TW201414606A - 附支持體之樹脂薄片 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為提供介電正接、線熱膨脹係數雖低，但膠渣去除性、鍍敷剝離強度優良之附支持體之樹脂薄片。其解決手段為，藉由使用一種附支持體之樹脂薄片，其特徵為具有支持體、形成於前述支持體上之特定的第1層、與形成於前述第1層上之特定的第2層，而完成了本發明。

Description

附支持體之樹脂薄片
本發明係關於附支持體之樹脂薄片。進一步係關於含有該附支持體之樹脂薄片的多層印刷配線板、半導體裝置。
近年來，隨著電子機器之小型化、高性能化，半導體封裝基板中，增層(build-up layer)係多層化，要求配線之微細化及高密度化。
對於此，進行了各種探討。例如專利文獻1中，揭示了含有環氧樹脂、活性酯樹脂之樹脂組成物。記載了藉由該等之組成物所形成之絕緣層，可兼顧介電特性與耐熱性。但是，其性能未必可得到滿足。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-235165號公報
樹脂組成物中，欲成為介電特性優良的硬化物，較佳為摻混多量的活性酯化合物；欲使熱膨脹率降低，較佳為摻混多量的無機填充材，但此情況時，以碳酸氣雷射所為之通孔形成當中，新發現了雷射加工性或膠渣去除性會容易惡化之問題。另一方面，隨著將活性酯化合物減量時，膠渣去除性雖改善，但介電正接會上昇，確認了關於去膠渣後所形成之鍍銅會有鍍敷剝離強度變得容易降低之問題。
本發明係鑑於上述實情而為者，本發明所欲解決之課題，係提供介電正接、線熱膨脹係數雖低，但膠渣去除性、鍍敷剝離強度優良之附支持體之樹脂薄片。
本發明者為了解決上述課題而銳意研究的結果，藉由使用一種附支持體之樹脂薄片，其特徵為具有支持體、形成於前述支持體上之特定的第1層、與形成於前述第1層上之特定的第2層，而完成了本發明。
亦即，本發明係包含以下內容者。
[1]一種附支持體之樹脂薄片，其特徵為具有支持體；形成於前述支持體上之含有環氧樹脂、活性酯化合物及無機填充材的第1層，其中前述第1層中之不揮發成分為100質量%時，活性酯化合物為5質量%以上；與形成於前述第1層上之含有環氧樹脂、活性酯化合物及無機填 充材之第2層，其中前述第2層中之不揮發成分為100質量%時，活性酯化合物為5質量%以下。
[2]如上述[1]記載之附支持體之樹脂薄片，其中前述無機填充材之平均粒徑為0.01~3μm。
[3]如[1]或[2]記載之附支持體之樹脂薄片，其中前述無機填充材之含量為40~90質量%。
[4]如[1]~[3]中任一項記載之附支持體之樹脂薄片，其中前述無機填充材係經表面處理劑表面處理。
[5]如[4]記載之附支持體之樹脂薄片，其中前述無機填充材之每單位表面積之碳量為0.02~1mg/m2。
[6]如[1]~[5]中任一項記載之附支持體之樹脂薄片，其中前述第2層之厚度為2μm以上。
[7]如[1]~[6]中任一項記載之附支持體之樹脂薄片，其中將前述樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層，該絕緣層之線熱膨脹係數為25ppm以下。
[8]如[1]~[7]中任一項記載之附支持體之樹脂薄片，其中將前述樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層，該絕緣層之介電正接(測定頻率5.8GHz)為0.0065以下。
[9]如[1]~[8]中任一項記載之附支持體之樹脂薄片，其中將前述樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層，將該絕緣層表面粗化處理後之算術平均粗度(Ra)為150nm以下、均方根粗度(Rq)為220nm以下。
[10]如[1]~[9]中任一項記載之附支持體之樹脂薄片，其中將前述樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層，將該絕緣層表 面粗化處理並鍍敷而得之導體層與該絕緣層之剝離強度為0.5kgf/cm以上。
[11]如[1]~[10]中任一項記載之附支持體之樹脂薄片，其係多層印刷配線板之絕緣層用附支持體之樹脂薄片。
[12]如[1]~[11]中任一項記載之附支持體之樹脂薄片，其係多層印刷配線板之增層(build-up layer)用附支持體之樹脂薄片。
[13]一種多層印刷配線板之製造方法，其係含有(A)將[1]~[12]中任一項記載之附支持體之樹脂薄片層合於內層電路基板之單面或兩面之步驟、(B)將附支持體之樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層之步驟、(C)對絕緣層進行開孔加工以形成通孔之步驟、(D)使支持體剝離之步驟、(E)將絕緣層表面進行粗化處理之步驟、(F)對粗化處理後之絕緣層表面鍍敷而形成導體層之步驟的多層印刷配線板之製造方法，其中前述(C)對絕緣層進行開孔加工以形成通孔之步驟中，絕緣層之通孔的頂徑(直徑)為65μm以下。
[14]一種半導體裝置，其特徵為使用藉由如[13]記載之方法所製造之多層印刷配線板。
藉由使用一種附支持體之樹脂薄片，其特徵為具有支持體、形成於前述支持體上之特定的第1層、與 形成於前述第1層上之特定的第2層，而可提供介電正接、線熱膨脹係數雖低，但膠渣去除性、鍍敷剝離強度優良之附支持體之樹脂薄片。
[附支持體之樹脂薄片]
本發明之附支持體之樹脂薄片，其特徵為具有支持體、形成於前述支持體上之含有環氧樹脂、活性酯化合物及無機填充材的第1層、與形成於前述第1層上之含有環氧樹脂、活性酯化合物及無機填充材的第2層，以前述第1層中之不揮發成分為100質量%時，活性酯化合物為5質量%以上；以前述第2層中之不揮發成分為100質量%時，活性酯化合物為5質量%以下。再者，於第2層之露出面側，為了防止廢棄物等之附著，亦可具有保護薄膜。
本發明之附支持體之樹脂薄片中，藉由以第1層中之不揮發成分為100質量%時，活性酯化合物為5質量%以上，可使介電正接為低、鍍敷剝離強度成為良好。此外，藉由以第2層中之不揮發成分為100質量%時，活性酯化合物為5質量%以下，可使熱膨脹係數降低，於碳酸氣雷射加工之膠渣去除性成為良好。因此，多層印刷配線板之層間導通信賴性優良，適合作為多層印刷配線板之絕緣層用附支持體之樹脂薄片。進一步地，可更加適合地使用於作為多層印刷配線板之增層用附支持體之樹脂薄 片、或用以藉由鍍敷形成導體層之附支持體之樹脂薄片。
[支持體]
本發明之支持體，可列舉塑膠薄膜或金屬箔。具體而言，作為塑膠薄膜，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯(以下亦有略稱為「PET」者)、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯、聚碳酸酯、壓克力、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素、硫化聚醚、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中尤以聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜較佳，特別以價格便宜的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜為佳。金屬箔可列舉銅箔、鋁箔等。由泛用性觀點而言，較佳為塑膠薄膜，使用塑膠薄膜時，為了提高剝離性，較佳為使用與第1層接觸的面經脫模處理之支持體。脫模處理所使用之脫模劑，只要第1層可由支持體剝離則無特殊限定，可列舉例如矽系脫模劑、醇酸樹脂系脫模劑、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂、氟樹脂等。再者，亦可使用市售之附有脫模層之塑膠薄膜，較佳者可列舉例如具有以醇酸樹脂系脫模劑為主成分之脫模層的PET薄膜之SK-1、AL-5、AL-7(Lintec(股)製)等。又，塑膠薄膜亦可施以霧面(matte)處理、電暈處理，亦可於該處理面上形成脫模層。另一方面，金屬箔可藉由蝕刻溶液去除、亦可不去除而將該金屬箔作為導體層利用。支持體之厚度並無特殊限定，較佳為10~150μm之範圍、更佳為25~50μm之範圍。
具有保護薄膜的情況時，可使用與支持體同 樣的塑膠薄膜。又，亦可對保護薄膜施以霧面處理、電暈處理等之表面處理，亦可與施以與上述同樣之脫模處理。保護薄膜之厚度較佳為3~30μm。
[樹脂組成物]
本發明之第1層與第2層，係使樹脂組成物經過層形成之樹脂薄片。樹脂組成物只要係含有環氧樹脂、活性酯化合物及無機填充材，則可無特殊限制地使用。又，亦可進一步摻混熱可塑性樹脂或硬化促進劑、其他成分。以下，敘述摻混成分。
(a)環氧樹脂
本發明中使用之環氧樹脂，雖無特殊限定，但較佳為含有1分子中具有2個以上之環氧基的環氧樹脂。具體而言可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、tert-丁基-兒茶酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、環氧丙基酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯結構之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含有螺環之環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、鹵化環氧樹脂等。該等可使用1種或組合2種以上使用。
該等之中，以提高耐熱性之觀點而言，尤以雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、環氧丙基酯型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、具有丁二烯結構之環氧樹脂較佳。具體而言可列舉例如雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製「Epikote 828EL」、「YL980」)、雙酚F型環氧樹脂(三菱化學(股)製「jER806H」、「YL983U」)、萘型2官能環氧樹脂(DIC(股)製「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」、「EXA4032SS」)、萘型4官能環氧樹脂(DIC(股)製「HP4700」、「HP4710」)、萘酚型環氧樹脂(新日鐵化學(股)製「ESN-475V」)、具有丁二烯結構之環氧樹脂(Daicel化學工業(股)製「PB-3600」)、具有聯苯結構之環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000H」、「NC3000L」、「NC3100」、三菱化學(股)製「YX4000」、「YX4000H」、「YX4000HK」、「YL6121」)、蒽型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX8800」)、伸萘基醚型環氧樹脂(DIC(股)製「EXA-7310」、「EXA-7311」、「EXA-7311L」、「EXA7311-G3」)、環氧丙基酯型環氧樹脂(Nagase ChemteX(股)製「EX711」、「EX721」、(股)Printec製「R540」)等。
環氧樹脂藉由含有液狀環氧樹脂，可提高樹脂薄片之操作性。進一步地，較佳為合併使用液狀環氧樹 脂與固體狀環氧樹脂。作為液狀環氧樹脂，較佳為1分子中具有2個以上環氧基，且於溫度20℃為液狀之芳香族系環氧樹脂，固體狀環氧樹脂，較佳為1分子中具有3個以上環氧基，且於溫度20℃為固體狀之芳香族系環氧樹脂。再者，本發明中所指的芳香族系環氧樹脂，意指於其分子內具有芳香環結構之環氧樹脂。作為環氧樹脂，合併使用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂時，就具備樹脂組成物之硬化物性之平衡的觀點而言，其摻混比例(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)以質量比計較佳為1：0.1~1：2之範圍、更佳為1：0.3~1：1.8之範圍、又更佳為1：0.6~1：1.5之範圍。
液狀環氧樹脂較佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、環氧丙基酯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂；更佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、萘型環氧樹脂。該等可使用1種或組合2種以上使用。固體狀環氧樹脂較佳為4官能萘型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三酚環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂；更佳為萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂。該等可使用1種或組合2種以上使用。
環氧樹脂之含量，就降低樹脂薄片之硬化物的線熱膨脹係數之觀點而言，以第1層中之不揮發成分為100質量%時，較佳為3~40質量%、更佳為5~30質量%、 又更佳為7~20質量%。第2層亦以同樣範圍較佳。
(b)活性酯化合物
本發明中使用之活性酯化合物，係1分子中具有1個以上活性酯基之化合物。活性酯化合物可與環氧樹脂等反應，較佳為1分子中具有2個以上活性酯基之化合物。一般而言，較佳可使用酚酯類、硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等於1分子中具有2個以上反應活性高的酯基之化合物。
由提高耐熱性之觀點而言，更佳為由使羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物、與羥基化合物及/或硫醇化合物進行縮合反應者所得之活性酯化合物。而又更佳為由使羧酸化合物與由酚化合物、萘酚化合物、硫醇化合物中選擇之1種或2種以上反應者所得之活性酯化合物。而又再更佳為由使羧酸化合物與具有酚性羥基之芳香族化合物反應者所得之於1分子中具有2個以上活性酯基之芳香族化合物。而又再更佳為由使1分子中具有至少2個以上之羧酸的化合物、與具有酚性羥基之芳香族化合物反應者所得之芳香族化合物，且該芳香族化合物之1分子中具有2個以上之活性酯基的芳香族化合物。又，直鏈狀或多分支狀均可。又，1分子中具有至少2個以上之羧酸的化合物若為含有脂肪族鏈的化合物，則與樹脂組成物之相溶性可增高，若為具有芳香族環之化合物，則可使耐熱性增高。
羧酸化合物具體而言可列舉安息香酸、乙 酸、琥珀酸、馬來酸、伊康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、苯均四酸等。其中以耐熱性的觀點而言尤以琥珀酸、馬來酸、伊康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸較佳；更佳為間苯二甲酸、對苯二甲酸。硫代羧酸化合物具體而言可列舉硫代乙酸、硫代安息香酸等。
酚化合物或萘酚化合物具體而言可列舉氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三酚、二環戊二烯基二酚、苯酚酚醛清漆等。其中以提高耐熱性、提高溶解性之觀點而言，尤以雙酚A、雙酚F、雙酚S、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三酚、二環戊二烯基二酚、苯酚酚醛清漆較佳；更佳為兒茶酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三酚、二環戊二烯基二酚、苯酚酚醛清漆；又更佳為1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、二環戊二烯基二酚、苯酚酚醛清漆；又再更 佳為1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二環戊二烯基二酚、苯酚酚醛清漆；又再更佳為1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二環戊二烯基二酚；特佳為二環戊二烯基二酚。硫醇化合物具體而言可列舉苯二硫醇、三嗪二硫醇等。活性酯化合物可使用1種或合併使用2種以上。
具體而言，較佳為含有二環戊二烯基二酚結構之活性酯化合物、含有萘結構之活性酯化合物、含有苯酚酚醛清漆之乙醯基化物之活性酯化合物、含有苯酚酚醛清漆之苄醯基化物之活性酯化合物，其中尤更佳為含有萘結構之活性酯化合物、含有二環戊二烯基二酚結構之活性酯化合物。作為市售品，含有二環戊二烯基二酚結構之活性酯化合物可列舉EXB9451、EXB9460、EXB9460S、HPC-8000-65T(DIC(股)製)；含有萘結構之活性酯化合物可列舉EXB9416-70BK(DIC(股)製)；含有苯酚酚醛清漆之乙醯基化物之活性酯化合物可列舉DC808(三菱化學(股)製)；含有苯酚酚醛清漆之苄醯基化物之活性酯化合物可列舉YLH1026(三菱化學(股)製)等。
就降低介電正接、提高鍍敷剝離強度的觀點，進而就即使在附支持體之狀態下熱硬化時亦可發揮充分的剝離強度之觀點而言，第1層中之不揮發成分為100質量%時，第1層中所含之活性酯化合物的含量為5質量%以上、較佳為5~30質量%、更佳為5~25質量%、又更佳為5~20質量%。另一方面，就降低線熱膨脹係數，使 於碳酸氣雷射加工之膠渣去除性成為良好的觀點而言，第2層中之不揮發成分為100質量%時，第2層中所含之活性酯化合物的含量為5質量%以下、較佳為0~5質量%、更佳為0.5~5質量%、又更佳為1~4質量%。
又，以(a)環氧樹脂之環氧基數為1時，就提高硬化物之機械特性的觀點而言，(b)活性酯化合物之反應基數較佳為0.2~2、更佳為0.3~1.5、又更佳為0.4~1。此處，「環氧樹脂之環氧基數」，意指將樹脂組成物中存在之各環氧樹脂的固體成分質量除以環氧當量之值再針對全部之環氧樹脂合計後的值。又，「反應基」意指可與環氧基反應之官能基，「反應基數」，意指將樹脂組成物中存在之活性酯化合物的固體成分質量除以反應基當量之值予以全部合計後之值。
(c)無機填充材
本發明中使用之無機填充材，可列舉例如二氧化矽、氧化鋁、雲母、雲母、矽酸鹽、硫酸鋇、氫氧化鎂、氧化鈦等，較佳為二氧化矽、氧化鋁，特佳為不定形二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽、球狀二氧化矽等之二氧化矽，尤以球狀二氧化矽、熔融二氧化矽為佳。由提高對樹脂薄片之填充性的觀點而言，更佳為球狀熔融二氧化矽。該等可使用1種或2種以上。作為市售之球狀熔融二氧化矽，可列舉(股)Admatechs製「SOC2」、「SOC1」。
無機填充材之平均粒徑雖無特殊限定，但就對絕緣層上形成微細配線之觀點、使無機填充材之總表面積增大藉以抑制開孔加工時之膠渣產生的觀點而言，較佳為3μm以下、更佳為2μm以下、又更佳為1μm以下、又再更佳為0.8μm以下、又特別更佳為0.6μm以下。另一方面，將樹脂組成物作為清漆時，就使清漆黏度上昇、防止操作性降低之觀點而言，較佳為0.01μm以上、更佳為0.03μm以上、又更佳為0.07μm以上、又再更佳為0.1μm以上。上述無機填充材之平均粒徑，可藉由基於米氏(Mie)散射理論之雷射繞射．散射法來測定。具體而言，可藉由雷射繞射散射式粒度分布測定裝置，以體積基準作成無機填充材之粒度分布，以其中位直徑為平均粒徑來測定。測定樣品較佳可使用將無機填充材以超音波分散於水中者。雷射繞射散射式粒度分布測定裝置，可使用(股)堀場製作所製LA-950等。
無機填充材之含量雖無特殊限制，但就防止薄片形態之可撓性降低的觀點而言，第1層中之不揮發成分為100質量%時，較佳為90質量%以下、更佳為85質量%以下、又更佳為80質量%以下。第2層亦以同樣範圍較佳。又，就降低絕緣層之熱膨脹率觀點、使無機填充材之總表面積增大而抑制開孔加工時之膠渣產生，粗化處理時容易去除膠渣之觀點而言，第1層中之不揮發成分為100質量%時，較佳為40質量%以上、更佳為50質量%以上、又更佳為60質量%以上、又再更佳為65質量%以 上。第2層亦以同樣範圍較佳。
無機填充材，為了提高耐濕性、提高分散性，較佳為經表面處理劑表面處理者。表面處理劑較佳為由環氧基矽烷系偶合劑、胺基矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑中選擇之1種以上。該等之中，尤以胺基矽烷系偶合劑，耐濕性、分散性、硬化物之特性等優良而較佳。作為市售品，可列舉信越化學工業(股)製「KBM403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)等。
又，經表面處理劑表面處理之無機填充材，可測定以溶劑(例如，甲基乙基酮)洗淨處理後無機填充材之每單位表面積的碳量。具體而言，係將作為溶劑充分量的MEK添加於經表面處理劑表面處理之無機填充材中，於25℃超音波洗淨5分鐘。去除上清液，將固體成分乾燥後，可使用碳分析計測定無機填充材之每單位表面積之碳量。碳分析計可使用堀場製作所製「EMIA-320V」等。
無機填充材之每單位表面積之碳量，就提高 無機填充材之分散性的觀點，較佳為0.02mg/m2以上、更佳為0.1mg/m2以上、又更佳為0.2mg/m2以上。另一方面，就防止樹脂清漆之熔融黏度或於薄膜形態之熔融黏度上昇的觀點而言，較佳為1mg/m2以下、更佳為0.8mg/m2以下、又更佳為0.5mg/m2以下。
(d)熱可塑性樹脂
熱可塑性樹脂可列舉例如苯氧基樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚碸樹脂、及聚碸樹脂等，較佳為苯氧基樹脂、聚乙烯縮醛樹脂。熱可塑性樹脂可1種單獨使用、或合併使用2種以上。
熱可塑性樹脂之以聚苯乙烯換算的重量平均分子量，較佳為8000~70000之範圍、更佳為10000~60000之範圍、又更佳為20000~60000之範圍。熱可塑性樹脂之以聚苯乙烯換算的重量平均分子量，係以凝膠滲透層析(GPC)法測定。具體而言，熱可塑性樹脂之以聚苯乙烯換算的重量平均分子量，可使用(股)島津製作所製LC-9A/RID-6A作為測定裝置、使用昭和電工(股)製Shodex K-800P/K-804L/K-804L作為管柱、使用氯仿等作為移動相，於管柱溫度40℃測定，使用標準聚苯乙烯之校準曲線算出。
苯氧基樹脂較佳為具有由雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、茀骨架、二環戊二烯骨架、降莰烯骨架、萘骨 架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜烯骨架、及三甲基環己烷骨架中選擇之1種以上的骨架之苯氧基樹脂。苯氧基樹脂之末端可為酚性羥基、環氧基等之任意的官能基。苯氧基樹脂可1種單獨使用、或合併使用2種以上。苯氧基樹脂之具體例，可列舉三菱化學(股)製「1256」、「4250」(均為含有雙酚A骨架之苯氧基樹脂)、「YX8100」(含有雙酚S骨架之苯氧基樹脂)、「YX6954」(含有雙酚苯乙酮骨架之苯氧基樹脂)、「YL7553」(含有茀骨架之苯氧基樹脂)、東都化成(股)製「FX280」、「FX293」、三菱化學(股)製「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」、「YL7482」等。
聚乙烯縮醛樹脂之具體例可列舉電氣化學工業(股)製之電化Butyral 4000-2、5000-A、6000-C、6000-EP、積水化學工業(股)製之S-LEC BH系列、BX系列、KS系列、BL系列、BM系列等。
熱可塑性樹脂之含量，較佳相對於第1層中之不揮發成分100質量%，為0.5~15質量%。第2層亦以同樣之範圍較佳。
(e)硬化促進劑
硬化促進劑可列舉例如有機膦化合物、咪唑化合物、胺加成物化合物、及3級胺化合物等。以環氧樹脂與活性酯化合物之不揮發成分合計為100質量%時，硬化促進劑之含量，較佳為於0.01~3質量%之範圍使用。硬化促進劑 可1種單獨使用、或合併使用2種以上。
本案發明之樹脂組成物中，亦可進一步適當摻混酚樹脂、氰酸酯樹脂、苯并噁嗪樹脂等之硬化劑；磷系化合物、氫氧化金屬物等之阻燃劑；矽粉末、耐綸粉末、氟粉末、橡膠粒子等之有機填充劑；有機溶劑、添加劑等。
本發明之樹脂組成物，係將上述成分適當混合，又，亦可依需要藉由三輥、球磨機、珠磨機、混砂機等之混練手段、或超級混合器、行星式混合器等攪拌手段來混練或混合，以製造為樹脂清漆。
[第1層]
本案發明之第1層，可作為層形成樹脂組成物於支持體上的樹脂組成物層而製作。樹脂組成物層，可藉由例如調製含有有機溶劑之樹脂組成物，於支持體上塗佈該樹脂組成物並乾燥、加熱藉以形成樹脂組成物層。乾燥、加熱條件可於80~170℃且1~60分鐘之範圍適當設定，較佳為80~130℃且1~30分鐘。
為了使樹脂薄片之介電正接降低、提高鍍敷剝離強度，第1層之厚度較佳為2μm以上、更佳為2~50μm、又更佳為4~35μm。
[第2層]
本案發明之第2層，可作為層形成樹脂組成物於第1 層上之樹脂組成物層而製作。乾燥條件等可與第1層同樣方式適當設定。
為了使樹脂薄片之熱膨脹係數降低、提高膠渣去除性，第2層之厚度較佳為2μm以上、更佳為2~50μm、又更佳為4~35μm。
[附支持體之樹脂薄片之製作方法]
附支持體之樹脂薄片之製作方法，可使用各種方法。例如，可於支持體上形成第1層之樹脂組成物層，且於其上塗佈樹脂組成物並乾燥藉以形成第2層之樹脂組成物層。又，亦可列舉分別製作於支持體上形成有第1層之樹脂組成物層者、於別的支持體上形成有第2層之樹脂組成物層者後，將各自的樹脂組成物層面藉由疊層而貼合的方法。藉由疊層而貼合時之條件，較佳為疊層溫度70~110℃、疊層時間5~30秒、疊層壓力1~10kgf/cm2。又，亦可一邊於支持體上塗佈樹脂組成物，同時於其上塗佈別的樹脂組成物，之後使其乾燥，以同時製成第1層與第2層。
第1層與第2層之厚度的比，可依照必要之性能作適當設定，較佳為1：9~9：1、更加為3：7~7：3。
[使用了附支持體之樹脂薄片的多層印刷配線板]
以下，詳述使用了本發明之附支持體之樹脂薄片的多 層印刷配線板之製造方法的一例。
本發明之多層印刷配線板之製造方法中，可包含(A)將附支持體之樹脂薄片層合於內層電路基板之單面或兩面之步驟、(B)將附支持體之樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層之步驟、(C)對絕緣層進行開孔加工以形成通孔之步驟、(D)使支持體剝離之步驟、(E)將絕緣層表面進行粗化處理之步驟、(F)對粗化處理後之絕緣層表面鍍敷而形成導體層之步驟等。
(A)將附支持體之樹脂薄片層合於內層電路基板之單面或兩面之步驟((A)步驟)中，以附支持體之樹脂薄片之第2層作為內層電路基板側，層合於內層電路基板之單面或兩面。此處所指的內層電路基板，係指於玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板之單面或兩面具有經圖型加工之(形成有電路之)導體層，於製造多層印刷配線板時，進一步應形成絕緣層及導體層之中間製造物。再者就提高絕緣層與內層電路基板之密合性的觀點，導體層表面較佳為藉由黑化處理等而預先施以粗化處理。
(A)步驟中，附支持體之樹脂薄片具有保護薄膜時，係將該保護薄膜去除後，依需要將附支持體之樹脂薄片及內層電路基板預熱，一邊將附支持體之樹脂薄片加壓及加熱，同時壓合於內層電路基板。本發明之附支持體之樹脂薄片，適合使用藉由真空疊層法於減壓下層合於電路基板之方法。疊層之條件並無特殊限定，例如，壓合 溫度(疊層溫度)較佳為70~140℃、壓合壓力(疊層壓力)較佳為1~11kgf/cm2(9.8×104~107.9×104N/m2)、壓合時間(疊層時間)較佳為5~180秒，於空氣壓20mmHg(26.7hPa)以下之減壓下疊層為佳。又，疊層之方法可為批式亦可為以輥進行的連續式。真空疊層可使用市售之真空疊合機進行。市售之真空疊合機可列舉例如，Nichigo-Morton(股)製真空施用器(vacuum applicator)、(股)名機製作所製真空加壓式疊合機、(股)日立Industries製輥式乾塗佈器、日立AIC(股)製真空疊合機等。
(B)將附支持體之樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層之步驟((B)步驟)，可於將附支持體之樹脂薄片層合於內層電路基板後，藉由將樹脂薄片熱硬化，於內層電路基板上形成絕緣層(硬化物)。熱硬化之條件，只要依樹脂組成物中樹脂成分之種類、含量等適當選擇即可，較佳為於150℃~220℃、20分~180分、更佳為於160℃~210℃、30~120分之範圍選擇。又，藉由不剝離支持體而熱硬化，可防止熱硬化中廢棄物或塵埃等異物附著。
將樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層，該絕緣層之線熱膨脹係數較佳為25ppm以下、更佳為20ppm以下。下限值雖無特殊限制，一般為4ppm。藉此，可防止增層與配線之變形，得到信賴性高之多層印刷配線板。
將樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層，該絕緣層 之介電正接(測定周波數5.8GHz)較佳為0.0065以下、更佳為0.006以下。下限值雖無特殊限制，一般為0.001。藉此，可得到電信號損失少的多層印刷配線板。
(C)對絕緣層進行開孔加工以形成通孔之步驟((C)步驟)中，係對絕緣層進行開孔加工而形成通孔。開孔加工，可藉由例如鑽頭、雷射、電漿等公知之方法，且依照需要組合該等方法而進行，較佳為碳酸氣雷射、YAG雷射等之雷射的開孔加工，就泛用性之觀點而言更佳為碳酸氣雷射。
以碳酸氣雷射形成通孔時，發射數隨著應形成之通孔深度、孔徑而相異，通常係在1~5發射之間選擇。為了提高通孔之加工速度，提高多層印刷配線板之生產性，發射數少者為宜、發射數較佳為1~3。再者，以複數之發射來加工時，可為連續發射之叢發模式、亦可為具有時間上之間隔的複數發射之循環模式。
碳酸氣雷射之脈衝寬度並無特殊限定，可於28μ秒中度範圍至4μ秒之短脈衝的廣範圍中選擇。由效率性觀點而言，更佳為10μ秒~26μ秒。
藉由碳酸氣雷射進行開孔加工時，本發明之附支持體之樹脂薄片中，就使膠渣去除性良好的觀點而言，較佳為將雷射能量調整為0.1~3W、更佳係調整為0.3~2W。
本發明之附支持體之樹脂薄片，膠渣去除性有所提高，因此為了多層印刷配線板之薄膜化，即使絕緣 層之通孔的頂徑(直徑)小，亦可進行良好之開孔加工。具體而言，(C)步驟中，絕緣層之通孔的頂徑(直徑)較佳為65μm以下、更佳為60μm以下、又更佳為55μm以下。另一方面，為了防止通孔內之粗化處理難以進行，通孔之頂徑(直徑)較佳為15μm以上。
(D)使支持體剝離之步驟((D)步驟)中，係將支持體剝離。基材為塑膠薄膜時，基材之剝離可藉由手動或自動剝離裝置機械性地去除而進行。又，基材為金屬箔時，可藉由蝕刻液等溶解金屬箔，而將金屬箔剝離、去除。再者，(D)步驟可在(C)步驟之前進行、亦可於(C)步驟之後進行，就提高膠渣去除性之觀點而言，較佳為於(D)步驟之前進行(C)步驟。
(E)將絕緣層表面進行粗化處理之步驟((E)步驟)中，係將支持體剝離後，將絕緣層表面粗化處理。乾式粗化處理時可列舉電漿處理等、濕式粗化處理時可列舉依序進行膨潤液之膨潤處理、氧化劑之粗化處理及中和液之中和處理的方法。就可一邊於絕緣層表面形成凸凹之錨凹，同時去除通孔內之膠渣的觀點，較佳為濕式粗化處理。
膨潤液之膨潤處理，係藉由將絕緣層於50~80℃浸漬於膨潤液5~20分鐘(較佳為55~70℃、8~15分鐘)來進行。膨潤液可列舉鹼溶液、界面活性劑溶液等，較佳為鹼溶液，該鹼溶液可列舉例如氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液等。市售之膨潤液可列舉例如Atotech Japan (股)製之Swelling Dip Securiganth P、Swelling Dip Securiganth SBU等。
氧化劑之粗化處理，係藉由將絕緣層於60~80℃浸漬於氧化劑溶液10~30分鐘(較佳為70~80℃、15~25分鐘)來進行。氧化劑可列舉例如於氫氧化鈉之水溶液中溶解有過錳酸鉀或過錳酸鈉之鹼性過錳酸溶液、重鉻酸鹽、臭氧、過氧化氫/硫酸、硝酸等。又，鹼性過錳酸溶液中，過錳酸鹽之濃度較佳為5~10重量%。市售之氧化劑可列舉例如Atotech Japan(股)製之Concentrate Compact CP、Dosing Solution P等之鹼性過錳酸溶液。
中和液之中和處理，係藉由於30~50℃浸漬於中和液3~10分鐘(較佳為35~45℃、3~8分鐘)來進行。中和液較佳為酸性水溶液，市售品可列舉Atotech Japan(股)製之Reduction Solution Securiganth P。
將樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層，將該絕緣層表面進行粗化處理後之表面粗度，為了促進微細配線形成，算術平均粗度(Ra)較佳為150nm以下、更佳為100nm以下。算術平均粗度(Ra)之下限值雖無限制，一般而言為10nm以上。均方根粗度(Rq)較佳為220nm以下、更佳為200nm以下、又更佳為150nm以下、又再更佳為100nm以下。均方根粗度(Rq)之下限值雖無限制，一般而言為20nm以上。再者，均方根粗度(Rq)係反映絕緣層表面局部的狀態，因此藉由掌握Rq，可確認形成更緻密且平滑的絕緣層表面。
(F)對粗化處理後之絕緣層表面鍍敷而形成導體層之步驟((F步驟))中，可於絕緣層表面形成導體層。鍍敷形成之方法，可列舉藉由乾式鍍敷或濕式鍍敷於絕緣層上形成導體層。乾式鍍敷可使用蒸鍍、濺鍍、離子鍍等公知之方法。濕式鍍敷可列舉，於粗化處理後，組合無電解鍍敷與電解鍍敷而形成導體層之方法；形成與導體層相反圖型之抗鍍劑，僅以無電解鍍敷形成導體層之方法等。作為之後的圖型形成之方法，可使用例如所屬技術領域中具有通常知識者所公知之減成(subtractive)法、半加成法等。
將樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層，將該絕緣層表面進行粗化處理，之後鍍敷而得之導體層與該絕緣層之剝離強度，較佳為0.5kgf/cm以上。上限值雖無特殊限制，一般而言為1.2kgf/cm。
藉由重複上述一連串步驟複數次，會成為多段層合了增層的多層印刷配線板。本發明中，雖介電正接、線熱膨脹係數低，但膠渣去除性、鍍敷剝離強度優良，故可適合作為多層印刷配線板之增層用附支持體之樹脂薄片來使用。
<半導體裝置>
藉由使用以本發明之方法所製造之多層印刷配線板，可製造半導體裝置。藉由於本發明之多層印刷配線板之導通部位安裝半導體晶片，可製造半導體裝置。「導通部 位」係指「多層印刷配線板中傳達電訊號的部位」，該場所可為表面、亦可為埋入的部位均可。又，半導體晶片只要係以半導體為材料之電氣電路元件則無特殊限定。
製造本發明之半導體裝置時之半導體晶片的安裝方法，只要半導體晶片可有效地發揮功能，則無特殊限定，具體而言可列舉打線接合安裝方法、覆晶安裝方法、無凸塊之增層(BBUL)安裝方法、異向性導電薄膜(ACF)之安裝方法、非導電性薄膜(NCF)之安裝方法等。
[實施例]
以下，藉由實施例具體地說明本發明，但本發明不受該等實施例限定。再者，以下記載中之「份」意指「質量份」。
首先，說明本說明書中，物性評估之測定方法．評估方法。
<算術平均粗度(Ra值)、均方根粗度(Rq值)、剝離強度之測定用樣品的調製> (1)內層電路基板之基底處理
將形成有內層電路之玻璃布基材環氧樹脂兩面銅包覆層合板(銅箔之厚度18μm、基板厚度0.3mm、松下電工(股)製R5715ES)的兩面以MEC(股)製CZ8100蝕刻1um，進行銅表面之粗化處理。
(2)附支持體之樹脂薄片之疊層
將於實施例及比較例中製成之附支持體之樹脂薄片，使用批式真空加壓疊合機MVLP-500(名機(股)製商品名)於內層電路基板之兩面疊層。疊層係藉由30秒減壓使氣壓成為13hPa以下，之後以30秒、100℃、壓力0.74MPa壓合而進行。
(3)樹脂組成物之硬化
將經疊層之接著薄膜於80℃持續30分鐘，之後於170℃、30分鐘之硬化條件，將樹脂組成物硬化而形成絕緣層。
(4)通孔形成
使用日立Via Mechanics(股)製CO2雷射加工機(LC-2E21B/1C)，以遮罩直徑1.60mm、聚焦偏移值0.050、脈衝寬度25μs、功率0.66W、口徑13、發射數2、叢發模式之條件將絕緣層開孔，形成絕緣層表面之通孔頂徑(直徑)為50μm之通孔。之後，將PET薄膜剝離。
(5)粗化處理
將形成有絕緣層之內層電路基板，於60℃浸漬於膨潤液之Atotech Japan(股)之含有二乙二醇單丁基醚之 Swelling Dip Securiganth P(二醇醚類、氫氧化鈉之水溶液)中10分鐘，接著在80℃於作為粗化液之Atotech Japan(股)之Concentrate CompactP(KMnO4：60g/L、NaOH：40g/L之水溶液)中浸漬20分鐘，最後在40℃於作為中和液之Atotech Japan(股)之Reduction Solution Securiganth P(硫酸之水溶液)中浸漬5分鐘，之後於80℃乾燥30分鐘。將此基板作為評估基板A。
(6)半加成工法之鍍敷
將評估基板A於40℃浸漬於含有PdCl2之無電解鍍敷用溶液中5分鐘，接著於無電解銅鍍敷液中，25℃浸漬20分鐘。於150℃加熱30分鐘進行退火處理後，形成抗蝕劑，以蝕刻形成圖型後，進行硫酸銅電解鍍敷，以30μm之厚度形成導體層。接著，於200℃進行退火處理60分鐘。將此基板作為評估基板B。
<算術平均粗度(Ra值)、均方根粗度(Rq值)之測定及評估>
將評估基板A，使用非接觸型表面粗度計(Veeco Instruments公司製WYKO NT3300)，藉由VSI接觸模式、50倍透鏡，以測定範圍為121μm×92μm而得之數值，來求得Ra值、Rq值。藉由求得分別隨機選擇10點的平均值來測定。評估係如以下所示。
○：Ra值為150nm以下
×：Ra值為較150nm大
○：Rq值為220nm以下
×：Rq值為較220nm大
<鍍敷導體層之撕裂強度(剝離強度)之測定及評估>
於評估基板B之導體層切出寬度10mm、長度100mm之部分的切口，將其一端剝離，以夾具(TSE股份有限公司、Auto Com型試驗機AC-50C-SL)夾住，測定於室溫中以50mm/分鐘的速度向垂直方向剝離35mm時的荷重(kgf/cm)。評估係如以下所示。
○：剝離強度為0.5kgf/cm以上
×：剝離強度為未達0.5kgf/cm
<通孔底部之膠渣去除性的評估>
以掃描電子顯微鏡(SEM)觀察通孔底部之周圍，由所得之影像測定由通孔底部之壁面的最大膠渣長。評估係如以下所示。
○：最大膠渣長為未達3μm
×：最大膠渣長為3μm以上
<線熱膨脹係數之測定及評估>
將實施例及比較例中得到之附支持體之樹脂薄片於200℃加熱90分鐘藉以熱硬化，藉由剝離PET薄膜得到薄片狀之硬化物。將該硬化物切斷為寬度約5mm、長度約 15mm之試驗片，使用熱機械分析裝置Thermo Plus TMA8310((股)Rigaku製)，以拉伸加重法進行熱機械分析。將試驗片裝設於前述裝置後，以荷重1g、昇溫速度5℃/分鐘之測定條件連續測定2次。算出第2次之測定中由25℃至150℃之平均線熱膨脹係數(ppm)。評估係如以下所示。
○：平均線熱膨脹係數未達20ppm
△：平均線熱膨脹係數為20ppm以上、25ppm以下
×：平均線熱膨脹係數較25ppm大
<介電正接之測定及評估>
將實施例及比較例中所得之附支持體之樹脂薄片於200℃加熱90分鐘使其熱硬化，藉由將支持體剝離得到薄片狀之硬化物。將該硬化物切出長80mm、寬2mm，作為評估樣品。對此評估樣品使用Agilent Technologies公司製HP8362B裝置藉由空腔共振擾動法(cavity resonance perturbation method)以測定頻率5.8GHz、測定溫度23℃測定介電正接。對2片試驗片進行測定，算出平均值。評估係如以下所示。
○：介電正接為0.0065以下
×：介電正接較0.0065大
<樹脂清漆1之調製>
將雙酚型環氧樹脂(新日鐵化學(股)製 「ZX1059」、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品)5份、結晶性2官能環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」、環氧當量約185)10份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000H」)10份、苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YL7553BH30」、固體成分30質量%之MEK溶液)10份，於溶劑石油腦30份中一邊攪拌並且加熱溶解。冷卻至室溫後，對其混合活性酯化合物(DIC(股)製「HPC8000-65T」、活性基當量約223之不揮發成分65質量%之甲苯溶液)40份、硬化促進劑(4-二甲基胺基吡啶、固體成分2質量%之MEK溶液)7份、阻燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)2份、經苯基胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製、「KBM573」)表面處理之球形二氧化矽(平均粒徑0.5μm、(股)Admatechs製「SOC2」、每單位面積之碳量0.39mg/m2)160份，以高速旋轉混合器均勻地分散，製作樹脂清漆1。活性酯化合物為12質量%。
<樹脂清漆2之調製>
將雙酚型環氧樹脂(新日鐵化學(股)製「ZX1059」、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品)5份、結晶性2官能環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」、環氧當量約185)10份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000H」)10份、苯氧基樹 脂(三菱化學(股)製「YL7553BH30」、固體成分30質量%之MEK溶液)10份，於溶劑石油腦30份中一邊攪拌並且加熱溶解。冷卻至室溫後，對其混合活性酯化合物(DIC(股)製「HPC8000-65T」、活性基當量約223之不揮發成分65質量%之甲苯溶液)20份、萘酚系硬化劑(羥基當量215、新日鐵化學(股)製「SN-485」)之固體成分60%之MEK溶液12份、硬化促進劑(4-二甲基胺基吡啶、固體成分2質量%之MEK溶液)4份、阻燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)2份、經苯基胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製、「KBM573」)表面處理之球形二氧化矽(平均粒徑0.5μm、(股)Admatechs製「SOC2」、每單位面積之碳量0.39mg/m2)150份，以高速旋轉混合器均勻地分散，製作樹脂清漆2。活性酯化合物為6.5質量%。
<樹脂清漆3之調製>
將雙酚型環氧樹脂(新日鐵化學(股)製「ZX1059」、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品)5份、結晶性2官能環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」、環氧當量約185)10份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000H」)10份、苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YL7553BH30」、固體成分30質量%之MEK溶液)10份，於溶劑石油腦30份中一邊攪拌 並且加熱溶解。冷卻至室溫後，對其混合活性酯化合物(DIC(股)製「HPC8000-65T」、活性基當量約223之不揮發成分65質量%之甲苯溶液)10份、含有三嗪之酚系硬化劑(羥基當量146、DIC(股)製「LA-1356」)之固體成分60%之MEK溶液10份、硬化促進劑(4-二甲基胺基吡啶、固體成分2質量%之MEK溶液)3份、阻燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)2份、經苯基胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製、「KBM573」)表面處理之球形二氧化矽(平均粒徑0.5μm、(股)Admatechs製「SOC2」、每單位面積之碳量0.39mg/m2)140份，以高速旋轉混合器均勻地分散，製作樹脂清漆3。活性酯化合物為3.6質量%。
<實施例1> (附支持體之樹脂薄片1之製作)
於經ETFE處理之脫模PET(三菱樹脂(股)製「Fluoroju RL50KSE」、厚度50μm)之脫模面，以模具塗佈器塗佈樹脂清漆1，使乾燥後之樹脂組成物層厚度成為15μm，於100℃乾燥1分鐘。進一步，於該樹脂組成物層上以模具塗佈器塗佈樹脂清漆3，使乾燥後之樹脂組成物層總厚度成為30μm，於80~120℃(平均100℃)乾燥4分鐘，於樹脂面貼合厚度15μm之聚丙烯被覆薄膜(王子特殊紙(股)製「ALPHANE MA-411」)之平滑面側，得 到脫模PET/樹脂組成物層1/樹脂組成物層3/被覆薄膜之構成的附支持體之樹脂薄片。
<實施例2> (附支持體之樹脂薄片2之製作)
與實施例1同樣方式，得到脫模PET/樹脂組成物層2/樹脂組成物層3/被覆薄膜之構成的附支持體之樹脂薄片。
<比較例1> (附支持體之樹脂薄片3之製作)
除了於脫模PET上，以模具塗佈器塗佈樹脂清漆1，使乾燥後之樹脂組成物層厚度成為30μm，且於80~120℃(平均100℃)乾燥5分鐘以外，係與實施例1同樣方式，得到脫模PET/樹脂組成物層1/被覆薄膜之構成的附支持體之樹脂薄片。
<比較例2> (附支持體之樹脂薄片4之製作)
除了於脫模PET上，以模具塗佈器塗佈樹脂清漆2，使乾燥後之樹脂組成物層厚度成為30μm，且於80~120℃(平均100℃)乾燥5分鐘以外，係與實施例1同樣方式，得到脫模PET/樹脂組成物層2/被覆薄膜之構成的附支持體之樹脂薄片。
<比較例3> (附支持體之樹脂薄片5之製作)
除了於脫模PET上，以模具塗佈器塗佈樹脂清漆3，使乾燥後之樹脂組成物層厚度成為30μm，且於80~120℃(平均100℃)乾燥5分鐘以外，係與實施例1同樣方式，得到脫模PET/樹脂組成物層3/被覆薄膜之構成的附支持體之樹脂薄片。
評估結果如表1所示。
由表1結果明顯可知，實施例1~2之附支持體之樹脂薄片顯示優良的特性。另一方面，比較例1及2中，膠渣去除性不佳。比較例3中，表面粗度大、剝離強度亦低，且介電正接亦變大。
[產業上之可利用性]
本發明中可提供介電正接、線熱膨脹係數雖低，但膠渣去除性、鍍敷剝離強度優良之附支持體之樹脂薄片。進而可提供使用其之多層印刷配線板、半導體裝置。進一步地，亦可提供搭載該等之電腦、行動電話、數位相機、電視等電子製品，或機車、汽車、電車、船舶、航空器等交通工具。

Claims (14)

  1. 一種附支持體之樹脂薄片，其特徵為具有：支持體；形成於前述支持體上之含有環氧樹脂、活性酯化合物及無機填充材之第1層，其中前述第1層中之不揮發成分為100質量%時，活性酯化合物為5質量%以上；與形成於前述第1層上之含有環氧樹脂、活性酯化合物及無機填充材之第2層，其中前述第2層中之不揮發成分為100質量%時，活性酯化合物為5質量%以下。
  2. 如請求項1之附支持體之樹脂薄片，其中前述無機填充材之平均粒徑為0.01~3μm。
  3. 如請求項1之附支持體之樹脂薄片，其中前述無機填充材之含量為40~90質量%。
  4. 如請求項1之附支持體之樹脂薄片，其中前述無機填充材係經表面處理劑表面處理。
  5. 如請求項4之附支持體之樹脂薄片，其中前述無機填充材之每單位表面積的碳量為0.02~1mg/m2。
  6. 如請求項1之附支持體之樹脂薄片，其中前述第2層之厚度為2μm以上。
  7. 如請求項1之附支持體之樹脂薄片，其中將前述樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層，該絕緣層之線熱膨脹係數為25ppm以下。
  8. 如請求項1之附支持體之樹脂薄片，其中將前述樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層，該絕緣層之介電正接(測定 頻率5.8GHz)為0.0065以下。
  9. 如請求項1之附支持體之樹脂薄片，其中將前述樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層，且將該絕緣層表面粗化處理後之算術平均粗度(Ra)為150nm以下、均方根粗度(Rq)為220nm以下。
  10. 如請求項1之附支持體之樹脂薄片，其中將前述樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層，且將該絕緣層表面粗化處理並鍍敷而得之導體層與該絕緣層之剝離強度為0.5kgf/cm以上。
  11. 如請求項1~10中任一項之附支持體之樹脂薄片，其係多層印刷配線板之絕緣層用附支持體之樹脂薄片。
  12. 如請求項1~10中任一項之附支持體之樹脂薄片，其係多層印刷配線板之增層(build-up layer)用附支持體之樹脂薄片。
  13. 一種多層印刷配線板之製造方法，其係含有：(A)將如請求項1~10中任一項之附支持體之樹脂薄片層合於內層電路基板之單面或兩面之步驟、(B)將附支持體之樹脂薄片熱硬化而形成絕緣層之步驟、(C)對絕緣層進行開孔加工以形成通孔之步驟、(D)使支持體剝離之步驟、(E)將絕緣層表面進行粗化處理之步驟、(F)對粗化處理後之絕緣層表面鍍敷而形成導體層之步驟、 之多層印刷配線板之製造方法，其特徵為：前述(C)對絕緣層進行開孔加工以形成通孔之步驟中，絕緣層之通孔的頂徑(top diameter)(直徑)為65μm以下。
  14. 一種半導體裝置，其特徵為使用藉由如請求項13之方法所製造之多層印刷配線板。
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