TW201345333A - 附載體銅箔、附載體銅箔之製造方法及印刷配線板 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種於對絕緣基板之積層步驟前，載體與極薄銅層之密接力較高，另一方面，於對絕緣基板之積層步驟後，載體與極薄銅層之密接性降低，於載體/極薄銅層界面可容易地進行剝離，且良好地抑制極薄銅層側表面之針孔產生的附載體銅箔。本發明之附載體銅箔具備銅箔載體、積層於銅箔載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層。中間層係於銅箔載體上依序積層鎳層與鉻酸鹽層所構成，中間層之鎳附著量為100~40000μg/dm2，鉻之附著量為5~100μg/dm2，自銅箔載體/中間層/極薄銅層之剖面，於包含該等全部之範圍內進行50~1000 nm長STEM射線分析時，Ni濃度之最大值為40~95質量%，且Ni與Cu共存處之Cu濃度之最小值為1~50質量%。

Description

附載體銅箔、附載體銅箔之製造方法及印刷配線板
本發明係關於一種附載體銅箔、附載體銅箔之製造方法及印刷配線板。更詳細而言，本發明係關於一種用作精細圖案用途之印刷配線板材料的附載體銅箔、附載體銅箔之製造方法及印刷配線板。
印刷配線板遍及此半個世紀而完成了較大發展，目前已達幾乎用於所有電子機器中之程度。伴隨近年來電子機器之小型化、高性能化要求之增大，搭載零件之高密度配置化或信號之高頻化發展，而對印刷配線板要求導體圖案之微細化(細間距(fine pitch)化)或高頻應對等，尤其在印刷配線板上載置IC晶片時，要求L/S=20/20以下之細間距化。
印刷配線板係首先作為使銅箔與以環氧玻璃基板、BT(bismaleimide triazine)樹脂、聚醯亞胺薄膜等為主之絕緣基板貼合所成之銅箔積層體而被製造。貼合係利用使絕緣基板與銅箔重合且進行加熱加壓而形成之方法(層壓法)、或將作為絕緣基板材料之前驅物的清漆(varnish)塗佈於具有銅箔之被覆層的面、且進行加熱、硬化之方法(鑄造法)。
伴隨細間距化，於銅箔積層體中使用之銅箔厚度亦成為9μm、進而成為5μm以下等，箔厚逐漸變薄。然而，若箔厚為9μm以下，則利用上述層壓法或鑄造法形成銅箔積層體時之操作性極差。因此，出現了如下為附載體銅箔之普通使用方法：將具有厚度之金屬箔用作載體、於 該載體隔著剝離層而形成有極薄銅層之附載體銅箔。於使極薄銅層之表面貼合於絕緣基板並進行熱壓接後，藉由剝離層而剝離載體之方法。
作為與附載體銅箔相關之技術，例如於專利文獻1中揭示有如下方法：藉由於載體之表面依序形成防擴散層、剝離層、電鍍銅，且使用Cr或Cr水合氧化物層作為剝離層，使用Ni、Co、Fe、Cr、Mo、Ta、Cu、Al、P之單體或合金作為防擴散層，而保持加熱壓製後之良好之剝離性。
又，已知剝離層係由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P或該等之合金或該等之水和物所形成。進而，專利文獻2及3中記載有於謀求加熱壓製等高溫使用環境下之剝離性之穩定化方面，若於剝離層之底層設置Ni、Fe或該等之合金層，則較為有效。
[專利文獻1]日本特開2006-022406號公報
[專利文獻2]日本特開2010-006071號公報
[專利文獻3]日本特開2007-007937號公報
於附載體銅箔中，於對絕緣基板之積層步驟前，必需避免極薄銅層自載體剝離，另一方面，於對絕緣基板之積層步驟後，極薄銅層必需可自載體剝離。又，於附載體銅箔中，於極薄銅層側之表面存在針孔(pin hole)會牽涉到印刷配線板之性能不良，故而不佳。
關於該等方面，先前技術中並未進行充分之研究，仍有改善之餘地。因此，本發明之課題在於提供一種於對絕緣基板之積層步驟前，極薄銅層不自載體剝離，另一方面，於對絕緣基板之積層步驟後可剝離之 附載體銅箔。進而，本發明之課題亦在於提供一種抑制極薄銅層側表面之針孔產生的附載體銅箔。
為達成上述目的，本發明者反覆進行努力研究，發現以下方法極為有效：使用銅箔作為載體，於極薄銅層與載體之間形成中間層，自銅箔載體上依序利用鎳層及鉻酸鹽層構成該中間層；控制鎳及鉻之附著量；以及控制中間層附近之鎳及鉻濃度。
本發明係以上述見解為基礎而完成者，於一態樣係一種附載體銅箔，係具備銅箔載體、積層於銅箔載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層，且上述中間層係於上述銅箔載體上依序積層鎳層與鉻酸鹽層而構成，上述中間層之鎳之附著量為100~40000μg/dm2，鉻之附著量為5~100μg/dm2，自上述銅箔載體/中間層/極薄銅層之剖面，於包含該等全部之範圍內進行50~1000 nm長STEM射線分析時，Ni濃度之最大值為40~95質量%，且Ni與Cu共存處之Cu濃度的最小值為1~50質量%。
於本發明之附載體銅箔之一實施形態中，自上述銅箔載體/中間層/極薄銅層之剖面，於包含該等全部之範圍內進行50~1000 nm長STEM射線分析時，Cr濃度之最大值為1~10質量%，且Cr之波峰與Ni之波峰共存或接觸。
於本發明之附載體銅箔之另一實施形態中，當於大氣中、壓力：20 kgf/cm2、220℃×2小時之條件下使絕緣基板熱壓接於上述極薄銅層時，自上述銅箔載體/中間層/極薄銅層之剖面，於包含該等全部之範圍內進行50~1000 nm長STEM射線分析時，Ni濃度之最大值為30~95質量 %，且Ni與Cu共存處之Cu濃度最小值為5~65質量%。
於本發明之附載體銅箔之又一實施形態中，上述銅箔載體係由電解銅箔或壓延銅箔所形成。
於本發明之附載體銅箔之又一實施形態中，上述極薄銅層表面具有粗化處理層。
於本發明之附載體銅箔之又一實施形態中，上述粗化處理層係由選自由銅、鎳、鈷及鋅所構成之群中之任一單體或包含任意1種以上之合金而構成之層。
於本發明之附載體銅箔之又一實施形態中，於上述粗化處理層之表面具有選自由防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群中之1種以上之層。
於本發明之附載體銅箔之又一實施形態中，於上述極薄銅層之表面具有選自由防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群中之1種以上之層。
本發明於另一態樣係一種附載體銅箔之製造方法，係包含以下步驟：於銅箔載體上形成鍍鎳後，藉由利用電解鉻酸鹽形成鉻酸鹽層而形成中間層之步驟；及於上述中間層上藉由電解鍍敷而形成極薄銅層之步驟。
於本發明之附載體銅箔之製造方法之一實施形態中，於上述中間層之鉻酸鹽層上利用銅-磷合金實施打底鍍敷(strike plating)，而於其上形成極薄銅層。
於本發明之附載體銅箔之製造方法之另一實施形態中，包含 於上述極薄銅層上進一步形成粗化處理層之步驟。
本發明於進而另一態樣係一種印刷配線板，係利用本發明之附載體銅箔製造而成。
本發明之附載體銅箔係於對絕緣基板之積層步驟前，載體與極薄銅層之密接力較高，另一方面，於對絕緣基板之積層步驟後，載體與極薄銅層之密接性降低，可於載體/極薄銅層界面容易地進行剝離，且可良好地抑制極薄銅層側表面之針孔產生。
圖1係實施例9之基板壓接前剖面之濃度分佈。
圖2係實施例9之基板壓接後剖面之濃度分佈。
圖3係實施例5之基板壓接後剖面之濃度分佈。
圖4係比較例3之基板壓接後剖面之濃度分佈。
<1.載體>
使用銅箔作為可用於本發明之載體。典型情況下載體係以壓延銅箔或電解銅箔之形態來提供。一般而言，電解銅箔係使銅自硫酸銅鍍浴電解析出至鈦或不鏽鋼之滾筒(drum)上而製造，壓延銅箔係反覆進行利用壓延輥之塑性加工及熱處理而製造。銅箔之材料，除可使用精煉銅(tough-pitch copper)或無氧銅等高純度銅以外，亦可使用例如掺有Sn之銅、掺有Ag之銅、添加有Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加有Ni及Si等之卡遜(corson) 系銅合金等銅合金。再者，於本說明書中，於單獨使用「銅箔」一詞時亦包括銅合金箔。
可用於本發明之載體厚度亦無特別限制，只要適當調節為適於發揮作為載體之作用的厚度即可，例如可設為12μm以上。但，若過厚則生產成本變高，因此通常較佳設為35μm以下。因此，典型情況下載體之厚度為12~70μm，更典型情況下為18~35μm。
<2.中間層>
於銅箔載體上設置中間層。中間層係於銅箔載體上依序積層鎳層與鉻酸鹽層而構成。由於鎳與銅之接著力大於鉻與銅之接著力，故而於剝離極薄銅層時，於極薄銅層與鉻之界面進行剝離。又，對中間層之鎳期待防止銅成分自載體向極薄銅層擴散之阻隔效果。
於使用電解銅箔作為載體之情形時，就減少針孔之觀點而言，較佳為於光潤面(shiny side)設置中間層。
中間層中之鉻酸鹽層較薄地存在於極薄銅層之界面，該情況於獲得下述特性方面較佳：於對絕緣基板之積層步驟前極薄銅層不自載體剝離、另一方面於對絕緣基板之積層步驟後極薄銅層可自載體剝離。於不設置鎳層而使鉻酸鹽層存在於載體與極薄銅層之邊界時，剝離性幾乎未提昇。又，於無鉻酸鹽層而直接積層鎳層與極薄銅層時，根據鎳層中之鎳量剝離強度會過強或過弱，而無法獲得適當之剝離強度。
若鉻酸鹽層存在於載體與鎳層之邊界，則於將極薄銅層剝離時，中間層亦附帶地被剝離，即於載體與中間層之間產生剝離，故而不佳。此種狀況不僅能於將鉻酸鹽層設置於與載體之界面之情形時會產生，即便 於與極薄銅層之界面設置有鉻酸鹽層，若鉻量過多則亦會產生。可認為其原因在於：由於銅與鎳容易固溶，故而若該等接觸，則因相互擴散而導致接著力變高，而變得難以剝離，另一方面，由於鉻與銅不易固溶，而不易產生相互擴散，故而於鉻與銅之界面，接著力較弱而容易剝離。又，於中間層之鎳量不足之情形時，因於載體與極薄銅層之間僅存在微量之鉻，故而兩者密接而不易剝離。
於中間層中，鎳之附著量為100~40000μg/dm2，鉻之附著量為5~100μg/dm2。有針孔之量隨著鎳及鉻之附著量增加而變多之傾向，但若為該範圍則針孔之數量亦得到抑制。就使極薄銅層無不均而均勻地剝離之觀點、及抑制針孔之觀點而言，較佳為將鎳之附著量設為300~10000μg/dm2，將鉻之附著量設為10~50μg/dm2，更佳為將鎳之附著量設為500~3000μg/dm2，將鉻之附著量設為12~30μg/dm2。
<3.打底鍍敷>
於中間層上設置極薄銅層。於此之前，亦可於中間層之鉻層上進行利用銅-磷合金之打底鍍敷，以使極薄銅層之針孔減少。可將焦磷酸銅鍍液等用於打底鍍敷之處理液。如上述般，進行了利用銅-磷合金之打底鍍敷之附載體銅箔，其為磷存在於中間層表面及極薄銅層表面兩者。因此，於在中間層/極薄銅層間進行剝離時，自中間層及極薄銅層之表面檢測到磷。又，由於利用打底鍍敷形成之鍍層較薄，故而利用FIB(focused ion beam)或TEM等進行剖面觀察，於中間層上之銅磷鍍層之厚度為0.1μm以下時，可判定為打底鍍敷。
<4.極薄銅層>
於中間層上設置極薄銅層。極薄銅層可藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺基磺酸銅、氰化銅等電解浴之電鍍而形成，就用於普通之電解銅箔中且可於高電流密度形成銅箔之方面而言，較佳為硫酸銅浴。極薄銅層之厚度並無特別限制，一般而言，其薄於載體，例如為12μm以下。典型情況下為0.5~12μm，更典型情況下為2~5μm。
<5.粗化處理>
於極薄銅層之表面，亦可例如藉由實施粗化處理而設置粗化處理層，以使極薄銅層與絕緣基板之密接性良好等。粗化處理例如可藉由以銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理亦可為微細者。粗化處理層亦可為由選自由銅、鎳、鈷及鋅所構成之群中之任一單體或包含任意1種以上之合金而構成之層。又，亦可於進行粗化處理後，或不進行粗化處理，而由鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金形成二次粒子或三次粒子及/或防銹層，進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。即，可於粗化處理層之表面形成選自由防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群中之1種以上之層，亦可於極薄銅層之表面形成選自由防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群中之1種以上之層。
<6.附載體銅箔>
以如上方式製造具備有銅箔載體、形成於銅箔載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層的附載體銅箔。附載體銅箔本身之使用方法為業者所周知，例如可使極薄銅層之表面貼合於紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布/紙複合基材環氧樹脂、玻璃布/玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯薄膜、聚醯亞 胺薄膜等絕緣基板，且進行熱壓接後剝離載體，將接著於絕緣基板之極薄銅層蝕刻成目標之導體圖案，最終製造印刷配線板。於本發明之附載體銅箔之情形時，剝離部位主要為中間層與極薄銅層之界面。
本發明之附載體銅箔係根據銅箔載體/中間層/極薄銅層之剖面，於包含該等全部之範圍內進行50~1000 nm長STEM射線分析時，Ni濃度之最大值為40~95質量%，且Ni與Cu共存處之Cu濃度之最小值為1~50質量%。
如此，本發明之附載體銅箔係於對銅箔載體/中間層/極薄銅層剖面進行元素分析時，銅以固定量以上存在於中間層之鎳之內部。若中間層中之銅濃度變高，則中間層/極薄銅層間之密接力變高。因此，可藉由控制鎳中之銅濃度而控制剝離強度。
本發明之附載體銅箔係自銅箔載體/中間層/極薄銅層之剖面，於包含該等全部之範圍內進行50~1000 nm長STEM射線分析時，Cr濃度之最大值為1~10質量%，Cr之波峰與Ni之波峰共存或接觸。此處，所謂「波峰」係表示利用STEM射線分析所得之山波形之全部，「共存」具有該等重複之部分，所謂「接觸」係表示山之下端與下端彼此接觸。
如此，本發明之附載體銅箔係於對銅箔載體/中間層/極薄銅層進行元素分析時，鉻以固定量存在於中間層之靠極薄銅層處，且鎳之濃度為在內部高於與極薄銅層接觸之最表面。因此，極薄銅層側表面之針孔產生會良好地得到抑制。又，於熱壓接後之附載體銅箔中，於對銅箔載體/中間層/極薄銅層進行元素分析時，鉻亦以固定量存在於中間層之靠極薄銅層處，且鎳之濃度為在內部高於最表面。因此，極薄銅層側表面之 針孔產生會良好地得到抑制。
又，本發明之附載體銅箔較佳為當於大氣中、壓力：20 kgf/cm2、220℃×2小時之條件下使絕緣基板熱壓接於極薄銅層時，自銅箔載體/中間層/極薄銅層之剖面，於包含該等全部之範圍內進行50~1000 nm長STEM射線分析時，Ni濃度之最大值為30~95質量%，且Ni與Cu共存處之Cu度最小值成為5~65質量%。
如此，於熱壓接後之附載體銅箔中，若對銅箔載體/中間層/極薄銅層之剖面進行元素分析，則銅以固定量以上存在於中間層之內部。因此，有可防止熱壓接後剝離強度極度降低之效果。又，由於中間層之Ni以固定量以上存在，故而有可防止銅過度地朝中間層內部擴散、且防止剝離強度極度上升之效果。
再者，於進行STEM測定時，根據用於支撐試樣之金屬製網的金屬種類，而試樣之元素分析值會有較大變化。因此，將不對本發明之附載體銅箔之元素分析造成影響之金屬、例如Mo製之網用於試樣之支撐。
將進行鍍鎳時之電流密度設定得越高，使得每單位時間之電鍍速度越高，且使載體銅箔之搬送速度越快，則鎳層之密度越降低。若鎳層之密度降低，則載體銅箔之銅容易擴散至鎳層，而可控制鎳中之銅之濃度。又，鉻酸鹽層係於使進行鉻酸鹽處理時之電流密度較高，且使載體銅箔之搬送速度較慢時鉻之濃度會變高，而可控制鉻之濃度。
[實施例]
以下，藉由本發明之實施例對本發明進一步詳細地進行說明，但本發明不受該等實施例之任何限定。
1.附載體銅箔之製造
作為銅箔載體，準備厚度為35μm之長條之電解銅箔(JX日鑛日石金屬公司製JTC)及厚度為33μm之壓延銅箔(JX日擴日石金屬公司製C1100)。對該銅箔之光潤面，利用繞捲型(roll to roll)連續鍍敷線對載體表面及極薄銅層側，依序以下述條件進行表1及表2所記載之形成中間層處理。於載體表面側與極薄銅層側之處理步驟之間，進行水洗及酸洗。
．鍍Ni
硫酸鎳：250~300 g/L
氯化鎳：35~45 g/L
醋酸鎳：10~20 g/L
檸檬酸三鈉：15~30 g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：30~100 ppm
pH值：4~6
浴溫：50~70℃
電流密度：3~15 A/dm2
．鍍Cr
液組成：鉻酸酐200~400 g/L、硫酸1.5~4 g/L
pH值：1~4
液溫：45~60℃
電流密度：10~40 A/dm2
．電解鉻酸鹽
液組成(1)：重鉻酸鉀1~10 g/L、鋅0~5 g/L
液組成(2)：鉻酸酐1~10 g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0.1~2.6 A/dm2
庫侖(coulomb)量：0.5~30 As/dm2
．浸漬鉻酸鹽處理
液組成(1)：重鉻酸鉀1~10 g/L、鋅0~5 g/L
液組成(2)：鉻酸酐1~10 g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
浸漬時間：1~20秒
接著，於繞捲型連續鍍敷線上，以下述條件進行電鍍於中間層上而形成厚度為3~5μm之極薄銅層，藉此製作附載體銅箔。
．極薄銅層
銅濃度：30~120 g/L
H2SO4濃度：20~120 g/L
電解液溫度：20~80℃
電流密度：10~100 A/dm2
再者，關於實施例2、5，對極薄銅層之表面依序進行以下粗化處理、防銹處理、鉻酸鹽處理、及矽烷偶合處理。
．粗化處理
Cu：10~20 g/L
Co：1~10 g/L
Ni：1~10 g/L
pH值：1~4
溫度：40~50℃
電流密度Dk：20~30 A/dm2
時間：1~5秒
Cu附著量：15~40 mg/dm2
Co附著量：100~3000μg/dm2
Ni附著量：100~1000μg/dm2
．防銹處理
Zn：0~20 g/L
Ni：0~5 g/L
pH值：3.5
溫度：40℃
電流密度Dk：0~1.7 A/dm2
時間：1秒
Zn附著量：5~250μg/dm2
Ni附著量：5~300μg/dm2
．鉻酸鹽處理
K2Cr2O7
(Na2Cr2O7或CrO3)：2~10 g/L
NaOH或KOH：10~50 g/L
ZnO或ZnSO47H2O：0.05~10 g/L
pH值：7~13
浴溫：20~80℃
電流密度0.05~5 A/dm2
時間：5~30秒
Cr附著量：10~150μg/dm2
．矽烷偶合處理
乙烯基三乙氧基矽烷水溶液
(乙烯基三乙氧基矽烷濃度：0.1~1.4 wt%)
pH值：4~5
時間：5~30秒
2.附載體銅箔之各種評價
對以上述方式獲得之附載體銅箔，以下述方法實施各種評價。將結果示於表1及2。
<附著量之測定>
鎳附著量、及鉻附著量係利用濃度為20質量%之硝酸使樣品溶解且藉由ICP(inductively coupled plasma)發光分析進行測定，測定鉻附著量係利用濃度為7質量%之鹽酸使樣品溶解，且利用原子吸光法進行定量分析。
<利用STEM之評價>
將利用STEM觀察附載體銅箔之剖面之元素分佈時之測定條件表示於以下。
．裝置：STEM(日立製作所公司、型式HD-2000STEM)
．加速電壓：200 kV
．倍率：100000~1000000倍
．觀察視野：1500 nm×1500 nm~160 nm×160 nm
將Mo製網用於試樣支撐，元素濃度之射線分析係通過載體/中間層/極薄銅層進行50~1000 nm長。對除碳以外之檢測元素，分析各元素之濃度(質量%)。關於用於試樣支撐之網，雖因其金屬種類而導致試樣之元素分析值會較大變化，但若使用上述Mo製網，則此種分析值之變化會良好地得到抑制。
對使附載體銅箔之極薄銅層側貼合於絕緣基板上，於大氣中、20 kgf/cm2、220℃×2小時之條件下再進行壓接後者，亦以相同之方式進行STEM評價。
<針孔>
以民用之照相用背光裝置為光源，以目視測定針孔之數量。
<剝離強度>
於使附載體銅箔之極薄銅層側貼合於絕緣基板上、於大氣中、20 kgf/cm2、220℃×2小時之條件下再進行壓接後，剝離強度係利用利用測力計拉伸至銅箔載體側、且依據90°剝離法(JIS C 6471 8.1)進行測定。又，貼合於絕緣基板上之前的附載體銅箔亦係以相同之方式先測定出剝離強度。
(評價結果)
實施例1~11中，針孔均良好地得到抑制，進而表現良好之剝離強度。
比較例1及2中，由於鎳及鉻未存在於剝離層，故而即便於壓製前亦無法將載體自極薄銅層剝離。
比較例3及9中，由於鉻之附著量少(鉻濃度低)，故而於進行基板貼合後無法將載體剝離。
比較例4、5、6及8中，由於鎳之附著量少(鎳之濃度低)，故而即便於壓製前亦無法將載體自極薄銅箔剝離。
比較例7中，由於鎳之附著量過多(鎳之濃度過高)，故而極薄銅箔之針孔增加，剝離強度變得過低。
比較例10中，由於鉻酸鹽之鉻附著量過多，故而極薄銅箔之針孔增加，剝離強度變得過低。
比較例11中，由於使用鍍鉻來代替鉻酸鹽，進而鎳之濃度低，故而於進行基板貼合後無法將載體剝離。
比較例12中，由於使用鍍鉻來代替鉻酸鹽，且鉻之濃度高，故而針孔產生得較多。
圖1表示實施例9之基板壓接前之剖面之濃度分佈。圖2表示實施例9之基板壓接後之剖面之濃度分佈。圖3表示實施例5之基板壓接後之剖面之濃度分佈。圖4表示比較例3之基板壓接後之剖面之濃度分佈。

Claims (12)

  1. 一種附載體銅箔，係具備銅箔載體、積層於銅箔載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層，且上述中間層係於上述銅箔載體上依序積層鎳層與鉻酸鹽層而構成，上述中間層之鎳之附著量為100~40000μg/dm2，鉻之附著量為5~100μg/dm2，自上述銅箔載體/中間層/極薄銅層之剖面，於包含該等全部之範圍內進行50~1000 nm長STEM射線分析時，Ni濃度之最大值為40~95質量%，且Ni與Cu共存處之Cu濃度的最小值為1~50質量%。
  2. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，自上述銅箔載體/中間層/極薄銅層之剖面，於包含該等全部之範圍內進行50~1000 nm長STEM射線分析時，Cr濃度之最大值為1~10質量%，且Cr之波峰與Ni之波峰共存或接觸。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之附載體銅箔，其中，當於大氣中、壓力：20 kgf/cm2、220℃×2小時之條件下使絕緣基板熱壓接於上述極薄銅層時，自上述銅箔載體/中間層/極薄銅層之剖面，於包含該等全部之範圍內進行50~1000 nm長STEM射線分析時，Ni濃度之最大值為30~95質量%，且Ni與Cu共存處之Cu濃度最小值為5~65質量%。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之附載體銅箔，其中，上述銅箔載體係由電解銅箔或壓延銅箔所形成。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之附載體銅箔，其中，於上述極薄銅層表面 具有粗化處理層。
  6. 如申請專利範圍第5項之附載體銅箔，其中，上述粗化處理層係由選自由銅、鎳、鈷及鋅所構成之群中之任一單體或包含任意1種以上之合金而構成之層。
  7. 如申請專利範圍第5項之附載體銅箔，其中，於上述粗化處理層之表面具有選自由防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群中之1種以上之層。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之附載體銅箔，其中，於上述極薄銅層之表面具有選自由防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群中之1種以上之層。
  9. 一種附載體銅箔之製造方法，其包含以下步驟：於銅箔載體上形成鍍鎳後，藉由利用電解鉻酸鹽形成鉻酸鹽層而形成中間層之步驟；及於上述中間層上藉由電解鍍敷而形成極薄銅層之步驟。
  10. 如申請專利範圍第9項之附載體銅箔之製造方法，其中，於上述中間層之鉻酸鹽層上利用銅-磷合金實施打底鍍敷，而於其上形成極薄銅層。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之附載體銅箔之製造方法，其包含於上述極薄銅層上進一步形成粗化處理層之步驟。
  12. 一種印刷配線板，係利用申請專利範圍第1或2項之附載體銅箔製造而成。
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