TW201335433A

TW201335433A - 總括蝕刻具有鈦和鈦合金的金屬積層膜之蝕刻液組成物

Info

Publication number: TW201335433A
Application number: TW101145156A
Authority: TW
Inventors: Ryo Kouno; Masaru Kato
Original assignee: Kanto Kagaku
Priority date: 2011-11-30
Filing date: 2012-11-30
Publication date: 2013-09-01
Also published as: CN103132078A; JP2013112882A; KR20130061107A

Abstract

本發明的問題在於提供一種蝕刻液，其用於總括蝕刻含有鈦或鈦合金層之金屬積層膜，該蝕刻液可以解決對玻璃的浸蝕性、面內不均勻性、殘渣、較長的處理時間等的問題。本發明是關於一種蝕刻液、該蝕刻液的製造方法、以及使用該蝕刻液之蝕刻方法，該蝕刻液用於總括蝕刻金屬積層膜，該金屬積層膜是由至少一層的鈦或鈦合金層、及至少一層的其他金屬層所構成，其中，該蝕刻液含有：含氟之酸或使該酸產生之氟化物、及氟可配位之離子。

Description

總括蝕刻具有鈦和鈦合金的金屬積層膜之蝕刻液組成物

本發明關於一種蝕刻液組成物，該蝕刻液用以對多層膜進行總括蝕刻，該多層膜具有鈦或鈦合金層，並被使用在FPD(平面面板顯示器)的顯示裝置、太陽能電池、觸控面板的電極等處，例如存在於二氧化矽(SiO₂)或矽基板上的具有鈦或鈦合金的多層膜。

液晶顯示器的電極及配線材料中有使用到鋁(Al)，但是隨著基板尺寸的大型化，與薄膜電晶體連接的閘線及資料線也跟著變長，因而訊號傳達遲延會成為問題。因此，更低電阻的銅配線的開發及實用化，近年來非常盛行，也期待對於3D液晶電視的應用。

將銅作成電極及配線來加以使用時，並不是將銅以單層的形態來加以利用，而必須要把Ti(鈦)、Mo(鉬)、MoTi(鉬鈦)合金等金屬作為密接層、阻隔層來使用，使用該密接層、阻隔層的目的在於提高與玻璃基板的密接性和阻隔銅(Cu)的擴散等。在這樣的情況下，一般會嘗試將Cu/Ti、Ti/Cu/Ti、Mo/Cu/Mo、Cu/Mo、MoTi合金/Cu/MoTi合金、Cu/MoTi合金等的積層膜，使用在電極上。

前述的電極配線，並不僅限於使用了銅之金屬積層膜，具有鈦或鈦合金的金屬積層膜，也被使用在ELD(電致發光顯示器)等的FPD(平面面板顯示器)、太陽能電池、觸控面板的電極等之中。用於有效率地對這樣的金屬積層膜進行細微加工的方法，進行了各種討論。

作為先前的Cu/Ti積層膜的蝕刻方法，由於銅層很難進行乾式蝕刻，所以Cu/Ti的總括濕式蝕刻是主流。Cu/Ti的總括蝕刻液當中，包含作為用於溶解銅之氧化劑的過氧化氫或過氧硫酸(過硫酸)等的過氧化物、及用於溶解鈦之氟化物所組合而成的Cu/Ti的總括蝕刻液，已經被實用化(專利文獻1)。

也有將銅與鈦分別蝕刻(銅採用濕式蝕刻、鈦採用濕式蝕刻或乾式蝕刻)的方法，但是由於蝕刻步驟變成2階段而會變得複雜，所以總括蝕刻的方式會比較理想。

然而，上述Cu/Ti總括蝕刻液，已知溶解於液中的銅離子會促進過氧化氫、過硫酸的分解，而產生氧氣。因此，在使用時，被消耗的氧化劑會比面板的處理片數所對應的消耗量更多，因而產生需要補充大量氧化劑的問題。又，伴隨著氧氣的發生，收納蝕刻液的容器中的壓力也會變大，所以也會有發生爆炸的危險性問題。依據以上理由，希望有一種使用了代替過氧化氫、過硫酸之氧化劑而成之Cu/Ti總括蝕刻液。

作為過氧化物以外之氧化劑，即使是與銅離子共存下，也具穩定性的HNO₃是有效的。已知以HNO₃為氧化劑之蝕刻液，是混酸系(H₃PO₄+HNO₃+AcOH、H₂SO₄+HNO₃+AcOH)，主要是使用在Al的蝕刻液。關於Cu的蝕刻，利用調整HNO₃和其他酸的濃度，就可以將Cu的溶解速度控制在最適當的範圍內。如果再加入氟化物的話，就可以對Cu/Ti進行總括蝕刻。

也有使用無機氧化劑(Fe、Cu、Al等的多價離子)之蝕刻液，但是難以控制Cu溶解的速度，S.E.(側蝕)變大，而會有圖案邊緣不尖銳而變成凹凸形狀等的問題。若側蝕大，則金屬配線的線幅會變小，這可能會引起電阻增大，而產生問題。又，若圖案邊緣的形狀差，則會發生斷線或短路等的問題，在下一步驟的薄膜成膜中，該圖案的階梯覆蓋效果會變差。因此，以這個組成為基液(base solution)來找出良好的Cu/Ti總括蝕刻液，被認為將會比混酸系更加困難。

因此，在使用過氧化物以外之氧化劑而成的Cu/Ti總括蝕刻液中，以氟化物和混酸系組合而成的混酸系基液，被認為是最適合的。不過，如果以混酸系基液來總括蝕刻Cu/Ti，雖然對於控制側蝕及圖案邊緣的形狀不會有問題，但是會有基底玻璃的浸蝕性、較低的面內均勻性、較長的處理時間、以及初期液體無法溶解Cu層等的問題。

特別是當蝕刻液對玻璃的浸蝕性高時，會成為良率下降的原因，這是最需要被優先考量及改善的課題。為了要抑制玻璃浸蝕性的問題，降低氟化物濃度是有效的，但是鈦要根據氟化物來溶解，所以鈦的溶解速度也會降低。因此，要維持充份的鈦的溶解速度，同時抑制玻璃浸蝕性，是困難的。

以下，關於主要的先前技術，簡單地介紹與本發明的相異之處。

在日本特開2005-097715號公報(特許文獻2)中揭示了一種作為含鈦層之蝕刻液，其特徵在於主成分中含有矽氟酸(silicofluoric acid)；進而，也揭示了一種含有氧化劑(硝酸或是過氧化氫水)之組成。又，揭示了一種含鈦層的蝕刻方法，用於在含鈦層上形成由鈦(Ti)以外的金屬(Pt、Au、Ag、Cu、Pd)所構成的圖案。不過，在該文獻中僅記載著：含鈦之層上部的銅等金屬是利用別的蝕刻液來進行蝕刻，含鈦層則是將上部金屬作為遮罩圖案，並根據前述蝕刻液來進行蝕刻。換句話說，該蝕刻液並不會對Cu及其他金屬進行蝕刻，而是會選擇地對鈦來進行蝕刻，所以用途和本發明不同。

在日本特開2010-114415號公報(專利文獻3)中，揭示一種蝕刻液，用於對由Cu或是Cu合金所構成的單層膜、及二層以上的積層膜進行蝕刻。其中，作為用於溶解Cu之氧化劑，含有HNO₃，但是因為不含氟化物，所以對Cu/Ti積層膜進行蝕刻時，無法對鈦(Ti)層進行蝕刻。

在美國專利第5298117號說明書(專利文獻4)中，揭示了一種利用氟+氯化銅+氯化物來對Cu/Ti進行蝕刻的製程。該專利文獻中，雖然記載了對於底切(undercut)和蝕刻剖面的形狀，但是沒有提及具體的蝕刻速度。

在韓國專利第10-0419071號公報(專利文獻5)中，揭示了一種組成物，其不含過氧化氫的組成物，而含有無機鹽(CuCl₂、Al(NO₃)₃、FeCl₃)、無機酸、氟素源以及呲啶來作為氧化劑。相對於將無機鹽(金屬鹽)作為用於進行蝕刻的氧化劑，本發明是為了抑制對玻璃的浸蝕性，而在蝕刻液中添加無機鹽(金屬鹽)來使遊離氟離子配位，所以本發明的目的與專利文獻5不同。又，為了控制錐形形狀以及抑制對玻璃基板的浸蝕性問題，在蝕刻液中添加了呲啶及其他含氮的有機溶劑，但這對於廢液的處理上又產生了新的問題。

在韓國專利第10-0596468號公報(專利文獻6)中，揭示了一種蝕刻液組成物，其是由HF和HNO₃+CH₃COOH的混合物。但是，蝕刻的對象並不是Ti/Cu/玻璃，再加上前述的專利文獻5中的引用指出，「因為錐形輪廓不良，所以造成對玻璃基板與矽層的浸蝕，所以實際上並不適合在工廠使用」。

如同上述，對Cu/Ti或是Cu/Ti合金層等金屬積層膜進行總括蝕刻時，現狀是尚未開發出一種能夠充分滿足要求的蝕刻液。

[先前技術文獻]

(專利文獻)

專利文獻1：美國專利第7008548號說明書

專利文獻2：日本特開2005-097715號公報

專利文獻3：日本特開2010-114415號公報

專利文獻4：美國專利第5298117號說明書

專利文獻5：韓國專利第10-0419071號公報

專利文獻6 韓國專利第10-0596468號公報

因此，本發明的問題在於提供一種總括蝕刻具有鈦或鈦合金層的金屬積層膜之蝕刻液組成物，其可以解決玻璃浸蝕性、面內膜厚不均勻、殘渣、較長的處理時間、初期液體對Cu層的溶解性差等的問題。

本發明人為了解決上述問題，進行深入的研究，發現以下所述的極為有用的蝕刻液，進而持續研究後的結果，終於完成了本發明，該蝕刻液包含：含氟之酸或使該酸產生之氟化物、及氟可配位之離子。

亦即，本發明是關於下述的蝕刻液、該蝕刻液的製造方法以及運用該蝕刻液所進行的蝕刻方法。

[1]一種蝕刻液，其用於總括蝕刻金屬積層膜，該金屬積層膜是由至少一層的鈦或鈦合金層、及至少一層的其他金屬層所構成，其中，該蝕刻液包含：含氟之酸或使該酸產生之氟化物、及氟可配位之離子。

[2]如[1]所述的蝕刻液，其中，至少一層的其他金屬層，是由銅層或銅合金層所構成的金屬積層膜。

[3]如[2]所述的蝕刻液，其中，金屬積層膜是由Cu/Ti、或由Cu/Ti合金所構成。

[4]如[1]~[3]中任一項所述的蝕刻液，其中，含氟之酸或使該酸產生之氟化物，是從由HF、NH₄F、HBF₄、H₂SiF₆、NaF、KF所組成的群組中選出的1種或2種以上。

[5]如[1]~[4]中任一項所述的蝕刻液，其中，氟可配位之離子，是含有從由Al、Ti、B、Si、Zr、Fe、Mn、Sn、Mo所組成的群組中所選出的元素之離子。

[6]如[1]~[5]中任一項所述的蝕刻液，其中，進而包含用於蝕刻銅或銅合金之氧化劑。

[7]如[6]所述的蝕刻液，其中，氧化劑是硝酸。

[8]如[1]~[7]中任一項所述的蝕刻液，其中，進而含有從由H₃PO₄、H₂SO₄、AcOH、HClO₄、HCl、MeSO₃H所組成的群組中選出的1種或是2種以上的酸。

[9]如[1]~[8]中任一項所述的蝕刻液，其中，進而含有從由含氟化矽離子之化合物及含矽之水溶性矽化合物所組成的群組中選出的1種或2種以上的化合物。

[10]一種製造方法，其根據混合含氟之酸或使該酸產生之氟化物、及氟可配位之離子，來製造如[1]~[9]中任一項所述的蝕刻液。

[11]一種蝕刻方法，其根據如[1]~[9]中任一項所述的蝕刻液，總括蝕刻由鈦或鈦合金層與其他金屬層所構成的金屬積層膜。

依據本發明，提供一種蝕刻液，可以總括蝕刻具有鈦及鈦合金層之金屬積層膜的蝕刻液，並能同時達成維持充分的鈦溶解速度與抑制玻璃浸蝕性。

根據本發明的蝕刻液，可以對於玻璃基板上所形成的Cu/Ti積層膜進行總括蝕刻，且不會對玻璃基板產生浸蝕性的問題。又，對於控制側蝕與圖案邊緣的形狀良好，且對於上述其他的先前的問題點(面內膜厚均勻性、殘渣、較長的處理時間、Cu層的溶解性)，也可能得到改善。

具體而言，是在蝕刻液的組成中新加入Al、Ti、B、Si、Zr、Fe、Mn、Sn、Mo(較佳是Al、Zr、Fe、B)等金屬(包含類金屬)，使金屬離子與氟化物離子(F)進行配位，來控制蝕刻液中的氟濃度，藉此而可抑制對玻璃的浸蝕性。進而，根據組成最佳化所實行的物性控制，面內均勻性的提高、處理時間的縮短、以及初期液體對Cu層的溶解度提高，變成可能。

另外，關於本發明的蝕刻的作用機制，雖然無法稱為是完全地明瞭，但是根據含氟之酸的氟化物離子，配位於氟可配位的離子，於是蝕刻液中的氟化物離子濃度可調整成適合用於蝕刻鈦或鈦合金而不會浸蝕玻璃或矽，被認為此蝕刻液會選擇性地對鈦或鈦合金進行蝕刻處理。進而，根據含氟之酸或蝕刻液中的氧化劑，形成銅等的積層膜之金屬也會被氧化，而被認為可更佳地進行對具有鈦及鈦合金層之金屬積層膜進行總括蝕刻。

第1圖是根據實施例3的液體，蝕刻處理18秒後的Cu/Ti基板的剖面觀察圖。

第2圖是根據實施例4的液體，蝕刻處理47秒後的Cu/Ti基板的剖面觀察圖。

第3圖是根據實施例5的液體，蝕刻處理72秒後的Cu/Ti基板的剖面觀察圖。

第4圖是根據實施例6的液體，蝕刻處理90秒後的Cu/Ti基板的剖面觀察圖。

第5圖是根據比較例3的液體，蝕刻處理36秒後的Cu/Ti基板的剖面觀察圖。

第6圖是根據比較例4的液體，蝕刻處理47秒後的Cu/Ti基板的剖面觀察圖。

第7圖是根據比較例5的液體，蝕刻處理38秒後的Cu/Ti基板的剖面觀察圖。

第8圖是使用比較例6的液體，蝕刻處理27秒後的Cu/Ti基板的剖面觀察圖。

本發明的蝕刻液所蝕刻的積層膜，是在玻璃基板或矽基板上所成膜的具有鈦或鈦合金層之積層膜；例如是在玻璃基板上利用濺鍍法，先成膜鈦或鈦合金層來作為障壁金屬，進而在其上成膜銅或是其他金屬而成的積層膜；該積層膜的組成可以舉出Cu/Ti、Cu/TiMo、Cu/TiFe及Cu /TiZr等。

本發明的鈦(Ti)合金是以鈦為主成份，包含了鈦及任意的其他金屬而成的合金。例如含有80wt%以上的鈦，較佳是含有90wt%以上的鈦，更佳是含有95wt%以上的鈦。

又，在本發明中，Cu/Ti是表示2層膜，從表層起依Cu、Ti的順序積層。又，Cu/Ti合金是表示2層膜，從表層起依Cu、Ti合金的順序積層。

本發明的蝕刻液，較理想的是以混酸系為基液，其中用於溶解金屬之氧化劑並不限定於HNO₃，只要是能溶解Cu就可以，並沒有特別限定。因此，我使用過氧化物以外之酸化劑的組成，已確認可以作為Cu/Ti的總括蝕刻液。

在本發明的蝕刻液中所含有的作為用於蝕刻銅之氧化劑，可例舉如下：HNO₃、H₂O₂、Na₂S₂O₈、(NH₄)₂S₂O₈、K₂S₂O₈、過硫酸鉀、OXONE(過硫酸氫鉀複合鹽)、LD-100(杜邦公司製)、金屬鹽(CuCl₂、FeCl₃、Cu(NO₃)₂)等。H₂O₂、Na₂S₂O₈、(NH₄)₂S₂O₈、K₂S₂O₈、過硫酸鉀等的過氧化物，在金屬離子共存時，會有分解的問題。又，雖然同樣都是過氧化物，但OXONE和LD-100會比H₂O₂、Na₂S₂O₈等的穩定性更好，但由於在鹼性條件下容易分解，所以作為氧化劑，較佳是HNO₃。

若HNO₃濃度過低，對Cu的溶解能力會降低，會發生可處理的面板片數減少的問題。又，若HNO₃濃度過高，則很難控制蝕刻的動態，會發生面內均勻性降低而產生Cu殘渣的問題。因此，HNO₃濃度較佳是在0.174~4.75mol/l。

又，作為用於調整Cu的蝕刻速度的酸，例如含醋酸3.00~7.39mol/l的情況，HNO₃濃度較佳是在2.75~4.75mol/l；若在醋酸3.00~7.39mol/l中，添加過氯酸、硫酸、磷酸等而含有3.00~4.00 mol/l的情況，HNO₃濃度較佳是0.174~1.00mol/l，更佳是0.3~0.5mol/l。

在本發明的蝕刻液中所含有的作為含氟之酸，可例舉如下：HF、NH₄F、HBF₄、H₂SiF₆等。若從因含有矽酸離子，而能更有效地抑制玻璃浸蝕的觀點來看，較佳是H₂SiF₆。又，由於H₂SiF₆可有效地提高Cu的溶解速度，它和H₃PO₄、H₂SO₄、AcOH(醋酸)、HClO₄等其他的酸一樣，可以有效地改善初期液體對Cu層不易溶解的問題，所以是較佳的。

含氟之酸的濃度，例如關於H₂SiF₆濃度，若濃度過低，則會有對鈦溶解能力降低的問題。若濃度過高，則如下所述，對應H₂SiF₆濃度，也需要大量的金屬離子，於是金屬離子的溶解度會有超過上限的擔憂。依據這些理由，H₂SiF₆濃度較佳是0.12~0.35mol/l，更佳是0.12~0.175mol/l。

作為本發明蝕刻液中所含有的金屬(包含類金屬)離子，可例舉如下：Al、Ti、B、Si、Zr、Fe、Mn、Sn、Mo等等，但從容易與氟化物配位並有效地抑制玻璃浸蝕性的觀點來看，較佳是Al、Zr、Fe、B；進而，從可以得到良好的錐形輪廓的觀點來看，較佳是Al、Zr、B；進而，從在水溶液中的溶解性的觀點來看，較佳是Al。又，作為Al的金屬鹽，組成中原來就含有陰離子之金屬鹽會比較好，所以較佳是Al(NO₃)₃。此處，所謂的良好的錐形輪廓，是指：沒有蝕刻不均勻的情況的蝕刻、蝕刻後的金屬線寬的蝕刻精度高、圖案邊緣的形狀是尖銳(sharp)的形狀、及圖面的形狀是錐形等。圖案邊緣的形狀若不尖銳而變成凹凸形狀，則會造成斷線或短路等的問題，若圖案無法得到錐形形狀，則在下一步驟的薄膜成形中，該圖案的階梯覆蓋性會變差。

若金屬離子的濃度過高，液體中的氟離子會與金屬離子錯合，被消耗而減少，造成鈦無法溶解。又，若濃度過低，則液體中的氟離子會幾乎無法被消耗而大量存在，而造成玻璃被過度浸蝕。因此，金屬離子的濃度，相對於含氟之酸(例如，H₂SiF₆)是有一個適當的量存在的。關於上述最佳的H₂SiF₆的濃度，若考慮金屬離子的溶解度，較佳是0.058~0.116mol/l。

本發明的蝕刻液，除了含氟之酸以外，也可以進而含有可控制Cu蝕刻動態的酸。而根據含有用於控制Cu蝕刻動態的酸、及調整水分，黏性及pH值等，則可以進一步地對Cu的蝕刻速度、面內均勻性等的Cu的蝕刻動態進行控制。作為此種用於控制Cu的蝕刻動態的酸，可例舉如下：H₃PO₄、H₂SO₄、AcOH、HClO₄、HCl、MeSO₃H(甲磺酸)等。從不阻礙鈦蝕刻的觀點來看，較佳是AcOH、HClO₄、HCl。進而，從提升Cu的蝕刻速度、面內均勻性的觀點，更佳是AcOH、HClO₄。

金屬積層膜是被形成在由半導體或絕緣體所構成的基板或薄膜上；若是以下的薄膜或基板，則能獲得可蝕刻鈦也不會浸蝕含矽之層這樣的效果，該薄膜或基板是玻璃基板、矽基板、二氧化矽基板、由矽或二氧化矽所構成的薄膜、及含有將矽作為含浸於環氧玻璃等樹脂中的元素之基板。

本發明的蝕刻液中的含氟之酸，可例舉為HF、NH₄F、HBF₄及H₂SiF₆；又，也可以是根據添加NaF、KF等而生成HF等的酸之物。

[實施例] <實施例1~2，比較例1~2>

以下說明根據氟離子來抑制玻璃浸蝕的實施例。利用以下的蝕刻液來進行玻璃的E.R.(蝕刻速度)的測量，該蝕刻液，是在包含為了要溶解鈦而使用氟化氫(HF)，且作為用於溶解Cu的氧化劑而使用HNO₃、H₂O₂，而在以HNO₃為氧化劑的情況，作為其他的酸而含有HCIO₄、AcOH之液體中，添加了作為金屬離子的AlCl₃而成之蝕刻液，該金屬離子是用於在前述的液體中與氟離子形成錯合物(complex)。試驗用的玻璃是硼矽酸玻璃(松浪硝子公司製造)。試驗的方法是把玻璃在液温40℃、攪拌速度700r.p.m的條件下，浸漬10分鐘，然後測量浸漬前後的重量差，推算出E.R.(蝕刻速度)。結果如表1所示。

由表1的結果，可以得知：不論銅的氧化劑的種類為何，根據添加了可與氟離子形成錯合物之離子，便能抑制對玻璃的浸蝕。

<實施例3~6>

以下說明本發明的蝕刻步驟的實施例。在玻璃基板上形成膜厚350 Å的鈦及膜厚400 Å的銅之後，形成光阻圖案，然後在表2的蝕刻液中，以液温40℃、攪拌速度700r.p.m的條件下，浸漬適量蝕刻(just etching)時間的1.5倍時間。之後，將水洗、乾燥後的基板，利用顯微鏡觀察其蝕刻後的S.E.(側蝕量)、錐形形狀、殘渣等並進行評價。在表2中顯示了處理時間與S.E.的結果。又，也採用了與實施例1~2同樣的方法來測量了玻璃E.R.(蝕刻速度)，結果一併顯示在表2。

注：J.E.T.：適量蝕刻時間(Just Etching Time)

第1圖~第4圖表示實施例3~6的蝕刻結果的照片(實施例3：第1圖；實施例4：第2圖；實施例5：第3圖；實施例6：第4圖)。可以得知，不論是哪一張照片，其錐形形狀都是比較良好，且對玻璃的浸蝕性都是比較少的蝕刻圖形。

<比較例3~6>

在玻璃基板上形成膜厚350 Å的鈦及膜厚400 Å的銅之後，形成光阻圖案，然後在表3的蝕刻液中，以液温40℃、攪拌速度700r.p.m的條件下，浸漬適當蝕刻(just etching)時間的1.5~4.7倍的時間。之後，將水洗、乾燥後的基板利用顯微鏡觀察其蝕刻後的S.E.(側蝕量)、錐形形狀、殘渣等並進行評價。在表3中顯示了處理時間和S.E.的結果。又，也採用了與實施例1~2同樣的方法來測量了玻璃E.R.(蝕刻速度)，結果一併顯示在表3。

第5圖~第8圖表示比較例3~6的蝕刻結果(比較例3：第5圖；比較例4：第6圖；比較例5：第7圖；比較例6：第8圖)。可以得知，若是沒有添加金屬離子的組成，則玻璃基板的浸蝕狀況非常嚴重。比較例3~6是由實施例3~6的成份中僅排除金屬離子而成的組成。由實驗結果可以得知，由於排除金屬離子，會大幅地增加對玻璃的浸蝕性。

[產業上的可利用性]

本發明的蝕刻液，在液晶顯示器及半導體裝置等電子裝置的步驟中，可以作為在構成配線或是電極等的時候的金屬積層膜之蝕刻液來使用。

Claims

一種蝕刻液，其用於總括蝕刻金屬積層膜，該金屬積層膜是由至少一層的鈦或鈦合金層、及至少一層的其他金屬層所構成，其中，該蝕刻液包含：含氟之酸或使該酸產生之氟化物、及氟可配位之離子。
如請求項1所述的蝕刻液，其中，至少一層的其他金屬層，是由銅層或銅合金層所構成的金屬積層膜。
請求項2所述的蝕刻液，其中，金屬積層膜是由Cu/Ti、或由Cu/Ti合金所構成。
請求項1~3中任一項所述的蝕刻液，其中，含氟之酸或使該酸產生之氟化物，是從由HF、NH₄F、HBF₄、H₂SiF₆、NaF、KF所組成的群組中選出的1種或2種以上。
如請求項1~3中任一項所述的蝕刻液，其中，氟可配位之離子，是含有從由Al、Ti、B、Si、Zr、Fe、Mn、Sn、Mo所組成的群組中所選出的元素之離子。
如請求項1~3中任一項所述的蝕刻液，其中，進而包含用於蝕刻銅或銅合金之氧化劑。
如請求項6所述的蝕刻液，其中，氧化劑是硝酸。
如請求項1~3中任一項所述的蝕刻液，其中，進而含有從由H₃PO₄、H₂SO₄、AcOH、HClO₄、HCl、MeSO₃H所組成的群組中選出的1種或是2種以上的酸。
如請求項1~3中任一項所述的蝕刻液，其中，進而含有從由含氟化矽離子之化合物及含矽之水溶性矽化合物所組成的群組中選出的1種或2種以上的化合物。
一種製造方法，其根據混合含氟之酸或使該酸產生之氟化物、及氟可配位之離子，來製造如請求項1~9中任一項所述的蝕刻液。
一種蝕刻方法，其根據如請求項1~9中任一項所述的蝕刻液，總括蝕刻由鈦或鈦合金層與其他金屬層所構成的金屬積層膜。