TW201351028A - 光罩、圖案轉印方法及平面顯示器之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可確實且精緻地轉印微細圖案之光罩。本發明之光罩之特徵在於：其係具備轉印用圖案者，該轉印用圖案於透明基板上具有透光部、形成有穿透曝光光之一部分之半透光膜之半透光部、及形成有遮光性之膜之遮光部；半透光膜相對於轉印用圖案之轉印中使用之曝光光之代表波長，具有2~60%之穿透率、及90°以下之相位偏移作用，半透光部係與遮光部之邊緣鄰接，且形成為不會藉由曝光裝置而解像之寬度。

Description

光罩、圖案轉印方法及平面顯示器之製造方法
本發明係關於一種藉由將轉印用圖案進行轉印而於被轉印體上可轉印微細之圖案之光罩、圖案轉印方法及平面顯示器之製造方法。
在由液晶顯示裝置所代表之平面顯示器之製造中，存在藉由形成更微細之圖案而謀求提高圖像品質之要求。於專利文獻1中，記載有一種光罩，其形成有對應於線與間隙之包含半透光部與透光部之轉印用圖案。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-42753號公報
關於平面顯示器之配線圖案之微細化，受到關注的不僅在於平面顯示器之明亮度及反應速度之圖像品質之提高上，而且根據節能之觀點亦存在有利之方面。因此，近年來，要求平面顯示器之配線圖案之進一步微細化。隨此，平面顯示器之製造中使用之光罩亦具有期待微細之線寬精度之傾向。
然而，即便將具備包含遮光部與透光部之轉印用圖案之所謂二 元光罩之圖案線寬單純地微細化，亦無法使平面顯示器之配線圖案微細化。以下，對該情形時之問題點，參照圖1(a)、(b)及圖2(a)~(e)進行詳細描述。
圖1(a)係表示構成作為二元光罩之轉印用圖案之線與間隙圖案之遮光部與透光部之模式圖。此處，圖示有具備包含遮光部且具有線寬ML之線部、及包含透光部且具有間隙寬度MS之間隙部之線與間隙圖案。一組遮光部與透光部之重複單位之寬度為線與間隙圖案之間距寬度P。
圖1(b)係表示在使圖1(a)之線與間隙圖案之間距寬度P變化之情形時，照射至形成於被轉印體上之抗蝕劑膜上之穿透光之光強度曲線之圖表。縱軸表示穿透率(%)，橫軸表示光罩上之位置(μm)。
於圖1(a)所示之二元光罩之轉印用圖案中，若使線與間隙圖案之遮光部及透光部之各寬度ML、MS逐漸減小(即，減小間距寬度P)，則如圖1(b)所示，會產生經由透光部而照射至抗蝕劑膜上之穿透光之光強度降低之問題。
本發明者等人在圖1(b)所示之條件設定下，自線與間隙圖案之間距寬度為P=8μm(線寬ML=4.8μm，間隙寬度MS=3.2μm)起，至間距寬度P=4μm(線寬ML=2.8μm，間隙寬度MS=1.2μm)為止，將線寬ML與間隙寬度MS分別相對於間距寬度P而設定為P/2+0.8(μm)、P/2-0.8(μm)，模擬逐漸微細化時之穿透光之光強度變化。其結果可知，如圖1(b)之光強度曲線所示，線與間隙圖案之線寬越微細，則光強度之波形曲線之波峰位置越會顯著降低。再者，條件設定為：數值孔徑NA：0.08，相干因素σ：0.8，曝光光波長：g/h/i=1/1/1，基板：石英玻璃基板，正型抗蝕劑(P/R)膜厚：1.5μm，正型抗蝕劑為酚醛系正型抗蝕劑，此處「g/h/i」表示曝光光中包含之g線、h線、i線之各波長之強度比。
進而，將圖1(b)之光強度曲線中之間距寬度P=8μm、7μm、6μm、5μm之線與間隙圖案之穿透光照射至被轉印體上之正型抗蝕劑(P/R)膜上之情形時所形成的抗蝕劑圖案之剖面形狀分別示於圖2(a)、(b)、(c)、(d)中。再者，將該等之照射光量(Eop)標準化為100mJ。
如該等之圖式所示，線與間隙圖案之線寬越小，則穿透間隙寬度MS之光之強度越不足，於圖2(d)之間距寬度P=5μm時，抗蝕劑膜之線間並未分離，從而無法形成線與間隙形狀之抗蝕劑圖案。如此，不能作為後續步驟中用以形成微細之配線圖案之蝕刻遮罩而使用。
因此，作為提高圖案轉印時之解像度、進行更微細之圖案化之方法，考慮作為先前LSI(Large-scale integration，大規模積體電路)製造用之技術而開發之曝光機之數值孔徑擴大、單一波長且使用有短波長之曝光。然而，於應用該等技術之情形時，必須進行巨大的投資與技術開發，無法取得與市場提供之液晶顯示裝置之價格之整合性。
且說，如圖2(d)所示，對於光強度之波形曲線之波峰位置伴隨圖案之微細化而顯著降低之現象，作為用以彌補該光量不足之方法，考慮增加曝光裝置之照射光量。認為若照射光量增加，則穿透間隙部之光量增大，故而可使抗蝕劑圖案之形狀優化，即，可分離成線與間隙圖案之形狀。但是，為此而大光量地變更曝光裝置之光源並不現實，且必須大幅增加曝光時之掃描曝光時間。
實際上，圖2(e)中表示藉由增加照射光量而使抗蝕劑圖案良好地分離之情形。此處，相對於圖2(a)~(d)中使用之照射量，必須為1.5倍之照射光量。
且說，於上述專利文獻1中記載有一種光罩，其係藉由使形成於透明基板上之半透光膜圖案化而形成有特定之圖案、且具有透光部與半透光部之光罩，在藉由穿透該光罩之曝光光而於被轉印體上形成有線寬未達3μm之轉印圖案之光罩中，上述透光部或上述半透光部之至 少一者具有未達3μm之線寬之部分，且包含包括上述透光部與上述半透光部之圖案。
根據上述專利文獻1之光罩，認為可抑制圖1(b)中將圖案微細化時所產生之透光部之光強度波峰位置之降低，且可形成線與間隙圖案形狀之抗蝕劑圖案。此意味著形成於透明基板上之半透光膜之圖案可輔助包含透光部之轉印用圖案整體之穿透光量，使其達到可使抗蝕劑實行圖案化(即正型抗蝕劑藉由顯影而可去除)之必要光量。
另一方面，要求近年來之平面顯示器之配線圖案之進一步微細化，又，產生進一步提高圖案化之穩定性或精度之要求。
本發明係鑒於上述問題點而完成者，其目的在於提供一種可確實且精緻地轉印微細圖案之光罩、圖案轉印方法及平面顯示器之製造方法。
(1)為達成上述目的，本發明之光罩之特徵在於：其係具備轉印用圖案者，該轉印用圖案係於透明基板上具有透光部、形成有穿透曝光光之一部分之半透光膜之半透光部、及形成有遮光性之膜之遮光部者；上述半透光膜相對於上述轉印用圖案之轉印中使用之曝光光之代表波長，具有2~60%之穿透率、及90°以下之相位偏移作用，上述半透光部係與上述遮光部之邊緣鄰接，且形成為不會藉由曝光裝置而解像之寬度者。
(2)較佳為，於上述(1)之光罩中，可形成為如下之構成：上述半透光部具有分別鄰接於上述遮光部之對向之邊緣而設置之第1半透光部、及第2半透光部，上述第1半透光部與第2半透光部之寬度分別為不會藉由曝光裝置而解像之固定寬度，且為彼此相等之寬度。
(3)較佳為，於上述(1)或(2)之光罩中，可形成為如下之構成：上述轉印用圖案係線與間隙圖案，且於被轉印體上，形成有線寬或間隙 寬度未達3μm之線與間隙。
(4)較佳為，於上述(1)之光罩中，可形成為如下之構成：上述半透光部係在藉由連續之上述遮光部而包圍之區域中，與上述遮光部之邊緣鄰接，且形成為不會藉由曝光裝置而解像之固定寬度者。
(5)較佳為，於上述(1)或(4)之光罩中，可形成為如下之構成：上述轉印用圖案係通孔圖案，且係於被轉印體上形成有具有未達3μm之孔徑之通孔者。
(6)為達成上述目的，本發明之圖案轉印方法之特徵在於：使用如上述(1)至(5)之任一項之光罩，且使用曝光裝置而將上述轉印用圖案轉印至被轉印體上。
(7)為達成上述目的，本發明之平面顯示器之製造方法之特徵在於：使用如上述(6)之圖案轉印方法。
根據本發明之光罩、圖案轉印方法及平面顯示器之製造方法，可獲得一種於被轉印體上可確實且精緻地轉印微細圖案之光罩。
1、2、3‧‧‧光罩
10‧‧‧透明基板
20‧‧‧半透光膜
21‧‧‧半透光部
21A‧‧‧第1半透光部
21B‧‧‧第2半透光部
30‧‧‧遮光膜
31‧‧‧遮光部
40‧‧‧光阻膜
41、51‧‧‧抗蝕劑圖案
L‧‧‧線
S‧‧‧間隙
圖1(a)係表示二元光罩之線與間隙圖案之模式圖，(b)係表示藉由(a)之二元光罩而產生之被轉印體上之光強度曲線之圖表。
圖2(a)~(d)係分別表示藉由圖1(b)之光強度曲線中之間距寬度為P=8~5μm之線與間隙圖案之穿透光而形成之抗蝕劑圖案之剖面形狀。(e)係表示在與(d)相同之間距寬度下，使曝光裝置之照射光量增加至1.5倍時之抗蝕劑圖案之剖面形狀。
圖3(a)係表示本發明之第1實施形態之線與間隙圖案之光罩之剖面模式圖，(b)係(a)之部分放大圖。
圖4(a)係本發明之第2實施形態之線與間隙圖案之光罩之剖面模式圖，(b)係(a)之部分放大圖。
圖5(a)~(g)係表示圖3所示之光罩之製造步驟之流程圖。
圖6(a)~(g)係表示圖4所示之光罩之製造步驟之流程圖。
圖7(a)~(f)係表示圖3所示之光罩之其他製造步驟之流程圖。
圖8係表示將轉印用圖案設為線與間隙圖案之光罩之比較例1(二元光罩)。(a)表示光罩影像。(b)表示照射至被轉印體上之穿透光之光強度分佈。(c)表示模擬結果即光強度分佈之波峰強度、對比度、照射光量(基準)、及抗蝕劑膜損耗(基準)。(d)表示藉由比較例1之二元光罩而形成之抗蝕劑圖案形狀。
圖9係表示將轉印用圖案設為線與間隙圖案之光罩之參考例1(穿透輔助光罩1)。(a)表示光罩影像。(b)表示照射至形成於被轉印體上之抗蝕劑膜上之穿透光之光強度分佈。(c)表示模擬結果即光強度分佈之波峰強度、對比度、照射光量、及抗蝕劑膜損耗。(d)表示藉由參考例1之穿透輔助光罩1而形成之抗蝕劑圖案形狀。
圖10係表示將轉印用圖案設為線與間隙圖案之光罩之實施例1(穿透輔助光罩2)。(a)表示光罩影像。(b)表示照射至形成於被轉印體上之抗蝕劑膜上之穿透光之光強度分佈。(c)表示模擬結果即光強度分佈之波峰強度、對比度、照射光量、及抗蝕劑膜損耗。(d)表示藉由實施例1之穿透輔助光罩2而形成之抗蝕劑圖案形狀。
圖11(a)~(c)係表示分別將轉印用圖案設為通孔圖案之光罩之比較例2(二元光罩)、參考例2(穿透輔助光罩3)、實施例2(穿透輔助光罩4)之光罩影像。(d)係模擬評估項目及其說明圖。
圖12係對圖11之比較例2、參考例2、實施例2之模擬結果進行比較者，(a)係表示照射光量之圖表，(b)係表示抗蝕劑傾斜角之圖表，(c)係表示抗蝕劑膜損耗之圖表。
本發明之光罩具備轉印用圖案，該轉印用圖案係於透明基板上 具有：透光部；形成有穿透曝光光之一部分之半透光膜之半透光部；及形成有遮光性之膜之遮光部。而且，本發明之光罩之特徵在於：半透光膜相對於轉印用圖案之轉印中使用之曝光光之代表波長，具有2~60%之穿透率、及90°以下之相位偏移作用，半透光部係與遮光部之邊緣鄰接，且形成為不會藉由曝光裝置而解像之寬度者。將此種本發明之光罩之實施形態例示於圖3~圖7(剖面)、圖10(a)及圖11(c)(俯視)中。
<光罩之實施形態>
圖3(a)及(b)係關於本發明之第1實施形態之線與間隙圖案形成用之光罩1所具有之轉印用圖案之剖面模式圖及部分放大圖。又，圖4(a)及(b)係關於本發明之第2實施形態之線與間隙圖案形成用之光罩2所具有之轉印用圖案之剖面模式圖及部分放大圖。將俯視該等光罩1、2時之光罩影像示於圖10(a)中。進而，將俯視本發明之第3實施形態之通孔圖案形成用之光罩3之光罩影像示於圖11(c)中。
再者，於本說明書中，對於在被轉印體上用以形成線與間隙圖案之光罩所具有之轉印圖案，稱為線與間隙圖案，又，對於在被轉印體上用以形成通孔圖案之光罩所具有之轉印圖案，稱為通孔圖案。此處，作為轉印圖案之線與間隙圖案中之線圖案係設為透光部以外之部分(遮光部及半透光部)，間隙圖案係指透光部。又，將轉印圖案中之通孔圖案設為透光部。
以下說明之實施形態中，列舉具體例主要對線與間隙圖案之光罩1、2進行說明。
具有本實施形態之線與間隙圖案之光罩1、2係將形成於透明基板10上之半透光膜20與遮光性之膜(以下，稱為遮光膜)30實施圖案化而形成。光罩1、2之不同在於，半透光膜20與遮光膜30之積層順序互為相反。
首先，對構成本實施形態之光罩1、2之透明基板10、半透光膜20、遮光膜30進行說明。
作為構成本實施形態之光罩1、2之透明基板10，使用將表面研磨後之石英玻璃基板等。透明基板10之大小並無特別限制，根據使用光罩1、2進行曝光之基板(例如平面顯示器用基板等)而適當選定。作為此種透明基板10，例如使用一邊為300mm以上之矩形基板。
如圖3(a)及圖4(a)所示，本實施形態之光罩1、2具有：包含半透光部21與遮光部31之線L、及包含透光部之間隙S。
在穿透曝光光之透光部中，較佳為透明基板10露出。半透光部21係於透明基板10上形成半透光膜20而成，該半透光膜20可為單層，亦可為藉由複數層之積層而形成者。該半透光膜20相對於曝光光中所含之代表波長之光，具有2~60%之穿透率，且相對於上述代表波長，具有90°以下之相位偏移作用。圖3(a)中之遮光部係於半透光膜上積層遮光膜而成，圖4(a)中之遮光部係於遮光膜上積層半透光膜而成。
半透光膜所具備之光學特性中，所謂90°以下之相位偏移作用，較佳為相對於上述曝光光之代表波長之相位偏移量為超過0°且為90°以下。該情形時之半透光部21與其說具有所謂發揮相位偏移作用而提高對比度之功能，倒不如說具有輔助透光部之穿透光量之功能。因此，可認為半透光膜20係穿透輔助膜，且可認為半透光部21係穿透輔助部。
再者，經本發明者等人之研究而發現，若假設半透光膜20之相位偏移量為接近180°者，則在半透光部21(即，圖中之第1及第2半透光部21A、21B)與透光部之交界上經相位反轉之繞射光會相互干涉，從而阻礙本發明之特徵之一即穿透光量之輔助功能。
又考慮到，於相位偏移量過小之情形時，構成半透光膜20之素 材之選擇並不容易，於相位偏移量過大之情形時，會產生如上所述反相位之光之干涉而損及穿透光量之輔助效果，從而較理想的是選擇半透光膜20之素材與膜厚。半透光膜20之相位偏移量之範圍係設為超過0°、且90°以下(其係指以弧度表示時，為(2n-1/2)π~(2n+1/2)π(n為整數)之範圍)，較佳為5~60°，更佳為5~45°。
所謂半透光膜20之穿透率，係指將透明基板10相對於上述代表波長之穿透率設為100%時之半透光膜20的穿透率。若半透光膜20之穿透率過小，則無法充分發揮本發明之穿透光量之輔助功能，若穿透率過大，則半透光膜之膜厚控制等光罩製造之難度變高，故而將半透光膜20之穿透率設為上述之2~60%之範圍。再者，半透光膜20之較佳之穿透率範圍為10~50%，更佳為10~35%，進而更佳為15~30%。
此處，作為上述曝光光之代表波長，於曝光光包含複數波長之情形時(例如，於使用包含i線、h線、g線之光源之情形時)，可設為該等波長之任一者。例如，可將i線設為代表波長。對於該等波長之任一者，均更佳為滿足上述數值範圍。
遮光膜30亦可未必具有相對於曝光光之完全之遮光性。於(僅以遮光膜30之單層或以遮光膜30與半透光膜20之積層)而形成有遮光部31時，只要該部分之曝光光穿透率小於半透光部21之曝光光穿透率即可。就積層之情形時之遮光部31之較佳之曝光光穿透率而言，較佳為將遮光膜30與半透光膜20積層時，相對於曝光光之光學濃度OD(Optical Density)為3以上，更佳為遮光膜單獨且OD為3以上。
又，遮光部31亦可由遮光膜30單獨形成，但較佳為如圖3及圖4所示，以半透光膜20與遮光膜30之積層而構成。於該情形時，積層順序並無限制。
關於與遮光部31之邊緣鄰接而形成有本實施形態之半透光部21 之情形，將線與間隙圖案之情形示於圖10(a)中，將通孔圖案之情形示於圖11(c)中。如該等圖式所示，任一情形時，半透光部21均與遮光部31之邊緣鄰接，且亦與透光部鄰接。即，半透光部21係位於遮光部31與透光部之間。本實施形態中，半透光部21形成為固定寬度。
以下，列舉線與間隙圖案之情形為具體例，一面參照圖3、圖4及圖10，一面對第1及第2半透光部21A、21B進行詳細描述。
圖10(a)所示之第1及第2半透光部21A、21B分別鄰接於遮光部31之兩側之邊緣，且形成為不會藉由曝光裝置而解像之寬度。
一般而言，於LCD用曝光裝置(下述)中，將解像限度設為3μm左右。本實施形態之第1及第2半透光部21A、21B之寬度為未達該3μm之尺寸。因此，成為於曝光時於被轉印體上不會解像之程度之寬度。即，根據特定之曝光條件，在對轉印用圖案照射曝光光時，被轉印體接收之穿透光之光強度曲線上，在與第1及第2半透光部21A、21B相當之部分中，並未觀測到獨立之(非連續之)圖案形狀，而是描繪有在透光部之光強度之波峰、與遮光部31之光強度之波谷之間順利地連續之曲線。將該狀態示於圖10(b)中。
此處，圖10(a)所示之與遮光部31之線之兩邊緣鄰接而設置之固定寬度之第1及第2半透光部21A、21B於上述光強度曲線中，並未作為獨立之(非連續之)圖案而呈現，此處起到對透光部之波峰部分之光量進行輔助之作用。藉此，於所形成之抗蝕劑圖案之一側面中，殘膜量單調增加、或單調減少。
再者，關於圖8~圖10所示之光強度曲線、及由此而形成之抗蝕劑圖案形狀，任一者均係藉由光學模擬而獲得者。作為模擬條件，考慮用於圖案轉印之曝光裝置之光學條件而設定。此處，可將用於圖案轉印之曝光裝置作為標準的LCD(LCD：Liquid Crystal Display，液晶顯示器)用曝光裝置。於該情形時，例如可將數值孔徑NA設為0.06~ 0.10，且將相干因素σ設為0.5~1.0之範圍。此種曝光裝置一般而言，係將3μm左右作為解像限度。
當然，本發明亦可於更廣範圍之使用有曝光裝置之圖案轉印時應用。例如，可將數值孔徑NA設為0.06~0.14、或設為0.06~0.15之範圍。對於數值孔徑NA超過0.08之高解像度之曝光裝置亦產生要求，本發明亦可應用於該等。
此種曝光裝置中，作為光源，包含i線、h線、g線，可使用包含所有該等之照射光(對單一光源而言，其係較寬之光源，故而以下亦稱為「寬光」)。於該情形時，亦可將代表波長設為i線、h線、g線之任一者為如上所述。於模擬時，為了單純化而可將該等之強度比設為1：1：1，或者亦可設為考慮實際使用之曝光裝置之強度比後之比率。
返回至圖10，作為本發明之光罩之較佳之實施形態，半透光部21具有分別鄰接於遮光部31之對向之邊緣而設置之第1半透光部21A及第2半透光部21B。而且，第1半透光部21A與第2半透光部21B之寬度分別為不會藉由曝光裝置而解像之固定寬度，且可設為彼此相等之寬度。
此種光罩例如如圖3(a)、(b)所示，具備轉印用圖案，該轉印用圖案包含：使積層於透明基板10上之半透光膜20與遮光膜30分別圖案化而形成之透光部(參照圖中之符號S)、半透光部20、及遮光部30，透光部使透明基板10露出，遮光部31係於透明基板10上，於半透光膜20上積層遮光膜30而形成，半透光部21係於透明基板10上形成半透光膜20而成，半透光部21包含：與遮光部31之第1邊緣鄰接而形成之第1半透光部21A、及與遮光部31之與第1邊緣對向之第2邊緣鄰接而形成之第 2半透光部21B，第1及第2半透光部21A、21B之寬度分別為不會藉由曝光裝置而解像之固定寬度，且具有彼此相等之寬度。
上述之光罩1亦可以如下方式而表現。
光罩1係具備轉印用圖案者，該轉印用圖案包含：使該透明基板10上之半透光膜20及遮光膜30分別圖案化而形成之透光部、半透光部20、及遮光部30，透光部使透明基板10露出，遮光部31係於透明基板10上，於半透光膜20上積層遮光膜30而形成，半透光部21係於透明基板10上，形成半透光膜20而成，半透光部21包含：與透光部之第1邊緣鄰接而形成之第1半透光部21A、及與透光部之與第1邊緣對向之第2邊緣鄰接而形成之第2半透光部21B，第1及第2半透光部21A、21B之寬度分別為不會藉由曝光裝置而解像之固定寬度，且具有彼此相等之寬度。
即，第1及第2半透光部21A、21B係與遮光部31之邊緣鄰接，並且與透光部之邊緣鄰接。
第1半透光部21A、第2半透光部21B係以遮光部31為中心而對稱、且對向地形成，且為彼此相等之寬度。此處，所謂彼此相等之寬度，較佳為第2半透光部21B之線寬相對於第1半透光部21A之線寬之不同為0.1μm以內。更佳為0.05μm以內。又，於該光罩1所具備之轉印用圖案之整體中，較佳為將半透光部21之線寬精度設為上述範圍內。藉此，賦予透光部之穿透光量之輔助作用成對稱，從而可精緻地控制形成於被轉印體上之圖案之線寬精度。
此處，本發明之光罩中，當透光部之寬度成為3μm以下時，因 下述理由而使本發明之穿透光量之輔助效果為顯著。其原因在於，若透光部之尺寸(寬度)變小，則繞射之影響變大，並且穿透透光部之光強度曲線之波峰下降，故而到達抗蝕劑膜而使抗蝕劑感光時，易成為光量不足。對於此種現象，本發明之光罩可消除不良情形。於透光部之寬度為2μm以下之情形時，上述穿透光量之輔助效果更大。
如下述實施例所示，將本發明之半透光部與該半透光部係遮光部之一部分之情形(為二元光罩之情形)相比較，具有使穿透透光部之光強度曲線之波峰上升之功能。因此，本發明之光罩於在被轉印體上形成未達3μm之間隙圖案時特別有利。
又，對於如上所述之透光部具有穿透光量之輔助功能之半透光部之寬度若過大，則所形成之抗蝕劑圖案之側面形狀之倒塌易變得顯著，故而較佳為1μm以下。作為半透光部之寬度之較佳之範圍，為0.1~1μm。如本實施形態般與遮光部31之對向之邊緣鄰接而分別形成第1半透光部21A、第2半透光部21B之情形時，第1半透光部21A與上述第2半透光部21B之寬度之任一者均較佳為1μm以下(0.1~1μm)。
圖3及圖4之任一者均係將線與間隙圖案作為轉印用圖案時之例，但本發明之光罩之轉印用圖案之形狀或用途並無限制。可形成為線與間隙圖案，或亦可如圖11(c)所示應用於通孔圖案。於通孔圖案之情形時，半透光部之寬度亦可與上述同樣地設定。進而，本發明亦可用於本說明書及圖式中例示之圖案以外之轉印用圖案。
又，對本發明之光罩而言，其積層構造亦具有自由度，如圖3所示，可具有於半透光膜20上積層有遮光膜30而成之遮光部31，或如圖4所示，亦可具有於遮光膜30上積層有半透光膜20而成之遮光部31。該等情況關係到以下說明之本實施形態之光罩之製造方法。
再者，本發明之光罩被有利地應用於使形成於被轉印體上之轉 印像成為2灰階之用途。即，與欲取得所謂多階之抗蝕劑殘膜值之3灰階以上之多灰階光罩具有不同之功能。
<光罩之製造方法之實施形態>
其次，一面參照圖5、圖6及圖7一面對本發明之光罩之製造方法之實施形態進行說明。
[製造方法1]
按照圖5(a)~(g)，對上述圖3所示之光罩1之製造步驟(製造方法1)進行說明。
首先，準備圖5(a)所示之光罩基底。該光罩基底係於透明基板10上依序形成有半透光膜20與遮光膜30，進而於遮光膜30上形成有正型光阻膜40者。
然後，如圖5(a)所示，使用未圖示之繪圖機，將用以形成圖3所示之遮光部31之圖案繪圖於光阻膜40上。
繼而，如圖5(b)所示，對光阻膜40進行顯影，形成抗蝕劑圖案41。
進而，如圖5(c)所示，將經由上述第1次顯影步驟而形成之抗蝕劑圖案41作為遮罩，對遮光膜30進行蝕刻。藉此，形成遮光部31。再者，遮光膜30之蝕刻可為乾式蝕刻亦可為濕式蝕刻。蝕刻劑可使用公知者。
其次，剝離圖5(c)所示之抗蝕劑圖案41之後，如圖5(d)所示，於形成有遮光部31之半透光膜20之整個面上，再次形成光阻膜50，且藉由繪圖機而將用以形成圖3所示之半透光部21之圖案進行繪圖。
然後，如圖5(e)所示，對光阻膜50進行顯影而形成抗蝕劑圖案51。
其次，如圖5(f)所示，將經由上述第2次顯影步驟而形成之抗蝕劑圖案51作為遮罩，對半透光膜20進行蝕刻，形成半透光部21。與上 述同樣地，半透光膜20之蝕刻亦可為乾式或濕式蝕刻，且可使用公知之蝕刻劑進行。
其後，剝離圖5(f)所示之抗蝕劑圖案51，藉此完成圖5(g)所示之構成之光罩1。
[製造方法1之變更例]
上述製造方法1中，亦可如下述i)~vi)般進行變更。
i)準備與上述圖5(a)中說明者相同之光罩基底，將用以形成半透光部21之圖案繪圖於光阻膜上。
ii)對上述i)之光阻膜進行顯影，形成抗蝕劑圖案。
iii)將上述ii)中形成之抗蝕劑圖案作為遮罩，對遮光膜進行蝕刻，繼而對半透光膜進行蝕刻。
iv)剝離抗蝕劑圖案，再次於整個面上形成光阻膜，且將用以形成遮光部之圖案進行繪圖。
v)對上述iv)之光阻膜進行顯影，形成抗蝕劑圖案。
vi)將上述v)之抗蝕劑圖案作為遮罩，對遮光膜進行蝕刻。藉此，形成特定之寬度之遮光部，完成圖5(g)所示之構成之光罩1。
再者，於不失去本發明之光罩之功能之限度內，除半透光膜、遮光膜外，不排除形成其他膜之情形。例如，在半透光膜與遮光膜之蝕刻選擇性不充分之情形時，即，相對於上層膜之蝕刻劑，下層膜不具有充分之耐性之情形時，在下層膜與上層膜之間亦可設置蝕刻終止層。較佳為，遮光膜與半透光膜包含具有各自之蝕刻選擇性之膜材料為宜。
[製造方法2]
按照圖6(a)~(g)，對上述圖4所示之光罩2之製造步驟(製造方法2)進行說明。
首先，準備圖6(a)所示之光罩基底。該光罩基底係於透明基板10 上成膜遮光膜30、進而於遮光膜30上形成光阻膜40而成者。
然後，如圖6(a)所示，使用未圖示之繪圖機，將用以形成圖4所示之遮光部31之圖案繪圖於光阻膜40上。
其次，如圖6(b)所示，對經過上述第1次之繪圖步驟後之光阻膜40進行顯影，形成抗蝕劑圖案41。
繼而，如圖6(c)所示，將抗蝕劑圖案41作為遮罩，對遮光膜30進行蝕刻。藉此，於透明基板10上形成遮光部31。
其後，剝離圖6(c)所示之抗蝕劑圖案41之後，如圖6(d)所示，於包含經由上述遮光膜之蝕刻步驟而形成之遮光部31之透明基板10之整個面上，成膜半透光膜20。
其次，如圖6(e)所示，於半透光膜20上再次形成光阻膜50之後，將用以形成圖4所示之半透光部21之圖案繪圖於光阻膜50上。
然後，如圖6(f)所示，對經過上述第2次之繪圖步驟後之光阻膜50進行顯影，形成抗蝕劑圖案51。其後，將該抗蝕劑圖案51作為遮罩，對半透光膜20進行蝕刻。藉此，形成半透光部21(圖6(g))。
其後，剝離圖6(f)所示之抗蝕劑圖案51，藉此完成圖6(g)所示之構成之光罩2。
於上述製造方法2之情形時，在半透光膜20與遮光膜30之間，並不特別需要蝕刻選擇性，故而具有材料選擇之自由度較廣之優點。
[製造方法3]
按照圖7(a)~(f)，對圖3所示之光罩1之其他製造步驟3進行說明。
首先，準備圖7(a)所示之光罩基底。此處，該光罩基底係於透明基板10上依序形成半透光膜20與遮光膜30，進而於遮光膜30上形成光阻膜60而成者。
然後，如圖7(a)所示，使用未圖示之繪圖機，將用以形成圖3所 示之半透光部21之圖案繪圖於光阻膜60上。
其次，如圖7(b)所示，對經過上述繪圖步驟後之光阻膜60進行顯影，形成抗蝕劑圖案61。
然後，如圖7(c)所示，將上述抗蝕劑圖案61作為遮罩，以遮光膜用蝕刻劑對遮光膜30進行蝕刻。
如圖7(d)所示，繼而，以半透光膜用蝕刻劑對半透光膜20進行蝕刻。藉此，形成特定寬度之半透光部21。
其次，如圖7(e)所示，將上述抗蝕劑圖案61作為遮罩，以遮光膜用濕式蝕刻劑對遮光膜30進行側面蝕刻。藉此，形成特定寬度之遮光部31。
其後，剝離圖7(e)所示之抗蝕劑圖案61，藉此完成圖7(f)所示之構成之光罩1。
於上述製造方法3之情形時，半透光膜20與遮光膜30係使用彼此具有蝕刻選擇性之材料。又，於圖7(e)所示之第2次之遮光膜之蝕刻步驟中，利用等向性蝕刻之側面蝕刻，故而應用濕式蝕刻較為適當。
上述製造方法1~3中，於使用製造方法3時，可獲得半透光部21之線寬精度最高，故而係理想之方法。根據該製造方法3，可將繪圖步驟設為1次，故而與必須2次繪圖之製造方法1及2相比，可避免因對準偏移而導致之圖案精度之劣化。
<使用有光罩之圖案轉印方法>
本發明進而包含使用有上述本發明之光罩之圖案轉印方法。即，如上所述本發明之光罩具有穿透光量之輔助效果。因此，若使用本發明之光罩將轉印用圖案轉印至被轉印體上，則不會使曝光裝置之照射光量增加(或減少)而可將微細圖案進行轉印，於節能或縮短曝光時間、提高生產效率方面帶來顯著之優點。
例如，本發明之光罩若應用於在被轉印體上形成線寬及/或間隙 寬度為未達3μm之線與間隙則為有用。例如，於液晶顯示裝置之透明電極圖案等平面顯示器之領域中應用於多種用途。此種線與間隙圖案之形成中，若線寬為未達3μm則難度較高，故而本發明之效果為顯著。
又，本發明之光罩可設為具有通孔形成用之轉印用圖案者。於該情形時，作為形成有孔徑未達3μm之通孔之圖案為有用。例如，可利用於薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)之接觸通孔等。
本發明之光罩中，作為半透光膜之材料，可列舉Cr化合物(Cr之氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、氮氧碳化物等)、Si化合物(SiO2、SOG)、及金屬矽化物化合物(TaSi、MoSi、WSi或其等之氮化物、氮氧化物等)等。
作為遮光膜之材料，除Cr或Cr化合物(Cr之氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、氮氧碳化物等)之外，可列舉Ta、W或其等之化合物(包含上述金屬矽化物)等。
在遮光膜與半透光膜之間需要蝕刻選擇性之情形時，對遮光膜使用Cr或Cr化合物，且對半透光膜使用Si化合物或金屬矽化物化合物即可。或者，相反，亦可對半透光膜使用Cr化合物，且對遮光膜使用金屬矽化物化合物。
[實施例1]
以下，參照圖8~圖10，對將轉印用圖案設為線與間隙圖案之光罩之比較例1、參考例1、及實施例1進行說明。
[比較例1]
圖8係表示將使遮光膜(OD為3以上)圖案化而形成之線與間隙圖案作為轉印圖案之光罩(二元光罩)之比較例1。此處，圖8(a)表示用於本比較例1之轉印用圖案。圖8(b)表示對該轉印用圖案進行曝光時，照射至形成於被轉印體上之抗蝕劑膜上之穿透光之光強度分佈。圖 8(c)表示藉由本模擬而獲得之各評估項目值。圖8(d)表示藉由比較例1之二元光罩而形成之抗蝕劑圖案形狀。
圖8(a)中，比較例1之二元光罩係將於未圖示之透明基板上包含透光部與遮光部31之線與間隙圖案作為轉印用圖案之光罩。於比較例1中，將線與間隙圖案之間距寬度P設定為7μm(線寬ML=3.5μm，間隙寬度MS=3.5μm)。
此處應用之模擬光學條件中，曝光裝置之數值孔徑NA為0.085，相干因素σ為0.9，照射光源之強度為包含i線、h線、g線之寬光，且將強度比設為g線：h線：i線=1：0.8：0.95。作為抗蝕劑使用酚醛系之正型，且將初始膜厚設為1.5μm。
又，作為評估項目之對比度(Contrast)，於圖8(b)中，將極大值設為Imax，且將極小值設為Imin時， Contrast=(Imax-Imin)/(Imax+Imin)。
再者，該等於以下描述之穿透輔助光罩1(參考例1、圖9)、及穿透輔助光罩2(實施例1、圖10)中，亦共通地應用。
此處，將於被轉印體上用以形成線寬為2.9μm(間距寬度P為7μm)之線與間隙圖案而必要之照射光量設為照射光量Eop，以比較例1(二元光罩)中之照射光量為基準，評估參考例1、實施例1。又，關於抗蝕劑膜損耗之項目，係指相對於形成於被轉印體上之抗蝕劑膜厚(初始膜厚為1.5μm)之減膜量，與上述同樣以比較例1為基準，評估參考例1、實施例1。
首先，藉由圖8(b)、(c)及(d)而說明比較例1(二元光罩)之模擬結果。將穿透比較例1之二元光罩之轉印用圖案之穿透光照射至形成於被轉印體上之抗蝕劑膜上，於該抗蝕劑膜上形成如圖8(b)所示之光強度分佈。藉由此種光強度分佈而形成之抗蝕劑圖案之形狀成為如圖8(d)所示。
又，如圖8(c)所示，比較例1之光強度分佈之波峰強度(Peak Intensity)為0.82，對比度為0.92。
[參考例1]
圖9係表示將使半透光膜圖案化而形成之線與間隙圖案作為轉印用圖案之光罩之參考例1(穿透輔助光罩1)者。與上述比較例1同樣地，圖9(a)表示轉印用圖案，圖9(b)表示照射至形成於被轉印體上之抗蝕劑膜上之穿透光之光強度分佈，圖9(c)表示本模擬之各評估項目值。圖9(d)表示藉由參考例1之穿透輔助光罩1而形成之抗蝕劑圖案形狀。
圖9(a)中，參考例1之穿透輔助光罩1係將於未圖示之透明基板上包含透光部與半透光部21之線與間隙圖案作為轉印用圖案之光罩。形成有參考例1之半透光部21之半透光膜相對於代表波長i線之曝光光穿透率為8%，相位偏移量成為45°。參考例1之線與間隙圖案之間距寬度P與上述比較例1為相同。參考例1之模擬光學條件亦與上述比較例1為相同。
將參考例1之模擬結果示於圖9(b)、(c)及(d)中。將穿透參考例1之穿透輔助光罩1之轉印用圖案之穿透光照射至形成於被轉印體上之抗蝕劑膜上，於該抗蝕劑膜上形成如圖9(b)所示之光強度分佈。藉由此種光強度分佈而形成之抗蝕劑圖案之形狀成為如圖9(d)所示。
如圖9(c)所示，參考例1之穿透輔助光罩1中，與上述比較例1相比，可將照射光量(DOSE量Eop)減少約25%。即，可將曝光裝置之掃描曝光之時間縮短25%。
其另一方面，於被轉印體接受之曝光光之光強度分佈中，對比度為0.74，與上述比較例1相比而變小少許。隨此，所形成之抗蝕劑圖案之形狀(參照圖9(d))中，其側面之傾斜角(相對於水平面以90°作為最大時之傾斜角)與上述比較例1相比而變小。此意味著於被轉印體 之加工製程中，源於步驟變動之線寬之變動會變大。
[實施例1]
圖10係表示具有本發明之轉印用圖案之光罩之實施例1(穿透輔助光罩2)。與上述比較例1同樣地，圖10(a)表示轉印用圖案，圖10(b)表示照射至形成於被轉印體上之抗蝕劑膜上之穿透光之光強度分佈，圖10(c)表示本模擬之各評估項目。圖10(d)表示藉由實施例1之穿透輔助光罩2而形成之抗蝕劑圖案形狀。
圖10(a)中，實施例1之穿透輔助光罩2係具有上述本發明之線與間隙圖案作為轉印用圖案之光罩。該穿透輔助光罩2設為如下構成：與上述比較例1相同之間距寬度P，但其線圖案係與遮光部31之兩側邊緣鄰接而設置有第1及第2半透光部21A、21B(基於穿透率為20%、相位差為45°之半透光膜)。穿透輔助光罩2之線圖案成為如下構成：與1.5μm之遮光部31之兩側邊緣鄰接，且分別設置有1.0μm之第1及第2半透光部21A、21B。此種實施例1之模擬光學條件與上述比較例1為相同。
將實施例1之模擬結果示於圖10(b)、(c)及(d)。將穿透實施例1之穿透輔助光罩2之轉印用圖案之穿透光照射至形成於被轉印體上之抗蝕劑膜上，於該抗蝕劑膜上形成如圖10(b)所示之光強度分佈。藉由此種光強度分佈而形成之抗蝕劑圖案之形狀成為如圖10(d)所示。
如圖10(c)所示，於實施例1之穿透輔助光罩2中，與上述參考例1同樣地，可將用於形成抗蝕劑圖案所必要之照射光量(DOSE量Eop)與上述比較例1相比削減約26%。進而，於實施例1之穿透輔助光罩2中，與上述比較例1相比，幾乎未見光強度分佈之對比度之降低。
此處，如圖10(d)所示，對實施例1之穿透輔助光罩2而言，與上述參考例1相比，抗蝕劑圖案側面之傾斜角變得更大而有提高。抗蝕劑圖案之側面之傾斜角得以改善會大大有助於將該抗蝕劑圖案作為遮 罩而進行之被轉印體之蝕刻步驟之穩定性。其原因在於，由於蝕刻時間或蝕刻速度之不均，使得藉由蝕刻而形成之圖案線寬之不均變小。
又，與實施例1之光罩相同設計之具有轉印用圖案之光罩，不存在穿透輔助圖案，與上述比較例1之二元光罩相比，於實施例1中，呈現約26%之照射光量之削減效果。藉由此種照射光量之削減效果，本發明之光罩與將其半透光膜之穿透輔助圖案部分替換為遮光膜而與遮光部形成為一體之情形時之光罩(先前之二元光罩)相比較，可形成以少10%以上之照射光量進行曝光之光罩。更佳為，可形成以少20%以上之照射光量進行曝光之光罩。
根據上述實施例1之模擬結果，本發明之光罩之作用效果可以如下方式進行說明。即，本發明之光罩於遮光部之邊緣附近，設置有具有用以輔助透光部之穿透光量之功能之穿透輔助圖案。藉由該構成，於如圖10(b)所示之穿透光罩之穿透光之光強度曲線上，可使相對於透光部之中心之曲線之波峰位置之穿透量成為充分高之值，而且，可抑制與遮光部之中心對應之曲線之波谷位置上升。因此，光強度曲線之傾斜變大，作為結果，可加大如圖10(d)所示之形成於被轉印體上之抗蝕劑圖案之側面形狀之傾斜角(相對於光罩面，更接近垂直)。此種抗蝕劑圖案形狀之優化當然可作為圖案分佈之提高而認識。
[實施例2]
以下，一面參照圖11及圖12，一面對將轉印用圖案設為通孔圖案之光罩之比較例2、參考例2、及實施例2所實施之模擬進行說明。
<比較例2、參考例2、實施例2之各光罩之構成>
首先，一面參照圖11(a)~(c)一面對比較例2、參考例2、實施例2之各光罩之構成進行說明。圖11(a)~(c)係分別表示將轉印用圖案設為通孔圖案之光罩之比較例2(二元光罩)、參考例2(穿透輔助光罩3)、及實施例2(穿透輔助光罩4)之光罩影像。
圖11(a)中，比較例2之光罩為二元光罩(圖中之符號3)，其係於未圖示之透明基板上形成有包含遮光膜(OD為3以上)之遮光部31，且於該遮光部31之中央形成有作為透光部之正方形之通孔H。
圖11(b)中，參考例2之光罩係穿透輔助光罩3(圖中之符號4)，其係與上述比較例2為相同設計之轉印用圖案，且將上述比較例2之遮光部31替換為包含半透光膜之半透光部21。該半透光膜相對於代表波長i線之曝光光穿透率成為7%，相位偏移量成為45°。
圖11(c)中，本發明之實施例2之光罩係於遮光膜圖案之中央，具有固定寬度之半透光膜圖案，且具有藉由該半透光膜圖案而包圍透光部之通孔圖案。即，本發明之實施例2之光罩係穿透輔助光罩4(圖中之符號5)，其係於藉由連續之遮光部31而包圍之區域中，與該遮光部31之邊緣鄰接而形成有固定寬度之半透光部21。關於實施例2之半透光部21之曝光光穿透率，將於以下描述。
準備3種樣品，其係以上述之比較例2、參考例2、實施例2之各光罩之構成，將通孔H之尺寸設為邊長為4.0μm、2.5μm、2.0μm之正方形而製作。又，本發明之實施例2中，將3種樣品之半透光部21之寬度之任一者均設為0.5μm。
進而，於實施例2中，對於通孔H之尺寸為邊長為4.0μm及2.5μm之樣品，將其半透光部21中使用之半透光膜相對於代表波長i線之曝光光穿透率設為30%，對於通孔H之尺寸為邊長為2.0μm之樣品，將其半透光膜相對於代表波長i線之曝光光穿透率設為35%。於該條件時，如下述圖12所示，使參考例2與實施例2之照射光量Eop大致一致。
再者，參考例2、實施例2中使用之半透光膜之相位偏移量相對於代表波長i線為45°。
再者，於表示本光學模擬結果之圖12之圖表中，對於比較例2、 參考例2、實施例2各自之評估表示3個繪圖，該3個繪圖係分別對應於上述3種樣品者。
<模擬條件、評估項目>
將比較例2、參考例2、實施例2之具有通孔圖案之光罩分別進行藉由曝光裝置而曝光時之光學模擬。光學模擬條件中，將曝光裝置之數值孔徑NA設為0.085，將相干因素σ設為0.9，關於照射光源之強度，該照射光源係包含i線、h線、g線之寬光，且將其強度比設為g線：h線：i線=1：1：1。本光學模擬中，對圖11(d)所示之評估項目A~C進行評估。以下，對評估項目A~C進行說明。
<<A：照射光量(DOSE量(Eop))>>
圖11(d)之說明圖係表示藉由具有通孔圖案之光罩而形成之抗蝕劑圖案之剖面形狀。圖中塗黑之部分係成為蝕刻遮罩之抗蝕劑圖案，其間中空之部分係與通孔H對應之抗蝕劑圖案上之抽取圖案。
再者，此處，將照射光量(DOSE量(Eop))作為為了使光罩之通孔H之透光部寬度(CD)、與藉由穿透通孔H之曝光光而形成之抗蝕劑圖案上之抽取圖案寬度相等而必要之照射光量來評估。
照射光量Eop之數值越小，則生產效率越高，或者越節能。
<<B：抗蝕劑傾斜角>>
本光學模擬中之抗蝕劑傾斜角係圖11(d)之說明圖中所示之塗黑之抗蝕劑圖案之與通孔部分(抽取圖案)之交界部之傾斜角。關於該抗蝕劑傾斜角，於水平地載置被轉印體時，將相對於被轉印體之面而為垂直之情形時之傾斜角(90°)作為最大而表現。抗蝕劑傾斜角越大越佳。抗蝕劑傾斜角越大，則可越小地抑制將該抗蝕劑圖案用作蝕刻遮罩之情形時之孔徑或寬度之變動。
<<C：抗蝕劑膜損耗>>
表示抗蝕劑膜相對於初始膜厚(1.5μm)之減膜量。圖11(d)之說明 圖中所示之塗黑之抗蝕劑圖案之抗蝕劑膜損耗越小越佳。抗蝕劑膜損耗於乾式蝕刻中可變得特別深刻。
<模擬結果>
對於比較例2、參考例2、實施例2之各光罩，將上述評估項目A~C之模擬結果示於圖12。圖12(a)表示照射光量，圖12(b)表示抗蝕劑傾斜角，圖12(c)表示抗蝕劑膜損耗。
如圖12(a)所示，照射光量於比較例2中為最大，於參考例2及實施例2中為同等程度。與上述實施例1之模擬結果同樣地，本發明之光罩於採用通孔圖案之形態之情形時，與比較例2之二元光罩相比認為照射光量之削減效果顯著。
如圖12(b)所示，抗蝕劑傾斜角於比較例2之二元光罩中為最大，但實施例2之抗蝕劑傾斜角與該二元光罩相比幾乎未劣化。
如圖12(c)所示，實施例2與比較例2之二元光罩同等，幾乎未產生抗蝕劑膜損耗(使實施例2之值與比較例2之值大致疊合而繪圖)。
將以上之評估項目A~C作為綜合評估，本發明之光罩可節減曝光所必要之照射光量，而且可形成形狀優異之抗蝕劑圖案作為蝕刻遮罩。其原因在於，與遮光部之邊緣鄰接而形成之半透光部發揮輔助透光部之穿透光量之功能，取得曝光裝置之照射光量之削減效果。於先前難以圖案化之微細圖案中可實現此種抗蝕劑圖案之意義較大。
再者，於具有用以形成接觸通孔之通孔圖案之光罩中，不僅存在確實地形成微細之通孔之要求，而且存在將通孔剖面之傾斜角控制為所需值之要求。例如，假定於層間絕緣膜中形成配線形狀之槽、且埋入金屬時，若考慮埋入之難易度，則考慮於槽中欲精度較高地形成特定之傾斜角(例如20°~60°)之情形等。於此種情形時，於本發明之實施例2之光罩中，藉由選擇半透光部之尺寸或穿透率而控制成為蝕刻遮罩之抗蝕劑圖案之傾斜角為有用，又，亦可將形成為特定之形狀 之抗蝕劑圖案維持原樣地作為最終製品之一部分。
以上，參照複數之實施形態及實施例說明了本發明，但本發明並不限定於上述實施形態及實施例。對於本發明之構成或詳情，於請求項中記載之本發明之精神或範圍內可進行本領域技術人員能理解之各種變更。
1‧‧‧光罩
10‧‧‧透明基板
20‧‧‧半透光膜
21‧‧‧半透光部
21A‧‧‧第1半透光部
21B‧‧‧第2半透光部
30‧‧‧遮光膜
31‧‧‧遮光部
L‧‧‧線
S‧‧‧間隙

Claims (7)

  1. 一種光罩，其特徵在於：其係具備轉印用圖案者，該轉印用圖案係於透明基板上具有透光部、形成有穿透曝光光之一部分之半透光膜之半透光部、及形成有遮光性之膜之遮光部者；上述半透光膜相對於上述轉印用圖案之轉印中使用之曝光光之代表波長，具有2~60%之穿透率、及90°以下之相位偏移作用，上述半透光部係與上述遮光部之邊緣鄰接，且形成為不會藉由曝光裝置而解像之寬度者。
  2. 如請求項1之光罩，其中上述半透光部具有分別鄰接於上述遮光部之對向之邊緣而設置之第1半透光部、及第2半透光部，上述第1半透光部與第2半透光部之寬度分別為不會藉由曝光裝置而解像之固定寬度，且為彼此相等之寬度。
  3. 如請求項1之光罩，其中上述轉印用圖案係線與間隙圖案，且於被轉印體上形成有線寬或間隙寬度未達3μm之線與間隙。
  4. 如請求項1之光罩，其中上述半透光部係在藉由連續之上述遮光部而包圍之區域中，與上述遮光部之邊緣鄰接，且形成為不會藉由曝光裝置而解像之固定寬度者。
  5. 如請求項1之光罩，其中上述轉印用圖案係通孔圖案，且係於被轉印體上形成有具有未達3μm之孔徑之通孔者。
  6. 一種圖案轉印方法，其特徵在於：其係使用如請求項1至5中任一項之光罩，且使用曝光裝置而將上述轉印用圖案轉印至被轉印體上。
  7. 一種平面顯示器之製造方法，其特徵在於：其係使用如請求項6之圖案轉印方法。
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