場感測裝置。

當在導體中有電流流動時便會產生磁場。一般而言，磁阻裝置所欲量測的磁場變化非常小，但在磁阻裝置中卻無可避免地有許多會產生磁場的電路、電路元件或內連線，影響磁阻裝置的量測準確度。因此，需要一種能解決此問題的方案，降低或消除磁阻裝置中電路、電路元件或內連線所造成的影響。

本發明的目的在於提供一種磁阻感測裝置，此裝置中具有屏蔽單元以滿足業界要求感測精準度的需求 。

本發明提出一種磁阻感測裝置，包含：一基板及位於基板第一表面上的一磁阻感測元件、一電路元件及一屏蔽元件，其中該屏蔽元件位於磁阻感測元件與電路元件之間、至少包含一磁性材料。

在本發明之一實施例中，該磁阻感測元件、該屏蔽元件及該電路元件可沿著平行該第一表面的方向或垂直該第一表面的方向分佈。

在本發明之一實施例中，該磁阻感測元件包含與該第一表面不平行的第一磁性層，該屏蔽元件包含與該第一表面不平行的第二磁性層，該第一磁性層與該第二磁性層包含相同的磁性材料。

在本發明之一實施例中，該屏蔽元件更包含第三磁性層，該第三磁性層係位於該第二磁性層的外圍，該第二磁性層係位於該第一磁性層的外圍。

本發明在此所探討的是一種磁阻感測裝置，其除了具有磁阻感測元件、電路元件及屏蔽單元外，亦可以包含感測裝置常用的其他結構如：內建自我測試電路；設定/重設定電路；補償電路；各式用以放大信號、過濾信號、轉換信號用的電路；內連線….等。為了能徹底且清楚地說明本發明及不模糊本發明的焦點，便不針對此些常用的結構多做介紹，但本發明之整合式磁阻感測裝置可選擇性地包含此些常用的結構。

下面將詳細地說明本發明的較佳實施例，舉凡本中所述的元件、元件子部、結構、材料、配置等皆可不依說明的順序或所屬的實施例而任意搭配成新的實施例，此些實施例當屬本發明之範疇。在閱讀了本發明後，熟知此項技藝者當能在不脫離本發明之精神和範圍內，對上述的元件、元件子部、結構、材料、配置等作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準，且此些更動與潤飾當落在本發明之申請專利範圍內。

本發明的實施例及圖示眾多，為了避免混淆，類似的元件係以相同或相似的標號示之。圖示意在傳達本發明的概念及精神，故圖中的所顯示的距離、大小、比例、形狀、連接關係….等皆為示意而非實況，所有能以相同方式達到相同功能或結果的距離、大小、比例、形狀、連接關係….等皆可視為等效物而採用之。

在本說明書中，「磁阻層」或「磁阻材料」，亦為磁性材料或內含磁性材料，尤其指電阻值會隨外在磁場變化而改變的離散或連續的單一或多層膜層，其例如是異向性磁阻 (anisotropic magnetoresistance，AMR)、巨磁阻(giant magnetoresistance，GMR)及穿隧磁阻(tunneling magnetoresistance，TMR)、鐵磁材料（ferromagnet）、反鐵磁材料（antiferromagnet）、非鐵磁性金屬材料、穿隧氧化物材料（tunneling oxide）及上述者的任意組合。「磁阻層」或「磁阻材料」較佳地意指異向性磁阻 (anisotropic magnetoresistance，AMR)，尤其是坡莫合金(permalloy)。在本說明書中，「導體」或「內連線」係指係指具有導電能力之不限形狀的導電結構，其材料可以是金屬、合金、矽化物、奈米管、導電碳材、摻雜矽，其結構可以是線條、離散的島形物、薄片、貫孔、以鑲嵌製程製作的單鑲嵌結構或雙鑲嵌結構、或上述結構沿著水平或垂直方向上的任意組合。在本說明書中，A與B部件「磁性耦合」係指通過A與B其中一者的磁力線會受到另一者的導引而產生轉向、集中等效果，因此A與B部件「磁性耦合」可代表兩者實體接觸、或彼此接近到足以互相產生磁性影響的程度但並未實體接觸。在本說明書中，「電浮接」係指未與任何電源連接、未接地且與其他電路元件絕緣。在本說明書中，「磁場」或「沿著某一方向的磁場」可以用來代表在某處各種不同來源之磁場在相加或抵消後的淨磁場也可以用來代表未考慮其他來源下在某處特定來源的磁場或在某一方向上的磁場分量。在本說明書中，A與B部件「電耦合」係指電流可經由A與B其中一者而流至另一者，因此A與B部件「電耦合」可代表兩者實體接觸、或兩者間具有一或多個導電結構/物質使兩者得以電交流。

請參考圖1，圖1顯示根據本發明一實施例之 磁阻感測裝置1的詳細橫剖面圖。磁阻感測裝置1包含基板100及基板100上方的各個區域以及每個區域中的各種元件。基板100具有第一表面1001以及與第一表面1001相對的第二表面1002。在第一表面1001上方沿著與第一表面1001垂直的方向由上往下包含第一區域30與第二區域40。第一區域30與第二區域40係位於介電層600與護層800中。第一區域30沿著水平方向由內往外被劃分成感測區10、屏蔽區20及外圍電路區70。

感測區10中包含至少一個磁阻感測元件，在此圖示中為三個磁阻感測元件包含兩個第一磁性層101、兩個第一磁性層101的第一延伸部102及一個水平磁性層103，但其可包含其他膜層或元件但在本圖中為了簡明而省略之。在本發明之實施例中，第一磁性層101不平行於第一表面1001，用以感測垂直於第一表面1001的磁場。選擇性的水平磁性層103平行於第一表面1001，用以感測平行於第一表面1001的磁場。不平行於第一表面1001的第一磁性層101係較佳地與第一表面垂直且在其上端更選擇性地包含與第一表面1001平行的第一延伸部102。由於第一磁阻層101與第一延伸部102磁性耦合，故第一磁阻層101感受到之垂直第一表面1001的磁場可被轉向(或被導引)而影響水平的第一延伸部102，結果改變第一磁性層101與第一延伸部102共同的電阻值。雖然在圖中未顯示，但第一磁性層101的下端亦可有水平延伸部。雖然在圖1與1C中顯示水平磁性層103的下方具有與其不平行的導體部400’/400 (若如400’為條狀並斜置則為業界所謂的barber pole，但其亦可以如400採用其他形狀/配置)與其實體接觸，用以改變原有磁阻材料內的電流方向，使電流方向與磁性材料的磁化方向夾一角度，藉此增加磁性材料的感測靈敏度。但熟知此項技藝者應瞭解，導體部400’/400亦可位於水平磁性層103的上方，此實施例亦落在本發明之範圍內。即便在圖示中感測區10只包含磁阻感測元件的各個磁阻層，但熟知此項技藝者應瞭解，在感測區10中更可包含必須與磁阻感測元件密切鄰近始能發揮功能的其他元件，例如內建自我測試電路(BIST)、補償元件、設定/重設定電路等。

屏蔽區20中至少包含第一屏蔽單元。在此圖示中第一屏蔽單元包含不平行於第一表面1001的第二磁性層201，用以屏蔽磁阻感測元件之第一磁性層101受到外圍電路區中之導體所產生的磁場的影響。第二磁性層201係隔著溝槽210與第一磁性層101相望，兩者之間(即溝槽中)填有護層800的介電材料，該介電材料例如是氧化矽、碳化矽、氮化矽、聚亞醯胺或其任意組合。第一磁性層101與第二磁性層201可位於溝槽210的側壁。第一屏蔽單元更可選擇性地包含不平行於第一表面1001的第三磁性層205與206，用以更進一步地加強屏蔽作用。第三磁性層205係隔著溝槽250與第三磁性層206相望，兩者之間(即溝槽中)填有護層800的介電材料例如是氧化矽、碳化矽、氮化矽、聚亞醯胺或其任意組合。第三磁性層205與206可位於溝槽250的側壁。雖然圖中未顯示，但第一屏蔽單元更可包含其他的磁性層或元件。

這裡應該要注意，第一屏蔽單元的第二磁性層201與第三磁性層205、206至少包含一磁阻材料或磁性材料，若採用磁阻材料時，此磁阻材料可與磁阻感測元件之第一磁性層101的磁阻材料相同或不同。又，第一屏蔽單元的第三磁性層205、206為電浮接，但第一屏蔽單元的第二磁性層201可與磁阻感測元件之第一磁性層101實體接觸或電耦合。由於磁阻感測元件之第一磁性層101係用以感測外部磁場並與會有電流通過的第一延伸部102磁性耦合(即實體接觸或未實體接觸但彼此足夠靠近)，故第一屏蔽單元的第二磁性層201可以是電浮接或與磁阻感測元件之第一延伸部102電耦合。溝槽210與溝槽250的寬度(即彼此相望之磁阻層之間的距離)可相同或不同。溝槽210與250可具有相同深度，意即第二磁性層201與第三磁性層205在垂直第一表面1001的維度上可具有相同高度；或者，溝槽210與250可具有不同深度，意即第二磁性層201與第三磁性層205在垂直第一表面1001的維度上可具有不同高度。如溝槽210與250下方的虛線所示(D1、D2顯示超過原本構槽深度的部分)，溝槽250的深度較佳地大於溝槽210的深度。類似地，溝槽210與250的寬度可相同或不同，意即互相相望之磁性層間的距離可相同或不同。溝槽210與溝槽250可分別為長形溝槽或分別包含複數個離散溝槽或一者為長形溝槽但另一者包含複數個離散溝槽。長形溝槽使得側壁上之第一屏蔽單元的磁阻層具有長條形，離散溝槽使得側壁上之第一屏蔽單元的磁阻層包含複數離散的島狀磁阻層。

外圍電路區70包含第一電路元件，第一電路元件至少包含第一導體700。第一電路元件可以是內連線、訊號處理電路、邏輯運算電路、記憶胞、被動元件如電阻、電容、電感、或其任意組合。無論第一電路元件為何，當第一導體700導通電流時會在其外圍產生磁場，當此磁場具有垂直於第一表面1001之垂直磁場分量時，便會被其鄰近的第一磁性層感受到而影響到磁阻感測元件的磁場感測能力。換句話說，第一導體700在導通電流時所產生的垂直磁場分量會成為對磁阻感測元件造成負面影響的雜訊。例如在本實施例中，右側的第一導體700中有流出紙面的電流，因此會產生逆時鐘方向的磁場；對於鄰近不平行第一表面1001之右側第一磁性層101而言，此磁場會產生向下的磁場分量。類似地，左側的第一導體700中有流入紙面的電流，因此會產生順時鐘方向的磁場；對於鄰近不平行第一表面1001之左側第一磁性層101而言，此磁場會產生向下的磁場分量。

在本實施例中，磁阻感測元件、第一屏蔽單元及第一電路元件係沿著與第一表面1001平行的方向配置，位於磁阻感測元件與第一電路元件間的第一屏蔽單元，能屏蔽第一電路元件產生的垂直方向的磁雜訊而降低磁阻感測元件受到的影響。

接下來繼續參考圖1，第二區域40沿著垂直方向由下往上可包含第二電路元件及第二屏蔽單元。磁阻感測元件、第二屏蔽單元及第二電路元件係沿著垂直於第一表面1001的方向配置。第二電路元件類似於第一電路元件，至少包含第二導體710，可以是特定應用積體電路(ASIC)、內連線、邏輯運算電路、記憶胞、被動元件如電阻、電容、電感、或其任意組合。無論第二電路元件為何，當第二導體710導通電流時會在其外圍產生磁場，當此磁場具有平行於第一表面1001之水平磁場分量時，便會被其鄰近的水平磁性層103感受到而影響到磁阻感測元件的磁場感測能力。第二屏蔽單元300類似於第一屏蔽單元，至少包含一磁性材料且電浮接，用以屏蔽磁阻感測元件的水平磁阻層103不受第二電路元件之第二導體710所產生的磁場的影響。

第二電路元件的分佈範圍可橫向跨越感測區10、屏蔽區20及/或外圍電路區70，第二屏蔽單元300的橫向分佈範圍可對應第二電路元件的橫向分佈範圍或至少要包含感測區10。可調整水平磁阻層103與第二屏蔽單元300間的垂直距離H1以達到較佳的屏蔽效果。雖然在此實施例中只配置了一層磁性層作為第二屏蔽單元300，但第二屏蔽單元300可包含複數水平配置的磁性層，每一磁性層的厚度、水平分佈的範圍、磁性層與磁性層之間的間距皆可加以選擇以達到最佳的屏蔽效果。

雖然在本實施例中顯示了第一電路元件、第一屏蔽單元、第二電路元件與第二屏蔽單元，但是熟知此項技藝者應瞭解，當磁阻感測元件的外圍未配置第一電路元件時可毋需設置第一屏蔽單元，當磁阻感測元件的下方未配置第二電路元件時可毋需設置第二屏蔽單元。換言之，可視磁阻感測裝置1的內部佈局的差異來選擇性地只配置第一屏蔽單元或只配置第二屏蔽單元或配置兩者。

接著，請參考圖1A與1B，圖1A與1B顯示根據本發明一實施例之磁阻感測裝置1之感測區10、屏蔽區20及外圍電路區70的概略上視圖。感測區10位於中央，屏蔽區20在感測區10與外圍電路區70之間並實質上圍繞感測區10，外圍電路區70位在最外圍並實質上圍繞屏蔽區20。依照不同的佈局考量，此三區可以是如圖1A中所示以同心圓的方式分佈，或者，此三區可以是如圖1B中所示以矩形方式分佈。然而本發明並不限於此，只要屏蔽區20係介於感測區10與外圍電路區70之間，三區毋需彼此圍繞，可呈平行並置的相對關係。

接著，請參考圖1C，圖1C顯示根據本發明一實施例之三個磁阻感測元件1000、1000’與1000以及第一屏蔽單元之第二磁性層201、第三磁性層205與206的概略上視圖，在此上視圖中沿著切線A-A’可獲得圖1與圖2中之橫剖面圖。為了不模糊焦點，圖1C中略去了磁阻感測元件1000/1000’下方的設定/重設定電路500、補償電路510、第二導體710。在本實施例中，兩個用以感測垂直於第一表面1001之磁場的磁阻感測元件1000與一個用以感測平行於第一表面1001之磁場的1000’並置。磁阻感測元件1000包含第一延伸部102、位於第一延伸部102上方或下方且與其電耦合的複數導體部400(雖然圖示顯示導體部400位於第一延伸部102的下方，但其亦可位於上方)、分佈在第一延伸部102之兩端呈交錯配置的複數溝槽210、位於溝槽210之一側壁上並與第一延伸部102磁性耦合的第一磁性層101、位於溝槽210之另一側壁上並與第一磁性層101相望的第二磁性層201。第一磁性層101與第二磁性層201藉由側壁上的連接磁性層202與203電耦合，若第一磁性層101與會有電流通過的第一延伸部102電耦合，則第二磁性層201並非電浮接，若第一磁性層101與會有電流通過的第一延伸部102實體分離，則第二磁性層201為電浮接。雖然第二磁性層201與第一磁性層101相連，但因磁阻材料的電阻率很高，所以第二磁性層201之磁化方向的改變不會對平行端之第一磁性層101的磁阻產生影響，反而還會形成屏蔽效應。第二磁性層201並非一連續環狀層而是位於感測區10之兩外側且未圍繞感測區10的離散島狀物，這意味著圖1中的溝槽210以及第一磁性層101亦呈島狀分佈。磁阻感測元件1000’包含水平磁性層103與位於水平磁性層103之上方或下方且與其電耦合之複數導體部400’ (雖然圖示顯示導體部400’位於水平磁阻層103的下方，但其亦可位於上方)。雖然第三磁性層205與206皆為連續膜層，但其亦可呈島狀分佈並實質上圍繞磁阻感測元件1000/1000’即實質上圍繞第二磁性層201。熟知此項技藝者應瞭解，第一屏蔽單元可有任意數目之磁性層，每一磁性層皆可以是連續膜層或離散島狀物的構成物，且每一磁性層向下延伸的程度係取決於溝槽的深度，因此溝槽250可以包含複數溝槽使得第三磁性層205與206皆為離散島狀物。第二屏蔽單元300位於磁阻感測元件1000/1000’以及第一屏蔽單元(即第二磁性層201、第三磁性層205與206)下方，延伸超過感測區10與屏蔽區20。然而，在其他實施例中，可調整第二屏蔽單元300的延伸區域，使其至少位於感測區10的下方即可。

雖然在圖1C中顯示了三個磁阻感測元件1000、1000’與1000，但應瞭解，圖1的感測區10中可包含任意數目之相同/不同類型之磁阻感測元件以任意配置方式的任意組合。例如，圖1的感測區10可包含用以感測單一方向的一惠斯頓電橋結構，此惠斯頓電橋結構具有四隻電阻臂且每隻電阻臂皆包含至少一磁阻感測元件。又例如，圖1的感測區10可包含用以感測複數方向之複數惠斯頓電橋結構，每一惠斯頓電橋結構具有四隻電阻臂且每隻電阻臂皆包含至少一磁阻感測元件。熟知此項技藝者應明白，感測區10中所包含的磁阻感測元件的數目、配置方式、種類…..皆會影響第一屏蔽單元之第二磁性層201的存在與否、數目多寡、配置方式、能否圍繞感測區10…，本發明意在包含所有此些可能性。

接著，請參考圖2，圖2顯示根據本發明另一實施例之磁阻感測裝置2的詳細橫剖面圖。此磁阻感測裝置2包含圖1中所示的所有區域、元件及單元，除此之外，在磁阻感測元件與第二屏蔽單元300之間更選擇性地包含了設定/重設定電路500以及補償元件510。設定/重設定電路500係用以在磁阻感測元件進行量測之前調整磁阻層的磁化方向，補償元件510係用來補償磁阻感測元件的已知誤差。在其他的應用中，510亦可以為習知此技藝者設計成磁阻內建自我測試電路。由於這些電路元件必須與磁阻感測元件密切鄰近始能發揮功能，因此不能被第二屏蔽單元所隔離，這類的電路元件亦可視為磁阻感測元件之一部分，以與圖2之第一導體700及第二導體710做區隔。

根據本發明的磁阻感測裝置在磁阻感測元件與電路元件間設有屏蔽單元以屏蔽電路元件對磁阻感測元件的不利影響。又，在本發明中磁阻感測元件的第一磁性層101及屏蔽單元的第二磁性層201、第三磁性層205與206皆位於溝槽的側壁，當可共同被下列製程所完成。首先，以同一道光罩、同一道微影製程、相同的蝕刻製程來製作出溝槽210與250，若溝槽210與250寬度相同則蝕刻完成後的溝槽210與250可能會具有相同的深度，若溝槽210與250寬度不同則蝕刻完成後的溝槽210與250可能會有不同的深度；或者，若刻意要製作出深度相異的溝槽210與250，則可使用不同的光罩、不同道微影製程、不同的蝕刻製程來製作出溝槽210與250。然後，全面性地毯覆一層磁性材料，因此這一層磁性材料共形地形成在溝槽210、250的側壁及底部。接著，視欲形成的磁阻材料圖案來決定是否再用一道光罩並進行一道微影製程來形成圖案化遮罩，然後以非等向性蝕刻蝕刻未被遮罩覆蓋的磁性材料(使用遮罩的情況)或回蝕磁性材料(未使用遮罩的情況)，以移除不欲存在的表面上以及溝槽底部的磁性材料並在溝槽側壁上留下磁性材料的間隙壁(spacer)以作為第一磁性層101、第二磁性層201、第三磁性層205與206。當以此方法可使205、206形成不同於101、201磁性層厚度之設計，以優化磁阻感測裝置及屏蔽單元功能。本發明的屏蔽單元能在不增加製程複雜度及成本的情況下，將各種不同功能之電路以及磁阻感測元件整合在單一晶片中，降低或消除各種電路對磁阻感測元件的干擾，實在優於傳統的設計。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10．．．感測區

20．．．屏蔽區

30．．．第一區域

40．．．第二區域

70．．．外圍電路區

100．．．基板

101．．．第一磁性層

102．．．第一延伸部

103．．．水平磁性層

201．．．第二磁性層

205．．．第三磁性層

206．．．第三磁性層

210．．．溝槽

250．．．溝槽

300．．．第二屏蔽單元

400．．．導體部

400’．．．導體部

500．．．設定/重設定電路

510．．．補償元件

600．．．介電層

700．．．第一導體

710．．．第二導體

800．．．護層

1000．．．磁阻感測元件

1000’．．．磁阻感測元件

1001．．．第一表面

1002．．．第二表面

圖1顯示根據本發明一實施例之磁阻感測裝置的詳細橫剖面圖。

圖1A顯示根據本發明一實施例之磁阻感測裝置的區域概略上視圖。

圖1B顯示根據本發明另一實施例之磁阻感測裝置的區域概略上視圖。

圖1C顯示根據本發明一實施例之磁阻感測裝置中的屏蔽單元的概略上視圖。

圖2顯示根據本發明另一實施例之磁阻感測裝置的詳細橫剖面圖。

10．．．感測區

20．．．屏蔽區

30．．．第一區域

40．．．第二區域

70．．．外圍電路區

100．．．基板

101．．．第一磁性層

102．．．第一延伸部

103．．．水平磁性層

201．．．第二磁性層

205．．．第三磁性層

206．．．第三磁性層

210．．．溝槽

250．．．溝槽

300．．．第二屏蔽單元

400．．．導體部

400’．．．導體部

600．．．介電層

700．．．第一導體

710．．．第二導體

800．．．護層

1001．．．第一表面

1002．．．第二表面

Claims (23)

1. 一種磁阻感測裝置，包含：
   一基板，具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面；
   一磁阻感測元件，位於該第一表面上方；
   一電路元件，位於該第一表面上方；及
   一屏蔽單元，位於該第一表面上方，
   其中該屏蔽單元係位於該磁阻感測元件與該電路元件之間，且該屏蔽單元至少包含一磁性材料。
   
2. 如申請專利範圍第1項之磁阻感測裝置，其中該磁阻材料包含至少一異向性磁阻（Anisotropic Magnetoresistance,AMR）、巨磁阻(giant magnetoresistance，GMR)或穿隧磁阻(tunneling magnetoresistance，TMR)材料。
3. 如申請專利範圍第1項之磁阻感測裝置，其中該磁阻感測元件之電阻值會隨外在磁場變化而改變，其包含鐵磁材料（ferromagnet）、反鐵磁材料（antiferromagnet）、非鐵磁性金屬材料、穿隧氧化物材料（tunneling oxide）之一或其組合。
4. 如申請專利範圍第1項之磁阻感測裝置，其中該電路元件、該屏蔽單元、該磁阻感測元件係沿著約略垂直於該第一表面的方向分佈。
5. 如申請專利範圍第1項之磁阻感測裝置，該磁阻感測元件更包含設定/重設定電路、自我檢測電路或補償元件之一或其組合。
6. 如申請專利範圍第1項之磁阻感測裝置，其中該電路元件包含特定應用積體電路(ASIC) 、內連線、邏輯運算電路、訊號處理電路、記憶胞、被動元件如電阻、電容、電感、之一或其任意組合。
7. 如申請專利範圍第1項之磁阻感測裝置，其中該電路元件、該屏蔽單元、該磁阻感測元件係沿著平行於該第一表面的方向分佈，該屏蔽單元係位於該磁阻感測元件的外圍。
8. 如申請專利範圍第1項之磁阻感測裝置，其中該磁阻感測元件包含不平行於該第一表面的第一磁性層。
9. 如申請專利範圍第8項之磁阻感測裝置，其中該屏蔽單元包含不平行於該第一表面的第二磁性層，該第二磁阻層係位於該第一磁性層的外圍。
10. 如申請專利範圍第8項之磁阻感測裝置，其中該第一磁性層的上端具有和其磁性耦合的第一水平延伸部。
11. 如申請專利範圍第10項之磁阻感測裝置，其中該第一磁性層的下端更具有和其磁性耦合的第二水平延伸部。
12. 如申請專利範圍第9項之磁阻感測裝置，其中該第一磁性層和第二磁性層包含相同的磁性材料。
13. 如申請專利範圍第9項之磁阻感測裝置，其中該該屏蔽單元更包含不平行於該第一表面的第三磁性層，該第三磁性層係位於該第二磁性層的外圍。
14. 如申請專利範圍第9項之磁阻感測裝置，其中該第二磁性層可為圍繞該磁阻感測層的連續環狀層或離散島狀物。
15. 如申請專利範圍第9項之磁阻感測裝置，其中該第一磁性層的下端與第一表面間的距離實質上等於或小於該第二磁性層的下端與第一表面間的距離。
16. 如申請專利範圍第1項之磁阻感測裝置，其中該屏蔽單元位於該磁阻感測元件的下方。
17. 如申請專利範圍第1項之磁阻感測裝置，其中該磁阻感測元件、該屏蔽單元皆包含磁性材料。
18. 一種磁阻感測裝置的形成方法，包含下列步驟：
    提供一基板，該基板有一上表面而該上表面上有一介電層；
    在該介電層中形成一磁阻感測元件；
    形成至少一磁場屏蔽單元於該磁阻感測元件之側邊或下方。
    
19. 如申請專利範圍第18項之形成方法，更包含形成第一溝槽；及在該第一溝槽側壁上形成與該第一表面不平行的至少第一磁性層與第二磁性層，該第一磁性層為一磁阻感測元件的一部分，該第二磁性層為屏蔽單元之一部分。
20. 如申請專利範圍第19項之形成方法，更包含：
    在該介電層中形成第二溝槽；
    在該第二溝槽側壁上形成與該第一表面不平行的至少一第三磁性層，該第三磁性層為電浮接。
21. 如申請專利範圍第20項之形成方法，其中該第一溝槽與該第二溝槽可使用相同的或不同之光罩、微影製程或蝕刻製程製作。
22. 如申請專利範圍第20項之形成方法，其中該第一溝槽與該第二溝槽可具有相同或不同之寬度或深度。
23. 如申請專利第18項之形成方法，更包含在該磁阻感測裝置之下方形成一平行於該基板之該上表面之磁性層。