JP7475209B2 - プロキシミティー露光用フォトマスク - Google Patents
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Description
なお、「ラインパターン(スペースパターン)」としたのは、ブラックマトリクスを形成するパターンをマスク側からみると「ラインパターン」ではなく「スペースパターン」となるためである。本明細書では、ブラックマトリクスを形成するパターンであることに鑑み、以下、「スペースパターン」と表記する。
前記パターン形成領域における前記遮光部と透過部との境界部には、露光光によって解像しない大きさの第1及び第2の補助パターンを具備し、
前記遮光膜のパターンは、露光後に線幅の異なる少なくとも2種類のスペースパターンを規定するパターン形状であり、
前記2種類の補助パターンは、いずれも露光後に前記補助パターンを具備しない場合よりも前記境界部における露光時の露光強度の均一性を相対的に高めるための一定線幅のパターン形状であると共に、
前記第1の補助パターンは、第1の線幅のスペースパターンの端部に形成され、
前記第2の補助パターンは、前記第1の線幅よりも太い第2の線幅のスペースパターンの端部に形成され、
前記第2の補助パターンは、前記第1の補助パターンよりも線幅が太い
ことを特徴とする。
本発明の基本的な考え方は、露光機側で回折光の増幅を行った際に、細線パターンに集中する露光光の強度を抑える一方、太線パターンに対しては両端部と中央部とで均一な露光光が得られるようにするために、補助パターンを設けることにある。この補助パターンは、線幅に応じたサイズに設定し、いずれも露光装置に対して解像されない一定幅の半透光膜により構成される。
図1は、一例として、線幅9μmの細線パターンと線幅40μmの太線パターンを含むプロキシミティ露光用のネガ型フォトマスク40のパターンの一部を示している。細線パターン1及び太線パターン2のそれぞれの端部には、線幅の異なる補助パターン10、20がそれぞれ形成されている。細線パターン1の端部に形成される補助パターン10は、太線パターン20の端部に形成される補助パターン20よりも線幅が細くなるように構成されている。
半透過膜としては、クロムCrの酸化物(Cr2O3)を用いることができる。
図4は、g線に対する透過率と膜厚の関係を調べた結果を示している。膜厚と透過率の関係を対数近似式で表すと、g線に対する透過率Trは、
Tr=-18.83ln+78.966
という結果となった。
図5(A)は、補助パターンを一切使用しないバイナリマスク(フォトマスク50)の露光強度を色相で分析して表したものである。白黒のため分かりにくいが太線パターンの露光強度は中央部が低いことを表しており、図6に示すグラフと照らして参照すると、その様子が理解される結果となった。
一方、図5(B)は、補助パターン10と補助パターン20を設けたフォトマスク40の露光強度を色相で分析して表したものである。細線パターン1と太線パターン2のいずれにおいても十分な露光強度で露光されている。これは色相で分析すると色相に別れず、均一な露光強度になっていることが分かる。図3に示すグラフと照らして参照すると、その様子が理解される結果となった。
補助パターンを構成する半透過膜は、遮光膜の上層に形成されていても、遮光膜の下層に形成されていてもよいが、寸法精度を確保する観点からは、遮光膜の上層に形成されている方がよいと考えられる。すなわち、通常のバイナリマスクの製造方法に、補助パターンを形成する工程を追加することで、上記のようなフォトマスク40が得られる。製造方法の詳細については実施形態2において説明する。この場合、2回露光が必要なため、2回目の露光の際にアライメントが必要となる。例えば、遮光膜のパターン形成時に、パターンエリア外にアライメントマークを設けておき、2回目のパターニングの際にはアライメントマークによって位置合わせを行い、第1及び第2の補助パターンを形成すれば良い。この工程は、遮光膜のパターン上に半透過膜が形成されたトップ型ハーフトーン多階調マスクの製造工程と同様である。アライメントの方法については上記の方法に限られない。
2 太線パターン
10 第1の補助パターン
20 第2の補助パターン
40、50 フォトマスク
B 遮光膜のパターン
W 透光部
i、ii 領域
Claims (7)
- ブラックマトリクス形成用のプロキシミティ露光用フォトマスクであって、
遮光膜のパターンからなる遮光部と半透過膜のパターンからなる半透過部のいずれかのみが形成されたパターン形成領域を含むと共に、
前記パターン形成領域における前記遮光部と透過部との境界部には、露光光によって解像しない大きさの第1及び第2の補助パターンを具備し、
前記遮光膜のパターンは、露光後に線幅の異なる少なくとも2種類のスペースパターンを規定するパターン形状であり、
前記2種類の補助パターンは、いずれも露光後に前記補助パターンを具備しない場合よりも前記境界部における露光時の露光強度の均一性を相対的に高めるための一定線幅のパターン形状であると共に、
前記第1の補助パターンは、第1の線幅のスペースパターンの端部に形成され、
前記第2の補助パターンは、前記第1の線幅よりも太い第2の線幅のスペースパターンの端部に形成され、
前記第2の補助パターンは、前記第1の補助パターンよりも線幅が太い
ことを特徴とするフォトマスク。 - 前記第1及び第2の補助パターンは、透過率が等しいことを特徴とする請求項1記載のフォトマスク。
- 前記第1及び第2の補助パターンは、透過率が30%~50%であることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスク。
- 前記第1及び第2の補助パターンは、線幅が1.0μm~6.0μmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のフォトマスク。
- 前記第1及び第2の補助パターンは、位相差が5°以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のフォトマスク。
- 前記第1及び第2の補助パターンは、クロムの酸化物で構成されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスク。
- 前記第1及び第2の補助パターンは、透過率に対する露光波長の依存性が少なくともg線、h線及びi線間においては小さいことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のフォトマスク。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008076940A (ja) | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | 硬化パターンおよびその製造方法、フォトマスク、ならびに露光装置 |
JP2013148892A (ja) | 2011-12-21 | 2013-08-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法 |
JP2013235036A (ja) | 2012-05-02 | 2013-11-21 | Hoya Corp | フォトマスク、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
WO2014128794A1 (ja) | 2013-02-22 | 2014-08-28 | パナソニック株式会社 | フォトマスク及びそのパターンデータ作成方法、並びにフォトマスクを用いたパターン形成方法及び加工方法。 |
JP2016004174A (ja) | 2014-06-17 | 2016-01-12 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | プロキシミティ露光用フォトマスク |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60128447A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-09 | Fujitsu Ltd | フオトマスク |
JP2003233164A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Fujitsu Ltd | フォトマスク及びその製造方法 |
JP2004085612A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ハーフトーン位相シフトマスク、その製造方法およびそれを用いたパターン形成方法 |
KR20060077296A (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치의 돌기 형성 방법 및 이를 이용한 액정표시 장치의 제조 방법 |
JP4389222B2 (ja) | 2005-05-02 | 2009-12-24 | エルピーダメモリ株式会社 | マスクデータ作成方法 |
CN100570479C (zh) * | 2005-09-23 | 2009-12-16 | 联华电子股份有限公司 | 光学邻近校正光掩模及彩色滤光片的制造方法 |
KR20070073244A (ko) * | 2006-01-04 | 2007-07-10 | 주식회사 에스앤에스텍 | 그레이톤 블랭크마스크 및 포토마스크 제조방법 |
US7568179B1 (en) * | 2006-09-21 | 2009-07-28 | Armen Kroyan | Layout printability optimization method and system |
JP5160286B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2013-03-13 | Hoya株式会社 | 多階調フォトマスク、パターン転写方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2010044149A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク、パターン転写方法及び多階調フォトマスクを用いた表示装置の製造方法 |
JP5381051B2 (ja) * | 2008-12-01 | 2014-01-08 | 大日本印刷株式会社 | マルチスペクトルマスクおよびカラーフィルタの製造方法 |
KR20100080151A (ko) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | 주식회사 동부하이텍 | 마스크 설계 방법, 이를 이용한 마스크 패턴 및 그의 제조방법 |
KR101096249B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2011-12-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 마스크 및 제조 방법 |
JP2011123111A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Sharp Corp | カラーフィルター形成方法およびそれを用いた固体撮像装置の製造方法 |
CN102109714B (zh) * | 2009-12-25 | 2016-03-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | 取向层及其制备方法、包括该取向层的液晶显示装置 |
JP6522277B2 (ja) * | 2013-11-19 | 2019-05-29 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法 |
CN104281000A (zh) * | 2014-10-23 | 2015-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板 |
CN105824189B (zh) * | 2016-06-08 | 2020-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板和基板间隔柱及其制备方法、显示面板 |
JP6716427B2 (ja) * | 2016-11-07 | 2020-07-01 | Hoya株式会社 | フォトマスク、近接露光用フォトマスクの製造方法、及び、表示装置の製造方法 |
JP2017072842A (ja) * | 2016-11-09 | 2017-04-13 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
-
2020
- 2020-06-15 JP JP2020103242A patent/JP7475209B2/ja active Active
-
2021
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- 2021-06-03 CN CN202110618642.8A patent/CN113805428A/zh active Pending
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008076940A (ja) | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | 硬化パターンおよびその製造方法、フォトマスク、ならびに露光装置 |
JP2013148892A (ja) | 2011-12-21 | 2013-08-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法 |
JP2013235036A (ja) | 2012-05-02 | 2013-11-21 | Hoya Corp | フォトマスク、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
WO2014128794A1 (ja) | 2013-02-22 | 2014-08-28 | パナソニック株式会社 | フォトマスク及びそのパターンデータ作成方法、並びにフォトマスクを用いたパターン形成方法及び加工方法。 |
US20150346597A1 (en) | 2013-02-22 | 2015-12-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Photomask, and method for creating pattern data thereof, and pattern forming method and processing method using photomask |
JP2016004174A (ja) | 2014-06-17 | 2016-01-12 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | プロキシミティ露光用フォトマスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202201119A (zh) | 2022-01-01 |
JP2021196515A (ja) | 2021-12-27 |
KR102618940B1 (ko) | 2023-12-29 |
KR20210155361A (ko) | 2021-12-22 |
TWI787852B (zh) | 2022-12-21 |
CN113805428A (zh) | 2021-12-17 |
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