TW201344957A - 半導體發光元件及覆晶式封裝元件 - Google Patents
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Abstract
一種半導體發光元件，包括第一態摻雜半導體層、發光層、第二態摻雜半導體層以及反射層。第一態摻雜半導體層具有平台部與下陷部。發光層配置於平台部上並具有第一表面、第二表面及連接第一表面與第二表面的第一側壁面。第二態摻雜半導體層配置於發光層上並具有第三表面、第四表面及連接第三表面與第四表面的第二側壁面。反射層覆蓋至少部分第二態摻雜半導體層及至少部分第一態摻雜半導體層，其中以平行於發光層的觀察方向來看，反射層覆蓋至少部分第一側壁面與至少部分第二側壁面。一種覆晶式封裝元件亦被提出。
Description
本發明是有關於一種半導體發光元件和覆晶式封裝元件。
發光二極體(light-emitting diode,LED)與傳統的白熾燈、螢光燈相比，在環保、電光轉換效率以及使用壽命上佔有絕對的優勢，但是在照明普及與應用上仍存在發光效率與製作成本等技術問題。
發光二極體(LED)的發光效率一般稱為元件的外部量子效率(External quantum efficiency)，其為元件的內部量子效率(Internal quantum efficiency)及元件的光萃取率(Light extraction efficiency)的乘積。所謂元件的內部量子效率其實就是元件本身的電光轉換效率，主要與元件本身的特性如元件材料的能帶、缺陷、雜質及元件的磊晶組成及結構等相關。例如在同質接面結構中，電子與電洞相遇而復合(產生光)的機率極低，亦即發光效率很低。元件的光萃取率則為元件內部產生的光子，在經過元件本身的吸收、折射、反射後實際上在元件外部可量測到的光子數目。
一般而言，高品質發光二極體的內部量子效率(Internal quantum efficiency)可以達到90%以上，然而主動層(發光層)所產生的光子在到達晶片與空氣的界面且當入射角大於臨界角時，會發生全反射(Total Internal Reflection,TIR)之現象。換言之，小於臨界角(Critical angle)的光子才可射出，而其餘的光子則會被反射回晶片內。光子在發光二極體(LED)晶片內經過多次反射後，最終被材料所吸收，造成光萃取(Light extraction efficiency)之損耗，進而影響外部量子效率，成為提升發光二極體發光效率最大的絆腳石。
本發明提供一種半導體發光元件，具有良好的發光效率。
本發明提供一種覆晶式封裝元件，具有良好的發光效率。
本發明之一實施例提出一種半導體發光元件，包括一第一態摻雜半導體層、一發光層、一第二態摻雜半導體層以及一反射層。第一態摻雜半導體層具有一平台部與一下陷部，其中平台部的厚度大於下陷部的厚度。發光層配置於平台部上，且具有一第一表面、一相對於第一表面的第二表面及一連接第一表面與第二表面的第一側壁面，其中第一表面朝向第一態摻雜半導體層，且第二表面背對第一態摻雜半導體層。第二態摻雜半導體層配置於發光層上，第二態摻雜半導體層具有一第三表面、一相對於第三表面的第四表面及一連接第三表面與第四表面的第二側壁面，其中第三表面朝向發光層，且第四表面背對發光層。反射層覆蓋至少部分第二態摻雜半導體層及至少部分第一態摻雜半導體層，其中以平行於發光層的觀察方向來看，反射層覆蓋至少部分第一側壁面與至少部分第二側壁面，且反射層的反射率大於98%。
本發明之一實施例提出一種半導體發光元件，包括第一態摻雜半導體層、第二態摻雜半導體層、第一反射層、發光層以及第二反射層。第一態摻雜半導體層具有一平台部與一下陷部，其中平台部的厚度大於下陷部的厚度。第二態摻雜半導體層配置於平台部上。發光層配置於第一態摻雜半導體層與第二態摻雜半導體層之間。第一反射層配置於第二態摻雜半導體層上。第二反射層配置於第一反射層上，且覆蓋至少部分第一反射層，其中第二反射層的反射率大於98%。沿著垂直於該發光層的觀察方向來看，至少部分的第二反射層與第一反射層不重疊。
本發明之另一實施例提出一種覆晶式封裝元件，包括上述半導體發光元件及一線路基板。半導體發光元件倒覆於線路基板而與其電性連接。
基於上述，本發明之實施例之半導體發光元件及覆晶式封裝元件具有第一、第二反射層，其中沿著垂直於發光層的觀察方向來看，至少部分的第二反射層與第一反射層不重疊。如此一來，來自發光層的而未被第一反射層反射的光可以經由第二反射層反射，進而使發光層之光的利用率提高。此外，在本發明之實施例之半導體發光元件中，由於反射層覆蓋至少部分第二態摻雜半導體層及至少部分第一態摻雜半導體層，且沿著平行於發光層的觀察方向來看，反射層覆蓋至少部分第一側壁面與至少部分第二側壁面，因此反射層可將來自發光層的光反射，以提升來自發光層的光之利用率。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A為本發明之一實施例之半導體發光元件的剖面圖。參照至圖1A，本實施例之半導體發光元件10包括一第一態摻雜半導體層110、一發光層120、一第二態摻雜半導體層130以及一反射層140。第一態摻雜半導體層110具有一平台部112與一下陷部114，其中平台部112的厚度大於下陷部114的厚度。發光層120配置於平台部112上，且具有一表面122、一相對於表面122的表面124及一連接表面122與表面124的側壁面123，其中表面122朝向第一態摻雜半導體層110，且表面124背對第一態摻雜半導體層110。
第二態摻雜半導體層130配置於發光層120上，第二態摻雜半導體層130具有一表面132、一相對於表面132的表面134及一連接表面132與表面134的側壁面133，其中表面132朝向發光層120，且表面134背對發光層120。反射層140覆蓋至少部分第二態摻雜半導體層130及至少部分第一態摻雜半導體層110。
在本實施例中，半導體發光元件10可以形成於一透光基板12上，而透光基板12的材質例如為藍寶石(Sapphire)、氮化鎵或其他適當的透光材質。在本實施例中，第一態摻雜半導體層110例如為n型氮化鎵(n type gallium nitride,n-GaN)層，而第二態摻雜半導體層130例如為p型氮化鎵(p type gallium nitride,p-GaN)層。發光層120可以是量子井層或多重量子井(Multiple Quantum Well,MQW)層，例如為氮化鎵(gallium nitride,GaN)層與氮化銦鎵(indium gallium nitride,InGaN)層交替堆疊的多重量子井結構。然而，在其他實施例中，亦可以是第一態摻雜半導體層110為p型氮化鎵層，而第二態摻雜半導體層130為n型氮化鎵層。
此外，請參照圖1A，本實施例之半導體發光元件10可進一步包括一歐姆接觸層150，配置於第二態摻雜半導體層130上。歐姆接觸層150的材質例如為氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)、鎳金合金(nickel gold alloy,Ni/Au)、鋁鋅氧化物(aluminum zinc oxide,AZO)、氧化鋅(zinc oxide,ZnO)或銦錫鋅氧化物(indium tin zinc oxide,ITZO)等合適的導電性材質。第一態摻雜半導體層110的下陷部114也進一步的包括一電極160，而電極160的材質例如為鈦、鋁、鉻、金、鎳、銦、錫、鋅、銅、鎢、鉑、鈀等其他導電材料及其組合，但本發明不以此為限。在本實施例中，歐姆接觸層150上還可配置一層反射層170，其中反射層170可以是由鋁和銀等高反射金屬所組成。反射層170除了導電的功用之外，還可將來自發光層120的光往第一態摻雜半導體層110反射。
圖1B為圖1之半導體發光元件10的俯視圖，而圖1A為沿著圖1B之I-I’線切開之剖面圖。圖1B中實線矩形區域114指的是圖1A實施例中的下陷部114。當第一態摻雜半導體層110、發光層120以及第二態摻雜半導體層130形成於透光基板12上後，接著蝕刻部份區域並深入到第一態摻雜半導體層110，於是第一態摻雜半導體層110便形成具有一平台部112與一下陷部114，而且平台部112的厚度大於下陷部114的厚度。此外，依設計需求，如同圖1B所顯示的，下陷部114可以不只一處，但也可以只有一處。
參照至圖1A，在本實施例中，半導體發光元件10還包括第一金屬接點180與第二金屬接點190，第一金屬接點180與第二金屬接點190皆配置於反射層140上並且分別電性連接至第二態摻雜半導體層130和第一態摻雜半導體層110。
同時參照圖1A和圖1B，更詳細的說，本實施例之半導體發光元件10的反射層140為一圖案化金屬反射層，而圖案化反射層的材質例如為金、鋁或銀等其他高反射率之材料。在本實施例中，反射層140包括一第一金屬反射部140a及一第二金屬反射部140b，分別電性連接至第二態摻雜半導體層130與第一態摻雜半導體層110，其中第一金屬反射部140a與第二金屬反射部140b彼此分離配置。具體來說，在本實施例中，反射層140具有一間隙A，間隙A使第一金屬反射部140a與第二金屬反射部140b彼此分離。此外，第一金屬接點180與第二金屬接點190之間亦有一間隙B，間隙B對應於間隙A，其中間隙B使第一金屬接點180與第二金屬接點190彼此分離。
在本實施例中，沿著垂直於於發光層120的觀察方向來看，至少部分的反射層140與反射層170不重疊，此外沿著平行於於發光層120的觀察方向來看反射層140覆蓋至少部分側壁面123與至少部分側壁面133。換言之，在本實施例中，反射層140本質上是沿著平台部112與下陷部114的形狀起伏而分佈。參照至圖1A，其中反射層140從平台部112上方分佈然後斜向下延伸靠近下陷部114，而向下延伸至低於發光層120的水平位置或向下延伸至與表面122同高的水平位置。
舉例而言，位在下陷部114，然後平行於發光層120並沿著圖1B中的I-I’連線方向觀察，反射層140會遮蔽到發光層120的側壁面123。此外，在本實施例中，平台部112具有一表面112a、一表面112b、一側壁面112c以及一側壁面112d。表面112a背對發光層120。表面112b相對於表面112a且朝向發光層120。側壁面112c連接表面112b與下陷部114。側壁面112d連接表面112a與表面112b，其中以平行於發光層120的觀察方向來看，反射層140覆蓋至少部分側壁面112c，且覆蓋至少部份側壁面112d。換言之，沿著圖1B中的I-I’線方向觀察，反射層140遮蔽至少部份側壁面112d與至少部份側壁面123，且遮蔽至少部分側壁面112c。
然而本發明不以上段敘述為限，圖1C繪示另一實施例之半導體發光元件的剖面圖。在半導體發光元件10A中，反射層140A從平台部112上方分佈，然後以較垂直於下陷部114的方向延伸靠而近下陷部114，而且以平行於發光層120的觀察方向來看，反射層140A未延伸而遮蔽平台部112之側壁面112d。
繼續參照至圖1A，在本實施例中，半導體發光元件10更包括一圖案化絕緣層210配置於第一金屬反射部140a與第一態摻雜半導體層110之間，且配置於第二金屬反射部140b與第一態摻雜半導體層110的下陷部114之間，其中圖案化絕緣層210具有至少一第一開口210a與至少一第二開口210b，第一金屬反射部140a貫穿第一開口210a而與第二態摻雜半導體層130電性連接，且第二金屬反射部140b貫穿第二開口210b而與第一態摻雜半導體層110電性連接。其中圖案化絕緣層210可由二氧化矽、氧化鈦、氧化鋅、氧化鈮、氧化鉭、氧化鋁、氧化銦、氧化鎂、氧化錫及上述組合之氧化物中擇其一者，或氮化矽、氮化鈦、氮化鋅、氮化鈮、氮化鉭、氮化鋁、氮化銦、氮化鎂、氮化錫及上述組合之氮化物中擇其一者所組成，亦或者是其他合適的絕緣材料。配合參照至圖1B，圖中的實線圓形區域指的是圖1A中的第一開口210a而虛線矩形區域指的是第二開口210b。進一步來說，在本實施例中，第一金屬接點180和第一金屬反射部140a皆貫穿第一開口210a而與第二態摻雜半導體層130電性連接，同時，第二金屬接點190和第二金屬反射部140b皆貫穿第二開口210b而與第一態摻雜半導體層110電性連接。此外，如同圖1B所顯示的，第一開口210a與第二開口210b的數目可以不只一個，端看於設計需求而定。
參照圖1A，於本實施例中，第一金屬接點180貫穿第一開口210a而與第二態摻雜半導體層130電性連接。在本實施例中，第一金屬接點180可經由反射層170及歐姆接觸層150與第二態摻雜半導體層130電性連接。為了抑制第一金屬接點180中的金屬原子擴散到反射層170，或抑制反射層170中的金屬原子擴散到第一金屬接點180，在反射層170與第一金屬接點180之間可以配置一阻障層174，阻障層174的材質可以是鈦、鎢或者是其他合適的材質。
參照至圖1A，本實施例中，反射層170和反射層140形成良好的反射系統，其中反射層140之反射率可大於98%。當光線從發光層120的各方向射出時，射入反射層170的光線L1會反射至透光基板12，而從發光層120的側壁面123射出且未被反射層170反射的光線L2可經由反射層140反射回透光基板12。此外，部份從透光基板12全反射的光線L3經由反射層140與反射層170可以再反射回透光基板12。由於反射層140的配置，讓未經反射層170反射的光線重回至透光基板12，進而使整體的半導體發光元件10有更高的光利用效率。換言之，反射層170只能反射進入某個立體角內的光線，而反射層140擴展可反射的立體角範圍到整個半球面，因此從發光層120各角度射出的光中而未被反射層170反射的光線(例如L2)仍然可以經由涵蓋整個半球面的反射層140回到透光基板12端。
圖2是本發明另一實施例之半導體發光元件的剖面圖。圖2之半導體發光元件20與圖1A之半導體發光元件10類似，惟二者主要差異之處在於圖1A中的第一態摻雜半導體層110的下陷部114包括一電極160，而在圖2之半導體發光元件20中，電極可以置換成一歐姆接觸層360，其中歐姆接觸層360的材料可以選擇為鈦、鋁、金、鎳、銦、錫、鋅、鉻、銅、鎢、鉑、鈀及氧化銦錫、氧化銦、氧化錫、氧化鋁鋅所組成之族群之其中一種。在本實施例中，因為圖2之之半導體發光元件20與圖1A之實施例類似，所以半導體發光元件20的俯視圖本質上如圖1B所繪示的。在本實施例中，由於其他的結構和圖1A之實施例類似，於此便不再重述。
圖3是本發明再一實施例之半導體發光元件的剖面圖。圖3之半導體發光元件30與圖1A之半導體發光元件10類似，惟二者主要差異之處在於圖1A之半導體發光元件10中，配置於第一金屬反射部140a與第一態摻雜半導體層110之間，且配置於第二金屬反射部140b與第一態摻雜半導體層110的下陷部114之間的圖案化絕緣層210，在本實施例中是以一分佈式布拉格子反射層442來取代。因此在本實施例中，反射層440包括一圖案化分佈式布拉格子反射層442與一圖案化金屬子反射層444，而且圖案化金屬子反射層444配置在圖案化分佈式布拉格子反射層442上。
在本實施例中，圖案化分佈式布拉格子反射層442可由多個高折射率層以及多個低折射率層交替堆疊而成，其中高折射率層之材料是可選自於矽(Si)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化三鈦(Ti3O5)或五氧化二鈮(Nb2O5)，而低折射率層之材料可選自於二氧化矽(SiO2)或氟化鎂(MgF2)。如此高折射率和低折射率的交替堆疊結構使發光層420射出的光線在圖案化分佈式布拉格子反射層442產生建設性干涉，提高反射的強度，換言之，圖案化分佈式布拉格子反射層442具有反射和加強反射光的功能，使反射層440有更佳的反射性。在本實施例中，不同折射率的介質堆疊層加上金屬反射層構成所謂的全方向性反射(omni-directional reflector，ODR)層，如此可高度地反射從發光層420各角度入射的光並加強反射光，進而提高發光效率。
因為圖3之半導體發光元件20與圖1A之實施例類似，所以半導體發光元件30的俯視圖本質上可以參考圖1B所繪示的。如同圖1A之實施例，在本實施例中，圖案化金屬子反射層444包含一第一金屬反射部444a及一第二金屬反射部444b，而第一金屬反射部444a及第二金屬反射部444b經間隙A分離配置以避免導通的情形發生。此外，圖案化分佈式布拉格子反射層442具有至少一第一開口510a與至少一第二開口510b，然後第一金屬接點480與第一金屬反射部444a貫穿第一開口510a而電性連接至第二態摻雜半導體層430，而第二金屬接點490與第二金屬反射部444b貫穿第二開口510b而電性連接至第一態摻雜半導體層410。
在本實施例中，圖案化金屬子反射層444與分佈式布拉格子反射層442覆蓋至少部分第二態摻雜半導體層430及至少部分第一態摻雜半導體層410，其中以平行於發光層420的觀察方向來看，圖案化金屬子反射層444與分佈式布拉格子反射層442皆覆蓋至少部分側壁面423、至少部分側壁面433及至少部分側壁面412d，且遮蔽至少部分側壁面412c。
圖4A是本發明又一實施例之半導體發光元件的剖面圖。圖4A之半導體發光元件40與圖3之半導體發光元件30類似，惟二者主要差異之處在於圖4A之半導體發光元件40不具有圖3之圖案化金屬子反射層444，換言之，在本實施例中，反射層540為一圖案化分佈式布拉格反射層。由於本實施例之半導體發光元件40中，其他的結構和圖3之實施例類似，於此便不再重述。
圖4B是本發明再一實施例之半導體發光元件的剖面圖。圖4B之半導體發光元件40A與圖4A之半導體發光元件40類似，惟二者主要差異之處在於圖4B之半導體發光元件40A中，圖案化分佈式布拉格反射層540A在下陷部114上具有較垂直的側壁542A。由於本實施例之半導體發光元件40A中，其他的結構和圖4A之實施例類似，於此便不再重述。
圖5是本發明一實施例之覆晶式封裝元件的示意圖。參照至圖5，本實施例之覆晶式封裝元件1000包括一半導體發光元件1100以及一線路基板1200。在本實施例中，半導體發光元件1100例如為上述半導體發光元件10。然而，在其他實施例中，半導體發光元件1100亦可以是上述其他實施例(例如圖1C、2、3、4A、或4B之實施例)的半導體發光元件(如半導體發光元件20、30、40)。在本實施例中，覆晶式封裝元件1000體可以採用覆晶封裝(flip chip)的方式，亦即將半導體發光元件1100倒覆以將第一金屬接點1140(例如為圖1A之第一金屬接點180)以及第二金屬接點1150(例如為圖1A之第二金屬接點190)分別透過二個共晶材料1160與線路基板1200做接合，而使半導體發光元件1100電性連接於線路基板1200。其中，第一金屬接點1140及第二金屬接點1150與線路基板1200做接合的方式可以是共晶(Eutectic)黏結法。詳細而言，第一金屬接點1140以及第二金屬接點1150的材料例如為金、鈦、鎳、鋁、鉻、鉑或上述的組合，以單一結構或是多層導電結構堆疊而成，，而共晶材料1160可為金錫合金(Au/Sn)、銀錫合金或金鍺合金等。在本實施例中，線路基板1200可以包括一透明基板1202和一配置在基板1202上的圖案化導電層1204，其中透明基板1202可以是藍寶石基板。在本實施例中，半導體發光元件1100經由第一金屬接點1140以及第二金屬接點1150及共晶材料1160與線路基板1200中的圖案化導電層1204作接合，然後再與外部電路連接。
綜上所述，本發明之實施例之半導體發光元件及覆晶式封裝元件封裝元件中，由於反射層覆蓋至少部分第二態摻雜半導體層及至少部分第一態摻雜半導體層，且沿著平行於發光層的觀察方向來看，反射層至少部分覆蓋發光層之側壁面與至少部分平台步之側壁面，因此反射層可將來自發光層的光反射，以提升來自發光層的光之利用率。此外，本發明之實施例之半導體發光元件及覆晶式封裝元件具有兩個反射層，而且沿著垂直於發光層的觀察方向來看，這兩個反射層至少部分不重疊。如此一來，兩個反射層形成較完整的反射區域，可將來自發光層的光有效率的反射，以提升來自發光層的光之利用率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、10A、20、30、40、40A、1100．．．半導體發光元件
12．．．透光基板
110、410、1110．．．第一態摻雜半導體層
112．．．平台部
114．．．下陷部
120、420．．．發光層
122、124、132、134、112a、112b．．．表面
123、423、133、433、112c、412c、112d、412d．．．側壁面
130、430、1120．．．第二態摻雜半導體層
140、140A、170、440、540、1130．．．反射層
150、360．．．歐姆接觸層
160．．．電極
174．．．阻障層
180、480、1140．．．第一金屬接點
190、490、1150．．．第二金屬接點
210．．．圖案化絕緣層
442．．．圖案化分佈式布拉格子反射層
444．．．圖案化金屬子反射層
1000．．．半導體發光元件封裝元件
1160．．．共晶材料
1200．．．線路基板
1202．．．透明基板
1204．．．圖案化導電層
542A．．．側壁
140a、444a．．．第一金屬反射部
140b、444b．．．第二金屬反射部
210a、510a．．．第一開口
210b、510b．．．第二開口
L1、L2、L3．．．光線
A、B．．．間隙
圖1A為本發明一實施例之半導體發光元件的剖面圖
圖1B為圖1A實施例之半導體發光元件的俯視圖。
圖1C繪示另一實施例之半導體發光元件的剖面圖。
圖2是本發明另一實施例之半導體發光元件的剖面圖。
圖3是本發明再一實施例之半導體發光元件的剖面圖。
圖4A是本發明又一實施例之半導體發光元件的剖面圖。
圖4B是本發明再一實施例之半導體發光元件的剖面圖。
圖5是本發明一實施例之覆晶式封裝元件的示意圖。
10．．．半導體發光元件
12．．．透光基板
110．．．第一態摻雜半導體層
112．．．平台部
114．．．下陷部
120．．．發光層
122、124、132、134、112a、112b．．．表面
123、133、112c、112d．．．側壁面
130．．．第二態摻雜半導體層
140、170．．．反射層
150．．．歐姆接觸層
160．．．電極
174．．．阻障層
180．．．第一金屬接點
190．．．第二金屬接點
210．．．絕緣層
140a．．．第一金屬反射部
140b．．．第二金屬反射部
210a．．．第一開口
210b．．．第二開口
L1、L2、L3．．．光線
A、B．．．間隙
Claims (14)
- 一種半導體發光元件，包括：一第一態摻雜半導體層，具有一平台部與一下陷部，其中該平台部的厚度大於該下陷部的厚度；一第二態摻雜半導體層，配置於該平台部上，一發光層，配置於該第一態摻雜半導體層與該第二態摻雜半導體層之間；一第一反射層，配置於該第二態摻雜半導體層上；以及一第二反射層，配置於該第一反射層上，且覆蓋至少部分該第一反射層，其中該第二反射層的反射率大於98%，其中，沿著垂直於該發光層的觀察方向來看，至少部分的該第二反射層與該第一反射層不重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該第二反射層為一圖案化金屬反射層。
- 如申請專利範圍第2項所述之半導體發光元件，其中該圖案化金屬反射層包括一第一金屬反射部及一第二金屬反射部，分別電性連接至該第一態摻雜半導體層與該第二態摻雜半導體層，其中該第一金屬反射部與該第二金屬反射部彼此分離配置。
- 如申請專利範圍第3項所述之半導體發光元件，更包括一絕緣層，配置於該第二反射層與該第一反射層之間，其中該絕緣層具有至少一第一開口與至少一第二開口，該第一金屬反射部披覆該第一開口而與該第一態摻雜半導體層電性連接，且該第二金屬反射部披覆該第二開口而與該第二態摻雜半導體層電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶片，其中該平台部具有：一第一表面，背對該發光層；一第二表面，相對於該第一表面，且朝向該發光層；一第一側壁面，連接該第二表面與該下陷部；以及一第二側壁面，連接該第一表面與該第二表面，其中以平行於該發光層的觀察方向來看，該第二反射層進一步覆蓋至少部分該第一側壁面，且覆蓋至少部分該第二側壁面。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中更包括一歐姆接觸層，配置於第二態摻雜半導體層與第一反射層之間。
- 如申請專利範圍第6項所述之半導體發光元件，其中更包括一阻障層，配置於該第一反射層之上，且覆蓋至該歐姆接觸層。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該第二反射層為一圖案化分佈式布拉格反射層。
- 如申請專利範圍第8項所述之半導體發光元件，其中該圖案化分佈式布拉格反射層具有至少一第一開口與至少一第二開口，且該半導體發光元件更包括：一第一金屬接點，配置於該圖案化分佈式布拉格反射層上，且經由該第一開口電性連接至該第一態摻雜半導體層；以及一第二金屬接點，配置於該圖案化分佈式布拉格反射層上，且經由該第二開口電性連接至該第二態摻雜半導體層。
- 一種覆晶式封裝元件，包括：一線路基板；以及一半導體發光元件，倒覆於該線路基板而與其電性連接，該半導體發光元件包括：一第一態摻雜半導體層，具有一平台部與一下陷部，其中該平台部的厚度大於該下陷部的厚度；一第二態摻雜半導體層，配置於該平台部上，一發光層，配置於該第一態摻雜半導體層與該第二態摻雜半導體層之間；一第一反射層，配置於該第二態摻雜半導體層上；一第二反射層，配置於該第一反射層上，其中該第二反射層的反射率大於98%；一第一金屬接點，配置於該第二反射層上，且電性連接至該第一態摻雜半導體層；以及一第二金屬接點，配置於該第二反射層上，且電性連接至該第二態摻雜半導體層；其中，沿著垂直於該發光層的觀察方向來看，至少部分的該第二反射層與該第一反射層不重疊。
- 如申請專利範圍第10項所述之覆晶式封裝元件，其中該半導體發光元件係藉由共晶材料與該線路基板電性連接。
- 如申請專利範圍第10項所述之覆晶式封裝元件，其中該線路基板包含：一透明基板以及一圖案化導電層，該圖案化導電層配置於該透明基板一表面。
- 如申請專利範圍第12項所述之覆晶式封裝元件，其中該透明基板為藍寶石基板。
- 一種半導體發光晶片，包括：一第一態摻雜半導體層，具有一平台部與一下陷部，其中該平台部的厚度大於該下陷部的厚度；一發光層，配置於該平台部上，該發光層具有一第一表面、一相對於第一表面的第二表面及一連接該第一表面與該第二表面的第一側壁面，其中該第一表面朝向該第一態摻雜半導體層，且該第二表面背對該第一態摻雜半導體層；一第二態摻雜半導體層，配置於該發光層上，該第二態摻雜半導體層具有一第三表面、一相對於該第三表面的第四表面及一連接該第三表面與該第四表面的第二側壁面，其中該第三表面朝向該發光層，且該第四表面背對該發光層；以及一反射層，覆蓋至少部分該第二態摻雜半導體層及至少部分該第一態摻雜半導體層，其中沿著平行於該發光層的觀察方向來看，該反射層覆蓋至少部分該第一側壁面與至少部分該第二側壁面，且該反射層的反射率大於98%。
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