TW201413806A - 保護帶剝離方法及保護帶剝離裝置 - Google Patents

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Kazuyuki Kiuchi
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Abstract

本發明之保護帶剝離方法係於將附有保護帶之晶圓分斷成晶片後，將經由黏著帶而保持於環狀框之該晶片加熱，藉此使晶片形狀之保護帶沿著單軸捲繞成筒狀而自晶片局部性地剝離。將剝離用環狀框重合於環狀框上，一面藉由貼附輥按壓剝離帶，一面將其貼附至剝離用環狀框與晶片分佈區域。使剝離用環狀框與環狀框相對地升降而將保護帶與該剝離帶一體地自晶片剝離去除。其後，將保護帶連同剝離帶自剝離用環狀框剝離去除。

Description

保護帶剝離方法及保護帶剝離裝置
本發明係關於一種於對處於貼附有表面保護用之保護帶之狀態下之半導體晶圓進行切晶處理後，於該保護帶上貼附剝離帶而將其剝離去除之保護帶剝離方法及保護帶剝離裝置。
自半導體晶圓(以下，適當地稱為「晶圓」)小片化(晶片)而製造之例如CMOS(Complementary metal oxide semiconductor，互補金氧半導體)等感測器類係被期望在即將封裝於基板之前避免灰塵向該晶片之附著、污染及損傷。因此，於背面研磨(backgrind)前，保持著貼附有貼附於晶圓表面之保護帶之狀態，對晶圓進行切晶處理。其後，對經由切晶帶而接著保持於環狀框(ring frame)之晶片上之保護帶貼附剝離帶而將其剝離(參照日本專利特開2003-209073號公報)。
又，保持著於表面貼附有藉由加熱而沿著單軸捲繞成筒狀之保護帶之狀態，對晶圓進行切晶處理。於切晶後，對經由切晶帶而接著保持於環狀框之晶片進行加熱，從而剝離保護帶。其後，實施將剝離帶貼附於保護帶並自晶片剝離去除之方法(參照日本專利特開2010-129607號公報)。
於先前之保護帶之剝離方法中，產生有如下問題。
即，於將剝離帶貼附於保護帶時，使貼附輥自環狀框之一端側 朝向另一端側於剝離帶上滾動。由於對該貼附輥朝向下方作用有施壓力，因此產生如下等問題：輥陷入至環狀框與晶圓之間，剝離帶之黏著面與切晶帶之黏著面接著，而無法剝離去除剝離帶。
具體而言，剝離帶必須具有如下較強之黏著性，即，緊密地接著於藉由加熱而自切晶後之晶片呈筒狀被剝離之保護帶，且於自各晶片上剝離去除該保護帶之過程中不會脫落。由於在晶片上附有筒狀之保護帶，故而距晶片之間隙增大，從而於貼附該剝離帶時，可抑制剝離帶之黏著面與晶片接觸。
然而，存在因貼附輥之陷入或作業時之剝離帶之鬆弛而導致切晶帶之黏著面與剝離帶之黏著面接著之情形。於該情形時，由於兩接著面牢固地接著，因此無法自晶片上剝離去除保護帶。若在該狀態下強制性地拉伸剝離帶，則由於接著力超過拉伸力，因此亦產生如下問題：切晶帶斷裂，或者對夾在剝離帶與切晶帶之間之晶片作用過大之拉伸力而使其變形或破損。
又，剝離帶若亦接觸或接著於環狀框，則自該環狀框之剝離變得非常困難，而使作業性明顯下降。又，於強行自環狀框剝離之情形時，亦有如下之虞：因用力過大而於環狀框以外之部分產生新的接觸，從而成為無法剝離去除之狀態。
進而，有如下之虞：由於剝離帶具有黏著力，故而將剝離帶自環狀框剝離時之拉伸會導致該剝離帶振動，從而接著面積較小之筒狀之保護帶因該振動而下落至晶片上或黏著帶上。
本發明係鑒於此種情況而完成者，其目的在於提供一種可自晶片精度良好地剝離去除藉由切晶處理而分斷成晶片形狀之保護帶的保護帶剝離方法及保護帶剝離裝置。
因此，本發明為了達成此種目的，而採取如下構成。
即，一種保護帶剝離方法，其係自經由支持用黏著帶而保持於環狀框之半導體晶圓剝離保護帶者，且上述方法包含以下過程：第1剝離過程，其係於將附有上述保護帶之半導體晶圓分斷成晶片後，將經由上述黏著帶而保持於環狀框之該晶片加熱，藉此使晶片形狀之保護帶沿著單軸捲繞成筒狀而自晶片局部性地剝離；貼附過程，其係於上述環狀框上重合剝離用環狀框，一面藉由貼附構件按壓剝離帶，一面將其貼附至剝離用環狀框與晶片分佈區域；第2剝離過程，其係使上述剝離用環狀框與環狀框相對地升降而將保護帶與該剝離帶一體地自晶片剝離去除；第3剝離過程，其係將保護帶連同剝離帶自上述剝離用環狀框剝離去除。
根據該方法，藉由將剝離用環狀框重疊於環狀框上，而可取得自晶片分佈區域之外側之黏著帶之黏著面至剝離帶為止之間隙。因此，於將剝離帶貼附至保護帶時，可確實地避免黏著帶與剝離帶之接著。其結果，不會產生因剝離帶與黏著帶之接著而導致產生之剝離誤差。
又，由於以在環狀框貼附有剝離帶之狀態回收保護帶，故而無需於保護帶之剝離過程中將剝離帶自環狀框剝離。因此，於剝離去除保護帶時，該剝離帶不會產生多餘之振動，因此可避免貼附於剝離帶之保護帶於貼附位置下落。又，可提高保護帶之剝離處理之作業效率。
進而，由於剝離帶係於其他步驟等中自剝離用環狀框剝離去除，故而其後可再利用該剝離用環狀框。
再者，於上述方法中，剝離帶亦可預先被切斷成帶狀或剝離用環狀框之形狀。
例如，於剝離帶為帶狀之情形時，只要於在重疊於環狀框之剝離用環狀框上貼附剝離帶後，藉由切斷構件將剝離帶裁切成該剝離用環狀框之形狀即可。
又，於將剝離帶預切割成剝離用環狀框之形狀之情形時，既可於貼附位置上貼附該剝離帶，或者亦可將於其他步驟中預先貼附有剝離帶之剝離用環狀框搬送至貼附位置。
再者，於上述各方法中，較佳為於貼附過程中自捲繞保護帶之方向貼附剝離帶。
根據該方法，保護帶係藉由加熱而於晶片上變為筒狀。亦即，由於利用貼附構件之向移動方向之按壓與捲繞方向一致，故而剝離帶易於彈性變形。因此，可抑制強硬地剝離如使貼附構件自與保護帶難以彈性變形之捲繞方向交叉之方向移動而將剝離帶貼附於保護帶之情形時之保護帶之應力，從而可避免對晶片賦予保護帶所致之擦傷或損傷。
又，本發明為了達成此種目的，而採取如下構成。
即，一種保護帶剝離裝置，其係自經由支持用黏著帶而保持於環狀框之半導體晶圓剝離保護帶者，且上述裝置包含以下構成：保持台，其於將附有上述保護帶之半導體晶圓分斷成晶片後，保持經由上述黏著帶而保持於環狀框之該晶片、該環狀框、及與該環狀框重合之剝離用環狀框；加熱器，其將上述保持台上之晶片加熱；帶供給部，其朝向剝離用環狀框供給帶狀之剝離帶，該帶狀之剝離帶係相較於與上述半導體晶圓之外周區域對向之部分而於貼附至晶片分佈區域之部分具有強黏著之黏著層；貼附機構，其使貼附輥於上述剝離帶上滾動，而貼附至保護帶與剝離用環狀框，該保護帶係藉由加熱器予以加熱而沿著單軸捲繞成 筒狀，並且局部性地貼附於晶片；切斷機構，其藉由切斷構件將剝離帶切斷成上述剝離用環狀框之形狀；帶回收部，其回收切斷後之上述剝離帶；剝離機構，其使將保護帶貼附於上述剝離帶後之剝離用環狀框與晶片相對地升降而將保護帶自晶片剝離；及帶回收部，其自上述剝離用環狀框回收剝離帶。
又，本發明為了達成此種目的，而採取如下構成。
一種保護帶剝離裝置，其係自經由支持用黏著帶而保持於環狀框之半導體晶圓剝離保護帶者，且上述裝置包含以下構成： 保持台，其於將附有上述保護帶之半導體晶圓分斷成晶片後，保持經由上述黏著帶而保持於環狀框之該晶片、及該環狀框； 加熱器，其將上述保持台上之晶片加熱；搬送機構，其將預先貼附有剝離帶之剝離用環狀框載置於上述保持台上之環狀框，該剝離帶係相較於與上述半導體晶圓之外周區域對向之部分而於貼附至晶片分佈區域之部分具有強黏著之黏著層；貼附機構，其使貼附輥於上述剝離帶上滾動，而貼附至保護帶與剝離用環狀框，該保護帶係藉由加熱器進行加熱而沿著單軸捲繞成筒狀，並且局部性地貼附於晶片；剝離機構，其使將保護帶貼附於上述剝離帶後之剝離用環狀框與晶片相對地升降而將保護帶自晶片剝離；及帶回收部，其自上述剝離用環狀框回收剝離帶。
根據上述兩構成，由於使剝離用環狀框與環狀框重合，且於該剝離用環狀框與晶片分佈區域之保護帶上貼附剝離帶，故而可取得自支持用黏著帶之黏著面至剝離帶為止之間隙。因此，可較佳地實施上述方法。
1‧‧‧晶片
2‧‧‧收縮性膜層
3‧‧‧拘束層
4‧‧‧基材
6‧‧‧黏著層
6A‧‧‧黏著層
7‧‧‧晶片分佈區域
10‧‧‧保持台
11‧‧‧帶供給部
12‧‧‧貼附單元
13‧‧‧剝離單元
14‧‧‧帶回收部
15‧‧‧帶切斷機構
16‧‧‧導軌
17‧‧‧發熱器
18‧‧‧供給筒管
19‧‧‧剝離輥
20‧‧‧隔片回收部
21‧‧‧回收筒管
22‧‧‧可動框架
23‧‧‧貼附輥
24‧‧‧導軌
25‧‧‧馬達
26‧‧‧螺桿軸
27‧‧‧剝離輥
28‧‧‧進給輥
29‧‧‧壓輥
30‧‧‧馬達
31‧‧‧螺桿軸
32‧‧‧筒管
33‧‧‧搬送機構
34‧‧‧定位銷
35‧‧‧控制部
40‧‧‧剝離用環狀框
46‧‧‧支持臂
47‧‧‧切割器單元
48‧‧‧切割器
50‧‧‧邊緣構件
51‧‧‧貼附輥
52‧‧‧光學感測器
53‧‧‧保持台
60‧‧‧間隔件
DT‧‧‧支持用黏著帶
f‧‧‧環狀框
MF‧‧‧安裝框架
PT‧‧‧保護帶
s‧‧‧隔片
Ts‧‧‧剝離帶
※為了對發明進行說明，而圖示有目前認為較佳之若干個形態，但應理解發明並不限定於如圖示之構成及對策。
圖1係切晶處理後之安裝框架之立體圖。
圖2係保護帶之剖面圖。
圖3係表示藉由加熱而自晶片剝離之保護帶之立體圖。
圖4係剝離帶之仰視圖。
圖5係剝離帶及安裝框架之剖面圖。
圖6係保護帶剝離裝置之俯視圖。
圖7係保護帶剝離裝置之前視圖。
圖8~圖12係表示保護帶之剝離動作之模式圖。
圖13係表示將變化例之剝離帶預先貼附至剝離用環狀框之動作之立體圖。
圖14係表示將變化例之剝離帶預先貼附至剝離用環狀框之動作之前視圖。
圖15係變化例之剝離帶之仰視圖。
圖16係變化例之剝離帶及安裝框架之剖面圖。
圖17係變化例之保護帶剝離裝置之前視圖。
圖18係利用有間隔件之變化例之前視圖。
以下，參照圖式，對本發明之一實施例進行說明。
<保護帶>
保護帶用以保護形成於半導體晶圓(以下，簡稱為「晶圓」)之表面之電路面。因此，於背面研磨步驟之前，在晶圓表面貼附保護帶PT。其後，自背面研磨步驟起至切晶步驟之處理完成為止，於晶圓及切晶後之晶片上貼附有保護帶PT。即，如圖1所示，保護帶PT於安 裝框架MF中被切斷成與晶片1相同之形狀。
又，例如，如圖2所示，保護帶PT包含至少於單軸方向上具有收縮性之收縮性膜層2、及拘束該收縮性膜層2之收縮之拘束層3。保護帶PT係以如下方式構成：藉由賦予加熱等成為收縮原因之刺激，而自發性地自晶圓剝離。即，保護帶PT係於被賦予成為收縮原因之刺激後，自1個端部向1方向自發性地捲繞、或自對向之2個端部朝向中心自發性地捲繞，從而如圖3所示般形成1個或2個筒狀之捲繞體，並且自晶片1剝離。再者，於成為捲繞體之時間點，黏著性並未完全消失，因此局部性地貼附於晶片1。
<剝離帶>
剝離帶用以貼附至在切晶步驟後藉由加熱而於各晶片1上變為筒狀之保護帶PT並剝離。
如圖4及圖5所示，剝離帶Ts於基材4之整個面上形成有黏著層6。即，如圖4所示，基材4係形成為較經由支持用黏著帶DT(切晶帶)將晶圓接著於環狀框f而成之安裝框架MF之外形更寬幅。該基材4亦可為單片之片狀或帶狀。進而，於利用具有黏著層6之圓形之預切割帶之情形時，基材4係用作載帶(carrier tape)。
基材4之材料並無特別限定，可使用普通材料。例如，可使用除包含聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯等聚酯基材、聚乙烯或聚丙烯等聚烯烴基材以外，亦包含聚氯乙烯基材、乙烯-乙酸乙烯酯-丙烯酸酯基材、聚醯亞胺基材、聚醯胺基材、金屬、紙等該等中之至少1種以上之單層或複層基材。尤其是聚烯烴基材、聚氯乙烯基材、乙烯-乙酸乙烯酯-丙烯酸酯基材因伸縮性較高，故而就如下方面而言，可較佳地使用：於保護帶為自我捲繞性黏著帶且藉由熱處理而捲繞化之狀態之情形時，在貼附該剝離帶時，易於追隨捲繞體之形狀，進而可進一步提高黏著性。
黏著層6之材料係可使用以丙烯酸、天然橡膠、合成橡膠、聚矽氧橡膠為主成分之公知之黏著劑。
此處，黏著層6之黏著力係只要有足夠剝離去除筒狀之保護帶PT之黏著力及黏著性或黏度(黏性)即可。例如，於貼附於不鏽鋼(SUS(Steel Use Stainless，日本不鏽鋼標準)304)之情形時，剝落角度180°、剝落速度300mm/分、室溫環境下之黏著力為2.5N/20mm以上。較佳為3.5N/20mm以上，更佳為7.0N/20mm以上。
若黏著力未達2.5N/20mm，則無法完全保持自晶片1剝離之保護帶PT而使其下落。
黏性必須可於向保護帶PT貼附剝離帶Ts之同時接著保持保護帶PT。黏性於探針黏性測定中為250kN/m2以上，較佳為300kN/m2以上，更佳為350kN/m2以上。於黏性未達250kN/m2之情形時，難以瞬時地接著保持保護帶PT。
再者，該黏性之測定係根據以下條件而獲得。準備於75mm×20mm之載玻片上貼合有具有與本發明相同之黏著層6之剝離帶Ts者。再者，剝離帶Ts係準備如下者：於該載玻片上貼合有雙面膠帶(日東電工股份有限公司製造之No.5610)，且於該雙面膠帶貼合有剝離帶Ts之基材面。
評估裝置為黏性(Tacking)試驗機(RHESCA股份有限公司製造，TAC-II)。該評估裝置之條件及設定等為探針之直徑：5mm、探針壓入速度：30mm/分、探針提拉速度：30mm/分、加壓負載：100gf、加壓時間：3秒、及測定溫度：23℃。
在該條件下測定垂直地提拉與黏著層6之表面接觸之探針時之最大負載，並求出n=10之平均值作為探針黏性值。
又，為了確實地接著保持變形為筒狀之保護帶，較理想為使黏著層6以追隨於保護帶PT之形狀之方式變形。因此，為了產生此種變 形，黏著層6之厚度×楊氏模數之值為5×10-3~3×103N/m之範圍，較佳為1.5×10-2~2.3×103N/m之範圍，更佳為3×10-2~1.5×103N/m之範圍。
於黏著層6之厚度×楊氏模數之值未達5×10-3N/m之情形時，有如下之虞：黏著層6之變形變得過大，亦與保護帶PT之下方之晶片表面接觸，從而無法僅回收保護帶PT。
若黏著層6之厚度×楊氏模數之值超過3×103N/m，則變形不充分，向保護帶PT之密接性較低，而無法實現良好之剝離去除。
黏著層6之厚度為5~2000μm之範圍，較佳為15~1500μm之範圍，更佳為30~1000μm之範圍。又，該黏著層6之黏著劑之楊氏模數(於23℃之環境下，拉伸速度為50mm/分)為0.001~1.5MPa之範圍。
再者，楊氏模數之測定係根據以下條件而獲得。於測定裝置：拉力型(Tensilon)萬能試驗機(ORIENTEC股份有限公司製造，RTC-1150A)、拉伸速度：50mm/分、夾頭間距離：10mm、測定溫度：23℃之環境下，將50mm×50mm之黏著層6捲成棒狀而獲得試樣。以10mm之夾頭間距離安裝試樣，並以50mm/分拉伸，藉此獲得應力-應變相關之測定值。對應變為0.2%與0.45%之2個點求出應力而獲得楊氏模數。對同一試樣重複進行5次該測定，採用其平均值。
<保護帶剝離裝置>
本實施例之保護帶剝離裝置係於對貼附有上述保護帶PT之狀態之晶圓W進行切晶處理後，如圖1所示般向分佈有經由支持用黏著帶DT而接著保持於環狀框f之複數個晶片1之晶片分佈區域7貼附上述剝離帶Ts而進行剝離。
圖6係表示本發明之一實施例之保護帶剝離裝置之整體構成的俯視圖，圖7係其前視圖。
保護帶剝離裝置包括保持台10、帶供給部11、貼附單元12、剝離 單元13、帶回收部14、及帶切斷機構15等。
保持台10吸附保持安裝框架MF。又，保持台10構成為可藉由驅動機構而沿著敷設於安裝框架MF之載置位置與剝離帶Ts之貼附位置之間之導軌16往返移動。又，於保持台10中埋設有發熱器17。再者，發熱器17相當於本發明之加熱器。
如圖7所示，帶供給部11將自供給筒管18陸續送出之附有隔片s之剝離帶Ts導引至剝離輥19。剝離輥19捲繞導引隔片s並將其自剝離帶Ts剝離，並引導至隔片回收部20。因此，帶供給部11係以將已剝離隔片s之剝離帶Ts引導至貼附單元12之方式構成。
供給筒管18係連動地連結於電磁制動器且被施加適當之旋轉阻力，從而防止陸續送出過多之帶。
隔片回收部20具備捲取自剝離帶Ts剝離之隔片s之回收筒管21，且由馬達予以旋轉驅動控制。
貼附單元12中包括可藉由缸等致動器而於裝設於可動台之可動框架22上升降之貼附輥23。又，貼附單元12其整體以可沿著導軌24水平移動之方式受到支持，並且由利用馬達25予以正反旋轉驅動之螺桿軸26而予以往返螺桿進給驅動。再者，貼附單元12相當於本發明之貼附機構。
剝離單元13中具備剝離輥27。又，該剝離單元13整體以可沿著導軌24水平移動之方式受到支持，並且藉由利用馬達30予以正反旋轉驅動之螺桿軸31而予以往返螺桿進給驅動。於該剝離單元13之下游側具備受馬達驅動之進給輥28及壓輥29。再者，剝離單元13相當於本發明之剝離機構。
帶回收部14將貼附有藉由剝離單元13而剝離之保護帶PT之剝離帶Ts捲取回收至筒管32。
帶切斷機構15經由支持臂46而具備切割器單元47，該支持臂46 係於自可沿縱框架升降之可動台被懸臂支持之臂之前端下部沿直徑方向延伸。切割器單元47係以使刀尖朝下之圓刀之切割器48可遊轉之方式裝設。再者，帶切斷機構15相當於本發明之切斷機構。
切割器單元47可圍繞與保持台10相同之軸心旋轉。再者，切割器單元47構成為可經由支持臂46調整回旋半徑。
其次，基於圖6至11，對上述實施例裝置說明循環一輪之動作。
於位於載置位置之保持台10，藉由圖6所示之搬送機構33載置切晶處理後之安裝框架MF。
進而，搬送機構33將與環狀框f相同形狀之剝離用環狀框40載置於保持台10上所載置之安裝框架MF上。
如圖6及圖7所示，安裝框架MF與剝離用環狀框40係藉由設置於保持台10之可移動之複數根定位銷34而對準位置，並且固定位置。
再者，該位置固定之構成並不限定於該實施形態，亦可使剝離用環狀框40之形狀大於環狀框f，且自背面側吸附保持自該環狀框f露出之部分。或者，亦可藉由夾具握持剝離用環狀框40之外周之複數個部位。
若完成定位，則如圖8所示般吸附保持有安裝框架MF之保持台10向貼附位置移動。此時，貼附單元12與剝離單元13位於左側之初始位置。
若保持台10到達至貼附位置，則使發熱器17作動從而使保護帶PT成為筒狀而自晶片1剝離。此時，保護帶PT係於其中心之接觸部位局部性地貼附於晶片1。
若完成利用發熱器17之加熱處理，則使缸作動而使壓輥29下降，從而與進給輥28握持剝離帶Ts。
其次，如圖9所示，貼附輥23下降，並且貼附單元12前進移動。伴隨著貼附輥23之移動而按壓剝離帶Ts。因此，黏著層5被貼附至環 狀框f，並且逐漸被貼附至晶片分佈區域7。
若完成跨及剝離用環狀框40與晶片分佈區域7而貼附剝離帶Ts，則如圖10所示，使切割器單元47下降至切割器48可按壓並切斷剝離帶Ts之高度。於該狀態下，使切割器48於剝離用環狀框40上回旋而切斷剝離帶Ts。
若完成剝離帶Ts之切斷，則使切割器單元47返回至上方之待機位置，並使剝離單元13作動。
如圖11所示，解除壓輥29對剝離帶Ts之握持，且剝離單元13整體移動至剝離作業之結束位置。此時，由於黏著層6之部分密接於保護帶PT，故而該保護帶PT逐漸自晶片1剝離。
若剝離單元13到達至超過保持台10之結束位置，則帶回收部14捲取回收被裁切成圓形之剝離帶Ts，並且自帶供給部11陸續送出特定長度之剝離帶Ts。同時，如圖12所示，剝離單元13與貼附單元12返回至初始位置。
進而，保持台10自貼附位置移動至載置位置。於載置位置上，在藉由搬送機構搬出貼附有重疊於環狀框f之剝離帶Ts之剝離用環狀框40後，藉由搬送機構搬出已完成保護帶剝離之安裝框架MF。
剝離用環狀框40係藉由搬送機構搬送至其他步驟，剝離帶Ts以附有保護帶PT之狀態自該剝離用環狀框40剝離去除。其後，再利用該剝離用環狀框40。
根據以上內容完成實施例裝置之一輪之動作，之後重複進行相同之動作直至達到特定片數為止。
根據上述實施例裝置，藉由將剝離用環狀框40重疊於環狀框f上，而可取得自晶片分佈區域7之外側之黏著帶DT之黏著面至剝離帶Ts之間隙。因此，於將剝離帶Ts貼附至保護帶PT時，可確實地避免黏著帶DT與剝離帶Ts之接著。其結果，不會產生因剝離帶Ts與黏著帶 DT之接著而導致產生之剝離誤差。換言之，可確實地自晶片剝離去除剝離帶Ts。
又，由於以在環狀框f貼附有剝離帶Ts之狀態回收保護帶PT，故而無需如先前之方法般將剝離帶Ts自環狀框f剝離，因此該剝離帶Ts不會產生多餘之振動。因此，可避免貼附於剝離帶Ts之保護帶PT於貼附位置下落。又，由於無需將剝離帶Ts自環狀框f剝離，故而亦可提高保護帶剝離作業之效率。
進而，由於剝離帶Ts係於其他步驟等中自剝離用環狀框40剝離去除，故而其後可再利用該剝離用環狀框40。
再者，本發明亦能夠以如下之形態實施。
(1)於上述實施例裝置中，亦能夠以於剝離用環狀框40預先貼附有剝離帶Ts之狀態與環狀框f重合。關於剝離帶Ts向剝離用環狀框40之貼附，亦可藉由其他裝置貼附帶狀之剝離帶Ts並於該剝離用環狀框40上裁切成圓形。或者，亦可將圓形之預切割型剝離帶Ts貼附至剝離用環狀框40。
即，如圖13及圖14所示，藉由邊緣構件50反折載帶4，而剝離以特定間距形成於該載帶上之剝離帶Ts。藉由貼附輥51按壓該剝離帶Ts之前端而貼附至剝離用環狀框40。其後，一面使保持台53與將剝離帶Ts自載帶4剝離之速度同步地移動，一面逐漸將該剝離帶Ts貼附至剝離用環狀框40。
(2)於上述變化例中，剝離帶Ts之黏著層6亦可為紫外線硬化型、或藉由加熱而發砲膨脹從而使接著力降低或消失之黏著劑。藉由利用該剝離帶Ts，可藉由在剝離保護帶PT後對黏著層5進行加熱或照射紫外線而使接著力消失，從而可容易地自剝離用環狀框40剝離去除剝離帶Ts。因此，可使剝離用環狀框40之循環利用變得容易。
(3)如圖15及圖16所示，上述各實施例之剝離帶Ts較佳為由紫外 線硬化型、或藉由加熱而發砲膨脹從而使接著力降低或消失之黏著劑形成貼附於環狀框f之部分或晶片分佈區域7之外周之黏著層6A，且將晶片分佈區域7設為於上述主實施例中記載之黏著劑。
於該情形時，可一面確實地保持自晶片分佈區域剝離之保護帶PT，一面自貼附位置搬出。又，藉由在其他步驟中對剝離帶Ts照射紫外線或進行加熱，而可容易地自剝離用環狀框40剝離去除剝離帶Ts。
再者，於利用該剝離帶Ts之情形時，必須以黏著層6A貼附至剝離用環狀框40之方式進行位置對準。因此，如圖17所示，於上述實施例裝置中，於貼附位置之上方配備光學感測器52用以檢測位置。該光學感測器15包括相機或光感測器等。因此，光學感測器15一面監控剝離帶Ts之黏著層6之位置，一面將該監控時之圖像資料發送至控制部35。
控制部35基於自光學感測器52發送之圖像資料，控制帶供給部11之作動，從而以剝離帶Ts之黏著層6A與剝離用環狀框40重合之方式控制剝離帶Ts之陸續送出。
(4)於上述各實施例中，由相同之搬送機構33利用吸附墊吸附保持著框架部分而搬送安裝框架MF與剝離用環狀框40，但並不限定於該搬送形態。又，亦可為包括搬送安裝框架MF及剝離用環狀框40之各者之複數台搬送機構之構成。
(5)於上述各實施例中，亦可根據對保護帶PT進行加熱而變為筒狀之捲繞體時之直徑，適當地變更剝離用環狀框40之厚度。或者，亦可如圖18所示般於環狀框f與剝離用環狀框40之間載置厚度不同之間隔件60。
※本發明可在不脫離其思想或本質之前提下以其他具體之形態實施，因此，作為表示發明之範圍者，應參照附加之申請專利範圍，而非以上之說明。
10‧‧‧保持台
12‧‧‧貼附單元
13‧‧‧剝離單元
23‧‧‧貼附輥
24‧‧‧導軌
40‧‧‧剝離用環狀框
f‧‧‧環狀框
PT‧‧‧保護帶
Ts‧‧‧剝離帶

Claims (7)

  1. 一種保護帶剝離方法，其係自經由支持用黏著帶而保持於環狀框之半導體晶圓剝離保護帶者，且上述方法包含以下過程：第1剝離過程，其係於將附有上述保護帶之半導體晶圓分斷成晶片後，將經由上述黏著帶而保持於環狀框之該晶片加熱，藉此使晶片形狀之保護帶沿著單軸捲繞成筒狀而自晶片局部性地剝離；貼附過程，其係於上述環狀框上重合剝離用環狀框，一面藉由貼附構件按壓剝離帶，一面將其貼附至剝離用環狀框與晶片分佈區域；第2剝離過程，其係使上述剝離用環狀框與環狀框相對地升降而將保護帶與該剝離帶一體地自晶片剝離去除；及第3剝離過程，其係將保護帶連同剝離帶自上述剝離用環狀框剝離去除。
  2. 如請求項1之保護帶剝離方法，其中上述方法更包括以下過程：切斷過程，其係上述剝離帶為帶狀，且於將剝離帶貼附至重疊於上述環狀框之剝離用環狀框後，藉由切斷構件將剝離帶裁切成該剝離用環狀框之形狀；及帶回收過程，其係捲取回收經裁切之上述剝離帶。
  3. 如請求項1之保護帶剝離方法，其中於上述貼附過程中，將貼附有預先被切斷成剝離用環狀框之形狀之剝離帶的該剝離用環狀框重疊於上述環狀框上，而將該剝離帶貼附至保護帶。
  4. 如請求項1之保護帶剝離方法，其中於上述貼附過程中，自捲繞保護帶之方向貼附剝離帶。
  5. 如請求項1之保護帶剝離方法，其中上述剝離帶其至少貼附至環狀框之部分由因外部刺激而使接著力消失之黏著劑形成。
  6. 一種保護帶剝離裝置，其係自經由支持用黏著帶而保持於環狀框之半導體晶圓剝離保護帶者，且上述裝置包含以下構成：保持台，其於將附有上述保護帶之半導體晶圓分斷成晶片後，保持經由上述黏著帶而保持於環狀框之該晶片、該環狀框、及與該環狀框重合之剝離用環狀框；加熱器，其將上述保持台上之晶片加熱；帶供給部，其朝向剝離用環狀框供給帶狀之剝離帶，該帶狀之剝離帶係相較於與上述半導體晶圓之外周區域對向之部分而於貼附至晶片分佈區域之部分具有強黏著之黏著層；貼附機構，其使貼附輥於上述剝離帶上滾動，而貼附至保護帶與剝離用環狀框，該保護帶係藉由加熱器予以加熱而沿著單軸捲繞成筒狀，並且局部性地貼附於晶片；切斷機構，其藉由切斷構件將剝離帶切斷成上述剝離用環狀框之形狀；帶回收部，其回收切斷後之上述剝離帶；剝離機構，其使將保護帶貼附於上述剝離帶後之剝離用環狀框與晶片相對地升降而將保護帶自晶片剝離；及帶回收部，其自上述剝離用環狀框回收剝離帶。
  7. 一種保護帶剝離裝置，其係自經由支持用黏著帶而保持於環狀框之半導體晶圓剝離保護帶者，且上述裝置包含以下構成：保持台，其於將附有上述保護帶之半導體晶圓分斷成晶片後，保持經由上述黏著帶而保持於環狀框之該晶片、及該環狀框； 加熱器，其將上述保持台上之晶片加熱；搬送機構，其將預先貼附有剝離帶之剝離用環狀框載置於上述保持台上之環狀框，該剝離帶係相較於與上述半導體晶圓之外周區域對向之部分而於貼附至晶片分佈區域之部分具有強黏著之黏著層；貼附機構，其使貼附輥於上述剝離帶上滾動，而貼附至保護帶與剝離用環狀框，該保護帶係藉由加熱器進行加熱而沿著單軸捲繞成筒狀，並且局部性地貼附於晶片；剝離機構，其使將保護帶貼附於上述剝離帶後之剝離用環狀框與晶片相對地升降而將保護帶自晶片剝離；及帶回收部，其自上述剝離用環狀框回收剝離帶。
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