TW201350356A - 液壓轉印用基底薄膜 - Google Patents

Abstract

提供一種自輥送出時不容易發生破損斷裂之液壓轉印用基底薄膜及其製造方法。一種液壓轉印用基底薄膜1，其為，於厚度方向對切口截面3之表面粗度進行測量時，於最大峰高度(Rp)為5μm以上之情況下，提供該最大峰高度(Rp)之位置5係於厚度方向上位於自一側算起的20~80%之位置，於最大峰高度(Rp)未滿5μm之情況下，算術平均高度(Ra)為2μm以下；一種液壓轉印用基底薄膜之製造方法，該製造方法包含使用剪切刀對薄膜進行切割之製程，並且上刃之刃角為30~90°，上刃與下刃之重疊量為0.1~0.8mm，夾角為2~100°，且不驅動上刃；及一種液壓轉印用基底薄膜之製造方法，該製造方法包含使用雷射刀對薄膜進行切割之製程，且雷射刀之刃口的最大高度(Rz)未滿1μm。

Description

液壓轉印用基底薄膜

本發明係關於用以形成於對具有形成凹凸之立體面或曲面的成形體等之被轉印體進行印刷時使用之液壓轉印用薄膜之液壓轉印用基底薄膜及其製造方法、捲繞該液壓轉印用基底薄膜而成之輥、於該液壓轉印用基底薄膜之表面進行印刷而成的液壓轉印用薄膜及其製造方法、及使用該液壓轉印用薄膜之液壓轉印方法。

已知有一種方法，係使用液壓轉印用薄膜作為形成印刷層之手段，該印刷層係用以對具有形成凹凸之立體面或曲面的成形體之表面提供設計性或提高表面物性，且該液壓轉印用薄膜係於水溶性或水膨潤性之薄膜表面形成有轉印用之印刷層。例如，專利文獻1記載有一種方法，該方法係將液壓轉印用薄膜之印刷面為上而使其浮於以水為代表的液體的液面後，藉由將作為被轉印體之各種成形體自薄膜上方壓入，利用液壓將印刷層轉印於被轉印體之表面。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開昭54-33115號公報

然而，液壓轉印用薄膜之製造所使用的液壓轉印用基底薄膜，大多係於連續地製膜形成為長條之薄膜形態後被捲繞成輥狀，並以輥之形態捆包後搬運至二次加工製造廠等，然後，將開捆後之輥安裝於送出裝置上，對自該送出裝置所送出之液壓轉印用基底薄膜執行印刷等之二次加工而製得液壓轉印用薄膜。

此種情況下，自送出裝置送出液壓轉印用基底薄膜時，會有液壓轉印用基底薄膜發生破損斷裂之問題。尤其是於進行高速印刷之情況下，該問題特別明顯。於連續方式之加工生產線中，為了於加工裝置上對液壓轉印用基底薄膜進行導紙及修正需要時間，因此，液壓轉印用基底薄膜之破損斷裂成為一大生產損失。

本發明係為了解決上述課題而完成者，其目的在於，提供一種自輥送出時不容易發生破損斷裂之液壓轉印用基底薄膜及其製造方法、捲繞該液壓轉印用基底薄膜而成之輥、於該液壓轉印用基底薄膜之表面進行印刷而成的液壓轉印用薄膜及其製造方法、及使用該液壓轉印用薄膜之液壓轉印方法。

本發明者等為了達成上述目的，經反覆地刻意檢討後之結果發現，於以超長薄膜之兩端部分的除去、寬度調整、複數之薄膜的分割等為目的，藉由控制對 薄膜進行切割時所產生之切口截面(藉由切割所產生之薄膜的截面)的表面形狀，可大幅降低自輥送出液壓轉印用基底薄膜時之液壓轉印用基底薄膜的破損斷裂的發生。本發明者等正是基於該發現及知識並且經進一步反覆檢討之後完成了本發明。

亦即，本發明係具有以下之構成。

[1]一種液壓轉印用基底薄膜，其為，於厚度方向對切口截面之表面粗度進行測量時，於最大峰高度(Rp)為5μm以上之情況下，提供該最大峰高度(Rp)之位置係於厚度方向上位於自一側算起的20~80%之位置，於最大峰高度(Rp)未滿5μm之情況下，算術平均高度(Ra)為2μm以下。

[2]如該[1]之液壓轉印用基底薄膜，其中該液壓轉印用基底薄膜係聚乙烯醇薄膜。

[3]如該[2]之液壓轉印用基底薄膜，其中構成聚乙烯醇薄膜之聚乙烯醇的皂化度為80~99莫耳%。

[4]如該[2]或[3]之液壓轉印用基底薄膜，其中構成聚乙烯醇薄膜之聚乙烯醇的聚合度為500~3000。

[5]如該[1]至[4]中任一項之液壓轉印用基底薄膜，其中20℃之水中的溶解時間為5分鐘以下。

[6]一種液壓轉印用基底薄膜之製造方法，該製造方法包含使用剪切刀對薄膜進行切割之製程，並且上刃之刃角為30~90°，上刃與下刃之重疊量為0.1~0.8mm，夾角為2~100°，且不驅動上刃。

[7]一種液壓轉印用基底薄膜之製造方法，該製造方 法包含使用雷射刀對薄膜進行切割之製程，且雷射刀之刃口的最大高度(Rz)未滿1μm。

[8]一種輥，其係捲繞如該[1]至[5]中任一項之液壓轉印用基底薄膜而成。

[9]一種液壓轉印用薄膜，其係於如該[1]至[5]中任一項之液壓轉印用基底薄膜的表面進行印刷而成。

[10]一種液壓轉印用薄膜之製造方法，該製造方法包含：自如該[8]之輥送出液壓轉印用基底薄膜的製程；及於送出之液壓轉印用基底薄膜的表面進行印刷之製程。

[11]一種液壓轉印方法，該方法包含：將如該[9]之液壓轉印用薄膜以進行了印刷之面為上而浮於液面的製程；及自浮起之液壓轉印用薄膜的上方按壓被轉印體之製程。

根據本發明，提供一種自輥送出時不容易發生破損斷裂之液壓轉印用基底薄膜及其製造方法、捲繞該液壓轉印用基底薄膜而成之輥、於該液壓轉印用基底薄膜之表面進行印刷而成的液壓轉印用薄膜及其製造方法、及使用該液壓轉印用薄膜之液壓轉印方法。

1‧‧‧液壓轉印用基底薄膜

1’‧‧‧被切割之薄膜

2‧‧‧輥

3‧‧‧切口截面

4‧‧‧粗度曲線之平均線

5‧‧‧提供最大峰高度(Rp)之位置

6‧‧‧鬚絲

11‧‧‧剪切刀之上刃

12‧‧‧刃口

13‧‧‧小刃

14‧‧‧垂直於被切割之薄膜面的線

15‧‧‧剪切刀之下刃

16‧‧‧刃口

17‧‧‧垂直於被切割之薄膜面的線

20‧‧‧雷射刀

21‧‧‧刃口

30‧‧‧刀具

A‧‧‧剪切刀之上刃的內徑

B‧‧‧剪切刀之上刃的外徑

C‧‧‧剪切刀之上刃的厚度

D‧‧‧剪切刀之上刃的刃角

E‧‧‧剪切刀之上刃的後角

F‧‧‧剪切刀之下刃的內徑

G‧‧‧剪切刀之下刃的外徑

H‧‧‧剪切刀之下刃的厚度

I‧‧‧剪切刀之下刃的後角

J‧‧‧剪切切割時之上刃與下刃的重疊量

K‧‧‧剪切切割時之夾角

L‧‧‧雷射刀之寬度

M‧‧‧雷射刀之長度

N‧‧‧雷射刀之厚度

O‧‧‧雷射刀之刃角(刃角<1>)

P‧‧‧雷射刀之兩小刃部分之夾角(刃角<2>)

Q‧‧‧雷射切割時之雷射刀與薄膜所形成之角度

第1圖為顯示液壓轉印用基底薄膜之移動方向及切口截面的概略圖。

第2圖為將切口截面放大之概略圖(自垂直於切口截 面之方向觀察的概略圖)。

第3圖為顯示於厚度方向對切口截面之表面粗度進行測量時，最大峰高度(Rp)為5μm以上之情況下的該切口截面之形狀的一例之概要圖。

第4圖為顯示於厚度方向對切口截面之表面粗度進行測量時，最大峰高度(Rp)未滿5μm之情況下的該切口截面之形狀的一例之概要圖。

第5圖為顯示可在本發明中使用之剪切刀之上刃的一例之概略圖，(a)為側視圖，(b)為前視圖。

第6圖為將第5圖之粗線框部分放大之概略圖。

第7圖為顯示可在本發明中使用之剪切刀之下刃的一例之概略圖，(a)為側視圖，(b)為前視圖。

第8圖為將第7圖之粗線框部分放大之概略圖。

第9圖為顯示以剪切刀切割薄膜時(剪切切割時)之一例之概略圖(相對於薄膜之移動方向的側視圖)。

第10圖為顯示可在本發明中使用之雷射刀的一例之概略圖，(a)為側視圖，(b)為前視圖。

第11圖為將第10圖之粗線框部分放大之概略圖。

第12圖為顯示以雷射刀切割薄膜時(雷射切割時)之一例之概略圖(相對於薄膜之移動方向的側視圖)。

第13圖為顯示可在本發明中使用之雷射刀的一例之概略圖(顯示測量雷射刀之刃口的粗度之位置的概略圖)。

第14圖為對薄膜進行切割時之切割位置的一例之概略圖。

[實施發明之形態]

以下，詳細地對本發明進行說明。

本發明之液壓轉印用基底薄膜係於厚度方向對切口截面之表面粗度進行測量時，於最大峰高度(Rp)為5μm以上之情況下，提供該最大峰高度(Rp)之位置係於厚度方向上位於自一側算起的20~80%之位置，於最大峰高度(Rp)未滿5μm之情況下，算術平均高度(Ra)為2μm以下，根據該液壓轉印用基底薄膜，可獲得自輥送出時不容易發生破損斷裂之優良效果。

雖對本發明沒有任何之限制，但可以認為，將液壓轉印用基底薄膜自輥送出時之破損斷裂的原因在於輥端面之接合。也就是說可推測為，當水份附著於輥之表面，尤其是輥的端面時，水份自輥之端面滲入並迅速地擴散至液壓轉印用基底薄膜的間隙內，一面使液壓轉印用基底薄膜之表面膨潤溶解並進一步朝液壓轉印用基底薄膜內部滲透一面再次乾燥，藉此於接觸中之液壓轉印用基底薄膜間引起局部接合。如此產生之液壓轉印用基底薄膜間的接合具有強弱，尤其是像引起破損斷裂那樣之較強的接合，估計是於以長條之薄膜之兩端部分的除去、寬度調整、複數之薄膜的分割等為目的對薄膜進行切割時所產生之切口截面(藉由切割所產生之薄膜的截面)的鬚絲(切割時，端面被拉伸的部分)吸濕後進行膨潤溶解，而當此鬚絲與其他之切口截面接觸時所產生。也就是說，為了不引起產生破損斷裂之那種較強的接 合，只要是沒有鬚絲或者即使有鬚絲也位於不容易與其他之切口截面接觸的位置即切口截面的厚度方向之中央部即可。又，切口截面之厚度方向係指切口截面的垂直於移動方向之方向(參照第1及第2圖)。

本發明中，可認為於在厚度方向上對切口截面之表面粗度進行測量時的最大峰高度(Rp)為5μm以上之情況下，是具有該鬚絲之狀態。此種情況下，於本發明中需要使該鬚絲不容易與其他之切口截面接觸，位於切口截面的厚度方向之中央部。也就是說，本發明中，需要使提供該最大峰高度(Rp)之位置(鬚絲的位置)於厚度方向上位於自一側算起的20~80%的位置，其中又以位於25~75%的位置為較佳，以位於30~70%的位置為更佳。又，設切口截面之厚度方向的端緣之高度低者為0%，高度高者為100%。當提供該最大峰高度(Rp)之位置位於厚度方向的20~80%的位置時，鬚絲不容易與其他之切口截面接觸，所以，不容易引起產生破損斷裂之較強的接合(參照第3圖)。

此外，本發明中，可認為於在厚度方向上對切口截面之表面粗度進行測量時的最大峰高度(Rp)未滿5μm之情況下，是無該鬚絲之狀態。此種情況下，為了抑制自輥送出時之破損斷裂，需要使厚度方向之算術平均高度(Ra)為2μm以下，其中又以1.8μm以下為較佳，以1.5μm以下為更佳。當厚度方向之算術平均高度(Ra)為2μm以下時，可進行良好之切割，且不容易引起產生破損斷裂之那種較強的接合(參照第4圖)。

本說明書中，最大峰高度(Rp)及算術平均高度(Ra)係以JIS B 0601：2001所定義，該最大峰高度(Rp)及算術平均高度(Ra)係分別作為於厚度方向上對切口截面之表面粗度進行測量時而獲得的整個厚度方向之粗度曲線中的最大峰高度(Rp)及算術平均高度(Ra)而求得，具體可藉由於實施例中所後述之方法求取。

作為本發明之液壓轉印用基底薄膜，可使用水溶性之薄膜，例如，可使用由自聚乙烯醇、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、聚乙烯咯啶酮、聚丙烯酸或其鹽、澱粉及明膠選出之一種或2種以上所形成的薄膜。其中藉由使聚合度、皂化度、澱粉等之添加劑的配合等之諸條件變化，可控制必要之機械強度及操作中的耐濕性，所以，以使用聚乙烯醇薄膜為較佳。

於液壓轉印用基底薄膜為聚乙烯醇(以下，亦有將「聚乙烯醇」簡稱為「PVA」的情形)薄膜之情況下，作為形成該PVA薄膜之PVA，可使用藉由對聚乙烯酯進行皂化而得者，該聚乙烯酯係將乙酸乙烯酯、甲酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯、叔碳酸乙烯酯(versatic acid vinyl)、月桂酸乙烯酯、十八烷酸乙烯酯、安息香酸乙烯酯、醋酸異丙烯酯等之乙烯酯的一種或2種以上聚合而得者。自PVA之製造容易度、取得容易度、成本等之觀點考慮，該聚乙烯酯中，也以乙酸乙烯酯為較佳。

該聚乙烯酯係以僅使用一種或2種以上之乙烯酯作為單體而獲得者為較佳，且以僅使用一種乙烯酯 作為單體而獲得者為更佳，只要是在不損及本發明之效果的範圍內，亦可為一種或2種以上之乙烯酯及能與該乙烯酯共聚之其他單體的共聚物。

作為能與該乙烯酯共聚之其他單體，例如，可舉出乙烯、丙烯、1-丁烯、異丁烯等之碳數為2~30的α烯烴；甲基丙烯酸或其鹽；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸第三級丁酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸十八烷基酯等之甲基丙烯酸酯；甲基丙烯醯胺、N-甲基甲基丙烯醯胺、N-乙基甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基甲基丙烯醯胺、二丙酮甲基丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺丙磺酸或其鹽、甲基丙烯醯胺丙基二甲基胺或其鹽、N-羥甲基甲基丙烯醯胺或其衍生物等之甲基丙烯醯胺衍生物；N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基乙醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮等之N-乙烯基醯胺；甲基乙烯醚、乙基乙烯醚、正丙基乙烯醚、異丙基乙烯醚、正丁基乙烯醚、異丁基乙烯醚、第三級丁基乙烯醚、十二烷基乙烯醚、十八烷醯基乙烯醚等之乙烯醚；甲基丙烯腈等之氰乙烯；氯乙烯、偏二氯乙烯、氟乙烯、偏二氟乙烯等之乙烯鹵；乙酸烯丙酯、烯丙氯等之烯丙化合物；馬來酸或其鹽、酯或酸酐；伊康酸或其鹽、酯或酸酐；三甲氧基乙烯基矽烷等之乙烯基矽烷化合物；不飽和碸酸等。該聚乙烯酯可具有自該其他單體之一種或2種以上而得之構造單元。

根據構成聚乙烯酯之全構造單元的莫耳數， 該聚乙烯酯所佔之自該其他單體而得之構造單元的比例，係以25莫耳%以下為較佳，又以15莫耳%以下為更佳，5莫耳%以下為特佳。當該比例超過25莫耳%時，則有液壓轉印用基底薄膜與印刷層之親和性等降低的傾向。

只要是在不損及本發明之效果的範圍內，該PVA也可為藉由一種或2種以上之能接枝共聚的單體所改性而成者。作為能進行該接枝共聚之單體，例如，可舉出不飽和羧酸或其衍生物；不飽和碸酸或其衍生物；碳數為2~30之α烯烴等。根據構成PVA之全構造單元的莫耳數，PVA中之自能接枝共聚的單體而得之構造單元的比例，係以5莫耳%以下為較佳。

該PVA可將其氫氧基之一部分交聯，也可不交聯。此外，該PVA可將其氫氧基之一部分與乙醛、丁醛等之醛化合物等反應而形成縮醛構造，也可不與這些化合物反應而不形成縮醛構造。

以該PVA之聚合度在500~3000的範圍內為較佳，又以在700~2800的範圍內為更佳，在1000~2500的範圍內為特佳。藉由PVA之聚合度為該範圍之下限以上，可抑制因所獲得之液壓轉印用基底薄膜的機械強度之不足而引起的破損斷裂。另一方面，藉由PVA之聚合度為該範圍之上限以下，可提高製造液壓轉印用基底薄膜時之生產效率，並且，可抑制液壓轉印用基底薄膜乃至液壓轉印用薄膜之水溶性的降低，容易以經濟性之製程速度進行液壓轉印。又，本說明書所述之PVA的聚合度係指以JIS K6726-1994之記載為基準而測得之平均聚 合度。

以該PVA之皂化度係在80~99莫耳%的範圍內為較佳，又以在83~96莫耳%的範圍內為更佳，在85~90莫耳%的範圍內為特佳。藉由PVA之皂化度落在該範圍內，可抑制液壓轉印用基底薄膜乃至液壓轉印用薄膜之水溶性的降低，容易以經濟性之製程速度進行液壓轉印。又，本說明書中之PVA的皂化度係指相對於PVA所具有之能藉由皂化而轉換為乙烯醇單元的構造單元(典型的是乙烯酯單元)與乙烯醇單元之合計莫耳數，該乙烯醇單元之莫耳數所佔的比例(莫耳%)。皂化度可根據JIS K6726-1994之記載進行測量。

藉由使該PVA薄膜含有可塑劑，可提供柔軟性。作為可塑劑係以多價醇為較佳，具體可舉出乙二醇、丙三醇、丙二醇、二乙二醇、二甘油(diglycerine)、三甘醇、三縮四乙二醇、三羥甲基丙烷(Trimethylolpropane)等。PVA薄膜中之可塑劑的含量係以相對於100質量份之PVA，該可塑劑之含量為20質量份以下為較佳，又以15質量份以下為更佳。若可塑劑之含量超過20質量份，會有產生PVA薄膜之塊化的情形。

此外，以使該PVA薄膜含有澱粉及/或PVA以外之水溶性高分子為較佳，其目的在於，對液壓轉印用基底薄膜供給形成印刷層時所需要之機械強度，維持操作液壓轉印用基底薄膜時之耐濕性，或者，對使形成有印刷層之液壓轉印用基底薄膜浮於液面時之因液體的吸收而引起柔軟化的速度、在液面的延伸性、在液體中擴 散所需要之時間、液壓轉印製程中之變形的容易度等進行調節。

作為澱粉，例如，可舉出粟粉、馬鈴薯澱粉、蕃薯澱粉、小麥澱粉、米澱粉、木薯澱粉、西米澱粉等之天然澱粉類；經實施醚化加工、酯化加工、氧化加工等之加工澱粉類等，其中尤其以加工澱粉類為較佳。PVA薄膜中之澱粉的含量係以相對於100質量份之PVA，澱粉的含量為15質量份以下為較佳，又以10質量份以下為更佳。若澱粉之含量超過15質量份，會有液壓轉印用基底薄膜及液壓轉印用薄膜之耐沖擊性降低而變脆，製程可行性降低之情形。

作為PVA以外之水溶性高分子，例如，可舉出糊精、明膠、動物膠、酪蛋白、蟲膠、阿拉伯膠、聚丙烯酸醯胺、聚丙烯酸鈉、聚乙烯甲醚、甲基乙烯基醚與馬來酸酐之共聚物、乙烯乙酸酯與伊康酸之共聚物、聚乙烯咯啶酮、纖維素、醋酸纖維素、醋-酪酸纖維素、羧甲基纖維素、甲基纖維素、乙基纖維素、羥乙基纖維素、海澡酸鈉等。PVA薄膜中之PVA以外之水溶性高分子的含量係以相對於100質量份之PVA，水溶性高分子的含量為15質量份以下為較佳，又以10質量份以下為更佳。若PVA以外之水溶性高分子之含量超過15質量份，會有液壓轉印時之液壓轉印用基底薄膜的溶解性及分散性降低之情形。

此外，以使該PVA薄膜含有硼系化合物或界面活性劑為較佳，其目的在於，對使形成有印刷層之液 壓轉印用薄膜浮於液面時之因液體的吸收而引起柔軟化之速度、在液面的延伸性、在液體中擴散所需要之時間等進行調節。

硼系化合物係以硼酸或硼砂為較佳。PVA薄膜中之硼系化合物的含量係以相對於100質量份之PVA，硼系化合物的含量為5質量份以下為較佳，又以3質量份以下為更佳。若硼系化合物之含量超過5質量份，會有液壓轉印用基底薄膜、液壓轉印用薄膜的水溶性降低，以經濟性之製程速度進行液壓轉印變得困難之情形。

雖無特別之限制，作為界面活性劑係可使用周知之陰離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、非離子系界面活性劑等。PVA薄膜中之界面活性劑的含量係以相對於100質量份之PVA，界面活性劑的含量為5質量份以下為較佳，又以1質量份以下為更佳。若界面活性劑之含量超過5質量份，會有液壓轉印用基底薄膜變得容易密接，進而造成操作性降低之情形。

除上述成分以外，還可使PVA薄膜含有熱穩定劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、上色劑、填料等之其他成分。這些其他成分之含量係根據其種類而定，但通常以相對於100質量份之PVA，這些其他成分之含量為10質量份以下為較佳，又以5質量份以下為更佳。若其他成分之含量超過10質量份，會有液壓轉印用基底薄膜之耐沖擊性惡化的情形。

本發明之液壓轉印用基底薄膜的含水率，係以在1~6質量%之範圍內為較佳。於含水率未滿1質量% 之情況下，不僅液壓轉印用基底薄膜之耐沖擊性降低而容易撕裂，而且還容易產生靜電，所以，恐有塵埃或灰塵附著於液壓轉印用基底薄膜之虞。其結果，例如，於液壓轉印用基底薄膜上進行印刷之情況下，會有缺漏印刷之情形。又，以含水率為1.5質量%以上為較佳，以2質量%以上為更佳。此外，於含水率超過6質量%之情況下，會有自輥送出液壓轉印用基底薄膜時發生液壓轉印用基底薄膜伸長之情形。其結果，例如，於液壓轉印用基底薄膜上進行印刷時，會有印刷圖案模糊或實施多色印刷時產生印刷錯位之情形。又，以含水率為4質量%以下為更佳。

在為了獲得本發明之液壓轉印用基底薄膜的切割前，對該切割前之薄膜的製造方法並無特別限制，可使用藉由流延法、擠出法、熔融法、吹氣法等所製膜形成的薄膜。成膜後之切割前的薄膜及液壓轉印用基底薄膜可為無延伸，也可為了達到根據用途來改善機械特性之目的而實施一軸延伸或2軸延伸，對這些並無特別限制。

本發明之液壓轉印用基底薄膜的厚度，可在兼顧對液體之溶解性與製程可行性的基礎上適宜選擇，通常在10~100μm之範圍內，又以20~80μm之範圍內為較佳，30~50μm之範圍內為更佳。若厚度未滿10μm，會有液壓轉印用基底薄膜及液壓轉印用薄膜之強度不足，製程可行性降低的情形。另一方面，若厚度超過100μm，會有液壓轉印用基底薄膜及液壓轉印用薄膜之水溶性 降低，以經濟性之製程速度進行液壓轉印變得困難之情形。

對本發明之液壓轉印用基底薄膜的長度及寬度並無特別限制，但自印刷時之生產性的觀點考慮，以長度為1m以上為較佳，又以100m以上為更佳，以1000m以上為特佳。以液壓轉印用基底薄膜之寬度為30cm以上為較佳，又以40cm以上為更佳，以50cm以上為特佳。若液壓轉印用基底薄膜之寬度未滿30cm，會有印刷時之生產性降低的情形。以液壓轉印用基底薄膜之寬度為4m以下為較佳，又以3m以下為更佳。若液壓轉印用基底薄膜之寬度超過4m時，會有生產具有均勻之厚度的液壓轉印用基底薄膜變得困難之情形。

此外，為了提高於液壓轉印用基底薄膜上形成印刷層時之印刷適合性、或者提高液壓轉印用基底薄膜表面之滑順性，以於液壓轉印用基底薄膜之表面實施霧面處理為較佳。作為霧面處理方法，可舉出於製膜時將輥或皮帶上之霧化表面轉印於薄膜上之聯線霧面處理法、暫時將製成膜之薄膜捲繞於輥後實施凸起處理之方法等。又，以實施了霧面處理之面的算術平均高度(Ra)為0.5μm以上為較佳，以1μm以上為更佳。作為算術平均高度(Ra)之上限，例如可舉出10μm。若算術平均高度(Ra)未滿0.5μm，則難以獲得充分之滑順性。此外，以最大高度(Rz)為1μm以上為較佳，又以3μm以上為更佳。作為最大高度(Rz)之上限，例如可舉出20μm。若最大高度(Rz)未滿0.5μm，則難以獲得充分之滑順性。

自使用獲得之液壓轉印用薄膜進行液壓轉印時之製程速度等觀點考慮，以液壓轉印用基底薄膜在20℃之水中的溶解時間為5分鐘以下為較佳，又以3分鐘以下為更佳，以1分鐘以下為特佳，此外，以10秒以上為較佳，30秒以上為更佳。

在此，該溶解時間係依照以下之方式所測量。亦即，首先，自液壓轉印用基底薄膜切割出長度40mm×寬度10mm之長方形試料，於在50mm×50mm之塑膠板上開設有長度35m×寬度23m的長方形窗(孔)的2片塑膠板之間，以試料之長度方向與窗之長邊方向平行且試料位於窗之寬度方向大致中央的方式挾入並固定該試料。另外，將300ml之水放入500ml的燒杯中，一面按轉速280rpm以具有3cm長度之攪拌桿的電磁攪拌器進行攪拌，一面將水溫調整至20℃，然後，一面注意不要使固定於該塑膠板上之試料接觸至電磁攪拌器的攪拌桿，一面將該試料浸漬於燒杯內。然後，於浸漬於水中之後，測量分散於水中之試料片迄至完全消失為止的時間，並以此時間作為溶解時間。

液壓轉印用基底薄膜之水溶性，可藉由調整形成該薄膜之素材的種類、數量，或者將厚度設定於特定範圍等之周知方法進行調整。又，一般，控制具有如上述之水溶性的薄膜之切口截面，比控制例如使用於光學薄膜之製造原料那樣的非水溶性或水溶性低之PVA薄膜之切口截面更難。

本發明之液壓轉印用基底薄膜可藉由對切割 前之薄膜進行切割(切斷)而獲得。作為此種切割，例如，可舉出以長條之薄膜的兩端部分之除去或寬度調整為目的者、及以於移動方向對長條之薄膜進行切割而分割為複數之薄膜為目的者等。對切割方法並無特別限制，例如，可舉出使用剪切刀、雷射刀、圓刀等之刀具進行切割之方法、使用雷射進行切割之方法等。這些方法之中，自容易對切口截面之表面形狀進行控制且容易製造本發明的液壓轉印用基底薄膜之觀點考慮，以使用剪切刀進行切割之方法(剪切切割方法：使上刃與下刃之側面相擦而以剪切方式進行切割的方法)，或者，使用雷射刀進行切割之方法(雷射切割方法：將雷射刀固定並藉由拉引薄膜而進行切割之方法)為較佳，其中尤其以後述之形態的剪切切割方法或雷射切割方法為較佳。又，作為於剪切切割方法使用之上刃及下刃以及於雷射切割方法使用之雷射刃，可使用第5至第8、第10及第11圖所示者。此外，剪切切割方法可採用如第9圖所示之態樣，雷射切割方法可採用如第12圖所示之態樣。

作為該剪切切割方法，可舉出以下之方法，即於使用剪切刀對切割前之薄膜進行切割時，將上刃之刃角設為30~90°，上刃與下刃之重疊量設為0.1~0.8mm，夾角設為2~100°，並且不驅動上刃。若以此種方法進行切割，能夠容易地獲得切口截面之表面形狀受到控制的液壓轉印用基底薄膜。

於該剪切切割方法中，需要使上刃之刃角(第6圖中為D的角度)為30~90°，其中以45~75°為較佳。 藉由使上刃之刃角為上述角度的下限以上，可抑制於切口截面之厚度方向的端緣產生鬚絲的情況。此外，藉由使上刃之刃角為上述角度的上限以下，可抑制切割不良的產生。

此外，上刃之後角(第6圖中為E的角度)係以1.0~5.0°為較佳，又以2.0~4.0°為更佳。此外，以上刃為設有小刃者為較佳。藉由使用此種上刃，可更容易地控制切口截面之表面形狀。

作為上刃之材質，例如，可舉出高速鋼、模具鋼、不鏽鋼、陶瓷、超硬合金等。對上刃之尺寸並無特別限制，作為外徑(第5圖中為B的長度)之例，可舉出30~200mm(以50~150mm為較佳)，作為厚度(最大厚度：第5圖中為C的長度)之例，可舉出0.1~3mm(以0.5~1.5mm為較佳)。

該剪切切割方法中，對下刃之種類並無特別限制，較佳可使用後角(第8圖中為I的角度)為1.0~5.0°者，且以該後角為2.0~4.0°為更佳。藉由使用此種下刃，可更容易地控制切口截面之表面形狀。

作為下刃之材質，例如，可舉出高速鋼、模具鋼、不鏽鋼、陶瓷、超硬合金等。對下刃之尺寸並無特別限制，作為外徑(第7圖中為G的長度)之例，可舉出30~200mm(以40~150mm為較佳)，作為厚度(最大厚度：第7圖中為H的長度)之例，可舉出2~30mm(以5~15mm為較佳)。

該剪切切割方法中，需要上刃與下刃之重疊 量(第9圖中為J的長度)為0.1~0.8mm，又以0.2~0.7mm為較佳。藉由上刃與下刃之重疊量為該下限以上，可抑制切割不良之產生。此外，藉由上刃與下刃之重疊量為為該上限以下，可抑制於切口截面之厚度方向的端緣產生鬚絲的情況。

該剪切切割方法中，需要夾角(第9圖中為K的角度)為2~100°，又以3~90°為更佳，以3~80°為特佳。藉由夾角落在該範圍內，可抑制於切口截面之厚度方向的端緣產生鬚絲的情況。

剪切切割方法中，通常一面使薄膜沿下刃且使薄膜與下刃之外周速度實質上成為相同一面進行切割。該剪切切割方法中，以薄膜之移動速度乃至下刃之外周速度(朝薄膜移動方向之速度)為20~200m/分鐘為較佳，又以40~150m/分鐘為更佳。

此外，該剪切切割方法中，需要實質上不驅動上刃。藉由不驅動上刃，上刃隨薄膜之移動一起朝薄膜移動方向自由旋轉，從而可抑制於切口截面產生鬚絲的情況，或者，即使產生鬚絲，也可使鬚絲產生於切口截面之厚度方向的中央部。相對於薄膜之移動速度，以上刃之外周速度(朝薄膜移動方向之速度)為1.05倍以下為較佳，又以1.01倍以下為更佳，以1.00倍以下為特佳。

作為該雷射切割方法，可舉出於使用雷射刀對切割前之薄膜進行切割時，將雷射刀之刃口的最大高度(Rz)設為未滿1μm之方法。藉由以此種方法進行切割，可容易地獲得切口截面之表面形狀受到控制的液壓轉印 用基底薄膜。

於該雷射切割方法中，雷射刀之刃口的最大高度(Rz)需要未滿1μm，其中以未滿0.9μm為較佳，又以未滿0.8μm為更佳。藉由該最大高度(Rz)未滿該上限，可抑制於切口截面之厚度方向的端緣產生鬚絲的情況。又，本說明書中，最大高度(Rz)係以JIS B 0601：2001所定義，雷射刀之刃口的最大高度(Rz)係作為整個刃口之粗度曲線中的最大高度而求得，該整個刃口之粗度曲線係於如第13圖所示對雷射刀之刃口的粗度進行測量時而獲得，該最大高度(Rz)具體可藉由實施例中後述之方法所求取。

於該雷射切割方法中，以雷射刀之刃角(第11圖中為O的角度；刃角<1>)為10~50°為較佳，又以15~45°為更佳。此外，以雷射刀之兩個小刃部分之夾角(第11圖中為P的角度；刃角<2>)為30°以下為較佳，又以25°以下為更佳。藉由此種構成，可更容易地控制切口截面之表面形狀。

作為雷射刀之材質，可舉出例如，高速鋼、模具鋼、不鏽鋼、陶瓷、超硬合金等。作為雷射刀之厚度(最大厚度：第10圖中為N的長度)之例，可舉出0.05~1mm(以0.1~0.9mm為較佳)。

該雷射切割方法中，以雷射刀與薄膜所形成之角度(第12圖中為Q的角度)為10~60°為較佳，又以15~55°為更佳。藉由雷射刀與薄膜所形成之角度落在該範圍內，可抑制於切口截面之厚度方向的端緣產生鬚絲的 情況。

該雷射切割方法中，以使用附設槽之輥為較佳，這是因為當使薄膜沿附設槽之輥彎曲時，可抑制於切口截面產生鬚絲，或者，即使產生鬚絲，也可使鬚絲產生於切口截面之厚度方向的中央部。

該雷射切割方法中，以薄膜之移動速度為20~200m/分鐘為較佳，又以40~150m/分鐘為更佳。

藉由於本發明之液壓轉印用基底薄膜之表面進行印刷即可製作液壓轉印用薄膜。對該印刷方法並無特別限制，藉由採用周知之印刷方法，可形成印刷層，例如，可採用凹版印刷、網版印刷、平版印刷、輥式塗布等。該印刷可於液壓轉印用基底薄膜上藉由印刷油墨直接進行，也可於其他薄膜上暫時形成印刷層後，再將此印刷層轉印於液壓轉印用基底薄膜上而藉以進行印刷。於像前者那樣在液壓轉印用基底薄膜上藉由印刷油墨直接進行印刷之情況下，會有產生印刷油墨之組成限制、乾燥製程的問題、多層印刷時之色差的問題等的情形，所以，以於像後者那樣在其他薄膜上暫時形成印刷層後，再將此印刷層轉印於液壓轉印用基底薄膜上而藉以進行印刷的方式為較佳。印刷所使用之印刷油墨可使用先前所周知者。

也可將液壓轉印用薄膜之進行了印刷的面為上而使其浮於水等的液體的液面，然後自上方按壓各種成形體等之被轉印體，藉以進行液壓轉印。作為更詳細之液壓轉印方法，例如，可舉出由以下之各製程所構成 的液壓轉印方法，這些製程包含：第一製程，將對液壓轉印用薄膜進行了印刷之面為上而使液壓轉印用薄膜浮於液面，並噴塗油墨活性劑等而使印刷層活性化；第二製程，自浮於液面上之液壓轉印用薄膜的上方以被轉印面為下之方式使被轉印體下降而進行按壓；第三製程，於液壓轉印用薄膜之印刷層充分地黏固於被轉印體之表面後，除去該液壓轉印用薄膜上之液壓轉印用基底薄膜部分；及第四製程，使印刷層已轉印在被轉印面上之被轉印體充分乾燥。

對被轉印體之種類並無特別限制，例如，可舉出木、木夾板、碎屑膠合板等之木質基材；各種塑膠類；石膏板；紙漿水泥板、石板、石棉水泥板等之纖維水泥板；矽酸鈣板；矽酸鎂板；玻璃纖維加強水泥；混凝土；鐵、不鏽鋼、銅、鋁等之金屬板；及這些之複合物等。被轉印體之表面形狀可為平坦狀，亦可為粗面，也可具有凹凸形狀，總之可為任意之形狀，但以具有形成凹凸之立體面或曲面的被轉印體為較佳，這是因為能夠更有效地靈活應用液壓轉印之優點。

[實施例]

以下，參照實施例對本發明更為詳細地進行說明，但本發明不受這些說明之限制。又，以下，記載雷射刀之刃口的粗度及液壓轉印用基底薄膜之切口截面之表面粗度的測量方法。

雷射刀之刃口的粗度測量

雷射刀之刃口的粗度測量係採用形狀測量雷射顯微 鏡「VK-X200」(KEYENCE公司製)。具體而言，以1500倍觀察雷射刀之刃口，如第13圖所示進行整個刃口之粗度測量，求得最大高度(Rz)。

切口截面之表面粗度的測量

切口截面之表面粗度的測量係採用形狀測量雷射顯微鏡「VK-X200」(KEYENCE公司製)。具體而言，於捲繞有液壓轉印用基底薄膜而成之輥的兩端面，於將自位於輥之外周面側的薄膜之切口截面(0%)至位於最靠近輥之中心的薄膜的切口截面之間的距離設為100%時，於0~10%之位置、45~55%之位置及90~100%之位置，以500倍分別觀察任意之一個部位(一片之液壓轉印用基底薄膜的切口截面)，針對合計為6個部位之中提供最大峰高度(Rp)之位置(切口截面之厚度方向的位置)的最靠近厚度方向之端緣(0%或100%)的一個部位，使用該裝置於厚度方向上測量表面粗度，並採用所獲得之最大峰高度(Rp)及算術平均高度(Ra)之各值。

[實施例1]

使用PVA薄膜(Kuraray股份有限公司製PVA薄膜VF-HD；厚度：30μm；寬度：700mm；長度：1000m；含水率：2.8%；20℃之水中的溶解時間：50秒)作為切割前之薄膜，以寬度成為500mm之方式對兩端部進行切割(切割位置係如第14圖所示)，將獲得之液壓轉印用基底薄膜捲繞於紙管(內徑為75mm，外徑為90mm之紙製圓筒)上作成輥。這時之切割條件設定如下。

《切割條件》

[方法]剪切切割方法

[上刃]具有第5及第6圖所示之形狀的上刃

‧刃角(D)：75°

‧後角(E)：2°

‧材質：高速鋼

‧內徑(A)：66mm

‧外徑(B)：98mm

‧厚度(C)：0.8mm(最大厚度)

[下刃]具有第7及第8圖所示之形狀的下刃

‧後角(I)：3°

‧材質：模具鋼

‧內徑(F)：55mm

‧外徑(G)：80mm

‧厚度(H)：10mm(最大厚度)

[操作]如第9圖所示進行切割。

‧上刃與下刃之重疊量(J)：0.5mm

‧夾角(K)：16°

‧薄膜之移動速度(下刃的外周速度)：40m/分鐘

‧上刃驅動：無驅動(自由旋轉)

‧捲繞張力：100N/m

‧捲出張力：50N/m

使用獲得之輥，根據上述方法進行切口截面之表面粗度的測量。於表1揭示結果。

此外，於室溫為20℃、且經空氣調節加濕為相對濕度為60%之室內，將獲得之輥安裝於送出裝置上 ，以30m/分鐘之速度連續地送出液壓轉印用基底薄膜，並於其一面形成印刷層。此時，計數輥之端面上的液壓轉印用基底薄膜之剝離音的次數及液壓轉印用基底薄膜之破損斷裂次數。

對以相同之方法製造之5根輥進行此評價，獲得各個之平均值(將小數點以下之第一位四捨五入)。於表1揭示結果。

[實施例2~4及比較例1~4]

除如表1所示改變切割條件以外，與實施例1相同地獲得捲繞液壓轉印用基底薄膜而成之輥，並與實施例1相同地進行評價。於表1揭示結果。

[實施例5]

除將切割條件變更為以下之條件以外，與實施例1相同地獲得捲繞液壓轉印用基底薄膜而成之輥，並與實施例1相同地進行評價。於表1揭示結果。

《切割條件》

[方法]雷射切割方法

[雷射刀]具有第10及第11圖所示之形狀的雷射刀

‧刃口之最大高度(Rz)：0.5μm

‧刃角(O)：30°(刃角<1>)

‧兩小刃部分之夾角(P)：15°(刃角<2>)

‧材質：超硬合金

‧寬度(L)：18mm

‧長度(M)：58mm

‧厚度(N)：0.38mm(最大厚度)

[操作]如第12圖所示進行切割。

‧雷射刀與薄膜所形成之角度(Q)：30°

‧薄膜之移動速度：40m/分鐘

‧捲繞張力：100N/m

‧捲出張力：50N/m

[比較例5及6]

除如表1所示改變切割條件以外，與實施例5相同地獲得捲繞液壓轉印用基底薄膜而成之輥，並與實施例1相同地進行評價。於表1揭示結果。

於實施例1~5中，自輥送出液壓轉印用基底薄膜時，幾乎沒有輥之端面上的液壓轉印用基底薄膜之接合引起的剝離音，也無液壓轉印用基底薄膜之破損斷裂。相反，於比較例1~6中，具有接合引起之剝離音，且頻繁地發生液壓轉印用基底薄膜之破損斷裂。

[產業上之可利用性]

本發明之液壓轉印用基底薄膜，可防止自輥送出時之破損斷裂，所以，生產損失少，生產性提高。

1‧‧‧液壓轉印用基底薄膜

3‧‧‧切口截面

4‧‧‧粗度曲線之平均線

5‧‧‧提供最大峰高度(Rp)之位置

6‧‧‧鬚絲

Claims (11)

1. 一種液壓轉印用基底薄膜，該液壓轉印用基底薄膜為，於厚度方向對切口截面之表面粗度進行測量時，於最大峰高度(Rp)為5μm以上之情況下，提供該最大峰高度(Rp)之位置係於厚度方向上位於自一側算起的20~80%之位置，於最大峰高度(Rp)未滿5μm之情況下，算術平均高度(Ra)為2μm以下。
2. 如申請專利範圍第1項之液壓轉印用基底薄膜，其中該液壓轉印用基底薄膜係聚乙烯醇薄膜。
3. 如申請專利範圍第2項之液壓轉印用基底薄膜，其中構成聚乙烯醇薄膜之聚乙烯醇的皂化度為80~99莫耳%。
4. 如申請專利範圍第2或3項之液壓轉印用基底薄膜，其中構成聚乙烯醇薄膜之聚乙烯醇的聚合度為500~3000。
5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之液壓轉印用基底薄膜，其中20℃之水中的溶解時間為5分鐘以下。
6. 一種液壓轉印用基底薄膜之製造方法，該製造方法包含使用剪切刀對薄膜進行切割之製程，並且上刃之刃角為30~90°，上刃與下刃之重疊量為0.1~0.8mm，夾角為2~100°，且不驅動上刃。
7. 一種液壓轉印用基底薄膜之製造方法，該製造方法包含使用雷射刀對薄膜進行切割之製程，且雷射刀之刃口的最大高度(Rz)未滿1μm。
8. 一種輥，其係捲繞如申請專利範圍第1至5項中任一項之液壓轉印用基底薄膜而成。
9. 一種液壓轉印用薄膜，其係於如申請專利範圍第1至5項中任一項之液壓轉印用基底薄膜的表面進行印刷而成。
10. 一種液壓轉印用薄膜之製造方法，該製造方法包含：自如申請專利範圍第8項之輥送出液壓轉印用基底薄膜的製程；及於送出之液壓轉印用基底薄膜的表面進行印刷之製程。
11. 一種液壓轉印方法，該液壓轉印方法包含：將如申請專利範圍第9項之液壓轉印用薄膜以進行了印刷之面為上而浮於液面的製程；及自浮起之液壓轉印用薄膜的上方按壓被轉印體之製程。