TW201336101A - 太陽能電池及太陽能電池之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明成品率良好地提供一種具有改善的轉換效率和可靠性的太陽能電池。太陽能電池(1)具備太陽能電池基板(20)、n側電極(14)、p側電極(15)和半導體層(17)。太陽能電池基板(20)具有第一主面(20a)和第二主面(20b)。第一主面(20a)包括n型表面(20an)和p型表面(20ap)。n側電極(14)與n型表面(20an)連接。p側電極(15)與p型表面(20ap)連接。半導體層(17)配置在第二主面(20b)上。半導體層(17)具有含有p型摻雜物的表層。

Description

太陽能電池及太陽能電池之製造方法

本發明關於一種背面接合型的太陽能電池和背面接合型的太陽能電池的製造方法。

以往，例如在下述專利文獻1等中，提案有在太陽能電池的背面側形成有p型和n型半導體區域的所謂背面接合型的太陽能電池。在該背面接合型的太陽能電池中，不需要在受光面側設置電極。因此，在背面接合型的太陽能電池中，能夠提高光的受光效率。從而，能夠實現更高的發電效率。

現有技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-80887號公報

但是，近年來，對具有改善的轉換效率和可靠性的太陽能電池的要求不斷提高。

本發明是鑒於此點而完成者，其目的在於成品率良好地提供具有改善的轉換效率和可靠性的太陽能電池。

本發明的太陽能電池包括太陽能電池基板、n側電極、p側電極和半導體層。太陽能電池基板具有第一主面和第二主面。第一主面包括n型表面和p型表面。n側電極與n型表面連接。p側電極與p型表面連接。半導體層 配置在第二主面上。半導體層具有含有p型摻雜物的表層。

本發明的太陽能電池的製造方法是一種太陽能電池的製造方法，上述太陽能電池具備：具有第一主面和第二主面的太陽能電池基板，上述第一主面包括n型表面和p型表面；與n型表面連接的n側電極；以及與p型表面連接的p側電極，並且上述太陽能電池以第二主面為受光面。在本發明的太陽能電池的製造方法中，在利用包含p型摻雜物的半導體層來保護半導體基板的第二主面的狀態下，形成n型表面、p型表面、n側電極和p側電極。

根據本發明，能夠以良好的成品率提供具有優良的可靠性和光電轉換效率的太陽能電池。

以下，對於本發明較佳實施形態的一例進行說明。但是，下述的實施形態只是一例。本發明不限於下述的實施形態。

此外，在實施形態等中參照的各附圖中，實質上具有相同功能的構件用相同的符號參照。此外，實施形態等中參照的附圖是示意性記載者，存在附圖中描繪的物體的尺寸的比例等與現實的物體的尺寸的比例等不同的情況。各附圖彼此之間，也存在物體的尺寸比例等不同的情況。具體的物體的尺寸比例等，應參考以下的說明來判斷。

《第一實施形態》 (太陽能電池1的結構)

第1圖是第一實施形態的太陽能電池1的概略平面 圖。第2圖是第1圖的線II-II上的概略截面圖。

太陽能電池1是背面接合型的太陽能電池。太陽能電池1具備太陽能電池基板20。太陽能電池基板20具有背面20a和受光面20b。太陽能電池基板20藉由在受光面20b受光，而生成載子(電子和電洞)。

太陽能電池基板20具備具有一種導電類型的半導體基板10。具體而言，在本實施形態中，半導體基板10由n型的結晶半導體所成的基板構成。作為由n型的結晶半導體所成的基板的具體例，例如可列舉n型的單晶矽基板。

半導體基板10具有第一和第二主面10a、10b。由該半導體基板10的第一主面10a構成太陽能電池基板20的受光面20b。該由第一主面10a構成的受光面20b具有紋理結構。

此處，“紋理結構”指的是為了抑制表面反射，使光電轉換部的光吸收量增大而形成的凹凸結構。作為紋理結構的具體例，可列舉如對具有(100)面的單晶矽基板的表面施行異方向性蝕刻而獲得的金字塔狀(四角錐狀、四角椎臺狀)的凹凸結構、和對單晶矽基板或多晶矽基板的表面用酸性蝕刻或乾式蝕刻等方法實施等方向性蝕刻而獲得的凹凸結構等。

在半導體基板10的第二主面10b的第一區域上，配置有n型半導體層12n。由該n型半導體層12n構成n型表面20an，上述n型表面20an構成背面20a的一部分。

在本實施形態中，n型半導體層12n由n型非晶形半 導體層構成。更具體而言，n型半導體層12n由含有氫的n型非晶形矽層構成。n型半導體層12n的厚度例如可為20 Å至500 Å左右。

在半導體基板10的第二主面10b的第二區域上，配置有p型半導體層13p。由該p型半導體層13p構成p型表面20ap，上述p型表面20ap構成背面20a的一部分。

在本實施形態中，p型半導體層13p由p型非晶形半導體層構成。更具體而言，p型半導體層13p由含有氫的p型非晶形矽層構成。p型半導體層13p的厚度例如可為20 Å至500 Å左右。

而且，可以在n型半導體層12n和p型半導體層13p分別與第二主面10b之間，例如配置具有數Å至250 Å左右的實質上不參與發電的厚度的i型半導體層。i型半導體層例如可由含有氫的i型非晶形矽構成。藉由此種結構，可進一步改善n型半導體層12n和p型半導體層13p分別與第二主面10b之間的界面特性。從而，獲得進一步改善的光電轉換效率。

在n型半導體層12n的x方向上的兩端部上，配置有p型半導體層13p。在n型半導體層12n與p型半導體層13p的z方向(厚度方向)上重叠的部分之間，配置有絕緣層18。

絕緣層18的材質無特別限定。絕緣層18例如能夠由氧化矽膜、氮化矽膜或者氧氮化矽膜構成。其中，較佳為絕緣層18由氮化矽膜構成。此外，絕緣層18較佳為含有 氫。

在由n型半導體層12n構成的n型表面20an上，配置有n側電極14。n側電極14與n型表面20an電性連接。在由p型半導體層13p構成的p型表面20ap上，配置有p側電極15。p側電極15與p型表面20ap電性連接。n側電極14和p側電極15，分別收集電子和電洞。n側電極14和p側電極15在絕緣層18的表面上被電性分離。

在本實施形態中，n側電極14和p側電極15分別為齒梳狀，n側電極14與p側電極15相互插合。但是，本發明不限於該結構。n側電極和p側電極中的至少一者，也可以是不包括匯流排(bus bar)部、由複數個指狀部構成的所謂無匯流排電極。

n側電極14和p側電極15，例如可由透明導電性氧化物(TCO：Transparent Conductive Oxide)、Ag、Cu、Sn、Pt、Au等金屬、含有此等金屬中的一種以上的合金等導電性材料形成。此外，n側電極14和p側電極15，例如也可以分別由複數個導電層的積層體構成。該情況下，較佳為n側電極14和p側電極15分別由在n型或者p型半導體層12n、13p上形成的TCO層、與在其上形成的至少一種金屬或者合金層的積層體構成。

n側電極14和p側電極15的各自的形成方法並無特別限定。n側電極14和p側電極15，例如能夠用濺鍍法、CVD法、蒸鍍法等薄膜形成方法或鍍覆法、或者此等之組合而形成。

在第一主面10b上配置具有含有p型摻雜物的表層的半導體層17。此處，“p型摻雜物”指的是藉由使半導體層中含有預定量，而使半導體層的導電類型為p型的物質。作為p型摻雜物的具體例，例如使半導體層由矽等四價的半導體材料構成的情況下，可列舉如硼或鋁等三價元素等。

含有p型摻雜物的表層，可以是導電類型為p型的層，也可以是導電類型為i型的層。即，含有p型摻雜物的表層，可含有會顯示p型的程度之p型摻雜物，也可含有不會顯示p型的程度之p型摻雜物。

本實施形態中，半導體層17由非晶形半導體層構成。更具體而言，本實施形態中，半導體層17具有i型非晶形半導體層17i、n型非晶形半導體層17n和非晶形半導體層17p。

i型非晶形半導體層17i配置在受光面20b上。i型非晶形半導體層17i，例如可由含有氫的i型非晶形矽等構成。i型非晶形半導體層17i的厚度，只要是實質上不參與發電的程度的厚度就無特別限定。i型非晶形半導體層17i的厚度，例如可為數Å至250 Å左右。

n型非晶形半導體層17n是與半導體基板10具有相同的導電類型的半導體層。n型非晶形半導體層17n配置在i型非晶形半導體層17i上。n型非晶形半導體層17n例如可由含有氫的n型非晶形矽等構成。n型非晶形半導體層17n的厚度無特別限定。n型非晶形半導體層17n的厚度例 如可為20 Å至500 Å左右。

在n型非晶形半導體層17n上配置有非晶形半導體層17p。非晶形半導體層17p含有p型摻雜物，構成上述含有p型摻雜物的表層。該非晶形半導體層17p，例如能夠由含有p型摻雜物和氫的非晶形矽等構成。非晶形半導體層17p的厚度較佳為10 Å以上，更佳為20 Å以上。非晶形半導體層17p的厚度的上限沒有特別限定，例如較佳為500 Å。這是因為非晶形半導體層17p的厚度超過500 Å時，存在非晶形半導體層17p上的光的吸收過大，光電轉換特性降低的情況。

在半導體層17上配置有保護膜16。在本實施形態中，該保護膜16同時具備反射抑制膜的功能。保護膜16例如能夠由氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜等構成。其中，保護膜16以由氮化矽膜構成為佳。保護膜16的厚度例如可為80nm至1μm左右。

此外，在受光面20b上沒有設置金屬電極等遮擋光的結構物。從而，本實施形態的太陽能電池1在受光面20b的整面皆可受光。

(太陽能電池1的製造方法)

接著，一邊參照第3圖至第8圖，一邊說明本實施形態的太陽能電池1的製造步驟。具體而言，第3圖是表示本實施形態的太陽能電池的製造步驟的流程圖。第4圖是用於說明步驟S1、S2的概略截面圖。第5圖是用於說明步驟S3的概略截面圖。第6圖是用於說明步驟S4的概略截 面圖。第7圖是用於說明步驟S5的概略截面圖。第8圖是用於說明步驟S6的概略截面圖。

首先，準備具備具有紋理結構的第一主面10a的半導體基板10。然後，在步驟S1中，在半導體基板10的第一主面10a的大致整個面或者整個面上，形成半導體層17和保護膜16(第一形成步驟)。i型非晶形半導體層17i、n型非晶形半導體層17n、非晶形半導體層17p和保護膜16分別例如可藉由以電漿CVD法為代表的CVD(Chemical Vapor Deposition)法等薄膜形成法而形成。

在作為第一形成步驟的步驟S1之後，進行形成半導體層12n、13p、絕緣層18和電極14、15的第二形成步驟。具體而言，在本實施形態中，在第二形成步驟中，實行步驟S2至步驟S7。

首先，在步驟S2中，在半導體基板10的第二主面10b的大致整個面或者整個面上按順序形成n型非晶形半導體膜21和絕緣膜22。n型非晶形半導體層21例如可藉由以電漿CVD法為代表的CVD法等薄膜形成法而形成。絕緣膜22例如能夠通過濺鍍法或CVD法等薄膜形成法等而形成。

接著，在步驟S3中，對n型非晶形半導體膜21和絕緣膜22進行蝕刻。作為適用於n型非晶形半導體膜21的蝕刻的蝕刻劑的具體例，可列舉如氟硝酸水溶液等。

作為適用於絕緣膜22的蝕刻的蝕刻劑的具體例，例如可列舉如HF水溶液等。即，較佳為步驟S3中進行絕緣膜22的蝕刻的步驟，是使用鹼性的蝕刻劑的蝕刻步驟。

而且，在本發明中，“蝕刻劑”中包括蝕刻液、蝕刻塗料(paste)、蝕刻墨水等。

接著，在步驟S4中，在包括絕緣膜22的表面的第二主面10b的大致整個面或者整個面上，形成p型半導體膜23。p型半導體膜23的形成方法不特別限定。p型半導體膜23例如能夠藉由CVD法等薄膜形成法形成。

接著，在步驟S5中，藉由蝕刻等除去p型半導體層23的位於絕緣膜22上的部分的一部分。由此，從p型半導體膜23形成p型半導體層13p。作為適用於p型半導體膜23的蝕刻的蝕刻劑，例如可列舉如含有NaOH的NaOH水溶液等鹼性水溶液或氟硝酸水溶液等。即，較佳為步驟S5的p型半導體層23的蝕刻步驟，為使用鹼性的蝕刻劑的蝕刻步驟。

接著，在步驟S6中，將p型半導體層13p作為遮罩，用蝕刻劑將絕緣膜22的露出部藉由蝕刻除去從而使n型半導體層12n的表面的一部分露出。由此，從絕緣膜22形成絕緣層18，使n型半導體層12n的一部分露出。作為適用於該絕緣膜22的蝕刻的蝕刻劑的具體例，例如可列舉如HF水溶液等。

接著，在步驟S7中，藉由分別在n型半導體層12n和p型半導體層13p上進行形成n側電極14和p側電極15的電極形成步驟，可完成太陽能電池1。

n側電極14和p側電極15的形成方法，能夠根據電極的材質適當選擇。n側電極14和p側電極15，例如可藉 由濺鍍法、CVD法、蒸鍍法等薄膜形成法或鍍覆法、塗佈導電性塗料的方法、將此等方法組合的方法而形成。此外，n側電極14和p側電極15，例如還可藉由使以覆蓋n型半導體層12n和p型半導體層13p的方式形成的導電膜在絕緣層18上截斷而形成。該情況下，能夠以較窄間距和較高的形狀精度形成n側電極14和p側電極15。

如本實施形態所示，在背面接合型的太陽能電池中，必須在背面上形成經圖案化的n型和p型半導體層等複數個層。該經圖案化的n型和p型半導體層等的形成步驟，通常伴隨蝕刻步驟。一般而言，非晶形矽層等半導體層的蝕刻步驟，係使用鹼性的蝕刻劑進行。在該蝕刻步驟中，如果半導體基板的受光面損傷，則可能存在製造的太陽能電池的可靠性降低，或初期光電轉換效率降低的情況。此外，因此還存在製造成品率降低的情況。

鑒於此點，還能夠考慮例如在受光面上預先形成作為保護膜的氮化矽膜，之後，在背面上形成n側和p側半導體層等。這樣，可以抑制蝕刻劑造成的受光面的損傷。但是，難以使氮化矽膜等保護膜在完全沒有針孔(pin hole)的狀態下形成。因此，保護膜上多少會存在針孔。所以，即使在受光面上預先形成保護膜的情況下，也難以確實地抑制蝕刻劑導致的受光面的損傷。因而，即使在受光面上預先形成保護膜的情況下，也難以以良好的成品率製造具有期望的可靠性和光電轉換效率的太陽能電池。

此處，在本實施形態中，具有含有p型摻雜物的表層 的半導體層17配置在受光面20b上。該具有含有p型摻雜物的表層的半導體層，比氮化矽膜等緻密，針孔較少。此外，具有含有p型摻雜物的表層的半導體層，對於鹼性的蝕刻劑的溶解度較低。因而，本實施形態的太陽能電池1，藉由在第二形成步驟之前預先形成半導體層17，能夠在抑制受光面20b的損傷的狀態下製造。由此，在本實施形態的太陽能電池1中，較佳為以改善的成品率實現優良的可靠性和光電轉換效率。作為這樣的半導體層，適合使用呈現p型的氫化非晶形矽層。

此外，在本實施形態中，在半導體層17上，還形成由氮化矽膜構成的保護膜16。因此，能夠更好地抑制蝕刻劑導致的受光面20b的損傷。從而，能夠以改善的成品率實現更優良的可靠性和光電轉換效率。

而且，即使在形成氮化矽膜以外的保護膜的情況下，與未形成保護膜的情況相比，也能夠抑制蝕刻劑到達半導體層17。從而，即使在形成氮化矽膜以外的保護膜的情況下，也能夠以改善的成品率實現優良的可靠性和光電轉換效率。

這樣的效果是與受光面20b的性狀無關地獲得的，而受光面20b具有紋理結構的情況下會特別顯著地實現。這是由於受光面20b具有紋理結構時，在保護膜上更容易形成針孔。

此外，這樣的效果，不僅可以在第二形成步驟之前進行第一形成步驟時實現，在第二形成步驟中最後進行的使 用鹼性蝕刻劑的蝕刻步驟之前進行第一形成步驟的情況下也能夠實現。

以下，對於實施本發明的較佳形態的其他例子進行說明。但是在以下說明中，對於與上述第一實施形態實質上具有共用功能的構件用共用的符號參照，省略說明。

《第二實施形態》

第9圖是第二實施形態的太陽能電池的概略截面圖。第10圖是用於說明第二實施形態的太陽能電池的製造步驟的概略截面圖。第11圖是用於說明第二實施形態的太陽能電池的製造步驟的概略截面圖。

在上述第一實施形態中，說明由半導體基板10、半導體層12n、13p構成太陽能電池基板20的例子。但是，本發明不限於該結構。

在本實施形態的太陽能電池中，太陽能電池基板20由半導體基板10構成。在本實施形態中，在半導體基板10設置有n型摻雜物擴散區域31n和p型摻雜物擴散區域31p。n型摻雜物擴散區域31n以在構成背面20a的第二主面10b露出的方式設置。n型摻雜物擴散區域31n構成n型表面20an。p型摻雜物擴散區域31p以在第二主面10b露出的方式設置。p型摻雜物擴散區域31p構成p型表面20ap。

此外，在本實施形態中，太陽能電池具備配置在背面20a上的絕緣層18。該絕緣層18將p側電極15和n側電極14隔離。

本實施形態的太陽能電池，例如能夠以以下要領製造。

首先，使用p型或者n型的擴散塗料，從半導體基板10的第二主面10b的一部分使p型摻雜物擴散，並且從剩餘的至少一部分使n型摻雜物擴散。由此，在半導體基板10形成p型摻雜物擴散區域31p和n型摻雜物擴散區域31n，得到太陽能電池基板20。

接著，形成半導體層17和保護膜16。半導體層17和保護膜16的形成，能夠與上述第一實施形態同樣地進行。而且，也可以在太陽能電池基板20的製作之前進行半導體層17和保護膜16的形成。

接著，如第10圖所示，在半導體基板10的第二主面10b上形成絕緣膜22。

接著，如第11圖所示，藉由蝕刻除去絕緣膜22的位於p型摻雜物擴散區域31p和n型摻雜物擴散區域31n上的部分的至少一部分，使p型摻雜物擴散區域31p和n型摻雜物擴散區域31n露出。

接著，藉由在p型摻雜物擴散區域31p和n型摻雜物擴散區域31n上形成n側電極14和p側電極15，能夠完成太陽能電池。

本實施形態中，也與上述第一實施形態相同，能夠以改善的成品率實現優良的可靠性和光電轉換效率。

《實施例》 (實施例1)

在基板上，製作2個對厚度5.4nm的i型非晶形矽層 和厚度8.5nm的n型非晶形矽層按照該順序形成的樣品1。

將該樣品1浸漬在25℃、0.4質量%的NaOH水溶液中，測定至i型和n型非晶形矽層消失所需要的時間。其結果是，至i型和n型非晶形矽層消失所需要的時間是5分鐘。

(實施例2)

在基板上，製作2個對厚度5.1nm的i型非晶形矽層和厚度4.2nm的p型非晶形矽層按照該順序形成的樣品2。

將該樣品2浸漬在50℃、4質量%的NaOH水溶液中，測定至i型和p型非晶形矽層消失所需要的時間。其結果是，至i型和p型非晶形矽層消失所需要的時間是10分鐘。

在上述實施例2中，儘管p型和i型非晶形矽層的厚度比實施例1薄，並且使用了比實施例1蝕刻性高的狀態的蝕刻液，但是非晶形矽層消失所需要的時間長。根據該結果，可知p型非晶形矽比n型非晶形矽相更難以被鹼性的蝕刻劑蝕刻。

而且，本發明包括此處未記載的各種實施形態。例如，在上述實施形態中，說明了半導體層17具有i型非晶形半導體層17i、n型非晶形半導體層17n和非晶形半導體層17p的例子，但是半導體層17的結構不限於此。半導體層17可以為i型非晶形半導體層17i與非晶形半導體層17p的積層結構，還可以為非晶形半導體層17p的單層。

如上所述，本發明包括此處未記載的各種實施形態。因而，本發明的技術範圍係由上述說明僅根據有關於適當的申請專利範圍之發明規定事項所認定者。

1‧‧‧太陽能電池

10‧‧‧半導體基板

10a‧‧‧第一主面

10b‧‧‧第二主面

12n‧‧‧n型半導體層

13p‧‧‧p型半導體層

14‧‧‧n側電極

15‧‧‧p側電極

16‧‧‧保護膜

17‧‧‧半導體層

17i‧‧‧i型非晶半導體層

17n‧‧‧n型非晶半導體層

17p‧‧‧非晶半導體層

18‧‧‧絕緣層

20‧‧‧太陽能電池基板

20a‧‧‧背面

20an‧‧‧n型表面

20ap‧‧‧p型表面

20b‧‧‧受光面

21‧‧‧半導體膜

22‧‧‧絕緣膜

23‧‧‧p型半導體膜

31n‧‧‧n型摻雜物擴散區域

31p‧‧‧p型摻雜物擴散區域

第1圖是第一實施形態的太陽能電池的概略平面圖。

第2圖是第1圖的線II-II的概略截面圖。

第3圖是表示第一實施形態的太陽能電池的製造步驟的流程圖。

第4圖是用於說明第一實施形態的太陽能電池的製造步驟的概略截面圖。

第5圖是用於說明第一實施形態的太陽能電池的製造步驟的概略截面圖。

第6圖是用於說明第一實施形態的太陽能電池的製造步驟的概略截面圖。

第7圖是用於說明第一實施形態的太陽能電池的製造步驟的概略截面圖。

第8圖是用於說明第一實施形態的太陽能電池的製造步驟的概略截面圖。

第9圖是第二實施形態的太陽能電池的概略截面圖。

第10圖是用於說明第二實施形態的太陽能電池的製造步驟的概略截面圖。

第11圖是用於說明第二實施形態的太陽能電池的製造步驟的概略截面圖。

1‧‧‧太陽能電池

10‧‧‧半導體基板

10a‧‧‧第一主面

10b‧‧‧第二主面

12n‧‧‧n型半導體層

13p‧‧‧p型半導體層

14‧‧‧n側電極

15‧‧‧p側電極

16‧‧‧保護膜

17‧‧‧半導體層

17i‧‧‧i型非晶半導體層

17n‧‧‧n型非晶半導體層

17p‧‧‧非晶半導體層

18‧‧‧絕緣層

20‧‧‧太陽能電池基板

20a‧‧‧背面

20an‧‧‧n型表面

20ap‧‧‧p型表面

20b‧‧‧受光面

Claims (11)

1. 一種太陽能電池，其特徵在於，包括：具有第一主面和第二主面的太陽能電池基板，其中上述第一主面包括n型表面和p型表面；與上述n型表面連接的n側電極；與上述p型表面連接的p側電極；以及半導體層，其配置在上述第二主面上，並且具有含有p型摻雜物的表層。
2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中，上述第二主面具有紋理結構。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之太陽能電池，其中，復具備配置在上述半導體層上的保護膜。
4. 如申請專利範圍第3項所述之太陽能電池，其中，上述保護膜由氮化矽膜構成。
5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之太陽能電池，其中，上述太陽能電池基板包括n型的半導體基板。
6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之太陽能電池，其中，上述太陽能電池基板具有：半導體基板；n型半導體層，其配置在上述半導體基板的一主面上，構成上述n型表面；以及p型半導體層，其配置在上述半導體基板的一主面上，構成上述p型表面。
7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之太陽能電 池，其中，上述太陽能電池基板包括：半導體基板；n型摻雜物擴散區域，其以在上述半導體基板的一主面露出的方式設置，構成上述n側表面；以及p型摻雜物擴散區域，其以在上述半導體基板的一主面露出的方式設置，構成上述p側表面。
8. 如申請專利範圍第6或7項所述之太陽能電池，其中，上述半導體層包括：配置在上述第二主面上的i型半導體層；配置在上述i型半導體層上的n型半導體層；以及配置在上述n型半導體層上並且含有p型摻雜物的半導體層。
9. 一種太陽能電池的製造方法，上述太陽能電池具備：具有第一主面和第二主面的太陽能電池基板，上述第一主面包括n型表面和p型表面；與上述n型表面連接的n側電極；以及與上述p型表面連接的p側電極；並且以上述第二主面為受光面，上述太陽能電池的製造方法的特徵在於：在利用包含p型摻雜物的半導體層來保護上述半導體基板的第二主面的狀態下，形成上述n型表面、上述p型表面、上述n側電極和上述p側電極。
10. 如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池的製造方法，其中，上述太陽能電池基板包括n型的半導體基板。
11. 如申請專利範圍第9或10項所述之太陽能電池的製造方法，其中，包括使用鹼性的蝕刻劑的蝕刻步驟。